JP2938842B2 - Optical receiver - Google Patents
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- JP2938842B2 JP2938842B2 JP10035677A JP3567798A JP2938842B2 JP 2938842 B2 JP2938842 B2 JP 2938842B2 JP 10035677 A JP10035677 A JP 10035677A JP 3567798 A JP3567798 A JP 3567798A JP 2938842 B2 JP2938842 B2 JP 2938842B2
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信装置、特
に、光リモートコントローラから送信された光信号を電
気信号に変換する光リモートコントロール受信装置に用
いられる光受信装置に関する技術に属するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique relating to an optical receiving apparatus, and more particularly to an optical receiving apparatus used for an optical remote control receiving apparatus for converting an optical signal transmitted from an optical remote controller into an electric signal. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】光リモートコントロール受信装置（以下
「光リモコン受信装置」という）は、フォトダイオード
などの光信号を電流に変換する光受信装置と、光が入射
したときに光受信装置に発生する光電流をマイクロコン
ピュータなどの論理回路が判別できる信号に変換する周
辺回路とからなる。2. Description of the Related Art An optical remote control receiver (hereinafter referred to as an "optical remote receiver") generates an optical signal from a photodiode or the like into an electric current and an optical receiver when light enters. And a peripheral circuit that converts the photocurrent into a signal that can be determined by a logic circuit such as a microcomputer.
【０００３】一般に、光受信装置が受信する光は、送信
機との距離すなわち受信距離が長くなればなるほど弱く
なるため、光リモコン受信装置の受信可能距離は、その
光検出感度が高ければ高いほど長くなり、逆に低ければ
低いほど短くなる。また、光リモコン受信装置の受信可
能距離が長いと、送信機の光信号の出力を落として電池
を長持ちさせたり、広い範囲からの受信を可能にして使
い勝手を向上させたりすることができる。In general, the light received by an optical receiver becomes weaker as the distance from the transmitter, that is, the reception distance becomes longer. Therefore, the receivable distance of the optical remote control receiver becomes higher as its light detection sensitivity becomes higher. The longer, the lower the lower, the shorter. Further, when the receivable distance of the optical remote control receiver is long, the output of the optical signal of the transmitter can be reduced to extend the life of the battery, or the reception can be performed from a wide range to improve usability.
【０００４】このような背景から、一般に市場では、受
信可能距離の長い（１０ｍ以上程度）光リモコン受信装
置が求められており、このため、光受信装置として光検
出感度のよりすぐれたものが求められている。[0004] From such a background, generally, in the market, there is a demand for an optical remote control receiver having a long receivable distance (about 10 m or more). For this reason, an optical receiver having better light detection sensitivity is required. Have been.
【０００５】一方、光リモコン受信装置は通常、一般家
庭において利用されるので、蛍光灯等の電磁ノイズの存
在によりその光検出感度は大きな影響を受ける。すなわ
ち光リモコン受信装置には送信機から出力された光信号
とともに電磁ノイズも入射されるので、受信した光信号
は電磁ノイズに隠れてしまい、光検出感度が低下する。On the other hand, since the optical remote control receiver is usually used in ordinary households, the light detection sensitivity is greatly affected by the presence of electromagnetic noise such as a fluorescent lamp. That is, since electromagnetic noise is incident on the optical remote control receiving device together with the optical signal output from the transmitter, the received optical signal is hidden by the electromagnetic noise, and the light detection sensitivity is reduced.
【０００６】そこで、このような電磁ノイズを除去する
ために、従来から光受信装置に対してさまざまな工夫が
なされている。In order to eliminate such electromagnetic noise, various devices have been conventionally devised for the optical receiver.
【０００７】例えば従来の光受信装置としては、金属製
容器によって装置全体を電磁遮蔽したもの（特開平６−
６９４０９号公報参照）や、透光性導電膜を受光面表面
に形成したもの（特開平６−２９１３５６号公報参
照）、またフォトダイオードの受光面全体を拡散層によ
ってシールドしたもの（特開平２−２７５６８０号公報
参照）や受光面のうちノイズ発生源に近い部分のみを拡
散層によってシールドしたもの（実開平４−４０５５３
号公報参照）などがあった。For example, as a conventional optical receiving device, the entire device is electromagnetically shielded by a metal container (Japanese Unexamined Patent Publication No.
69409), a light-transmitting conductive film formed on the light-receiving surface (see JP-A-6-291356), and a photodiode in which the entire light-receiving surface is shielded by a diffusion layer (see JP-A-2-291356). 275680) and a light-receiving surface in which only a portion close to a noise source is shielded by a diffusion layer (Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 4-40553).
Reference).
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の光受
信装置には以下のような問題があった。However, the conventional optical receiver has the following problems.
【０００９】まず装置全体を電磁遮蔽したものは、装置
規模の面やコストの面で好ましくない。また透過性導電
膜を形成したものでは、透過性導電膜は透過性を有する
とはいえ、その透過度は１００％ではないので、光検出
感度を向上させるのに限界がある。したがって、前記従
来の光受信装置の中では、受光面を拡散層によってシー
ルドしたものが、装置規模、コストおよび光検出感度の
面で比較的好ましいといえる。First, an apparatus in which the entire apparatus is electromagnetically shielded is not preferable in terms of apparatus scale and cost. In the case where a transparent conductive film is formed, the transparent conductive film has transparency, but its transmittance is not 100%, so that there is a limit in improving the photodetection sensitivity. Therefore, among the conventional optical receivers, the one in which the light receiving surface is shielded by the diffusion layer is relatively preferable in terms of the device scale, cost, and photodetection sensitivity.
【００１０】ところが、受光面全体を拡散層によってシ
ールドする従来の装置では、電磁ノイズの影響は低減す
ることができるものの、実際にはさほど光検出感度の向
上にはつながらず、光リモコン受信装置の受信可能距離
を１０ｍ以上にすることが困難であった。また、一般家
庭における電磁ノイズはその発生源の位置を特定できな
いため、受光面のうちノイズ発生源に近い部分のみを拡
散層によってシールドすることは、実際上できない。However, in the conventional device in which the entire light receiving surface is shielded by the diffusion layer, the effect of electromagnetic noise can be reduced, but it does not actually improve the light detection sensitivity so much. It was difficult to increase the receivable distance to 10 m or more. Further, since the position of the source of electromagnetic noise in ordinary households cannot be specified, it is practically impossible to shield only a portion of the light receiving surface close to the source of the noise with a diffusion layer.
【００１１】本願発明者の実験などによる検討による
と、シールドのための拡散層と受光層との接触によって
光受信装置内で自発ノイズが生じており、この自発ノイ
ズが、光受信装置の光検出感度向上の妨げになっている
ことが分かった。According to examinations by the inventors of the present application, etc., spontaneous noise is generated in the optical receiver due to contact between the diffusion layer for shielding and the light receiving layer. It turned out that it hindered the sensitivity improvement.
【００１２】前記の問題に鑑み、本発明は、従来よりも
光検出感度が高く、光リモコン受信装置の受信可能距離
を従来よりも長く伸ばすことができる光受信装置を提供
することを課題とする。[0012] In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an optical receiver that has higher light detection sensitivity than the conventional one and can extend the receivable distance of the optical remote control receiver longer than before. .
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項１の発明が講じた解決手段は、一の導電型
の半導体基板と、この半導体基板の表面領域に形成され
た他の導電型の不純物領域からなる受光部とを有する光
受信装置として、前記受光部の表面領域に、前記一の導
電型の不純物領域からなり電磁ノイズを除去する第１の
シールド部が、前記受光部との接触に起因して生じる自
発ノイズが過度に生じないよう前記受光部表面を部分的
に覆うように形成されており、前記半導体基板の表面領
域における前記受光部の周囲に、前記一の導電型の不純
物領域からなる第２のシールド部が、前記半導体基板表
面において前記受光部をほぼ全周にわたって囲み、か
つ、前記第１のシールド部と併せて、前記半導体基板上
における前記受光部の境界領域をほぼ全周にわたって覆
うように、形成されているものである。Means for Solving the Problems To solve the above-mentioned problems, a solution taken by the invention of claim 1 is a semiconductor substrate of one conductivity type and another semiconductor substrate formed in a surface region of the semiconductor substrate. A light-receiving device comprising: a light-receiving unit comprising an impurity region of a conductivity type; a first shield unit comprising an impurity region of the one conductivity type and removing electromagnetic noise in a surface region of the light-receiving unit; Is generated due to contact with the light receiving unit.
Partially cover the surface of the light receiving section so that excessive noise does not occur.
And is formed so as to cover the surface area of the semiconductor substrate.
Around the light receiving section in the region, the one conductivity type impurity
A second shield portion made of an object region,
Encircling the light receiving section on almost the entire circumference on the surface,
And on the semiconductor substrate together with the first shield part.
Cover the boundary area of the light receiving section at almost the entire circumference.
As such, it is formed .
【００１４】請求項１の発明によると、電磁ノイズを除
去する第１のシールド部は、受光部との接触に起因して
生じる自発ノイズが過度に生じないよう、受光部表面を
部分的に覆うように形成されているため、自発ノイズ
は、光受信装置の光検出感度向上の妨げになるほど過度
には生じない。また受光部の表面領域に形成された第１
のシールド部の他に、半導体基板の表面領域における受
光部の周囲に一の導電型の不純物領域からなる第２のシ
ールド部が形成されているので、受光部表面以外の半導
体基板表面から入る電磁ノイズも第２のシールド部によ
って除去することができる。このため、従来よりも光検
出感度を向上させることができ、光リモコン受信装置の
受信可能距離を従来よりも長く伸ばすことができる。According to the first aspect of the present invention, the first shield part for removing the electromagnetic noise partially covers the light receiving part surface so that spontaneous noise generated due to the contact with the light receiving part is not excessively generated. Therefore, the spontaneous noise does not excessively occur so as to hinder the improvement of the photodetection sensitivity of the optical receiver. In addition, the first light-receiving portion has a first region formed in a surface region thereof.
In addition to the shield part of the
A second region formed of an impurity region of one conductivity type around the optical portion.
Since the shield part is formed, the semiconductor
Electromagnetic noise entering from the body substrate surface is also
Can be removed. For this reason, the light detection sensitivity can be improved as compared with the related art, and the receivable distance of the optical remote control receiver can be extended longer than before.
【００１５】また、請求項２の発明が講じた解決手段
は、一の導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面
領域に形成された他の導電型の不純物領域からなる受光
部とを有する光受信装置として、前記受光部の表面領域
に、前記一の導電型の不純物領域からなり電磁ノイズを
除去する第１のシールド部が、前記受光部との接触に起
因して生じる自発ノイズが過度に生じないよう前記受光
部表面を部分的に覆うよ うに形成されており、前記半導
体基板の表面領域における前記受光部の周囲に、前記一
の導電型の不純物領域からなる第２のシールド部が形成
されており、前記第２のシールド部は、前記半導体基板
において、前記受光部よりも深く形成された側方シール
ド部を有しているものである。[0015] A solution taken by the invention of claim 2
Is a semiconductor substrate of one conductivity type and the surface of this semiconductor substrate
Light reception consisting of impurity regions of other conductivity type formed in the region
Surface area of the light receiving unit
In addition, the electromagnetic noise is formed of the one conductivity type impurity region.
The first shield part to be removed is brought into contact with the light receiving part.
To prevent excessive spontaneous noise from occurring.
It the part surface partially covers is urchin formed, the semiconductor
Around the light receiving section in the surface region of the body substrate,
Forming a second shield portion made of a conductive type impurity region
Being, the second shield portion, in the semiconductor substrate, but has a deeply-formed side shield portions than the light receiving portion.
【００１６】請求項２の発明によると、電磁ノイズを除
去する第１のシールド部は、受光部との接触に起因して
生じる自発ノイズが過度に生じないよう、受光部表面を
部分的に覆うように形成されているため、自発ノイズ
は、光受信装置の光検出感度向上の妨げになるほど過度
には生じない。また受光部の表面領域に形成された第１
のシールド部の他に、半導体基板の表面領域における受
光部の周囲に一の導電型の不純物領域からなる第２のシ
ールド部が形成されているので、受光部表面以外の半導
体基板表面から入る電磁ノイズも第２のシールド部によ
って除去することができる。さらには、側方シールド部
は半導体基板において受光部よりも深く形成されている
ので、受光部側方からの電磁ノイズを除去することがで
きる。このため、従来よりも光検出感度を向上させるこ
とができ、光リモコン受信装置の受信可能距離を従来よ
りも長く伸ばすことができる。 According to the second aspect of the present invention, electromagnetic noise is eliminated.
The first shield part to be removed, due to contact with the light receiving part
To prevent excessive spontaneous noise from occurring,
Because it is formed to cover partly, spontaneous noise
Is too great to hinder the improvement of the optical detection sensitivity of the optical receiver.
Does not occur. In addition, the first light-receiving portion has a first region formed in a surface region thereof.
In addition to the shield part of the
A second region formed of an impurity region of one conductivity type around the optical portion.
Since the shield part is formed, the semiconductor
Electromagnetic noise entering from the body substrate surface is also
Can be removed. Furthermore, since the side shield portion is formed deeper than the light receiving portion in the semiconductor substrate, it is possible to remove electromagnetic noise from the side of the light receiving portion. For this reason, it is possible to improve the photodetection sensitivity more than before.
And the receivable distance of the optical remote control receiver is
Can be extended longer.
【００１７】そして、請求項３の発明では、前記請求項
２の光受信装置における側方シールド部は、前記半導体
基板側面の表面領域に形成されているものとする。According to the third aspect of the present invention,
It is assumed that the side shield portion in the optical receiver of No. 2 is formed in the surface region on the side surface of the semiconductor substrate.
【００１８】また、請求項４の発明が講じた解決手段
は、一の導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面
領域に形成された他の導電型の不純物領域からなる受光
部とを有する光受信装置として、前記受光部の表面領域
に、前記一の導電型の不純物領域からなり電磁ノイズを
除去するシールド部が、前記受光部との接触に起因して
生じる自発ノイズが過度に生じないよう前記受光部表面
を部分的に覆うように形成されており、前記半導体基板
裏面の表面領域に、前記一の導電型の不純物領域からな
るコンタクト層が形成され、前記半導体基板の裏面はほ
ぼ全面にわたって導電接着剤によってリードに接着され
ており、前記シールド部と前記リードとは、電気的に接
続されているものである。Further, a solution taken by the invention of claim 4
Is a semiconductor substrate of one conductivity type and the surface of this semiconductor substrate
Light reception consisting of impurity regions of other conductivity type formed in the region
Surface area of the light receiving unit
In addition, the electromagnetic noise is formed of the one conductivity type impurity region.
The shield part to be removed is caused by contact with the light receiving part.
The surface of the light receiving section so that the generated spontaneous noise is not excessively generated
A contact layer made of the one conductivity type impurity region is formed in a surface region of the back surface of the semiconductor substrate, and the back surface of the semiconductor substrate is covered with a conductive adhesive over substantially the entire surface. The shield part and the lead are electrically connected to each other.
It has been continued .
【００１９】請求項４の発明によると、電磁ノイズを除
去する第１のシールド部は、受光部との接触に起因して
生じる自発ノイズが過度に生じないよう、受光部表面を
部分的に覆うように形成されているため、自発ノイズ
は、光受信装置の光検出感度向上の妨げになるほど過度
には生じない。また、半導体基板の裏面は、ほぼ全面に
わたって、導電接着剤によってリードに接着されている
ので、半導体基板の裏面側からの電磁ノイズは、リード
によって確実に除去される。このため、従来よりも光検
出感度を向上させることができ、光リモコン受信装置の
受信可能距離を従来よりも長く伸ばすことができる。 According to the fourth aspect of the invention, electromagnetic noise is eliminated.
The first shield part to be removed, due to contact with the light receiving part
To prevent excessive spontaneous noise from occurring,
Because it is formed to cover partly, spontaneous noise
Is too great to hinder the improvement of the optical detection sensitivity of the optical receiver.
Does not occur. In addition, since the back surface of the semiconductor substrate is bonded to the lead over the entire surface with a conductive adhesive, electromagnetic noise from the back surface side of the semiconductor substrate is reliably removed by the lead. For this reason, optical detection
Output sensitivity can be improved,
The receivable distance can be extended longer than before.
【００２０】そして、請求項５の発明では、前記請求項
４の光受信装置における半導体基板は、前記導電接着剤
によってその側面下部の少なくとも一部が覆われている
ものとする。[0020] In the invention of claim 5, wherein the claim
It is assumed that the semiconductor substrate in the optical receiving device of No. 4 has at least a part of a lower portion of a side surface thereof covered with the conductive adhesive.
【００２１】請求項５の発明によると、半導体基板の側
面側からの電磁ノイズが、導電接着剤によって除去され
る。According to the fifth aspect of the present invention, the electromagnetic noise from the side surface of the semiconductor substrate is removed by the conductive adhesive.
【００２２】さらに、請求項６の発明では、前記請求項
５の光受信装置におけるコンタクト層は、前記半導体基
板裏面のほぼ全面にわたって形成されており、前記半導
体基板側面における前記コンタクト層の表面は、前記導
電接着剤によって覆われているものとする。Further, in the invention according to claim 6 , the aforementioned claim is provided.
The contact layer in the optical receiver of No. 5 is formed over substantially the entire back surface of the semiconductor substrate, and the surface of the contact layer on the side surface of the semiconductor substrate is covered with the conductive adhesive.
【００２３】また、請求項７の発明では、前記請求項４
の光受信装置において、前記受光部の表面領域に形成さ
れたシールド部を第１のシールド部とすると、前記半導
体基板の表面領域における前記受光部の周囲に、前記一
の導電型の不純物領域からなり、かつ、前記第１のシー
ルド部と電気的に接続された第２のシールド部が形成さ
れており、前記第２のシールド部上に前記リードと接続
されたアノード電極が設けられているものとする。According to the seventh aspect of the present invention, in the fourth aspect,
In the optical receiving device, when a shield portion formed in a surface region of the light receiving portion is a first shield portion, around the light receiving portion in a surface region of the semiconductor substrate, the one conductive type impurity region becomes, and that the first shield portion and electrically connected to the second shield portion is formed, the second of the lead on the shield part and the connected anode is provided And
【００２４】請求項７の発明によると、第２のシールド
部上に設けられたアノード電極がシールドのための電極
として機能する。このため、受光部表面がシールドのた
めの電極によって遮光されることがない。According to the invention of claim 7 , the anode electrode provided on the second shield part functions as an electrode for shielding. Therefore, the light receiving section surface is not shielded from light by the shield electrode.
【００２５】また、請求項８の発明が講じた解決手段
は、一の導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面
領域に形成された他の導電型の不純物領域からなる受光
部とを有する光受信装置として、前記受光部の表面領域
に、前記一の導電型の不純物領域からなる第１のシール
ド部が形成され、かつ、前記半導体基板の表面領域にお
ける前記受光部の周囲に、前記一の導電型の不純物領域
からなる第２のシールド部が形成されており、前記第２
のシールド部は、前記半導体基板において、前記受光部
よりも深く形成された側方シールド部を有しているもの
である。Further, solutions for the invention is taken of claim 8, and a light receiving portion comprised of a semiconductor substrate of a first conductivity type, impurity regions other conductivity type formed in a surface region of the semiconductor substrate As a light receiving device, a first shield portion made of the one conductivity type impurity region is formed in a surface region of the light receiving portion, and the first shield portion is formed around the light receiving portion in a surface region of the semiconductor substrate. A second shield portion made of a conductive type impurity region is formed.
The shield portion has a side shield portion formed deeper than the light receiving portion in the semiconductor substrate.
【００２６】請求項８の発明によると、側方シールド部
は半導体基板において受光部よりも深く形成されている
ので、受光部側方からの電磁ノイズを除去することがで
きる。According to the eighth aspect of the present invention, since the side shield portion is formed deeper than the light receiving portion in the semiconductor substrate, it is possible to remove electromagnetic noise from the side of the light receiving portion.
【００２７】また、請求項９の発明が講じた解決手段
は、一の導電型の半導体基板と、この半導体基板の表面
領域に形成された他の導電型の不純物領域からなる受光
部とを有する光受信装置として、前記受光部の表面領域
に、前記一の導電型の不純物領域からなるシールド部が
形成され、前記半導体基板裏面の表面領域に、前記一の
導電型の不純物領域からなるコンタクト層が形成され、
かつ、前記半導体基板の裏面は、ほぼ全面にわたって、
導電接着剤によってリードに接着されており、前記半導
体基板は前記導電接着剤によってその側面下部が覆われ
ており、前記シールド部と前記リードとは電気的に接続
されているものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a semiconductor substrate of one conductivity type and a light receiving portion formed in a surface region of the semiconductor substrate and formed of an impurity region of another conductivity type. As a light receiving device, a shield portion made of the one conductivity type impurity region is formed in a surface region of the light receiving portion, and a contact layer made of the one conductivity type impurity region is formed in a surface region of a back surface of the semiconductor substrate. Is formed,
And the back surface of the semiconductor substrate covers almost the entire surface,
The semiconductor substrate is adhered to the lead by a conductive adhesive, and the lower side surface of the semiconductor substrate is covered by the conductive adhesive, and the shield portion and the lead are electrically connected.
Is what is being done.
【００２８】請求項９の発明によると、半導体基板の裏
面は、ほぼ全面にわたって、導電接着剤によってリード
に接着されているので、半導体基板の裏面側からの電磁
ノイズは、リードによって確実に除去されるとともに、
半導体基板の側面側からの電磁ノイズが、導電接着剤に
よって除去される。According to the ninth aspect of the present invention, since the back surface of the semiconductor substrate is bonded to the lead over the entire surface by the conductive adhesive, electromagnetic noise from the back surface of the semiconductor substrate is reliably removed by the lead. Along with
Electromagnetic noise from the side surface of the semiconductor substrate is removed by the conductive adhesive.
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明にお
いては、一の導電型をＰ型とし、他の導電型をＮ型とす
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, one conductivity type is P-type and the other conductivity type is N-type.
【００３０】（第１の実施形態） 図１は本発明の第１の実施形態に係る光受信装置の構成
を示す平面図であり、図２は図１の光受信装置の構成を
示すＸ−Ｘ’断面図である。なお、説明の便宜上、破断
線Ｘ−Ｘ’は、カソード電極１２およびアノード電極１
３を通るよう、直線ではなく折れ線にしている。(First Embodiment) FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an optical receiving apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. It is X 'sectional drawing. In addition, for convenience of explanation, the breaking line XX ′ is indicated by the cathode electrode 12 and the anode electrode 1.
It is not a straight line but a polygonal line to pass through 3.
【００３１】図１および図２に示すように、本実施形態
に係る光受信装置において、不純物密度が10-13 cm-3と
なるようにＰ（リン）がド−プされた、縦横の寸法が
１．５０×１．５０ｍｍ，厚さが３５０μｍのＰ型の半
導体基板１上に、不純物密度が10-15 cm-3となるように
Ｂ（ボロン）がド−プされた、縦横の寸法が１．３５×
１．３５ｍｍ，深さが５μｍのＮ型不純物領域からなる
受光部２が形成されている。この半導体基板１と受光部
２とによってフォトダイオード（ＰＤ）が構成されてお
り、半導体基板１はＰＤのアノードとして動作し、受光
部２はＰＤのカソードとして動作する。As shown in FIGS. 1 and 2, in the optical receiver according to the present embodiment, the vertical and horizontal dimensions in which P (phosphorus) is doped so that the impurity density becomes 10 -13 cm -3. Is a vertical and horizontal dimension in which B (boron) is doped on a P-type semiconductor substrate 1 having a thickness of 1.50 × 1.50 mm and a thickness of 350 μm so as to have an impurity density of 10 −15 cm −3. Is 1.35x
The light receiving section 2 is formed of an N-type impurity region having a depth of 1.35 mm and a depth of 5 μm. The semiconductor substrate 1 and the light receiving unit 2 constitute a photodiode (PD). The semiconductor substrate 1 operates as an anode of the PD, and the light receiving unit 2 operates as a cathode of the PD.
【００３２】また半導体基板１上には、不純物密度が10
-18 cm-3となるようにＰ（リン）がド−プされた第１の
Ｐ型不純物領域３および第２のＰ型不純物領域４が形成
されている。第１のＰ型不純物領域３は、受光部２の表
面を格子状に部分的に覆い、かつ、受光部２を囲むよう
に、深さ２μｍに形成されている。また、側方シールド
部としての第２のＰ型不純物領域４は、第１のＰ型不純
物領域３を囲むように、半導体基板１側面の表面領域
に、受光部２よりも深く、深さ５μｍ以上に形成されて
いる。第１のＰ型不純物領域３のうち受光部２の表面領
域に形成された部分によって第１のシールド部５が構成
されており、第１のＰ型不純物領域３のうち受光部２の
表面領域以外に形成された部分および第２のＰ型不純物
領域４によって、第２のシールド部６が構成されてい
る。この第１および第２のシールド部５，６は接地する
ことによって、電磁ノイズを除去するシ−ルドとして動
作する。The semiconductor substrate 1 has an impurity density of 10
A first P-type impurity region 3 and a second P-type impurity region 4 are formed in which P (phosphorus) is doped so as to be -18 cm -3 . The first P-type impurity region 3 is formed to a depth of 2 μm so as to partially cover the surface of the light receiving unit 2 in a lattice shape and surround the light receiving unit 2. The second P-type impurity region 4 as a side shield portion is deeper than the light-receiving portion 2 and has a depth of 5 μm in the surface region on the side surface of the semiconductor substrate 1 so as to surround the first P-type impurity region 3. It is formed as described above. A portion of the first P-type impurity region 3 formed in the surface region of the light-receiving portion 2 forms a first shield portion 5, and the surface region of the light-receiving portion 2 in the first P-type impurity region 3. The second shield portion 6 is constituted by the portion formed other than the above and the second P-type impurity region 4. The first and second shield parts 5, 6 operate as a shield for removing electromagnetic noise by being grounded.
【００３３】また半導体基板１上には、ＬＰ−ＣＶＤ法
（減圧気相成長法）によって形成したシリコンナイトラ
イド（ＬＰ−ＳｉＮ）膜を含む多層膜からなる保護膜１
１が形成されている（図１では図示を省略）。シリコン
ナイトライド膜はＬＰ−ＣＶＤ法によって形成されるの
で、形成の際に受光部２表面に損傷を与えることはな
く、また膜質も緻密であるので保護機能が高い。このた
め、保護膜１１の膜厚を通常の保護膜よりも薄くするこ
とができるので、保護膜１１には光の反射防止機能を有
せしめることができる。保護膜１１の膜厚は光の波長に
応じて設定し、例えば、シリコンナイトライド膜を４０
０〜１０００Åの膜厚に形成し、その上にシリコン酸化
（ＳｉＯ2 ）膜を２００〜４００Åの膜厚に形成する。On the semiconductor substrate 1, a protective film 1 composed of a multilayer film including a silicon nitride (LP-SiN) film formed by an LP-CVD method (a low-pressure vapor deposition method).
1 (not shown in FIG. 1). Since the silicon nitride film is formed by the LP-CVD method, it does not damage the surface of the light receiving section 2 during the formation, and the film quality is high, so that the protection function is high. For this reason, the thickness of the protective film 11 can be made thinner than a normal protective film, so that the protective film 11 can have a function of preventing light reflection. The thickness of the protective film 11 is set according to the wavelength of light.
A silicon oxide (SiO 2 ) film is formed thereon to a thickness of 200 to 400 °.
【００３４】受光部２と周辺回路とを接続するためのカ
ソード電極１２は、受光部２表面の第１のシールド部５
が構成されていない部分に設けられており、半導体基板
１と周辺回路とを接続するアノード電極１３は、第２の
シールド部６表面に設けられている。また半導体基板１
裏面の表面領域に、第３のＰ型不純物領域からなるコン
タクト層１４が形成されており、半導体基板１の裏面
は、ほぼ全面にわたって、Ａｇペースト、半田、導電性
樹脂などの導電性接着剤２２によってリードとしてのダ
イパッド２１に接着されている。ダイパッド２１の表面
積は半導体基板１裏面の面積よりも広く、また導電性接
着剤２２は表面張力によって半導体基板１の側面を伝い
上がり、半導体基板１の側面下部の少なくとも一部を覆
っている。The cathode electrode 12 for connecting the light receiving section 2 and the peripheral circuit is provided on the first shield section 5 on the surface of the light receiving section 2.
Is provided in a portion where the semiconductor substrate 1 is not configured, and the anode electrode 13 connecting the semiconductor substrate 1 and the peripheral circuit is provided on the surface of the second shield portion 6. Semiconductor substrate 1
A contact layer 14 made of a third P-type impurity region is formed in the front surface region of the back surface, and the back surface of the semiconductor substrate 1 covers almost the entire back surface with a conductive adhesive 22 such as Ag paste, solder, or conductive resin. Is bonded to the die pad 21 as a lead. The surface area of the die pad 21 is larger than the area of the back surface of the semiconductor substrate 1, and the conductive adhesive 22 runs up the side surface of the semiconductor substrate 1 by surface tension and covers at least a part of the lower side surface of the semiconductor substrate 1.
【００３５】アノード電極１３はボンディングワイヤ２
３によってダイパッド２１とワイヤボンディングされて
いる（図１では図示を省略）。これにより、第１のシー
ルド部５は、第２のシールド部６、アノード電極１３お
よびボンディングワイヤ２３によってダイパッド２１と
電気的に接続され、接地される。なおカソード電極１２
のワイヤボンディングについては図示を省略している。The anode electrode 13 is a bonding wire 2
The wire 3 is wire-bonded to the die pad 21 (not shown in FIG. 1). Thereby, the first shield part 5 is electrically connected to the die pad 21 by the second shield part 6, the anode electrode 13, and the bonding wire 23, and is grounded. Note that the cathode electrode 12
The illustration of the wire bonding is omitted.
【００３６】図３は本実施形態に係る光受信装置におい
て、第１のシ−ルド部５によって除去されずに受光部２
に入射する透過電磁ノイズ量と、第１のシ−ルド部５が
受光部２表面において占める面積との関係を示すグラフ
である。図３において、縦軸は透過電磁ノイズ量（受光
部２表面に第１のシールド部５を全く設けないときを１
とした相対比で表す）、横軸はシールド面積比すなわち
第１のシールド部５が受光部２表面において占める面積
の受光部２表面積全体に対する割合である。FIG. 3 shows an optical receiving apparatus according to the present embodiment, in which the light receiving section 2 is not removed by the first shield section 5.
6 is a graph showing the relationship between the amount of transmitted electromagnetic noise incident on the light receiving section and the area occupied by the first shield section 5 on the surface of the light receiving section 2. In FIG. 3, the vertical axis represents the amount of transmitted electromagnetic noise (1 when the first shield part 5 is not provided on the surface of the light receiving part 2 at all).
The horizontal axis represents the shield area ratio, that is, the ratio of the area occupied by the first shield section 5 on the surface of the light receiving section 2 to the entire surface area of the light receiving section 2.
【００３７】図３から明らかなように、第１のシールド
部５が受光部２表面において占める面積が大きければ大
きいほど、外部からの電磁ノイズは第１のシ−ルド部５
を介してグランドに逃げ易くなるので、透過電磁ノイズ
量は少なくなる。このため、外部からの電磁ノイズ以外
のノイズが全くなければ、第１のシールド部５の表面積
が大きければ大きいほど、光受信装置の光検出感度は高
くなる。As is apparent from FIG. 3, the larger the area occupied by the first shield part 5 on the surface of the light receiving part 2, the more the electromagnetic noise from the outside becomes the first shield part 5.
, It is easy to escape to the ground, and the amount of transmitted electromagnetic noise is reduced. For this reason, if there is no noise other than external electromagnetic noise, the larger the surface area of the first shield portion 5, the higher the light detection sensitivity of the optical receiver.
【００３８】ところが実際には、受光部２と第１のシー
ルド部５との接触に起因して自発ノイズが生じるため
に、第１のシールド部５の表面積が大き過ぎると、この
自発ノイズによって、光受信装置の光検出感度はかえっ
て低下してしまう。However, in practice, spontaneous noise is generated due to the contact between the light receiving section 2 and the first shield section 5, and if the surface area of the first shield section 5 is too large, this spontaneous noise causes The light detection sensitivity of the light receiving device is rather reduced.
【００３９】図４は本実施形態に係る光受信装置におい
て、受光部２と第１のシールド部５との接触に起因して
生じる自発ノイズ量と、第１のシールド部５が受光部２
表面において占める面積との関係を示すグラフである。
図４において、縦軸は自発ノイズ量（受光部２表面全面
に第１のシールド部５を設けたときを１とした相対比で
表す）、横軸はシールド面積比である。FIG. 4 shows an optical receiving apparatus according to the present embodiment, in which the amount of spontaneous noise caused by the contact between the light receiving section 2 and the first shield section 5 and the amount of the first shield section 5
It is a graph which shows the relationship with the area occupied on the surface.
In FIG. 4, the vertical axis represents the spontaneous noise amount (represented by a relative ratio when the first shield section 5 is provided on the entire surface of the light receiving section 2 as 1), and the horizontal axis represents the shield area ratio.
【００４０】図４から明らかなように、第１のシールド
部５が受光部２表面において占める面積が小さいほど自
発ノイズは小さくなるので、外部からの電磁ノイズが全
くない環境においては、第１のシ−ルド部５が受光部２
表面に全く設けられていないときが、光受信装置の光検
出感度は最も高くなり、光リモコン受信装置として用い
たときの受信可能距離も最も長くなる。As is apparent from FIG. 4, the spontaneous noise decreases as the area occupied by the first shield portion 5 on the surface of the light receiving portion 2 decreases. The shield part 5 is the light receiving part 2
When the optical receiver is not provided at all, the light detection sensitivity of the optical receiver is the highest, and the receivable distance when used as an optical remote control receiver is the longest.
【００４１】このため本実施形態では、図１に示すよう
に、第１のシールド部５を、受光部２との接触に起因し
て生じる自発ノイズが過度に生じないよう、受光部２表
面に部分的に形成している。これによって、外部からの
電磁ノイズに対しては、受光部２表面にシ−ルド部が全
く形成されていない光受信装置よりも強くなる一方、受
光部２表面全面にシールド部が形成された光受信装置よ
りも自発ノイズの発生を少なく抑えることができるの
で、結果として、従来よりも光検出感度が高くなり、光
リモコン受信装置として用いたときの受信可能距離も長
くなる。For this reason, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the first shield part 5 is provided on the surface of the light receiving part 2 so that spontaneous noise caused by contact with the light receiving part 2 is not excessively generated. Partially formed. As a result, electromagnetic noise from the outside becomes stronger than that of the optical receiver in which no shield portion is formed on the surface of the light receiving portion 2, while light having a shield portion formed on the entire surface of the light receiving portion 2 is provided. Since the occurrence of spontaneous noise can be suppressed as compared with the receiving device, as a result, the light detection sensitivity becomes higher than before, and the receivable distance when used as an optical remote control receiving device becomes longer.
【００４２】図５は図１および図２に示す本実施形態に
係る光受信装置を光リモコン受信装置として用いた場合
の、電磁ノイズがある日常室内環境下における動作実験
の結果を示すグラフであり、光リモコン受信装置の受信
可能距離と第１のシ−ルド部５が受光部２表面において
占める面積との関係を示す図である。図５において、縦
軸は受信可能距離（ｍ）、横軸はシールド面積比であ
る。FIG. 5 is a graph showing the results of an operation experiment in a daily indoor environment with electromagnetic noise when the optical receiver according to the present embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is used as an optical remote control receiver. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the receivable distance of the optical remote control receiver and the area occupied by the first shield 5 on the surface of the light receiver 2. In FIG. 5, the vertical axis indicates the receivable distance (m), and the horizontal axis indicates the shield area ratio.
【００４３】図５に示すように、シールド面積比が０の
ときすなわち受光部２表面に第１のシールド部５が全く
形成されていない場合は、受信可能距離は７ｍ程度であ
る。また、シールド面積比が１．０のときすなわち受光
部２表面全面に第１のシールド部５が形成されている場
合は、受信可能距離は１０ｍ程度になる。これに対し
て、シールド面積比を０．２５〜０．９５にすると受信
可能距離を１０ｍよりも長くすることができる。言い換
えると、シールド面積比を０．２５〜０．９５にするこ
とによって、受光部２表面全面にシールド部を形成した
従来の光受信装置よりも、光検出感度を向上させること
ができる。またシールド面積比を０．５に設定すると、
光受信装置の光検出感度が最も高くなり、光リモコン受
信装置の受信可能距離は最長の約１３ｍになる。これは
透過電磁ノイズ量および自発ノイズ量の和が最小になる
ためである。実際には、シールド面積比を０．４〜０．
６の範囲に設定すると、最も好ましい光検出感度が得ら
れる。As shown in FIG. 5, when the shield area ratio is 0, that is, when the first shield section 5 is not formed at all on the surface of the light receiving section 2, the receivable distance is about 7 m. When the shield area ratio is 1.0, that is, when the first shield part 5 is formed on the entire surface of the light receiving part 2, the receivable distance is about 10 m. On the other hand, when the shield area ratio is set to 0.25 to 0.95, the receivable distance can be made longer than 10 m. In other words, by setting the shield area ratio to 0.25 to 0.95, it is possible to improve the light detection sensitivity as compared with the conventional optical receiver in which the shield part is formed on the entire surface of the light receiving part 2. When the shield area ratio is set to 0.5,
The light detection sensitivity of the optical receiver is the highest, and the receivable distance of the optical remote control receiver is the longest about 13 m. This is because the sum of the amount of transmitted electromagnetic noise and the amount of spontaneous noise is minimized. Actually, the shield area ratio is set to 0.4 to 0.
When the range is set to 6, the most preferable photodetection sensitivity is obtained.
【００４４】また本実施形態に係る光受信装置には、受
光部２表面を部分的に覆うように第１のシールド部５を
形成している以外にも、いくつかの技術的な特徴があ
る。The optical receiver according to the present embodiment has some technical features other than the formation of the first shield part 5 so as to partially cover the surface of the light receiving part 2. .
【００４５】まず、半導体基板１の表面領域における受
光部２の周囲に第２のシールド部６が形成されているの
で、受光部２表面以外の半導体基板１表面から入る電磁
ノイズも第２のシールド部６によって除去することがで
きる。また第２のシールド部６は、受光部２よりも深く
形成された側方シールド部としての第２のＰ型不純物領
域４を有するので、受光部２側方からの電磁ノイズも第
２のシールド部６によって除去することができる。なお
本実施形態では、第２のＰ型不純物領域４は半導体基板
１側面の表面領域に形成されているが、必ずしも半導体
基板１側面に面していなくてもよい。First, since the second shield portion 6 is formed around the light receiving portion 2 in the surface region of the semiconductor substrate 1, electromagnetic noise entering from the surface of the semiconductor substrate 1 other than the surface of the light receiving portion 2 is also reduced. It can be removed by the part 6. Further, since the second shield section 6 has the second P-type impurity region 4 as a side shield section formed deeper than the light receiving section 2, the electromagnetic noise from the side of the light receiving section 2 is also reduced by the second shield section. It can be removed by the part 6. In the present embodiment, the second P-type impurity region 4 is formed in the surface region on the side surface of the semiconductor substrate 1, but does not necessarily have to face the side surface of the semiconductor substrate 1.
【００４６】また第１のシールド部５は第２のシールド
部６と電気的に接続されており、アノード電極１３を介
して接地されるので、シールド電極を受光部２表面に別
途設ける必要がない。このため、受光部２表面がシール
ド電極によって遮光されることがなく、受光部２表面を
受光面としてより有効に利用することができる。Further, the first shield part 5 is electrically connected to the second shield part 6 and is grounded via the anode electrode 13, so that it is not necessary to separately provide a shield electrode on the surface of the light receiving part 2. . Therefore, the surface of the light receiving unit 2 is not shielded from light by the shield electrode, and the surface of the light receiving unit 2 can be more effectively used as a light receiving surface.
【００４７】また、半導体基板１の裏面側から到来する
電磁ノイズもダイパッド２１によって確実に除去され
る。さらに、導電接着剤２２は表面張力によって半導体
基板１の側面を伝い上がっているので、導電接着剤２２
によって、半導体基板１の側面側からの電磁ノイズを除
去することができる。導電接着剤２２による電磁ノイズ
除去の効果は、その伝い上がり高さがコンタクト層１４
よりも高いとき、すなわち半導体基板１側面におけるコ
ンタクト層１４の表面が導電接着剤２２によって覆われ
ているとき、より顕著に得られる。Also, the electromagnetic noise coming from the back side of the semiconductor substrate 1 is reliably removed by the die pad 21. Further, since the conductive adhesive 22 is running on the side surface of the semiconductor substrate 1 by surface tension, the conductive adhesive 22
Thereby, the electromagnetic noise from the side surface of the semiconductor substrate 1 can be removed. The effect of removing the electromagnetic noise by the conductive adhesive 22 is that the rising height of the conductive
When the height is higher than that, that is, when the surface of the contact layer 14 on the side surface of the semiconductor substrate 1 is covered with the conductive adhesive 22, it is more remarkably obtained.
【００４８】（第２の実施形態） 図６は本発明の第２の実施形態に係る光受信装置の構成
を示す平面図である。図６に示すように、本実施形態に
係る光受信装置では、半導体基板１上に、不純物密度が
10-18 cm-3となるようにＰ（リン）がド−プされたＰ型
不純物領域３Ａが、受光部２の表面を格子状に部分的に
覆い、かつ、受光部２を囲むように深さ２μｍに形成さ
れている。このＰ型不純物領域３Ａは接地することによ
って、電磁ノイズを除去するシールドとして動作する。
Ｐ型不純物領域３Ａのうち、受光部２の表面領域に形成
された部分によって第１のシールド部５Ａが構成されて
おり、受光部２の表面領域以外に形成された部分によっ
て第２のシールド部６Ａが構成されている。ただし、本
実施形態では、第１の実施形態のように第２のＰ型不純
物領域４は形成されておらず、第２のシールド部６Ａは
半導体基板の側面までは延びていない。なお図６では、
アノード電極およびカソード電極の図示を省略してい
る。(Second Embodiment) FIG. 6 is a plan view showing a configuration of an optical receiver according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, in the optical receiver according to the present embodiment, the impurity density is
A P-type impurity region 3A doped with P (phosphorus) so as to have a density of 10 −18 cm −3 partially covers the surface of the light receiving unit 2 in a lattice shape and surrounds the light receiving unit 2. It is formed to a depth of 2 μm. This P-type impurity region 3A operates as a shield for removing electromagnetic noise by being grounded.
In the P-type impurity region 3A, a first shield portion 5A is formed by a portion formed in the surface region of the light receiving portion 2, and a second shield portion is formed by a portion formed in a portion other than the surface region of the light receiving portion 2. 6A is configured. However, in the present embodiment, the second P-type impurity region 4 is not formed as in the first embodiment, and the second shield portion 6A does not extend to the side surface of the semiconductor substrate. In FIG. 6,
The illustration of the anode electrode and the cathode electrode is omitted.
【００４９】図７は図６に示す本実施形態に係る光受信
装置を光リモコン受信装置として用いた場合の、電磁ノ
イズがある日常室内環境下における動作実験の結果を示
すグラフであり、光リモコン受信装置の受信可能距離と
第１のシールド部５Ａが受光部２表面において占める面
積との関係を示す図である。図７において、縦軸は受信
可能距離（ｍ）、横軸はシールド面積比すなわち第１の
シールド部５Ａが受光部２表面において占める面積の受
光部２表面積全体に対する割合である。FIG. 7 is a graph showing the results of an operation experiment in a daily indoor environment having electromagnetic noise when the optical receiver according to the present embodiment shown in FIG. 6 is used as an optical remote controller. FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a receivable distance of the receiving device and an area occupied by a first shield unit 5A on a surface of a light receiving unit 2; In FIG. 7, the vertical axis represents the receivable distance (m), and the horizontal axis represents the shield area ratio, that is, the ratio of the area occupied by the first shield portion 5A on the surface of the light receiving portion 2 to the entire surface area of the light receiving portion 2.
【００５０】図７に示すように、シールド面積比を０．
２５〜０．９５にすれば、光リモコン受信装置の受信可
能距離として１０ｍ以上を保証することができる。また
シールド面積比を０．３５〜０．７０にすれば、自発ノ
イズおよび電磁ノイズの影響がより少なくなって、光リ
モコン受信装置の受信可能距離を１１ｍ以上にすること
ができる。さらにシールド面積比を０．５にすると、光
受信装置の光検出感度が最も高くなり、光リモコン受信
装置の受信可能距離は最長の約１２ｍになる。これは透
過電磁ノイズ量および自発ノイズ量の和が最小になるた
めである。実際には、シールド面積比を０．４〜０．６
の範囲に設定すると、最も好ましい光検出感度が得られ
る。As shown in FIG. 7, the shield area ratio is set to 0.
With 25 to 0.95, 10 m or more can be guaranteed as the receivable distance of the optical remote control receiver. If the shield area ratio is set to 0.35 to 0.70, the influence of spontaneous noise and electromagnetic noise is reduced, and the receivable distance of the optical remote control receiver can be set to 11 m or more. Further, when the shield area ratio is set to 0.5, the light detection sensitivity of the optical receiver becomes the highest, and the receivable distance of the optical remote control receiver becomes the longest about 12 m. This is because the sum of the amount of transmitted electromagnetic noise and the amount of spontaneous noise is minimized. Actually, the shield area ratio is set to 0.4 to 0.6.
The most preferable photodetection sensitivity can be obtained by setting in the range.
【００５１】（第３の実施形態） 図８は本発明の第３の実施形態に係る光受信装置の構成
を示す平面図であり、図９は図８の光受信装置の構成を
示すＹ−Ｙ’断面図である。(Third Embodiment) FIG. 8 is a plan view showing the configuration of an optical receiver according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a Y-axis diagram showing the configuration of the optical receiver of FIG. It is Y 'sectional drawing.
【００５２】図８および図９に示すように、本実施形態
に係る光受信装置では、Ｎ型不純物領域からなる受光部
２がその表面領域に形成されたＰ型半導体基板１上に、
不純物密度が10-18 cm-3となるようにＰ（リン）がド−
プされたＰ型不純物領域３Ｂが、受光部２の表面を格子
状に部分的に覆う部分と受光部２の表面領域を囲むよう
に形成された部分とに分かれて、深さ２μｍに形成され
ている。このＰ型不純物領域３Ｂもまた、接地すること
によって電磁ノイズを除去するシールドとして動作す
る。Ｐ型不純物領域３Ｂのうち、受光部２の表面領域に
形成された部分によって第１のシールド部５Ｂが構成さ
れており、受光部２の表面領域以外に形成された部分に
よって第２のシールド部６Ｂが構成されている。As shown in FIGS. 8 and 9, in the optical receiver according to the present embodiment, the light receiving section 2 composed of the N-type impurity region is formed on the P-type semiconductor substrate 1 having the surface region formed thereon.
P (phosphorus) is doped so that the impurity density becomes 10 −18 cm −3.
The doped P-type impurity region 3B is divided into a portion that partially covers the surface of the light receiving portion 2 in a lattice shape and a portion formed so as to surround the surface region of the light receiving portion 2 and is formed at a depth of 2 μm. ing. This P-type impurity region 3B also operates as a shield for removing electromagnetic noise by being grounded. In the P-type impurity region 3B, a portion formed in the surface region of the light receiving portion 2 forms a first shield portion 5B, and a portion formed in a portion other than the surface region of the light receiving portion 2 forms a second shield portion. 6B is configured.
【００５３】第１の実施形態では、第１および第２のシ
ールド部５，６は第１の不純物領域３によって一体に形
成されていたが、本実施形態では第１のシールド部５Ｂ
および第２のシールド部６Ｂを、半導体基板１上に設け
た金属配線としてのアルミ配線膜７によって電気的に接
続している。これにより、第１のシールド部５Ｂは第２
のシールド部６Ｂ上に設けられたアノード電極１３を介
して接地されるので、受光部２表面がシールド電極によ
って遮光されることがなく、受光部２表面を受光面とし
て有効に利用することができる。In the first embodiment, the first and second shield portions 5 and 6 are formed integrally by the first impurity region 3, but in the present embodiment, the first shield portion 5B
The second shield part 6B is electrically connected to the second shield part 6B by an aluminum wiring film 7 as a metal wiring provided on the semiconductor substrate 1. As a result, the first shield part 5B is
Is grounded via the anode electrode 13 provided on the shield portion 6B, so that the surface of the light receiving portion 2 is not shielded from light by the shield electrode, and the surface of the light receiving portion 2 can be effectively used as a light receiving surface. .
【００５４】また本実施形態では、アルミ配線膜７は、
半導体基板１上における受光部２の境界領域をほぼ全周
にわたって覆うように設けているので、アルミ配線膜７
は外部からの電磁ノイズを除去する機能をも有する。In this embodiment, the aluminum wiring film 7 is
Since the boundary region of the light receiving section 2 on the semiconductor substrate 1 is provided so as to cover almost the entire circumference, the aluminum wiring film 7 is provided.
Also has a function of removing external electromagnetic noise.
【００５５】なお第１〜第３の実施形態では、半導体基
板１表面領域における受光部２の周囲にも、電磁ノイズ
を除去する第２のシールド部６，６Ａ，６Ｂを設けてい
たが、受光部２の表面領域にのみシールド部を設けた構
成としても、もちろんかまわない。図１０は受光部２の
表面領域にのみシールド部５Ｃが形成された光受信装置
の一例を示す平面図である。In the first to third embodiments, the second shield portions 6, 6A and 6B for removing electromagnetic noise are also provided around the light receiving portion 2 in the surface region of the semiconductor substrate 1. Of course, a configuration in which the shield part is provided only in the surface region of the part 2 may be used. FIG. 10 is a plan view showing an example of the optical receiver in which the shield 5C is formed only in the surface area of the light receiving section 2.
【００５６】また第１〜第３の実施形態では、受光部２
表面において第１のシールド部５，５Ａ，５Ｂを格子状
に形成したが、受光部表面におけるシールド部の形状は
格子状に限られるものではなく、例えば図１１に示すよ
うな矩形状（シールド部５Ｄ）であっても、図１２に示
すような円形状（シールド部５Ｅ）であってもかまわな
い。この場合、シールド部の厚さはその面積に比して通
常は極めて小さいので、受光部２表面におけるシールド
部の面積が同じであれば、その形状にかかわらずほぼ同
等の光検出感度が得られる。ただし、シールド部がその
面積に比して無視できない程度の厚さを有するときは、
その形状を図１２に示すような円形状にすることによっ
て、表面積が同一であれば周囲長は他の形状よりも短く
なり、受光部との接触面積が小さくなるので、自発ノイ
ズ量がより少なくなり、光受信装置の光検出感度は高く
なる。In the first to third embodiments, the light receiving section 2
Although the first shield portions 5, 5A, and 5B are formed in a lattice shape on the surface, the shape of the shield portion on the light receiving portion surface is not limited to the lattice shape. For example, a rectangular shape (shield portion) as shown in FIG. 5D) or a circular shape (shield portion 5E) as shown in FIG. In this case, since the thickness of the shield portion is usually extremely small compared to its area, if the area of the shield portion on the surface of the light receiving portion 2 is the same, almost the same light detection sensitivity can be obtained regardless of its shape. . However, when the shield part has a thickness that cannot be ignored in comparison with its area,
By making the shape circular as shown in FIG. 12, if the surface area is the same, the perimeter becomes shorter than other shapes, and the contact area with the light receiving section becomes smaller, so that the amount of spontaneous noise is smaller. That is, the optical detection sensitivity of the optical receiver is increased.
【００５７】なお、受光部およびシ−ルド部を、拡散法
で形成する代わりに注入法やエピタキシャル法で形成し
てもかまわない。またシ−ルド部を透過性導電膜で形成
してもかまわない。The light receiving portion and the shield portion may be formed by an injection method or an epitaxial method instead of the diffusion method. Further, the shield portion may be formed of a transparent conductive film.
【００５８】なお、各実施形態では、フォトダイオ−ド
を例にとって用いて説明したが、ＰＩＮ型，アバランシ
ェ型などの他の半導体光電素子についても、本発明は同
様に適用することができる。Although the embodiments have been described using a photodiode as an example, the present invention can be similarly applied to other semiconductor photoelectric devices such as a PIN type and an avalanche type.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上のように本発明によると、電磁ノイ
ズを除去するシールド部は、受光部との接触によって生
じる自発ノイズが過度に生じないよう、受光部表面を部
分的に覆うように形成されているため、従来よりも光検
出感度を向上させることができ、光リモコン受信装置の
受信可能距離を従来よりも長く伸ばすことができる。こ
れにより、送信機の出力を下げて電池を長持ちさせた
り、広い範囲からの送信を可能にして送信機の使い勝手
を向上させることができるという効果が得られる。As described above, according to the present invention, the shield part for removing electromagnetic noise is formed so as to partially cover the surface of the light receiving part so that spontaneous noise caused by contact with the light receiving part is not excessively generated. Therefore, the light detection sensitivity can be improved more than before, and the receivable distance of the optical remote control receiver can be extended longer than before. As a result, it is possible to obtain an effect that the output of the transmitter is reduced to extend the life of the battery, and transmission from a wide range can be performed to improve the usability of the transmitter.
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光受信装置の構
成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an optical receiving device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す本発明の第１の実施形態に係る光受
信装置の構成を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the optical receiver according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG.
【図３】本発明の第１の実施形態に係る光受信装置にお
ける透過電磁ノイズ量とシールド面積比との関係を示す
グラフである。FIG. 3 is a graph showing a relationship between a transmitted electromagnetic noise amount and a shield area ratio in the optical receiver according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施形態に係る光受信装置にお
ける自発ノイズ量とシールド面積比との関係を示すグラ
フである。FIG. 4 is a graph showing a relationship between a spontaneous noise amount and a shield area ratio in the optical receiving device according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１の実施形態に係る光受信装置を光
リモコン受信装置として用いた場合における受信可能距
離とシールド面積比との関係を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing a relationship between a receivable distance and a shield area ratio when the optical receiver according to the first embodiment of the present invention is used as an optical remote control receiver.
【図６】本発明の第２の実施形態に係る光受信装置の構
成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a configuration of an optical receiver according to a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第２の実施形態に係る光受信装置を光
リモコン受信装置として用いた場合における受信可能距
離とシールド面積比との関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing a relationship between a receivable distance and a shield area ratio when an optical receiver according to a second embodiment of the present invention is used as an optical remote control receiver.
【図８】本発明の第３の実施形態に係る光受信装置の構
成を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view illustrating a configuration of an optical receiving device according to a third embodiment of the present invention.
【図９】図８に示す本発明の第３の実施形態に係る光受
信装置の構成を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical receiver according to a third embodiment of the present invention illustrated in FIG.
【図１０】受光部表面にのみシールド部が形成された光
受信装置の一例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view illustrating an example of an optical receiving device in which a shield portion is formed only on the surface of a light receiving portion.
【図１１】受光部表面に、シールド部が矩形状に形成さ
れた光受信装置を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing an optical receiver in which a shield part is formed in a rectangular shape on the surface of a light receiving part.
【図１２】受光部表面に、シールド部が円形状に形成さ
れた光受信装置を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing an optical receiving device in which a shield part is formed in a circular shape on the surface of a light receiving part.
１ 半導体基板 ２ 受光部 ３ 第１のＰ型不純物領域 ３Ｂ Ｐ型不純物領域 ４ 第２のＰ型不純物領域（側方シールド部） ５，５Ａ，５Ｂ 第１のシールド部（シールド部） ５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ シールド部 ６，６Ａ，６Ｂ 第２のシールド部 ７ アルミ配線膜（金属配線） １１ 保護膜 １３ アノード電極 １４ コンタクト層 ２１ ダイパッド（リード） ２２ 導電接着剤 Reference Signs List 1 semiconductor substrate 2 light receiving section 3 first P-type impurity region 3B P-type impurity region 4 second P-type impurity region (side shield portion) 5, 5A, 5B first shield portion (shield portion) 5C, 5D , 5E shield part 6, 6A, 6B second shield part 7 aluminum wiring film (metal wiring) 11 protective film 13 anode electrode 14 contact layer 21 die pad (lead) 22 conductive adhesive
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−30143（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−275680（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−159180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−37061（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−40553（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-7-30143 (JP, A) JP-A-2-275680 (JP, A) JP-A-3-159180 (JP, A) JP-A 64-64 37061 (JP, A) Hira 4-40553 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 31/10
Claims (9)
基板の表面領域に形成された他の導電型の不純物領域か
らなる受光部とを有する光受信装置であって、 前記受光部の表面領域に、前記一の導電型の不純物領域
からなり、電磁ノイズを除去する第１のシールド部が、
前記受光部との接触に起因して生じる自発ノイズが過度
に生じないよう、前記受光部表面を部分的に覆うよう
に、形成されており、前記半導体基板の表面領域における前記受光部の周囲
に、前記一の導電型の不純物領域からなる第２のシール
ド部が、前記半導体基板表面において前記受光部をほぼ
全周にわたって囲み、かつ、前記第１のシールド部と併
せて、前記半導体基板上における前記受光部の境界領域
をほぼ全周にわたって覆うように、形成されている こと
を特徴とする光受信装置。1. A light receiving device comprising: a semiconductor substrate of one conductivity type; and a light receiving portion formed of an impurity region of another conductivity type formed in a surface region of the semiconductor substrate. A first shield portion made of the impurity region of the one conductivity type and removing electromagnetic noise ,
Excessive spontaneous noise caused by contact with the light receiving unit
So as to partially cover the surface of the light receiving section so as not to occur in
A are formed, the periphery of the light receiving portion in the surface region of said semiconductor substrate
A second seal made of the one conductivity type impurity region;
The light receiving portion substantially covers the light receiving portion on the surface of the semiconductor substrate.
Surrounds the entire circumference and is combined with the first shield part.
A boundary region of the light receiving section on the semiconductor substrate.
The optical receiving device is formed so as to cover substantially the entire circumference .
基板の表面領域に形成された他の導電型の不純物領域か
らなる受光部とを有する光受信装置であって、 前記受光部の表面領域に、前記一の導電型の不純物領域
からなり、電磁ノイズを除去する第１のシールド部が、
前記受光部との接触に起因して生じる自発ノイズが過度
に生じないよう、前記受光部表面を部分的に覆うよう
に、形成されており、 前記半導体基板の表面領域における前記受光部の周囲
に、前記一の導電型の不純物領域からなる第２のシール
ド部が形成されており 、 前記第２のシールド部は、前記半導体基板において、前
記受光部よりも深く形成された側方シールド部を有して
いることを特徴とする光受信装置。2. A semiconductor substrate of one conductivity type, and said semiconductor substrate.
Is the impurity region of another conductivity type formed in the surface region of the substrate?
A light receiving unit comprising: a first conductive type impurity region in a surface region of the light receiving unit;
A first shield part for removing electromagnetic noise,
Excessive spontaneous noise caused by contact with the light receiving unit
So as to partially cover the surface of the light receiving section so as not to occur in
A are formed, the periphery of the light receiving portion in the surface region of said semiconductor substrate
A second seal made of the one conductivity type impurity region;
De portion is formed, the second shield portion, the semiconductor substrate, an optical receiving apparatus, characterized by having a deeply-formed side shield portions than the light receiving portion.
に形成されていることを特徴とする光受信装置。3. The optical receiving device according to claim 2 , wherein said side shield portion is formed in a surface region on a side surface of said semiconductor substrate.
基板の表面領域に形成された他の導電型の不純物領域か
らなる受光部とを有する光受信装置であって、 前記受光部の表面領域に、前記一の導電型の不純物領域
からなり、電磁ノイズを除去するシールド部が、前記受
光部との接触に起因して生じる自発ノイズが過度に生じ
ないよう、前記受光部表面を部分的に覆うように、形成
されており、 前記半導体基板裏面の表面領域に、前記一の導電型の不
純物領域からなるコンタクト層が形成され、 前記半導体基板の裏面は、ほぼ全面にわたって、導電接
着剤によってリードに接着されており、 前記シールド部と前記リードとは、電気的に接続されて
いる ことを特徴とする光受信装置。4. A semiconductor substrate of one conductivity type and the semiconductor substrate.
Is the impurity region of another conductivity type formed in the surface region of the substrate?
A light receiving unit comprising: a first conductive type impurity region in a surface region of the light receiving unit;
And a shield part for removing electromagnetic noise
Excessive spontaneous noise caused by contact with optical parts
So that it does not partially cover the light receiving unit surface.
Are, on the rear surface of the semiconductor substrate surface region, said contact layer made of an impurity region of one conductivity type is formed, the back surface of the semiconductor substrate, over substantially the entire surface, is bonded to the lead by a conductive adhesive The shield portion and the lead are electrically connected to each other.
Optical receiver, characterized in that there.
部の少なくとも一部が覆われていることを特徴とする光
受信装置。5. The optical receiver according to claim 4 , wherein the semiconductor substrate has at least a part of a lower portion of a side surface thereof covered with the conductive adhesive.
わたって形成されており、 前記半導体基板側面における前記コンタクト層の表面
は、前記導電接着剤によって覆われていることを特徴と
する光受信装置。6. The optical receiver according to claim 5 , wherein the contact layer is formed over substantially the entire back surface of the semiconductor substrate, and a surface of the contact layer on a side surface of the semiconductor substrate is formed by the conductive adhesive. An optical receiving device, which is covered.
シールド部とすると、 前記半導体基板の表面領域における前記受光部の周囲
に、前記一の導電型の不純物領域からなり、かつ、前記
第１のシールド部と電気的に接続された第２のシールド
部が形成されており、 前記第２のシールド部上に、前記リードと接続されたア
ノード電極が設けられていることを特徴とする光受信装
置。7. The optical receiving device according to claim 4 , wherein a shield formed in a surface region of the light receiving portion is a first shield portion, wherein a first shield portion is provided around the light receiving portion in a surface region of the semiconductor substrate. A second shield portion formed of the one conductivity type impurity region and electrically connected to the first shield portion is formed; and the second shield portion is connected to the lead on the second shield portion. An optical receiving device, comprising: an anode electrode formed as described above.
基板の表面領域に形成された他の導電型の不純物領域か
らなる受光部とを有する光受信装置であって、 前記受光部の表面領域に、前記一の導電型の不純物領域
からなる第１のシールド部が形成され、かつ、前記半導
体基板の表面領域における前記受光部の周囲に、前記一
の導電型の不純物領域からなる第２のシールド部が形成
されており、 前記第２のシールド部は、前記半導体基板において、前
記受光部よりも深く形成された側方シールド部を有して
いることを特徴とする光受信装置。8. A light receiving device comprising: a semiconductor substrate of one conductivity type; and a light receiving portion formed of an impurity region of another conductivity type formed in a surface region of the semiconductor substrate, wherein: A first shield portion made of the one conductivity type impurity region is formed in the region, and a second shield made of the one conductivity type impurity region is formed around the light receiving portion in a surface region of the semiconductor substrate. Wherein the second shield part has a side shield part formed deeper than the light receiving part in the semiconductor substrate.
基板の表面領域に形成された他の導電型の不純物領域か
らなる受光部とを有する光受信装置であって、 前記受光部の表面領域に、前記一の導電型の不純物領域
からなるシールド部が形成され、 前記半導体基板裏面の表面領域に、前記一の導電型の不
純物領域からなるコンタクト層が形成され、かつ、前記
半導体基板の裏面は、ほぼ全面にわたって、導電接着剤
によってリードに接着されており、 前記半導体基板は、前記導電接着剤によってその側面下
部が覆われており、 前記シールド部と前記リードとは、電気的に接続されて
いる ことを特徴とする光受信装置。9. An optical receiving device comprising: a semiconductor substrate of one conductivity type; and a light receiving portion formed of an impurity region of another conductivity type formed in a surface region of the semiconductor substrate, wherein the light receiving portion has a surface. A shield portion made of the one conductivity type impurity region is formed in the region; a contact layer made of the one conductivity type impurity region is formed in a surface region of the back surface of the semiconductor substrate; The back surface is adhered to the lead over a substantially entire surface by a conductive adhesive. The semiconductor substrate has a lower side surface covered with the conductive adhesive, and the shield part and the lead are electrically connected. Been
Optical receiver, characterized in that there.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035677A JP2938842B2 (en) | 1997-02-25 | 1998-02-18 | Optical receiver |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-40848 | 1997-02-25 | ||
| JP4084897 | 1997-02-25 | ||
| JP10035677A JP2938842B2 (en) | 1997-02-25 | 1998-02-18 | Optical receiver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303450A JPH10303450A (en) | 1998-11-13 |
| JP2938842B2 true JP2938842B2 (en) | 1999-08-25 |
Family
ID=26374672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10035677A Expired - Lifetime JP2938842B2 (en) | 1997-02-25 | 1998-02-18 | Optical receiver |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938842B2 (en) |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP10035677A patent/JP2938842B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10303450A (en) | 1998-11-13 |
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