JP2992380B2 - ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法 - Google Patents

ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法

Info

Publication number
JP2992380B2
JP2992380B2 JP3240474A JP24047491A JP2992380B2 JP 2992380 B2 JP2992380 B2 JP 2992380B2 JP 3240474 A JP3240474 A JP 3240474A JP 24047491 A JP24047491 A JP 24047491A JP 2992380 B2 JP2992380 B2 JP 2992380B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sintered body
solvent
via hole
slurry
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3240474A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0558763A (ja
Inventor
朝男 森川
和夫 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Tokushu Togyo KK
Original Assignee
Nippon Tokushu Togyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Tokushu Togyo KK filed Critical Nippon Tokushu Togyo KK
Priority to JP3240474A priority Critical patent/JP2992380B2/ja
Priority to US07/926,654 priority patent/US5318744A/en
Publication of JPH0558763A publication Critical patent/JPH0558763A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2992380B2 publication Critical patent/JP2992380B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
    • C04B41/5194—Metallisation of multilayered ceramics, e.g. for the fabrication of multilayer ceramic capacitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09981—Metallised walls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0759—Forming a polymer layer by liquid coating, e.g. a non-metallic protective coating or an organic bonding layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビアホールメタライズ
を有するセラミック焼結体の製造方法に関し、更に詳し
く言えば、ストレート状ビアホール内にのみ泥漿が充填
でき、導電性及び気密性に優れ、且つ焼成条件の厳密な
調整が必要ない、ビアホールメタライズを有するセラミ
ック焼結体の製造方法に関するものである。本発明は、
セラミック基板に設けられたビアホールのメタライズを
中継して、ＬＳＩと外部回路との間の電気的接続をとる
ＬＳＩ搭載用基板等に利用される。
【０００２】
【従来の技術】ビアホールメタライズを有するセラミッ
ク焼結体の製造方法としては、例えば、ガラスセラミッ
クとＣｕメタライズを組み合わせた基板において、Ｃｕ
メタライズの出発原料にＣｕＯ若しくはＣｕ、又はＣｕ
ＯとＣｕの混合物、あるいはＣｕＯとＣｕ2 Ｏの混合物
を使用し、一度大気中で脱バインダー焼成をしてシート
に含まれる有機バインダー成分を焼失させ、更に還元焼
成工程を通して、ＣｕＯをＣｕに還元してから中性雰囲
気中で焼成する方法が知られている。また、ストレート
状のビアホールを有するセラミック基板の製造方法とし
ては、パンチングによりビアホールを開孔し、次いでビ
アホール中へＣｕペーストを埋め込んだシートを所定の
枚数分積層し、焼成して、所定の板厚の基板を製造する
方法も知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記前者の製
造方法では、Ｃｕの酸化及び還元による体積変動が生じ
るため、セラミックやメタライズにクラックが発生し、
そのため、メタライズ原料粉末を粒度配合したり、種々
の添加物を混合する必要があった。また、上記後者の製
造方法では、シートを積層した際のビアホールの位置ず
れ及びシート積層面でのＣｕペーストの接続性の低下、
更にはビアホール内へのＣｕペースト充填量の調整が必
要となり、過度に充填すると脱バインダー焼成工程でＣ
ｕが酸化したときの体積膨張によるセラミックのクラッ
クが発生し、逆に充填量が不足すると気密性の低下や導
通不良が発生するという問題があった。
【０００４】本発明は、上記欠点を克服するものであ
り、半焼結体のストレート状ビアホール内にのみ泥漿を
選択的に充填することにより、導電性及び気密性に優れ
且つ焼成条件の厳密な調整が必要ない、ビアホールメタ
ライズを有するセラミック焼結体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ビアホー
ルメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法につ
いて種々検討した結果、ビアホールを有する半焼結体を
用いて、この気孔中には浸透されることなくビアホール
内にのみ泥漿を充填することにより、上記欠点が解消さ
れることを見出して、本発明を完成するに至ったのであ
る。即ち、本発明のビアホールメタライズを有するセラ
ミック焼結体の製造方法は、５００〜９００℃にて加熱
して形成され多数の気孔を有し且つストレート状ビアホ
ールを備えるセラミック半焼結体を第１溶媒に浸漬して
該半焼結体の気孔中に該第１溶媒を浸透させ、その後、
該第１溶媒浸透後半焼結体を、上記第１溶媒と相溶性を
有しない第２溶媒中に導電性粉末を分散させた泥漿の中
に浸漬して、上記ビアホール内に該泥漿を充填し、次い
で、該泥漿充填後半焼結体を非酸化雰囲気下にて焼成し
てセラミック焼結体を製造することを特徴とする。
【０００６】本発明において、「ストレート状ビアホー
ル」とは、曲がり部のない直線状のものであり、泥漿へ
の浸漬により泥漿がこのビアホール内へ充填可能のもの
である。上記「セラミック半焼結体」とは、いわゆる仮
焼体を示し、バインダとしての樹脂成分が除去され、適
度の気孔を有する多孔質体であるとともに、後工程で耐
えられる程度の機械的強度を有するものである。この半
焼結体の形成において５００〜９００℃の加熱とするの
は、これが５００℃未満では、十分に脱脂（脱バインダ
ー）できない場合があるし、また後工程で耐えられる程
度の機械的強度を有しない場合があり、更に９００℃を
越えては、気孔が生じない場合があり、また後工程の本
焼成をしても基板とビアホールメタライズとの接合が十
分でない場合があるからでなる。
【０００７】また、上記「第２溶媒」は第１溶媒と相溶
性を有しないものである。ここで「相溶性を有しない」
とは、お互いにほとんど溶解し合わないものをいう。例
えば、水（Ａ）とキシレン、トルエン、ベンゼン、αテ
ルピネオール、２ーブタノール等（Ｂ）との組合せとす
ることができ、どちらを第１溶媒としてもよい。更に、
上記「非酸化雰囲気」とは、中性雰囲気又は還元雰囲気
をいう。また、第２発明に示すように、上記第１溶媒は
水であり、上記泥漿は、８０〜１２０℃の沸点を有する
炭化水素（例えば、トルエン、キシレン等）からなる第
２溶媒とＣｕ粉末の組合せ、又はこの炭化水素とＣｕ粉
末と昇華性を有する樹脂成分（例えば、カンフル等）と
の組合せからなるものとすることができる。
【０００８】
【作用】本セラミック半焼結体は多孔質であり、多くの
気孔を有するので、この半焼結体を、導電性粉末を分散
させた泥漿の中に浸漬した場合、ビアホールのみならず
この気孔中にもこの泥漿が浸透してしまい、そのため本
焼成後にセラミック焼結体が銅色に変色し、また隣接の
ビアホール間で絶縁低下を招くことになる。一方、本発
明では、まず半焼結体の気孔中に該第１溶媒を浸透さ
せ、その後、この第１溶媒と相溶性を有しない第２溶媒
中に導電性粉末を分散させた泥漿を浸漬、充填するの
で、この泥漿は気孔中に浸透することがなく、選択的に
ビアホール内へこの泥漿を充填させることができる。従
って、本発明では、導通と気密性に優れ、且つ隣接する
各ビアホールメタライズ間における絶縁性にも優れる。
【０００９】また、本発明では、泥漿中に浸漬させるセ
ラミック体としては、所謂、仮焼体である半焼結体を用
い、この半焼結体中にはほとんど（又は全く）樹脂成分
が消失しているので、本焼成後の焼結体中には脱脂不十
分に基づくカーボン残査が残ることもないし、更に脱脂
のための酸化雰囲気にて加熱する必要がないので、導電
性材料の酸化を抑止したり、酸化後に還元したりする面
倒がない。更に、本発明においては、積層後にストレー
ト状ビアホールを形成しているので、従来のようにＣｕ
ペーストを埋め込んだシートを正確にビアホール位置を
合わせて積層して焼成するという必要がないので、ビア
ホールメタライズの位置がズレるという心配が全くない
し、シート積層面での接続性が低下する心配も全くな
い。特に、第２発明に示すように、泥漿として、８０〜
１２０℃の沸点を有する炭化水素からなる第２溶媒、Ｃ
ｕ粉末及び昇華性を有する樹脂成分のうちの少なくとも
該第２溶媒及びＣｕ粉末からなるものを用いる場合は、
Ｃｕ以外は容易に完全に除去できるので、ビアホールメ
タライズ部分にカーボン等の有機残査が残ることがない
ので、大変高品質のメタライズとなる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。まず、積層グリーンシート（１００ｍ×１００ｍｍ
×１．０〜１．４ｍｍｔ）を準備し、所定の位置にパン
チングによりストレートビアホール（焼成後の寸法にて
径０．２５ｍｍφでビアホール間隔０．６ｍｍ、又は径
０．１ｍｍφでビアホール間隔０．４５ｍｍ）を形成し
た。尚、このグリーンシートは、以下のようにして製造
される。まず、グリーンシートの原料となる、ＺｎＯ、
ＭｇＣＯ3 、Ａｌ（ＯＨ）3 、ＳｉＯ2 、Ｈ3 ＢＯ3 、
Ｈ3 ＰＯ4 を所定量秤量し、ライカイ機にて混合し、白
金ルツボ又はアルミナ質ルツボにて１４００〜１５００
℃の適当な温度で溶融する。この融液を水中に投入し、
急冷してガラス化し、その後アルミナ製ボールミルで粉
砕して、粒径が２〜３μｍのフリット（ガラス粉末）を
形成する。この粉末とポリビニルブチラールと可塑剤
（ジエチレングリコール）とを用いて、定法に従って、
ドクターブレード法により所定のグリーンシートを作成
する。上記グリーンシートを複数枚積層し、そしてパン
チング後カッティングにより単一ブロックに分割する。
これを大気中で７００℃〜９００℃の温度で仮焼し、有
機バインダーを焼失させると同時に機械的強度を持つビ
アホールを有する多孔質状半焼結体（気孔率；２５％）
を製造した。次に、この半焼結体を第１溶媒としての水
（純水がより好ましい。）に浸してこの気孔内に水を含
浸させる。
【００１１】一方、導電性粉末としてのＣｕ粉末（０．
５〜５μｍ）１００重量部、第２溶剤としてのキシレン
５〜１０重量部、樹脂カンフル０〜８重量部からなる泥
漿を作製した。そして、上記水を含浸させた半焼結体
を、この泥漿中に浸漬して、ビアホール内へこの泥漿
（即ちＣｕ粉末）を充填（浸透）させて導通路を形成し
た。この時、泥漿に圧力を加えてビアホール内への充填
効果を高めても良い。次に、Ｃｕ泥漿への浸漬を終えた
半焼結体は、表面に付着した泥漿をペーパーで研磨し、
その後６０℃〜１２０℃の温度で乾燥させ、水、キシレ
ン、カンフルを全て蒸発及び昇華させ、次いで、非酸化
性雰囲気（窒素ガス）下、９００℃〜１１００℃の温度
で本焼成を行った。
【００１２】以上より、仮焼工程を有するので有機樹脂
成分をほぼ完全に消失させることができ、カーボン残査
が全く（ほとんど）なかった。これは、赤外線吸収法に
より確認できた。また泥漿が気孔中に浸透されなかった
のでセラミック焼結体がＣｕの着色を示すこともなかっ
た。更に、各ビアホールメタライズ間での絶縁性を試験
した所、２５×１０5 ＭΩ、２５×１０5 ＭΩ（１つの
基板にて２か所測定）を示し、絶縁性が良好であった。
この絶縁性の試験は、測定器としてＴＯＡ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＮＩＣＳ Ｌｔｄ製「ＳＵＰＥＲ ＭＥＧＯＨＭＭ
ＥＴＥＲ ＭＯＤＥＬ ＳＭ−９Ｅ」、サンプル形状と
してビアー径；０．２５ｍｍφ、ビアホール間隔；０．
６ｍｍ、板厚；１．０ｍｍ、印加電圧として２５０Ｖを
用いて行った。尚、比較例として上記第１溶剤としての
水を先使用せずに、上記泥漿をそのまま用いて、同様に
して焼結体を製造した。この比較例においては、焼結体
全体に薄いＣｕ色が生じ、上記絶縁性の試験結果では、
２×１０5 ＭΩ、５×１０5 ＭΩを示し、絶縁性はやや
低下傾向であった。
【００１３】そして、板厚が１ｍｍ、ビアホール径が
０．２５ｍｍφの本発明品、及び板厚が０．６ｍｍ、ビ
アホール径が０．１ｍｍφの本発明品を製造し、この焼
結体の気密性及び各ビアホールメタライズの導通に関し
て測定した。この焼結体の気密性は、いずれも３×１０
-8ｓｔｄ・ｃｃ／ｓｅｃ以下となり、気密性は良好であ
った。また各ビアホールメタライズの導通については不
良率（Ｒ＝不良数／全数）でもって評価した所、順に０
／１７６、０／５４４となり、導通も良好であった。
【００１４】尚、本発明においては、前記具体的実施例
に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範
囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、
前記パンチング開孔部の大きさ、数、、開孔形状、また
グリーンシート積層の有無、その積層枚数、シート厚さ
等は、特に問わない。セラミック焼結体のセラミック材
料としては、上記以外に、アルミナ、ムライト、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４等を用いることができる。また、導電性
粉末としては上記以外にＭｏ粉末、Ｗ粉末、Ｎｉ粉末、
Ａｇ粉末又はＰｄ粉末等を用いてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明のビアホールメタライズを有する
セラミック焼結体の製造方法によれば、上記作用に示す
ように、導電性及び気密性に優れ、焼成条件の調整はほ
とんど必要なく、Ｃｕの酸化、還元に伴う断線やセラミ
ックに発生するクラックの問題を考慮しなくても良い。
従って、不良品の減少、歩留りの向上及び製品の品質向
上を容易に図ることができる。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ５００〜９００℃にて加熱して形成され
    多数の気孔を有し且つストレート状ビアホールを備える
    セラミック半焼結体を第１溶媒に浸漬して該半焼結体の
    気孔中に該第１溶媒を浸透させ、その後、該第１溶媒浸
    透後半焼結体を、上記第１溶媒と相溶性を有しない第２
    溶媒中に導電性粉末を分散させた泥漿の中に浸漬して、
    上記ビアホール内に該泥漿を充填し、次いで、該泥漿充
    填後半焼結体を非酸化雰囲気下にて焼成してセラミック
    焼結体を製造することを特徴とするビアホールメタライ
    ズを有するセラミック焼結体の製造方法。
  2. 【請求項２】 上記第１溶媒は水であり、上記泥漿は、
    ８０〜１２０℃の沸点を有する炭化水素からなる第２溶
    媒、Ｃｕ粉末及び昇華性を有する樹脂成分のうちの少な
    くとも該第２溶媒及び該Ｃｕ粉末を含む請求項１記載の
    ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造
    方法。
JP3240474A 1991-08-27 1991-08-27 ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法 Expired - Fee Related JP2992380B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3240474A JP2992380B2 (ja) 1991-08-27 1991-08-27 ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法
US07/926,654 US5318744A (en) 1991-08-27 1992-08-10 Process for producing ceramic sintered body having metallized via hole

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3240474A JP2992380B2 (ja) 1991-08-27 1991-08-27 ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0558763A JPH0558763A (ja) 1993-03-09
JP2992380B2 true JP2992380B2 (ja) 1999-12-20

Family

ID=17060058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3240474A Expired - Fee Related JP2992380B2 (ja) 1991-08-27 1991-08-27 ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5318744A (ja)
JP (1) JP2992380B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3165779B2 (ja) * 1995-07-18 2001-05-14 株式会社トクヤマ サブマウント
CN111633211B (zh) * 2020-05-20 2022-08-05 东睦新材料集团股份有限公司 一种粉末冶金铬合金燃料电池连接件的封孔方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4671928A (en) * 1984-04-26 1987-06-09 International Business Machines Corporation Method of controlling the sintering of metal particles
US5011655A (en) * 1989-12-22 1991-04-30 Inco Alloys International, Inc. Process of forming a composite structure
FR2662222B1 (fr) * 1990-05-18 1993-12-10 Metafram Alliages Frittes Procede de fabrication d'une garniture de frein a plots non jointifs, et garniture obtenue.

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0558763A (ja) 1993-03-09
US5318744A (en) 1994-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100796892B1 (ko) 후막 전도체 조성물 및 ｌｔｃｃ 회로 및 장치에서의 그의용도
US4504339A (en) Method for producing multilayered glass-ceramic structure with copper-based conductors therein
CN102307825A (zh) 低温烧结陶瓷烧结体及多层陶瓷基板
JPWO2009025156A1 (ja) セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法
JP7180689B2 (ja) 積層体及び電子部品
TW201634425A (zh) 中介電常數低溫共燒陶瓷（ｍｉｄ－ｋ ｌｔｃｃ）組成物及裝置
JP4673086B2 (ja) ビア導体メタライズ用の導体ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板の製造方法
JP2992380B2 (ja) ビアホールメタライズを有するセラミック焼結体の製造方法
JP2657008B2 (ja) セラミックス用メタライズ組成物
JP2006310340A (ja) 導体ペーストおよび成形体並びに配線基板
JP4852778B2 (ja) セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP2008078453A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP4231316B2 (ja) セラミック配線基板の製造方法
JP2005216998A (ja) セラミック回路基板及びその製造方法
JP3786609B2 (ja) 複合セラミック部品及びその製造方法
JP2003137657A (ja) ガラスセラミックスおよびその製造方法、並びに配線基板
JP2002198622A (ja) メタライズ組成物及びそれを用いた配線基板並びにその製造方法
JPH0632379B2 (ja) セラミツク配線基板の製造方法
JPH0832238A (ja) 多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法
JPH0320914B2 (ja)
JPH0797236A (ja) ガラスセラミックス組成物
JPH10154767A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2002290037A (ja) 回路基板の製造方法
DE3923491A1 (de) Keramische stoffzusammensetzung und ihre verwendung
JPH08264370A (ja) 低温焼成セラミック誘電体及び低温焼成セラミック多層回路基板

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees