JP2972879B1 - 一方向性光増幅器 - Google Patents
一方向性光増幅器Info
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Abstract
【要約】
【課題】 真空中の電子と、光を遅延させる誘電体光導
波路から真空中にしみ出した光とを用いて光の一方向性
増幅を行う、一方向性光増幅器を実現する。 【解決手段】 電子放射部1と、電子放射部1から放射
される電子ビーム4から受けたエネルギーを利用して入
力された光12を一方向に増幅する光増幅部2とを真空
中に配置して構成した一方向性光増幅器の光増幅部2
は、電子ビーム走行方向(z方向)に誘電体光導波路6
が形成された誘電体基板5と、誘電体光導波路6を挟む
ように対向配置された一対の電子ビーム収束用電極9お
よび10とから成り、誘電体基板5は、電子ビーム走行
方向(z方向)に光の電界成分Eを生じさせるとともに
電子ビーム走行方向(z方向)の光の走行速度を低下さ
せるように配置されている。
波路から真空中にしみ出した光とを用いて光の一方向性
増幅を行う、一方向性光増幅器を実現する。 【解決手段】 電子放射部1と、電子放射部1から放射
される電子ビーム4から受けたエネルギーを利用して入
力された光12を一方向に増幅する光増幅部2とを真空
中に配置して構成した一方向性光増幅器の光増幅部2
は、電子ビーム走行方向(z方向)に誘電体光導波路6
が形成された誘電体基板5と、誘電体光導波路6を挟む
ように対向配置された一対の電子ビーム収束用電極9お
よび10とから成り、誘電体基板5は、電子ビーム走行
方向(z方向)に光の電界成分Eを生じさせるとともに
電子ビーム走行方向(z方向)の光の走行速度を低下さ
せるように配置されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子工学、量子電
子工学、光エレクトロニクス、レーザ工学等の多くの分
野に適用可能な、光を一方向のみに増幅する一方向性光
増幅器に関するものである。
子工学、光エレクトロニクス、レーザ工学等の多くの分
野に適用可能な、光を一方向のみに増幅する一方向性光
増幅器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光増幅を行う従来技術としては、各種の
レーザがあり、これらを用いて光の一方向性増幅を実現
しようとする種々の試みがなされてきた。
レーザがあり、これらを用いて光の一方向性増幅を実現
しようとする種々の試みがなされてきた。
【0003】現在実用化されているレーザとしては、例
えば、気体レーザ、固体レーザ、液体レーザ、半導体レ
ーザがある。これらのレーザは、光の発生や増幅を行う
代表的な光エレクトロニクス素子あるいは光エレクトロ
ニクス装置であるが、レーザ材料中の原子や分子に拘束
されている電子のエネルギーを使用するため、増幅され
る光の方向は可逆であり、前進波および後進波の両方が
増幅される。したがって、出射した光がレンズや光ファ
イバあるいは光ディスク等の表面で反射されて戻り、レ
ーザ内に再入射すると、この戻り光も増幅してしまう。
そのため、レーザの発振特性や増幅特性を不安定に劣化
させるとともに、過剰な雑音を発生してしまう。
えば、気体レーザ、固体レーザ、液体レーザ、半導体レ
ーザがある。これらのレーザは、光の発生や増幅を行う
代表的な光エレクトロニクス素子あるいは光エレクトロ
ニクス装置であるが、レーザ材料中の原子や分子に拘束
されている電子のエネルギーを使用するため、増幅され
る光の方向は可逆であり、前進波および後進波の両方が
増幅される。したがって、出射した光がレンズや光ファ
イバあるいは光ディスク等の表面で反射されて戻り、レ
ーザ内に再入射すると、この戻り光も増幅してしまう。
そのため、レーザの発振特性や増幅特性を不安定に劣化
させるとともに、過剰な雑音を発生してしまう。
【0004】現在までに提案されている上記不具合の対
策としては、光を一方向に通過させるアイソレータをレ
ーザの出射側に設けることにより戻り光の再入射を防止
する手法が一般的である。しかし、光アイソレータは磁
性材料を主材としてバルク形状で作製することしかでき
ず、また、その価格が高価であるため、利用範囲が制限
されることになる。このため、光学分野での基礎的研究
や大容量の光ファイバ通信システムには光アイソレータ
を利用することができるが、光ディスク技術のように小
型でかつ安価なことを要求される用途には光アイソレー
タを利用することができず、上記戻り光による特性劣化
や雑音発生がレーザを採用する際の技術的な障害とな
る。
策としては、光を一方向に通過させるアイソレータをレ
ーザの出射側に設けることにより戻り光の再入射を防止
する手法が一般的である。しかし、光アイソレータは磁
性材料を主材としてバルク形状で作製することしかでき
ず、また、その価格が高価であるため、利用範囲が制限
されることになる。このため、光学分野での基礎的研究
や大容量の光ファイバ通信システムには光アイソレータ
を利用することができるが、光ディスク技術のように小
型でかつ安価なことを要求される用途には光アイソレー
タを利用することができず、上記戻り光による特性劣化
や雑音発生がレーザを採用する際の技術的な障害とな
る。
【0005】また、レーザ光発生部、光増幅部、変調部
等を光集積回路として一体化し、光による高速の情報処
理を行う方式も提案されているが、この方式は、次段部
から前段部へ光が戻るため、複合的な機能を有する光回
路としての合成ができないという問題がある。
等を光集積回路として一体化し、光による高速の情報処
理を行う方式も提案されているが、この方式は、次段部
から前段部へ光が戻るため、複合的な機能を有する光回
路としての合成ができないという問題がある。
【0006】また、広範囲な波長で発振可能な光発生装
置として自由電子レーザが開発されている。この自由電
子レーザは、他種類のレーザとは異なる動作原理を用い
ており、真空中で一方向に伝搬する電子ビームのエネル
ギーを光に与えるようにしているため、電子ビームと同
ー方向に伝搬する光成分のみを増幅する特性を有してい
る。しかし、自由電子レーザは、光の発生に主眼を置い
て開発されたものであるため、上記一方向性増幅特性を
生かすような設計は行われていない。さらに、自由電子
レーザでは、電子ビームの励起電圧が10MV以上と極
めて高く、また電子ビームに振動を与えるために超高磁
場を必要とすることから、特殊な高エネルギー用途を目
標に開発されているため、信号増幅を目的とするエレク
トロニクス分野には適していない。
置として自由電子レーザが開発されている。この自由電
子レーザは、他種類のレーザとは異なる動作原理を用い
ており、真空中で一方向に伝搬する電子ビームのエネル
ギーを光に与えるようにしているため、電子ビームと同
ー方向に伝搬する光成分のみを増幅する特性を有してい
る。しかし、自由電子レーザは、光の発生に主眼を置い
て開発されたものであるため、上記一方向性増幅特性を
生かすような設計は行われていない。さらに、自由電子
レーザでは、電子ビームの励起電圧が10MV以上と極
めて高く、また電子ビームに振動を与えるために超高磁
場を必要とすることから、特殊な高エネルギー用途を目
標に開発されているため、信号増幅を目的とするエレク
トロニクス分野には適していない。
【0007】また、一方向性の機能電子素子である通常
の電子管やトランジスタの動作可能周波数の上限値(1
GHz程度)を上回る、最も高い動作可能周波数を有す
る一方向性の電子管としては進行波管がある。この進行
波管は、金属による遅延伝送路を用いて電磁波の伝搬速
度を低下させ、この電磁波に電子銃から放射された電子
ビームがエネルギーを与えるものであり、周囲を真空に
することにより、電子が周囲物質と衝突して散乱するこ
とに伴うエネルギー損失を抑制している。この進行波管
では、電子ビームの速度および電磁波の伝搬速度が一致
したときに電磁波が増幅されるため、逆方向へ伝搬する
電磁波は増幅されない。しかし、波長は高周波になるほ
ど短くなり、進行波管の使用周波数の上限値は伝送路の
金属加工技術により決定されるため、進行波管は数十G
Hz以上の周波数(波長;数cm以下)では使用できな
い。したがって、波長が1μm以下となる光に適用し得
る進行波管を作製することは、現在の金属加工技術の限
界を遥かに越えることになり、現時点では不可能であ
る。
の電子管やトランジスタの動作可能周波数の上限値(1
GHz程度)を上回る、最も高い動作可能周波数を有す
る一方向性の電子管としては進行波管がある。この進行
波管は、金属による遅延伝送路を用いて電磁波の伝搬速
度を低下させ、この電磁波に電子銃から放射された電子
ビームがエネルギーを与えるものであり、周囲を真空に
することにより、電子が周囲物質と衝突して散乱するこ
とに伴うエネルギー損失を抑制している。この進行波管
では、電子ビームの速度および電磁波の伝搬速度が一致
したときに電磁波が増幅されるため、逆方向へ伝搬する
電磁波は増幅されない。しかし、波長は高周波になるほ
ど短くなり、進行波管の使用周波数の上限値は伝送路の
金属加工技術により決定されるため、進行波管は数十G
Hz以上の周波数(波長;数cm以下)では使用できな
い。したがって、波長が1μm以下となる光に適用し得
