JP2959890B2 - カーボン被覆光ファイバ - Google Patents
カーボン被覆光ファイバInfo
- Publication number
- JP2959890B2 JP2959890B2 JP3273160A JP27316091A JP2959890B2 JP 2959890 B2 JP2959890 B2 JP 2959890B2 JP 3273160 A JP3273160 A JP 3273160A JP 27316091 A JP27316091 A JP 27316091A JP 2959890 B2 JP2959890 B2 JP 2959890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- optical fiber
- coating film
- carbon coating
- chlorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバに関するもの
であり、特に、水素原子または水素基の透過阻止性及び
初期強度を向上させた長期的に信頼性の高いカーボン被
覆光ファイバに関する。
であり、特に、水素原子または水素基の透過阻止性及び
初期強度を向上させた長期的に信頼性の高いカーボン被
覆光ファイバに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは石英ガラスなどのガラス製
のコアとクラッドからなり、必要に応じて前記クラッド
の外側にジャケットが設けられる。かかる光ファイバを
そのまま長時間放置しておくと、大気中あるいは水分環
境に存在する水分が光ファイバ表面の微細な傷に作用し
てその傷が増長される。光ファイバの布設の際にはある
程度の応力が印加された状態になるから微細な傷、裂け
目に水分が作用し易くなり、水分が存在する雰囲気にお
いては経時的に光ファイバの強度が低下する。特に、高
温多湿等の条件の良くない環境に光ファイバが布設され
た場合には、さらに水分による作用が大きく光ファイバ
の強度低下を著しく促進させる。
のコアとクラッドからなり、必要に応じて前記クラッド
の外側にジャケットが設けられる。かかる光ファイバを
そのまま長時間放置しておくと、大気中あるいは水分環
境に存在する水分が光ファイバ表面の微細な傷に作用し
てその傷が増長される。光ファイバの布設の際にはある
程度の応力が印加された状態になるから微細な傷、裂け
目に水分が作用し易くなり、水分が存在する雰囲気にお
いては経時的に光ファイバの強度が低下する。特に、高
温多湿等の条件の良くない環境に光ファイバが布設され
た場合には、さらに水分による作用が大きく光ファイバ
の強度低下を著しく促進させる。
【０００３】また、光ファイバのコア付近に水素原子ま
たは水酸基が侵入すると、特に波長１．２４μｍ付近に
吸収ピークが生じ光ファイバの伝送損失を増加させる。
このような特性劣化を防止するため、光ファイバの表面
に水素原子または水酸基の侵入を防止する高密度な炭素
または炭素化合物で形成されるカーボン被覆層を設けた
光ファイバが提案されている（たとえば、米国特許第４
１８３６２１号公報、ヨーロッパ特許出願公開第０３０
８１４３号公報）。
たは水酸基が侵入すると、特に波長１．２４μｍ付近に
吸収ピークが生じ光ファイバの伝送損失を増加させる。
このような特性劣化を防止するため、光ファイバの表面
に水素原子または水酸基の侵入を防止する高密度な炭素
または炭素化合物で形成されるカーボン被覆層を設けた
光ファイバが提案されている（たとえば、米国特許第４
１８３６２１号公報、ヨーロッパ特許出願公開第０３０
８１４３号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】カーボン被覆膜は一般
に非晶質であるよりもグラファイト結晶であるときの方
が、原子配列が緻密であり、水素原子または水酸基（た
とえば、水）の透過阻止性に優れている。しかしなが
ら、カーボン被覆膜中のグラファイト結晶の含有率が多
くなるにしたがって、カーボン被覆膜の伸び歪は低下す
るという問題がある。さらに、石英ガラスファイバはグ
ラファイトの含有率が高いカーボン被覆膜に比べ、伸び
易く、伸び歪も大きい。また、一般的に石英やカーボン
のようなセラミックスの破断強度は、表面のクラックの
進行に支配されることから、伸び歪の小さいカーボン被
覆膜を表面に持つカーボン被覆光ファイバは、従来の被
覆が施されていない石英ガラスのみの光ファイバに比
べ、初期強度が劣っている。一方、カーボン被覆膜にお
ける非晶質の占める割合が増すにつれて、原子配列の緻
密さの点で劣り、したがって水素原子または水酸基の透
過阻止性は劣化するが、逆に伸び歪は大きくなり、初期
強度は向上するという二律背反する問題に遭遇する。以
上の問題に鑑みて、本発明は、良好な水素または、水酸
基の透過阻止性を有し、かつより高い初期強度を合せ持
つカーボン被覆光ファイバを提供することを目的とす
る。
に非晶質であるよりもグラファイト結晶であるときの方
が、原子配列が緻密であり、水素原子または水酸基（た
とえば、水）の透過阻止性に優れている。しかしなが
ら、カーボン被覆膜中のグラファイト結晶の含有率が多
くなるにしたがって、カーボン被覆膜の伸び歪は低下す
るという問題がある。さらに、石英ガラスファイバはグ
ラファイトの含有率が高いカーボン被覆膜に比べ、伸び
易く、伸び歪も大きい。また、一般的に石英やカーボン
のようなセラミックスの破断強度は、表面のクラックの
進行に支配されることから、伸び歪の小さいカーボン被
覆膜を表面に持つカーボン被覆光ファイバは、従来の被
覆が施されていない石英ガラスのみの光ファイバに比
べ、初期強度が劣っている。一方、カーボン被覆膜にお
ける非晶質の占める割合が増すにつれて、原子配列の緻
密さの点で劣り、したがって水素原子または水酸基の透
過阻止性は劣化するが、逆に伸び歪は大きくなり、初期
強度は向上するという二律背反する問題に遭遇する。以
上の問題に鑑みて、本発明は、良好な水素または、水酸
基の透過阻止性を有し、かつより高い初期強度を合せ持
つカーボン被覆光ファイバを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明は、カーボン被覆膜が被覆膜の生成原料に塩
素系炭化水素などを含ませることにより、カーボン被覆
膜に塩素を分散させ、グラファイト結晶の緻密性を緩和
することによって、非晶質とグラファイト結晶を適度な
構成比で含むことが好適である。本発明においては、光
ファイバ表面近傍では初期強度を向上させる非晶質の含
有量を、またカーボン被覆膜の外表面近傍では水素また
は水酸基の侵入を防止するグラファイトの含有量をそれ
ぞれ高くするものである。すなわち、被覆膜の深さ方向
に、特に光ファイバ表面近傍により多くの塩素をドープ
する。したがって、本発明によれば、コアと、該コアの
外周に形成されたクラッドとを有する石英ファイバ表面
上にカーボン被覆膜が形成された光ファイバにおいて、
前記カーボン被覆膜の前記クラッドと接触するカーボン
被覆膜界面部分に塩素の含有量のピークが存在し、前記
カーボン被覆膜界面から前記カーボン被覆膜の外表面に
向かって塩素の含有量が極度に低下しており、前記カー
ボン被覆膜の前記クラッドと接触するカーボン被覆膜界
面部分のカーボン含有量は低く、前記カーボン被覆膜界
面から前記カーボン被覆膜の外表面に向かってカーボン
含有量が増加していることを特徴とするカーボン被覆光
ファイバが提供される。 さらに好ましくは、前記カーボ
ン被覆膜の最外表面近傍は、塩素含有量が増加し、カー
ボン含有量が低下している。
め、本発明は、カーボン被覆膜が被覆膜の生成原料に塩
素系炭化水素などを含ませることにより、カーボン被覆
膜に塩素を分散させ、グラファイト結晶の緻密性を緩和
することによって、非晶質とグラファイト結晶を適度な
構成比で含むことが好適である。本発明においては、光
ファイバ表面近傍では初期強度を向上させる非晶質の含
有量を、またカーボン被覆膜の外表面近傍では水素また
は水酸基の侵入を防止するグラファイトの含有量をそれ
ぞれ高くするものである。すなわち、被覆膜の深さ方向
に、特に光ファイバ表面近傍により多くの塩素をドープ
する。したがって、本発明によれば、コアと、該コアの
外周に形成されたクラッドとを有する石英ファイバ表面
上にカーボン被覆膜が形成された光ファイバにおいて、
前記カーボン被覆膜の前記クラッドと接触するカーボン
被覆膜界面部分に塩素の含有量のピークが存在し、前記
カーボン被覆膜界面から前記カーボン被覆膜の外表面に
向かって塩素の含有量が極度に低下しており、前記カー
ボン被覆膜の前記クラッドと接触するカーボン被覆膜界
面部分のカーボン含有量は低く、前記カーボン被覆膜界
面から前記カーボン被覆膜の外表面に向かってカーボン
含有量が増加していることを特徴とするカーボン被覆光
ファイバが提供される。 さらに好ましくは、前記カーボ
ン被覆膜の最外表面近傍は、塩素含有量が増加し、カー
ボン含有量が低下している。
【０００６】
【作用】光ファイバ表面（クラッド表面）近傍により多
くの塩素をドープしたカーボン被覆膜は、光ファイバ表
面（クラッド表面）と接するカーボン被覆層が光ファイ
バ（たとえば、石英ガラス）の表面のヤング率とほぼ同
程度の非晶質であり、したがって両層の間に生じる破断
歪の差が大幅に緩和され、初期強度を有する被覆として
機能する。一方、カーボン被覆表面は緻密なカーボン原
子配列を有するグラファイト結晶であるため、水素また
は水酸基の透過阻止も向上し、光ファイバの伝送損失の
増加を防止する。
くの塩素をドープしたカーボン被覆膜は、光ファイバ表
面（クラッド表面）と接するカーボン被覆層が光ファイ
バ（たとえば、石英ガラス）の表面のヤング率とほぼ同
程度の非晶質であり、したがって両層の間に生じる破断
歪の差が大幅に緩和され、初期強度を有する被覆として
機能する。一方、カーボン被覆表面は緻密なカーボン原
子配列を有するグラファイト結晶であるため、水素また
は水酸基の透過阻止も向上し、光ファイバの伝送損失の
増加を防止する。
【０００７】
【実施例】本発明のカーボン被覆光ファイバの１実施例
について、添付図面を参照して述べる。図１に、単一モ
ード型カーボン被覆光ファイバの断面を示す。中心部に
直径１０μｍの石英ファイバのコア１ａおよび外径１２
５μｍのクラッド１ｂからなる裸の光ファイバ１があ
り、この裸の光ファイバ１の外表面に厚さ１０2 〜１０
3 Å程度のカーボン被覆膜２が形成され、さらにその外
表面に必要に応じて樹脂被覆３が形成される。
について、添付図面を参照して述べる。図１に、単一モ
ード型カーボン被覆光ファイバの断面を示す。中心部に
直径１０μｍの石英ファイバのコア１ａおよび外径１２
５μｍのクラッド１ｂからなる裸の光ファイバ１があ
り、この裸の光ファイバ１の外表面に厚さ１０2 〜１０
3 Å程度のカーボン被覆膜２が形成され、さらにその外
表面に必要に応じて樹脂被覆３が形成される。
【０００８】以上の構造を有するカーボン被覆光ファイ
バを形成させる製造装置の概略構成を図２に示す。カー
ボン被覆膜の成膜法として、ＣＶＤ法の一部である熱分
解方法を用いた。図２において、光ファイバ母材（プリ
フォーム）４は線引炉５内に導入され、軟化温度まで加
熱後、プリフォーム４下端に張力をかけ裸の光ファイバ
を線引し、該裸の光ファイバ６Ａの外径を外径測定器７
にて所定の外径に制御する。
バを形成させる製造装置の概略構成を図２に示す。カー
ボン被覆膜の成膜法として、ＣＶＤ法の一部である熱分
解方法を用いた。図２において、光ファイバ母材（プリ
フォーム）４は線引炉５内に導入され、軟化温度まで加
熱後、プリフォーム４下端に張力をかけ裸の光ファイバ
を線引し、該裸の光ファイバ６Ａの外径を外径測定器７
にて所定の外径に制御する。
【０００９】裸の光ファイバ６Ａは、反応管加熱炉１０
に導入され、加熱したＣＶＤ反応管８を通過し、カーボ
ン被覆膜２が形成される。ＣＶＤ反応管８内には、炭化
水素系原料ガス、たとえば、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）と
不活性ガス、たとえば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン
（Ａｒ）、窒素（Ｎ2 ）などを混合させた原料ガスが、
マスフローコントローラー９で質量制御されて供給され
る。また、グラファイト結晶と非晶質カーボンの割合を
調整する塩化化合物ガス、たとえば、トリクロロエチレ
ン（Ｃ2 ＨＣｌ3 ）、四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）、塩素
（Ｃｌ2 ）などとキャリアガスを混合させた塩素系添加
剤が、マスフローコントローラー１３で質量制御されて
バブラー１４でバブリングされて供給される。この原料
ガスは、反応管加熱炉１０の熱と裸の光ファイバ６Ａ自
体の熱により熱分解され、グラファイト結晶と非晶質カ
ーボンの適度の割合のカーボン被覆膜が、裸の光ファイ
バ６Ａの外表面に形成される。カーボン被覆膜の厚さ
は、この実施例では、５０Å〜１００Åである。このカ
ーボン被覆光ファイバ６は、樹脂被覆用のダイス１１に
より樹脂被覆が施され巻取機により巻き取られる。
に導入され、加熱したＣＶＤ反応管８を通過し、カーボ
ン被覆膜２が形成される。ＣＶＤ反応管８内には、炭化
水素系原料ガス、たとえば、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）と
不活性ガス、たとえば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン
（Ａｒ）、窒素（Ｎ2 ）などを混合させた原料ガスが、
マスフローコントローラー９で質量制御されて供給され
る。また、グラファイト結晶と非晶質カーボンの割合を
調整する塩化化合物ガス、たとえば、トリクロロエチレ
ン（Ｃ2 ＨＣｌ3 ）、四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）、塩素
（Ｃｌ2 ）などとキャリアガスを混合させた塩素系添加
剤が、マスフローコントローラー１３で質量制御されて
バブラー１４でバブリングされて供給される。この原料
ガスは、反応管加熱炉１０の熱と裸の光ファイバ６Ａ自
体の熱により熱分解され、グラファイト結晶と非晶質カ
ーボンの適度の割合のカーボン被覆膜が、裸の光ファイ
バ６Ａの外表面に形成される。カーボン被覆膜の厚さ
は、この実施例では、５０Å〜１００Åである。このカ
ーボン被覆光ファイバ６は、樹脂被覆用のダイス１１に
より樹脂被覆が施され巻取機により巻き取られる。
【００１０】表１に、上記の方法で塩素系添加剤の四塩
化炭素の添加量とカーボン被覆膜合成温度とを変化さ
せ、実施例１，２および比較例１のカーボン被覆光ファ
イバを作成し、長尺引張強度，動疲労試験，水素試験と
ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）による結果を評価した
結果およびカーボン被覆光ファイバの製造条件を示し
た。
化炭素の添加量とカーボン被覆膜合成温度とを変化さ
せ、実施例１，２および比較例１のカーボン被覆光ファ
イバを作成し、長尺引張強度，動疲労試験，水素試験と
ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）による結果を評価した
結果およびカーボン被覆光ファイバの製造条件を示し
た。
【表１】 実施例１，２は、塩素系添加物として高濃度の四塩化炭
素を用い、カーボン被覆膜合成温度を比較的低温の８０
０〜９００°Ｃとして合成した。また、比較例１は低濃
度の四塩化炭素を用い、カーボン被覆膜合成温度を比較
的高温の１０００〜１１００°Ｃとして合成した。
素を用い、カーボン被覆膜合成温度を比較的低温の８０
０〜９００°Ｃとして合成した。また、比較例１は低濃
度の四塩化炭素を用い、カーボン被覆膜合成温度を比較
的高温の１０００〜１１００°Ｃとして合成した。
【００１１】図３は比較例１、および、図４は実施例
１，２のカーボン被覆光ファイバにおけるカーボン被覆
膜をＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）法で分析した結果
のチャートを示した。すなわち、図３は比較例１の結果
を示すグラフであり、図４は実施例１，２の結果を示す
グラフである。なお、ＳＩＭＳは、カーボン被覆表面側
からスパークさせ飛び出してくるイオンを分析する方法
である。したがって、時間０ｓｅｃの位置はカーボン被
覆表面であり、時間２０００ｓｅｃの位置はファイバ側
である。さらに、図３および図４の内容について説明を
加えると、塩素イオンの検出ピーク極大値Ｂ点が炭素
（Ｃ）イオン検出ピークと珪素（Ｓｉ）イオン検出ピー
クの交点Ａ（すなわち、光ファイバのクラッドとカーボ
ン被覆膜との接面）より右側にあるということは、光フ
ァイバ内に塩素イオンが存在することを意味し、一方左
側にあるということはカーボン被覆膜中に塩素が存在す
ることを意味する。また、珪素イオン検出ピークの極小
点Ｅから炭素イオン検出ピークと珪素イオン検出ピーク
の交点Ａまでの間がいわゆる界面付近に相当する。した
がって、最適なカーボン被覆膜は界面付近に塩素イオン
の検出ピーク値を示す、Ｂ点が存在している。つまり、
塩素が界面付近に多いほどカーボン被覆膜は非晶質化
し、特に非晶質化が最も進んでいる膜が光ファイバ表面
に接している方がカーボン被覆光ファイバの初期強度は
高くなる。
１，２のカーボン被覆光ファイバにおけるカーボン被覆
膜をＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）法で分析した結果
のチャートを示した。すなわち、図３は比較例１の結果
を示すグラフであり、図４は実施例１，２の結果を示す
