JP2952131B2 - Test equipment for semiconductor integrated circuits - Google Patents

Test equipment for semiconductor integrated circuits

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JP2952131B2
JP2952131B2 JP5109031A JP10903193A JP2952131B2 JP 2952131 B2 JP2952131 B2 JP 2952131B2 JP 5109031 A JP5109031 A JP 5109031A JP 10903193 A JP10903193 A JP 10903193A JP 2952131 B2 JP2952131 B2 JP 2952131B2
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弘之 柴田
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路のAC
特性試験を含む試験を行う半導体集積回路の試験装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (AC).
The present invention relates to a test apparatus for a semiconductor integrated circuit that performs a test including a characteristic test.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の開発段階あるいは量産
時などに、半導体集積回路のAC(交流)特性試験など
を含む各種の試験が行われる。このAC特性試験は、半
導体集積回路の入力端子と出力端子との間での信号伝搬
遅延時間(以下「遅延時間」という)、出力波形の立上
り時間および立下り時間などの測定を行う。
2. Description of the Related Art Various tests including an AC (AC) characteristic test of a semiconductor integrated circuit are performed during a development stage or a mass production of the semiconductor integrated circuit. This AC characteristic test measures a signal propagation delay time (hereinafter, referred to as “delay time”) between an input terminal and an output terminal of a semiconductor integrated circuit, and a rise time and a fall time of an output waveform.

【0003】図1は、本発明の前提となる半導体集積回
路の試験装置の電気的構成を示すブロック図である。こ
の半導体集積回路の試験装置は、半導体集積回路のAC
特性試験を含む試験を行う。パターン発生器50からの
試験開始信号によって、タイミング発生器51からタイ
ミング信号がパターン発生回路50、波形フォーマット
回路52および比較回路57へ出力される。波形フォー
マット回路52は、パターン発生器50からの試験パタ
ーン信号をタイミング信号により波形整形し、試験信号
として駆動回路53に出力する。駆動回路53に入力さ
れた試験信号は、レベルが調整され、試験される半導体
集積回路(以下「被試験回路」と称する)55へ出力さ
れる。次に比較器57は、被試験回路55からの出力信
号と対応するパターン発生器50からのパターン信号に
含まれる期待値とを比較し、それらの値が一致すれば一
致信号を出力し、一致しなければ不一致信号を出力す
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a test apparatus for a semiconductor integrated circuit which is a premise of the present invention. This semiconductor integrated circuit test apparatus is a semiconductor integrated circuit AC
Perform tests including characteristic tests. The timing signal is output from the timing generator 51 to the pattern generation circuit 50, the waveform format circuit 52, and the comparison circuit 57 according to the test start signal from the pattern generator 50. The waveform format circuit 52 shapes the waveform of the test pattern signal from the pattern generator 50 using the timing signal, and outputs the waveform to the drive circuit 53 as a test signal. The test signal input to the drive circuit 53 is adjusted in level and output to a semiconductor integrated circuit (hereinafter, referred to as a “circuit under test”) 55 to be tested. Next, the comparator 57 compares the output signal from the circuit under test 55 with the expected value included in the corresponding pattern signal from the pattern generator 50, and outputs a coincidence signal if the values match. If not, a mismatch signal is output.

【0004】この半導体集積回路の試験装置において、
AC特性のうち被試験回路55の遅延時間を測定する場
合、たとえばタイミング発生器51から試験信号が被試
験回路55へ入力される時刻から一定の時間間隔でタイ
ミング信号を発生させ、そのタイミングに同期して、比
較器57における期待値データと出力データとが一致す
る時刻を測定する。したがって、その時刻から被試験回
路55の出力信号の遅延時間を測定することができる。
In this semiconductor integrated circuit test apparatus,
When measuring the delay time of the circuit under test 55 in the AC characteristics, for example, a timing signal is generated at a fixed time interval from the time when the test signal is input from the timing generator 51 to the circuit under test 55, and the timing is synchronized with the timing. Then, the time when the expected value data and the output data in the comparator 57 match is measured. Therefore, the delay time of the output signal of the circuit under test 55 can be measured from that time.

【0005】図2は、図1で示される比較回路57のよ
り詳細な電気的構成を示すブロック図である。比較回路
57は、被試験回路55からの複数のn個の出力CH1
〜CHnを同時に比較判定を行うため、記憶回路61、
比較判定回路62、コンパレータ63に入出力する各信
号はn個ずつある。以下の説明では、比較回路57のn
個の各入出力信号を総称するときは添字1〜nを省略し
て示す。たとえば期待値信号EV1〜EVnは、総称す
るときは期待値信号EVとする。
FIG. 2 is a block diagram showing a more detailed electrical configuration of comparison circuit 57 shown in FIG. The comparison circuit 57 includes a plurality of n outputs CH1 from the circuit under test 55.
To CHn at the same time, the storage circuit 61,
Each of the signals input to and output from the comparison determination circuit 62 and the comparator 63 is n. In the following description, n
When the input / output signals are collectively referred to, the suffixes 1 to n are omitted. For example, the expected value signals EV1 to EVn are collectively referred to as the expected value signal EV.

【0006】パターン発生回路50は、記憶回路61に
アドレス信号ADRを出力して、記憶回路61に格納さ
れている被試験回路55の期待値信号EVの値、および
マスク信号MASKの値を指定する。マスク信号MAS
Kは、被試験回路55の出力値と期待値信号EVの値と
を比較判定するか否かを制御するための信号である。タ
イミング発生回路51は、パターン発生回路50からの
試験開始信号STARTによって、ストローブ信号ST
Bを一定時間毎に発生させ、比較判定回路62へ出力す
る。
The pattern generation circuit 50 outputs an address signal ADR to the storage circuit 61 and specifies the value of the expected value signal EV of the circuit under test 55 stored in the storage circuit 61 and the value of the mask signal MASK. . Mask signal MAS
K is a signal for controlling whether or not to compare and determine the output value of the circuit under test 55 with the value of the expected value signal EV. The timing generation circuit 51 receives the strobe signal ST from the test start signal START from the pattern generation circuit 50.
B is generated at regular intervals and output to the comparison and determination circuit 62.

【0007】被試験回路55からの出力信号CHの値
は、コンパレータ63によって、ハイレベルであるかロ
ーレベルであるかの判定が行われる。コンパレータ63
aでは、ハイレベルのしきい値VOHと出力信号CHの
値との比較が行われ、出力信号CHの値がしきい値VO
H以上であれば、ハイレベルと判定され、出力信号CM
PHが出力される。また、コンパレータ63bでは、ロ
ーレベルのしきい値VOLと出力信号CHの値との比較
が行われ、出力信号の値がしきい値VOL以下であれ
ば、ローレベルと判定され出力信号CMPLが出力され
る。
The comparator 63 determines whether the value of the output signal CH from the circuit under test 55 is at a high level or a low level. Comparator 63
At a, a comparison is made between the high-level threshold VOH and the value of the output signal CH, and the value of the output signal CH is
If not less than H, the output signal CM
PH is output. The comparator 63b compares the low-level threshold VOL with the value of the output signal CH. If the value of the output signal is equal to or smaller than the threshold VOL, the comparator 63b determines that the output signal is low and outputs the output signal CMPL. Is done.

【0008】比較判定回路62は、ストローブ信号ST
Bに同期して記憶回路61からの期待値信号EVの値と
コンパレータ63からの出力信号CMP(信号CMPH
および信号CMPLの総称)の値との比較を行い、それ
らの値が一致しなければ、不一致信号FAILの値を
「1」としてパターン発生回路50へ出力する。したが
って、不一致信号FAILの値が「1」から「0」(ま
たは「0」から「1」)に変化するときのストローブ信
号STBの出力時刻を測定することによって、被試験回
路の出力信号における入力信号に対する遅延時間が算出
され、AC特性を測定することができる。
[0008] The comparison determination circuit 62 outputs a strobe signal ST
B, the value of the expected value signal EV from the storage circuit 61 and the output signal CMP (signal CMPH) from the comparator 63.
And a value of the mismatch signal FAIL is output to the pattern generation circuit 50 as "1" if the values do not match. Therefore, by measuring the output time of the strobe signal STB when the value of the mismatch signal FAIL changes from “1” to “0” (or “0” to “1”), the input time of the output signal of the circuit under test is measured. The delay time for the signal is calculated, and the AC characteristics can be measured.

【0009】図6は、図2で示される従来の比較判定回
路62の電気回路図である。期待値信号EVは、選択回
路1の入力端子Sに入力され、期待値信号EVと比較す
る出力信号CMPが選択される。期待値信号EVの値が
「1」のとき、コンパレータからの出力信号CMPHが
選択され、選択回路1の出力端子Yから出力され、期待
値信号EVの値が「0」のとき、コンパレータからの出
力信号CMPLが選択され、選択回路1の出力端子Yか
ら出力される。
FIG. 6 is an electric circuit diagram of the conventional comparison and judgment circuit 62 shown in FIG. The expected value signal EV is input to the input terminal S of the selection circuit 1, and an output signal CMP to be compared with the expected value signal EV is selected. When the value of the expected value signal EV is "1", the output signal CMPH from the comparator is selected and output from the output terminal Y of the selection circuit 1. When the value of the expected value signal EV is "0", the signal from the comparator is output. The output signal CMPL is selected and output from the output terminal Y of the selection circuit 1.

【0010】EX.ORゲート2は、期待値信号EVの
値とその期待値信号の値と比較を行う出力信号CMPと
の不一致を検出する。すなわち、期待値信号EVの値が
「1」かつ出力信号CMPHの値が「0」のとき、およ
び期待値信号EVの値が「0」かつ出力信号CMPLの
値が「1」のとき、EX.ORゲート2の出力端子の値
は「1」となる。ANDゲート3には、EX.ORゲー
ト2からの出力とマスク信号反転MASKとが与えら
れ、マスク信号反転MASKの値が「1」のときのみ、
EX.ORゲート2の出力は、ANDゲート3を介し
て、Dフリップフロップ4の入力端子Dに与えられる。
Dフリップフロップ4は、入力端子Dに入力されたAN
Dゲート3からの出力を、入力端子CPに入力されたス
トローブ信号STBに同期してラッチする。すなわち、
期待値信号EVの値と被試験回路の出力信号CMPの値
との比較判定した結果を、ストローブ信号STBに同期
してラッチする。ストローブ信号STBが入力端子CP
に入力されたとき、期待値信号EVの値と被試験回路の
出力値とが不一致の場合、出力端子Qから出力される不
一致信号FAILの値が「1」になり、一致した場合は
不一致信号FAILの値は「0」になる。その不一致信
号FAILの値は、リセット信号RESETが入力され
るまで保持される。また、Dフリップフロップ4の入力
端子Rにリセット信号RESETが入力されると、不一
致信号FAILの値は「0」にリセットされる。
EX. The OR gate 2 detects a mismatch between the value of the expected value signal EV and the output signal CMP for comparing the value of the expected value signal EV with the value of the expected value signal. That is, when the value of the expected value signal EV is “1” and the value of the output signal CMPH is “0”, and when the value of the expected value signal EV is “0” and the value of the output signal CMPL is “1”, EX . The value of the output terminal of the OR gate 2 is “1”. The EX. The output from the OR gate 2 and the mask signal inverted MASK are given, and only when the value of the mask signal inverted MASK is “1”,
EX. The output of the OR gate 2 is supplied to the input terminal D of the D flip-flop 4 via the AND gate 3.
The D flip-flop 4 is connected to the AN input to the input terminal D.
The output from the D gate 3 is latched in synchronization with the strobe signal STB input to the input terminal CP. That is,
The result of comparison between the value of the expected value signal EV and the value of the output signal CMP of the circuit under test is latched in synchronization with the strobe signal STB. The strobe signal STB is applied to the input terminal CP
When the value of the expected value signal EV and the output value of the circuit under test do not match, the value of the mismatch signal FAIL output from the output terminal Q becomes "1". The value of FAIL becomes “0”. The value of the mismatch signal FAIL is held until the reset signal RESET is input. When the reset signal RESET is input to the input terminal R of the D flip-flop 4, the value of the mismatch signal FAIL is reset to “0”.

【0011】図7は、前述の半導体集積回路の試験装置
を用いて、被試験回路55のAC特性を測定した結果を
表すグラフである。このグラフは、シュムープロットと
呼ばれ、縦軸に電源電圧、横軸に被試験回路55の出力
の遅延時間を割付けている。たとえば、電源電圧6.0
VにおけるAC特性のシュムープロットを作成する場
合、まず、被試験回路55の電源電圧を6.0Vに設定
し、AC特性を測定するストローブ信号STB(前述の
期待値と被試験回路55の出力信号値とを比較する同期
信号)の発生タイミングを20nsから2ns時間毎に
100nsまで変化させる。ストローブ信号STBの発
生タイミングに同期して、期待値と出力信号値とを比較
した結果、それらの値が一致するか否かを表す前述の不
一致信号FAILに対応して、不一致の場合は“.”を
印字し、一致する場合は“*”を印字する。同様にし
て、5.8Vから4.0Vまで0.2Vずつ電源電圧を
変更しながら試験を繰返し、図7で示されるシュムープ
ロットを作成することができる。これによって、被試験
回路55の各電源電圧に対応する遅延時間の特性、すな
わちAC特性を測定することができる。
FIG. 7 is a graph showing the result of measuring the AC characteristics of the circuit under test 55 using the above-described test apparatus for a semiconductor integrated circuit. This graph is called a shmoo plot, in which the vertical axis is assigned the power supply voltage, and the horizontal axis is assigned the delay time of the output of the circuit under test 55. For example, power supply voltage 6.0
When creating a shmoo plot of the AC characteristics at V, first, the power supply voltage of the circuit under test 55 is set to 6.0 V, and the strobe signal STB for measuring the AC characteristics (the above-described expected value and the output of the circuit under test 55). The generation timing of a synchronization signal for comparing with a signal value is changed from 20 ns to 100 ns every 2 ns. As a result of comparing the expected value and the output signal value in synchronization with the timing of generation of the strobe signal STB, in response to the above-described mismatch signal FAIL indicating whether or not the values match, in the case of mismatch, ". Is printed, and if they match, "*" is printed. Similarly, the test is repeated while changing the power supply voltage from 5.8 V to 4.0 V in steps of 0.2 V, and the Shmoo plot shown in FIG. 7 can be created. Thus, the characteristics of the delay time corresponding to each power supply voltage of the circuit under test 55, that is, the AC characteristics can be measured.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
半導体集積回路の試験装置では、被試験回路のAC特性
を測定し、シュムープロットなどを作成して評価を行っ
ている。たとえば、図7に示されるようなシュムープロ
ットを作成する場合、各電源電圧毎に41回ずつ、スト
ローブ信号STBに同期して期待値と出力値とを比較す
る試験(以下「試験サイクル」と略称する)を繰返して
いる。また、測定する電源電圧(4.0V〜6.0V)
のパラメータの数が全部で11あり、したがってシュム
ープロットを作成するために41×11=451回前述
の試験サイクルを繰返す必要がある。
As described above, in a conventional test apparatus for a semiconductor integrated circuit, the AC characteristics of a circuit under test are measured, and a Shmoo plot or the like is created and evaluated. For example, when a shmoo plot as shown in FIG. 7 is created, a test for comparing an expected value and an output value in synchronization with the strobe signal STB 41 times for each power supply voltage (hereinafter referred to as a “test cycle”). (Abbreviated). Also, the power supply voltage to be measured (4.0 V to 6.0 V)
Is a total of 11 parameters, so it is necessary to repeat the above test cycle 41 × 11 = 451 times to create a Shmoo plot.

【0013】従来このようなシュムープロットを作成す
る場合には、一般に試験用のストローブ信号を出力する
ための専用のプログラムを開発したり、半導体集積回路
の試験装置のユーティリティプログラムを利用して行
う。また、ソフトウェアの負担を軽減する目的で、ハー
ドウェアのみで自動的にストローブ信号の出力タイミン
グを可変する試験装置もある。しかし、試験用のストロ
ーブ信号をハードウェア/ソフトウェア、いずれで出力
するようにしても、前述の試験サイクルの回数は同じで
ある。
Conventionally, when such a shmoo plot is created, a dedicated program for outputting a strobe signal for testing is generally developed, or a utility program of a test apparatus for a semiconductor integrated circuit is used. . There is also a test apparatus that automatically changes the output timing of a strobe signal only with hardware in order to reduce the load on software. However, the number of test cycles is the same regardless of whether the test strobe signal is output by hardware or software.

【0014】さらに、実際のAC特性の評価は、被試験
回路の複数のピン数かつ複数の項目について行われるの
で、AC特性の評価に多大な時間を要する。
Further, since the actual evaluation of the AC characteristics is performed for a plurality of pins and a plurality of items of the circuit under test, it takes a long time to evaluate the AC characteristics.

【0015】本発明の目的は、被試験回路のAC特性試
験を短時間で行うことができる半導体集積回路の試験装
置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a test apparatus for a semiconductor integrated circuit capable of performing an AC characteristic test of a circuit under test in a short time.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体集積回
路の入力端子に入力信号を与え、前記半導体集積回路の
出力端子からの出力信号を検出し、前記入力信号に対す
る出力信号の遅延時間を測定してAC特性を求めるAC
特性試験を行う半導体集積回路の試験装置において、前
記半導体集積回路の入力端子に、予め定める入力信号を
予め定める試験サイクル毎に与える波形発生手段と、前
記半導体集積回路の出力端子からの出力信号と予め定め
る期待値とを前記試験サイクル毎に、予め定めるタイミ
ングで比較する比較手段と、最初の試験サイクルでは試
験サイクル毎の前記AC特性の測定開始時から予め定め
る最小遅延時間経過後の時刻に、それ以後の試験サイク
ルでは予め定める単位時間ずつ遅い時刻に、前記予め定
めるタイミングを規定する第1ストローブ信号を前記比
較手段に与える第1ストローブ発生手段と、最初の試験
サイクルでは試験サイクル毎の前記AC特性の測定開始
時から予め定める最大遅延時間経過後の時刻に、それ以
後の試験サイクルでは予め定める単位時間ずつ早い時刻
に、前記予め定めるタイミングを規定する第2ストロー
ブ信号を前記比較手段に与える第2ストローブ発生手段
と、前記試験サイクル毎に、前記入力信号、前記期待
値、前記最大遅延時間、前記最小遅延時間および前記単
位時間を規定するパターン信号を、波形発生手段、比較
手段、第1ストローブ発生手段、第2ストローブ発生手
段に与えるパターン信号発生手段とを含むことを特徴と
する半導体集積回路の試験装置である。
According to the present invention, an input signal is supplied to an input terminal of a semiconductor integrated circuit, an output signal from an output terminal of the semiconductor integrated circuit is detected, and a delay time of the output signal with respect to the input signal is set. AC to measure and obtain AC characteristics
In a test apparatus for a semiconductor integrated circuit for performing a characteristic test, a waveform generating means for applying a predetermined input signal to an input terminal of the semiconductor integrated circuit for each predetermined test cycle, and an output signal from an output terminal of the semiconductor integrated circuit. Comparing means for comparing a predetermined expected value with a predetermined timing for each test cycle at a predetermined timing; and in a first test cycle, at a time after a predetermined minimum delay time elapses from the start of the measurement of the AC characteristics for each test cycle, In a subsequent test cycle, a first strobe generating means for supplying a first strobe signal defining the predetermined timing to the comparing means at a time later by a predetermined unit time, and in the first test cycle, the AC in each test cycle. At the time after the elapse of the predetermined maximum delay time from the start of characteristic measurement, A second strobe generating means for providing a second strobe signal defining the predetermined timing to the comparing means at an earlier time by a predetermined unit time; and for each test cycle, the input signal, the expected value, and the maximum value. Pattern signal generation means for providing a pattern signal defining a delay time, the minimum delay time, and the unit time to a waveform generation means, a comparison means, a first strobe generation means, and a second strobe generation means. This is a test device for a semiconductor integrated circuit.

【0017】[0017]

【作用】本発明に従えば、パターン信号発生手段は、試
験パターンを表すパターン信号を発生し、そのパターン
信号によって、試験サイクル毎に入力信号を波形発生手
段に与え、期待値を比較手段に与え、最小遅延時間およ
び単位時間を第1ストローブ発生手段に与え、最大遅延
時間および前記単位時間を第2ストローブ発生手段に与
える。
According to the present invention, the pattern signal generating means generates a pattern signal representing a test pattern, and according to the pattern signal, provides an input signal to the waveform generating means for each test cycle and provides an expected value to the comparing means. , The minimum delay time and the unit time to the first strobe generating means, and the maximum delay time and the unit time to the second strobe generating means.

【0018】第1ストローブ発生手段は、最初の試験サ
イクルでは前記入力信号の入力時刻から予め定める最小
遅延時間経過後の時刻に、それ以降の試験サイクルでは
予め定める単位時間ずつ遅い時刻に第1ストローブ信号
を発生して比較手段に与える。第2ストローブ発生手段
は、最初の試験サイクルでは前記入力信号の入力時刻か
ら予め定める最大遅延時間経過後の時刻に、それ以降の
試験サイクルでは予め定める単位時間ずつ早い時刻に第
2ストローブ信号を発生して、比較手段に与える。
In the first test cycle, the first strobe generating means generates the first strobe at a time after a predetermined minimum delay time has elapsed from the input time of the input signal, and at a time later by a predetermined unit time in subsequent test cycles. A signal is generated and provided to the comparison means. The second strobe generating means generates a second strobe signal at a time after a predetermined maximum delay time has elapsed from the input time of the input signal in the first test cycle, and at a time earlier by a predetermined unit time in subsequent test cycles. And give it to the comparison means.

【0019】比較手段は、半導体集積回路からの出力信
号と前記期待値とを試験サイクル毎に第1ストローブ信
号および第2ストローブ信号に同期して比較する。
The comparing means compares the output signal from the semiconductor integrated circuit with the expected value in synchronization with the first strobe signal and the second strobe signal in each test cycle.

【0020】したがって、一試験周期毎に前述のように
2つのストローブ信号によって期待値と半導体集積回路
の出力信号とを順次比較することができるので、一試験
サイクルに1回比較する場合に比べて遅延時間を短時間
で測定することができ、AC特性を求めることができ
る。
Therefore, the expected value and the output signal of the semiconductor integrated circuit can be sequentially compared with each other by the two strobe signals in each test cycle as described above. The delay time can be measured in a short time, and the AC characteristics can be obtained.

【0021】[0021]

【実施例】図1は、本発明の一実施例の半導体集積回路
試験装置の概略的な電気的構成を示すブロック図であ
る。この半導体集積回路試験装置は、半導体集積回路の
AC特性試験を含む試験を行う。パターン発生器50か
らの試験開始信号によって、タイミング発生器51から
タイミング信号がパターン発生回路50、波形フォーマ
ット回路52および比較回路57へ出力される。波形フ
ォーマット52は、パターン発生器50からの試験パタ
ーン信号をタイミング信号により波形整形し、試験信号
として駆動回路53に出力する。駆動回路53に入力さ
れた試験信号は、そのレベルが調整され、試験される半
導体集積回路(以下「被試験回路」と称する)へ出力さ
れる。次に比較器57は、被試験回路55からの出力信
号とパターン発生器50からのパターン信号に含まれる
期待値とを比較し、それらの値が一致すれば一致信号を
出力し、一致しなければ不一致信号を出力する。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic electrical configuration of a semiconductor integrated circuit test apparatus according to one embodiment of the present invention. This semiconductor integrated circuit test apparatus performs tests including an AC characteristic test of a semiconductor integrated circuit. The timing signal is output from the timing generator 51 to the pattern generation circuit 50, the waveform format circuit 52, and the comparison circuit 57 according to the test start signal from the pattern generator 50. The waveform format 52 shapes the waveform of the test pattern signal from the pattern generator 50 using a timing signal, and outputs the waveform to the drive circuit 53 as a test signal. The level of the test signal input to the drive circuit 53 is adjusted and output to a semiconductor integrated circuit to be tested (hereinafter, referred to as “circuit under test”). Next, the comparator 57 compares the output signal from the circuit under test 55 with the expected value included in the pattern signal from the pattern generator 50, and outputs a coincidence signal if the values match, and must match. Output a mismatch signal.

【0022】この半導体集積回路の試験装置において、
AC特性のうち被試験回路55の遅延時間(入力端子と
出力端子との間での信号伝搬遅延時間)を測定する場
合、タイミング発生器51から後述する予め定めるタイ
ミングでストローブ信号を順次発生させ、そのタイミン
グに同期して、比較器57において期待値と被試験回路
55の出力値とを比較する。したがって、その比較結果
から被試験回路55の出力信号の遅延時間を測定するこ
とができる。
In this semiconductor integrated circuit test apparatus,
When measuring the delay time (signal propagation delay time between the input terminal and the output terminal) of the circuit under test 55 in the AC characteristics, a strobe signal is sequentially generated from the timing generator 51 at a predetermined timing described later. The comparator 57 compares the expected value with the output value of the circuit under test 55 in synchronization with the timing. Therefore, the delay time of the output signal of the circuit under test 55 can be measured from the comparison result.

【0023】図2は、図1で示される比較回路57のよ
り詳細な電気的構成を示すブロック図である。比較回路
57は、被試験回路55からの複数のn個の出力CH1
〜CHnを同時に比較判定を行うため、記憶回路61、
比較判定回路62、コンパレータ63に入出力する各信
号はn個ずつある。以下の説明では、比較回路57のn
個の各入出力信号を総称するときは添字1〜nを省略し
て示す。たとえば期待値信号EV1〜EVnは、総称す
るときは期待値信号EVとする。
FIG. 2 is a block diagram showing a more detailed electrical configuration of comparison circuit 57 shown in FIG. The comparison circuit 57 includes a plurality of n outputs CH1 from the circuit under test 55.
To CHn at the same time, the storage circuit 61,
Each of the signals input to and output from the comparison determination circuit 62 and the comparator 63 is n. In the following description, n
When the input / output signals are collectively referred to, the suffixes 1 to n are omitted. For example, the expected value signals EV1 to EVn are collectively referred to as the expected value signal EV.

【0024】パターン発生回路50は、記憶回路61に
アドレス信号ADRを出力して、記憶回路61に格納さ
れている被測定回路の期待値信号EVの値、およびマス
ク信号MASKの値を指定する。マスク信号MASK
は、被試験回路55の出力値と期待値信号EVの値とを
比較判定するか否かを制御するための信号である。タイ
ミング発生回路51は、パターン発生回路50からの試
験開始信号STARTによって、ストローブ信号STB
を一定時間毎に発生させ、比較判定回路62へ出力す
る。
The pattern generation circuit 50 outputs the address signal ADR to the storage circuit 61, and specifies the value of the expected value signal EV of the circuit to be measured and the value of the mask signal MASK stored in the storage circuit 61. Mask signal MASK
Is a signal for controlling whether or not to compare and determine the output value of the circuit under test 55 with the value of the expected value signal EV. The timing generation circuit 51 receives the strobe signal STB from the test start signal START from the pattern generation circuit 50.
Is generated at regular intervals and output to the comparison and judgment circuit 62.

【0025】被試験回路55からの出力信号CHの値
は、コンパレータ63によって、ハイレベルであるかロ
ーレベルであるかの判定が行われる。コンパレータ63
aでは、ハイレベルのときしきい値VOHと出力信号C
Hの値との比較が行われ、出力信号の値がしきい値VO
H以上であれば、ハイレベルと判定され、出力信号CM
PHが出力される。また、コンパレータ63bでは、ロ
ーレベルのしきい値VOLと出力信号CHの値との比較
が行われ、出力信号の値がしきい値VOL以下であれば
ローレベルと判定され、出力信号CMPLが出力され
る。
The value of the output signal CH from the circuit under test 55 is determined by the comparator 63 as to whether it is at a high level or a low level. Comparator 63
a, the threshold value VOH and the output signal C are at the high level.
The value of the output signal is compared with the threshold value VO.
If not less than H, the output signal CM
PH is output. The comparator 63b compares the low-level threshold value VOL with the value of the output signal CH. If the output signal value is equal to or less than the threshold value VOL, it is determined that the output signal CH is low, and the output signal CMPL is output. Is done.

【0026】比較判定回路62は、ストローブ信号ST
Bに同期して記憶回路61からの期待値信号EVの値と
コンパレータ63からの出力信号CMP(信号CMPH
および信号CMPLの総称)の値との比較を行う。
The comparison / determination circuit 62 outputs a strobe signal ST
B, the value of the expected value signal EV from the storage circuit 61 and the output signal CMP (signal CMPH) from the comparator 63.
And the value of the signal CMPL).

【0027】図3は、図2で示される本発明の比較判定
回路62の電気回路図である。期待値信号EVは、選択
回路70の入力端子Sに入力され、期待値信号EVの値
が「1」のとき、コンパレータからの出力信号CMPH
が選択され、選択回路70の出力端子Yから出力され、
期待値信号EVの値が「0」のとき、コンパレータから
の出力信号CMPLが選択され、選択回路70の出力端
子Yから出力される。
FIG. 3 is an electric circuit diagram of the comparison and judgment circuit 62 of the present invention shown in FIG. The expected value signal EV is input to the input terminal S of the selection circuit 70, and when the value of the expected value signal EV is “1”, the output signal CMPH from the comparator is output.
Is selected and output from the output terminal Y of the selection circuit 70,
When the value of the expected value signal EV is “0”, the output signal CMPL from the comparator is selected and output from the output terminal Y of the selection circuit 70.

【0028】EX.ORゲート71は、期待値信号EV
の値と期待値と比較する出力信号CMPとの不一致を検
出する。すなわち、期待値信号EVの値が「1」かつ出
力信号CMPHの値が「0」のとき、および期待値信号
EVの値が「0」かつ出力信号CMPLの値が「1」の
とき、EX.ORゲート71の出力信号の値は「1」と
なる。ANDゲート72には、EX.ORゲート71か
らの出力とマスク信号反転MASKが与えられ、マスク
信号反転MASKの値が「1」のときにのみ、EX.O
Rゲート71の出力は、ANDゲート72を介して、D
フリップフロップ73,74の各入力端子Dに与えられ
る。
EX. The OR gate 71 outputs the expected value signal EV
Is not coincident with the output signal CMP to be compared with the expected value. That is, when the value of the expected value signal EV is “1” and the value of the output signal CMPH is “0”, and when the value of the expected value signal EV is “0” and the value of the output signal CMPL is “1”, EX . The value of the output signal of the OR gate 71 is “1”. The EX. The output from the OR gate 71 and the mask signal inverted MASK are provided. Only when the value of the mask signal inverted MASK is “1”, EX. O
The output of the R gate 71 is supplied to the D gate via the AND gate 72.
It is provided to each input terminal D of flip-flops 73 and 74.

【0029】Dフリップフロップ73は、入力端子Dに
入力されたANDゲート72からの出力信号を、入力端
子CPに入力されたストローブ信号STBEに同期して
ラッチする。このストローブ信号STBEは、被試験回
路55のAC特性試験時に予め定められた前述の試験サ
イクルにおけるAC特性の測定開始時刻からの最大遅延
時間te遅れたタイミングから順次、試験サイクル毎
に、一定時間Δtずつ早く出力される。この最大遅延時
間te遅れたタイミング以前においては、常に被試験回
路55の期待値と出力値とは一致し、この時間teは被
試験回路の仕様などから予め分かっている。
D flip-flop 73 latches the output signal from AND gate 72 input to input terminal D in synchronization with strobe signal STBE input to input terminal CP. The strobe signal STBE is generated by a predetermined time Δt for each test cycle sequentially from the timing delayed by the maximum delay time te from the measurement start time of the AC characteristics in the above-described test cycle, which is predetermined at the time of the AC characteristics test of the circuit under test 55. Output faster. Before the timing delayed by the maximum delay time te, the expected value of the circuit under test 55 always coincides with the output value, and this time te is known in advance from the specifications of the circuit under test.

【0030】すなわち、期待値信号EVの値と被試験回
路55の出力信号CMPの値との比較判定した結果を、
ストローブ信号STBEに同期してラッチする。ストロ
ーブ信号STBEが端子CPに入力されたとき、期待値
信号EVの値と被試験回路55の出力値とが不一致の場
合、出力端子Qから不良信号FAILEが出力される。
またDフリップフロップ73の入力端子Rにリセット信
号RESETが入力されると、不良信号FAILEの値
は「0」に初期化される。
That is, the result of comparing and determining the value of the expected value signal EV with the value of the output signal CMP of the circuit under test 55 is
The latch is performed in synchronization with the strobe signal STBE. When the strobe signal STBE is input to the terminal CP and the value of the expected value signal EV does not match the output value of the circuit under test 55, a failure signal FAILE is output from the output terminal Q.
When the reset signal RESET is input to the input terminal R of the D flip-flop 73, the value of the failure signal FAILE is initialized to “0”.

【0031】またDフリップフロップ74は、入力端子
Dに入力されたANDゲート72からの出力信号を、入
力端子CPに入力されたストローブ信号STBSに同期
してラッチする。
D flip-flop 74 latches an output signal from AND gate 72 input to input terminal D in synchronization with strobe signal STBS input to input terminal CP.

【0032】このストローブ信号STBSは、被試験回
路55のAC特性試験時に予め定められた前述の試験サ
イクルにおけるAC特性を測定する開始時刻からの最小
遅延時間ts遅れたタイミングから順次試験サイクル毎
に一定時間Δtずつ遅く出力される。この最小遅延時間
ts遅れたタイミング以前においては常に被試験回路5
5の期待値と出力値とが不一致となり、この時間ts
は、被試験回路55の仕様などから予め分かっている。
The strobe signal STBS is constant in each test cycle from the timing delayed by the minimum delay time ts from the start time of measuring the AC characteristics in the above-described test cycle, which is predetermined at the time of the AC characteristics test of the circuit under test 55. The output is delayed by the time Δt. Before the timing delayed by the minimum delay time ts, the circuit under test 5 is always
5 does not match the output value, and the time ts
Is known in advance from the specifications of the circuit under test 55 and the like.

【0033】したがって、試験サイクル毎に2つのスト
ローブ信号すなわちストローブ信号STBSと前述のス
トローブ信号STBEとが出力される。次に期待値信号
EVの値と被試験回路55の出力信号CMPの値との比
較判定した結果を、ストローブ信号STBSに同期して
ラッチする。ストローブ信号STBSが端子CPに入力
されたとき、期待値信号EVの値と被試験回路55の出
力値とが不一致の場合、出力端子反転Qから不良信号F
AILが出力されない。また、Dフリップフロップ74
の入力端子Sにセット信号SETが入力されると、不良
信号FAILの値は「0」に初期化される。
Therefore, two strobe signals, ie, strobe signal STBS and strobe signal STBE, are output for each test cycle. Next, the result of comparing and determining the value of the expected value signal EV and the value of the output signal CMP of the circuit under test 55 is latched in synchronization with the strobe signal STBS. When the strobe signal STBS is input to the terminal CP and the value of the expected value signal EV and the output value of the circuit under test 55 do not match, the output terminal inverting Q outputs the defective signal F
AIL is not output. The D flip-flop 74
When the set signal SET is input to the input terminal S, the value of the failure signal FAIL is initialized to “0”.

【0034】ORゲート75は、不一致信号FAILE
または不一致信号FAILSの値が「1」になると、不
一致信号FAILを「1」の値で出力する。
The OR gate 75 outputs a mismatch signal FAILE.
Alternatively, when the value of the mismatch signal FAILS becomes “1”, the mismatch signal FAIL is output with a value of “1”.

【0035】図4は、図2で示されるタイミング発生回
路51のより詳細な電気ブロック図を示す。破線で囲ん
だ部分80は、本発明の実施例において追加したもので
ある。レートタイミング発生回路81は、パターン発生
回路50から試験開始信号STARTが与えられると、
前述のAC特性試験の試験サイクルにおけるAC特性を
測定する基準タイミング信号となるレートタイミング信
号MCLを発生させ、ストローブS出力回路86および
ストローブE出力回路89へ出力する。また同時に、ク
ロック信号CLKをストローブS出力回路86およびス
トローブE出力回路89へ出力する。ストローブS記憶
回路82およびストローブE出力回路83は、ストロー
ブ信号STBの出力タイミングの値を予め複数格納し、
パターン発生回路50から出力されるアドレス信号RT
TCによって選択される。
FIG. 4 is a more detailed electric block diagram of the timing generation circuit 51 shown in FIG. A portion 80 surrounded by a broken line is added in the embodiment of the present invention. When the test start signal START is given from the pattern generation circuit 50, the rate timing generation circuit 81
A rate timing signal MCL serving as a reference timing signal for measuring the AC characteristics in the test cycle of the above-described AC characteristic test is generated and output to the strobe S output circuit 86 and the strobe E output circuit 89. At the same time, it outputs the clock signal CLK to the strobe S output circuit 86 and the strobe E output circuit 89. The strobe S storage circuit 82 and the strobe E output circuit 83 previously store a plurality of output timing values of the strobe signal STB,
Address signal RT output from pattern generation circuit 50
Selected by TC.

【0036】パターン発生回路50は、試験サイクルに
おける前述のストローブ信号STBSの最小遅延時間t
sおよびストローブ信号STBEの最大遅延時間teを
決定すると、それらの時間の値に対応するアドレス信号
RTTCをストローブS記憶回路82およびストローブ
E記憶回路83へ出力する。次に、ストローブS記憶回
路82は、選択された最小遅延時間ts対応する値を加
算器85を介してストローブS出力回路86へ出力し、
ストローブE記憶回路83は、選択されたその値を減算
器88を介して、ストローブE出力回路89へ出力す
る。
The pattern generation circuit 50 determines the minimum delay time t of the aforementioned strobe signal STBS in the test cycle.
When s and the maximum delay time te of the strobe signal STBE are determined, an address signal RTTC corresponding to those time values is output to the strobe S storage circuit 82 and the strobe E storage circuit 83. Next, the strobe S storage circuit 82 outputs a value corresponding to the selected minimum delay time ts to the strobe S output circuit 86 via the adder 85,
Strobe E storage circuit 83 outputs the selected value to strobe E output circuit 89 via subtractor 88.

【0037】次にストローブS出力回路86は、入力さ
れた最小遅延時間tsに対応する値を表す値を、レート
タイミング信号MCLが入力されたタイミングを基準と
して、クロック信号CLKに同期してダウンカウントす
る。そのカウント値が0になったとき、ストローブS出
力回路86からストローブ可変遅延回路91を介して、
ストローブ信号STBSが出力される。したがって、ス
トローブ信号STBSは、レートタイミング信号MCL
を基準として最小遅延時間ts遅れたタイミングで出力
される。同様にして、ストローブ信号STBEは、レー
トタイミング信号MCLを基準として最大遅延時間te
遅れたタイミングで出力される。
Next, the strobe S output circuit 86 counts down a value representing a value corresponding to the input minimum delay time ts in synchronization with the clock signal CLK with reference to the timing at which the rate timing signal MCL is input. I do. When the count value becomes 0, the output from the strobe S output circuit 86 via the strobe variable delay circuit 91
A strobe signal STBS is output. Therefore, strobe signal STBS is applied to rate timing signal MCL.
Is output at a timing delayed by the minimum delay time ts with reference to Similarly, the strobe signal STBE has a maximum delay time te based on the rate timing signal MCL.
Output at delayed timing.

【0038】ストローブ信号STBS,ストローブ信号
STBEは、クロックCLKに同期して出力されるけれ
ども、その出力タイミングをクロックCLKの周期の間
で変化させたい場合は、ストローブ可変遅延回路91,
92によって調整を行う。
Although the strobe signal STBS and the strobe signal STBE are output in synchronization with the clock CLK, if it is desired to change the output timing between the cycles of the clock CLK, the strobe variable delay circuit 91,
The adjustment is performed by 92.

【0039】Aレジスタ100は、Bレジスタ101の
値を加算器102を介して累積して加算する。したがっ
て、Aレジスタ100はBレジスタ101との加算のた
びに、Aレジスタ100の値はBレジスタ101の値ず
つ増加する。加算器102は、Aレジスタ100とBレ
ジスタとの加算値を、加算器85および減算器88へ出
力する。Aレジスタ100の値は、初期状態においては
0に設定されている。
The A register 100 accumulates and adds the values of the B register 101 via the adder 102. Therefore, every time the A register 100 adds to the B register 101, the value of the A register 100 increases by the value of the B register 101. The adder 102 outputs the added value of the A register 100 and the B register to the adder 85 and the subtractor 88. The value of the A register 100 is set to 0 in an initial state.

【0040】加算器85は、ストローブS記憶回路82
の出力値と加算器102の出力値とを加算してストロー
ブS出力回路86に出力する。減算器88は、ストロー
ブE記憶回路83の出力値から加算器102の出力値を
引いて、ストローブE出力回路89に出力する。
The adder 85 includes a strobe S storage circuit 82
And the output value of the adder 102 are added and output to the strobe S output circuit 86. The subtracter 88 subtracts the output value of the adder 102 from the output value of the strobe E storage circuit 83 and outputs the result to the strobe E output circuit 89.

【0041】したがって、Aレジスタ100とBレジス
タ101との加算をレートタイミングMCLに同期して
行うことによって、レートタイミングMCLに同期して
ストローブS回路82から出力される値はBレジスタ1
01の値ずつ加算される。これによって、ストローブS
出力回路から出力されるストローブ信号STBSは、試
験サイクル毎に前述の最小遅延時間ts遅れたタイミン
グからBレジスタ101の値に対応する時間Δtずつ遅
く出力される。また同様にして、ストローブE出力回路
から出力されるストローブ信号STBEは、試験サイク
ル毎に前述の最大遅延時間te遅れたタイミングから時
間Δtずつ早く出力される。
Therefore, by adding the A register 100 and the B register 101 in synchronization with the rate timing MCL, the value output from the strobe S circuit 82 in synchronization with the rate timing MCL is stored in the B register 1
The value of 01 is added. Thereby, the strobe S
The strobe signal STBS output from the output circuit is output for each test cycle later by the time Δt corresponding to the value of the B register 101 from the timing delayed by the aforementioned minimum delay time ts. Similarly, the strobe signal STBE output from the strobe E output circuit is output earlier by the time Δt from the timing delayed by the maximum delay time te in each test cycle.

【0042】コントローラ105は、加算器85、減算
器88、加算器102、Aレジスタ100、Bレジスタ
101などを制御する。すなわち、コントローラ105
は、パターン発生回路50からのアドレス信号ADRに
よって試験サイクル、ストローブ信号STBSおよびス
トローブ信号STBEの出力タイミングなどのAC特性
試験の試験条件を判断し、その判断に基づいて、前述の
加算器、レジスタなどを制御する。
The controller 105 controls the adder 85, the subtractor 88, the adder 102, the A register 100, the B register 101 and the like. That is, the controller 105
Determines the test conditions of the AC characteristic test such as the test cycle, the output timing of the strobe signal STBS and the output timing of the strobe signal STBE, based on the address signal ADR from the pattern generation circuit 50, and based on the determination, determines the above-described adder, register, etc. Control.

【0043】図5は、図1〜図4で示される本発明の半
導体集積回路の試験装置を用いて、被試験回路の遅延時
間を求めるAC特性試験を行った場合のタイミングチャ
ートである。この試験では、出力信号CHの値が、
「0」から「1」のしきい値VOHになるまでの立上が
りの遅延時間を求める。被測定回路のこの遅延時間を求
める試験サイクルにおいて、実際に測定を行う時間をT
AC(以下「レートTAC」という)とする。各試験サ
イクルでは、まずパターン信号に基づいて試験装置の内
部の状態設定を行い、次にレートTACにおいて実際に
AC特性の測定を行う。したがって、このレートTAC
における期待値信号EVの値を「1」かつマスク信号M
ASKの値を「1」に設定する。
FIG. 5 is a timing chart when an AC characteristic test for obtaining a delay time of a circuit under test is performed using the semiconductor integrated circuit test apparatus of the present invention shown in FIGS. In this test, the value of the output signal CH is
The rise delay time from when the threshold value VOH changes from “0” to “1” is obtained. In a test cycle for obtaining the delay time of the circuit under test, the time for actually performing measurement is represented by T
AC (hereinafter referred to as “rate TAC”). In each test cycle, first, the internal state of the test apparatus is set based on the pattern signal, and then the AC characteristics are actually measured at the rate TAC. Therefore, this rate TAC
Is set to "1" and the mask signal M
Set the value of ASK to "1".

【0044】前述のストローブ信号STBSの最小遅延
時間ts、ストローブ信号STBEの最大遅延時間te
は、図5で示されるようにレートTACの開始時刻tm
1を基準として設定される。この開始時刻tm1は、被
測定回路へ入力する試験信号と必ずしも一致しないが、
入力する試験信号とこの開始時刻tm1とは同じ周期で
出力され、それらの時間間隔は予め分かっているので、
時刻tm1を基準とする被測定回路の遅延時間を測定す
ることによって、正確な遅延時間を求めることができ
る。
The aforementioned minimum delay time ts of the strobe signal STBS and the maximum delay time te of the strobe signal STBE
Is the start time tm of the rate TAC as shown in FIG.
1 is set as a reference. Although the start time tm1 does not always coincide with the test signal input to the circuit under test,
The input test signal and the start time tm1 are output in the same cycle, and their time intervals are known in advance.
By measuring the delay time of the circuit under measurement based on the time tm1, an accurate delay time can be obtained.

【0045】また前述のストローブ信号STBの試験サ
イクル毎、すなわちレートTAC毎の出力タイミング
は、図5で示されるように最初のレートTACにおいて
は最小遅延時間tsに対応する時刻Ts1および最大遅
延時間teに対応する時刻Te1である。ここで、前述
のストローブ信号のレートTAC毎のタイミングの遅れ
時間はΔtであるので、次の試験サイクルでのレートT
ACにおけるストローブ信号STBSの出力タイミング
は、時刻Ts1より時間Δt遅れて、時刻Ts2にな
り、ストローブ信号STBEの出力タイミングは、時刻
Te1より時間Δt早くなり、時刻Te2になる。以上
のような処理を繰返し、順次各試験サイクルのレートT
AC毎にストローブ信号STBを出力する。
The output timing for each test cycle of the strobe signal STB, that is, for each rate TAC is, as shown in FIG. 5, the time Ts1 corresponding to the minimum delay time ts and the maximum delay time te at the first rate TAC. Is the time Te1 corresponding to. Here, since the delay time of the timing of the strobe signal for each rate TAC is Δt, the rate T in the next test cycle
The output timing of the strobe signal STBS in the AC becomes time Ts2, which is later than the time Ts1 by the time Δt, and the output timing of the strobe signal STBE becomes earlier by the time Δt than the time Te1, and becomes the time Te2. The above processing is repeated, and the rate T of each test cycle is sequentially determined.
A strobe signal STB is output for each AC.

【0046】AC特性試験を行う場合、被試験回路の電
源電圧を予め定められた電源電圧に設定し、最初のレー
トTACにおいてストローブ信号STBSを時刻Ts1
で出力し、そのときの出力信号CHの値が、期待値
「1」と一致するか否かの判断を行う。このときは、図
5で示されるように期待値信号EVの値と一致しないの
で、不一致信号FAILSの値を「0」にして出力す
る。次にストローブ信号STBEを時刻Te1で出力
し、そのときの出力信号CHの値が、期待値EVの値
「1」と一致するか否かの判断を行う。このとき期待値
信号EVの値と一致するので、不一致信号FAILEの
値を「0」にして出力する。
When the AC characteristic test is performed, the power supply voltage of the circuit under test is set to a predetermined power supply voltage, and the strobe signal STBS is supplied at the first rate TAC to the time Ts1.
, And it is determined whether or not the value of the output signal CH at that time matches the expected value “1”. At this time, since the value does not match the value of the expected value signal EV as shown in FIG. 5, the value of the mismatch signal FAILS is set to “0” and output. Next, strobe signal STBE is output at time Te1, and it is determined whether or not the value of output signal CH at that time matches value "1" of expected value EV. At this time, since the value matches the value of the expected value signal EV, the value of the mismatch signal FAILE is set to “0” and output.

【0047】以上のような処理を、各レートTAC毎に
ストローブ信号STBSを時刻Ts2,Ts3,Ts
4,…に順次出力し、出力信号CHの値と期待値信号E
Vの値とが一致するまで繰返す。またストローブ信号S
TBEを時刻Te2,Te3,Te4…に順次出力し、
出力信号CHの値が期待値信号EVの値とが一致しなく
なるまで繰返す。この処理の中で、ストローブ信号ST
BEが、時刻Te7において出力されたとき、出力信号
CHの値は、初めてしきい値VOH以上からしきい値V
OH以下に遷移し、期待値信号EVの値「1」と一致し
ない。このとき、不一致信号FAILEの値「1」とな
り、不一致信号FAILが「1」になる。
The above processing is performed by setting the strobe signal STBS for each rate TAC at times Ts2, Ts3, Ts
4,..., And the value of the output signal CH and the expected value signal E
Repeat until the value of V matches. Also, the strobe signal S
TBE is sequentially output at times Te2, Te3, Te4.
This is repeated until the value of the output signal CH does not match the value of the expected value signal EV. During this processing, the strobe signal ST
When BE is output at time Te7, the value of output signal CH changes from threshold VOH or more to threshold V for the first time.
OH or less, and does not match the value “1” of the expected value signal EV. At this time, the value of the mismatch signal FAILE becomes “1”, and the mismatch signal FAIL becomes “1”.

【0048】したがって、ストローブ信号STBの出力
時刻Te7から被試験回路の遅延時間TDが求まり、被
試験回路に設定された電源電圧におけるAC特性が求ま
り、この試験は終了する。被試験回路の電源電圧の次の
値を設定し、前述の処理を繰返すことによって、電源電
圧をパラメータとするAC特性を求めることができる。
Therefore, the delay time TD of the circuit under test is determined from the output time Te7 of the strobe signal STB, the AC characteristic at the power supply voltage set for the circuit under test is determined, and this test ends. By setting the next value of the power supply voltage of the circuit under test and repeating the above processing, the AC characteristics using the power supply voltage as a parameter can be obtained.

【0049】以上のようにして、レートTAC毎に、最
小遅延時間tsおよび最大遅延時間teから時間Δtず
つ変化させて2つのストローブ信号STBS,STBE
を出力することによって非常に短い時間でAC特性を測
定することができる。最も条件の悪い場合でも、従来の
半分の時間でAC特性を測定することができる。このと
き、ストローブ信号STBSとストローブ信号STBE
の間には、最後の出力タイミングにおいて一致するよう
に次式の関係をもたせている。
As described above, the two strobe signals STBS and STBE are changed by the time Δt from the minimum delay time ts and the maximum delay time te for each rate TAC.
The AC characteristics can be measured in a very short time by outputting. Even in the worst case, the AC characteristics can be measured in half the time required in the past. At this time, the strobe signal STBS and the strobe signal STBE
Are given by the following equation so that they coincide at the last output timing.

