JP2967698B2 - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents

Manufacturing method of magnetic recording medium

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JP2967698B2 JP4011795A JP4011795A JP2967698B2 JP 2967698 B2 JP2967698 B2 JP 2967698B2 JP 4011795 A JP4011795 A JP 4011795A JP 4011795 A JP4011795 A JP 4011795A JP 2967698 B2 JP2967698 B2 JP 2967698B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に使
用される磁気記録媒体の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium used in a magnetic disk drive.

【0002】[0002]

【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対す
る高記録密度記録化の要請は近年ますます厳しいものに
なっている。
2. Description of the Related Art In recent years, demands for high recording density recording on magnetic recording media such as hard disks have become increasingly severe in recent years.

【0003】ここで、一般に、ハードディスク等の磁気
記録媒体は、非磁性基板に下地膜、磁性膜及び保護膜を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行なう。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化
を実現するためには、磁性膜の高保磁力化に加えて、ヘ
ッドスライダーの低浮上走行化及びCSS(contact st
art and stop)に対する耐久性の向上等を実現すること
が重要である。すなわち、ヘッドスライダーを低浮上走
行させることによって、記録・再生の際の磁気ヘッドと
磁性膜との距離を小さくして高密度の記録・再生を可能
にする必要がある。また、この低浮上走行化させると、
ヘッドスライダーの走行開始及び停止時における摺動走
行と浮上走行との切替の繰り返し動作(CSS)の際
に、磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加わる物理的・機械
的負担が急激に増すので、このCSSにおける磁気ヘッ
ド及び磁気記録媒体の耐久性向上(以下、「高CSS
化」と略称する)も必要になる。さらには、高密度記録
化にともなって再生時のノイズ低減化もより厳しく要求
される。
Here, a magnetic recording medium such as a hard disk generally has a base film, a magnetic film, and a protective film formed sequentially on a non-magnetic substrate, on which a head slider on which a magnetic head is mounted is caused to fly. While recording and reproducing. Therefore, in order to realize high-density recording of this magnetic recording medium, in addition to increasing the coercive force of the magnetic film, the flying height of the head slider is reduced and CSS (contact staging) is performed.
It is important to improve the durability against art and stop). That is, it is necessary to reduce the distance between the magnetic head and the magnetic film at the time of recording / reproducing by allowing the head slider to travel at a low flying height, thereby enabling high-density recording / reproducing. In addition, when this low levitation traveling is made,
The physical / mechanical load applied to the magnetic head and the magnetic recording medium increases rapidly during the repetitive operation (CSS) of switching between sliding traveling and floating traveling when the head slider starts and stops traveling. The durability of magnetic heads and magnetic recording media in
). Further, with the increase in the recording density, it is also required to reduce the noise during reproduction.

【0004】ところで、現状の多くのハードディスク
は、非磁性基板としてアルミ合金基板を用い、その表面
にNiーPめっきを施して研摩した後、テクスチャー加
工を施して表面に適度の表面粗さを付与しておき、しか
る後に、下地膜、磁性膜及び保護膜等を順次スパッタ法
で形成したものである。すなわち、テクスチャー加工に
よる表面粗さに起因する凹凸が下地膜及び磁性膜を介し
て保護膜表面に表われるようにして、CSSの際にヘッ
ドスライダーが磁気記録媒体に吸着したり、あるいは、
両者の間の摩擦力が所定以上に大きくならないようにし
ている。
[0004] By the way, most hard disks at present use an aluminum alloy substrate as a non-magnetic substrate, apply Ni-P plating to the surface thereof, polish the surface, and then apply a texturing process to impart an appropriate surface roughness to the surface. After that, a base film, a magnetic film, a protective film, and the like are formed sequentially by sputtering. That is, the head slider is attracted to the magnetic recording medium at the time of CSS, so that unevenness due to the surface roughness due to texture processing appears on the surface of the protective film via the base film and the magnetic film, or
The frictional force between the two is prevented from becoming larger than a predetermined value.

【0005】また、保護膜として、ポリ珪酸やガラス質
の塗布膜を形成することによって保護膜表面に所定の表
面粗さが現れるようにした方法も提案されている(例え
ば、特公平1ー18500号公報参照)。
A method has also been proposed in which a polysilicic acid or glassy coating film is formed as a protective film so that a predetermined surface roughness appears on the protective film surface (for example, Japanese Patent Publication No. 1-18500). Reference).

【0006】さらに、最近になって、高記録密度化がよ
り容易に実現できる可能性の高いものとして、非磁性基
板にガラス基板を用いた磁気記録媒体が注目されてい
る。これは、ガラスが、最近のハードディスクの小径・
薄板化に対応できる十分な硬度を有する等の物理的・化
学的耐久性に優れ、しかも、その表面を比較的容易に高
い平面精度に形成できる性質を有していることが高記録
密度化実現により適していることがわかってきたためで
ある。
Further, recently, a magnetic recording medium using a glass substrate as a non-magnetic substrate has been attracting attention as a device which is likely to be able to easily achieve a higher recording density. This is due to the fact that glass is
High recording density is achieved due to its excellent physical and chemical durability, such as having sufficient hardness to cope with thinning, and the ability to form its surface relatively easily and with high planar accuracy. Because it has been found to be more suitable.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気記録媒
体の高密度記録化に必要な磁性膜の高保磁力化、ヘッド
スライダーの低浮上走行化及び高CSS化等を実現する
ためには、基板上に形成される各膜の磁気特性等の基本
的特性を向上させる必要があることは勿論のこと、各膜
の物理的強度、平滑性、各膜どうしの付着力等の向上も
要求されるが、上述の従来の磁気記録媒体はいずれもこ
の様な特性の向上には一定の限界が生じていた。
By the way, in order to realize a high coercive force of a magnetic film, a low flying running of a head slider, a high CSS and the like required for a high density recording of a magnetic recording medium, it is necessary to use a substrate. It is necessary not only to improve the basic characteristics such as the magnetic characteristics of each film formed on the substrate, but also to improve the physical strength, smoothness, adhesion of each film, etc. However, in the above-described conventional magnetic recording media, there is a certain limit in improving such characteristics.

【0008】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、高保磁力化、低浮上走行化及び高CSS化を
より容易に実現できる磁気記録媒体及びその製造方法を
提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above background, and has as its object to provide a magnetic recording medium capable of easily realizing a high coercive force, a low flying height, and a high CSS, and a method of manufacturing the same. The purpose is.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、 (構成1) 非磁性基板上に、少なくとも下地層、磁性
層及び保護層を含む層を形成する工程を有する磁気記録
媒体の製造方法において、前記非磁性基板はガラス基板
であり、前記磁性層は、CoNiCrTa系の磁性層で
あり、前記磁性層形成後に該磁性層と前記保護層との間
に中間層を形成する中間層形成工程を有し、前記保護層
形成工程は、前記中間層上に保護層の原料を塗布して加
熱・硬化させる処理を含むものであり、前記保護層形成
処理中又は保護層形成後に250〜400℃の温度で基
板を加熱する加熱工程を有することを特徴とする構成と
し、(構成2) 前記磁性層がCo 100-a-b-c Ni a Cr b
Ta c (但し、a、b、cは原子%を示し、20≦a≦
b、6.5≦b≦10、0.3≦c≦1.7である)で
あることを特徴とする構成とし、 構成1又は2の態様と
して、 (構成) 前記中間層は膜厚が20〜200オングス
トロームのCr層又はCrーY系(ただし、Yは、M
o、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1又は2以
上とする)の層であることを特徴とする構成とし、構成
〜3の態様として、 (構成) 前記下地層が、前記基板に接する側に形成
されたAl、Si、Pb、Cu、In又はGaのいずれ
か1又は2以上を主たる成分とする第1下地層と、この
第1下地層の上に形成されたCrからなる第2下地層と
を有するものであることを特徴とする構成とし、構成
の態様として、 (構成) 前記第1下地層の厚さが10〜100オン
グストロームであることを特徴とする構成としたもので
ある。
In order to solve the above-mentioned problems, a method for manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention comprises: (Constitution 1) A non-magnetic substrate includes at least an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer. In the method for manufacturing a magnetic recording medium having a step of forming a layer, the nonmagnetic substrate is a glass substrate, the magnetic layer is a CoNiCrTa-based magnetic layer, and the magnetic layer and the protective layer are formed after the magnetic layer is formed. And an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer between the protective layer, the protective layer forming step includes a step of applying a raw material of the protective layer on the intermediate layer and heating and curing the intermediate layer. A heating step of heating the substrate at a temperature of 250 to 400 ° C. during the layer formation process or after the formation of the protective layer, wherein (Structure 2) the magnetic layer is Co 100-abc Ni a Cr b
Ta c (where a, b, and c represent atomic%, and 20 ≦ a ≦
b, 6.5 ≦ b ≦ 10, 0.3 ≦ c ≦ 1.7)
A configuration wherein there, as an embodiment of the structure 1 or 2, (Structure 3) wherein the intermediate layer is Cr layer having a thickness of 20 to 200 Angstroms or Cr-Y system (wherein, Y is, M
o, Zr, B, W, Ta, or Si). As an aspect of Configurations 1 to 3 , (Configuration 4 ) A first underlayer mainly composed of any one or more of Al, Si, Pb, Cu, In or Ga formed on the side in contact with the substrate; and a Cr formed on the first underlayer. it is intended that a second underlying layer made of a structure, wherein the structure 4
As a mode of the present invention, (Structure 5 ) The structure is characterized in that the thickness of the first underlayer is 10 to 100 Å.

【0010】[0010]

【作用】上述の構成1によれば、非磁性基板としてガラ
ス基板を用い、磁性層がCoNiCrTa系の磁性層で
あり、磁性層形成後に該磁性層と前記保護層との間に中
間層を形成する中間層形成工程を有し、また、保護層形
成工程は前記中間層上に液状母材に硬質微粒子が分散さ
れた保護層の原料を塗布して加熱・硬化させる処理を含
むものであり、保護層形成処理中又は保護層形成後に2
50〜400℃の温度で基板を加熱する加熱工程を有す
ることによって、磁性膜の高保磁力化を図ることができ
ると同時に、磁性膜と保護膜との密着性や膜付着力の向
上及び各膜の強度の向上が可能となり、ヘッドスライダ
ーの低浮上走行化及び高CSS化等がより高いレベルで
実現可能となって、磁気記録媒体のさらなる高密度記録
化が可能になった。
According to the above configuration 1, a glass substrate is used as the nonmagnetic substrate, the magnetic layer is a CoNiCrTa-based magnetic layer, and an intermediate layer is formed between the magnetic layer and the protective layer after the formation of the magnetic layer. The intermediate layer forming step, the protective layer forming step includes a step of applying a raw material of a protective layer in which hard fine particles are dispersed in a liquid base material on the intermediate layer, heating and curing, During the protective layer forming process or after forming the protective layer, 2
By having a heating step of heating the substrate at a temperature of 50 to 400 ° C., the coercive force of the magnetic film can be increased, and at the same time, the adhesion between the magnetic film and the protective film and the film adhesion can be improved and each film can be improved. , The flying height and the CSS of the head slider can be reduced to a higher level, and the recording density of the magnetic recording medium can be further increased.

【0011】ここで、加熱工程における加熱温度を25
0〜400℃としたのは、250℃未満では十分な保磁
力向上効果や保護膜の膜強度が得られず、400℃を越
える温度にすると、磁化・膜厚積が低くなってしまうか
らである。
Here, the heating temperature in the heating step is set to 25.
The reason why the temperature is set to 0 to 400 ° C. is that if the temperature is lower than 250 ° C., a sufficient coercive force improvement effect and the film strength of the protective film cannot be obtained, and if the temperature exceeds 400 ° C., the magnetization / thickness product decreases. is there.

【0012】この場合、構成のように、中間層は膜厚
20〜200オングストロームのCr層又はCrーY系
(ただし、Yは、Mo、Zr、B、W、Ta又はSiの
いずれか1又は2以上とする)の層であることが望まし
い。膜厚が20オングストローム未満にすると保磁力が
低下し、200オングストロームを越えるものにする
と、記録・再生の際に磁性膜とヘッドとの距離が遠くな
って感度低下が著しくなる。
In this case, as in Configuration 3 , the intermediate layer is a Cr layer having a thickness of 20 to 200 angstroms or a Cr-Y type (where Y is one of Mo, Zr, B, W, Ta or Si). Or two or more). If the film thickness is less than 20 angstroms, the coercive force will be reduced, and if it exceeds 200 angstroms, the distance between the magnetic film and the head will be too long during recording / reproducing, causing a significant decrease in sensitivity.

【0013】また、構成のように、下地層を比較的低
融点の金属からなる第1下地層と、この第1下地層の上
に形成されるCrからなる第2下地層によって構成する
ことによって、第2下地層の上に形成される磁性層の結
晶構造を良好なものにして保磁力等の磁気特性をより向
上させることが可能になる。
Further, as in Configuration 4 , the underlayer is constituted by a first underlayer made of a metal having a relatively low melting point and a second underlayer made of Cr formed on the first underlayer. This makes it possible to improve the crystal structure of the magnetic layer formed on the second underlayer and improve the magnetic properties such as coercive force.

【0014】この場合、構成のように、第1下地層の
膜厚を10〜100オングストロームとすることが望ま
しい。10オングストローム未満にすると、保磁力が小
さくなると同時にノイズが増大し、100オングストロ
ームを越えるものにすると再生出力が低下する。
In this case, it is desirable that the thickness of the first underlayer be 10 to 100 Å, as in the fifth aspect . If the thickness is less than 10 angstroms, the coercive force decreases and noise increases, and if it exceeds 100 angstroms, the reproduction output decreases.

【0015】[0015]

【実施例】【Example】

(実施例1)図1は本発明の実施例1にかかる磁気記録
媒体の製造方法で製造された磁気記録媒体の構成を示す
模式的断面図である。以下、図1を用いてまず実施例1
にかかる製造方法で製造した磁気記録媒体を説明し、次
に実施例1の磁気記録媒体の製造方法を説明する。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic sectional view showing the configuration of a magnetic recording medium manufactured by a method for manufacturing a magnetic recording medium according to Embodiment 1 of the present invention. Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIG.
Next, a magnetic recording medium manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment will be described, and then a method for manufacturing the magnetic recording medium of the first embodiment will be described.

【0016】図1に示されるように、この実施例の製造
方法で製造した磁気記録媒体は、要するに、ガラス基板
1の上に、順次、第1下地層2、第2下地層3、第3下
地層4、磁性層5、中間層6、保護層7及び潤滑層8を
形成した磁気ディスクである。
As shown in FIG. 1, the magnetic recording medium manufactured by the manufacturing method of this embodiment is, in short, a first underlayer 2, a second underlayer 3, and a third underlayer 3 sequentially on a glass substrate 1. This is a magnetic disk on which an underlayer 4, a magnetic layer 5, an intermediate layer 6, a protective layer 7, and a lubricating layer 8 are formed.

【0017】ガラス基板1は、化学強化ガラスを、外径
65mmφ、中心部の穴径25mmφ、厚さ0.9mm
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRm
axで30オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。
The glass substrate 1 is made of chemically strengthened glass having an outer diameter of 65 mmφ, a central hole diameter of 25 mmφ, and a thickness of 0.9 mm.
And the two main surfaces have a surface roughness of Rm.
It is precisely polished so that ax is 30 angstroms.

【0018】ここで、ガラス基板1を構成する化学強化
ガラスとしては、主たる成分として重量%で、SiO2
が62〜75%、Al2 3 が5〜15%、LiO2
4〜10%、Na2 Oが4〜12%、ZrO2 が5.5
〜15%それぞれ含有するとともに、Na2 O/ZrO
2 の重量比が0.5〜2.0、Al2 3 /ZrO2
重量比が0.4〜2.5である化学強化用ガラスを、N
aイオン及び/又はKイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの(詳しくは、特開平5ー
32431号公報参照)を用いた。
Here, as a chemically strengthened glass constituting the glass substrate 1, SiO 2 is used as a main component in weight%.
There 62~75%, Al 2 O 3 is 5 to 15%, LiO 2 is 4~10%, Na 2 O is 4 to 12%, ZrO 2 5.5
-15% each, and Na 2 O / ZrO
The glass for chemical strengthening in which the weight ratio of Al 2 O 3 / ZrO 2 is 0.4 to 2.5 and the weight ratio of
What was chemically strengthened by ion exchange treatment in a treatment bath containing a ion and / or K ion (for details, see JP-A-5-32431) was used.

【0019】第1下地層2は、厚さ約60オングストロ
ームのAlの薄膜である。
The first underlayer 2 is an Al thin film having a thickness of about 60 angstroms.

【0020】第2下地膜3は、厚さ約600オングスト
ロームのCr膜である。
The second underlayer 3 is a Cr film having a thickness of about 600 angstroms.

【0021】第3下地層4は、厚さ約1200オングス
トロームのCr膜である。
The third underlayer 4 is a Cr film having a thickness of about 1200 angstroms.

【0022】磁性層5は、厚さ約800オングストロー
ムのCoNiCrTa膜である。ここで、CoNiCr
Ta膜の組成は、原子(at)%比で、Co:Ni:C
r:Ta=66:25:8:1(a=25、b=8、c
=1)の組成を有している。
The magnetic layer 5 is a CoNiCrTa film having a thickness of about 800 Å. Here, CoNiCr
The composition of the Ta film is expressed as Co: Ni: C in atomic (at) % ratio.
r: Ta = 66: 25: 8: 1 (a = 25, b = 8, c
= 1).

【0023】中間層6は、磁性層5の上に形成された厚
さ約50オングストロームのCr層である。
The intermediate layer 6 is a Cr layer having a thickness of about 50 Å formed on the magnetic layer 5.

【0024】保護層7は、シリコン酸化物(ポリケイ
酸)膜7a中にシリカ(SiO2 )微粒子7bが分散さ
れ、表面にこのシリカ微粒子に起因する凹凸が表れてい
るものである。シリカ微粒子7bの存在しない部分のシ
リコン酸化物膜7aの膜厚は約100オングストローム
である。また、シリカ微粒子7bは、平均粒径が約12
0オングストロームである。なお、ここで、シリカ微粒
子の平均粒径とは、シリカ微粒子の平均的な大きさ、す
なわち、球状及び球でない形状のシリカ微粒子を含めて
一群のシリカ微粒子の径を測定して平均した大きさを意
味する。
In the protective layer 7, silica (SiO 2 ) fine particles 7b are dispersed in a silicon oxide (polysilicic acid) film 7a, and irregularities due to the silica fine particles appear on the surface. The thickness of the silicon oxide film 7a where the silica fine particles 7b are not present is about 100 Å. The silica fine particles 7b have an average particle size of about 12
0 Angstrom. Here, the average particle size of the silica fine particles is the average size of the silica fine particles, that is, the average size obtained by measuring the diameter of a group of silica fine particles including the spherical and non-spherical silica fine particles. Means

【0025】潤滑層6は、パーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001
がある)を浸漬法により、保護膜5上に塗布して膜厚約
20オングストロームに形成したものである。
The lubricating layer 6 is made of a lubricant made of perfluoropolyether (for example, AM2001 manufactured by Montezison).
Is coated on the protective film 5 by an immersion method to form a film having a thickness of about 20 angstroms.

【0026】潤滑層8は、パーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001
がある)を浸漬法により、保護層7上に塗布して膜厚約
20オングストロームに形成したものである。
The lubricating layer 8 is made of a lubricant made of perfluoropolyether (for example, AM2001 manufactured by Montezison).
Is applied on the protective layer 7 by an immersion method to form a film having a thickness of about 20 angstroms.

【0027】次に、上述の実施例の磁気記録媒体の製造
方法を説明する。
Next, a method of manufacturing the magnetic recording medium of the above embodiment will be described.

【0028】まず、化学強化ガラスを、外径65mm
φ、中心部の穴径25mmφ、厚さ0.9mmのディス
ク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRmaxで3
0オングストロームとなるように精密研磨してガラス基
板1を得る。
First, a chemically strengthened glass having an outer diameter of 65 mm was used.
φ, a central hole diameter of 25 mmφ, and a thickness of 0.9 mm are formed in a disk shape, and both main surfaces have a surface roughness of Rmax 3
The glass substrate 1 is obtained by precision polishing so as to have a thickness of 0 Å.

【0029】次に、上記ガラス基板1に、該ガラス基板
1の加熱処理、第1下地層2の成膜、第2下地層3の成
膜、第3下地層4の成膜、磁性層5の成膜及び中間層6
の成膜の各工程をインラインスパッタ装置を用いて連続
的に行う。
Next, the glass substrate 1 is subjected to a heat treatment, a first underlayer 2, a second underlayer 3, a third underlayer 4, and a magnetic layer 5. And intermediate layer 6
Are successively performed using an in-line sputtering apparatus.

【0030】インラインスパッタ装置としては、周知の
インライン型のDCマグネトロンスパッタ装置を用い
た。図示しないが、このインラインスパッタ装置は、搬
送方向に向かって、基板加熱ヒータが設けられた第1の
チャンバー、Alターゲット及びCrターゲットが順次
設置された第2のチャンバー、Crターゲット及びCo
NiCrTaターゲットが順次設置された第3のチャン
バー、並びに、Crターゲットが設置された第4のチャ
ンバーがそれぞれ設けられたものである。
As the in-line sputtering apparatus, a well-known in-line type DC magnetron sputtering apparatus was used. Although not shown, the in-line sputtering apparatus includes a first chamber provided with a substrate heater, a second chamber provided with an Al target and a Cr target sequentially, a Cr target and a Co
A third chamber in which NiCrTa targets are sequentially installed and a fourth chamber in which Cr targets are installed are provided.

【0031】そして、ガラス基板1をロードロック室を
介して第1のチャンバー内に導入すると、該ガラス基板
1は、所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次
々と所定の一定の速度で搬送され、その間に以下の成膜
や処理がなされる。
Then, when the glass substrate 1 is introduced into the first chamber via the load lock chamber, the glass substrate 1 is successively conveyed in each chamber at a predetermined constant speed by a predetermined conveying device. In the meantime, the following film formation and processing are performed.

【0032】すなわち、まず、第1のチャンバー内で
は、基板を375℃で加熱する処理がなされる。第2の
チャンバー内では、第1下地層2たる膜厚60オングス
トロームのAl膜及び第2下地層3たる膜厚600オン
グストロームのCr膜が順次成膜される。第3のチャン
バー内では、第3下地層4たる膜厚1200オングスト
ロームのCr膜及び磁性層5たる膜厚800オングスト
ロームのCoNiCrTa膜が順次成膜される。第4の
チャンバー内では、中間層6を構成する膜厚50オング
ストロームのCr膜6が成膜される。なお、上記各チャ
ンバー内は1×10-5Torr以下の圧力まで減圧さ
れ、スパッタガスとしてアルゴンが用いられる。スパッ
タガス圧は、第2のチャンバー内では5mTorr、第
3のチャンバー内では2mTorr、第4のチャンバー
内では5mTorrである。
That is, first, in the first chamber, a process of heating the substrate at 375 ° C. is performed. In the second chamber, an Al film having a thickness of 60 Å as the first underlayer 2 and a Cr film having a thickness of 600 Å as the second underlayer 3 are sequentially formed. In the third chamber, a Cr film having a thickness of 1200 Å as the third underlayer 4 and a CoNiCrTa film having a thickness of 800 Å as the magnetic layer 5 are sequentially formed. In the fourth chamber, a 50 angstrom thick Cr film 6 constituting the intermediate layer 6 is formed. The pressure in each chamber is reduced to a pressure of 1 × 10 −5 Torr or less, and argon is used as a sputtering gas. The sputtering gas pressure is 5 mTorr in the second chamber, 2 mTorr in the third chamber, and 5 mTorr in the fourth chamber.

【0033】このようにして、中間層6まで形成した基
板をインラインスパッタ装置から取り出してこの中間層
6の上に保護層7を形成する。
Thus, the substrate formed up to the intermediate layer 6 is taken out from the in-line sputtering apparatus, and the protective layer 7 is formed on the intermediate layer 6.

【0034】保護層7の形成は、硬質微粒子を分散させ
た液状物中に中間層6の表面を接触させて該液状物を塗
布し、基板全体に加熱処理を施して硬化させる。この場
合、この液状物は、有機シリコン化合物としてのテトラ
エトキシシラン(Si(OC2 5 4 )と、平均粒径
が約100オングストローム(コールターカウンター社
製粒度分布測定機コールターカウンターN4での測定
値)のシリカ微粒子と、水と、イソプロピルアルコール
とを重量比で、10:0.3:3:500の割合で混合
したシリカ微粒子を含む有機シリコン化合物溶液であ
る。また、液状物塗布後の加熱処理は、約280℃の温
度で加熱する処理である。これにより、シリコン酸化物
(ポリケイ酸)膜7a中にシリカ微粒子7bが分散され
た保護層7が得られる。この例の場合、シリカ微粒子7
aの存在しない部分の膜厚は約100オングストローム
である。
The protective layer 7 is formed by bringing the surface of the intermediate layer 6 into contact with a liquid in which hard fine particles are dispersed, applying the liquid, and subjecting the entire substrate to heat treatment and curing. In this case, this liquid was measured with tetraethoxysilane (Si (OC 2 H 5 ) 4 ) as an organosilicon compound and an average particle size of about 100 Å (a Coulter Counter N4 particle size distribution analyzer). (Value), water and isopropyl alcohol at a weight ratio of 10: 0.3: 3: 500. The heat treatment after the application of the liquid material is a treatment of heating at a temperature of about 280 ° C. Thereby, the protective layer 7 in which the silica fine particles 7b are dispersed in the silicon oxide (polysilicic acid) film 7a is obtained. In the case of this example, silica fine particles 7
The film thickness of the portion where a does not exist is about 100 angstroms.

【0035】次いで、保護層7の表面に、スピンコート
法によってパーフルオロポリエーテルを塗布し、厚さ2
0オングストロームの潤滑層8を形成して実施例1にか
かる磁気記録媒体を得る。
Next, perfluoropolyether is applied to the surface of the protective layer 7 by spin coating, and a thickness of 2
The lubrication layer 8 of 0 Å is formed to obtain the magnetic recording medium according to the first embodiment.

【0036】(実施例2〜4)上述の実施例1における
保護層7の形成工程における加熱処理温度のみを変え
て、400℃、330℃、250℃としたものを、それ
ぞれ実施例2,3,4とした。
(Embodiments 2 to 4) In Embodiments 2 and 3 above, only the heat treatment temperature in the step of forming the protective layer 7 in Embodiment 1 was changed to 400 ° C., 330 ° C., and 250 ° C. , 4.

【0037】(実施例5)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=66.7:
25:8:0.3にかえた外は実施例1と同一の構成
(加熱処理温度;280℃)を有するものを実施例5と
した。
(Example 5) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 66.7:
Except that the ratio was changed to 25: 8: 0.3, Example 5 had the same configuration (heat treatment temperature: 280 ° C.) as Example 1.

【0038】(実施例6)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=65.3:
25:8:1.7に変えた外は実施例1と同一の構成
(加熱温度;280℃)を有するものを実施例6とし
た。
(Embodiment 6) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Embodiment 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 65.3:
Except that the ratio was changed to 25: 8: 1.7, Example 6 had the same configuration (heating temperature; 280 ° C.) as Example 1.

【0039】(実施例7)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=67.5:
25:6.5:1に変え、かつ、保護層7の形成時の加
熱処理温度を350℃に変えた外は実施例1と同一の構
成を有するものを実施例7とした。
(Embodiment 7) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-described embodiment 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 67.5:
Example 7 was the same as Example 1 except that the ratio was changed to 25: 6.5: 1 and the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 350 ° C.

【0040】(実施例8)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=64:2
5:10:1に変え、かつ、保護層7の形成時の加熱処
理温度を250℃に変えた外は実施例1と同一の構成を
有するものを実施例8とした。
(Embodiment 8) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Embodiment 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 64: 2.
Example 8 was the same as Example 1 except that the ratio was changed to 5: 10: 1 and the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 250 ° C.

【0041】(実施例9)上述の実施例1における磁性
層5の組成比のみを、Co:Ni:Cr:Ta=71:
20:8:1に変えた外は実施例1と同一の構成を有す
る(加熱処理温度;280℃)ものを実施例9とした。
(Embodiment 9) Only the composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-described embodiment 1 was determined by using the following formula: Co: Ni: Cr: Ta = 71:
Except that the ratio was changed to 20: 8: 1, Example 9 had the same configuration as that of Example 1 (heat treatment temperature: 280 ° C.).

【0042】(実施例10)上述の実施例1における磁
性層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=61:3
0:8:1に変え、かつ、保護層7の形成時の加熱処理
温度を340℃に変えた外は実施例1と同一の構成を有
するものを実施例10とした。
(Embodiment 10) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-described embodiment 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 61: 3.
Example 10 was the same as Example 1 except that the ratio was changed to 0: 8: 1 and the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 340 ° C.

【0043】(実施例11〜14)上述の実施例1にお
ける中間層6の厚さを30オングストローム、100オ
ングストローム、150オングストローム、200オン
グストロームにそれぞれ変えた外は実施例1と同一の構
成を有するものを実施例11,12,13,14とし
た。
(Examples 11 to 14) The same structure as in Example 1 except that the thickness of the intermediate layer 6 in Example 1 was changed to 30 Å, 100 Å, 150 Å, and 200 Å. Were defined as Examples 11, 12, 13, and 14.

【0044】(実施例15〜18)上述の実施例1にお
ける第1下地層2の厚さを10オングストローム、30
オングストローム、50オングストローム、100オン
グストロームにそれぞれ変えた外は実施例1と同一の構
成を有するものを実施例15,16,17,18とし
た。
(Embodiments 15 to 18) The thickness of the first underlayer 2 in the above-mentioned Embodiment 1 was set to 10 Å, 30
Embodiments 15, 16, 17, and 18 have the same configuration as Embodiment 1 except that they are changed to Å, 50 Å, and 100 Å, respectively.

【0045】(比較例1〜2)上述の実施例1における
保護層7の形成時の加熱処理温度のみを220℃、18
0℃(いずれも250℃未満)に変えた外は実施例1と
同一の構成を有するものを、それぞれ比較例1,2とし
た。
(Comparative Examples 1 and 2) Only the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 in Example 1 was 220 ° C.
Except that the temperature was changed to 0 ° C. (both were less than 250 ° C.), Comparative Examples 1 and 2 were the same as those of Example 1 except for the same configuration.

【0046】(比較例3)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=66.8:
25:8:0.2(Taが0.3%未満)に変え、か
つ、保護層7の形成時の加熱処理温度を260℃に変え
た外は実施例1と同一の構成を有するものを比較例3と
した。
(Comparative Example 3) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 66.8:
25: 8: 0.2 (Ta is less than 0.3%) and the same structure as in Example 1 except that the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 260 ° C. Comparative Example 3 was used.

【0047】(比較例4)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=65:2
5:8:2(Taが1.7%を越える)に変え、かつ、
保護層7の形成時の加熱処理温度を270℃に変えた外
は実施例1と同一の構成を有するものを比較例4とし
た。
(Comparative Example 4) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 65: 2.
5: 8: 2 (Ta exceeds 1.7%) and
Comparative Example 4 was the same as Example 1 except that the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 270 ° C.

【0048】(比較例5)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=68:2
5:6:1(Crが6.5%未満)に変え、かつ、保護
層7の形成時の加熱処理温度を310℃に変えた外は実
施例1と同一の構成を有するものを比較例5とした。
(Comparative Example 5) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 68: 2.
5: 6: 1 (Cr less than 6.5%) and the same configuration as in Example 1 except that the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 310 ° C. Comparative Example It was set to 5.

【0049】(比較例6)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=63:2
5:11:1(Crが10%を越える)に変え、かつ、
保護層7の形成時の加熱処理温度を275℃に変えた外
は実施例1と同一の構成を有するものを比較例6とし
た。
(Comparative Example 6) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 63: 2.
5: 11: 1 (Cr exceeds 10%) and
Comparative Example 6 was the same as Example 1 except that the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was changed to 275 ° C.

【0050】(比較例7)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=73:1
8:8:1(Niが20%未満)に変えた外は実施例1
と同一の構成を有する(加熱処理温度;280℃)もの
を比較例7とした。
(Comparative Example 7) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 73: 1.
Example 1 except that the ratio was changed to 8: 8: 1 (Ni was less than 20%).
Comparative Example 7 having the same configuration as that of Example 1 (heat treatment temperature: 280 ° C.).

【0051】(比較例8)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr:Ta=58:3
5:8:1(Niが30%を越える)に変えた外は実施
例1と同一の構成を有する(加熱処理温度;280℃)
ものを比較例8とした。
(Comparative Example 8) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Example 1 was changed to Co: Ni: Cr: Ta = 58: 3.
Except that the ratio was changed to 5: 8: 1 (Ni exceeds 30%), it has the same configuration as in Example 1 (heat treatment temperature: 280 ° C.).
This was designated as Comparative Example 8.

【0052】(比較例9〜10)上述の実施例1におけ
る保護層7の形成時の加熱処理温度のみを430℃、4
50℃(いずれも400℃を越える)に変えた外は実施
例1と同一の構成を有するものを、それぞれ比較例9,
10とした。
(Comparative Examples 9 to 10) Only the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 in Example 1 was 430 ° C.
Except that the temperature was changed to 50 ° C. (both exceeding 400 ° C.), those having the same configuration as in Example 1 were compared with Comparative Example 9 and Comparative Example 9, respectively.
It was set to 10.

【0053】(比較例11〜12)上述の実施例1にお
ける中間層6の厚さを15オングストローム(20オン
グストローム未満)、250オングストローム(200
オングストロームを越える)にそれぞれ変え、かつ、保
護層7の形成時の加熱処理温度を共に310℃に変えた
外は実施例1と同一の構成を有するものをそれぞれ比較
例11,12とした。
(Comparative Examples 11 to 12) The thickness of the intermediate layer 6 in Example 1 was set to 15 Å (less than 20 Å) and 250 Å (200 Å).
Comparative Examples 11 and 12, respectively, except that the heat treatment temperature during the formation of the protective layer 7 was changed to 310 ° C.

【0054】(比較例13〜14)上述の実施例1にお
ける第1下地層2の厚さを5オングストローム(10オ
ングストローム未満)、150オングストローム(10
0オングストロームを越える)にそれぞれ変え、かつ、
保護層7の形成時の加熱処理温度を共に310℃に変え
た外は実施例1と同一の構成を有するものをそれぞれ比
較例13,14とした。
(Comparative Examples 13 and 14) The thickness of the first underlayer 2 in Example 1 was set to 5 Å (less than 10 Å) and 150 Å (10 Å).
0 Angstroms), and
Except that the heat treatment temperature at the time of forming the protective layer 7 was both changed to 310 ° C., those having the same configuration as in Example 1 were used as Comparative Examples 13 and 14, respectively.

【0055】図2は上述の実施例1〜18の磁気記録媒
体の特性を測定した結果を表にして示した図であり、図
3は比較例1〜14の磁気記録媒体の特性を測定した結
果を表にして示した図である。
FIG. 2 is a table showing the results of measuring the characteristics of the magnetic recording media of Examples 1 to 18 described above, and FIG. 3 shows the characteristics of the magnetic recording media of Comparative Examples 1 to 14. It is the figure which showed the result as a table.

【0056】なお、保磁力(Hc)の測定は、製造した
磁気記録媒体から8mmφの試料を切り出して、膜面方
向に磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印
加磁場10kOeで測定した。
The coercive force (Hc) was measured by cutting a sample of 8 mmφ from the manufactured magnetic recording medium, applying a magnetic field in the direction of the film surface, and measuring the maximum externally applied magnetic field of 10 kOe using a vibrating sample magnetometer. .

【0057】また、記録再生特性(再生出力及び媒体ノ
イズ)の測定は、次のようにして行った。すなわち、得
られた磁気ディスクを用いて、磁気ヘッド浮上量が0.
55μmの薄膜ヘッドを用い、薄膜ヘッドと磁気ディス
クの相対速度を6m/sで、線記録密度70kfcl
(1インチあたり70,000ビットの線記録密度)に
おける記録再生出力を測定した。また、キャリア周波数
8.5MHzで、測定帯域を15MHzとしてスペクト
ルアナライザーにより信号記録再生時のノイズスペクト
ラムを測定した。本測定に用いた薄膜ヘッドは、コイル
ターン数50、トラック幅6μm、磁気ヘッドギャップ
長0.25μmである。
The recording / reproducing characteristics (reproducing output and medium noise) were measured as follows. That is, using the obtained magnetic disk, the flying height of the magnetic head is set to 0.
Using a 55 μm thin film head, the relative speed between the thin film head and the magnetic disk was 6 m / s, and the linear recording density was 70 kfcl.
The recording / reproducing output at (a linear recording density of 70,000 bits per inch) was measured. The noise spectrum at the time of signal recording and reproduction was measured by a spectrum analyzer with a carrier frequency of 8.5 MHz and a measurement band of 15 MHz. The thin film head used in this measurement has 50 coil turns, a track width of 6 μm, and a magnetic head gap length of 0.25 μm.

【0058】図2の表から明らかなように、保護層7の
形成工程における加熱処理温度が250〜400℃であ
り、かつ、成膜される磁性層5の組成がCo100-a-b-c
Nia Crb Tac (但し、a,b,cは原子(at)
%を示し、20≦a≦30、6.5≦b≦10、0.3
≦c≦1.7である)であり、かつ、第1下地層2の厚
さが10〜100オングストロームで、中間層6の厚さ
が20〜200オングストロームである実施例1〜18
の場合には、得られた磁気記録媒体は、全て、保磁力が
1680 Oe以上、再生出力が175μV以上、媒体
ノイズが2.8μVrms以下であるという優れた特性
を有していることがわかる。
As is clear from the table of FIG. 2, the heat treatment temperature in the step of forming the protective layer 7 is 250 to 400 ° C., and the composition of the magnetic layer 5 to be formed is Co 100-abc
Ni a Cr b T ac (where a, b, and c are atoms (at)
%, 20 ≦ a ≦ 30, 6.5 ≦ b ≦ 10, 0.3
≦ c ≦ 1.7), the thickness of the first underlayer 2 is 10 to 100 Å, and the thickness of the intermediate layer 6 is 20 to 200 Å.
In the case of the above, all the obtained magnetic recording media have excellent characteristics such as a coercive force of 1680 Oe or more, a reproduction output of 175 μV or more, and a medium noise of 2.8 μVrms or less.

【0059】これに対して、図2と図3の表を比較する
と明らかなように、磁性層5の組成、保護層7の形成工
程における加熱処理温度、第1下地層2の厚さ及び中間
層6の厚さのいずれか1又は2以上が上記範囲にない場
合である比較例1〜14では、保磁力、再生出力又はノ
イズのいずれか1又は2以上の特性が実施例に比較して
劣っている。
On the other hand, as is clear from the comparison between the tables of FIG. 2 and FIG. 3, the composition of the magnetic layer 5, the heat treatment temperature in the process of forming the protective layer 7, the thickness of the first underlayer 2 and the intermediate In Comparative Examples 1 to 14, in which any one or two or more of the thickness of the layer 6 is not in the above range, any one or more of the properties of the coercive force, the reproduction output, and the noise are compared with those of the examples. Inferior.

【0060】以上実施例により本発明を説明してきた
が、本発明は以下の変形例及び応用例を含むものであ
る。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention includes the following modifications and application examples.

【0061】上述の実施例では、基板として、アルミノ
シリケート系の化学強化ガラスを用いた例を掲げたが、
ボロシリケート、アルミノボロシリケート、石英ガラ
ス、ソーダライムガラス等の他のガラスを使用すること
ができる。これらは、その表面を表面粗さがRmaxで
100オングストローム以下に容易に研摩して仕上げる
ことができるものである。また、基板の外径をより小径
にしまた厚さを薄くしてもよい。
In the above-described embodiment, an example in which an aluminosilicate-based chemically strengthened glass is used as the substrate has been described.
Other glasses such as borosilicate, aluminoborosilicate, quartz glass, soda lime glass, etc. can be used. These can be easily polished and finished to have a surface roughness of 100 angstrom or less in Rmax. Further, the outer diameter of the substrate may be made smaller and the thickness may be made thinner.

【0062】また、実施例では、第1下地層がAlであ
る場合を掲げたが、これは、Si、Pb、Cu、In又
はGaのいずれか1又は2以上を主たる成分とするもの
でもよい。
Further, in the embodiment, the case where the first underlayer is made of Al is described, but this may be one in which one or more of Si, Pb, Cu, In or Ga is a main component. .

【0063】また、実施例では、第2下地層がCrであ
る場合を掲げたが、これは、TiW、Mo、Ti、T
a、W、Zr、Cu、A、Zn、In、Sn等の非磁性
材料を用いることができる。なお、これら下地層は2層
以上で構成したものでもよい。
In the embodiment, the case where the second underlayer is made of Cr is cited, but this is because TiW, Mo, Ti, T
Non-magnetic materials such as a, W, Zr, Cu, A, Zn, In, and Sn can be used. Note that these underlayers may be composed of two or more layers.

【0064】なお、下地層、磁性層、中間層等の形成
は、インラインスパッタ装置でなく、通常のスパッタ装
置を用いて形成できることは勿論である。
The underlayer, the magnetic layer, the intermediate layer and the like can be formed not by using an in-line sputtering apparatus but by using an ordinary sputtering apparatus.

【0065】また、実施例では、中間層をCrで構成す
る例を掲げたが、中間層としては、Cr層の代わりに、
他の材料を用いてもよく、その例として、Mo、Ti、
TiW、CrMo、Ta、W、Si、Ge等の非磁性材
料、あるいはこれらの酸化物、窒化物、炭化物等を用い
てもよい。また、この層を2層以上の層にしてもよい。
In the embodiment, the example in which the intermediate layer is made of Cr has been described.
Other materials may be used, such as Mo, Ti,
Non-magnetic materials such as TiW, CrMo, Ta, W, Si, and Ge, or oxides, nitrides, carbides, and the like thereof may be used. Further, this layer may be two or more layers.

【0066】さらに、実施例では潤滑層の材料としてパ
ーフルオロポリエーテルを用いたが、フルオロカーボン
系の液体潤滑剤やスルホン酸のアルカリ金属塩からなる
潤滑剤を用いることもできる。その膜厚は10〜30オ
ングストロームであることが好ましく、その理由は10
オングストローム未満であると耐摩耗性の向上を計るこ
とが充分でなく、また30オングストロームを越えると
耐摩耗性の向上がみられず、しかもスペーシングロスの
問題が生ずるからである。
Further, in the embodiments, perfluoropolyether is used as the material of the lubricating layer, but a fluorocarbon liquid lubricant or a lubricant composed of an alkali metal salt of sulfonic acid may be used. The thickness is preferably 10 to 30 angstroms, and the reason is 10 to 30 angstroms.
If the thickness is less than Å, the abrasion resistance cannot be sufficiently improved, and if it exceeds 30 Å, the abrasion resistance cannot be improved, and a problem of spacing loss occurs.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、非磁性
基板としてガラス基板を用い、磁性層がCoNiCrT
a系の磁性層であり、磁性層形成後に該磁性層と前記保
護層との間に中間層を形成する中間層形成工程を有し、
また、保護層形成工程は前記中間層上に液状母材に硬質
微粒子が分散された保護層の原料を塗布して加熱・硬化
させる処理を含むものであり、保護層形成処理中又は保
護層形成後に250〜400℃の温度で基板を加熱する
加熱工程を有することによって、磁性膜の高保磁力化を
図ることができると同時に、磁性膜と保護膜との密着性
や膜付着力の向上及び各膜の強度の向上が可能となり、
ヘッドスライダーの低浮上走行化及び高CSS化等がよ
り高いレベルで実現可能となって、磁気記録媒体のさら
なる高密度記録化が可能にしたものである。
As described above in detail, according to the present invention, a glass substrate is used as a nonmagnetic substrate, and a magnetic layer is made of CoNiCrT.
an a-based magnetic layer, comprising an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer between the magnetic layer and the protective layer after forming the magnetic layer,
Further, the protective layer forming step includes a step of applying a raw material for the protective layer in which the hard fine particles are dispersed in the liquid base material on the intermediate layer and heating and curing the raw material. By having a heating step of heating the substrate at a temperature of 250 to 400 ° C. later, the coercive force of the magnetic film can be increased, and at the same time, the adhesion between the magnetic film and the protective film and the film adhesion can be improved. It is possible to improve the strength of the membrane,
This makes it possible to realize a low flying height and a high CSS of a head slider at a higher level, thereby enabling a higher density recording of a magnetic recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1にかかる磁気記録媒体の製造
方法で製造される磁気記録媒体の構成を示す模式的断面
図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a magnetic recording medium manufactured by a method for manufacturing a magnetic recording medium according to a first embodiment of the present invention.

【図2】実施例1〜18の磁気記録媒体の特性を測定し
た結果を表にして示した図である。
FIG. 2 is a table showing the results of measuring characteristics of the magnetic recording media of Examples 1 to 18.

【図3】比較例1〜14の磁気記録媒体の特性を測定し
た結果を表にして示した図である。
FIG. 3 is a table showing the results of measuring characteristics of the magnetic recording media of Comparative Examples 1 to 14.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス基板、2…第1下地層、3…第2下地層、4
…第3下地層、5…磁性層、6…中間層、7…保護層、
8…潤滑層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... 1st underlayer, 3 ... 2nd underlayer, 4
... third underlayer, 5 ... magnetic layer, 6 ... intermediate layer, 7 ... protective layer,
8: Lubricating layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 久雄 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホ ーヤ株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−259767(JP,A) 特開 平5−197942(JP,A) 特開 平5−234059(JP,A) 特開 平6−28657(JP,A) 特開 平6−29121(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/86 G11B 5/66 H01F 10/26 H01F 41/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hisao Kawai 2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Hoya Co., Ltd. (56) References JP-A-6-259767 (JP, A) JP JP-A-5-197942 (JP, A) JP-A-5-234059 (JP, A) JP-A-6-28657 (JP, A) JP-A-6-29121 (JP, A) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 6 , DB name) G11B 5/86 G11B 5/66 H01F 10/26 H01F 41/18

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 非磁性基板上に、少なくとも下地層、磁
性層及び保護層を含む層を形成する工程を有する磁気記
録媒体の製造方法において、 前記非磁性基板としてガラス基板を用い、 前記磁性層は、CoNiCrTa系の磁性層であり、 前記磁性層形成後に該磁性層と前記保護層との間に中間
層を形成する中間層形成工程を有し、 前記保護層形成工程は、前記中間層上に保護層の原料を
塗布して加熱・硬化させる処理を含むものであり、 前記保護層形成処理中又は保護層形成後に250〜40
0℃の温度で基板を加熱する加熱工程を有することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
1. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a layer including at least an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer on a nonmagnetic substrate, wherein a glass substrate is used as the nonmagnetic substrate, Is a CoNiCrTa-based magnetic layer, and has an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer between the magnetic layer and the protective layer after the formation of the magnetic layer. A process of applying and heating and curing the raw material of the protective layer, and performing the protective layer forming process or after the formation of the protective layer.
A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising a heating step of heating a substrate at a temperature of 0 ° C.
【請求項2】 前記磁性層が、Co 100-a-b-c Ni a
b Ta c (但し、a、b、c、は原子%を示し、20
≦a≦30、6.5≦b≦10、0.3≦c≦1.7で
ある)であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記
録媒体。
2. The magnetic layer according to claim 1, wherein said magnetic layer is Co 100-abc Ni a C
r b Ta c (where, a, b, c, represents the atomic%, 20
≦ a ≦ 30, 6.5 ≦ b ≦ 10, 0.3 ≦ c ≦ 1.7
2. The magnetic recording device according to claim 1, wherein
Recording medium.
【請求項3】 前記中間層は膜厚が20〜200オング
ストロームのCr層又はCrーY系(ただし、Yは、M
o、Zr、B、W、Ta又はSiのいずれか1又は2以
上とする)の層であるであることを特徴とする請求項1
又は2に記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. The intermediate layer according to claim 1, wherein the intermediate layer has a thickness of 20 to 200 angstroms or a Cr layer or a Cr—Y type (where Y is M
o, Zr, B, W, Ta, or Si).
Or the method for manufacturing a magnetic recording medium according to 2 .
【請求項4】 前記下地層が、前記基板に接する側に形
成されたAl、Si、Pb、Cu、In又はGaのいず
れか1又は2以上を主たる成分とする第1下地層と、こ
の第1下地層の上に形成されたCrからなる第2下地層
とを少なくとも含む複数層構造を有するものであること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気記
録媒体の製造方法。
4. The first underlayer having at least one of Al, Si, Pb, Cu, In or Ga formed on the side in contact with the substrate, and the method of manufacturing a magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, characterized in that 1 the base layer second underlayer made of Cr formed on the one having a multilayer structure comprising at least .
【請求項5】 前記第1下地層の厚さが10〜100オ
ングストロームであることを特徴とする請求項に記載
の磁気記録媒体の製造方法。
5. The method according to claim 4 , wherein the thickness of the first underlayer is 10 to 100 Å.
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