る進行波管を作製することは、現在の金属加工技術の限
界を遥かに越えることになり、現時点では不可能であ
る。
【0008】上述した種々の問題を解決するため、本願
発明者は、先に、特願平9−71147号明細書におい
て、固体中の電子ビームを用いた一方向性光増幅器を提
案済みである。この一方向性光増幅器では、固体中に放
射される電子ビームを走行させるための電子ビーム走行
路と、増幅すべき光を遅延させるための誘電体遅延導波
路とを組み合わせることにより、光の一方向性増幅が実
現可能であることを理論的に示している。
発明者は、先に、特願平9−71147号明細書におい
て、固体中の電子ビームを用いた一方向性光増幅器を提
案済みである。この一方向性光増幅器では、固体中に放
射される電子ビームを走行させるための電子ビーム走行
路と、増幅すべき光を遅延させるための誘電体遅延導波
路とを組み合わせることにより、光の一方向性増幅が実
現可能であることを理論的に示している。
【0009】また、上述した種々の問題を解決するた
め、本願発明者は、先に、特願平9−293819号明
細書において、真空中に放射される電子ビームを用いた
電子管型一方向性光増幅器を提案済みである。この電子
管型一方向性光増幅器では、真空中に配置されて光の遅
延導波路を形成する一対の波状形状鏡を用いて、電子放
射部から放射される電子ビームから受けたエネルギーを
利用して、入力された光を一方向に増幅する光増幅部を
構成することにより、光の一方向性増幅が実現可能であ
ることを理論的に示している。
め、本願発明者は、先に、特願平9−293819号明
細書において、真空中に放射される電子ビームを用いた
電子管型一方向性光増幅器を提案済みである。この電子
管型一方向性光増幅器では、真空中に配置されて光の遅
延導波路を形成する一対の波状形状鏡を用いて、電子放
射部から放射される電子ビームから受けたエネルギーを
利用して、入力された光を一方向に増幅する光増幅部を
構成することにより、光の一方向性増幅が実現可能であ
ることを理論的に示している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記本願発明者の先願
の一方向性光増幅器にあっては、電子ビーム走行部を例
えばZnSeで構成した場合には加速電圧が2.5Vを超え
ると電子が走行できなくなるため、電子ビームの加速電
圧を大きくすることができず、電磁界の空間的位相変化
が極めて微細になるため、遅延導波路の作製をnm以下
の精度で行う必要がある。そのため、今後の作製技術の
進展が課題となっている。また、上記本願発明者の先願
の電子管型一方向性光増幅器にあっては、上記と同様の
理由により、波状形状鏡の作製をnm以下の精度で行う
必要があるため、今後の作製技術の進展が課題となって
いる。
の一方向性光増幅器にあっては、電子ビーム走行部を例
えばZnSeで構成した場合には加速電圧が2.5Vを超え
ると電子が走行できなくなるため、電子ビームの加速電
圧を大きくすることができず、電磁界の空間的位相変化
が極めて微細になるため、遅延導波路の作製をnm以下
の精度で行う必要がある。そのため、今後の作製技術の
進展が課題となっている。また、上記本願発明者の先願
の電子管型一方向性光増幅器にあっては、上記と同様の
理由により、波状形状鏡の作製をnm以下の精度で行う
必要があるため、今後の作製技術の進展が課題となって
いる。
【0011】本発明は、真空中の電子と、誘電体光導波
路から真空中にしみ出した光と、電子ビーム走行方向の
光の電界成分とを用いた光増幅により、これまで不可能
と思われていた光の一方向性増幅を実現する装置を一方
向性光増幅器として具体化することにより、上述した問
題を解決することを目的とする。
路から真空中にしみ出した光と、電子ビーム走行方向の
光の電界成分とを用いた光増幅により、これまで不可能
と思われていた光の一方向性増幅を実現する装置を一方
向性光増幅器として具体化することにより、上述した問
題を解決することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
の請求項1の構成は、電子ビームを放射する電子放射部
と、該電子放射部から放射される電子ビームから受けた
エネルギーを利用して入力された光を一方向に増幅する
光増幅部とを真空中に配置して成る一方向性光増幅器で
あって、前記光増幅部は、真空中を走行する電子ビーム
に接するように電子ビーム走行方向に形成された誘電体
光導波路を有する誘電体基板と、前記誘電体光導波路を
挟むように対向配置された一対の電子ビーム収束用電極
とから成り、前記誘電体光導波路は、電子ビーム走行方
向に光の電界成分を生じさせ、伝搬する光の一部を電子
ビーム走行路にしみ出させるとともに、電子ビーム走行
方向の光の走行速度を低下させるように、前記誘電体基
板上に形成されていることを特徴とするものである。
の請求項1の構成は、電子ビームを放射する電子放射部
と、該電子放射部から放射される電子ビームから受けた
エネルギーを利用して入力された光を一方向に増幅する
光増幅部とを真空中に配置して成る一方向性光増幅器で
あって、前記光増幅部は、真空中を走行する電子ビーム
に接するように電子ビーム走行方向に形成された誘電体
光導波路を有する誘電体基板と、前記誘電体光導波路を
挟むように対向配置された一対の電子ビーム収束用電極
とから成り、前記誘電体光導波路は、電子ビーム走行方
向に光の電界成分を生じさせ、伝搬する光の一部を電子
ビーム走行路にしみ出させるとともに、電子ビーム走行
方向の光の走行速度を低下させるように、前記誘電体基
板上に形成されていることを特徴とするものである。
【0013】本発明の請求項1においては、真空中に配
置される光増幅部に入力される光が、真空中を走行する
電子ビームに接するように前記誘電体基板の電子ビーム
走行方向に形成された誘電体光導波路内を伝搬する際に
は、電子ビーム走行方向に光の電界成分が生じ、伝搬す
る光の一部が前記誘電体光導波路から真空中にしみ出す
とともに前記誘電体光導波路を構成する誘電体の等価屈
折率に依存して電子ビーム走行方向の光の走行速度が低
下する。それにより、前記真空中にしみ出した光は、電
子放射部から放射される電子ビーム(この電子ビーム
は、真空中を走行するため、周囲物質との衝突による散
乱に伴うエネルギー損失が抑制されている)と交差する
ことにより該電子ビームからエネルギーを受けるため、
一方向に増幅される。
置される光増幅部に入力される光が、真空中を走行する
電子ビームに接するように前記誘電体基板の電子ビーム
走行方向に形成された誘電体光導波路内を伝搬する際に
は、電子ビーム走行方向に光の電界成分が生じ、伝搬す
る光の一部が前記誘電体光導波路から真空中にしみ出す
とともに前記誘電体光導波路を構成する誘電体の等価屈
折率に依存して電子ビーム走行方向の光の走行速度が低
下する。それにより、前記真空中にしみ出した光は、電
子放射部から放射される電子ビーム(この電子ビーム
は、真空中を走行するため、周囲物質との衝突による散
乱に伴うエネルギー損失が抑制されている)と交差する
ことにより該電子ビームからエネルギーを受けるため、
一方向に増幅される。
【0014】本発明の請求項1によれば、光増幅部に形
成される誘電体光導波路において、電子ビーム走行方向
に光の電界成分が生じ、伝搬する光の一部が電子ビーム
走行路にしみ出すとともに、電子ビーム走行方向の光の
走行速度が遅延するようにしたため、真空中の電子と、
真空中にしみ出した光と、電子ビーム走行方向の光の電
界成分とを用いた増幅により光の一方向性増幅を行う一
方向性光増幅器を実現することができる。
成される誘電体光導波路において、電子ビーム走行方向
に光の電界成分が生じ、伝搬する光の一部が電子ビーム
走行路にしみ出すとともに、電子ビーム走行方向の光の
走行速度が遅延するようにしたため、真空中の電子と、
真空中にしみ出した光と、電子ビーム走行方向の光の電
界成分とを用いた増幅により光の一方向性増幅を行う一
方向性光増幅器を実現することができる。
【0015】本発明の請求項2の構成は、前記誘電体基
板は、前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ曲線部を
介して直交方向から接続される光入力導波路および光出
力導波路を具備して成ることを特徴とするものである。
板は、前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ曲線部を
介して直交方向から接続される光入力導波路および光出
力導波路を具備して成ることを特徴とするものである。
【0016】本発明の請求項2によれば、前記誘電体基
板は前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ曲線部を介
して直交方向から接続される光入力導波路および光出力
導波路を具備しているため、前記光入力導波路から導い
た光を前記誘電体光導波路で光増幅した後に前記光出力
導波路から出力することができる。
板は前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ曲線部を介
して直交方向から接続される光入力導波路および光出力
導波路を具備しているため、前記光入力導波路から導い
た光を前記誘電体光導波路で光増幅した後に前記光出力
導波路から出力することができる。
【0017】本発明の請求項3の構成は、前記誘電体基
板は、前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ所定角度
をなすように斜め方向から接続される光入力導波路およ
び光出力導波路を具備して成ることを特徴とするもので
ある。
板は、前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ所定角度
をなすように斜め方向から接続される光入力導波路およ
び光出力導波路を具備して成ることを特徴とするもので
ある。
【0018】本発明の請求項3によれば、前記誘電体基
板は前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ所定角度を
なすように斜め方向から接続される光入力導波路および
光出力導波路を具備しているため、前記光入力導波路か
ら導いた光を前記誘電体光導波路で光増幅した後に前記
光出力導波路から出力することができる。
板は前記誘電体光導波路の両端部にそれぞれ所定角度を
なすように斜め方向から接続される光入力導波路および
光出力導波路を具備しているため、前記光入力導波路か
ら導いた光を前記誘電体光導波路で光増幅した後に前記
光出力導波路から出力することができる。
【0019】本発明の請求項4の構成は、前記誘電体光
導波路は、当該波長領域において透明性を有する高屈折
率の材料であって、可視光領域に用いる場合にはZnSe,
CdSおよびこれらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もし
くはGaN 等のIII-V 族化合物半導体より成り、マイクロ
波領域から近赤外領域に用いる場合にはSi, Ge等のIV族
半導体、ZnSe, CdS およびこれらの混晶等のII-VI 族化
合物半導体もしくはGaAs, InP, GaNおよびこれらの混晶
等のIII-V 族化合物半導体より成ることを特徴とするも
のである。
導波路は、当該波長領域において透明性を有する高屈折
率の材料であって、可視光領域に用いる場合にはZnSe,
CdSおよびこれらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もし
くはGaN 等のIII-V 族化合物半導体より成り、マイクロ
波領域から近赤外領域に用いる場合にはSi, Ge等のIV族
半導体、ZnSe, CdS およびこれらの混晶等のII-VI 族化
合物半導体もしくはGaAs, InP, GaNおよびこれらの混晶
等のIII-V 族化合物半導体より成ることを特徴とするも
のである。
【0020】本発明の請求項4によれば、前記誘電体光
導波路は、当該波長領域において透明性を有する高屈折
率の材料であって、可視光領域に用いる場合にはZnSe,
CdSおよびこれらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もし
くはGaN 等のIII-V 族化合物半導体により構成され、マ
イクロ波領域から近赤外領域に用いる場合にはSi, Ge等
のIV族半導体、ZnSe, CdS およびこれらの混晶等のII-V
I 族化合物半導体もしくはGaAs, InP, GaNおよびこれら
の混晶等のIII-V 族化合物半導体により構成されるた
め、可視光領域の光を対象とする場合もマイクロ波領域
から近赤外領域の光を対象とする場合も、当該誘電体光
導波路の等価屈折率に依存して前記光増幅部における電
子ビーム走行方向の光の走行速度を低下させることがで
きる。
導波路は、当該波長領域において透明性を有する高屈折
率の材料であって、可視光領域に用いる場合にはZnSe,
CdSおよびこれらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もし
くはGaN 等のIII-V 族化合物半導体により構成され、マ
イクロ波領域から近赤外領域に用いる場合にはSi, Ge等
のIV族半導体、ZnSe, CdS およびこれらの混晶等のII-V
I 族化合物半導体もしくはGaAs, InP, GaNおよびこれら
の混晶等のIII-V 族化合物半導体により構成されるた
め、可視光領域の光を対象とする場合もマイクロ波領域
から近赤外領域の光を対象とする場合も、当該誘電体光
導波路の等価屈折率に依存して前記光増幅部における電
子ビーム走行方向の光の走行速度を低下させることがで
きる。
【0021】本発明の請求項5の構成は、前記誘電体基
板は、マイクロ波領域から可視光領域までの範囲におい
て透明性を有する材料であって、石英ガラスや有機物よ
り成ることを特徴とするものである。
板は、マイクロ波領域から可視光領域までの範囲におい
て透明性を有する材料であって、石英ガラスや有機物よ
り成ることを特徴とするものである。
【0022】本発明の請求項5によれば、前記誘電体基
板をマイクロ波領域から可視光領域までの範囲において
透明性を有する材料である石英ガラスや有機物により構
成するため、この誘電体基板上に電子ビーム走行方向の
光の走行速度を低下させる誘電体光導波路を形成するこ
とができる。
板をマイクロ波領域から可視光領域までの範囲において
透明性を有する材料である石英ガラスや有機物により構
成するため、この誘電体基板上に電子ビーム走行方向の
光の走行速度を低下させる誘電体光導波路を形成するこ
とができる。
【0023】本発明の請求項6の構成は、前記電子ビー
ム収束用電極は、Ni, Ag, Alや各種合金等の金属材料よ
り成ることを特徴とするものである。
ム収束用電極は、Ni, Ag, Alや各種合金等の金属材料よ
り成ることを特徴とするものである。
【0024】本発明の請求項7によれば、前記電子ビー
ム収束用電極をNi, Ag, Alや各種合金等の金属材料によ
り構成したため、誘電体基板の電子ビーム走行方向に形
成された誘電体光導波路の表面に電子ビームを収束させ
ることができる。
ム収束用電極をNi, Ag, Alや各種合金等の金属材料によ
り構成したため、誘電体基板の電子ビーム走行方向に形
成された誘電体光導波路の表面に電子ビームを収束させ
ることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。図1(a),(b)はそれぞ
れ、本発明の第1実施形態の一方向性光増幅器の基本構
造を示す原理図およびそのA−A断面図である。本実施
形態の一方向性光増幅器は、図1(a)に示すように、
電子放射部1と光増幅部2とから成る。上記電子放射部
1および光増幅部2は、図示しない真空容器中に配置し
て、例えば電子管型装置として構成する。なお、上述し
たように電子放射部1および光増幅部2の周囲を真空に
した理由は、電子放射部1から放射される電子が光増幅
部2内を通過する際に不要な物質に衝突して散乱するこ
とによりエネルギー損失が生じるのを防止するためであ
る。上記電子放射部1としては、例えば電子銃を用いる
ものとし、この電子銃1は、所定電圧値の加速電圧を印
加することにより電子ビーム4を放射する。
に基づき詳細に説明する。図1(a),(b)はそれぞ
れ、本発明の第1実施形態の一方向性光増幅器の基本構
造を示す原理図およびそのA−A断面図である。本実施
形態の一方向性光増幅器は、図1(a)に示すように、
電子放射部1と光増幅部2とから成る。上記電子放射部
1および光増幅部2は、図示しない真空容器中に配置し
て、例えば電子管型装置として構成する。なお、上述し
たように電子放射部1および光増幅部2の周囲を真空に
した理由は、電子放射部1から放射される電子が光増幅
部2内を通過する際に不要な物質に衝突して散乱するこ
とによりエネルギー損失が生じるのを防止するためであ
る。上記電子放射部1としては、例えば電子銃を用いる
ものとし、この電子銃1は、所定電圧値の加速電圧を印
加することにより電子ビーム4を放射する。
【0026】上記増幅部2は、誘電体基板5と、真空中
を走行する電子ビーム4に接するように誘電体基板5上
の電子ビーム走行方向(図示z軸方向)に形成された誘
電体光導波路6と、図1(b)に示すように、誘電体光
導波路6の図示左右両端部にそれぞれ曲線部を介して直
交方向から接続される光入力導波路7および光出力導波
路8と、誘電体光導波路6を上下方向から挟むように対
向配置された一対の電子ビーム収束用電極9および10
とから成り、電子ビーム収束用電極10は誘電体基板5
の下面に結合されている。上記電子ビーム収束用電極9
および10の間に、所定電圧値の電子ビーム収束電圧1
1を、電子ビーム収束用電極9側が負電位となり、電子
ビーム収束用電極10側が正電位となるように印加する
と、誘電体基板5の誘電体光導波路6の上部に形成され
る電子ビーム走行路を走行する電子ビーム4は、誘電体
光導波路6の表面に収束する。
を走行する電子ビーム4に接するように誘電体基板5上
の電子ビーム走行方向(図示z軸方向)に形成された誘
電体光導波路6と、図1(b)に示すように、誘電体光
導波路6の図示左右両端部にそれぞれ曲線部を介して直
交方向から接続される光入力導波路7および光出力導波
路8と、誘電体光導波路6を上下方向から挟むように対
向配置された一対の電子ビーム収束用電極9および10
とから成り、電子ビーム収束用電極10は誘電体基板5
の下面に結合されている。上記電子ビーム収束用電極9
および10の間に、所定電圧値の電子ビーム収束電圧1
1を、電子ビーム収束用電極9側が負電位となり、電子
ビーム収束用電極10側が正電位となるように印加する
と、誘電体基板5の誘電体光導波路6の上部に形成され
る電子ビーム走行路を走行する電子ビーム4は、誘電体
光導波路6の表面に収束する。
【0027】上記誘電体光導波路6を構成する材料とし
ては、利用する光の波長領域において、屈折率ができる
限り高く、かつ透明性を有する材料が良い。これらの条
件に該当する材料としては、可視光領域に用いる場合に
はZnSe, CdS およびこれらの混晶等のII-VI 族化合物半
導体もしくはGaN 等のIII-V 族化合物半導体を用いるこ
とができる。また、マイクロ波領域から近赤外領域に用
いる場合には、Si, Ge等のIV族半導体、ZnSe, CdS およ
びこれらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もしくはGaA
s, InP, GaNおよびこれらの混晶等のIII-V 族化合物半
導体を用いることができる。
ては、利用する光の波長領域において、屈折率ができる
限り高く、かつ透明性を有する材料が良い。これらの条
件に該当する材料としては、可視光領域に用いる場合に
はZnSe, CdS およびこれらの混晶等のII-VI 族化合物半
導体もしくはGaN 等のIII-V 族化合物半導体を用いるこ
とができる。また、マイクロ波領域から近赤外領域に用
いる場合には、Si, Ge等のIV族半導体、ZnSe, CdS およ
びこれらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もしくはGaA
s, InP, GaNおよびこれらの混晶等のIII-V 族化合物半
導体を用いることができる。
【0028】上記誘電体基板5を構成する材料として
は、利用する光の波長領域において、屈折率ができる限
り低く、かつ透明性を有する材料が良い。これらの条件
に該当する材料としては、マイクロ波領域から可視光領
域までの全範囲において、石英ガラスや有機物等を用い
ることができる。上記電子ビーム収束用電極9および1
0を構成する材料としては、Ni, Ag, Alや各種合金等の
金属材料を用いることができる。
は、利用する光の波長領域において、屈折率ができる限
り低く、かつ透明性を有する材料が良い。これらの条件
に該当する材料としては、マイクロ波領域から可視光領
域までの全範囲において、石英ガラスや有機物等を用い
ることができる。上記電子ビーム収束用電極9および1
0を構成する材料としては、Ni, Ag, Alや各種合金等の
金属材料を用いることができる。
【0029】次に、第1実施形態の一方向性光増幅器の
動作原理を説明する。光(入射光12)の角周波数およ
び波数をそれぞれωおよびβとし、電子銃1により放射
される電子のエネルギーおよび波数をそれぞれWb およ
びkb とし、光12にエネルギーを与えた後の電子のエ
ネルギーおよび波数をそれぞれWa およびka とし、プ
ランク定数をhとすると、以下の式(1)および(2)
の関係が満たされる場合に光12が増幅される。 Wb −Wa =h・ω/2π (1) Kb −Ka =β (2)
動作原理を説明する。光(入射光12)の角周波数およ
び波数をそれぞれωおよびβとし、電子銃1により放射
される電子のエネルギーおよび波数をそれぞれWb およ
びkb とし、光12にエネルギーを与えた後の電子のエ
ネルギーおよび波数をそれぞれWa およびka とし、プ
ランク定数をhとすると、以下の式(1)および(2)
の関係が満たされる場合に光12が増幅される。 Wb −Wa =h・ω/2π (1) Kb −Ka =β (2)
【0030】光の速度はω/βであるため、自由空間で
の光は速度cが速いので光の波数βが小さくなり過ぎる
ことになり、式(2)が成立しない。そこで、本実施形
態では、誘電体基板5上に形成する誘電体光導波路6の
材料を上述した材料の中から適宜選択することにより光
を減速させ、光の波数βを大きくしている。
の光は速度cが速いので光の波数βが小さくなり過ぎる
ことになり、式(2)が成立しない。そこで、本実施形
態では、誘電体基板5上に形成する誘電体光導波路6の
材料を上述した材料の中から適宜選択することにより光
を減速させ、光の波数βを大きくしている。
【0031】誘電体光導波路6は誘電体により構成さ
れ、その等価屈折率をneff とすると伝搬速度はc/n
eff となる。したがって、 ω/β=c/neff (3) のときに光増幅がなされる。この光増幅を実現するため
には、光の波数β=neff ω/cを大きくする(電子ビ
ーム走行方向(z方向)への光の伝搬速度c/neff を
小さくする)とともに、電子走行方向(z方向)に光の
電界成分を生じさせることが要求され、本実施形態では
誘電体光導波路6の高屈折率化によって光の伝搬速度c
/neff を小さくしている。ここで、z方向に光の電界
成分が無いと光は増幅されない。また、逆方向の光は波
数が−βとなり式(2)を満足しないので増幅されな
い。
れ、その等価屈折率をneff とすると伝搬速度はc/n
eff となる。したがって、 ω/β=c/neff (3) のときに光増幅がなされる。この光増幅を実現するため
には、光の波数β=neff ω/cを大きくする(電子ビ
ーム走行方向(z方向)への光の伝搬速度c/neff を
小さくする)とともに、電子走行方向(z方向)に光の
電界成分を生じさせることが要求され、本実施形態では
誘電体光導波路6の高屈折率化によって光の伝搬速度c
/neff を小さくしている。ここで、z方向に光の電界
成分が無いと光は増幅されない。また、逆方向の光は波
数が−βとなり式(2)を満足しないので増幅されな
い。
【0032】上述した光増幅部2での光増幅作用は、量
子力学の解析手法の1つである密度行列法を用いて理論
解析され、光の利得定数gは、次式で表わされる。
子力学の解析手法の1つである密度行列法を用いて理論
解析され、光の利得定数gは、次式で表わされる。
【数1】 ここで、μ0 は真空中の透磁率、eは電子の電荷、λは
光の波長、Jは電子ビームの電流密度、Lは光増幅部2
の有効長、hはプランク定数、ξは真空中にしみ出した
光成分14の比率および電子ビーム収束性により定ま
る、光および電子ビームの結合率、Dは光増幅および光
吸収の相違を示す係数である。
光の波長、Jは電子ビームの電流密度、Lは光増幅部2
の有効長、hはプランク定数、ξは真空中にしみ出した
光成分14の比率および電子ビーム収束性により定ま
る、光および電子ビームの結合率、Dは光増幅および光
吸収の相違を示す係数である。
【0033】光増幅部2における光増幅率Aは、次式で
表わされる。A= exp(gL)
(5)この場合、光増幅に必要な加速電圧Ve は、電子
の質量をmとすると、次式で表わされる。
表わされる。A= exp(gL)
(5)この場合、光増幅に必要な加速電圧Ve は、電子
の質量をmとすると、次式で表わされる。
【数2】
【0034】次に、本実施形態の一方向性光増幅器の作
用を説明する。入射光12は、図1(b)に示すよう
に、電子ビーム走行方向と直交する方向に形成された光
入力導波路7から入射して、曲線部で方向を90度変え
られて誘電体光導波路6に導かれた後、誘電体光導波路
6を伝搬する。その後、曲線部で方向を90度変えられ
て光出力用導波路8に導かれ、そこから出射して出力光
13となる。
用を説明する。入射光12は、図1(b)に示すよう
に、電子ビーム走行方向と直交する方向に形成された光
入力導波路7から入射して、曲線部で方向を90度変え
られて誘電体光導波路6に導かれた後、誘電体光導波路
6を伝搬する。その後、曲線部で方向を90度変えられ
て光出力用導波路8に導かれ、そこから出射して出力光
13となる。
【0035】その際、誘電体光導波路6に導かれた光
は、誘電体光導波路6を構成する誘電体の等価屈折率に
依存して電子走行方向への走行速度を遅延されて、電子
ビーム4からエネルギーを受けられる程度の速度となる
(等価屈折率が大きくなるほど光の速度が遅延されるこ
とになる)。また、誘電体光導波路6に導かれた光が誘
電体導波路6の中心に集まるように分布して導波される
際に電子ビーム走行方向の電界成分が生じるが、誘電体
光導波路6に導かれた光が導波路中に完全に閉じこめら
れることはなく、誘電体光導波路6中を伝搬する光の一
部は、誘電体基板5側および真空側(誘電体基板5の上
部の電子ビーム走行路側)にしみ出すことになる。この
真空側にしみ出した光成分14は、電子ビーム4と交差
する際に電子ビーム4からエネルギーを受けるため、光
全体が増幅される。
は、誘電体光導波路6を構成する誘電体の等価屈折率に
依存して電子走行方向への走行速度を遅延されて、電子
ビーム4からエネルギーを受けられる程度の速度となる
(等価屈折率が大きくなるほど光の速度が遅延されるこ
とになる)。また、誘電体光導波路6に導かれた光が誘
電体導波路6の中心に集まるように分布して導波される
際に電子ビーム走行方向の電界成分が生じるが、誘電体
光導波路6に導かれた光が導波路中に完全に閉じこめら
れることはなく、誘電体光導波路6中を伝搬する光の一
部は、誘電体基板5側および真空側(誘電体基板5の上
部の電子ビーム走行路側)にしみ出すことになる。この
真空側にしみ出した光成分14は、電子ビーム4と交差
する際に電子ビーム4からエネルギーを受けるため、光
全体が増幅される。
【0036】なお、本実施形態の一方向性光増幅器によ
れば、誘電体光導波路6の材料選定により増幅特性が決
定されるため、より大きな増幅率を得るためには、利用
する光の波長領域において高屈折率かつ透明性を有する
上記各種材料の何れかを用いればよい。
れば、誘電体光導波路6の材料選定により増幅特性が決
定されるため、より大きな増幅率を得るためには、利用
する光の波長領域において高屈折率かつ透明性を有する
上記各種材料の何れかを用いればよい。
【0037】図2(a),(b)はそれぞれ、本発明の
第2実施形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理
図およびそのB−B断面図である。本実施形態の一方向
性光増幅器は、上記第1実施形態の一方向性光増幅器に
対し、図2(b)に示す誘電体基板平面上で、誘電体光
導波路6の図示左右両端部にそれぞれ所定角度をなすよ
うに光入力導波路7および光出力導波路8を斜め方向か
ら接続して、誘電体光導波路6に対する入射角および出
射角を変更し、それに伴い誘電体基板5の形状を変更し
たものであり、上記以外の部分は第1実施形態と同様に
構成する。
第2実施形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理
図およびそのB−B断面図である。本実施形態の一方向
性光増幅器は、上記第1実施形態の一方向性光増幅器に
対し、図2(b)に示す誘電体基板平面上で、誘電体光
導波路6の図示左右両端部にそれぞれ所定角度をなすよ
うに光入力導波路7および光出力導波路8を斜め方向か
ら接続して、誘電体光導波路6に対する入射角および出
射角を変更し、それに伴い誘電体基板5の形状を変更し
たものであり、上記以外の部分は第1実施形態と同様に
構成する。
【0038】本実施形態の一方向性光増幅器によれば、
上記第1実施形態の一方向性光増幅器と同様の作用効果
が得られる。その上、上記変更により第1実施形態より
も作製が容易になる。
上記第1実施形態の一方向性光増幅器と同様の作用効果
が得られる。その上、上記変更により第1実施形態より
も作製が容易になる。
【0039】図3(a),(b)はそれぞれ、本発明の
第3実施形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理
図およびそのC−C断面図である。本実施形態の一方向
性光増幅器は、上記第1実施形態の一方向性光増幅器に
対し、図3(a)に示すように、誘電体光導波路6の図
示左右両端部にそれぞれ誘電体基板5に対し所定角度を
なすように光入力導波路7および光出力導波路8を斜め
下方向から接続して、誘電体光導波路6に対する入射角
および出射角を変更し、それに伴い誘電体基板5の形状
を変更したものであり、上記以外の部分は第1実施形態
と同様に構成する。
第3実施形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理
図およびそのC−C断面図である。本実施形態の一方向
性光増幅器は、上記第1実施形態の一方向性光増幅器に
対し、図3(a)に示すように、誘電体光導波路6の図
示左右両端部にそれぞれ誘電体基板5に対し所定角度を
なすように光入力導波路7および光出力導波路8を斜め
下方向から接続して、誘電体光導波路6に対する入射角
および出射角を変更し、それに伴い誘電体基板5の形状
を変更したものであり、上記以外の部分は第1実施形態
と同様に構成する。
【0040】本実施形態の一方向性光増幅器によれば、
上記第1実施形態の一方向性光増幅器と同様の作用効果
が得られる。
上記第1実施形態の一方向性光増幅器と同様の作用効果
が得られる。
【0041】次に、一方向性光増幅を実現する上記各実
施形態の一方向性光増幅器と、上述した従来技術および
本願発明者の先願(特願平9−71147号明細書およ
び特願平9−293819号明細書)とを比較して、両
者の共通点および相違点を説明する。
施形態の一方向性光増幅器と、上述した従来技術および
本願発明者の先願(特願平9−71147号明細書およ
び特願平9−293819号明細書)とを比較して、両
者の共通点および相違点を説明する。
【0042】第1に、上記各実施形態は光を一方向にの
み増幅する素子または装置であるため、双方向への可逆
増幅を行う従来技術である「レーザ」とは本質的に異な
る機能を有している。第2に、上記各実施形態における
光増幅作用は、上記本願発明者の先願と同様に、発明者
による新たな理論解析により予見される現象である。第
3に、上記各実施形態の一方向性光増幅器は、原理的に
マイクロ波領域から可視光領域までの全範囲で動作可能
である。
み増幅する素子または装置であるため、双方向への可逆
増幅を行う従来技術である「レーザ」とは本質的に異な
る機能を有している。第2に、上記各実施形態における
光増幅作用は、上記本願発明者の先願と同様に、発明者
による新たな理論解析により予見される現象である。第
3に、上記各実施形態の一方向性光増幅器は、原理的に
マイクロ波領域から可視光領域までの全範囲で動作可能
である。
【0043】第4に、上記本願発明者の先願の「一方向
性増幅器」(特願平9−71147号明細書)とは、電
子ビームによる光増幅である点で共通している。しか
し、上記本願発明者の先願が固体中の電子を使用してい
るのに対し、上記各実施形態は真空中の電子を使用して
いる点で両者は相違している。さらに、上記各実施形態
は高屈折率かつ透明性を有する材料より成る直線状の誘
電体光導波路により光を遅延させている点で、光を蛇行
させるような複雑な形状の誘電体光導波路を用いる上記
本願発明者の先願と相違している。
性増幅器」(特願平9−71147号明細書)とは、電
子ビームによる光増幅である点で共通している。しか
し、上記本願発明者の先願が固体中の電子を使用してい
るのに対し、上記各実施形態は真空中の電子を使用して
いる点で両者は相違している。さらに、上記各実施形態
は高屈折率かつ透明性を有する材料より成る直線状の誘
電体光導波路により光を遅延させている点で、光を蛇行
させるような複雑な形状の誘電体光導波路を用いる上記
本願発明者の先願と相違している。
【0044】第5に、上記本願発明者の先願の「電子管
型一方向性増幅器」(特願平9−293819号明細
書)とは、真空中の電子ビームによる光増幅である点で
共通している。しかし、上記本願発明者の先願が2枚の
波状形状鏡間を反射させることにより光を遅延させてい
るのに対し、上記各実施形態は高屈折率かつ透明性を有
する材料より成る直線状の誘電体光導波路により光を遅
延させている点で、上記本願発明者の先願と相違してい
る。また、上記各実施形態の方が、上記本願発明者の先
願に比べて、真空中にしみ出す光の割合が大きくなるた
め、上記式(4)におけるξが大きくなり、利得定数g
を大きくする上で有利である。
型一方向性増幅器」(特願平9−293819号明細
書)とは、真空中の電子ビームによる光増幅である点で
共通している。しかし、上記本願発明者の先願が2枚の
波状形状鏡間を反射させることにより光を遅延させてい
るのに対し、上記各実施形態は高屈折率かつ透明性を有
する材料より成る直線状の誘電体光導波路により光を遅
延させている点で、上記本願発明者の先願と相違してい
る。また、上記各実施形態の方が、上記本願発明者の先
願に比べて、真空中にしみ出す光の割合が大きくなるた
め、上記式(4)におけるξが大きくなり、利得定数g
を大きくする上で有利である。
【0045】第6に、上記各実施形態は、真空中で電子
銃から放射される電子ビームを用いる電磁波増幅である
点および電磁波の遅延導波路を有している点で、マイク
ロ波領域の「進行波管」と類似している。しかし、進行
波管では電磁波の遅延を螺旋状(コイル状)線路で行っ
ているが、上記各実施形態では誘電体光導波路で光(電
磁波)を遅延させている点で両者は相違している。ま
た、進行波管はマイクロ波領域では使用できるが、上記
各実施形態で使用する光領域では使用できない。
銃から放射される電子ビームを用いる電磁波増幅である
点および電磁波の遅延導波路を有している点で、マイク
ロ波領域の「進行波管」と類似している。しかし、進行
波管では電磁波の遅延を螺旋状(コイル状)線路で行っ
ているが、上記各実施形態では誘電体光導波路で光(電
磁波)を遅延させている点で両者は相違している。ま
た、進行波管はマイクロ波領域では使用できるが、上記
各実施形態で使用する光領域では使用できない。
【0046】以上説明したように、上記各実施形態によ
れば、現在までに実現されていない単一方向性の光増幅
を実現することができる。このような一方向性光増幅器
の出現は、いわば光周波数領域における電子管やトラン
ジスタの発明に相当するようなものであり、現状の光通
信技術、光計測技術、光記録技術等の信号処理を中心と
した光エレクトロニクス分野の継続的な発展の他に、電
気工学、電子工学、情報工学の分野の飛躍的な発展が期
待できる。さらに、上記各実施形態の一方向性光増幅器
は、材料加工や核融合等の高エネルギー光の用途の利用
も期待できる。
れば、現在までに実現されていない単一方向性の光増幅
を実現することができる。このような一方向性光増幅器
の出現は、いわば光周波数領域における電子管やトラン
ジスタの発明に相当するようなものであり、現状の光通
信技術、光計測技術、光記録技術等の信号処理を中心と
した光エレクトロニクス分野の継続的な発展の他に、電
気工学、電子工学、情報工学の分野の飛躍的な発展が期
待できる。さらに、上記各実施形態の一方向性光増幅器
は、材料加工や核融合等の高エネルギー光の用途の利用
も期待できる。
【0047】上記一方向性光増幅器の実現による最大の
利点は、光信号を用いた回路合成が可能になることであ
り、これにより、光発振器、光増幅器、光変調器、光ス
イッチ、光メモリ等の各種の光機能素子を光回路として
構成することができる。例えば、上記一方向性光増幅器
を光ファイバ通信用の光源に適用したり、各種光計測器
に適用した場合、光アイソレータを用いなくても、反射
戻り光の障害が生じなくなる。また、光ディスクにおけ
る光ピックアップに適用した場合、反射戻り光の影響は
なくなり、高品位の光信号を維持することができる。ま
た、増幅条件を適宜変更することにより光変調器や光ス
イッチの構成になり、光共振器を挿入すると光発生器に
なる等、幾多の光機能素子への応用が可能である。ま
た、CD(コンパクトディスク)装置に適用した場合、
レーザ光を一方向で増幅することにより低雑音化するこ
とが可能になる。
利点は、光信号を用いた回路合成が可能になることであ
り、これにより、光発振器、光増幅器、光変調器、光ス
イッチ、光メモリ等の各種の光機能素子を光回路として
構成することができる。例えば、上記一方向性光増幅器
を光ファイバ通信用の光源に適用したり、各種光計測器
に適用した場合、光アイソレータを用いなくても、反射
戻り光の障害が生じなくなる。また、光ディスクにおけ
る光ピックアップに適用した場合、反射戻り光の影響は
なくなり、高品位の光信号を維持することができる。ま
た、増幅条件を適宜変更することにより光変調器や光ス
イッチの構成になり、光共振器を挿入すると光発生器に
なる等、幾多の光機能素子への応用が可能である。ま
た、CD(コンパクトディスク)装置に適用した場合、
レーザ光を一方向で増幅することにより低雑音化するこ
とが可能になる。
【0048】また、レーザ光のエネルギーを利用したレ
ーザ加工機やレーザメス等においては、レーザ発振器か
らのレーザ光を上記一方向性光増幅器で増幅して出射す
るように構成することにより、対象物からの反射戻り光
があっても動作が変動しない安定化されたシステムとす
ることができる。
ーザ加工機やレーザメス等においては、レーザ発振器か
らのレーザ光を上記一方向性光増幅器で増幅して出射す
るように構成することにより、対象物からの反射戻り光
があっても動作が変動しない安定化されたシステムとす
ることができる。
【0049】さらに、上記各実施形態の一方向性光増幅
器は、原理的にマイクロ波領域から可視光領域までの全
範囲で動作可能であるため、光領域やマイクロ波領域の
みならず、THz領域あるいは遠赤外線領域にも適用可
能であり、これまで技術的にほとんど未開発であった電
磁波領域を利用することも可能になる。したがって、T
Hz帯から遠赤外線領域で電磁波発生や増幅を行う装置
(例えばTHz帯増幅器、THz帯発振器、遠赤外線増
幅器や遠赤外線発坂器)に適用することが可能になる。
器は、原理的にマイクロ波領域から可視光領域までの全
範囲で動作可能であるため、光領域やマイクロ波領域の
みならず、THz領域あるいは遠赤外線領域にも適用可
能であり、これまで技術的にほとんど未開発であった電
磁波領域を利用することも可能になる。したがって、T
Hz帯から遠赤外線領域で電磁波発生や増幅を行う装置
(例えばTHz帯増幅器、THz帯発振器、遠赤外線増
幅器や遠赤外線発坂器)に適用することが可能になる。
【0050】
【実施例】図1(a),(b)に示すように電子放射部
(電子銃)1および光増幅部2を構成し、誘電体基板5
に石英ガラスを用い、誘電体光導波路6にGaAsを用いる
とともに電子ビーム収束用電極9および10にAlを用い
る。この構成において、電子銃1に加速電圧3を印加す
るとともに光入力導波路7から光12を入力させると、
増幅された光13が光出力導波路8から出力される。こ
の場合、理論解析を行うと、波長λ=1.5μmの光
で、印加電圧(加速電圧Ve )3をVe =32KVと
し、電流密度JをJ=10A/cm2 とすると、光増幅
部2の長さLを2cmとした場合には、3000倍以上
の増幅率Aが得られる。
(電子銃)1および光増幅部2を構成し、誘電体基板5
に石英ガラスを用い、誘電体光導波路6にGaAsを用いる
とともに電子ビーム収束用電極9および10にAlを用い
る。この構成において、電子銃1に加速電圧3を印加す
るとともに光入力導波路7から光12を入力させると、
増幅された光13が光出力導波路8から出力される。こ
の場合、理論解析を行うと、波長λ=1.5μmの光
で、印加電圧(加速電圧Ve )3をVe =32KVと
し、電流密度JをJ=10A/cm2 とすると、光増幅
部2の長さLを2cmとした場合には、3000倍以上
の増幅率Aが得られる。
【図1】(a),(b)はそれぞれ、本発明の第1実施
形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理図および
そのA−A断面図である。
形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理図および
そのA−A断面図である。
【図2】(a),(b)はそれぞれ、本発明の第2実施
形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理図および
そのB−B断面図である。
形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理図および
そのB−B断面図である。
【図3】(a),(b)はそれぞれ、本発明の第3実施
形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理図および
そのC−C断面図である。
形態の一方向性光増幅器の基本構造を示す原理図および
そのC−C断面図である。
1 電子放射部(電子銃) 2 光増幅部 3 印加電圧(加速電圧) 4 電子ビーム 5 誘電体基板 6 誘電体光導波路 7 光入力導波路 8 光出力導波路 9,10 電子ビーム収束用電極 11 電子ビーム収束電圧 12 入射光 13 出力光 14 真空側にしみ出した光成分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−50591(JP,A) 特開 昭63−240091(JP,A) 特開 平2−106726(JP,A) 電気学会 自由電子レーザー調査専門 委員会編「自由電子レーザーとその応 用」(1990年8月18日)コロナ社 p. 1−5 電子情報通信学会技術研究報告 Vo l.97 No.360 p.39−44 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/30 G02F 1/01
Claims (6)
- 【請求項1】 電子ビームを放射する電子放射部と、該
電子放射部から放射される電子ビームから受けたエネル
ギーを利用して入力された光を一方向に増幅する光増幅
部とを真空中に配置して成る一方向性光増幅器であっ
て、 前記光増幅部は、真空中を走行する電子ビームに接する
ように電子ビーム走行方向に形成された誘電体光導波路
を有する誘電体基板と、前記誘電体光導波路を挟むよう
に対向配置された一対の電子ビーム収束用電極とから成
り、 前記誘電体光導波路は、電子ビーム走行方向に光の電界
成分を生じさせ、伝搬する光の一部を電子ビーム走行路
にしみ出させるとともに、電子ビーム走行方向の光の走
行速度を低下させるように、前記誘電体基板上に形成さ
れていることを特徴とする一方向性光増幅器。 - 【請求項2】 前記誘電体基板は、前記誘電体光導波路
の両端部にそれぞれ曲線部を介して直交方向から接続さ
れる光入力導波路および光出力導波路を具備して成るこ
とを特徴とする請求項1記載の一方向性光増幅器。 - 【請求項3】 前記誘電体基板は、前記誘電体光導波路
の両端部にそれぞれ所定角度をなすように斜め方向から
接続される光入力導波路および光出力導波路を具備して
成ることを特徴とする請求項1記載の一方向性光増幅
器。 - 【請求項4】 前記誘電体光導波路は、当該波長領域に
おいて透明性を有する高屈折率の材料であって、可視光
領域に用いる場合にはZnSe, CdS およびこれらの混晶等
のII-VI 族化合物半導体もしくはGaN 等のIII-V 族化合
物半導体より成り、マイクロ波領域から近赤外領域に用
いる場合にはSi, Ge等のIV族半導体、ZnSe, CdS および
これらの混晶等のII-VI 族化合物半導体もしくはGaAs,
InP, GaNおよびこれらの混晶等のIII-V 族化合物半導体
より成ることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記
載の一方向性光増幅器。 - 【請求項5】 前記誘電体基板は、マイクロ波領域から
可視光領域までの範囲において透明性を有する材料であ
って、石英ガラスや有機物より成ることを特徴とする請
求項1〜4の何れか1項記載の一方向性光増幅器。 - 【請求項6】 前記電子ビーム収束用電極は、Ni, Ag,
Alや各種合金等の金属材料より成ることを特徴とする請
求項1〜5の何れか1項記載の一方向性光増幅器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10231251A JP2972879B1 (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 一方向性光増幅器 |
EP99115182A EP0981190B1 (en) | 1998-08-18 | 1999-08-16 | Unidirectional optical amplifier |
DE69913619T DE69913619T2 (de) | 1998-08-18 | 1999-08-16 | Unidirektionaler optischer Verstärker |
US09/376,180 US6301041B1 (en) | 1998-08-18 | 1999-08-17 | Unidirectional optical amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10231251A JP2972879B1 (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 一方向性光増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2972879B1 true JP2972879B1 (ja) | 1999-11-08 |
JP2000068577A JP2000068577A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16920698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10231251A Expired - Lifetime JP2972879B1 (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 一方向性光増幅器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6301041B1 (ja) |
EP (1) | EP0981190B1 (ja) |
JP (1) | JP2972879B1 (ja) |
DE (1) | DE69913619T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113054397A (zh) * | 2021-03-03 | 2021-06-29 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 宽带阵列微波射频前端及雷达 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6671390B1 (en) * | 1999-10-18 | 2003-12-30 | Sport-X Inc. | Automated collection, processing and use of sports movement information via information extraction from electromagnetic energy based upon multi-characteristic spatial phase processing |
US6810141B2 (en) * | 2001-05-04 | 2004-10-26 | Photon-X, Inc. | Method for processing spatial-phase characteristics of electromagnetic energy and information conveyed therein |
KR100390642B1 (ko) | 2001-06-08 | 2003-07-07 | 학교법인 포항공과대학교 | 테라헤르츠파 전송을 위한 플라스틱 광결정 섬유 및 그제조 방법 |
US7787176B2 (en) * | 2001-09-04 | 2010-08-31 | Massachusetts Institute Of Technology | On-chip optical amplifier |
US6597487B2 (en) * | 2001-11-05 | 2003-07-22 | Ut-Battelle, Llc | Dielectric waveguide gas-filled stark shift modulator |
US6924920B2 (en) * | 2003-05-29 | 2005-08-02 | Stanislav Zhilkov | Method of modulation and electron modulator for optical communication and data transmission |
JP3950818B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2007-08-01 | アイシン精機株式会社 | 反射型テラヘルツ分光測定装置及び測定方法 |
US7626179B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-12-01 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electron beam induced resonance |
US7791290B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Ultra-small resonating charged particle beam modulator |
US7586097B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-09-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Switching micro-resonant structures using at least one director |
US7339724B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-03-04 | California Institute Of Technology | Bremsstrahlung laser (“blaser”) |
US7443358B2 (en) | 2006-02-28 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Integrated filter in antenna-based detector |
US7646991B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-01-12 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Selectable frequency EMR emitter |
US7876793B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-01-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Micro free electron laser (FEL) |
US8188431B2 (en) | 2006-05-05 | 2012-05-29 | Jonathan Gorrell | Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit |
US7732786B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam |
US7718977B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-18 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Stray charged particle removal device |
US7746532B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-29 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electro-optical switching system and method |
US7986113B2 (en) | 2006-05-05 | 2011-07-26 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Selectable frequency light emitter |
US7723698B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Top metal layer shield for ultra-small resonant structures |
US7728702B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material |
US7656094B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-02-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Electron accelerator for ultra-small resonant structures |
US7710040B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-04 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Single layer construction for ultra small devices |
US7741934B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-22 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling a signal through a window |
US7728397B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupled nano-resonating energy emitting structures |
US7679067B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-03-16 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Receiver array using shared electron beam |
US7655934B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-02 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Data on light bulb |
US7659513B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-02-09 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Low terahertz source and detector |
US7990336B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-08-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays |
US7791053B2 (en) | 2007-10-10 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures |
US12015236B2 (en) * | 2021-07-22 | 2024-06-18 | National Tsing Hua University | Dielectric-grating-waveguide free-electron laser |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3822410A (en) * | 1972-05-08 | 1974-07-02 | J Madey | Stimulated emission of radiation in periodically deflected electron beam |
US4122372A (en) * | 1977-10-11 | 1978-10-24 | Dartmouth College | Dielectrically loaded waveguide for producing high power coherent microwave radiation |
IL62609A (en) * | 1981-04-08 | 1984-12-31 | Technion Res & Dev Foundation | Electromagnetic wave amplifiers and generators |
US4511850A (en) * | 1982-01-26 | 1985-04-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Short pulse free electron laser amplifier |
US4506229A (en) * | 1982-01-26 | 1985-03-19 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Free electron laser designs for laser amplification |
US4529942A (en) * | 1982-01-29 | 1985-07-16 | At&T Bell Laboratories | Free-electron amplifier device with electromagnetic radiation delay element |
US4727550A (en) * | 1985-09-19 | 1988-02-23 | Chang David B | Radiation source |
US5268693A (en) * | 1990-08-31 | 1993-12-07 | Trustees Of Dartmouth College | Semiconductor film free electron laser |
US5263043A (en) * | 1990-08-31 | 1993-11-16 | Trustees Of Dartmouth College | Free electron laser utilizing grating coupling |
JP3072363B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2000-07-31 | 金沢大学長 | 一方向性光増幅器 |
JP2981543B2 (ja) * | 1997-10-27 | 1999-11-22 | 金沢大学長 | 電子管型一方向性光増幅器 |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231251A patent/JP2972879B1/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-16 DE DE69913619T patent/DE69913619T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-16 EP EP99115182A patent/EP0981190B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-17 US US09/376,180 patent/US6301041B1/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
電子情報通信学会技術研究報告 Vol.97 No.360 p.39−44 |
電気学会 自由電子レーザー調査専門委員会編「自由電子レーザーとその応用」(1990年8月18日)コロナ社 p.1−5 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113054397A (zh) * | 2021-03-03 | 2021-06-29 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 宽带阵列微波射频前端及雷达 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6301041B1 (en) | 2001-10-09 |
JP2000068577A (ja) | 2000-03-03 |
DE69913619D1 (de) | 2004-01-29 |
DE69913619T2 (de) | 2004-10-14 |
EP0981190A1 (en) | 2000-02-23 |
EP0981190B1 (en) | 2003-12-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |