JP2998773B2 - High frequency doubler circuit - Google Patents

High frequency doubler circuit

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JP2998773B2
JP2998773B2 JP8318694A JP8318694A JP2998773B2 JP 2998773 B2 JP2998773 B2 JP 2998773B2 JP 8318694 A JP8318694 A JP 8318694A JP 8318694 A JP8318694 A JP 8318694A JP 2998773 B2 JP2998773 B2 JP 2998773B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタのベース
に高周波帯域の源信号が与えられ、そのコレクタには、
源信号の周波数の2倍の周波数に共振する同調回路が接
続された高周波2逓倍回路に関する。
In the present invention, a high frequency band source signal is applied to the base of a transistor, and the collector of the transistor has
The present invention relates to a high-frequency doubling circuit to which a tuning circuit that resonates at twice the frequency of the source signal is connected.

【0002】[0002]

【従来の技術】高周波帯域の信号を2逓倍する従来技術
の1つに、位相比較器、ループフィルタ、チャージポン
プ、およびVCOからなるPLL回路があるが、このP
LL回路は、回路構成が複雑であるため高価である。ま
た扱う信号がアナログ信号である場合には、充分な振幅
を確保したアナログ信号を整形し、デジタル信号とする
必要があるので、回路構成の一層の複雑化を招く。その
ためPLL回路は、源信号と逓倍された信号との位相関
係を厳密な関係にする場合を除くと、アナログ信号の逓
倍に使用されることは稀である。
2. Description of the Related Art One of conventional techniques for doubling a signal in a high frequency band is a PLL circuit comprising a phase comparator, a loop filter, a charge pump, and a VCO.
The LL circuit is expensive due to its complicated circuit configuration. Further, when the signal to be handled is an analog signal, it is necessary to shape the analog signal having a sufficient amplitude and convert it into a digital signal, which further complicates the circuit configuration. Therefore, the PLL circuit is rarely used for multiplying the analog signal unless the phase relationship between the source signal and the multiplied signal is made strict.

【0003】アナログ信号の逓倍にもっぱら使用される
従来技術としては、トランジスタをC級動作させること
によって高調波を多く含んだ信号を発生させ、コレクタ
に接続された同調回路の周波数を所望の周波数とするこ
とにより、源信号を2逓倍する回路がある。また、導か
れた信号の半波成分を除去することにより、偶数倍の高
調波を多く含んだ信号を発生させ、後段に設けられた同
調回路を所望周波数とすることにより、2逓倍を行うダ
イオード逓倍回路がある。
[0003] As a conventional technique used exclusively for multiplication of an analog signal, a signal containing a large number of harmonics is generated by operating a transistor in class C, and the frequency of a tuning circuit connected to a collector is adjusted to a desired frequency. Thus, there is a circuit that doubles the source signal. Also, a diode that performs doubling by removing a half-wave component of the guided signal to generate a signal including many even-numbered harmonics, and setting a tuning circuit provided at a subsequent stage to a desired frequency. There is a multiplier circuit.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらトランジ
スタをC級動作させる回路では、動作点をC級に設定す
る関係から、ベースに与える源信号のレベルを充分に大
きなレベルとする必要がある。このためコレクタに発生
する高調波信号のレベルも極めて大きい。このことは、
受像機あるいは受信機等のように、微少信号を取り扱う
装置に使用する場合では、内部において不要信号が副射
されることを嫌うため、逓倍回路(特に同調回路を構成
するコイル)に充分なシールドを施さなければならない
という問題を生じていた。
However, in a circuit for operating a transistor in a class C operation, it is necessary to set the level of a source signal applied to the base to a sufficiently large level because of setting the operating point to the class C operation. For this reason, the level of the harmonic signal generated in the collector is extremely large. This means
When used in devices that handle small signals, such as receivers or receivers, we do not want unwanted signals to be spiked inside, so we have sufficient shielding for the multiplier circuit (especially the coil that constitutes the tuning circuit). Has to be performed.

【0005】またダイオード逓倍回路は、ダイオードが
受動素子であるため、逓倍時の信号の減衰が大きい。そ
のため前段に増幅回路を設け、充分なレベルが確保され
た源信号をダイオード逓倍回路に与える構成、あるいは
逓倍された信号を増幅する増幅回路を後段に設けた構成
とする必要がある。そのため2逓倍を行う回路構成が複
雑になるという問題を生じていた。
[0005] In the diode multiplying circuit, since the diode is a passive element, signal attenuation at the time of multiplication is large. For this reason, it is necessary to provide an amplifier circuit in the preceding stage and provide a source signal having a sufficient level to the diode multiplier circuit, or to provide an amplifier circuit for amplifying the multiplied signal in the subsequent stage. Therefore, there has been a problem that the circuit configuration for performing the doubling becomes complicated.