【0050】 最大遅延時間te=最小遅延時間ts+Δt×n …(1) Δt:各レート毎の変化時間 n:正の整数 また、ストローブ信号STBSまたはストローブ信号S
TBEのいずれかの信号が出力された場合、フェイル信
号FAILが検出されたとき、以降の試験を省略する方
法ではより短時間で出力信号CHの遷移点(出力信号の
値がしきい値VOHまたはしきい値VOLに変化する)
を求めることができる利点がある。しかし、レートTA
C時間内における出力信号の遷移が2回以上ある場合
は、誤った結果を出す場合がある。そのような可能性の
ある場合には、ストローブ信号STBSとストローブ信
号STBEの出力タイミングとが一致するまで測定すれ
ばよいので、その場合においても、かかる試験時間は従
来の半分になる。
Maximum delay time te = minimum delay time ts + Δt × n (1) Δt: change time for each rate n: positive integer Further, strobe signal STBS or strobe signal S
When any of the signals of TBE is output, and when the fail signal FAIL is detected, the transition point of the output signal CH (the value of the output signal becomes equal to the threshold value VOH or (Changes to threshold VOL)
There are advantages that can be sought. But the rate TA
If there are two or more transitions of the output signal within the C time, an incorrect result may be obtained. In such a case, the measurement may be performed until the output timing of the strobe signal STBS matches the output timing of the strobe signal STBE. Therefore, even in such a case, the test time is reduced to a half of the conventional test time.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第1スト
ローブ発生手段および第2ストローブ発生手段は、パタ
ーン信号に基づいて、最大遅延時間、最小遅延時間、お
よび単位時間を設定し、各試験サイクル毎に1回ずつ最
大遅延時間から単位時間ずつ早い時刻および最小遅延時
間から単位時間ずつ遅い時刻にそれぞれスローブ信号を
発生する。したがって、比較手段によって測定される半
導体集積回路の出力信号と期待値とをそのストローブ信
号に同期して各試験サイクル毎に2回ずつ比較すること
によって、その半導体集積回路の遅延時間を短時間で検
出することができ、そのAC特性を求めることができ
る。
As described above, according to the present invention, the first strobe generating means and the second strobe generating means set the maximum delay time, the minimum delay time, and the unit time based on the pattern signal. Each time, a strobe signal is generated once every test cycle at a time earlier than the maximum delay time by a unit time and later at a time later than the minimum delay time by a unit time. Therefore, by comparing the output signal of the semiconductor integrated circuit and the expected value measured by the comparing means twice in each test cycle in synchronization with the strobe signal, the delay time of the semiconductor integrated circuit can be shortened in a short time. Can be detected and its AC characteristics can be determined.

【0052】これによって、半導体集積回路のAC特性
試験を短時間で行うことができる半導体集積回路の試験
装置を得ることができる。
Thus, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit test apparatus capable of performing an AC characteristic test of the semiconductor integrated circuit in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の半導体集積回路の試験装置
の電気的構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a test apparatus for a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention.

【図2】図1で示される比較回路57のより詳細な電気
的構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a more detailed electrical configuration of a comparison circuit 57 shown in FIG.

【図3】図2で示される本発明の比較判定回路62の電
気回路図である。
FIG. 3 is an electric circuit diagram of the comparison and judgment circuit 62 of the present invention shown in FIG.

【図4】図2で示されるタイミング発生回路51のより
詳細な電気ブロック図を示す。
FIG. 4 is a more detailed electric block diagram of the timing generation circuit 51 shown in FIG. 2;

【図5】図1〜図4で示される本発明の半導体集積回路
の試験装置を用いて、被測定回路の遅延時間を求めるA
C特性試験を行った場合のタイムチャートである。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a method for determining a delay time of a circuit under test using the semiconductor integrated circuit test apparatus of the present invention shown in FIGS.
It is a time chart at the time of performing a C characteristic test.

【図6】従来の比較判定回路62の電気回路図である。FIG. 6 is an electric circuit diagram of a conventional comparison and judgment circuit 62.

【図7】前述の半導体集積回路の試験装置を用いて、被
測定回路のAC特性を測定した結果を表すグラフであ
る。
FIG. 7 is a graph showing a result of measuring an AC characteristic of a circuit under test using the above-described semiconductor integrated circuit test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50 パターン発生器 51 タイミング発生器 52 波形フォーマット回路 53 駆動回路 55 被試験回路 57 比較回路 61 記憶回路 62 比較判定回路 63 コンパレータ 81 レートタイミング発生回路 82 ストローブS記憶回路 83 ストローブE記憶回路 85,102 加算器 86 ストローブS出力回路 88 減算器 89 ストローブE出力回路 91,92 ストローブ可変遅延回路 100 Aレジスタ 101 Bレジスタ 105 コントローラ Reference Signs List 50 pattern generator 51 timing generator 52 waveform format circuit 53 drive circuit 55 circuit under test 57 comparison circuit 61 storage circuit 62 comparison determination circuit 63 comparator 81 rate timing generation circuit 82 strobe S storage circuit 83 strobe E storage circuit 85, 102 addition 86 Strobe S output circuit 88 Subtractor 89 Strobe E output circuit 91, 92 Strobe variable delay circuit 100 A register 101 B register 105 Controller

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体集積回路の入力端子に入力信号を
与え、前記半導体集積回路の出力端子からの出力信号を
検出し、前記入力信号に対する出力信号の遅延時間を測
定してAC特性を求めるAC特性試験を行う半導体集積
回路の試験装置において、 前記半導体集積回路の入力端子に、予め定める入力信号
を予め定める試験サイクル毎に与える波形発生手段と、 前記半導体集積回路の出力端子からの出力信号と予め定
める期待値とを前記試験サイクル毎に、予め定めるタイ
ミングで比較する比較手段と、 最初の試験サイクルでは試験サイクル毎の前記AC特性
の測定開始時から予め定める最小遅延時間経過後の時刻
に、それ以後の試験サイクルでは予め定める単位時間ず
つ遅い時刻に、前記予め定めるタイミングを規定する第
1ストローブ信号を前記比較手段に与える第1ストロー
ブ発生手段と、 最初の試験サイクルでは試験サイクル毎の前記AC特性
の測定開始時から予め定める最大遅延時間経過後の時刻
に、それ以後の試験サイクルでは予め定める単位時間ず
つ早い時刻に、前記予め定めるタイミングを規定する第
2ストローブ信号を前記比較手段に与える第2ストロー
ブ発生手段と、 前記試験サイクル毎に、前記入力信号、前記期待値、前
記最大遅延時間、前記最小遅延時間および前記単位時間
を規定するパターン信号を、波形発生手段、比較手段、
第1ストローブ発生手段、第2ストローブ発生手段に与
えるパターン信号発生手段とを含むことを特徴とする半
導体集積回路の試験装置。
An input signal is supplied to an input terminal of a semiconductor integrated circuit, an output signal from an output terminal of the semiconductor integrated circuit is detected, and a delay time of the output signal with respect to the input signal is measured to obtain an AC characteristic. In a semiconductor integrated circuit test apparatus for performing a characteristic test, a waveform generating means for applying a predetermined input signal to an input terminal of the semiconductor integrated circuit for each predetermined test cycle; and an output signal from an output terminal of the semiconductor integrated circuit. Comparing means for comparing a predetermined expected value with a predetermined timing for each test cycle at a predetermined timing; and in a first test cycle, at a time after a predetermined minimum delay time elapses from the start of measurement of the AC characteristics for each test cycle, In a subsequent test cycle, a first strobe signal defining the predetermined timing is set at a time later by a predetermined unit time. A first strobe generating means for applying a signal to the comparing means, at a time after a predetermined maximum delay time elapses from the start of the measurement of the AC characteristics in each test cycle in a first test cycle, and in a subsequent test cycle. Second strobe generating means for providing a second strobe signal defining the predetermined timing to the comparing means at an earlier time by a unit time; and for each test cycle, the input signal, the expected value, the maximum delay time, A pattern signal that defines the minimum delay time and the unit time, a waveform generation unit, a comparison unit,
An apparatus for testing a semiconductor integrated circuit, comprising: a first strobe generating means; and a pattern signal generating means provided to a second strobe generating means.
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