グラフである。なお、ＳＩＭＳは、カーボン被覆表面側
からスパークさせ飛び出してくるイオンを分析する方法
である。したがって、時間０ｓｅｃの位置はカーボン被
覆表面であり、時間２０００ｓｅｃの位置はファイバ側
である。さらに、図３および図４の内容について説明を
加えると、塩素イオンの検出ピーク極大値Ｂ点が炭素
（Ｃ）イオン検出ピークと珪素（Ｓｉ）イオン検出ピー
クの交点Ａ（すなわち、光ファイバのクラッドとカーボ
ン被覆膜との接面）より右側にあるということは、光フ
ァイバ内に塩素イオンが存在することを意味し、一方左
側にあるということはカーボン被覆膜中に塩素が存在す
ることを意味する。また、珪素イオン検出ピークの極小
点Ｅから炭素イオン検出ピークと珪素イオン検出ピーク
の交点Ａまでの間がいわゆる界面付近に相当する。した
がって、最適なカーボン被覆膜は界面付近に塩素イオン
の検出ピーク値を示す、Ｂ点が存在している。つまり、
塩素が界面付近に多いほどカーボン被覆膜は非晶質化
し、特に非晶質化が最も進んでいる膜が光ファイバ表面
に接している方がカーボン被覆光ファイバの初期強度は
高くなる。
【００１２】比較例１は、図３に示すように、塩素（Ｃ
ｌ）イオン検出ピーク（Ｂ点）が炭素（Ｃ）イオンと珪
素（Ｓｉ）イオンの検出量が等しくなる位置（光ファイ
バとカーボン被覆膜の界面付近、すなわちＡ点）よりも
珪素イオン検出量の多い側（ファイバ側）に存在してい
る。一方、実施例１，２は、図４に示すように、塩素イ
オン検出ピーク値（Ｂ点）が炭素イオンと珪素イオンの
検出量が等しくなる位置（Ａ点）よりもカーボン被覆膜
側に存在する。また、実施例１に比べ実施例２の方が炭
素イオンに対する塩素イオンの相対検出ピークの高さが
より大きくなっていた（図示せず）。
ｌ）イオン検出ピーク（Ｂ点）が炭素（Ｃ）イオンと珪
素（Ｓｉ）イオンの検出量が等しくなる位置（光ファイ
バとカーボン被覆膜の界面付近、すなわちＡ点）よりも
珪素イオン検出量の多い側（ファイバ側）に存在してい
る。一方、実施例１，２は、図４に示すように、塩素イ
オン検出ピーク値（Ｂ点）が炭素イオンと珪素イオンの
検出量が等しくなる位置（Ａ点）よりもカーボン被覆膜
側に存在する。また、実施例１に比べ実施例２の方が炭
素イオンに対する塩素イオンの相対検出ピークの高さが
より大きくなっていた（図示せず）。
【００１３】初期強度を測定した結果を表１に示した。
実施例１および実施例２の初期強度はそれぞれ５．８ｋ
ｇｆ，６．２ｋｇｆであり従来の塩素を包含しないカー
ボン被覆石英系光ファイバと同等の初期強度が得られ
た。一方、比較例１は５．３ｋｇｆであり従来の石英系
光ファイバに比べやや強度が劣っていた。
実施例１および実施例２の初期強度はそれぞれ５．８ｋ
ｇｆ，６．２ｋｇｆであり従来の塩素を包含しないカー
ボン被覆石英系光ファイバと同等の初期強度が得られ
た。一方、比較例１は５．３ｋｇｆであり従来の石英系
光ファイバに比べやや強度が劣っていた。
【００１４】さらに、実施例１．２および比較例１につ
いて動疲労試験および水素試験をおなった結果を表１に
示す。実施例１および２は疲労特性および水素透過阻止
性は、いずれも良好な値を示した。
いて動疲労試験および水素試験をおなった結果を表１に
示す。実施例１および２は疲労特性および水素透過阻止
性は、いずれも良好な値を示した。
【００１５】以上述べたように、本発明においては、カ
ーボン被覆膜形成において、光ファイバ表面との界面付
近により多くの塩素をドープすることにより、従来の石
英系ファイアと同等の初期強度を有し、かつ、良好な水
素透過阻止性および疲労特性をあわせ持つカーボン被覆
光ファイバが得られる。
ーボン被覆膜形成において、光ファイバ表面との界面付
近により多くの塩素をドープすることにより、従来の石
英系ファイアと同等の初期強度を有し、かつ、良好な水
素透過阻止性および疲労特性をあわせ持つカーボン被覆
光ファイバが得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明において
は、カーボン被覆光ファイバのカーボン被覆膜形成にお
いて、光ファイバ表面との界面付近により多くの塩素を
ドープすることにより、従来の石英系ファイバと同等の
初期強度を有し、かつ、良好な水素透過阻止性および疲
労特性をあわせ持つカーボン被覆光ファイバが製造され
る。
は、カーボン被覆光ファイバのカーボン被覆膜形成にお
いて、光ファイバ表面との界面付近により多くの塩素を
ドープすることにより、従来の石英系ファイバと同等の
初期強度を有し、かつ、良好な水素透過阻止性および疲
労特性をあわせ持つカーボン被覆光ファイバが製造され
る。
【図１】図１は本発明の実施例のカーボン被覆光ファイ
バの構造を示す断面図である。
バの構造を示す断面図である。
【図２】図２は本発明の実施例のカーボン被覆光ファイ
バを製造する熱ＣＶＤ法を用いた装置の概略構成図であ
る。
バを製造する熱ＣＶＤ法を用いた装置の概略構成図であ
る。
【図３】図３は比較例１のカーボン被覆光ファイバのカ
ーボン被覆膜の構造を示すＳＩＭＳ（２次イオン質量分
析）結果を示すチャートである。
ーボン被覆膜の構造を示すＳＩＭＳ（２次イオン質量分
析）結果を示すチャートである。
【図４】図４は本発明の実施例のカーボン被覆光ファイ
バのカーボン被覆膜の構造を示すＳＩＭＳ結果を示すチ
ャートである。
バのカーボン被覆膜の構造を示すＳＩＭＳ結果を示すチ
ャートである。
１・・・・石英ファイバ部， １ａ・・・コア １ｂ・・・クラッド ２・・・・カーボン被覆膜， ３・・・・樹脂被覆， ４・・・・光ファイバ母材（プリフォーム） ５・・・・線引炉， ６・・・・カーボン被覆光ファイバ， ７・・・・外形測定器， ８・・・・ＣＤＶ反応管， ９・・・・マスフローコントローラー， １０・・・・反応管加熱炉， １１・・・・被覆ダイス， １２・・・・巻取機， １３・・・・マスフローコントローラー， １４・・・・バブラー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−289450（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−153549（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02B 6/44
Claims (2)
- 【請求項１】コアと、該コアの外周に形成されたクラッ
ドとを有する石英ファイバ表面上にカーボン被覆膜が形
成された光ファイバにおいて、 前記カーボン被覆膜の前記クラッドと接触するカーボン
被覆膜界面部分に塩素の含有量のピークが存在し、前記
カーボン被覆膜界面から前記カーボン被覆膜の外表面に
向かって塩素の含有量が極度に低下しており、 前記カーボン被覆膜の前記クラッドと接触するカーボン
被覆膜界面部分のカーボン含有量は低く、前記カーボン
被覆膜界面から前記カーボン被覆膜の外表面に向かって
カーボン含有量が増加している ことを特徴とするカーボ
ン被覆光ファイバ。 - 【請求項２】前記カーボン被覆膜の最外表面近傍は、塩
素含有量が増加し、カーボン含有量が低下している、請
求項１記載のカーボン被覆光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273160A JP2959890B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | カーボン被覆光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273160A JP2959890B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | カーボン被覆光ファイバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588055A JPH0588055A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2959890B2 true JP2959890B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17523939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273160A Expired - Fee Related JP2959890B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | カーボン被覆光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959890B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08239247A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ及びその製造方法 |
| GB201502109D0 (en) * | 2015-02-09 | 2015-03-25 | Commw Of Australia Represented By Dept Of Defence | An active optical fibre |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP3273160A patent/JP2959890B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588055A (ja) | 1993-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5000541A (en) | Hermetically sealed optical fibers | |
| EP0374926B1 (en) | Method for producing a carbon-coated optical fiber | |
| EP0353934B1 (en) | Method of producing an optical fibre | |
| US5067975A (en) | Method of manufacturing optical waveguide fiber with titania-silica outer cladding | |
| US5140665A (en) | Optical waveguide fiber with titania-silica outer cladding | |
| JPH0283240A (ja) | 気密封止処理光ファイバー | |
| JP2002518288A (ja) | Ｏｈ遮断層を具備した光ファイバのプレフォーム及びその製造方法 | |
| US5157755A (en) | Hermetically coated optical fiber | |
| US5180411A (en) | Optical waveguide fiber with titania-silica outer cladding and method of manufacturing | |
| EP0472944B1 (en) | Method and apparatus for producing hermetic coated optical fiber | |
| JP4744670B2 (ja) | プリフォームから製造される光ファイバに水素が拡散するのを防ぐ障壁層を含むプリフォームと、そのようなプリフォームの調製方法 | |
| US7630611B2 (en) | Optical fiber and method of manufacturing an optical fiber | |
| EP0371628B1 (en) | A method of producing carbon-coated optical fiber | |
| JP2959890B2 (ja) | カーボン被覆光ファイバ | |
| KR100819581B1 (ko) | 환원제를 이용한 수트 예형의 처리방법 | |
| EP0443112B1 (en) | Optical waveguide fiber with titania-silica outer cladding and method of manufacturing | |
| US5235666A (en) | Production of a hermetically coated optical fiber | |
| JPH0648325B2 (ja) | 光ファイバ及びその製造方法 | |
| JP2846452B2 (ja) | カーボン被覆光ファイバ | |
| JPS6096545A (ja) | 光フアイバ | |
| JP3406034B2 (ja) | カーボンコート光ファイバ | |
| JP2727702B2 (ja) | カーボンコート光ファイバの製造方法 | |
| JP4459875B2 (ja) | 光ファイバ用母材とその製造方法、光ファイバの製造方法 | |
| JP3103183B2 (ja) | 通信用ハーメチックコート光ファイバ | |
| JP3039948B2 (ja) | 光ファイバの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |