JP2990949B2 - 回転速度検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は回転速度検出装置に係
り、特に磁気抵抗素子を用いて回転検出を行う回転速度
検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】車載用のセンサの一つとして回転速度検
出装置がある。この回転速度検出装置は、例えばアンチ
ブレーキシステム（ＡＢＳ）において、車軸の回転速度
検出を行うのに用いられる。

【０００３】従来、この種の回転速度検出装置として特
開昭６２−６６１１５号公報に示されるものがある。図
８は同公報に示された回転速度検出装置の構造を示して
いる。同図に示されるように、回転速度検出装置１は二
つの磁気抵抗素子２，３を有し、各磁気抵抗素子２，３
をブリッジ状に接続した構造を有している。磁気抵抗素
子２の一端は電源Ｖ_CCに接続されており、他端は磁気抵
抗素子３の一端と接続されている。また磁気抵抗素子３
の他端は接地されており、出力電圧は各磁気抵抗素子
２，３間の出力端子４から出力される構成とされてい
た。尚、５は出力電圧を増幅するアンプである。

【０００４】上記のように、従来の回転検出装置１にお
いて磁気抵抗素子２，３をブリッジ状に接続する構成と
したのは次の理由による。即ち、磁気抵抗素子２，３は
感度は良好であるものの、素子単品では抵抗値のばらつ
きが非常に大きく、また抵抗温度特性も非常に大きい。
例えば抵抗値については600 Ω〜4500Ωのばらつきを有
し、また抵抗温度特性においては35℃の温度変化（上
昇）で抵抗値が1/2 にも減少するものが知られている。

【０００５】従って、このように抵抗値のばらつきを有
し、また抵抗温度特性の大きな磁気抵抗素子を単品で用
いた場合には、使用する磁気抵抗素子の抵抗値ずれや使
用する環境温度，磁界強度により測定値が大きく変化し
測定精度が低下してしまう。

【０００６】このため、各磁気抵抗素子２，３をブリッ
ジ状に接続することにより各磁気抵抗素子２，３の抵抗
−温度特性を相殺し、これにより測定精度を向上させる
構成とされていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のように各磁気抵
抗素子２，３をブリッジ状に接続することにより各磁気
抵抗素子２，３の抵抗−温度特性は相殺され、使用する
環境温度により測定値が大きく変動することを防止する
ことができる。

【０００８】しかるに、各磁気抵抗素子２，３の初期抵
抗（印加磁界がゼロである時の抵抗値）にバラツキがあ
ると、回転速度検出用の磁気抵抗素子（二つの磁気抵抗
素子の内、いずれか一方）の両端電圧の振幅中心がブリ
ッジへの印加電圧の中心からずれてしまい、出力電圧の
振幅が小さくなり検出精度が低下してしまうという問題
点があった。

【０００９】また、被回転検出体となるのは一般に磁性
材料で作られた歯車であるが、二つの磁気抵抗素子２，
３を用いた回転速度検出装置では、この二つの磁気抵抗
素子２，３を、一方の磁気抵抗素子（例えば磁気抵抗素
子２）が歯車の山と対向した時、他方の磁気抵抗素子３
が歯車の谷と対向するよう、磁気抵抗素子２，３と歯車
との位置決めを高精度に行う必要がある。しかるに、車
載用の回転速度検出装置の場合、歯車を車軸に配設する
ため外径等の形状が異なり、磁気抵抗素子２，３と歯車
を高精度に位置決めするためには歯車形状に合わせた磁
気抵抗素子が必要となるという問題点があった。

【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、磁気抵抗素子を一つ使用し、この磁気抵抗素子の
両端電圧変化の直流成分電圧が所定値となるよう制御す
ることにより、検出精度の向上を図った回転速度検出装
置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理図で
ある。

