JP2973953B2 - TCP tape structure - Google Patents

TCP tape structure

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JP2973953B2
JP2973953B2 JP8338390A JP33839096A JP2973953B2 JP 2973953 B2 JP2973953 B2 JP 2973953B2 JP 8338390 A JP8338390 A JP 8338390A JP 33839096 A JP33839096 A JP 33839096A JP 2973953 B2 JP2973953 B2 JP 2973953B2
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base film
inner lead
chip
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tape structure
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嘉啓 中嶌
秀男 宮内
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Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ベースフィルムに
ICチップを搭載したTCPテープ構造に関する。
[0001] The present invention relates to a TCP tape structure in which an IC chip is mounted on a base film.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ICチップの高密度実装が可能と
なり、また実装の自由度を向上するため、ベースフィル
ムにICチップを搭載するTCPテープ構造が多用され
ており、また、ベースフィルムに搭載されるICチップ
は、出力ピン数の増加に伴い、ICチップの外形が長方
形化している。
2. Description of the Related Art In recent years, a TCP tape structure in which an IC chip is mounted on a base film has been widely used in order to enable high-density mounting of the IC chip and to improve a degree of freedom of mounting. As the number of output pins increases, the external shape of the IC chip has become rectangular.

【0003】図5は、TCPテープ構造を示すものであ
り、図6は、樹脂封止後のTCPチップ構造を示す断面
図である。ベースフィルム1に開口されたデバイスホー
ル2内にICチップが配置され、デバイスホール2内に
突き出されたインナーリード4の先端がICチップ3の
電極に接合され、ICチップ3は、インナーリード4に
吊架されてベースフィルム1のデバイスホール2内に配
置されている。
FIG. 5 shows a TCP tape structure, and FIG. 6 is a sectional view showing a TCP chip structure after resin sealing. An IC chip is arranged in a device hole 2 opened in the base film 1, and a tip of an inner lead 4 protruding into the device hole 2 is joined to an electrode of the IC chip 3, and the IC chip 3 is connected to the inner lead 4. It is suspended and arranged in the device hole 2 of the base film 1.

【0004】インナーリード4は、ICチップ3の長辺
側3aと短辺側3bとに対応してそれぞれ複数本並列に
設けられ、インナーリード4は、ICチップ3の長辺側
3aと短辺側3bとでICチップ3の全体を吊架する構
造になっている。またインナーリード4は、ベースフィ
ルム1上の内部配線7を介して外部回路等に接続される
ようになっている。
[0004] A plurality of inner leads 4 are provided in parallel with each other on the long side 3a and the short side 3b of the IC chip 3, and the inner leads 4 are connected to the long side 3a and the short side of the IC chip 3 respectively. The entire IC chip 3 is suspended from the side 3b. The inner lead 4 is connected to an external circuit or the like via an internal wiring 7 on the base film 1.

【0005】さらに、インナーリード4に吊架されたI
Cチップ3は図6に示すように、熱硬化性樹脂8により
覆われて気密封止されていた。
[0005] Further, the I
As shown in FIG. 6, the C chip 3 was covered with a thermosetting resin 8 and hermetically sealed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ベースフィ
ルム1は、気密封止用樹脂8が熱硬化する際に熱膨張す
る素材で構成されている。
The base film 1 is made of a material that expands thermally when the hermetic sealing resin 8 is thermally cured.

【0007】ベースフィルム1に開口されたデバイスホ
ール2は、ICチップ3の外形に倣って長方形に整形さ
れているため、熱膨張する際、ベースフィルム1のデバ
イスホール2の領域では、ベースフィルム1は、デバイ
スホール2の特に長辺側(図6中の左右方向)への熱膨
張量が短辺側に比べ大きくなる。
Since the device hole 2 opened in the base film 1 is shaped like a rectangle following the outer shape of the IC chip 3, the base film 1 in the region of the device hole 2 of the base film 1 when thermally expanded is formed. The thermal expansion of the device hole 2 particularly on the long side (the left-right direction in FIG. 6) is larger than that on the short side.

【0008】そのため、ICチップ3の短辺側3bに接
合したインナーリード4にベースフィルム1の熱膨張に
伴う引張力(応力)が加わり、そのインナーリード4が
応力により破断されたり、或いはインナーリード4とI
Cチップ3の電極との接合部位に支障が生じてしまう虞
れがあった。
Therefore, a tensile force (stress) due to the thermal expansion of the base film 1 is applied to the inner lead 4 joined to the short side 3b of the IC chip 3, and the inner lead 4 is broken by the stress, or the inner lead 4 is broken. 4 and I
There is a possibility that a trouble may occur in a joint portion of the C chip 3 with the electrode.

【0009】本発明の目的は、ベースフィルムの熱膨張
に伴ってインナーリードに加われる応力を吸収緩和する
構造をもつTCPテープ構造を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a TCP tape structure having a structure for absorbing and relaxing a stress applied to an inner lead due to a thermal expansion of a base film.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るTCPテープ構造ベースフィルムと、
ICチップと、応力緩衝部とを有し、ICチップを熱硬
化性樹脂で気密封止してなるTCPテープ構造であっ
て、ベースフィルムは、気密封止用樹脂が熱硬化する際
に熱膨張する特性をもつ素材からなり、デバイスホール
と、インナーリードとを有し、デバイスホールは、IC
チップを受け入れる開口であり、インナーリードは、先
端部がベースフィルムのデバイスホール内に突き出た導
体であり、ICチップは、電極にインナーリードが接合
され、該インナーリードを介してベースフィルムのデバ
イスホール内に吊架されたものであり、応力緩衝部は、
ベースフィルムの熱膨張に伴って弾性変形するものであ
って、前記ベースフィルムから前記デバイスホールに延
在し、前記インナーリードの延長線が表面に形成されて
インナーリードの基部を支持し、ベースフィルムの熱膨
張によりインナーリードに加わる応力を吸収緩和するも
のである。
In order to achieve the above object, a TCP tape structure base film according to the present invention,
A TCP tape structure having an IC chip and a stress buffer, wherein the IC chip is hermetically sealed with a thermosetting resin. The base film is thermally expanded when the hermetically sealing resin is thermoset. Having a device hole and an inner lead.
An opening for receiving the chip, the inner lead is a conductor whose tip projects into a device hole of the base film, and the IC chip has an inner lead joined to the electrode, and the device hole of the base film is passed through the inner lead. It is suspended in the, the stress buffer,
Elastic deformation due to thermal expansion of the base film, and extends from the base film to the device hole.
The extension of the inner lead is formed on the surface.
It supports the base of the inner lead and absorbs and reduces the stress applied to the inner lead due to the thermal expansion of the base film.

【0011】また前記応力緩衝部は、デバイスホールの
開口縁に一体成形され、かつ、蛇行したパターン形状に
整形されて、前記ベースフィルムから前記デバイスホー
ルに延在して設けられたものである
[0011] The stress buffer is formed integrally with the opening edge of the device hole, and is shaped in a serpentine pattern shape, said device Ho from the base film
It is provided so as to extend to the file .

【0012】また前記応力緩衝部は、複数並列に配置さ
れて前記ベースフィルムから前記デバイスホールに延在
して設けられたものである。
A plurality of the stress buffering parts are arranged in parallel.
Extending from the base film to the device hole
It is provided as .

【0013】また前記インナーリードは、前記応力緩衝
部上に蛇行パターン形状に倣って配線処理されたもので
ある。
[0013] The inner leads are wiring-processed on the stress buffer in a meandering pattern shape.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
に係るTCPテープ構造を示す平面図、図2は、図1の
A−A’線断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing a TCP tape structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line AA 'of FIG.

【0016】図において、本発明の実施形態1に係るT
CPテープ構造は、ベースフィルム1と、ICチップ3
と、応力緩衝部9とを有し、ICチップ3を熱硬化性樹
脂8で気密封止するようになっている。
In the drawing, T according to the first embodiment of the present invention is shown.
The CP tape structure consists of a base film 1, an IC chip 3
And a stress buffer 9, and hermetically seals the IC chip 3 with a thermosetting resin 8.

【0017】ベースフィルム1は、気密封止用樹脂8が
熱硬化する際に熱膨張する特性をもつ素材からなり、デ
バイスホール2と、インナーリード4とを有している。
デバイスホール2は、ICチップ3を受け入れる開口で
あり、インナーリード4は、先端部がベースフィルム1
のデバイスホール2内に突き出た導体からなっている。
The base film 1 is made of a material having a property of thermally expanding when the hermetic sealing resin 8 is thermally cured, and has a device hole 2 and an inner lead 4.
The device hole 2 is an opening for receiving the IC chip 3.
Of the device hole 2.

【0018】ICチップ3は、電極5にインナーリード
4が接合され、インナーリード4を介してベースフィル
ム1のデバイスホール2内に吊架されている。またIC
チップ3は、インナーリード4に吊架された状態で熱硬
化性樹脂8により気密封止される。6は樹脂8により封
止される樹脂エリアを示すものであって、デバイスホー
ル2の開口縁かに内方に入ったベースフィルム1の一部
及びインナーリード4が樹脂8内に埋設されることとな
る。
The IC chip 3 has an inner lead 4 bonded to an electrode 5 and is suspended in the device hole 2 of the base film 1 via the inner lead 4. Also IC
The chip 3 is hermetically sealed with a thermosetting resin 8 while being suspended from the inner lead 4. Reference numeral 6 denotes a resin area sealed with the resin 8, and a part of the base film 1 and the inner leads 4 that are inwardly provided at the opening edge of the device hole 2 are embedded in the resin 8. Becomes

【0019】さらに応力緩衝部9は、ベースフィルム1
の熱膨張に伴って弾性変形するものであって、インナー
リード4の基部を支持し、ベースフィルム1の熱膨張に
よりインナーリード4に加わる応力を吸収緩和するもの
である。図1に示す応力緩衝部9は、ベースフィルム1
と同一素材からなり、デバイスホール2の開口縁に一体
に成形され、蛇行したパターン形状に整形されている。
Further, the stress buffering section 9 includes the base film 1.
Elastically deforms with the thermal expansion of the base film 1, supports the base of the inner lead 4, and absorbs and relaxes the stress applied to the inner lead 4 due to the thermal expansion of the base film 1. The stress buffer 9 shown in FIG.
And is formed integrally with the opening edge of the device hole 2 to form a meandering pattern.

【0020】またインナーリード4は、応力緩衝部9上
に蛇行パターン形状に倣って配線処理され、ベースフィ
ルム1上の内部配線7に接続されている。またインナー
リード4には、Snメッキが施されている。
The inner leads 4 are subjected to wiring processing on the stress buffer 9 in a meandering pattern, and are connected to the internal wiring 7 on the base film 1. The inner leads 4 are plated with Sn.

【0021】実施形態1において、図2に示すように気
密封止用樹脂8が熱硬化する際に、ベースフィルム1が
もとの寸法Wから拡張された寸法Whに熱膨張し、その
応力がICチップ3の短辺側3bに接続したインナーリ
ード4に加わる。
In the first embodiment, when the hermetic sealing resin 8 is thermally cured as shown in FIG. 2, the base film 1 thermally expands from the original dimension W to an extended dimension Wh, and the stress is reduced. It is applied to the inner lead 4 connected to the short side 3b of the IC chip 3.

【0022】本発明によれば、ベースフィルム1の熱膨
張に伴う応力により蛇行パターン形状の応力緩衝部9が
弾性変形し、ベースフィルムによる応力を吸収緩和す
る。
According to the present invention, the stress buffer 9 having the meandering pattern shape is elastically deformed by the stress accompanying the thermal expansion of the base film 1, and absorbs and relaxes the stress caused by the base film.

【0023】これにより、インナーリード4に加わるベ
ースフィルム1による応力が低下し、インナーリード4
が破断されることはなくなる。また、インナーリード4
とICチップ3の電極5との接合箇所に無理な力が加わ
ることがない。
As a result, the stress caused by the base film 1 applied to the inner leads 4 decreases, and the inner leads 4
Will not be broken. In addition, inner lead 4
An unreasonable force is not applied to the joint between the IC chip 3 and the electrode 5.

【0024】(実施形態2)図4は、本発明の実施形態
2を示す平面図である。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a plan view showing Embodiment 2 of the present invention.

【0025】図4に示す本発明の実施形態2では、応力
緩衝部9を複数並列に設置したものである。
In the second embodiment of the present invention shown in FIG. 4, a plurality of stress buffer portions 9 are provided in parallel.

【0026】本実施形態2によれば、インナーリード4
を複数の応力緩衝部9に分けて配線処理することがで
き、各応力緩衝部9におけるインナーリード4の配線処
理箇所の面積を縮小することができ、これにより、応力
緩衝部9の弾性変形度を所望のものに容易に設定してイ
ンナーリード4に加わる応力を適切に吸収緩和すること
ができるという利点がある。
According to the second embodiment, the inner leads 4
Can be divided into a plurality of stress buffer portions 9 for wiring processing, and the area of the wiring processing portion of the inner lead 4 in each stress buffer portion 9 can be reduced, whereby the elastic deformation degree of the stress buffer portion 9 can be reduced. Is easily set to a desired value, and there is an advantage that the stress applied to the inner lead 4 can be appropriately absorbed and alleviated.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
ンナーリードに加わるベースフィルムによる応力を吸収
緩和することができ、インナーリードの破断を防止でき
るとともに、インナーリードとICチップの電極との接
合箇所に無理な力が加わるのを防止できる。
As described above, according to the present invention, the stress caused by the base film applied to the inner lead can be absorbed and alleviated, the break of the inner lead can be prevented, and the connection between the inner lead and the electrode of the IC chip can be prevented. It is possible to prevent excessive force from being applied to the joint.

【0028】さらにインナーリードを応力緩衝部の蛇行
パターンに倣って配線処理するため、応力緩衝部が弾性
変形したとしても、インナーリードには、ベースフィル
ムによる応力のような無理な力が加わることがない。
Further, since the inner leads are subjected to wiring processing in accordance with the meandering pattern of the stress buffer portion, even if the stress buffer portion is elastically deformed, an excessive force such as a stress caused by a base film may be applied to the inner lead. Absent.

【0029】さらに応力緩衝部を並列に設置することに
より、インナーリードを分離して設定することができ、
応力緩衝部の配線面積を縮小でき、これにより応力緩衝
部による弾性変形を適切に選定することができる。
Further, by installing the stress buffer portions in parallel, the inner leads can be set separately.
The wiring area of the stress buffering portion can be reduced, so that the elastic deformation by the stress buffering portion can be appropriately selected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1に係るTCPテープの構造
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a structure of a TCP tape according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A’線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A 'of FIG.

【図3】図1の応力緩衝部を示す拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view showing a stress buffer unit of FIG.

【図4】本発明の実施形態2を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図5】従来例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a conventional example.

【図6】図1のB−B’線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line B-B ′ of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベースフィルム 2 デバイスホール 3 ICチップ 4 インナーリード 8 樹脂 9 応力緩衝部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base film 2 Device hole 3 IC chip 4 Inner lead 8 Resin 9 Stress buffer

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ベースフィルムと、ICチップと、応力
緩衝部とを有し、ICチップを熱硬化性樹脂で気密封止
してなるTCPテープ構造であって、 ベースフィルムは、気密封止用樹脂が熱硬化する際に熱
膨張する特性をもつ素材からなり、デバイスホールと、
インナーリードとを有し、 デバイスホールは、ICチップを受け入れる開口であ
り、 インナーリードは、先端部がベースフィルムのデバイス
ホール内に突き出た導体であり、 ICチップは、電極にインナーリードが接合され、該イ
ンナーリードを介してベースフィルムのデバイスホール
内に吊架されたものであり、 応力緩衝部は、ベースフィルムの熱膨張に伴って弾性変
形するものであって、前記ベースフィルムから前記デバ
イスホールに延在し、前記インナーリードの延長線が表
面に形成されてインナーリードの基部を支持し、ベース
フィルムの熱膨張によりインナーリードに加わる応力を
吸収緩和するものであることを特徴とするTCPテープ
構造。
1. A TCP tape structure having a base film, an IC chip, and a stress buffer, wherein the IC chip is hermetically sealed with a thermosetting resin, wherein the base film is used for hermetic sealing. It is made of a material that has the property of expanding thermally when the resin is thermally cured.
The device hole has an inner lead, and the device hole is an opening for receiving the IC chip. The inner lead is a conductor having a tip protruding into the device hole of the base film. The IC chip has an inner lead joined to an electrode. A stress buffer, which is suspended in the device hole of the base film via the inner lead, and is elastically deformed in accordance with the thermal expansion of the base film.
Extend to the chair hole, and the extension of the inner lead is displayed.
A TCP tape structure formed on a surface to support a base of an inner lead and absorb and reduce stress applied to the inner lead due to thermal expansion of a base film.
【請求項2】 前記応力緩衝部は、デバイスホールの開
口縁に一体成形され、かつ、蛇行したパターン形状に整
形されて、前記ベースフィルムから前記デバイスホール
に延在して設けられたものであることを特徴とする請求
項1に記載のTCPテープ構造。
Wherein said stress buffer is formed integrally with the opening edge of the device hole, and is shaped in a serpentine pattern shape, said device hole from the base film
The TCP tape structure according to claim 1, wherein the TCP tape structure is provided so as to extend .
【請求項3】 前記応力緩衝部は、複数並列に配置され
て前記ベースフィルムから前記デバイスホールに延在し
て設けられたものであることを特徴とする請求項に記
載のTCPテープ構造。
3. A plurality of stress buffering parts are arranged in parallel.
Extending from the base film to the device hole.
TCP tape structure according to claim 2, characterized in that provided Te.
【請求項4】 前記インナーリードは、前記応力緩衝部
上に蛇行パターン形状に倣って配線処理されたものであ
ることを特徴とする請求項1,2又は3に記載のTCP
テープ構造。
4. The TCP according to claim 1, wherein the inner leads are wiring-processed on the stress buffer according to a meandering pattern shape.
Tape structure.
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