JPH08273160A - Production of magnetic recording medium - Google Patents
Production of magnetic recording mediumInfo
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- JPH08273160A JPH08273160A JP7075493A JP7549395A JPH08273160A JP H08273160 A JPH08273160 A JP H08273160A JP 7075493 A JP7075493 A JP 7075493A JP 7549395 A JP7549395 A JP 7549395A JP H08273160 A JPH08273160 A JP H08273160A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置その
他に使用される磁気記録媒体の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic recording medium used in a magnetic disk device or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対す
る高記録密度記録化の要請は近年ますます厳しいものに
なっている。2. Description of the Related Art In recent years, demands for high recording density recording on magnetic recording media such as hard disks have become increasingly severe.
【0003】ここで、一般に、ハードディスク等の磁気
記録媒体は、非磁性基板に下地層、磁性層及び保護層を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行なう。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化
を実現するためには、磁性層の高保磁力化に加えて、ヘ
ッドスライダーの低浮上走行化及びCSS(contact st
art and stop)に対する高い耐久性等を実現することが
重要である。すなわち、ヘッドスライダーを低浮上走行
させることによって、記録・再生の際の磁気ヘッドと磁
性層との距離を小さくして高密度の記録・再生を可能に
する必要がある。また、この低浮上走行化させると、ヘ
ッドスライダーの走行開始及び停止時における摺動走行
と浮上走行との切替の繰り返し動作(CSS)の際に、
磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加わる物理的・機械的負
担が急激に増すので、このCSSにおける磁気ヘッド及
び磁気記録媒体の耐久性向上(高CSS耐久性)も必要
になる。さらには、高密度記録化にともなって再生時の
ノイズ低減化もより厳しく要求される。Here, in general, a magnetic recording medium such as a hard disk is one in which an underlayer, a magnetic layer and a protective layer are sequentially formed on a non-magnetic substrate, and a head slider on which a magnetic head is mounted is floated on the magnetic recording medium. While recording and reproducing. Therefore, in order to realize high density recording of this magnetic recording medium, in addition to high coercive force of the magnetic layer, low flying of the head slider and CSS (contact st
It is important to realize high durability against art and stop). That is, it is necessary to reduce the distance between the magnetic head and the magnetic layer at the time of recording / reproducing to allow high-density recording / reproducing by moving the head slider at a low flying height. In addition, when this low-flying traveling is performed, during repeated operation (CSS) of switching between sliding traveling and floating traveling when the head slider starts and stops traveling,
Since the physical / mechanical load applied to the magnetic head and the magnetic recording medium increases rapidly, it is necessary to improve the durability of the magnetic head and the magnetic recording medium in CSS (high CSS durability). Further, with the increase in recording density, it is more strictly required to reduce noise during reproduction.
【0004】ところで、現状の多くのハードディスク
は、非磁性基板としてアルミ合金基板を用い、その表面
にNiーPめっきを施して研磨した後、テクスチャー加
工を施して表面に適度の表面粗さを付与しておき、しか
る後に、下地層、磁性層及び保護層等を順次スパッタ法
で形成したものである。すなわち、テクスチャー加工に
よる表面粗さに起因する凹凸が下地層及び磁性層を介し
て保護層表面に表われるようにして、CSSの際にヘッ
ドスライダーが磁気記録媒体に吸着したり、あるいは、
両者の間の摩擦力が所定以上に大きくならないようにし
ている。By the way, in many current hard disks, an aluminum alloy substrate is used as a non-magnetic substrate, the surface of which is Ni--P plated and polished, and then textured to give an appropriate surface roughness. After that, the underlayer, the magnetic layer, the protective layer and the like are sequentially formed by the sputtering method. That is, the head slider is attracted to the magnetic recording medium during CSS so that irregularities due to the surface roughness due to texture processing appear on the surface of the protective layer through the underlayer and the magnetic layer, or
The frictional force between the two is prevented from becoming larger than a predetermined value.
【0005】しかしながら、この方式で、上記高保磁力
化、低浮上走行化及び高CSS耐久性を実現させるには
限界があることがわかってきた。これは、テクスチャー
による表面凹凸が形成された上に、その凹凸にならって
凹凸のある下地層及び磁性層を形成していくことになる
ので、スパッタ粒子の入射角度が場所によって異なる等
のことが原因で、下地層及び磁性層の成膜過程で成長す
べき結晶が必ずしも良好に形成されないことが原因の1
つであると考えられる。また、アルミ合金基板の硬度等
の機械的物性が、低浮上走行化及び高CSS化を図るた
めに必要とされる機械的耐久性を満たすには必ずしも十
分なものでなく、さらに、下地層、磁性層及び保護層等
を良好な特性にするためにより高い温度での加熱処理を
はじめとする物理的・化学的処理を施す必要がでてきて
いるが、アルミ合金基板はこれら処理に対する耐熱性や
耐食性等の物理的・化学的耐性も十分でないことがわか
ってきた。However, it has been found that this method has a limit in realizing the above-mentioned high coercive force, low levitation running and high CSS durability. This means that the surface irregularities are formed by texture and then the underlying layer and the magnetic layer having irregularities are formed following the irregularities, so that the incident angle of sputtered particles may vary depending on the location. Because of this, the crystal to be grown is not always formed well in the process of forming the underlayer and the magnetic layer.
It is considered to be one. In addition, the mechanical properties such as hardness of the aluminum alloy substrate are not always sufficient to satisfy the mechanical durability required for achieving low floating running and high CSS, and further, the underlayer, It has become necessary to perform physical and chemical treatments such as heat treatment at a higher temperature in order to make the magnetic layer and the protective layer have good characteristics. It has been found that physical and chemical resistance such as corrosion resistance is not sufficient.
【0006】高密度記録化がより容易に実現できる可能
性の高いものとして、最近、非磁性基板にガラス基板を
用いた磁気記録媒体が注目されている。これは、ガラス
の機械的・物理的・化学的耐久性やその表面を比較的容
易に高い平面精度に形成できること等の性質が高密度記
録化実現により適していることがわかってきたためであ
る。すなわち、このガラス基板を用いた磁気記録媒体
は、表面を精密研磨したガラス基板上に、ただちに下地
層、磁性層及び保護層等を順次形成したものであり、ア
ルミ基板を用いた場合と異なり、基板の表面にテクスチ
ャー加工を施さず、保護層自体によって凹凸を付与する
ようにしたものである。このため、下地層や磁性層は、
極めて平滑な面上に形成されていくので、下地層や磁性
層の形成の際の各々の結晶成長の制御等が容易であり、
良好な特性の層を比較的容易に得ることができる。ま
た、保護層表面の粗さについても、アルミ基板を用いた
ものは、基板表面の粗さを下地層や磁性層を介して保護
層上に間接的に表しているので、その粗さ制御が必ずし
も容易でないが、これに比較して、ガラス基板を用いた
ものは、保護層自体によって直接粗さを決定できるの
で、比較的粗さ制御も容易である。Recently, a magnetic recording medium using a glass substrate as a non-magnetic substrate has attracted attention as a medium having a high possibility of realizing high density recording more easily. This is because it has been found that the mechanical / physical / chemical durability of glass and the fact that its surface can be formed relatively easily with high planar accuracy are more suitable for realizing high-density recording. That is, a magnetic recording medium using this glass substrate is a glass substrate whose surface has been precision-polished, and an underlayer, a magnetic layer, a protective layer and the like are immediately formed in that order, unlike the case where an aluminum substrate is used. The surface of the substrate is not subjected to texturing, but the protective layer itself is used to impart irregularities. Therefore, the underlayer and the magnetic layer are
Since it is formed on a very smooth surface, it is easy to control the crystal growth of each when forming the underlayer and the magnetic layer,
A layer with good properties can be obtained relatively easily. Regarding the roughness of the surface of the protective layer, the one using an aluminum substrate indirectly indicates the roughness of the surface of the substrate on the protective layer via the underlayer and the magnetic layer, so that the roughness can be controlled. Although not always easy, in the case of using a glass substrate, the roughness can be directly determined by the protective layer itself, so that the roughness can be controlled relatively easily.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、高密度記録化を実現するためには、高保磁力化、低
浮上走行化及び高CSS耐久性を実現することが重要で
あるが、これだけでは十分でない。すなわち、高密度記
録化にともなって、より高い再生出力も要請され、さら
には、再生時のノイズについても、従来は問題とならな
かったようなレベルを問題にしなければならず、これら
の特性についても改善しなければならないことがわかっ
てきた。By the way, as described above, in order to realize high-density recording, it is important to realize high coercive force, low flying height, and high CSS durability. This alone is not enough. In other words, with higher density recording, higher reproduction output is also required, and regarding noise during reproduction, a level that has not been a problem in the past must be taken into consideration. It has become clear that we also have to improve.
【0008】本発明者等の研究によれば、これらの特性
は、磁性膜をスパッタリング法によって成膜する場合、
その磁性膜の組成と、その磁性膜の成膜の際における不
活性ガス圧力の条件によって少なからず左右されること
がわかってきた。According to the research conducted by the present inventors, these characteristics are exhibited when a magnetic film is formed by a sputtering method.
It has been found that it depends to a large extent on the composition of the magnetic film and the condition of the inert gas pressure during the formation of the magnetic film.
【0009】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、高保磁力と高い再生出力を有するとともに、
再生時のノイズが小さい磁気記録媒体を提供することを
目的としている。The present invention has been made under the background described above, and has a high coercive force and a high reproduction output, and
It is an object of the present invention to provide a magnetic recording medium that produces less noise during reproduction.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、(構成
1) 基板上に、少なくとも下地層と磁性層とを形成す
る工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記
磁性層形成工程は、0.5〜7mTorrの不活性ガス
圧力下におけるスパッタリングによって、Co100-a-b
Nia Crb (但し、a,bは原子%を示し、20≦a
≦30、8≦b≦12である)の組成を有する磁性膜を
形成するものであることを特徴とする構成とし、この構
成1の態様として、(構成2) 前記下地層形成工程
は、Al又はTiからなる第1下地層を形成する第1下
地層形成工程と、Cr,Mo,Zr,B,Si,Zn,
W,V,Taから選ばれる元素を含む1層以上の層から
なる第2下地層を形成する第2下地層形成工程とを有す
ることを特徴とする構成とし、構成1又は2の態様とし
て、(構成3) 前記不活性ガスがArとKrとを主成
分とする混合ガスであることを特徴とする構成としたも
のである。In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention has (Step 1) a step of forming at least an underlayer and a magnetic layer on a substrate. In the method of manufacturing a magnetic recording medium, the magnetic layer forming step is performed by sputtering Co 100-ab by sputtering under an inert gas pressure of 0.5 to 7 mTorr.
Ni a Cr b (however, a and b represent atomic%, and 20 ≦ a
≦ 30, 8 ≦ b ≦ 12) is formed, and a magnetic film having a composition of (30 ≦ 8 ≦ b ≦ 12) is formed. Or a first underlayer forming step of forming a first underlayer made of Ti, and Cr, Mo, Zr, B, Si, Zn,
A second underlayer forming step of forming a second underlayer composed of one or more layers containing an element selected from W, V, and Ta. (Structure 3) The structure is characterized in that the inert gas is a mixed gas containing Ar and Kr as main components.
【0011】[0011]
【作用】上述の構成1によれば、磁性層形成工程におい
て、0.5〜7mTorrの不活性ガス圧力下における
スパッタリングによって、Co100-a-b Nia Cr
b (但し、a,bは原子%を示し、20≦a≦30、8
≦b≦12である)の組成を有する磁性膜を形成するよ
うにしたことにより、高保磁力と高い再生出力を有する
とともに、再生時のノイズが小さい磁気記録媒体を得る
ことが可能になった。According to the above configuration 1, in the magnetic layer forming step, Co 100-ab Ni a Cr is formed by sputtering under an inert gas pressure of 0.5 to 7 mTorr.
b (however, a and b represent atomic%, and 20 ≦ a ≦ 30, 8
By forming the magnetic film having a composition of ≦ b ≦ 12, it becomes possible to obtain a magnetic recording medium having a high coercive force and a high reproduction output and having a small noise during reproduction.
【0012】これは、第1に、Co、Ni、Crを上記
組成比にしたことにより、特に、磁性膜中の磁性粒の粒
径が小さくなり、記録ビットの遷移領域に生じるジグザ
グ磁壁が小さくなったために媒体ノイズが低減し、同時
に、磁性粒間の磁気的分離度が促進されたことによる保
磁力向上が寄与しているものと考えられる。The first reason is that the composition ratio of Co, Ni, and Cr makes the grain size of the magnetic grains in the magnetic film small and the zigzag domain wall generated in the transition region of the recording bit small. Therefore, it is considered that the medium noise is reduced, and at the same time, the improvement of coercive force due to the promotion of the magnetic separation degree between the magnetic grains contributes.
【0013】また、第2に、磁性層の成膜時に不活性ガ
ス圧力を0.5〜7mTorrの低い圧力にしたことに
よる。ガス圧力をこの程度に低くすることによって、ス
パッタ粒子がガス成分と衝突する確率が小さくなり、平
均自由工程が長くなる。このため、スパッタ粒子が基板
に衝突するまでのエネルギー損失が小さく、膜への打ち
込み効果によってさらに磁性粒の磁気的分離度が高くな
り、上記組成による分離度側効果との相乗効果によって
保磁力をより高いものにしているものと考えられる。Secondly, the inert gas pressure is set to a low pressure of 0.5 to 7 mTorr during the film formation of the magnetic layer. By reducing the gas pressure to this extent, the probability that the sputtered particles will collide with the gas component is reduced, and the mean free path is lengthened. Therefore, the energy loss until the sputtered particles collide with the substrate is small, the magnetic separation degree of the magnetic particles is further increased by the implantation effect on the film, and the coercive force is increased by the synergistic effect with the separation side effect by the above composition. It is thought that they are making it higher.
【0014】また、構成2によれば、第1下地層の存在
により第2下地層の膜厚を比較的薄くしてもこの上に形
成される磁性層の結晶粒の成長を良好なものにすること
ができ、さらに、構成3のように、不活性ガスとしてA
rとKrとを主成分とする混合ガスを用いることによ
り、構成1又は2の発明による効果をより著しいものに
することが可能になる。Further, according to the structure 2, even if the thickness of the second underlayer is relatively thin due to the presence of the first underlayer, the growth of the crystal grains of the magnetic layer formed thereon can be made favorable. In addition, as the configuration 3, as the inert gas A
By using a mixed gas containing r and Kr as main components, it is possible to make the effect of the invention of the configuration 1 or 2 more remarkable.
【0015】[0015]
(実施例1)図1は本発明の実施例1にかかる磁気記録
媒体の製造方法で製造された磁気記録媒体の構成を示す
模式的断面図である。以下、図1を用いてまず実施例1
にかかる製造方法で製造した磁気記録媒体を説明し、次
に実施例1の磁気記録媒体の製造方法を説明する。(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic sectional view showing a structure of a magnetic recording medium manufactured by a method of manufacturing a magnetic recording medium according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, with reference to FIG.
The magnetic recording medium manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment will be described, and then the manufacturing method of the magnetic recording medium of Example 1 will be described.
【0016】図1に示されるように、この実施例の製造
方法で製造した磁気記録媒体は、要するに、ガラス基板
1の上に、順次、第1下地層2、第2下地層3、第3下
地層4、磁性層5、保護層6及び潤滑層7を形成した磁
気ディスクである。As shown in FIG. 1, the magnetic recording medium manufactured by the manufacturing method of this embodiment is, in short, on the glass substrate 1 in order of the first underlayer 2, the second underlayer 3, and the third underlayer. The magnetic disk has an underlayer 4, a magnetic layer 5, a protective layer 6, and a lubricating layer 7.
【0017】ガラス基板1は、化学強化ガラスを、外径
65mmφ、中心部の穴径20mmφ、厚さ0.9mm
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRm
axで30オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。The glass substrate 1 is made of chemically strengthened glass having an outer diameter of 65 mmφ, a central hole diameter of 20 mmφ and a thickness of 0.9 mm.
Disk-shaped, and both main surfaces have a surface roughness of Rm
It was precision-polished to have an ax of 30 Å.
【0018】ここで、ガラス基板1を構成する化学強化
ガラスとしては、主たる成分として重量%で、SiO2
が62〜75%、Al2 O3 が5〜15%、LiO2 が
4〜10%、Na2 Oが4〜12%、ZrO2 が5.5
〜15%それぞれ含有するとともに、Na2 O/ZrO
2 の重量比が0.5〜2.0、Al2 O3 /ZrO2の
重量比が0.4〜2.5である化学強化用ガラスを、N
aイオン及び/又はKイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの(詳しくは、特開平5ー
32431号公報参照)を用いた。Here, the chemically strengthened glass constituting the glass substrate 1 contains SiO 2 in a weight percentage as a main component.
Is 62 to 75%, Al 2 O 3 is 5 to 15%, LiO 2 is 4 to 10%, Na 2 O is 4 to 12%, and ZrO 2 is 5.5.
With each containing ~15%, Na 2 O / ZrO
The weight ratio of 2 is 0.5 to 2.0, the weight ratio of Al 2 O 3 / ZrO 2 chemically strengthened glass is 0.4 to 2.5, N
What was chemically strengthened by ion exchange treatment in a treatment bath containing a ions and / or K ions (for details, see JP-A-5-32431) was used.
【0019】第1下地層2は、厚さ約60オングストロ
ームのAlの薄膜である。The first underlayer 2 is a thin film of Al having a thickness of about 60 Å.
【0020】第2下地膜3は、厚さ約600オングスト
ロームのCr膜である。The second base film 3 is a Cr film having a thickness of about 600 Å.
【0021】第3下地層4は、厚さ約1200オングス
トロームのCr膜である。The third underlayer 4 is a Cr film having a thickness of about 1200 Å.
【0022】磁性層5は、厚さ約500オングストロー
ムのCoNiCr膜である。ここで、CoNiCr膜の
組成は、原子%比で、Co:Ni:Cr=65:25:
10(a=25、b=10)の組成を有している。The magnetic layer 5 is a CoNiCr film having a thickness of about 500 Å. Here, the composition of the CoNiCr film is an atomic ratio of Co: Ni: Cr = 65: 25:
It has a composition of 10 (a = 25, b = 10).
【0023】保護層6は、磁性層5の上に形成された厚
さ約50オングストロームのCr層61と、このCr層
61の上に形成された厚さ約300オングストロームの
カーボン(C)膜の2層からなる。The protective layer 6 comprises a Cr layer 61 having a thickness of about 50 Å formed on the magnetic layer 5 and a carbon (C) film having a thickness of about 300 Å formed on the Cr layer 61. It consists of two layers.
【0024】潤滑層7は、パーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑剤(例えば、モンテジソン社製AM2001
がある)を浸漬法により、保護膜6上に塗布して膜厚約
20オングストロームに形成したものである。The lubricating layer 7 is a lubricant made of perfluoropolyether (for example, AM2001 manufactured by Montedison Co.).
Is applied to the protective film 6 by a dipping method to form a film thickness of about 20 Å.
【0025】次に、上述の実施例の磁気記録媒体の製造
方法を説明する。Next, a method of manufacturing the magnetic recording medium of the above-mentioned embodiment will be described.
【0026】まず、化学強化ガラスを、外径65mm
φ、中心部の穴径20mmφ、厚さ0.9mmのディス
ク状に形成し、その両主表面を表面粗さがRmaxで3
0オングストロームとなるように精密研磨してガラス基
板1を得る。First, a chemically strengthened glass was prepared with an outer diameter of 65 mm.
φ, the hole diameter of the central part is 20 mmφ, and the thickness is 0.9 mm.
The glass substrate 1 is obtained by precision polishing so that the thickness becomes 0 angstrom.
【0027】次に、上記ガラス基板1に、該ガラス基板
1の加熱処理、第1下地層2の成膜、第2下地層3の成
膜、第3下地層4の成膜、磁性層5の成膜及び保護層6
の成膜の各工程をインラインスパッタ装置を用いて連続
的に行う。Next, the glass substrate 1 is heat-treated, the first underlayer 2 is formed, the second underlayer 3 is formed, the third underlayer 4 is formed, and the magnetic layer 5 is formed on the glass substrate 1. Film forming and protective layer 6
Each step of the film formation is continuously performed using an in-line sputtering device.
【0028】インラインスパッタ装置としては、周知の
インライン型のDCマグネトロンスパッタ装置を用い
た。図示しないが、このインラインスパッタ装置は、搬
送方向に向かって、基板加熱ヒータが設けられた第1の
チャンバー、Alターゲット及びCrターゲットが順次
設置された第2のチャンバー、Crターゲット及びCo
NiCrターゲットが順次設置された第3のチャンバ
ー、並びに、Crターゲット及びC(カーボン)ターゲ
ットが順次設置された第4のチャンバーがそれぞれ設け
られたものである。As the in-line sputtering device, a well-known in-line type DC magnetron sputtering device was used. Although not shown, this in-line sputtering apparatus includes a first chamber in which a substrate heater is provided, a second chamber in which an Al target and a Cr target are sequentially installed, a Cr target and a Co target in the transport direction.
A third chamber in which a NiCr target is sequentially installed, and a fourth chamber in which a Cr target and a C (carbon) target are sequentially installed are provided.
【0029】そして、ガラス基板1をロードロック室を
介して第1のチャンバー内に導入すると、該ガラス基板
1は、所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次
々と所定の一定の速度で搬送され、その間に以下の成膜
や処理がなされる。Then, when the glass substrate 1 is introduced into the first chamber via the load lock chamber, the glass substrate 1 is successively transported in the respective chambers by a predetermined transport device at a predetermined constant speed. During that time, the following film formation and processing are performed.
【0030】すなわち、まず、第1のチャンバー内で
は、基板を375℃で2分間加熱する処理がなされる。
第2のチャンバー内では、第1下地層2たる膜厚60オ
ングストロームのAl膜及び第2下地層3たる膜厚60
0オングストロームのCr膜が順次成膜される。第3の
チャンバー内では、第3下地層4たる膜厚1200オン
グストロームのCr膜及び磁性層5たる膜厚500オン
グストロームのCoCrTa膜が順次成膜される。第4
のチャンバー内では、保護層6を構成する膜厚50オン
グストロームのCr膜61及び膜厚300オングストロ
ームのC膜62が順次成膜される。なお、上記各チャン
バー内は1×10-5Torr以下の圧力まで減圧され、
スパッタガスとしてアルゴン(Ar;80〜98体積
%)とクリプトン(Kr;2〜20体積%)との混合ガ
スが用いられる。スパッタガス圧は、第2のチャンバー
内では5mTorr、第3のチャンバー内では2mTo
rr、第4のチャンバー内では5mTorrである。That is, first, in the first chamber, the substrate is heated at 375 ° C. for 2 minutes.
In the second chamber, the first underlayer 2 has a film thickness of 60 Å and the second underlayer 3 has a film thickness of 60 Å.
A Cr film of 0 angstrom is sequentially formed. In the third chamber, a Cr film having a film thickness of 1200 angstrom as the third underlayer 4 and a CoCrTa film having a film thickness of 500 angstrom as the magnetic layer 5 are sequentially formed. Fourth
In this chamber, a Cr film 61 having a film thickness of 50 Å and a C film 62 having a film thickness of 300 Å, which form the protective layer 6, are sequentially formed. The pressure in each chamber is reduced to a pressure of 1 × 10 −5 Torr or less,
As the sputtering gas, a mixed gas of argon (Ar; 80 to 98% by volume) and krypton (Kr; 2 to 20% by volume) is used. The sputtering gas pressure is 5 mTorr in the second chamber and 2 mTor in the third chamber.
rr, 5 mTorr in the fourth chamber.
【0031】次いで、保護層6の形成までを行った基板
を上記インラインスパッタ装置から取り出し、その保護
層6の表面に、スピンコート法によってパーフルオロポ
リエーテルを塗布し、厚さ20オングストロームの潤滑
層7を形成して実施例1にかかる磁気記録媒体を得た。Next, the substrate on which the protective layer 6 has been formed is taken out of the in-line sputtering apparatus, and the surface of the protective layer 6 is coated with perfluoropolyether by a spin coating method to form a lubricating layer having a thickness of 20 angstroms. 7 was formed to obtain a magnetic recording medium according to Example 1.
【0032】(実施例2〜4)上述の実施例1における
磁性層5の形成工程におけるアルゴンとクリプトンとの
混合ガス圧力のみを変えて、1.5mTorr、7mT
orr、1.2mTorrとしたものを、それぞれ実施
例2,3,4とした。(Examples 2 to 4) 1.5 mTorr and 7 mT were obtained by changing only the pressure of the mixed gas of argon and krypton in the step of forming the magnetic layer 5 in Example 1 described above.
Those having an orr of 1.2 mTorr were Examples 2, 3, and 4, respectively.
【0033】(実施例5)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=67:25:8に
かえた外は実施例1と同一の構成(磁性層5の成膜時の
ガス圧力は2mTorr)を有するものを実施例5とし
た。(Embodiment 5) The composition is the same as that of Embodiment 1 except that the composition ratio of the magnetic layer 5 in Embodiment 1 is changed to Co: Ni: Cr = 67: 25: 8 (of the magnetic layer 5). Example 5 had a gas pressure of 2 mTorr during film formation.
【0034】(実施例6)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=64:25:11
に変えた外は実施例1と同一の構成(磁性層5の成膜時
のガス圧力は2mTorr)を有するものを実施例6と
した。(Embodiment 6) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the embodiment 1 is set to Co: Ni: Cr = 64: 25: 11.
Example 6 was the same as Example 1 except that the magnetic pressure was 2 mTorr when the magnetic layer 5 was formed.
【0035】(実施例7)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=70:20:10
に変え、かつ、磁性層5の成膜時のガス圧力を1.5m
Torrに変えた外は実施例1と同一の構成を有するも
のを実施例7とした。(Embodiment 7) The composition ratio of the magnetic layer 5 in Embodiment 1 is set to Co: Ni: Cr = 70: 20: 10.
And the gas pressure at the time of forming the magnetic layer 5 is 1.5 m
Example 7 has the same configuration as that of Example 1 except that it is changed to Torr.
【0036】(実施例8)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=60:30:10
に変え、かつ、磁性層5の成膜時のガス圧力を4mTo
rrに変えた外は実施例1と同一の構成を有するものを
実施例8とした。(Embodiment 8) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above-mentioned Embodiment 1 is set to Co: Ni: Cr = 60: 30: 10.
And the gas pressure at the time of forming the magnetic layer 5 is 4 mTo
Example 8 has the same configuration as that of Example 1 except that it is changed to rr.
【0037】(実施例9)上述の実施例1における不活
性ガスをアルゴン(Ar)単独のガスとし、また、磁性
層5の組成比をCo:Ni:Cr=60:30:10に
し、さらに、磁性層5の成膜時のガス圧力を4mTor
rに変えた外は実施例1と同一の構成を有するものを実
施例9とした。(Embodiment 9) Argon (Ar) alone is used as the inert gas in Embodiment 1 described above, and the composition ratio of the magnetic layer 5 is Co: Ni: Cr = 60: 30: 10. , The gas pressure when forming the magnetic layer 5 is 4 mTorr
Example 9 was the same as Example 1 except that it was changed to r.
【0038】(比較例1〜2)上述の実施例1における
不活性ガスをアルゴン単独のガスとし、磁性層5の形成
工程におけるアルゴンガス圧力を変えて、9mTor
r、15mTorr(いずれも7mTorrを越える)
にしたものを、それぞれ比較例1,2とした。(Comparative Examples 1 and 2) Argon alone was used as the inert gas in Example 1 described above, and the argon gas pressure in the process of forming the magnetic layer 5 was changed to 9 mTorr.
r, 15 mTorr (both exceed 7 mTorr)
Comparative Examples 1 and 2 were used.
【0039】(比較例3)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=69:25:6
(Crが8%未満)に変え、かつ、磁性層5の成膜時の
ガス圧力を5mTorrに変えた外は実施例1と同一の
構成を有するものを比較例3とした。(Comparative Example 3) The composition ratio of the magnetic layer 5 in Example 1 was set to Co: Ni: Cr = 69: 25: 6.
Comparative Example 3 had the same configuration as that of Example 1 except that (Cr was less than 8%) and the gas pressure during film formation of the magnetic layer 5 was changed to 5 mTorr.
【0040】(比較例4)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=60:25:15
(Crが12%を越える)に変え、かつ、磁性層5の成
膜時のガス圧力を4mTorrに変えた外は実施例1と
同一の構成を有するものを比較例4とした。(Comparative Example 4) The composition ratio of the magnetic layer 5 in Example 1 was set to Co: Ni: Cr = 60: 25: 15.
Comparative Example 4 had the same configuration as that of Example 1 except that (Cr exceeds 12%) and the gas pressure during film formation of the magnetic layer 5 was changed to 4 mTorr.
【0041】(比較例5)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=75:15:10
(Niが20%未満)に変え、かつ、磁性層5の成膜時
のガス圧力を1mTorrに変えた外は実施例1と同一
の構成を有するものを比較例5とした。(Comparative Example 5) The composition ratio of the magnetic layer 5 in the above Example 1 was set to Co: Ni: Cr = 75: 15: 10.
Comparative Example 5 had the same configuration as that of Example 1 except that (Ni was less than 20%) and the gas pressure during film formation of the magnetic layer 5 was changed to 1 mTorr.
【0042】(比較例6)上述の実施例1における磁性
層5の組成比を、Co:Ni:Cr=55:35:10
(Niが30%を越える)に変え、かつ、磁性層5の成
膜時のガス圧力を3mTorrに変えた外は実施例1と
同一の構成を有するものを比較例6とした。(Comparative Example 6) The composition ratio of the magnetic layer 5 in Example 1 was set to Co: Ni: Cr = 55: 35: 10.
Comparative Example 6 has the same configuration as that of Example 1 except that (Ni exceeds 30%) and the gas pressure during film formation of the magnetic layer 5 is changed to 3 mTorr.
【0043】図2は上述の実施例1〜9及び比較例1〜
6の磁気記録媒体の特性を測定した結果を表にして示し
た図である。FIG. 2 shows the above Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 1.
It is the figure which showed the result of having measured the characteristic of the magnetic recording medium of 6 as a table.
【0044】なお、保磁力(Hc)の測定は、製造した
磁気記録媒体から8mmφの試料を切り出して、膜面方
向に磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印
加磁場10kOeで測定した。The coercive force (Hc) was measured by cutting out a sample of 8 mmφ from the manufactured magnetic recording medium, applying a magnetic field in the film surface direction, and measuring the maximum external applied magnetic field of 10 kOe with a vibrating sample magnetometer. .
【0045】また、記録再生特性(再生出力及び媒体ノ
イズ)の測定は、次のようにして行った。すなわち、得
られた磁気ディスクを用いて、磁気ヘッド浮上量が0.
055μmの薄膜ヘッドを用い、薄膜ヘッドと磁気ディ
スクの相対速度を6m/sで、線記録密度70kfcc
(1インチあたり70,000ビットの線記録密度)に
おける記録再生出力を測定した。また、キャリア周波数
8.5MHzで、測定帯域を15MHzとしてスペクト
ルアナライザーにより信号記録再生時のノイズスペクト
ラムを測定した。本測定に用いた薄膜ヘッドは、コイル
ターン数50、トラック幅6μm、磁気ヘッドギャップ
長0.25μmである。The recording / reproducing characteristics (reproducing output and medium noise) were measured as follows. That is, by using the obtained magnetic disk, the flying height of the magnetic head is 0.
A thin film head of 055 μm is used, the relative speed between the thin film head and the magnetic disk is 6 m / s, and the linear recording density is 70 kfcc.
The recording / reproducing output at (linear recording density of 70,000 bits per inch) was measured. Further, the noise spectrum during signal recording and reproduction was measured by a spectrum analyzer with a carrier frequency of 8.5 MHz and a measurement band of 15 MHz. The thin film head used in this measurement has 50 coil turns, a track width of 6 μm, and a magnetic head gap length of 0.25 μm.
【0046】図2の表から明らかなように、磁性層5の
形成工程における不活性ガス圧力が0.5〜7mTor
rであり、かつ、成膜される磁性層5の組成がCo
100-a-bNia Crb (但し、a,bは原子%を示し、
20≦a≦30、8≦b≦12である)である場合に
は、得られた磁気記録媒体は、全て、保磁力が1580
Oe以上、再生出力が165μV以上、媒体ノイズが
2.8μVrms以下であるという優れた特性を有して
いることがわかる。As is clear from the table of FIG. 2, the inert gas pressure in the step of forming the magnetic layer 5 is 0.5 to 7 mTorr.
r, and the composition of the magnetic layer 5 formed is Co
100-ab Ni a Cr b (however, a and b represent atomic%,
20 ≦ a ≦ 30 and 8 ≦ b ≦ 12), all the obtained magnetic recording media have a coercive force of 1580.
It can be seen that it has excellent characteristics of Oe or more, reproduction output of 165 μV or more, and medium noise of 2.8 μVrms or less.
【0047】これに対して、磁性層5の成膜工程時にお
けるアルゴンガス圧力が9mTorrであって、7mT
orrを越える比較例1では、保磁力が1500 O
e、再生出力が160μVでいずれも各実施例に比較し
て低く、逆に、媒体ノイズは2.9μVrmsといずれ
の実施例よりも大きく、いずれの特性も実施例に比較し
て劣る。On the other hand, the argon gas pressure during the film forming process of the magnetic layer 5 was 9 mTorr and was 7 mT.
In Comparative Example 1 exceeding orr, the coercive force is 1500 O
e, the reproduction output is 160 μV, which is lower than that of each example, and conversely, the medium noise is 2.9 μVrms, which is larger than that of any example, and any of the characteristics is inferior to the examples.
【0048】同様に、アルゴンガス圧力を15mTor
rとさらに大きく7mTorrを越える比較例2では、
保磁力が1400 Oe、再生出力が155μVでいず
れも各実施例に比較してさらに低く、逆に、媒体ノイズ
は3.1μVrmsであってさらに大きくなっており、
実施例に比較してさらに劣る。Similarly, the argon gas pressure is set to 15 mTorr.
In Comparative Example 2 in which r is even larger and exceeds 7 mTorr,
The coercive force was 1400 Oe and the reproduction output was 155 μV, which were all lower than those of the examples, and conversely, the medium noise was 3.1 μVrms, which was larger.
It is further inferior to the examples.
【0049】また、磁性層5の組成におけるCrの含有
率が6%であって、8%未満である比較例3において
も、保磁力が1500 Oe、再生出力が160μVで
いずれも各実施例に比較して低く、逆に、媒体ノイズは
3.0μVrmsといずれの実施例よりも大きく、いず
れの特性も実施例に比較して劣る。Also, in Comparative Example 3 in which the Cr content in the composition of the magnetic layer 5 was 6% and less than 8%, the coercive force was 1500 Oe and the reproduction output was 160 μV. On the contrary, the medium noise is 3.0 μVrms, which is higher than that of any of the examples, and the characteristics are inferior to those of the examples.
【0050】また、磁性層5の組成におけるCrの含有
率が15%であって、12%を越える比較例4において
は、媒体ノイズは2.3μVrmsと実施例と同等レベ
ルであるが、保磁力が1570 Oe、再生出力が15
5μVでいずれも各実施例に比較して低いので総合特性
で実施例に比較して劣る。Further, in Comparative Example 4 in which the Cr content in the composition of the magnetic layer 5 is 15% and exceeds 12%, the medium noise is 2.3 μVrms, which is at the same level as that of the example, but the coercive force. Is 1570 Oe, playback output is 15
At 5 μV, all of them are lower than those of the examples, so that the overall characteristics are inferior to the examples.
【0051】磁性層5の組成におけるNiの含有率が1
5%であって、20%未満である比較例5においては、
保磁力が1300 Oe、再生出力が155μVでいず
れも各実施例に比較して低く、逆に、媒体ノイズは4.
1μVrmsといずれの実施例よりも大きく、いずれの
特性も実施例に比較して劣る。The Ni content in the composition of the magnetic layer 5 is 1
In Comparative Example 5, which is 5% and less than 20%,
The coercive force is 1300 Oe and the reproduction output is 155 μV, which are lower than those of the examples, and conversely, the medium noise is 4.
The value is 1 μVrms, which is higher than any of the examples, and any of the characteristics is inferior to the examples.
【0052】磁性層5の組成におけるNiの含有率が3
5%であって、30%を越える比較例6においては、保
磁力が1600 Oeと実施例と同等であり、媒体ノイ
ズも2.2μVrmsと低く実施例と同等であるが、再
生出力が150μVで各実施例に比較して低いので、総
合特性で実施例に比較して劣る。The Ni content in the composition of the magnetic layer 5 is 3
In Comparative Example 6 which is 5% and exceeds 30%, the coercive force is 1600 Oe, which is equivalent to that of the embodiment, and the medium noise is also low, that is, 2.2 μVrms, which is equivalent to that of the embodiment, but the reproduction output is 150 μV. Since it is lower than each example, the overall characteristics are inferior to the examples.
【0053】以上実施例により本発明を説明してきた
が、本発明は以下の変形例及び応用例を含むものであ
る。Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention includes the following modifications and applications.
【0054】上述の実施例では、基板として、アルミノ
シリケート系の化学強化ガラスを用いた例を掲げたが、
ボロシリケート、アルミノボロシリケート、石英ガラ
ス、ソーダライムガラス等の他のガラスを使用すること
ができる。これらは、その表面を表面粗さがRmaxで
100オングストローム以下に容易に研磨して仕上げる
ことができるものである。また、基板の外径をより小径
にしまた厚さを薄くしてもよい。さらには、基板はガラ
スでなくてもよく、アルミ基板やセラミックス基板、あ
るいは、高分子フィルムであってもよい。In the above-mentioned embodiments, an example in which aluminosilicate-based chemically strengthened glass is used as the substrate is given.
Other glasses such as borosilicate, aluminoborosilicate, quartz glass and soda lime glass can be used. These can be easily finished by polishing the surface to a surface roughness Rmax of 100 angstroms or less. Further, the outer diameter of the substrate may be smaller and the thickness may be thinner. Furthermore, the substrate does not have to be glass, and may be an aluminum substrate, a ceramic substrate, or a polymer film.
【0055】また、実施例では、第1下地層がAlであ
る場合を掲げたが、これは、Ti、Si、Pb、Cu、
In又はGaのいずれか1又は2以上を主たる成分とす
るものでもよい。Further, in the embodiment, the case where the first underlayer is Al is mentioned, but this is not limited to Ti, Si, Pb, Cu,
The main component may be any one or more of In and Ga.
【0056】また、実施例では、第2下地層がCrであ
る場合を掲げたが、これは、TiW、Mo、Ti、T
a、W、Zr、Cu、Al、Zn、In、Sn等の非磁
性材料を用いることができる。なお、これら下地層は2
層以上で構成したものでもよい。Further, in the embodiment, the case where the second underlayer is Cr is mentioned, but it is TiW, Mo, Ti, T.
A non-magnetic material such as a, W, Zr, Cu, Al, Zn, In or Sn can be used. In addition, these underlayers are 2
It may be composed of more than one layer.
【0057】なお、下地層、磁性層、保護層等の形成
は、インラインスパッタ装置でなく、通常のスパッタ装
置、すなわち、静止対向型スパッタ装置を用いて形成で
きることは勿論である。The base layer, the magnetic layer, the protective layer and the like can of course be formed by using a normal sputtering apparatus, that is, a static facing type sputtering apparatus, instead of the in-line sputtering apparatus.
【0058】また、実施例では、保護層をCr層とC層
との2層構造で構成する例を掲げたが、保護層として
は、Cr層の代わりに、他の材料を用いてもよく、その
例として、Mo、Ti、TiW、CrMo、Ta、W、
Si、Ge等の非磁性材料、あるいはこれらの酸化物、
窒化物、炭化物等を用いてもよい。また、この層を2層
以上の層にしてもよい。さらには、C層の代わりに、例
えば、SiO2 、SiN、SiC、ZrO2 膜でもよ
く、あるいは、有機シリコン化合物等の膜材にシリカ微
粒子等の硬質微粒子を分散させたものでもよい。Further, in the embodiment, the example in which the protective layer has a two-layer structure of the Cr layer and the C layer is given. However, as the protective layer, another material may be used instead of the Cr layer. , As examples thereof, Mo, Ti, TiW, CrMo, Ta, W,
Non-magnetic materials such as Si and Ge, or oxides of these,
Nitride, carbide, etc. may be used. In addition, this layer may be two or more layers. Further, instead of the C layer, for example, a SiO 2 , SiN, SiC, ZrO 2 film may be used, or a hard material such as silica particles may be dispersed in a film material such as an organic silicon compound.
【0059】さらに、実施例では潤滑層の材料としてパ
ーフルオロポリエーテルを用いたが、フルオロカーボン
系の液体潤滑剤やスルホン酸のアルカリ金属塩からなる
潤滑剤を用いることもできる。その膜厚は10〜30オ
ングストロームであることが好ましく、その理由は10
オングストローム未満であると耐摩耗性の向上を計るこ
とが充分でなく、また30オングストロームを越えると
耐摩耗性の向上がみられず、しかもスペーシングロスの
問題が生ずるからである。Further, although perfluoropolyether was used as the material of the lubricating layer in the examples, a fluorocarbon liquid lubricant or a lubricant consisting of an alkali metal salt of sulfonic acid can also be used. The film thickness is preferably 10 to 30 Å, and the reason is 10
If it is less than angstrom, the wear resistance cannot be sufficiently improved, and if it exceeds 30 angstrom, the wear resistance is not improved and a problem of spacing loss occurs.
【0060】[0060]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、磁性層
形成工程において、0.5〜7mTorrの不活性ガス
圧力下におけるスパッタリングによって、Co100-a-b
NiaCrb (但し、a,bは原子%を示し、20≦a
≦30、8≦b≦12である)の組成を有する磁性膜を
形成するようにしたことにより、高保磁力と高い再生出
力を有するとともに、再生時のノイズが小さい磁気記録
媒体を得ることを可能にしたものである。As described above in detail, according to the present invention, in the magnetic layer forming step, Co 100-ab is formed by sputtering under an inert gas pressure of 0.5 to 7 mTorr.
Ni a Cr b (however, a and b represent atomic%, and 20 ≦ a
By forming a magnetic film having a composition of ≦ 30 and 8 ≦ b ≦ 12, it is possible to obtain a magnetic recording medium having a high coercive force and a high reproduction output, and a small noise during reproduction. It is the one.
【図1】本発明の実施例1にかかる磁気記録媒体の製造
方法で製造される磁気記録媒体の構成を示す模式的断面
図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a magnetic recording medium manufactured by a method of manufacturing a magnetic recording medium according to a first embodiment of the present invention.
【図2】実施例1〜9及び比較例1〜6の磁気記録媒体
の特性を測定した結果を表にして示した図である。FIG. 2 is a table showing the results of measuring the characteristics of the magnetic recording media of Examples 1-9 and Comparative Examples 1-6.
1…ガラス基板、2…第1下地層、3…第2下地層、4
…第3下地層、5…磁性層、6…保護層、7…潤滑層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... 1st foundation layer, 3 ... 2nd foundation layer, 4
... third underlayer, 5 ... magnetic layer, 6 ... protective layer, 7 ... lubricating layer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01F 41/18 H01F 41/18 (72)発明者 河角 功 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 河合 久雄 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number for FI Technical indication H01F 41/18 H01F 41/18 (72) Inventor Isao Kawaka 2-7 Nakachuai, Shinjuku-ku, Tokyo No. 5 In Hoya Co., Ltd. (72) Inventor Hisao Kawai 2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo In Hoya Co., Ltd.
Claims (3)
を形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法におい
て、 前記磁性層形成工程は、0.5〜7mTorrの不活性
ガス圧力下におけるスパッタリングによって、Co
100-a-b Nia Crb (但し、a,bは原子%を示し、
20≦a≦30、8≦b≦12である)の組成を有する
磁性膜を形成するものであることを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。1. A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising the steps of forming at least an underlayer and a magnetic layer on a substrate, wherein the magnetic layer forming step is sputtering under an inert gas pressure of 0.5 to 7 mTorr. By Co
100-ab Ni a Cr b (however, a and b represent atomic%,
20 ≦ a ≦ 30, 8 ≦ b ≦ 12). A method for producing a magnetic recording medium, comprising forming a magnetic film having a composition of 20 ≦ a ≦ 30 and 8 ≦ b ≦ 12.
らなる第1下地層を形成する第1下地層形成工程と、C
r,Mo,Zr,B,Si,Zn,W,V,Taから選
ばれる元素を含む1層以上の層からなる第2下地層を形
成する第2下地層形成工程とを有することを特徴とする
請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。2. The first underlayer forming step of forming a first underlayer made of Al or Ti, and the C underlayer forming step,
a second underlayer forming step of forming a second underlayer composed of one or more layers containing an element selected from r, Mo, Zr, B, Si, Zn, W, V and Ta. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1.
とする混合ガスであることを特徴とする請求項1又は2
に記載の磁気記録媒体の製造方法。3. The gas mixture according to claim 1, wherein the inert gas is a mixed gas containing Ar and Kr as main components.
A method of manufacturing a magnetic recording medium according to 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7075493A JPH08273160A (en) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | Production of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7075493A JPH08273160A (en) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | Production of magnetic recording medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08273160A true JPH08273160A (en) | 1996-10-18 |
Family
ID=13577865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7075493A Pending JPH08273160A (en) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | Production of magnetic recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08273160A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7075493A patent/JPH08273160A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
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