【００１２】同図に示すように、上記課題を解決するた
めに本発明では、磁界発生部(A1)と、この磁界発生部(A
1)が発生する磁束の影響を受ける位置に配設された単一
の磁気抵抗素子(A2)と、この磁気抵抗素子(A2)と対向配
設されると共に回転体(A3)に配設されており、この回転
体(A3)の回転速度に応じた周期で磁気抵抗素子(A2)に印
加される磁界の磁束密度を変化させる磁束密度変化部(A
4)と、上記磁気抵抗素子(A2)に所定電圧を印加する電圧
印加部(A5)とを具備し、磁気抵抗素子(A2)の両端部電圧
変化より回転体(A3)の回転速度を検出する回転速度検出
装置において、上記磁気抵抗素子(A2)の両端部電圧変化
より直流電圧成分を抽出する積分回路を設けており、上
記磁気抵抗素子(A2)の両端部電圧変化の直流成分電圧が
上記電圧印加部(A5)により印加される所定電圧に対して
上昇した際、これを検出して上記直流成分電圧を下げる
よう調整処理を行い、上記電圧印加部(A5)により印加さ
れる所定電圧に対して所定割合の電圧となるよう直流成
分電圧を制御する直流成分電圧制御部(A6)を設けたこと
を特徴とするものである。

【００１３】

【作用】直流成分電圧制御部(A6)は、磁気抵抗素子(A2)
の両端部電圧変化の直流成分電圧が上記電圧印加部(A5)
により印加される所定電圧に対して上昇した際、これを
検出して上記直流成分電圧を下げるよう調整処理を行
い、電圧印加部(A5)により印加される所定電圧に対して
所定割合の電圧となるよう直流成分電圧を制御する。こ
のため、磁気抵抗素子(A2)の初期抵抗値にばらつきがあ
ったとしても、磁気抵抗素子(A2)の両端部には常に電圧
印加部(A5)により印加される所定電圧に対し所定割合の
電圧が印加される。従って、磁気抵抗素子(A2)の初期抵
抗値のばらつきに拘わらず出力電圧の振幅中心を所定値
とすることができ、常に大きな出力電圧振幅を保つこと
ができる。

【００１４】また、直流成分電圧制御部(A6)は磁気抵抗
素子(A2)の両端部電圧変化の直流成分電圧を制御するも
のであるため、回転検出信号である交流成分には影響を
与えることはなく、精度の高い回転速度検出信号を得る
ことができる。更に、一つの磁気抵抗素子(A2)で回転速
度検出が行えるため、装置のコスト低減を図ることがで
きる。更に、直流成分電圧制御部(A6)は、磁気抵抗素子
(A2)の両端部電圧変化より直流電圧成分を抽出する積分
回路を設けているため、磁気抵抗素子(A2)からの交流電
圧成分は低減されることはなく、よって高出力の出力信
号を得ることが可能となる。

【００１５】

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図２は本発明の第１実施例である回転速度検出装
置１０を示している。この回転速度検出装置１０は、例
えば車載されるＡＢＳ(Antilock Brake System）におい
て、車速検出センサとして用いられるものである。

【００１６】同図において、１１は磁性体よりなる回転
体であり、形成されている歯の山部１１ａは着磁されて
磁界を発生するよう構成されている。また、１２は磁気
抵抗素子であり、本発明に係る回転速度検出装置１０
は、一つの磁気抵抗素子１２により回転速度検出を行う
構成とされている。この磁気抵抗素子１２は、回転体１
１と対向するよう配設されている。

【００１７】よって、回転体１１の山部１１ａが磁気抵
抗素子１２に近づくにつれて磁気抵抗素子１２に印加さ
れる磁界の磁束密度は大となり、また回転体１１の谷部
１１ｂが磁気抵抗素子１２に近づくにつれて磁気抵抗素
子１２に印加される磁界の磁束密度は小となる。このよ
うに、回転体１１の回転に伴い磁気抵抗素子１２に印加
される磁界の磁束密度は変化する。磁気抵抗素子１２
は、磁界の強さによりその抵抗値が変化する性質を有し
ており、上記磁束密度の変化に対応して抵抗値を変化さ
せる。また、上記磁束密度の変化は回転体１１の回転速
度に対応しているため、よって磁気抵抗素子１２の抵抗
値変化を検出することにより回転体１１の回転速度を検
出することができる。尚、図中１３は磁石であり、磁気
抵抗素子１２に磁気バイアスを与えるために設けられて
いる。

【００１８】１４は本発明の特徴となる直流成分電圧制
御回路であり、例えばエンジンコントロールユニット
（ＥＣＵ）１５内に配設されている。以下、直流成分電
圧制御回路１４の構成について説明する。

【００１９】電源Ｖ_CCには抵抗Ｒ３の一端部及びトラン
ジスタＱ１のコレクタが接続されている。また、トラン
ジスタＱ１のベースにはトランジスタＱ２のコレクタが
接続されており、このベースとコレクタの接続点１６に
は上記抵抗Ｒ３の他端部が接続され、更にトランジスタ
Ｑ２のエミッタは接地されている。

