JP2943332B2 - 絶対位置検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ストライプ状のスケ
ールパターンに対して固体撮像素子が所定角だけ傾けて
配され、この固体撮像素子の出力信号に基づいて位置変
化を検出するようにした絶対位置検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１５は絶対位置検出装置の一例を示す
ものである。同図において、１はエンコード板であり、
このエンコード板１は、矢印方向にリニアに移動するよ
うになされる。エンコード板１には、図１６に示すよう
に、コードパターン領域１１およびストライプパターン
領域１２が設けられている。コードパターン領域１１に
はグレイコードを示す６トラック（６ビット）のパター
ンが形成され、ストライプパターン領域１２には複数の
ストライプパターンが平行かつ等間隔に形成される。グ
レイコードは、２進数を表現するコードのひとつで、バ
イナリーコードと異なり、数が１つ変化する毎に全桁の
中で１つだけ変化するという特徴がある。

【０００３】２はＣＣＤ撮像素子であり、このＣＣＤ撮
像素子２はエンコード板１に対向して配設される。この
撮像素子２はエンコード板１に対してわずかな角度θだ
け傾斜して取り付けられる。３は例えば発光ダイオード
で構成される光源であり、エンコード板１を挟んで撮像
素子２と対向するように配設される。

【０００４】このような配置関係において、光源３から
の光がエンコード板１を通過して撮像素子２に供給さ
れ、この撮像素子２の撮像面にコードパターンおよびス
トライプパターンが映し出されて撮像される。図１７は
撮像画面を示しており、ＨおよびＶは撮像素子２の水平
および垂直方向、Ｚはエンコード板１の移動方向であ
る。撮像素子２より各ライン毎に順次出力される画素信
号は位置データ検出回路４に供給される。

【０００５】ここで、Ｚ軸がＶ軸に対してわずかな角度
θだけ傾斜しているため、ストライプパターンのエッジ
像に対応するあるラインのストライプパターン領域１２
に対応する画素信号のレベルが徐々に小さくなり、所定
の量子化範囲に入る場合がある。ここで、画素信号の最
大レベルを１００％とするとき、例えば６５〜８５％の
範囲が量子化範囲に設定される。

【０００６】位置データ検出回路４では、まず画素信号
が量子化範囲に入る画素のアドレス（ｈ↓，ｖ↓）およ
び量子化値ｑ↓がラッチされる。例えば、６５〜８５％
の範囲が１６ステップに量子化され、量子化値ｑ↓は４
ビットで表される。次に、量子化値ｑ↓が得られるライ
ンのコードパターン領域１１の各トラックに対応する画
素信号が２値化されてコード値ｓ↓が読み取られる。な
お、上述したように画素信号のレベルが徐々に小さくな
って量子化範囲に入る全てのラインに対して、画素アド
レス（ｈ↓，ｖ↓）および量子化値ｑ↓がラッチされる
と共に、コード値ｓ↓が読み取られる。

【０００７】また、位置データ検出回路４で検出される
各組の位置データ（画素アドレス（ｈ↓，ｖ↓）、量子
化値ｑ↓、コード値ｓ↓）は処理回路５に順次供給さ
れ、数１で絶対位置情報Ｚ↓が求められる（図１８参
照）。

【０００８】

【数１】

【０００９】

【００１０】ここで、Ｚh↓,v↓,s↓(q↓)、ＺH,V(h↓,
v↓)、ＺS(s↓)はそれぞれ数２で表されるため、絶対位
置情報Ｚ↓は数３で示すようになる。

【００１１】

【数２】

【００１２】

【００１３】

【数３】

【００１４】

【００１５】ここで、ｋqは１量子化ステップに対応す
る位置変位（変換係数）、ｋsはストライプパターン領
域１２におけるストライプピッチである。受光素子の水
平方向および垂直方向のピッチをそれぞれＰHおよびＰV
とすると、画素アドレス（ｈ↓，ｖ↓）における座標
（ＰH・ｈ↓，ＰV・ｖ↓）のＺ軸への投影位置Ｚoは、
Ｚo ＝ＰH・ｈ↓sinθ＋ＰV・ｖ↓cosθとなる（図１９
参照）。ｋhはＰH・sinθであり、ｋvはＰV・cosθであ
る。

【００１６】また、各位置データに対応して処理回路５
で求められる絶対位置情報Ｚ↓は代表値決定回路６に順
次供給される。この代表値決定回路６では、例えば複数
の絶対位置情報Ｚ↓の平均値等が取られ、１つの代表的
な絶対位置情報が出力される。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように撮像素
子２の撮像面にストライプパターンが映し出され、その
エッジ像からアドレス（ｈ↓，ｖ↓）、量子化値ｑ↓が
求められて精精度の位置検出が行なわれる（数３のｑ↓
・ｋq、ｈ↓・ｋh、ｖ↓・ｋvの項参照）。この位置検
出分解能は、ストライプパターンの位置変位に対する画
素信号のレベル変化量の大きさ（変換係数）と、画素信
号のＳ／Ｎで決まる。図２０はストライプパターンの位
置変位と画素信号との関係を示しており、実線ａの傾き
の大きさが変換係数となる。

【００１８】この変換係数は光の回折現象によるボケで
制限される。図２１は、光源３が無限遠方の点光源（波
長λ）である場合の回折現象によるボケを示したもので
ある。ここで、ＳＰはストライプパターン、ＬＦは受光
素子面、ｄはストライプパターンＳＰと受光素子面ＬＦ
との距離である。受光素子面光強度は、ストライプエッ
ジより０．８６（λｄ）^1/2だけＺ方向に離れた位置で
最大となるように変化するためボケが生じる。

【００１９】また、変換係数は光源３のＺ方向の大きさ
によって制限される。図２２は、光源３のＺ方向の大き
さがＡLであるときのボケを示したものである。ここ
で、Ｄは光源３からストライプパターンＳＰまでの距離
である。受光素子面光強度が最小値から最大値となるま
でのＺ方向の距離はｄ・ＡL／Ｄとなるためボケが生じ
る。

【００２０】このように光の回折現象または光源３の大
きさによるボケは、ｄ^1/2またはｄに比例することか
ら、距離ｄを小さくすればするほど小さくできる。しか
しながら、上述例におけるエンコード板１は例えば石英
ガラス１ａの下面にスケールパターン（ストライプパタ
ーン、コードパターン）１ｂが形成されてなり、また撮
像素子２は受光素子部２ａの上面に透明保護ガラス２ｂ
が配されてなっている（図２３参照）。このように、ス
トライプパターンＳＰと受光素子面ＬＦとの間には保護
ガラス２ｂがあるため、距離ｄを小さくするには限界が
ある。

【００２１】さらに、変換係数は受光素子ＰＥのＺ方向
の大きさによって制限される。図２４は、光源３が無限
遠方の点光源（波長λ）であり、かつ光の回折現象がな
いと仮定した場合で、受光素子ＰＥのＺ方向の大きさが
ＡPであるときの画素信号のなまりを示したものであ
る。画素信号が最小値から最大値となるまでのＺ方向の
距離がＡPとなるためなまる。

【００２２】この画素信号のなまりは、受光素子ＰＥの
Ｚ方向の大きさＡPを小さくすれば小さくできる。しか
しながら、受光素子ＰＥの端の部分の位置加工精度がよ
くなく、また受光素子ＰＥの全面積に対するその周縁部
面積の割合が大きくなることから、各受光素子ＰＥ間で
の特性（受光素子面での位置と画素信号との関係）のバ
ラツキが大きくなる。各素子間での均一性がよくなけれ
ば補正範囲が大きくなり、その分だけ分解能も悪くな
る。

【００２３】図２５は、光の回折現象および光源３のＺ
方向の大きさＡLによるボケと受光素子ＰＥのＺ方向の
大きさＡPによるなまりとが合成された実際の位置信号
変換特性例を示している。この例は、ｄ＝１２００μ
ｍ、ｄ・ＡL／Ｄ＝３μｍ、λ＝７８０ｎｍ、ＡP＝５μ
ｍの場合である。この場合、Ｓ／Ｎが４０ｄＢ（１％）
で分解能が０．１μｍとなる。

【００２４】ところで、画素信号を増幅することにより
大きな変換係数を得ることができるが、ノイズも同時に
増幅するため分解能は上がらない。また、光源３を強く
したり、受光素子ＰＥの感度を上げることで変換係数を
上げることができるが、受光素子面内での温度差や過剰
な飽和電流が発生する等の問題がある。そして、これら
はいずれも受光素子ＰＥの端に近い部分を利用すること
になり、素子間の均一性が悪いため分解能は上がらな
い。

【００２５】そこで、この発明では、変換係数を大きく
すると共に素子間の均一性をよくし、分解能を上げるこ
とを目的とするものである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】この発明は、複数のスト
ライプパターンおよびこの複数のストライプパターンの
絶対位置を示すコードパターンからなるエンコード板
と、このエンコード板のストライプパターンに対して所
定角だけ傾けて配された固体撮像素子を備え、この固体
撮像素子の出力信号に基づいて位置変化を検出する絶対
位置検出装置において、固体撮像素子の撮像面上に、水
平画素列に対応するスリット状のマスクスリットパター
ンを形成するものである。

【００２７】

【作用】ストライプパターンの移動によるマスクスリッ
トパターンＭＳＰのスリットＳＬＴの光透過幅の変化に
伴って画素信号が最小から最大まで変化する。そのた
め、光の回折現象、光源の大きさ、受光素子の大きさに
関係なく、スリットＳＬＴの幅によって変換係数が決ま
る。これにより、スリット幅を小さくすることにより変
換係数を大きくでき、分解能を上げることが可能とな
る。

【００２８】また、画素位置検出精度が製造上制約条件
の多い受光素子の配列加工ではなく、単純なマスクスリ
ットパターン加工で決まると共に、受光素子の製造プロ
セス上安定にできる中央部を主として使用できる。その
ため、均一性がよく補正範囲が狭くなるため、さらに分
解能を上げることが可能となる。

【００２９】

【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の一実
施例について説明する。本例においては、撮像素子２の
透明保護ガラス２ｂの面上に、水平方向に受光素子ＰＥ
の中心を結ぶ線と平行なスリット状のマスクパターン
（マスクスリットパターン）ＭＳＰが形成される（図２
（Ａ）に図示）。このマスクスリットパターンＭＳＰ
は、受光素子ＰＥの中心部にスリットＳＬＴが対応する
ように形成される。このようにマスクスリットパターン
ＭＳＰが形成される場合であって、エンコード板１がな
い状態では、スリットＳＬＴに対応する受光素子面で光
強度が最大となる（図２（Ｂ）に図示）。

【００３０】本例においては、このようにマスクスリッ
トパターンＭＳＰが形成された撮像素子２の表面にエン
コード板１が近接、例えば密着して配される（図１
（Ａ）に図示）。エンコード板１と撮像素子２との密着
面はそれぞれ平滑処理され、密着摺動可能とされる。

【００３１】この場合、エンコード板１、従ってストラ
イプパターンＳＰのＺ方向への移動によってスリットＳ
ＬＴの光透過幅は０〜ｗM（ｗMはスリット幅）まで変化
し、この光透過幅の変化に伴って画素信号は最小ＭＩＮ
から最大ＭＡＸまで変化する（図１（Ｂ）に図示）。

【００３２】撮像素子２より後の回路は、図１５の例と
同様に構成される。すなわち、撮像素子２より各ライン
毎に順次出力される画素信号が位置データ検出回路４に
供給される。そして、この位置データ検出回路４で、画
素信号のレベルが徐々に小さくなって量子化範囲に入る
全てのラインに対して、画素アドレス（ｈ↓，ｖ↓）お
よび量子化値ｑ↓がラッチされると共に、コード値ｓ↓
が読み取られる。そして、位置データ検出回路４で検出
される各組の位置データ（画素アドレス（ｈ↓，ｖ
↓）、量子化値ｑ↓、コード値ｓ↓）が処理回路５に順
次供給され、数４で絶対位置情報Ｚ↓が求められる（図
３参照）。

【００３３】

【数４】

【００３４】

【００３５】ここで、Ｚ′h↓,v↓,s↓(q↓)、Ｚ′H,V
(h↓,v↓)、ＺS(s↓)はそれぞれ数５で表されるため、
絶対位置情報Ｚ↓は数６で示すようになる。

【００３６】

【数５】

【００３７】

【００３８】

【数６】

【００３９】

【００４０】ここで、ｋq、ｋs、ｋhおよびｋvは、数
２、数３におけるものと同様である。また、各位置デー
タに対応して処理回路５で求められる絶対位置情報Ｚ↓
は代表値決定回路６に順次供給され、この代表値決定回
路６より１つの代表的な絶対位置情報Ｚ↓が出力され
る。

【００４１】本例においては、ストライプパターンＳＰ
のＺ方向への移動によるスリットＳＬＴの光透過幅の変
化に伴って画素信号は最小から最大まで変化する。その
ため、光の回折現象、光源３の大きさ、受光素子ＰＥの
大きさに関係なく、スリット幅ｗMによって変換係数が
決まる。つまり、スリット幅ｗMを小さくすることによ
り変換係数を大きくすることができ、従来のものに比べ
て分解能を上げることができる。

【００４２】ところで、実際には光が電磁波であり、光
の波長との関係で光透過幅が小さいときには透過量が少
なく、画素信号の最小と最大を結ぶ線は直線とはならず
直線の傾きより必ず大きな傾き（変換係数）の部分があ
る。この部分を、例えば量子化範囲として使用すること
により、さらに高い分解能を得ることができる。

【００４３】また本例においては、変換特性（図１の
（Ｂ）参照）に、受光素子ＰＥの形状加工精度がほとん
ど関係せず、専らマスクスリットパターンＭＳＰの加工
精度が大きく影響する。しかし、マスクスリットパター
ンＭＳＰは高精度の加工が容易であるため、画素間のバ
ラツキが小さい均一な特性を得ることができる。

【００４４】また本例においては、エンコード板１のｗ
Mの変位量で、画素信号が最小から最大まで変化するこ
とから、ストライプパターンＳＰの光透過や光吸収（反
射も含む）のストライプ幅がそれぞれスリット幅以上で
あれば最大振幅の画素信号が得られる。そのため、スト
ライプパターンＳＰのピッチをスリット幅ｗMの２倍の
大きさまで小さくしても分解能は低下しない。

【００４５】図４は、ストライプパターンＳＰの光透過
や光吸収のストライプ幅がそれぞれ３μｍ、マスクスリ
ットパターンＭＳＰの光透過のストライプ幅（スリット
幅ｗM）が２μｍ、その光吸収のストライプ幅が８μｍ
である場合を示している。図５は図４のＡ−Ａ′断面図
を示している。また、図６はエンコード板１と撮像素子
２との配置関係を示しており、ストライプ幅等は図４の
例と同じ条件である。画素数は１３×１８（垂直×水
平）で、エンコード板１の傾斜角度θは１／５０ラジア
ンである。水平、垂直の画素ピッチは１０μｍであるの
で、ｋh＝ＰHsinθ≒０．２μｍである。なお、図を簡
単にするため、受光素子ＰＥは「○」で表わしている。
図７は図６の例の撮像素子２の画素信号出力パターンを
示している。同図において、「○」は量子化範囲の上限
より大きな値、「・」は量子化範囲の下限より小さな
値、ｑ↓は上限側から量子化範囲に入ったときの量子化
値、ｑ↑は下限側から量子化範囲に入ったときの量子化
値である。図８はスリットＳＬＴの光透過幅と画素信号
との関係を示したものである。実線ａの傾きの大きさが
変換係数ｋqとなり、量子化範囲の下限値（６５％）に
おける光透過幅がＺ′h↓,v↓,s↓（０↓）となる（数
５参照）。

【００４６】ところで、２値化時分解能＝ストライプピ
ッチ／画素数の関係がある。本例においては、上述した
ようにストライプピッチを小さくできる。そのため、２
値化時分解能が同じであるときには、撮像素子２の画素
数を少なくでき、撮像素子２を小型とできる。

【００４７】ここで、ストライプピッチが小さくなって
も、安定してコードパターン領域１１のコードパターン
を読み取れることを示す。量子化値ｑ↓が存在すると
き、マスクスリットパターンＭＳＰのスリットＳＬＴと
エンコード板１のストライプパターンおよびコードパタ
ーンとの位置関係は図９に示すようになる。エンコード
板１の撮像素子２に対する傾斜角度θが小さく、かつス
リットＳＬＴの幅が小さいので、スリットＳＬＴがコー
ド切替点から離れており、コード値ｓ↓を安定して読み
取れる。

【００４８】次に、マスクスリットパターンＭＳＰの光
学系に対する効果について説明する。光源３のＺ方向の
大きさＡLおよびＨ方向の大きさＢLの制限条件は、光の
回折現象が小さいとしたとき、およそ数７で与えられ
る。この数７で、Ｄは光源３からマスクスリットパター
ンＭＳＰまでの距離、ｄはマスクスリットパターンＭＳ
Ｐから受光素子面ＬＦまでの距離、ｍは撮像素子２の垂
直画素数、ｎはコードパターン領域１１のトラック数、
ＰHは水平方向の画素ピッチおよびコードパターンのト
ラック幅、ＰVは垂直方向の画素ピッチ、ＡPは受光素子
ＰＥのＺ方向およびＨ方向の大きさ、ｂはコードパター
ン領域の各受光素子ＰＥ間に対応するスリットＳＬＴの
塗りつぶし部ＮＳＬの幅である（図１２参照）。この制
限条件からわかるように、光源３のＺ方向の大きさＡL
に比例してストライプパターン像がぼやけることがな
く、一定で光照射の一様性が許容される範囲で距離Ｄを
小さくし、光強度を強くすることができる。これによ
り、変換係数を大きくでき、分解能を上げることができ
る。

【００４９】

【数７】

【００５０】

【００５１】なお、画素数が１個である場合の制限条件
は、図１０より導くことができ、数８に示すようにな
る。この条件を満たすことで、スリットＳＬＴを通る光
の全てが受光素子ＰＥで捕えられ、画素アドレス（ｈ
↓，ｖ↓）、量子化値ｑ↓の検出誤りを抑制することが
できる。

【００５２】

【数８】

【００５３】

【００５４】また、トラック数が１本である場合の制限
条件は、図１１より導くことができ、数９に示すように
なる。この条件を満たすことで、当該トラックに対応す
るスリットＳＬＴを通る光の全てが受光素子ＰＥで捕え
られ、コード値ｓ↓の検出誤りを抑制することができ
る。ここで、スリットＳＬＴに塗りつぶし部ＮＳＬを設
けないとすれば、図１１に破線で示す範囲より外の光
（当該トラックとは別のトラックに対応するスリットＳ
ＬＴを通る光）が受光素子ＰＥに供給されるので、コー
ド値ｓ↓の検出誤りを生じる恐れがある。そのため、塗
りつぶし部ＮＳＬを設けないときには、光源３のＨ方向
の大きさＢL′をＢLより小さくする必要がある。つま
り、塗りつぶし部ＮＳＬを設けることにより、光源３の
Ｈ方向の大きさを大きくして変換係数を大きくでき、分
解能を上げることができる。

【００５５】

【数９】

【００５６】

【００５７】なお、上述実施例においては、上限側から
量子化範囲に入った場合の量子化値ｑ↓を使用して絶対
位置情報Ｚ↓を求めたものであるが、下限側から量子化
範囲に入ったときの量子化値ｑ↑を使用して、同様に絶
対位置情報Ｚ↑を求めることができる。この場合、数１
０で絶対位置情報Ｚ↑が求められる（図１３参照）。
（ｈ↑，ｖ↑）は量子化値ｑ↑が得られる画素アドレ
ス、ｓ↑は対応するコード値である。

【００５８】

【数１０】

【００５９】

【００６０】ここで、Ｚ′h↑,v↑,s↑(q↑)、Ｚ′H,V
(h↑,v↑)、ＺS(s↑)はそれぞれ数１１で表されるた
め、絶対位置情報Ｚ↑は数１２で示すようになる。

【００６１】

【数１１】

【００６２】

【００６３】

【数１２】

【００６４】

【００６５】また、上述せずも、光源３とエンコード板
１との間に円柱状マイクロレンズＭＬを挿入して、マス
クスリットパターンＭＳＰのスリットＳＬＴの部分にの
み光が照射されるようにすれば、光源３からの光を有効
に利用することができ、さらに分解能を上げることがで
きる（図１４参照）。

【００６６】

【発明の効果】この発明によれば、撮像素子の撮像面上
に水平方向に受光素子の中心を結ぶ線と平行なスリット
状のマスクパターンが形成され、ストライプパターンの
移動によるスリットの光透過幅の変化に伴って画素信号
が最小から最大まで変化する。したがって、光の回折現
象、光源の大きさ、受光素子の大きさに関係なく、スリ
ット幅によって変換係数が決まり、スリット幅を小さく
することにより変換係数を大きくすることができ、従来
のものに比べて分解能を上げることができる。

【００６７】またこの発明によれば、画素位置検出精度
が製造上制約条件の多い受光素子の配列加工ではなく、
単純なマスクスリットパターン加工で決まる。そして、
トリミング（修正）加工が容易であり、同一加工法のエ
ンコード板のストライプパターンと同程度の加工精度が
得られる。また受光素子の製造プロセス上安定にできる
中央部が主として使用される。これらのことから、均一
性がよく補正範囲が狭くなるため、一層高分解能、高精
度の位置検出を行なうことができる。

【００６８】またこの発明によれば、エンコード板のス
トライプパターンが撮像素子のマスクスリットパターン
に密着されるのでストライプピッチをスリット幅の２倍
の大きさまで小さくすることができ、このストライプピ
ッチを小さくして画素数を減らすことができ、撮像素子
の小型化を図ることができ、しかも光照射の一様性を改
善することができる。

【００６９】またこの発明によれば、マスクスリットパ
ターンのコード領域画素間に塗りつぶし部を設けたの
で、光源を水平方向に大きくすることができ、これによ
り変換係数を大きくして分解能を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は実施例の構成を示す図であり、（Ｂ）
はその画素信号の変化を示す図である。

【図２】（Ａ）は撮像素子のマスクスリットパターンを
示す図、（Ｂ）は受光素子面の光強度を示す図である。

【図３】絶対位置情報の説明のための図である。

【図４】実施例の光源方向から見た透視平面図を示す図
である。

【図５】図４のＡ−Ａ′断面図である。

【図６】エンコード板と撮像素子との配置関係の一例を
示す図である。

【図７】撮像素子の画素信号出力パターンを示す図であ
る。

【図８】光透過幅と画素信号との関係を示す図である。

【図９】コードパターンの安定読取りを説明するための
図である。

【図１０】光源サイズのＺ方向の制限条件を説明するた
めの図である。

【図１１】光源サイズのＨ方向の制限条件を説明するた
めの図である。

【図１２】マスクスリットパターンのコード領域画素間
の塗りつぶし例を示す図である。

【図１３】絶対位置情報の説明のための図である。

【図１４】マイクロレンズを使用した場合の例を示す図
である。

【図１５】絶対位置検出装置の構成を示す図である。

【図１６】エンコード板のパターンを示す図である。

【図１７】撮像素子の撮像画面を示す図である。

【図１８】絶対位置情報の説明のための図である。

【図１９】Ｚ軸への座標変換を説明するための図であ
る。

【図２０】画素の位置信号変換係数の説明のための図で
ある。

【図２１】光の回折現象によるボケの説明のための図で
ある。

【図２２】光源の大きさによるボケの説明のための図で
ある。

【図２３】絶対位置検出装置の要部の具体構成を示す図
である。

【図２４】受光素子の大きさによる画素信号のなまりを
説明するための図である。

【図２５】実際の位置信号変換特性例を示す図である。

【符号の説明】

１ エンコード板 ２ ＣＣＤ撮像素子 ３ 光源 ４ 位置データ検出回路 ５ 処理回路 ６ 代表値決定回路 １１ コードパターン領域 １２ ストライプパターン領域 ＳＰ ストライプパターン ＭＳＰ マスクスリットパターン ＳＬＴ スリット

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のストライプパターンおよびこの複
   数のストライプパターンの絶対位置を示すコードパター
   ンからなるエンコード板と、このエンコード板のストラ
   イプパターンに対して所定角だけ傾けて配された固体撮
   像素子を備え、この固体撮像素子の出力信号に基づいて
   位置変化を検出する絶対位置検出装置において、上記固
   体撮像素子の撮像面上に、水平画素列に対応するスリッ
   ト状のマスクスリットパターンを形成することを特徴と
   する絶対位置検出装置。
2. 【請求項２】 上記エンコード板と固体撮像素子との対
   向面をそれぞれ平滑処理し、上記エンコード板と固体撮
   像素子とを密着して配することを特徴とする請求項１記
   載の絶対位置検出装置。
3. 【請求項３】 上記コードパターンに対応する上記マス
   クスリットパターンには、画素間をマスクする塗りつぶ
   し部を設けることを特徴とする請求項１記載の絶対位置
   検出装置。