JP2996287B2 - 吸収形半導体光変調器 - Google Patents
吸収形半導体光変調器Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光変調器、
特に高速で動作する吸収形半導体光変調器に関する。
特に高速で動作する吸収形半導体光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の吸収形半導体光変調器の一
例を示す。図中、１はｐ側電極、２はｐ+ −ＩｎＧａＡ
ｓキャップ層、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４はコア
で、ここではノンドープであるｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
（１３ｎｍ）／ＩｎＡｌＡｓ（５ｎｍ）多重量子井戸
（ＭＱＷ）を例として示している。５はｎ−ＩｎＰクラ
ッド層、６はｎ−ＩｎＰ基板、７はｎ側電極を表す。８
はポリイミド層であり、図においてｐ側電極１のうちポ
リイミド層８の上の部分はボンディングパッドと呼ばれ
ている。９はボンディングワイヤであり、図示しない駆
動信号源から電気信号（電圧）が印加される。
例を示す。図中、１はｐ側電極、２はｐ+ −ＩｎＧａＡ
ｓキャップ層、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４はコア
で、ここではノンドープであるｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
（１３ｎｍ）／ＩｎＡｌＡｓ（５ｎｍ）多重量子井戸
（ＭＱＷ）を例として示している。５はｎ−ＩｎＰクラ
ッド層、６はｎ−ＩｎＰ基板、７はｎ側電極を表す。８
はポリイミド層であり、図においてｐ側電極１のうちポ
リイミド層８の上の部分はボンディングパッドと呼ばれ
ている。９はボンディングワイヤであり、図示しない駆
動信号源から電気信号（電圧）が印加される。
【０００３】この従来例の動作原理を説明するために、
図４にＭＱＷコアの光吸収スペクトルを示す。例えば、
信号光の波長を１．５５μｍとすると、吸収ピークを
１．４９μｍ程度となるように設計する。すると、図に
示すように、光変調器に電圧を印加していない場合に
は、動作波長つまり光信号の波長は、実線Ａに示すよう
に、吸収端波長よりも長波長側に離れているため、入射
光はＭＱＷコア４に吸収されることなく出射され、光は
ＯＮ状態となる。一方、逆バイアス印加時には、吸収ス
ペクトルは点線Ｂのように長波長側に移動するため、光
信号はＭＱＷコア４に吸収され、その結果、光はＯＦＦ
状態となる。
図４にＭＱＷコアの光吸収スペクトルを示す。例えば、
信号光の波長を１．５５μｍとすると、吸収ピークを
１．４９μｍ程度となるように設計する。すると、図に
示すように、光変調器に電圧を印加していない場合に
は、動作波長つまり光信号の波長は、実線Ａに示すよう
に、吸収端波長よりも長波長側に離れているため、入射
光はＭＱＷコア４に吸収されることなく出射され、光は
ＯＮ状態となる。一方、逆バイアス印加時には、吸収ス
ペクトルは点線Ｂのように長波長側に移動するため、光
信号はＭＱＷコア４に吸収され、その結果、光はＯＦＦ
状態となる。
【０００４】さて、この従来例として示した吸収形半導
体光変調器のｐ側電極１は集中定数動作のための電極で
ある。これを説明するために、駆動信号源を含めた等価
回路を図５に簡略化して示す。ＳG は駆動信号源、ＲG
は駆動信号源の特性インピーダンス、ＲL は終端抵抗、
ＣMQW はＭＱＷコアのキャパシタンスであり、Ｃp は前
述したｐ側電極の一部であるボンディングパッドのキャ
パシタンスを表す。この場合の電気３ｄＢ帯域Δｆは近
似的に
体光変調器のｐ側電極１は集中定数動作のための電極で
ある。これを説明するために、駆動信号源を含めた等価
回路を図５に簡略化して示す。ＳG は駆動信号源、ＲG
は駆動信号源の特性インピーダンス、ＲL は終端抵抗、
ＣMQW はＭＱＷコアのキャパシタンスであり、Ｃp は前
述したｐ側電極の一部であるボンディングパッドのキャ
パシタンスを表す。この場合の電気３ｄＢ帯域Δｆは近
似的に
【０００５】
【数１】 Δｆ＝１／（π・ＲL ・ＣMQW ） （１） と表すことができる。一般に終端抵抗ＲL は駆動信号源
の特性インピーダンスＲG と同じ５０Ωである。ここ
で、パッドのキャパシタンスＣp は充分小さく、全キャ
パシタンスはＭＱＷコアのキャパシタンスＣMQW でほぼ
決定されると仮定した。ちなみにｉ−ＭＱＷコアの厚み
ｄ、幅ｗおよび長さＬをそれぞれ０．２μｍ、２μｍ、
および３００μｍとすると、ＭＱＷコア４のキャパシタ
ンスは
の特性インピーダンスＲG と同じ５０Ωである。ここ
で、パッドのキャパシタンスＣp は充分小さく、全キャ
パシタンスはＭＱＷコアのキャパシタンスＣMQW でほぼ
決定されると仮定した。ちなみにｉ−ＭＱＷコアの厚み
ｄ、幅ｗおよび長さＬをそれぞれ０．２μｍ、２μｍ、
および３００μｍとすると、ＭＱＷコア４のキャパシタ
ンスは
【０００６】
【数２】 ＣMQW ＝ε0 εr ｗＬ／ｄ （２） から求められる。ここで、ε0 およびεr はそれぞれ真
空中の誘電率およびＭＱＷコア４の比誘電率である。式
（１）と式（２）から、集中定数形ＭＱＷ光変調器にお
ける電気３ｄＢ帯域Δｆは２０ＧＨｚかそれ以下となる
ことがわかる。この３ｄＢ帯域を広げるためには、Ｃ
MQW を小さくすれば良いが、ｉ−ＭＱＷコア４の長さを
短くすると、光信号の消光比が劣化する。つまり、電圧
印加によるｉ−ＭＱＷコア４の吸収係数の増加をΔα、
導波光のｉ−ＭＱＷコア４への閉じ込め係数をΓとする
と、光信号の消光比Ｒは次式のように表される。
空中の誘電率およびＭＱＷコア４の比誘電率である。式
（１）と式（２）から、集中定数形ＭＱＷ光変調器にお
ける電気３ｄＢ帯域Δｆは２０ＧＨｚかそれ以下となる
ことがわかる。この３ｄＢ帯域を広げるためには、Ｃ
MQW を小さくすれば良いが、ｉ−ＭＱＷコア４の長さを
短くすると、光信号の消光比が劣化する。つまり、電圧
印加によるｉ−ＭＱＷコア４の吸収係数の増加をΔα、
導波光のｉ−ＭＱＷコア４への閉じ込め係数をΓとする
と、光信号の消光比Ｒは次式のように表される。
【０００７】
【数３】 Ｒ＝ｅｘｐ（−Δα・Γ・Ｌ） （３） この式からわかるように、長さＬが短くなると消光比の
劣化を招くため、消光比の観点からｉ−ＭＱＷコア４の
長さをあまり短くはできないことになる。
劣化を招くため、消光比の観点からｉ−ＭＱＷコア４の
長さをあまり短くはできないことになる。
【０００８】なお、図３の構造図と図５の等価回路から
わかるように、従来例の電極は集中定数形の電極であ
り、電気信号と光は同方向に並走しない。
わかるように、従来例の電極は集中定数形の電極であ
り、電気信号と光は同方向に並走しない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の集
中定数形電極を有する吸収形半導体光変調器において
は、ＣＲ定数で制限される電気３ｄＢ帯域Δｆと消光比
Ｒには厳しいトレードオフの関係がある。そのため、高
い消光比を保ちつつ、５０ＧＨｚ以上の超高速光変調を
実現することは困難であるという問題があった。
中定数形電極を有する吸収形半導体光変調器において
は、ＣＲ定数で制限される電気３ｄＢ帯域Δｆと消光比
Ｒには厳しいトレードオフの関係がある。そのため、高
い消光比を保ちつつ、５０ＧＨｚ以上の超高速光変調を
実現することは困難であるという問題があった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、これらの問題を
解決し、光変調帯域の点で優れた吸収形半導体光変調器
を提供することにある。
解決し、光変調帯域の点で優れた吸収形半導体光変調器
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による吸収形半導体光変調器は、吸収
端波長が光信号の波長より短い半導体コアと、電圧印加
時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動か
すことにより、前記光信号を前記半導体コアに吸収させ
るための電圧印加用の電極を具備する吸収形半導体光変
調器において、前記電極が進行波形電極であり、前記電
極に電圧を印加するための駆動信号源の特性インピーダ
ンスと前記光変調器の特性インピーダンスが等しく、前
記半導体コアとその上部の上部クラッド層の間にノンド
ープ半導体層が設けられていることを特徴とする。
るために、本発明による吸収形半導体光変調器は、吸収
端波長が光信号の波長より短い半導体コアと、電圧印加
時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動か
すことにより、前記光信号を前記半導体コアに吸収させ
るための電圧印加用の電極を具備する吸収形半導体光変
調器において、前記電極が進行波形電極であり、前記電
極に電圧を印加するための駆動信号源の特性インピーダ
ンスと前記光変調器の特性インピーダンスが等しく、前
記半導体コアとその上部の上部クラッド層の間にノンド
ープ半導体層が設けられていることを特徴とする。
【００１２】さらに、本発明による吸収形半導体光変調
器は、吸収端波長が光信号の波長より短い半導体コア
と、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長
波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半導体コ
アに吸収させるための電圧印加用の電極を具備する吸収
形半導体光変調器において、前記電極が進行波形電極で
あり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号源の特
性インピーダンスと前記光変調器の特性インピーダンス
が等しく、前記半導体コアとその下部の下部クラッド層
の間にノンドープ半導体層が設けられていることを特徴
とする。
器は、吸収端波長が光信号の波長より短い半導体コア
と、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長
波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半導体コ
アに吸収させるための電圧印加用の電極を具備する吸収
形半導体光変調器において、前記電極が進行波形電極で
あり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号源の特
性インピーダンスと前記光変調器の特性インピーダンス
が等しく、前記半導体コアとその下部の下部クラッド層
の間にノンドープ半導体層が設けられていることを特徴
とする。
【００１３】さらにまた、本発明による吸収形半導体光
変調器は、吸収端波長が光信号の波長より短い半導体コ
アと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を
長波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半導体
コアに吸収させるための電圧印加用の電極を具備する吸
収形半導体光変調器において、前記電極が進行波形電極
であり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号源の
特性インピーダンスと前記光変調器の特性インピーダン
スが等しく、前記半導体コアとその上部の上部クラッド
層の間および下部の下部クラッド層の間にそれぞれノン
ドープ半導体層が設けられていることを特徴とする。
変調器は、吸収端波長が光信号の波長より短い半導体コ
アと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を
長波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半導体
コアに吸収させるための電圧印加用の電極を具備する吸
収形半導体光変調器において、前記電極が進行波形電極
であり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号源の
特性インピーダンスと前記光変調器の特性インピーダン
スが等しく、前記半導体コアとその上部の上部クラッド
層の間および下部の下部クラッド層の間にそれぞれノン
ドープ半導体層が設けられていることを特徴とする。
【００１４】さらに、信号光の等価屈折率と電気信号の
等価屈折率を実質的に等しくするとよい。
等価屈折率を実質的に等しくするとよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明においては、電圧を印加し
て半導体コアの吸収端波長を長波長側に動かし、それに
よって光信号を半導体コアに吸収させるための電圧印加
用の電極を進行波形電極としている。より具体的に言え
ば、光信号の入射側に電気信号（電圧）の入力部を設
け、一方、光信号の出射側に電気信号の出力部を設け
る。このような構成によって、電気信号と光信号は並走
する。本発明のこのような構成によって、電気３ｄＢ帯
域ΔｆはＣＲ定数で制限されるという問題がなくなる。
従って、特に、電気信号と光信号の速度整合をとれば、
光のＯＦＦ時に光を吸収する半導体コアの長さを長くす
ることができ、高い消光比を保ちつつ超高速光変調を実
現することができる。
て半導体コアの吸収端波長を長波長側に動かし、それに
よって光信号を半導体コアに吸収させるための電圧印加
用の電極を進行波形電極としている。より具体的に言え
ば、光信号の入射側に電気信号（電圧）の入力部を設
け、一方、光信号の出射側に電気信号の出力部を設け
る。このような構成によって、電気信号と光信号は並走
する。本発明のこのような構成によって、電気３ｄＢ帯
域ΔｆはＣＲ定数で制限されるという問題がなくなる。
従って、特に、電気信号と光信号の速度整合をとれば、
光のＯＦＦ時に光を吸収する半導体コアの長さを長くす
ることができ、高い消光比を保ちつつ超高速光変調を実
現することができる。
【００１６】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１７】図１に本発明の一実施例を示す。図におい
て、従来例と同様に、１はｐ側電極、２はｐ+ −ＩｎＧ
ａＡｓキャップ層、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４はコ
ア層で、本実施例においても、ｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
（１３ｎｍ）／ＩｎＡｌＡｓ（５ｎｍ）多重量子井戸
（ＭＱＷ）を例にとる。５はｎ−ＩｎＰクラッド層、６
はｎ−ＩｎＰ基板、７はｎ側電極である。８はポリイミ
ド層、１０はｉ−ＩｎＰ層である。このような構造は、
通常の半導体装置作製技術によって作製できる。
て、従来例と同様に、１はｐ側電極、２はｐ+ −ＩｎＧ
ａＡｓキャップ層、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４はコ
ア層で、本実施例においても、ｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
（１３ｎｍ）／ＩｎＡｌＡｓ（５ｎｍ）多重量子井戸
（ＭＱＷ）を例にとる。５はｎ−ＩｎＰクラッド層、６
はｎ−ＩｎＰ基板、７はｎ側電極である。８はポリイミ
ド層、１０はｉ−ＩｎＰ層である。このような構造は、
通常の半導体装置作製技術によって作製できる。
【００１８】ここで、本実施例が図３に示した従来例と
最も異なる点はｐ側電極１が進行波形電極となっている
点である。ポリイミド層８は光信号の入射側に設けら
れ、その上部の電極が電気信号の入力部Ｉとなり、図示
しない駆動信号源から電気信号（逆バイアス電圧）が入
力される。一方、光信号の出力側の電極には出力部ＩＩ
が設けられ、この出力部には終端抵抗が接続される。つ
まり、光が入射してＭＱＷ光変調器を伝搬する間に、電
気信号も光変調器の全長に亘って光と同方向に伝搬す
る。両者が並走する間に、電気信号によりＭＱＷコアの
吸収端波長は長波長側にシフトされるため、光は吸収さ
れＯＦＦ状態となる。
最も異なる点はｐ側電極１が進行波形電極となっている
点である。ポリイミド層８は光信号の入射側に設けら
れ、その上部の電極が電気信号の入力部Ｉとなり、図示
しない駆動信号源から電気信号（逆バイアス電圧）が入
力される。一方、光信号の出力側の電極には出力部ＩＩ
が設けられ、この出力部には終端抵抗が接続される。つ
まり、光が入射してＭＱＷ光変調器を伝搬する間に、電
気信号も光変調器の全長に亘って光と同方向に伝搬す
る。両者が並走する間に、電気信号によりＭＱＷコアの
吸収端波長は長波長側にシフトされるため、光は吸収さ
れＯＦＦ状態となる。
【００１９】本実施例では、ｐ側電極１は進行波形電極
となっているが、電気信号源ＳG の特性インピーダンス
が５０Ωであるため、吸収形ＭＱＷの特性インピーダン
スも５０Ωに等しいか、または近いことが望ましい。従
って、本実施例では、ｉ−ＩｎＰ層１０をＭＱＷコア４
とｐ−ＩｎＰクラッド層３との間に設けて、ｐ側電極１
を含めたＭＱＷ変調器の特性インピーダンスを５０Ωと
している。電極１の出力部ＩＩに接続される終端抵抗の
値は５０Ωである。
となっているが、電気信号源ＳG の特性インピーダンス
が５０Ωであるため、吸収形ＭＱＷの特性インピーダン
スも５０Ωに等しいか、または近いことが望ましい。従
って、本実施例では、ｉ−ＩｎＰ層１０をＭＱＷコア４
とｐ−ＩｎＰクラッド層３との間に設けて、ｐ側電極１
を含めたＭＱＷ変調器の特性インピーダンスを５０Ωと
している。電極１の出力部ＩＩに接続される終端抵抗の
値は５０Ωである。
【００２０】図２に本実施例の等価回路を示す。ＳG は
駆動信号源、ＲG は駆動信号源の特性インピーダンス、
ＲL は終端抵抗、ＺM は光変調器の特性インピーダンス
である。図５との比較からわかるように、この等価回路
は、従来の集中定数形の光変調器の等価回路とは非常に
異なっている。
駆動信号源、ＲG は駆動信号源の特性インピーダンス、
ＲL は終端抵抗、ＺM は光変調器の特性インピーダンス
である。図５との比較からわかるように、この等価回路
は、従来の集中定数形の光変調器の等価回路とは非常に
異なっている。
【００２１】さて、この進行波形の吸収形半導体光変調
器の３ｄＢ変調帯域Δｆは、簡単のために、進行波形電
極の電気伝搬損失を０、特性インピーダンスＺM を５０
Ωと仮定すると、
器の３ｄＢ変調帯域Δｆは、簡単のために、進行波形電
極の電気伝搬損失を０、特性インピーダンスＺM を５０
Ωと仮定すると、
【００２２】
【数４】 Δｆ＝１．４ｃ0 ／（π（｜ｎm −ｎ0 ｜）Ｌ） （４） と表される。ここで、ｃ0 は光の速度、ｎm はＭＱＷ光
変調器の電気信号の等価屈折率、ｎ0 は信号光の等価屈
折率、ＬはＭＱＷコアの長さである。従って、Ｌを３０
０μｍ、ｎm を３．４、ｎ0 を３．２とすると、Δｆは
約２２００ＧＨｚと、超広帯域光変調を実現できること
になる。
変調器の電気信号の等価屈折率、ｎ0 は信号光の等価屈
折率、ＬはＭＱＷコアの長さである。従って、Ｌを３０
０μｍ、ｎm を３．４、ｎ0 を３．２とすると、Δｆは
約２２００ＧＨｚと、超広帯域光変調を実現できること
になる。
【００２３】さらに、電気信号と光信号の速度整合をと
れば、すなわち、ｎm ＝ｎ0 とすれば、光の消光比Ｒを
大きくするためにＭＱＷコア４の長さＬを長くしても、
帯域制限要因は電極の電気伝搬損失のみとなる。電気伝
搬損失は電極の厚みを厚くする等により低減できるた
め、やはり光変調器の超広帯域動作を実現できることに
なる。
れば、すなわち、ｎm ＝ｎ0 とすれば、光の消光比Ｒを
大きくするためにＭＱＷコア４の長さＬを長くしても、
帯域制限要因は電極の電気伝搬損失のみとなる。電気伝
搬損失は電極の厚みを厚くする等により低減できるた
め、やはり光変調器の超広帯域動作を実現できることに
なる。
【００２４】なお、本実施例では、下部クラッド層５以
上の積層構造全体がリッジ状をなしＭＱＷコアの側面が
大気に露出している、いわゆるハイメサ構造の光変調器
を示したが、上記積層構造のうち、ｉ−ＩｎＰ層１０の
一部、上部クラッド層３、ＩｎＧａＡｓキャップ層２お
よびｐ側電極１のみをリッジ状とした、いわゆるストリ
ップ装荷形としてもよい。
上の積層構造全体がリッジ状をなしＭＱＷコアの側面が
大気に露出している、いわゆるハイメサ構造の光変調器
を示したが、上記積層構造のうち、ｉ−ＩｎＰ層１０の
一部、上部クラッド層３、ＩｎＧａＡｓキャップ層２お
よびｐ側電極１のみをリッジ状とした、いわゆるストリ
ップ装荷形としてもよい。
【００２５】また、本実施例では、ｉ−ＩｎＰ層１０を
ＭＱＷコア４と上部クラッド層３との間に設けたが、ｉ
−ＩｎＰ層はＭＱＷコア４と下部クラッド層５との間に
設けてもよい。このようにすることによって、特にノン
ドープのＭＱＷコアおよびＩｎＰ層の純度が充分高くな
い場合でもＭＱＷコアに空乏層を生じさせるための信号
電圧の増加を避けることができる。もちろんノンドープ
のＩｎＰ層をＭＱＷコアの上下に設けてもよい。
ＭＱＷコア４と上部クラッド層３との間に設けたが、ｉ
−ＩｎＰ層はＭＱＷコア４と下部クラッド層５との間に
設けてもよい。このようにすることによって、特にノン
ドープのＭＱＷコアおよびＩｎＰ層の純度が充分高くな
い場合でもＭＱＷコアに空乏層を生じさせるための信号
電圧の増加を避けることができる。もちろんノンドープ
のＩｎＰ層をＭＱＷコアの上下に設けてもよい。
【００２６】本発明では電極が進行波形電極であれば良
いので、ｐ側およびｎ側電極の構成の形態は問わない
し、基板として半絶縁性基板を用いても良いことは言う
までもない。さらに、コア４はｉ−ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉ
ｎＰ等、他のＭＱＷ組成でも良いし、ｉ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ等の４元バルク組成を用いることも可能である。
いので、ｐ側およびｎ側電極の構成の形態は問わない
し、基板として半絶縁性基板を用いても良いことは言う
までもない。さらに、コア４はｉ−ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉ
ｎＰ等、他のＭＱＷ組成でも良いし、ｉ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ等の４元バルク組成を用いることも可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電極を進行波形電極とすることにより、消光比を劣化さ
せることなく、光変調帯域の点で優れた吸収形半導体光
変調器を実現することができる。
電極を進行波形電極とすることにより、消光比を劣化さ
せることなく、光変調帯域の点で優れた吸収形半導体光
変調器を実現することができる。
【図１】本発明による吸収形半導体光変調器の一実施例
の構造を示す図である。
の構造を示す図である。
【図２】図１の実施例を動作させる場合の等価回路図で
ある。
ある。
【図３】従来の吸収形半導体光変調器の構造を示す図で
ある。
ある。
【図４】従来例の動作原理を説明する図である。
【図５】従来例を動作させる場合の等価回路図である。
１ ｐ側電極 ２ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓキャップ層 ３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ４ ｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸
（ＭＱＷ）コア ５ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ６ ｎ−ＩｎＰ基板 ７ ｎ側電極 ８ ポリイミド層 ９ ボンディングワイヤ １０ ｉ−ＩｎＰ層
（ＭＱＷ）コア ５ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ６ ｎ−ＩｎＰ基板 ７ ｎ側電極 ８ ポリイミド層 ９ ボンディングワイヤ １０ ｉ−ＩｎＰ層
Claims (4)
- 【請求項１】 吸収端波長が光信号の波長より短い半導
体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波
長を長波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半
導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極を具備す
る吸収形半導体光変調器において、前記電極が進行波形
電極であり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号
源の特性インピーダンスと前記光変調器の特性インピー
ダンスが等しく、前記半導体コアとその上部の上部クラ
ッド層の間にノンドープ半導体層が設けられていること
を特徴とする吸収形半導体光変調器。 - 【請求項２】 吸収端波長が光信号の波長より短い半導
体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波
長を長波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半
導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極を具備す
る吸収形半導体光変調器において、前記電極が進行波形
電極であり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号
源の特性インピーダンスと前記光変調器の特性インピー
ダンスが等しく、前記半導体コアとその下部の下部クラ
ッド層の間にノンドープ半導体層が設けられていること
を特徴とする吸収形半導体光変調器。 - 【請求項３】 吸収端波長が光信号の波長より短い半導
体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波
長を長波長側に動かすことにより、前記光信号を前記半
導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極を具備す
る吸収形半導体光変調器において、前記電極が進行波形
電極であり、前記電極に電圧を印加するための駆動信号
源の特性インピーダンスと前記光変調器の特性インピー
ダンスが等しく、前記半導体コアとその上部の上部クラ
ッド層の間および下部の下部クラッド層の間にそれぞれ
ノンドープ半導体層が設けられていることを特徴とする
吸収形半導体光変調器。 - 【請求項４】 信号光の等価屈折率と電気信号の等価屈
折率が実質的に等しいことを特徴とする請求項１から３
のいずれかに記載の吸収形半導体光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328635A JP2996287B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 吸収形半導体光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328635A JP2996287B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 吸収形半導体光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09166764A JPH09166764A (ja) | 1997-06-24 |
| JP2996287B2 true JP2996287B2 (ja) | 1999-12-27 |
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ID=18212471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7328635A Expired - Fee Related JP2996287B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 吸収形半導体光変調器 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996287B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2218262C (en) * | 1996-10-17 | 2001-04-24 | Kenji Kawano | Ultra-high-speed semiconductor optical modulator with traveling-wave electrode |
| JP2012078759A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器 |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP7328635A patent/JP2996287B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09166764A (ja) | 1997-06-24 |
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