JP2984309B2 - Cathode support structure and method of manufacturing the same - Google Patents

Cathode support structure and method of manufacturing the same

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JP2984309B2
JP2984309B2 JP7881190A JP7881190A JP2984309B2 JP 2984309 B2 JP2984309 B2 JP 2984309B2 JP 7881190 A JP7881190 A JP 7881190A JP 7881190 A JP7881190 A JP 7881190A JP 2984309 B2 JP2984309 B2 JP 2984309B2
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  • Solid Thermionic Cathode (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、カラー受像管等に使用される陰極を支持す
る陰極支持構体およびその製造方法に関するものであ
る。
The present invention relates to a cathode support structure for supporting a cathode used in a color picture tube or the like, and a method for manufacturing the same.

(従来の技術) 近年、走査線を増加させ、解像度を改善したカラー受
像管や超高周波対応受像管等の開発が要請されている。
又、投写管等においても、輝度の向上が望まれている。
これらの要請に応えるには、陰極からの放出電子密度を
大幅に増大させる必要がある。
(Prior Art) In recent years, there has been a demand for the development of a color picture tube, an ultra-high-frequency picture tube, etc. in which the number of scanning lines is increased and the resolution is improved.
Further, it is desired that the luminance of a projection tube be improved.
To meet these demands, it is necessary to greatly increase the density of electrons emitted from the cathode.

ところが、含浸型陰極は酸化物陰極に比べ大きな電流
密度が得られ、これまで撮像管、進行波管、クライスト
ロン等の電子管に用いられてきたが、カラー受像管の分
野では特殊用途のみ限られていた。
However, the impregnated cathode has a higher current density than the oxide cathode, and has been used for electron tubes such as image pickup tubes, traveling wave tubes, and klystrons.However, in the field of color picture tubes, only special applications are limited. Was.

このような含浸型陰極構体は、従来、次のように構成
されている。
Such an impregnated cathode assembly is conventionally configured as follows.

即ち、ヒータがMoあるいはTa製の陰極スリーブの内側
に配設され、この陰極スリーブの一端には、エミッタが
含浸された陰極を有するカップが固定されている。更
に、陰極スリーブは、その外側に同軸的に配設されたホ
ルダーに、3本のストラップにより固定されている。
That is, a heater is disposed inside a cathode sleeve made of Mo or Ta, and a cup having a cathode impregnated with an emitter is fixed to one end of the cathode sleeve. Further, the cathode sleeve is fixed to a holder coaxially arranged outside the cathode sleeve by three straps.

しかし、含浸型陰極の欠点として、動作温度が酸化物
陰極に比べ約200℃高くそれに伴い、ヒータ温度も高
く、定格動作時で1250℃程度に上昇し、その結果、ヒー
タの熱変形やヒータ・カソード間の耐圧劣化が生じてい
た。従来、ヒータの熱効率を上昇させ、ヒータの温度を
低下させる試みがいくつかなされている。
However, as a drawback of the impregnated cathode, the operating temperature is about 200 ° C higher than that of the oxide cathode, and accordingly the heater temperature is also high, rising to about 1250 ° C during rated operation, resulting in the thermal deformation of the heater and the The breakdown voltage between the cathodes was deteriorated. Conventionally, several attempts have been made to increase the thermal efficiency of the heater and to lower the temperature of the heater.

例えば、特公昭63−66391号公報では少なくとも内側
に熱的黒色表面を有する深絞り陰極軸の製造方法が開示
されている。すなわち、少なくとも一つの表面がモリブ
デン、ニッケル、鉄、タングステンおよび銅から成る群
から選ばれた金属またはこの金属の群から選ばれた少な
くとも1種の金属を含む合金から成る金属板を供給し、
上記表面上にアルミニウムの層または実質的にアルミニ
ウムから成る層を1乃至数μmの厚さに被着し、金属板
を実質的に非反応性の雰囲気中で750〜800℃の温度で加
熱して上記被着した層をアルミニウム化合物に転換し、
金属板から深絞り法により軸を形成し、軸を湿潤水素雰
囲気中950〜1200℃の範囲の湿度で上記アルミニウム化
合物のほとんどすべてのアルミニウムがアルミニウム酸
化物に転化するまで熱処理し、耐熱性の熱的黒色層を得
ることを特徴としている。
For example, Japanese Patent Publication No. 63-66391 discloses a method for manufacturing a deep-drawn cathode shaft having a thermal black surface at least inside. That is, providing a metal plate at least one surface of which is made of a metal selected from the group consisting of molybdenum, nickel, iron, tungsten and copper or an alloy containing at least one metal selected from the group of metals,
A layer of aluminum or a layer substantially consisting of aluminum is applied to the surface to a thickness of 1 to several μm, and the metal plate is heated at a temperature of 750 to 800 ° C. in a substantially non-reactive atmosphere. To convert the deposited layer to an aluminum compound,
A shaft is formed from a metal plate by a deep drawing method, and the shaft is heat-treated in a wet hydrogen atmosphere at a humidity in the range of 950 to 1200 ° C. until almost all of the aluminum compound is converted to aluminum oxide. A characteristic black layer is obtained.

一方、本願と同一出願人により出願された特願平1−
241851号では、陰極支持体の内表面にTaOx(X=1〜
2)の黒化層を形成した含浸型陰極構体が提案されてい
る。すなわち、外径が1.6mm、肉厚が25μm、長さ1mのT
aスリーブの外側をAr雰囲気中に設置し、Taスリーブの
内側に空気0.1/minの流量で送り込み、この状態で周
囲のヒータにより、610℃±10℃で5分間加熱する。こ
のようにして形成した内表面酸化スリーブをレーザーに
より長さ4.5mmに切断した後、1300℃、1時間の真空加
熱処理を行ってガスを抜き、内表面黒化スリーブを製作
するものである。
On the other hand, Japanese Patent Application No.
In 241851, TaOx (X = 1 to 1) is applied to the inner surface of the cathode support.
An impregnated cathode structure having a blackened layer formed in 2) has been proposed. That is, a T with an outer diameter of 1.6 mm, a thickness of 25 μm, and a length of 1 m
a The outside of the sleeve is placed in an Ar atmosphere, and air is fed into the Ta sleeve at a flow rate of 0.1 / min. In this state, heating is performed at 610 ° C. ± 10 ° C. for 5 minutes by a surrounding heater. The inner surface oxidized sleeve thus formed is cut to a length of 4.5 mm by a laser, and then subjected to vacuum heat treatment at 1300 ° C. for 1 hour to remove gas to produce an inner surface blackened sleeve.

(発明が解決しようとする課題) 従来例では、陰極支持構体の内表面に熱的黒化膜を形
成するに当って、600℃〜800℃と950℃〜1400℃の2回
の高温処理が必要となり工業量産的には問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional example, in order to form a thermal blackening film on the inner surface of the cathode support structure, two high-temperature treatments of 600 ° C to 800 ° C and 950 ° C to 1400 ° C are performed. It was necessary and there was a problem in industrial mass production.

本発明は、ヒータの熱効率を上昇させ、ヒータ温度を
低下させ、かつ、工業量産性に富んだ陰極支持構体を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a cathode support structure that increases the thermal efficiency of a heater, lowers the heater temperature, and is industrially productive.

〔発明の構成〕[Configuration of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、ヒータが内蔵され、頂部に陰極を有する陰
極支持構体において、少なくともその内表面にバインダ
ーとして、非晶質の金属酸化物、非晶質の水酸化金属物
および両者の混合物のうちいずれか一つを用い、金属、
あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物のうちいずれか
一つを含んだ層を形成したものである。さらに、この陰
極支持構体の製造が陰極支持構体の表面に金属アルコキ
シド化合物を含む懸濁液を塗布する工程と、陰極支持構
体を熱処理する工程とを備えた陰極支持構体の製造方法
にある。
(Means for Solving the Problems) According to the present invention, in a cathode support structure having a built-in heater and having a cathode on the top, an amorphous metal oxide, amorphous hydroxide Using one of a metal object and a mixture of both, a metal,
Alternatively, a layer containing any one of metal oxides, carbides, and nitrides is formed. Further, the production of the cathode support structure is a method for producing a cathode support structure including a step of applying a suspension containing a metal alkoxide compound to the surface of the cathode support structure and a step of heat-treating the cathode support structure.

アルコキシド化合物としてメトキシドM(OCH3
(M:aetal)、エトキシドM(OC2H5、n−プロポ
キシドM(O・n−C3H7、イソプロポキシドM(O
・i−C3H7など任意のものを用いることができる。
常温でメタノール、エタノール、プロパノールのよう
な、水溶性の低級アルコールに溶解しやすいものが工業
的に扱いやすい。
Methoxide M (OCH 3 ) as alkoxide compound
n (M: aetal), ethoxide M (OC 2 H 5 ) n , n-propoxide M (OnC 3 H 7 ) n , isopropoxide M (O
· I-C 3 H 7) n may be any ones like.
Those which are easily dissolved in water-soluble lower alcohols such as methanol, ethanol and propanol at room temperature are easy to handle industrially.

(作 用) 本発明によれば、多孔質のセラミック層の熱輻射率が
大きいためヒータの熱を吸収して陰極へ伝導するため、
同一の陰極温度であればヒータ温度を低く設定すること
ができる。さらにこの層は、多孔質のため、比表面積が
大きく且つ陰極支持構体に緻密に形成されているためガ
スの発生を抑え、あるいは、ガスを吸着する作用を有し
ており、ガス被毒されやすい陰極を有毒ガスから保護す
ることが出来る。
(Operation) According to the present invention, since the heat radiation rate of the porous ceramic layer is large, the porous ceramic layer absorbs the heat of the heater and conducts it to the cathode.
If the cathode temperature is the same, the heater temperature can be set lower. Furthermore, since this layer is porous, it has a large specific surface area and is densely formed on the cathode support structure, thereby suppressing generation of gas, or having an action of adsorbing gas, and is easily poisoned by gas. The cathode can be protected from toxic gases.

また、本発明による金属アルコキシド化合物を用いれ
ば、200℃以下で焼結が可能となり、工業的量産性は著
しく向上する。
Further, when the metal alkoxide compound according to the present invention is used, sintering can be performed at 200 ° C. or lower, and industrial mass productivity is significantly improved.

(実施例) 以下、本発明の陰極支持構体の実施例を図面を参照し
て詳細に説明する。
(Example) Hereinafter, an example of the cathode support structure of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

まず、Ta製の陰極支持構体の黒化方法について述べ
る。外径が1.6mm、肉厚が25μm、長さ1mのTa製スリー
ブを用意し、このTaスリーブの内表面に下記組成のフィ
ラーとしてジルコン(ZrSiO4)を含んだケイ素と、ジル
コニアのアルコキシド化合物、例えばSi(OC2H5+Z
r(OC4H1の懸濁液を被着した。
First, a method for blackening the cathode support structure made of Ta will be described. A Ta sleeve having an outer diameter of 1.6 mm, a thickness of 25 μm, and a length of 1 m is prepared. Silicon containing zircon (ZrSiO 4 ) as a filler having the following composition on the inner surface of the Ta sleeve, and an alkoxide compound of zirconia; For example, Si (OC 2 H 5 ) 4 + Z
A suspension of r (OC 4 H 1 ) 4 was applied.

組成 ジルコン 500 gr ケイ素とジルコニアの アルコキシド化合物 100 gr イソプロピルアルコール 400 gr このように、内表面にフィラーとしてジルコンを含ん
だケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物の懸濁液を
塗布したTa製スリーブを約150℃の雰囲気中で加熱する
ことにより、厚さ約3μmの多孔質のセラミック層を得
た。すなわち、Ta製スリーブに塗布されたケイ素とジル
コニアのアルコキシド化合物は、約150℃の雰囲気中で
大気中の水分等により加水分解を起こし、その結果、ア
ルコキシド同志の重縮合反応により造膜し、ジルコンを
含んだ非晶層のケイ素とジルコニアの金属酸化物および
水酸化金属物の混合層を形成した。なお、上記アルコキ
シド化合物は、70℃以上の雰囲気であれば造膜するが、
より安定化させるため、本実施例では150℃とした。本
発明者等の実験によると、200℃以下の雰囲気であれ
ば、十分多孔質なセラミック層が形成されることも確認
できた。
Composition zircon 500 gr alkoxide compound of silicon and zirconia 100 gr isopropyl alcohol 400 gr By heating in an atmosphere, a porous ceramic layer having a thickness of about 3 μm was obtained. That is, the alkoxide compound of silicon and zirconia applied to the Ta sleeve is hydrolyzed by atmospheric moisture in an atmosphere of about 150 ° C. As a result, a film is formed by a polycondensation reaction between the alkoxides, and A mixed layer of an amorphous layer containing silicon and zirconia metal oxide and a metal hydroxide was formed. The alkoxide compound forms a film if the temperature is 70 ° C. or higher.
In this example, the temperature was set to 150 ° C. for further stabilization. According to experiments by the present inventors, it was confirmed that a sufficiently porous ceramic layer was formed in an atmosphere of 200 ° C. or lower.

上述の例では懸濁液を塗布後加熱したが、製造時間短
縮のために約150℃で加熱しながら懸濁液を塗布すれば
後の加熱処理工程を省略することができる。また、この
ケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物は、赤外線領
域の電磁線の吸収特性がよいため、造膜させる場合、20
0℃以下の雰囲気中ではなく、ケイ素とジルコニアのア
ルコキシド化合物が塗布されるTa製スリーブの表面を例
えば、赤外線により照射しながらケイ素とジルコニアの
アルコキシド化合物を含む懸濁液を塗布した後、常温に
おいても充分造膜が行われることも確認できた。さらに
塗布後、赤外線を照射することも可能である。
In the above-described example, the suspension is heated after being applied. However, if the suspension is applied while being heated at about 150 ° C. for shortening the manufacturing time, the subsequent heat treatment step can be omitted. Further, since the alkoxide compound of silicon and zirconia has good absorption characteristics of electromagnetic rays in the infrared region, when forming a film,
Rather than in an atmosphere at 0 ° C. or lower, the surface of the Ta-made sleeve on which the alkoxide compound of silicon and zirconia is applied, for example, after applying a suspension containing the alkoxide compound of silicon and zirconia while irradiating with infrared rays, at room temperature It was also confirmed that film formation was sufficiently performed. Further, after coating, infrared rays can be irradiated.

このようして内面に多孔質セラミック層を有したTa製
スリーブをレーザにより長さ4.5mmに切断すると、内表
面熱輻射型の陰極支持構体ができる。
When the Ta sleeve having the porous ceramic layer on the inner surface is cut to a length of 4.5 mm by laser in this way, an inner surface heat radiation type cathode support structure is obtained.

この内表面熱輻射型陰極支持構体を用いた含浸型陰極
構体の一実施例を第1図を参照して説明する。
One embodiment of an impregnated cathode structure using the inner surface heat radiation type cathode support structure will be described with reference to FIG.

即ち、粒径が3〜10μmのタングステン粉末を焼結し
て得られた多孔質タングステンにBaO、CaO、Al2O3から
成る電子放射物質を含浸した陰極基体(1)をTa製カッ
プ(2)にRu−Mo等のろう材(3)を介して溶接した
後、低温焼結させられたセラミック層(4)を有するTa
製陰極支持構体(5)の頂部に挿入後、溶接点(6)に
より溶接固定されている。この陰極支持構体(5)の底
部外周には溶接点(7)により溶接された3本の肉厚0.
05mm、幅0.7mmのTa製リボンからなるストラップ(8)
が設けられており、このストラップ(8)の他端部は、
肉厚0.125mmのFe−Ni−Co合金板をプレス成形して製作
された筒状ホルダー(9)の肩部に溶接点(10)により
溶接されている。また、Ta製陰極支持構体の内側にはヒ
ータ(11)が内蔵されている。
That is, a cathode substrate (1) in which porous tungsten obtained by sintering a tungsten powder having a particle diameter of 3 to 10 μm and an electron-emitting substance composed of BaO, CaO, and Al 2 O 3 is impregnated with a Ta cup (2) ) Having a ceramic layer (4) sintered at a low temperature after welding through a brazing material (3) such as Ru-Mo.
After being inserted into the top of the cathode support structure (5), it is fixed by welding at a welding point (6). On the outer periphery of the bottom of the cathode support structure (5), three wall thicknesses of 0.3 mm welded at welding points (7).
05mm, 0.7mm wide strap made of Ta ribbon (8)
Is provided, and the other end of the strap (8) is
It is welded to the shoulder of a cylindrical holder (9) made by press-forming a 0.125 mm thick Fe-Ni-Co alloy plate at a welding point (10). A heater (11) is provided inside the Ta cathode support structure.

本発明によれば、同一の陰極温度(例えば、定格の96
0℃b)でのヒータ温度は、内表面に黒化層を有しない
陰極支持構体を使用した場合に比べ、約125℃低減する
ことができた。さらに、陰極温度を強制した(定格960
℃bに対し、1030℃b)寿命試験でもヒータ・陰極支持
構体間の耐圧不良は認められなかった。この様に内表面
に多孔質なセラミック層を形成した本発明は、ヒータ温
度を約125℃低減でき、その結果ヒータ・カソード間の
耐圧不良、ヒータの熱変形不良の発生を防止することが
可能となった。
According to the present invention, the same cathode temperature (for example, rated 96
The heater temperature at 0 ° C. b) could be reduced by about 125 ° C. as compared with the case where a cathode support structure having no blackening layer on the inner surface was used. In addition, the cathode temperature was forced (rated 960
In contrast to 10 ° C. b, a withstand pressure failure between the heater and the cathode support structure was not observed in the life test at 1030 ° C. b). The present invention, in which the porous ceramic layer is formed on the inner surface in this way, can reduce the heater temperature by about 125 ° C, and as a result, it is possible to prevent the occurrence of the withstand voltage defect between the heater and the cathode and the occurrence of the thermal deformation defect of the heater. It became.

また、Ta製陰極支持構体の内表面を多孔質化したこと
により陰極支持構体のガス放出速度は1100℃、30分後で
本発明が2×10-5Torr cc/secmgに対し、従来の内表面
に黒化層を有しないTa陰極支持構体は2.6×10-5Torr cc
/secmgでガス放出が抑制されている。これは、非常に高
温となり不安定なガスを発生しやすい陰極支持構体表面
に、熱的に安定しているセラミック層を設けたため、陰
極支持構体からのガス放出が抑制されたこと、さらに、
低圧窒素ガスの吸収から換算するいわゆるBET法による
比表面積が従来のTa表面に比べ約50倍と非常に多孔質化
されたことにより、近傍に発生したガスを効率良く吸着
するためである。
Further, by making the inner surface of the Ta-made cathode support structure porous, the gas release rate of the cathode support structure is 1100 ° C., and after 30 minutes, the present invention is 2 × 10 −5 Torr cc / sec mg, which is smaller than that of the conventional one. 2.6 × 10 -5 Torr cc Ta cathode support structure without blackening layer on the surface
Outgassing is suppressed at / secmg. This is because, since a thermally stable ceramic layer was provided on the surface of the cathode support structure, which is likely to generate an unstable gas at a very high temperature, the release of gas from the cathode support structure was suppressed.
This is because the specific surface area by the so-called BET method, which is calculated from the absorption of low-pressure nitrogen gas, is approximately 50 times as large as that of the conventional Ta surface, so that the gas generated in the vicinity can be efficiently adsorbed.

本実施例ではフィラーとしてジルコンを用いたが、本
発明の主旨はこれに限らず、例えば、フィラーとして他
の金属酸化物例えば酸化コバルト、酸化クロム、酸化
鉄、酸化マンガン等からなる黒化顔料を用いれば熱輻射
率を更に向上でき、ヒータの熱効率を一層改善できる。
さらに、炭化物として、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化
タングステン等をフィラーとして用いても同様の効果が
得られた。これは、上記炭化物の熱伝導度がTaの0.130c
al/cm・sec℃よりも炭化ケイ素:1.0、炭化ホウ素:0.6
5、炭化タングステン:0.7と大きく、ヒータの熱を陰極
に伝え易くなったためである。
In the present embodiment, zircon was used as the filler, but the gist of the present invention is not limited to this.For example, a blackening pigment made of another metal oxide such as cobalt oxide, chromium oxide, iron oxide, manganese oxide or the like as the filler. If used, the thermal emissivity can be further improved, and the thermal efficiency of the heater can be further improved.
Further, similar effects were obtained even when silicon carbide, boron carbide, tungsten carbide, or the like was used as a carbide as a filler. This is because the thermal conductivity of the carbide is 0.130 c of Ta
silicon carbide: 1.0, boron carbide: 0.6
5. Tungsten carbide: 0.7, which is large, making it easier to transfer the heat of the heater to the cathode.

一方、本実施例では、金属アルコキシド化合物として
ケイ素とジルコニアの化合物について述べたが、フィラ
ー同様発明の主旨はこれに限らずケイ素、ケイ素とチタ
ン、ケイ素とアルミニウム、チタン、ジルコニウム等の
アルコキシド化合物を用いる事ができる。
On the other hand, in the present embodiment, a compound of silicon and zirconia was described as the metal alkoxide compound, but the gist of the invention is not limited to this, as with the filler. Can do things.

以上の説明は、陰極に含浸型を用いた実施例で説明し
たが、他の陰極例えば動作温度がより低い酸化物陰極に
適用しても前述の如き効果を得ることができるのは明ら
かである。更に、実施例ではスリーブ状の陰極支持構体
であったが、その形状もこの実施例に限定されることな
く、例えば特公昭63−66391号公報に開示された深絞り
型陰極軸にも適用できることは言うまでもない。
Although the above description has been given of the embodiment using the impregnated type cathode, it is clear that the same effect can be obtained even when applied to other cathodes such as an oxide cathode having a lower operating temperature. . Further, in the embodiment, the sleeve-shaped cathode support structure is used. However, the shape is not limited to this embodiment, and it can be applied to a deep drawing cathode shaft disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 63-66391. Needless to say.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、工業的量産性に富む製造方法により
ヒータ温度を大幅に低下させることができ、ヒータの耐
圧不良をなくすことが可能となる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a heater temperature can be drastically reduced by the manufacturing method rich in industrial mass production, and it becomes possible to eliminate the withstand pressure defect of a heater.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の陰極支持構体を用いた含浸型陰極構体
の一実施例を示す斜視図である。 1……陰極、4……多孔質セラミック層 5……陰極支持構体、11……ヒータ
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of an impregnated cathode structure using the cathode support structure of the present invention. 1 ... Cathode, 4 ... Porous ceramic layer 5 ... Cathode support structure, 11 ... Heater

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 29/04 H01J 1/20 H01J 9/04 H01J 1/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01J 29/04 H01J 1/20 H01J 9/04 H01J 1/26

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】少なくともヒータを内蔵する筒状体で、そ
の一端に陰極を有する陰極支持構体において、前記陰極
構体の少なくとも内表面にバインダーとして非晶質の金
属酸化物、非晶質の水酸化金属物および両者の混合物の
うちいずれか一つを用い、金属および金属の酸化物、炭
化物、窒化物のうち少なくとも一つをフィラーとして含
んだ層を有することを特徴とする陰極支持構体。
1. A cathode supporting structure having a heater at least one end of which has a cathode at one end thereof, wherein at least an inner surface of the cathode structure has an amorphous metal oxide and an amorphous hydroxide as a binder. A cathode support structure, comprising a layer using at least one of a metal and an oxide, carbide, or nitride of a metal and at least one of a metal and a mixture thereof as a filler.
【請求項2】前記層が多孔質のセラミック層である請求
項1記載の陰極支持構体。
2. The cathode support structure according to claim 1, wherein said layer is a porous ceramic layer.
【請求項3】少なくともヒータを内蔵する筒状体で、一
端に陰極を有する陰極支持構体の製造方法において、前
記陰極支持構体の少なくとも内表面に金属アルコキシド
化合物を含む懸濁液を塗布する工程と、前記陰極支持構
体を熱処理する工程とを備えることを特徴とする陰極支
持構体の製造方法。
3. A method for manufacturing a cathode support structure having a cathode at one end, the method including a step of applying a suspension containing a metal alkoxide compound to at least an inner surface of the cathode support structure. And a step of heat-treating the cathode support structure.
【請求項4】前記加熱工程が、200℃以下の加熱工程を
含む請求項3記載の陰極支持構体の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the heating step includes a heating step at 200 ° C. or lower.
【請求項5】金属アルコキシド化合物が、ケイ素、チタ
ン、アルミニウム、ジルコニウムの群から選ばれた一つ
またはそれらの混合物である請求項3記載の陰極支持構
体の製造方法。
5. The method according to claim 3, wherein the metal alkoxide compound is one selected from the group consisting of silicon, titanium, aluminum and zirconium, or a mixture thereof.
【請求項6】懸濁液中のフィラーが、炭化ケイ素、酸化
マンガン、酸化クロム、酸化鉄、酸化コバルト、酸化
銅、ジルコン、ジルコニウム、タングステン及びジルコ
ン、ジルコニウム、タングステンの3種類の酸化物の群
から選ばれた一つまたは混合物である請求項3記載の陰
極支持構体の製造方法。
6. The filler in the suspension is a group of three kinds of oxides of silicon carbide, manganese oxide, chromium oxide, iron oxide, cobalt oxide, copper oxide, zirconium, zirconium, tungsten and zircon, zirconium and tungsten. 4. The method for producing a cathode support structure according to claim 3, wherein the method is one or a mixture selected from the group consisting of:
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