【００２０】トランジスタＱ１のエミッタは、ＥＣＵ１
５の外部ケースに設けられた磁気抵抗素子１２の信号入
力端子１７に接続されている。磁気抵抗素子１２の一端
部はこの信号入力端子１７に接続されると共に、他端は
同じくＥＣＵ１５の外部ケースに設けられたアース端子
１８に接続されている。

【００２１】トランジスタＱ１のエミッタから信号入力
端子１７にいたる配線途中の接続点１９には、分圧回路
を構成する抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続されており、この抵抗
Ｒ１，Ｒ２は直列に接続されると共に抵抗Ｒ２の抵抗Ｒ
１と接続側と異なる側は接地されている。また、この抵
抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点２０にはトランジスタＱ２の
ベース及びコンデンサＣが接続されている。このコンデ
ンサＣの接続点２０との接続側と異なる側は接地されて
いる。更に、信号入力端子１７と接続点１９との間に
は、信号取り出し端子２１が設けられており、回転速度
検出信号はこの信号取り出し端子２１より取り出され
る。尚、２２は信号増幅用の増幅器である。

【００２２】続いて、直流成分電圧制御回路１４の動作
について説明する。上記構成を有する直流成分電圧制御
回路１４は直流成分定電圧回路となっており、抵抗Ｒ
１，Ｒ２の各抵抗値を適宜選定することにより、入力信
号端子１７の電圧は電源Ｖ_CCの電圧の略１／２の電圧値
で安定化するよう制御される構成とされている。

【００２３】ここで、磁気抵抗素子１２の抵抗にばらつ
きがあり、既定抵抗値（設計抵抗値）に対して磁気抵抗
素子１２の初期抵抗値がずれていた場合を想定する。い
ま、磁気抵抗素子１２の抵抗値が大きくなる方向にずれ
ることにより信号入力端子１７の電圧が上昇した場合を
例に挙げて説明する。

【００２４】信号入力端子１７の電圧が上昇すると、こ
れに伴い接続点２０の電圧も上昇し、トランジスタＱ２
のベース電圧が上昇する。また、トランジスタＱ２のベ
ース電圧が上昇することにより、トランジスタＱ２のエ
ミッタ電流が増大し、これに伴い電源Ｖ_CCから抵抗Ｒ３
を介してトランジスタＱ２に流れ込むコレクタ電流が増
大する。これにより、トランジクタＱ１のベース電圧Ｖ
_C は低下し、よって直流成分電圧制御回路１４は信号入
力端子１７の電圧を下げようと作動する。従って、磁気
抵抗素子１２の抵抗にばらつきが有ったとしても、信号
入力端子１７の電圧は所定値（電源Ｖ_CCの電圧の略１／
２の電圧値）に保たれる。

【００２５】上記のように、直流成分電圧制御回路１４
は直流成分定電圧回路として機能するため、磁気抵抗素
子１２が有する抵抗値のバラツキによる影響を有効に除
去することができる。しかるに、磁気抵抗素子１２は回
転体１１の回転速度検出時において、回転体１１から印
加される磁界の強さ変化に対応した交流波形的な出力信
号を生成する。この出力信号の交流波形は電圧変化成分
であるため、直流成分電圧制御回路１４に代えて単に周
知の直流成分定電圧回路を設けた構成では、直流成分定
電圧回路は出力信号としての電圧変化までも定電圧化し
てしまい、出力信号が弱められてしまう。

【００２６】そこで、本実施例に係る直流成分電圧制御
回路１４は、回路内に抵抗Ｒ１とコンデンサＣとにより
構成される積分回路を設けている。この積分回路の時定
数τはτ＝Ｒ１×Ｃで示される。いま、磁気抵抗素子１
２からの入力信号が時定数τより大きい周期変動の場合
（即ち入力信号の周波数ｆが小さい場合時）には、上記
積分回路は機能せず、接続点２０の電圧（即ち、トラン
ジスタＱ２のベース電圧Ｖ_B ) は出力信号の電圧変化に
応答して変動するため、直流成分電圧制御回路１４は前
記したように信号入力端子１７における電圧値Ｖ_A を安
定化させるよう作用する。