【0006】本発明は上記課題を解決するため創案され
たものであって、請求項1記載の発明の目的は、信号の
微少レベルを維持した状態において、簡単な回路構成で
もって2逓倍を行うことのできる高周波2逓倍回路を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to perform doubling with a simple circuit configuration while maintaining a very low level of a signal. It is an object of the present invention to provide a high-frequency doubler circuit that can perform the above-mentioned operations.

【0007】また請求項2記載の発明の目的は、トラン
ジスタのhfeがばらついたときにも、動作点を所定の
動作点に精度よく設定することのできる高周波2逓倍回
路を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a high-frequency doubling circuit capable of accurately setting an operating point to a predetermined operating point even when the hfe of the transistor varies.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1記載の発明に係る高周波2逓倍回路は、トラン
ジスタのベースに高周波帯域の源信号が与えられ、トラ
ンジスタのコレクタには、源信号の周波数の2倍の周波
数に共振する同調回路が接続された高周波2逓倍回路に
適用しており、ベース電圧を横軸とし、コレクタ電流を
縦軸とする平面において、トランジスタのベース電圧と
トランジスタのコレクタ電流との関係を示す曲線の二次
微分係数の最大値近傍にトランジスタの動作点を設定し
た構成としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a high frequency doubling circuit according to the first aspect of the present invention, wherein a source signal in a high frequency band is provided to a base of a transistor, and a source signal is provided to a collector of the transistor. Is applied to a high-frequency doubling circuit connected to a tuning circuit that resonates at a frequency twice as high as that of the base voltage of the transistor. The operating point of the transistor is set near the maximum value of the second derivative of the curve indicating the relationship with the collector current.

【0009】また請求項2記載の発明に係る高周波2逓
倍回路は、トランジスタのベースを、このトランジスタ
のコレクタに電位を与える電源にベース抵抗を介して接
続し、トランジスタの所望動作点に対応するコレクタ電
流値を、エミッタに接続したエミッタ抵抗の抵抗値によ
って設定した構成としている。
According to a second aspect of the present invention, in the high frequency doubler circuit, a base of the transistor is connected to a power supply for applying a potential to the collector of the transistor via a base resistor, and a collector corresponding to a desired operating point of the transistor is provided. The current value is set by the resistance value of the emitter resistor connected to the emitter.

【0010】[0010]

【作用】請求項1記載の発明の作用を以下に示す。ベー
ス電圧とコレクタ電流との関係を示す曲線の一次微分係
数は、係数が一定である場合、増幅の直線性が良いこと
を意味し、且つ係数は増幅率を示す。また一次微分係数
が一定であることは、二次微分係数が0であることを意
味する。このことを逆の観点から見ると、二次微分係数
が最大となる動作点とは、最大の歪みを与える動作点で
あることを意味する。またトランジスタのコレクタ電流
は、ベース電圧が増加すると、この増加に対応して一義
的に増加する。そのため二次微分係数が最大となる動作
点は、波形が非対称となる歪みを最も多く得られる動作
点であることを意味する。つまり偶数の高調波をより多
く得られる動作点となる。またこの動作点はA級の動作
領域であるため、入力される信号レベルの大小に影響さ
れず、所定歪みの信号を得ることができる。
The operation of the first aspect of the invention will be described below. The first derivative of the curve showing the relationship between the base voltage and the collector current means that when the coefficient is constant, the linearity of amplification is good, and the coefficient indicates the amplification factor. The fact that the first derivative is constant means that the second derivative is zero. From the opposite point of view, the operating point at which the second derivative is the maximum means that the operating point gives the maximum distortion. Further, when the base voltage increases, the collector current of the transistor uniquely increases in response to the increase. Therefore, the operating point at which the second derivative is the maximum means that the operating point at which the most asymmetrical distortion is obtained. In other words, it is an operating point where more even harmonics can be obtained. Further, since this operating point is a class A operating region, a signal having a predetermined distortion can be obtained without being affected by the level of the input signal level.

【0011】請求項2記載の発明の作用を以下に示す。
トランジスタは、NPN型あるいはPNP型の任意の型
で良いが、説明を簡便なものとするため、以下では、ト
ランジスタをNPN型とした場合について説明する。ト
ランジスタのベースは、ベース抵抗を介して、トランジ
スタのコレクタに電位を与える電源に接続されている。
このためトランジスタのhfeが大きい側にばらつく
と、ベース電流が少なくなり、ベース電位は高くなる方
向に変位する。またhfeが小さい側にばらつくと、ベ
ース電流が多くなり、ベース電位は低くなる側に変位す
る。しかしトランジスタの動作点は、コレクタ電流が微
少となる動作点であるため、コレクタ電流を設定するエ
ミッタ抵抗の抵抗値は大きい。このためエミッタの電位
は、エミッタ電流の微少変位によって大きく変位する。
そのため所望コレクタ電流に対応するベース電流が、所
望電流値より極く僅か変位しただけで、エミッタの電位
は、ベース電位のばらつきに追従するように変位する。
またこのときのベース電流の変位がコレクタ電流に与え
る影響は微少である。このためトランジスタのベース電
圧であるベース・エミッタ間電圧は、ばらつきが微少で
あるコレクタ電流に対応した電圧に設定される。つまり
hfeがばらついたときにも、トランジスタの動作点
は、所望動作点の近傍に設定されることとなる。
The operation of the invention described in claim 2 will be described below.
The transistor may be an NPN type or a PNP type, but for simplicity of description, a case where the transistor is an NPN type will be described below. The base of the transistor is connected via a base resistor to a power supply for applying a potential to the collector of the transistor.
For this reason, when the hfe of the transistor varies to the larger side, the base current decreases, and the base potential is displaced in a higher direction. If hfe varies to a smaller side, the base current increases and the base potential shifts to a lower side. However, since the operating point of the transistor is an operating point at which the collector current becomes very small, the resistance value of the emitter resistor that sets the collector current is large. For this reason, the potential of the emitter is largely displaced by a slight displacement of the emitter current.
Therefore, even when the base current corresponding to the desired collector current is slightly displaced from the desired current value, the potential of the emitter is displaced so as to follow the variation of the base potential.
At this time, the influence of the displacement of the base current on the collector current is very small. For this reason, the base-emitter voltage, which is the base voltage of the transistor, is set to a voltage corresponding to the collector current with small variations. That is, even when hfe varies, the operating point of the transistor is set near the desired operating point.

【0012】[0012]

【実施例】以下に、本発明の一実施例について図面を参
照しつつ説明する。図1は、本発明に係る高周波2逓倍
回路の一実施例の電気的接続を示す回路図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing the electrical connection of one embodiment of the high frequency doubler circuit according to the present invention.

【0013】本実施例は、テレビ受像機、またはビデオ
テープレコーダ、あるいはビデオテープレコーダとテレ
ビ受像機とを一体に組み込んだ装置であり、受信した映
像信号による画像と、チャンネルを示す数字あるいは文
字等の情報とを並行して画面に表示する装置の一部とな
っている。すなわち、本実施例は、大別すると、受信し
た映像信号に位相同期(一定の位相差が維持される位相
同期)した信号を源信号として出力する高周波信号源1
1と、4つのコンデンサC1〜C4、3つの抵抗R1〜
R3、コイルL、およびトランジスタQからなり、源信
号を2逓倍する高周波2逓倍回路と、高周波2逓倍回路
によって2逓倍された信号を基準クロックとして、受信
された映像信号に並行して表示される文字等の映像信号
を生成するオンスクリーン回路12とによって構成され
ている。
The present embodiment is an apparatus in which a television receiver, a video tape recorder, or a video tape recorder and a television receiver are integrated, and an image based on a received video signal and a numeral or character indicating a channel are used. Is displayed on the screen in parallel with the above information. That is, in the present embodiment, broadly speaking, the high-frequency signal source 1 that outputs, as a source signal, a signal that is phase-synchronized with the received video signal (phase synchronization in which a constant phase difference is maintained).
1, four capacitors C1 to C4, three resistors R1 to
A high frequency doubling circuit comprising R3, a coil L, and a transistor Q for doubling a source signal, and a signal doubled by the high frequency doubling circuit as a reference clock are displayed in parallel with a received video signal. And an on-screen circuit 12 for generating a video signal such as a character.

【0014】図において、高周波信号源11は、受信し
た映像信号から色信号を再生するクロマ回路内に設けら
れたブロックとなっており、映像信号に位相同期した信
号として、色副搬送波と、色副搬送波と位相同期の関係
にあり、その周波数が色副搬送波の周波数の2倍である
源信号とを生成する。そして生成した源信号を、コンデ
ンサC1を介して、トランジスタQのベースに送出す
る。また生成した色副搬送波をクロマ回路本体に送出す
る(色副搬送波とクロマ回路本体とは図示が省略されて
いる)。
In FIG. 1, a high-frequency signal source 11 is a block provided in a chroma circuit for reproducing a color signal from a received video signal. A sub-carrier and a source signal having a phase-synchronous relationship whose frequency is twice the frequency of the color sub-carrier are generated. Then, the generated source signal is sent to the base of the transistor Q via the capacitor C1. Further, the generated color subcarrier is sent to the chroma circuit main body (the color subcarrier and the chroma circuit main body are not shown).

【0015】トランジスタQは、高周波信号源11から
送出された源信号に対し、非対称となる歪みを与えるこ
とによって、偶数倍の高調波を生成する素子である。こ
のトランジスタQのコレクタには、コンデンサC2とコ
イルLとによって構成された同調回路13の一方の端子
が接続されている。また同調回路13の他方の端子は、
5Vの電源であるプラス電源P+に接続されている。ま
た同調回路13の同調周波数は、源信号の周波数の2倍
の周波数となるように設定されている。
The transistor Q is an element that generates an even-numbered harmonic by giving asymmetrical distortion to the source signal transmitted from the high-frequency signal source 11. One terminal of a tuning circuit 13 including a capacitor C2 and a coil L is connected to the collector of the transistor Q. The other terminal of the tuning circuit 13 is
It is connected to a plus power supply P + which is a 5V power supply. The tuning frequency of the tuning circuit 13 is set to be twice the frequency of the source signal.

【0016】トランジスタQのベースは、ベース抵抗R
1を介し、コレクタに電位を与えるプラス電源P+に接
続されている。そしてトランジスタQのエミッタは、ト
ランジスタQのコレクタ電流を所定値に設定するための
エミッタ抵抗R2を介して接地されている。またトラン
ジスタQのエミッタは、コンデンサC4と抵抗R3との
直列回路を介して接地されている。
The base of the transistor Q has a base resistance R
1 is connected to a positive power supply P + for applying a potential to the collector. The emitter of the transistor Q is grounded via an emitter resistor R2 for setting the collector current of the transistor Q to a predetermined value. The emitter of the transistor Q is grounded via a series circuit of a capacitor C4 and a resistor R3.

【0017】コンデンサC4は、源信号の周波数以上の
帯域である所定帯域においては、インピーダンスが充分
に小さくなる値が採用されている。そのため所定帯域に
おいては、エミッタは、抵抗R3を介して接地される。
この結果、トランジスタQには、所定帯域では、抵抗R
3による電流帰還が与えられるのみとなる。また直流的
には、抵抗R2による電流帰還が与えられる。また抵抗
R3は、トランジスタQのhfeのばらつきによって生
じる増幅率のばらつきを低減するための抵抗であり、所
定帯域においてトランジスタQに少量の電流帰還を与え
る。そのため抵抗R3の抵抗値には小さな値が採用され
ている。
The capacitor C4 has such a value that the impedance becomes sufficiently small in a predetermined band which is equal to or higher than the frequency of the source signal. Therefore, in a predetermined band, the emitter is grounded via the resistor R3.
As a result, the transistor Q has a resistance R in a predetermined band.
3 will only be provided. In terms of DC, current feedback is provided by the resistor R2. The resistor R3 is a resistor for reducing the variation in amplification factor caused by the variation in hfe of the transistor Q, and gives a small amount of current feedback to the transistor Q in a predetermined band. Therefore, a small value is adopted as the resistance value of the resistor R3.

【0018】またコンデンサC3を介してトランジスタ
Qのコレクタが接続されたオンスクリーン回路12は、
色副搬送波に位相同期し、色副搬送波の4倍の周波数の
信号を基準クロックとして動作する。そして受信した映
像信号の表示と並行して、文字あるいは記号等を表示す
るための信号を生成するブロックとなっている。なお、
生成された信号により表示される内容は、リモートコン
トロール時のチャンネルを示す数字や音量を示す記号、
あるいは帰線期間において受信された文字データにより
示される文字等となっている。
The on-screen circuit 12, to which the collector of the transistor Q is connected via the capacitor C3,
It operates in phase synchronization with the color subcarrier and uses a signal having a frequency four times the frequency of the color subcarrier as a reference clock. The block is a block for generating a signal for displaying characters, symbols, and the like in parallel with the display of the received video signal. In addition,
The content displayed by the generated signal includes a number indicating the channel at the time of remote control, a symbol indicating the volume,
Alternatively, it is a character or the like indicated by character data received during the flyback period.

【0019】図2は、トランジスタQの動作点の決定方
法を示す説明図である。同図に示す曲線aは、ベース電
圧を横軸とし、コレクタ電流を縦軸とする平面において
示されたトランジスタQの特性を示す曲線である。また
曲線bは、曲線aの一次微分係数の変化を示している。
また曲線cは、曲線aの二次微分係数の変化を示してい
る。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method of determining the operating point of the transistor Q. A curve a shown in the figure is a curve showing the characteristics of the transistor Q shown on a plane having the base voltage on the horizontal axis and the collector current on the vertical axis. A curve b indicates a change in the first derivative of the curve a.
Curve c shows a change in the second derivative of curve a.

【0020】曲線bにより示される一次微分係数は、係
数が一定となる領域は増幅の直線性が良い領域であるこ
とを示し、係数の値は、該当する領域における増幅率を
示す。また一次微分係数が一定であることは、曲線cに
示すように、二次微分係数が0近傍の値となることを意
味する。このことを逆の観点から見ると、二次微分係数
が最大となる動作点21(ベース電圧がV1、コレクタ
電流がI1)とは、最大の歪みを与える動作点であるこ
とを意味する。
The first derivative represented by the curve b indicates that the region where the coefficient is constant is a region where the linearity of amplification is good, and the value of the coefficient indicates the amplification factor in the corresponding region. The fact that the first derivative is constant means that the second derivative has a value near 0 as shown by the curve c. From the opposite point of view, the operating point 21 (the base voltage is V1 and the collector current is I1) at which the second derivative is the maximum means that the operating point gives the maximum distortion.

【0021】またトランジスタのコレクタ電流は、曲線
aによって示すように、ベース電圧が増加すると、この
増加に対応して一義的に増加する。そのため二次微分係
数が最大となる動作点21は、波形が非対称となる歪み
を最も多く得られる動作点となることを意味する。つま
り偶数の高調波をより多く得られる動作点となる。また
この動作点21は、A級の動作領域であるため、入力さ
れる信号レベルには下限が生じず、源信号の任意の入力
レベルにおいて、所定歪みの信号を得ることができる。
As shown by the curve a, the collector current of the transistor univocally increases as the base voltage increases. Therefore, the operating point 21 at which the second derivative is the maximum means that the operating point at which the most asymmetric distortion is obtained is obtained. In other words, it is an operating point where more even harmonics can be obtained. Further, since this operating point 21 is a class A operating region, there is no lower limit in the input signal level, and a signal with a predetermined distortion can be obtained at an arbitrary input level of the source signal.

【0022】上記した動作点21にトランジスタQの動
作点を設定する方法として、本実施例では、エミッタ抵
抗R2の抵抗値でもってコレクタ電流を設定する方法を
採用している。すなわち、図1に示したトランジスタQ
の動作点21に対応するコレクタ電流I1の値は約30
0μA、プラス電源P+の電圧は5Vであること、およ
び動作点21におけるコレクタ・エミッタ間電圧が約
0.5Vとなることから、コレクタ電流を300μAと
するため、エミッタ抵抗R2の値を15KΩとしてい
る。
As a method of setting the operating point of the transistor Q to the above-mentioned operating point 21, the present embodiment employs a method of setting the collector current by the resistance value of the emitter resistor R2. That is, the transistor Q shown in FIG.
Of the collector current I1 corresponding to the operating point 21 of FIG.
Since the voltage of the positive power supply P + is 5 V and the collector-emitter voltage at the operating point 21 is about 0.5 V, the value of the emitter resistor R2 is set to 15 KΩ in order to set the collector current to 300 μA. .

【0023】またトランジスタQのベースをプラス電源
P+に接続するベース抵抗R1の値は、エミッタ抵抗R
2により多量の電流帰還が与えられている関係から、比
較的広い範囲の値から1つの値を採用することが可能と
なっており、本実施例では、ベース抵抗R1の値を、エ
ミッタ抵抗R2の値と同じ15KΩとしている。またト
ランジスタQのhfeのばらつきによって生じる増幅率
のばらつきを低減するための抵抗R3の値には、100
Ωを採用している。
The value of the base resistor R1 connecting the base of the transistor Q to the positive power supply P + is the emitter resistor R
Since a large amount of current feedback is given to the second resistor, it is possible to adopt one value from a relatively wide range. In this embodiment, the value of the base resistor R1 is changed to the value of the emitter resistor R2. Is the same as the value of 15 KΩ. The value of the resistor R3 for reducing the variation in the amplification factor caused by the variation in the hfe of the transistor Q is 100
Ω is adopted.

【0024】上記構成からなる実施例の動作について、
以下に説明する。トランジスタQのベースは、ベース抵
抗R1を介してプラス電源P+に接続されている。この
ためトランジスタQのhfeが大きい側にばらつくと、
ベース電流が少なくなり、ベース電位は高くなる方向に
変位する。またhfeが小さい側にばらつくと、ベース
電流が多くなり、ベース電位は低くなる側に変位する。
しかしトランジスタQの動作点は、コレクタ電流が微少
となる動作点21であるため、コレクタ電流を設定する
エミッタ抵抗R2の抵抗値は15KΩと大きい。このた
めエミッタの電位は、エミッタ電流の微少変位によって
大きく変位する。
The operation of the embodiment having the above configuration will be described.
This will be described below. The base of the transistor Q is connected to a positive power supply P + via a base resistor R1. For this reason, when the hfe of the transistor Q fluctuates to the large side,
The base current decreases, and the base potential is displaced in a direction to increase. If hfe varies to a smaller side, the base current increases and the base potential shifts to a lower side.
However, since the operating point of the transistor Q is the operating point 21 at which the collector current becomes very small, the resistance value of the emitter resistor R2 for setting the collector current is as large as 15 KΩ. For this reason, the potential of the emitter is largely displaced by a slight displacement of the emitter current.

【0025】いまトランジスタQのエミッタの電位が、
hfeの標準値に対応する電位であるとすると、hfe
が標準値より大きい場合には、ベース電流は、所望コレ
クタ電流の300μAに対応する所望電流値(300/
hfe)より多くなる。しかしベース電流が所望電流値
より極く僅か増加しただけで、エミッタ抵抗R2の値が
大きいため、エミッタの電位は大きく上昇する。その結
果、ベース電流の増加がエミッタ電位の上昇によって抑
制されるという帰還が生じ、エミッタの電位は、ベース
電位のばらつきに追従するように変位する。
Now, the potential of the emitter of the transistor Q becomes
Assuming that the potential corresponds to the standard value of hfe, hfe
Is larger than the standard value, the base current becomes the desired current value (300/300 / A) corresponding to the desired collector current of 300 μA.
hfe). However, even when the base current is slightly increased slightly from the desired current value, the value of the emitter resistor R2 is large, so that the potential of the emitter greatly increases. As a result, feedback occurs in which an increase in the base current is suppressed by an increase in the emitter potential, and the potential of the emitter is displaced so as to follow a variation in the base potential.

【0026】このためトランジスタQのベース電圧であ
るベース・エミッタ間電圧は、ばらつきが微少であるコ
レクタ電流に対応した電圧に設定される。つまりhfe
がばらついたときにも、トランジスタの動作点は、所望
動作点21の近傍に設定されることとなり、コレクタ電
流は300μA近傍の値となる。このことは、hfeが
標準値より小さい場合も同様である。つまりトランジス
タQのhfeがばらついたときにも、トランジスタQの
動作点は、所望動作点21の近傍に設定されることとな
る。
For this reason, the base-emitter voltage, which is the base voltage of the transistor Q, is set to a voltage corresponding to the collector current with small variations. That is, hfe
Also, the operating point of the transistor is set near the desired operating point 21, and the collector current has a value near 300 μA. This is the same when hfe is smaller than the standard value. That is, even when the hfe of the transistor Q varies, the operating point of the transistor Q is set near the desired operating point 21.

【0027】図3は、トランジスタQのベースに与えら
る源信号波形とコレクタに現れる信号波形とを示す説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a source signal waveform applied to the base of the transistor Q and a signal waveform appearing at the collector.

【0028】トランジスタQの動作点は、上記したよう
に、動作点21の近傍に設定されている。また高周波信
号源11から送出される正弦波である源信号は、不要信
号の装置内部への副射を避けるため、波形dによって示
すように、p−p値が0.4〜0.5V程度の微少レベ
ルの信号となっている。そして、この微少レベルである
源信号dは、トランジスタQのベース電圧とコレクタ電
流との特性を示す曲線aによって転写され、コレクタに
現れる。そのためコレクタに現れる信号波形は、波形e
として示すように、非対称に大きく歪んだ波形となり、
偶数倍の高調波を多量に含んだ信号となる。また、その
信号レベルは、p−p値が1V程度の微少レベルの信号
となる。
The operating point of the transistor Q is set near the operating point 21 as described above. The source signal which is a sine wave transmitted from the high-frequency signal source 11 has a peak-to-peak value of about 0.4 to 0.5 V as shown by a waveform d in order to avoid unnecessary injection of unnecessary signals into the device. Signal of a very low level. Then, the source signal d, which is a minute level, is transferred by a curve a indicating the characteristics of the base voltage and the collector current of the transistor Q, and appears at the collector. Therefore, the signal waveform appearing at the collector is the waveform e
As shown in FIG.
The signal contains a large number of even-numbered harmonics. Further, the signal level is a very low level signal having a pp value of about 1V.