【００２７】しかるに、回転体１１の回転速度が速い回
転速度となると、磁気抵抗素子１２からの入力信号の周
期変動が時定数τより小さい周期変動となる（即ち入力
信号の周波数ｆが大きくなる）。従って、磁気抵抗素子
１２からの入力信号波形は上記積分回路により積分され
た波形となるため、トランジスタＱ２のベース電圧Ｖ _B
は上記周波数ｆが増大するにつれ一定値となる。これに
より、接続点１６における電圧Ｖ_C の制御ができなくな
り、よって積分回路の時定数で定められる所定周波数ｆ
_c 以上の回転速度においては入力信号の変動は低減され
ることはなく、信号取り出し端子２１からは高出力を有
する出力信号を取り出すことができる。

【００２８】図３は、回転速度検出装置１０において回
転体１１の回転速度を徐々に上昇させることにより、回
転体１１より磁気抵抗素子１２に印加する交流磁界の周
波数ｆを徐々に上昇させた場合における電圧波形図を示
している。

【００２９】同図に示されるように、トランジスタＱ２
のベース電圧Ｖ_B の値は、交流磁界の周波数（これは回
転体１１の回転速度と等価）が記所定周波数ｆ_c に近づ
くにつれて収束しており、ｆ_c 以上では一定の電圧とな
っている。これに伴い、信号入力端子１７における電圧
値Ｖ_A もｆ_c 以上においては、磁気抵抗素子１２からの
入力信号の周期変動に対応した安定した電圧波形となっ
ている。

【００３０】また、図４及び図５は、積分回路を設けた
場合と設けなかった場合における、信号取り出し端子１
９より取り出される出力信号を示している。図４は積分
回路を設けなかった場合における出力信号であり、図５
は積分回路を設けた場合における出力信号である。尚、
各図において、（Ａ）は出力信号を示しており、（Ｂ）
はトランジスタＱ２のベース電位を示している。

【００３１】図４に示されるような、積分回路を除き直
流成分定電圧回路のみを設けた構成の場合、Ｑ２のベー
ス電位には磁気抵抗素子１２からの信号が重畳してお
り、この信号に対応した変動が見られる。また、出力信
号の大きさは直流成分定電圧回路の作用により低減され
て0.08Ｖ_P-P と低い出力値となっている。

【００３２】これに対し、直流成分定電圧回路に積分回
路を設けた直流成分電圧制御回路１４の場合、Ｑ２のベ
ース電位は積分されて一定の値となっており、また出力
信号の大きさは直流成分定電圧回路が作用しないため0.
46Ｖ_P-P と、図４に示される構成に比べて大きな値とな
っている。よって図４及び図５より、直流成分電圧制御
回路１４は磁気抵抗素子１２からの交流波状の入力信号
を有効に出力してることが判る。

【００３３】また図６（Ａ）は、直流成分電圧制御回路
１４に代えて磁気抵抗素子１２と等しい値となるように
した固定抵抗を磁気抵抗素子１２とブリッジ状に配設し
た場合における出力波形を示しており、同図（Ｂ）は本
発明に係る回転速度検出装置２０による出力波形を示し
ている。同図より、固定抵抗をブリッジ状に配設した構
成に比べ、本発明に係る回転速度検出装置２０では出力
が多少下がる（７０パーセント程度）が、前述したよう
に磁気抵抗素子の抵抗のバラツキ，温度変化及び使用状
態での磁界強度の変化分などを考慮すると、固定抵抗で
のブリッジ回路では同図（Ａ）の１／５程度の出力しか
保証できないため、本考案の回路がこのレベルを保つと
すると、磁気抵抗素子のバラツキの上下限に比べて３倍
以上の高出力を得ることができる。

【００３４】上記してきたように回転速度検出装置１０
は、直流成分電圧制御回路１４を設け、この直流成分電
圧制御回路１４を直流成分定電圧回路として機能させる
ことにより、磁気抵抗素子１２の抵抗のバラツキによる
影響を除去し、かつ直流成分定電圧回路に前記した積分
回路を組み合わせることにより、出力信号を直流成分定
電圧回路が低減させないよう構成したものである。従っ
て、磁気抵抗素子１２の抵抗のバラツキに拘わらず高出
力の回転速度検出信号が得られるため、検出精度を向上
させることができる。

【００３５】また、本実施例に係る回転速度検出装置１
０は、磁気抵抗素子１２の配設個数を１個とすることが
できるため、磁気抵抗素子を２個配設する従来構成の装
置に比べてコストの低減を図ることができる。また、回
転体１１と磁気抵抗素子１２の位置決めも、回転体１１
の山部１１ａが磁気抵抗素子１２と対向するよう位置決
めすれば足り、従来の如く他方の磁気抵抗素子を回転体
１１の谷部１１ｂと位置決めする必要がなくなり、位置
決め作業の簡略化を図ることができる。更に、磁気抵抗
素子１２とＥＣＵ１５を接続するワイヤハーネスは２本
で足りるため、磁気抵抗素子を２個配設する構成に比べ
てワイヤハーネスを１本減らすことができる。

【００３６】図７は本発明の第２実施例である回転速度
検出装置３０を示している。同図に示す回転速度検出装
置３０は、第１実施例で示した直流成分電圧制御回路１
４に代えて、抵抗値選択回路３１を設けたことを特徴と
するものである。この回転速度検出装置３０も、例えば
車載されるＡＢＳにおいて、車速検出センサとして用い
られるものである。

【００３７】同図において、３２は磁気抵抗素子であり
回転体（図示せず）に対向配設されている。また、磁気
抵抗素子３２の背部には磁気バイアスを与える磁石３３
が配設されている。また、抵抗値選択回路３１は、抵抗
値の異なる複数の抵抗（本実施例ではＲ０〜Ｒ４の５
個）、サンプル・ホールド回路４１、スイッチＳＷ１〜
ＳＷ４、コンパレータＣＯＭＰ１〜ＣＯＭＰ４等により
構成されている。

【００３８】磁気抵抗素子３２の一端は接続点３４〜３
８，コンデンサＣ，オペアンプ３９を介して出力端子４
０に接続され、また磁気抵抗素子３２の他端は接地され
ている。また、接続点３４は抵抗Ｒ₀ を介して電源Ｖ_CC
に接続されており、かつ接続点３４にはサンプル・ホー
ルド回路４１が接続されている。従って、磁気抵抗素子
３２と抵抗Ｒ₀ はブリッジ回路を構成しており、抵抗Ｒ
₀ の抵抗値は磁気抵抗素子３２の初期抵抗値と一致する
よう選定されている。

【００３９】抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、夫々抵抗抵抗Ｒ０と並
列に接続されると共に、各接続点３５〜３８との間には
スイッチＳＷ１〜ＳＷ４が配設されている。このスイッ
チＳＷ１〜ＳＷ４は、後述するコンパレータＣＯＭＰ１
〜ＣＯＭＰ４からの信号により開閉動作を行い、各抵抗
Ｒ１〜Ｒ４と磁気抵抗素子３２を接続する機能を奏す
る。サンプル・ホールド回路４１は、指令信号が入来す
ることにより磁気抵素子３２と接続された接続点３４の
電圧値をサンプリングする回路である。この指令信号と
しては、例えばエンジンが始動したことを示すイグニリ
ョンスイッチからのＩＧ信号が用いられている。

【００４０】サンプル・ホールド回路４１でサンプリン
グされた接続点３４の電圧値は、各コンパレータＣＯＭ
Ｐ１〜ＣＯＭＰ４に供給される。各コンパレータＣＯＭ
Ｐ１〜ＣＯＭＰ４は夫々異なる閾値を有しており、サン
プル・ホールド回路４１から供給された接続点３４の電
圧値が閾値の範囲となっている場合には、当該閾値が設
定されているコンパレータ（仮に設定されたコンパレー
タがＣＯＭＰ１であるとして、以下述べる）がスイッチ
ＳＷ１に対して駆動信号を供給し、これによりスイッチ
ＳＷ１が閉成される構成とされている。スイッチＳＷ１
が閉成されることにより、抵抗Ｒ１は磁気抵抗素子３２
に接続され、よって磁気抵抗素子３２とブリッジ回路を
構成する抵抗は抵抗Ｒ０とＲ１となる。従って、磁気抵
抗素子３２とブリッジ回路を構成する抵抗の合成抵抗値
は（Ｒ０×Ｒ１）／（Ｒ０＋Ｒ１）となり、スイッチＳ
Ｗ１閉成まえの抵抗値と異なる抵抗値となる。

【００４１】上記構成とされた抵抗値選択回路３１を設
けることにより、磁気抵抗素子３２の抵抗値にばらつき
があり磁気抵抗素子３２と抵抗Ｒ０の値にずれがあるよ
うな場合においても、この抵抗値ずれにより発生する接
続点３４の電圧変化をサンプル・ホールド回路４１を介
して各コンパレータＣＯＭＰ１〜ＣＯＭＰ４が判断し、
接続点３４の電圧が電源Ｖ_CCの電圧値の略１／２の値と
なるよう、磁気抵抗素子３２に接続する抵抗Ｒ１〜Ｒ４
を選択する。

【００４２】上記のように、第１実施例における直流成
分電圧制御回路１４に代えて抵抗値選択回路３１を設け
た構成としても、第１実施例と同様の効果を得ることが
でき、磁気抵抗素子３２の抵抗値のばらつきに拘わらず
磁気抵抗素子３２の端子電圧を一定に制御できるため、
高精度の回転速度検出が可能となる。

【００４３】尚、上記した実施例では、直流成分電圧回
路１４及び抵抗値選択回路３１により磁気抵抗素子１
２，３２に印加される両端電圧の値を電源Ｖ_CCの電圧値
の略１／２とした構成を示したが、この両端電圧の値は
図２における抵抗Ｒ１，Ｒ２の値を適宜選定することに
より、また図７におけるＣＯＭＰ１〜４の閾値の値を適
宜選定しておくことにより、任意の電圧値に設定するこ
とができる。

【００４４】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、直流成分電
圧制御部は磁気抵抗素子の両端部電圧変化の直流成分電
圧が電圧印加部により印加される所定電圧に対し、所定
割合の電圧となるよう直流成分電圧を制御するため、磁
気抵抗素子の初期抵抗値にばらつきがあったとしても、
磁気抵抗素子の両端部には常に電圧印加部により印加さ
れる所定電圧に対し所定割合の電圧が印加され、従って
磁気抵抗素子の初期抵抗値のばらつきに拘わらず出力電
圧の振幅中心を所定値とすることができ、常に大きな出
力電圧振幅を保つことができる等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理図である。

【図２】本発明の第１実施例である回転速度検出装置の
回路図である。

【図３】出力電圧とトランジスタＱ２のベース電圧の電
圧波形図である。

【図４】積分回路を設けなかった場合における出力信号
を示す波形図である。

【図５】積分回路を設けた場合における出力信号を示す
波形図である。

【図６】（Ａ）は磁気抵抗素子に直流成分電圧制御回路
に代えて固定抵抗をブリッジ状に配設した場合における
出力波形図、（Ｂ）は本発明に係る回転速度検出装置に
よる出力波形を示す図である。

【図７】本発明の第２実施例である回転速度検出装置の
回路図である。

【図８】従来の回転速度検出装置の一例を説明するため
の図である。

【符号の説明】

１０，３０ 回転速度検出装置 １１ 回転体 １２，３２ 磁気抵抗素子 １３ 磁石 １４ 直流成分電圧制御回路 １５ ＥＣＵ １６，１９，２０，３４〜３８ 信号入力端子 １７ 信号入力端子 １８ アース端子 ２１ 信号取り出し端子 ２２ 増幅器 ３１ 抵抗値選択回路 ４１ サンプル・ホールド回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01P 3/488 G01D 5/245

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁界発生部と、 該磁界発生部が発生する磁束の影響を受ける位置に配設
   された単一の磁気抵抗素子と、 該磁気抵抗素子と対向配設されると共に回転体に配設さ
   れており、該回転体の回転速度に応じた周期で該磁気抵
   抗素子に印加される磁界の磁束密度を変化させる磁束密
   度変化部と、 該磁気抵抗素子に所定電圧を印加する電圧印加部とを具
   備し、該磁気抵抗素子の両端部電圧変化より該回転体の
   回転速度を検出する回転速度検出装置において、該磁気抵抗素子の両端部電圧変化より直流電圧成分を抽
   出する積分回路を設けており、該磁気抵抗素子の両端部
   電圧変化の直流成分電圧が該電圧印加部により印加され
   る所定電圧に対して上昇した際、これを検出して該直流
   成分電圧を下げるよう調整処理を行い 、該電圧印加部に
   より印加される所定電圧に対して所定割合の電圧となる
   よう該直流成分電圧を制御する直流成分電圧制御部を設
   けたことを特徴とする回転速度検出装置。