【0029】一方、トランジスタQのコレクタには、源
信号の2倍の周波数に共振する同調回路13が接続され
ている。この同調回路13は、源信号の2倍の周波数に
おいてインピーダンスが最大となる。そのため同調回路
13によって、波形eにより示す信号のうちから、2倍
の高調波成分の信号レベル(電圧)のみが強調されるこ
ととなる。この結果、トランジスタQのコレクタから
は、源信号を2逓倍した信号が出力される。そして2逓
倍された信号は、オンスクリーン回路12に導かれ、基
本クロック信号として使用される。
On the other hand, a tuning circuit 13 that resonates at twice the frequency of the source signal is connected to the collector of the transistor Q. The tuning circuit 13 has the maximum impedance at twice the frequency of the source signal. Therefore, the tuning circuit 13 emphasizes only the signal level (voltage) of the double harmonic component from the signal indicated by the waveform e. As a result, a signal obtained by doubling the source signal is output from the collector of the transistor Q. Then, the doubled signal is guided to the on-screen circuit 12 and used as a basic clock signal.

【0030】以上説明したように、本実施例におけるテ
レビ受像機、またはビデオテープレコーダ、あるいはビ
デオテープレコーダとテレビ受像機とを一体に組み込ん
だ装置は、色副搬送波に位相同期すると共に色副搬送波
の2倍の周波数の信号を源信号として出力する高周波信
号源11を備えている。また源信号を2逓倍する高周波
2逓倍回路を備えると共に、オンスクリーン回路12
は、高周波2逓倍回路によって2逓倍された信号を基本
クロックとして使用する。
As described above, the television receiver, the video tape recorder, or the apparatus in which the video tape recorder and the television receiver are integrated with each other in this embodiment are phase-synchronized with the color sub-carrier and And a high frequency signal source 11 that outputs a signal having a frequency twice as high as a source signal. A high-frequency doubling circuit for doubling the source signal is provided.
Uses the signal doubled by the high frequency doubler circuit as a basic clock.

【0031】そのためオンスクリーン回路12に与えら
れる信号は、画像信号の色信号に対して一定の位相差を
もって位相同期した信号となる。このことは、受信した
画像と共に文字等を表示するオンスクリーン表示におい
て不可欠である基本クロック(画像信号の色信号に位相
同期したクロック)を生成することが不要となることを
意味する。そのためオンスクリーン回路12において
は、PLL回路等の、位相同期を行うための回路ブロッ
クが不要となることから、オンスクリーン回路12の構
成が簡単化されるという効果を得ている。
Therefore, the signal supplied to the on-screen circuit 12 is a signal that is phase-synchronized with a certain phase difference from the color signal of the image signal. This means that it is not necessary to generate a basic clock (clock that is phase-synchronized with the color signal of the image signal) that is indispensable for on-screen display for displaying characters and the like together with the received image. Therefore, in the on-screen circuit 12, a circuit block for performing phase synchronization, such as a PLL circuit, is not required, so that the configuration of the on-screen circuit 12 is simplified.

【0032】また同調回路13を構成するコイルLに印
加される電圧は、p−p値が1V程度と微少であるた
め、このコイルLから副射される信号レベルは低い。こ
の結果、副射された不要信号が画像信号経路に与える影
響は微少となり、不要信号が装置内に副射されることに
よって生じる画像の縞模様の発生等の妨害が防止される
という効果を得ている。
Since the voltage applied to the coil L constituting the tuning circuit 13 has a very small pp value of about 1 V, the level of the signal radiated from the coil L is low. As a result, the influence of the unnecessary signal which is incident on the image signal path becomes small, and the effect of preventing the occurrence of the stripe pattern of the image caused by the unnecessary signal being injected into the apparatus is obtained. ing.

【0033】[0033]

【発明の効果】請求項1記載の発明に係る高周波2逓倍
回路は、トランジスタのベースに高周波帯域の源信号が
与えられ、トランジスタのコレクタには、源信号の周波
数の2倍の周波数に共振する同調回路が接続された高周
波2逓倍回路に適用している。そしてベース電圧を横軸
とし、コレクタ電流を縦軸とする平面において、トラン
ジスタのベース電圧とトランジスタのコレクタ電流との
関係を示す曲線の二次微分係数の最大値近傍にトランジ
スタの動作点を設定している。そのため入力される信号
が微少レベルであるときにも、非対称に歪んだ波形がコ
レクタに現れることから、信号の微少レベルを維持した
状態において、簡単な回路構成でもって2逓倍を行うこ
とが可能となっている。
In the high frequency doubler according to the first aspect of the present invention, a source signal in a high frequency band is given to the base of the transistor, and the collector of the transistor resonates at twice the frequency of the source signal. It is applied to a high frequency doubler circuit to which a tuning circuit is connected. Then, on a plane having the base voltage as the horizontal axis and the collector current as the vertical axis, the operating point of the transistor is set near the maximum value of the second derivative of the curve indicating the relationship between the base voltage of the transistor and the collector current of the transistor. ing. Therefore, even when the input signal is at a very low level, an asymmetrically distorted waveform appears at the collector, so that it is possible to perform doubling with a simple circuit configuration while maintaining the low level of the signal. Has become.

【0034】また請求項2記載の発明に係る高周波2逓
倍回路は、トランジスタのベースを、このトランジスタ
のコレクタに電位を与える電源にベース抵抗を介して接
続し、トランジスタの所望動作点に対応するコレクタ電
流値を、エミッタに接続したエミッタ抵抗の抵抗値によ
って設定する構成としている。そのためエミッタ抵抗の
抵抗値が大きくなり、電流帰還量が多くなる。この電流
帰還量の多さは、トランジスタのhfeのばらつきが動
作点に与える影響を低減するため、トランジスタのhf
eがばらついたときにも、動作点を所定の動作点に精度
よく設定することが可能となっている。
According to a second aspect of the present invention, in the high frequency doubler circuit, the base of the transistor is connected to a power supply for applying a potential to the collector of the transistor via a base resistor, and the collector corresponding to a desired operating point of the transistor is provided. The current value is set by the resistance value of the emitter resistor connected to the emitter. Therefore, the resistance value of the emitter resistor increases, and the amount of current feedback increases. This large amount of current feedback reduces the effect of the variation in hfe of the transistor on the operating point.
Even when e varies, the operating point can be accurately set to a predetermined operating point.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る高周波2逓倍回路の一実施例の電
気的接続を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an electrical connection of one embodiment of a high frequency doubler circuit according to the present invention.

【図2】本発明に係る高周波2逓倍回路の動作点の決定
方法を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method for determining an operating point of the high frequency doubler circuit according to the present invention.

【図3】本発明に係る高周波2逓倍回路のベースの信号
波形とコレクタの信号波形とを示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a base signal waveform and a collector signal waveform of the high frequency doubler circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 高周波信号源 12 オンスクリーン回路 13 同調回路 Q トランジスタ R1 ベース抵抗 R2 エミッタ抵抗 a ベース電圧とコレクタ電流との関係を示す曲線 b 一次微分係数 c 二次微分係数 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 High frequency signal source 12 On-screen circuit 13 Tuning circuit Q transistor R1 Base resistance R2 Emitter resistance a Curve showing relation between base voltage and collector current b Primary differential coefficient c Secondary differential coefficient

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 トランジスタのベースに高周波帯域の源
信号が与えられ、前記トランジスタのコレクタには、前
記源信号の周波数の2倍の周波数に共振する同調回路が
接続された高周波2逓倍回路において、 ベース電圧を横軸とし、コレクタ電流を縦軸とする平面
において、前記トランジスタのベース電圧と前記トラン
ジスタのコレクタ電流との関係を示す曲線の二次微分係
数の最大値近傍に前記トランジスタの動作点を設定した
ことを特徴とする高周波2逓倍回路。
1. A high frequency doubler circuit in which a base signal of a transistor is supplied with a source signal in a high frequency band, and a collector of the transistor is connected to a tuning circuit that resonates at twice the frequency of the source signal. On a plane having the base voltage as the horizontal axis and the collector current as the vertical axis, the operating point of the transistor is set near the maximum value of the second derivative of the curve indicating the relationship between the base voltage of the transistor and the collector current of the transistor. A high-frequency doubling circuit characterized by being set.
【請求項2】 前記トランジスタのベースを、このトラ
ンジスタのコレクタに電位を与える電源にベース抵抗を
介して接続し、前記トランジスタの所望動作点に対応す
るコレクタ電流値を、エミッタに接続したエミッタ抵抗
の抵抗値によって設定したことを特徴とする請求項1記
載の高周波2逓倍回路。
2. The transistor according to claim 1, wherein a base of the transistor is connected to a power supply for applying a potential to a collector of the transistor via a base resistor, and a collector current value corresponding to a desired operating point of the transistor is adjusted by an emitter resistor connected to the emitter. 2. The high frequency doubling circuit according to claim 1, wherein the high frequency doubling circuit is set by a resistance value.
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