JPH07335932A - Optical device - Google Patents

Optical device

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Publication number
JPH07335932A
JPH07335932A JP6152884A JP15288494A JPH07335932A JP H07335932 A JPH07335932 A JP H07335932A JP 6152884 A JP6152884 A JP 6152884A JP 15288494 A JP15288494 A JP 15288494A JP H07335932 A JPH07335932 A JP H07335932A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
shielding film
optical device
circuit
wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP6152884A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Takamatsu
宏行 高松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH07335932A publication Critical patent/JPH07335932A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide an optical device which facilitates the suppression of the penetration of an unnecessary light and the suppression of a photocurrent. CONSTITUTION:An electric signal processing part 3 is adjacent to a photoelectric conversion part 2 having a photodetector and a light emitting device to compose an optical device 1. A side light shielding films 15 which shields a light toward a circuit region from the side are provided on the side circumference of wiring region of the electric signal processing part 3. Further, an upper light shielding film 14 and the side light shielding films 15 may be made of conductive material and may be also used as wirings in the wiring region, the side light shielding film 15 and the upper light shielding film 14 may be formed in one-piece or the side light shielding film 15 may be made of conductive material and connected to the power supply potential or the ground potential of the circuit in the circuit region.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光電変換部と電気信号
処理部とが隣接して配置された光学装置に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical device in which a photoelectric conversion section and an electric signal processing section are arranged adjacent to each other.

【0002】[0002]

【従来の技術】赤外線リモートコントローラの受光装置
では、赤外線信号を受けて所定の電気信号に変換するた
めの受光素子と、受光素子にて変換された電気信号を処
理するための電気信号処理部とを備えており、これらが
例えば同一基板上に形成されて一つの受光モジュールと
なっている。
2. Description of the Related Art In a light receiving device of an infrared remote controller, a light receiving element for receiving an infrared signal and converting it into a predetermined electric signal, and an electric signal processing section for processing the electric signal converted by the light receiving element. And these are formed on the same substrate, for example, to form one light receiving module.

【0003】また、コマンダーである発光装置では、命
令に応じた電気信号を生成する電気信号処理部と、この
生成された電気信号に基づき所定の赤外線信号を出力す
る発光素子とを備えており、これらが隣接配置されて一
つのパッケージとなっている。
Further, the light emitting device as a commander is provided with an electric signal processing section for generating an electric signal according to a command, and a light emitting element for outputting a predetermined infrared signal based on the generated electric signal, These are arranged adjacent to each other into one package.

【0004】近年では、受光装置および発光装置から成
る光学装置の小型化を図る観点から、受光素子部や発光
素子部から成る光電変換部と、電気信号処理部とを同一
基板上に形成して樹脂封止するものが考えられている。
図5は、従来の光学装置の例を説明する図で、(a)は
平面図、(b)は(a)のD部拡大断面図である。
In recent years, from the viewpoint of miniaturizing an optical device including a light receiving device and a light emitting device, a photoelectric conversion unit including a light receiving element section and a light emitting element section and an electric signal processing section are formed on the same substrate. Resin sealing is considered.
5A and 5B are diagrams illustrating an example of a conventional optical device, FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of a D portion of FIG.

【0005】すなわち、この光学装置1は光電変換部2
と電気信号処理部3とが同一の基板10上に隣接して形
成されたものであり、図示しない透光性樹脂にて一体封
止されている。電気信号処理部3は、所定の回路領域を
構成するため基板10上に形成されたエピタキシャル層
11と、エピタキシャル層11上に設けられた一層目配
線12aおよび二層目配線12bから成る配線層12と
を備えている。
That is, the optical device 1 includes a photoelectric conversion unit 2
And the electric signal processing section 3 are formed adjacent to each other on the same substrate 10, and are integrally sealed with a transparent resin (not shown). The electrical signal processing unit 3 includes a wiring layer 12 including an epitaxial layer 11 formed on the substrate 10 to form a predetermined circuit region, and a first layer wiring 12a and a second layer wiring 12b provided on the epitaxial layer 11. It has and.

【0006】この電気信号処理部3は光電変換部2と隣
接して配置されているため、光電変換部2の封止材料と
同一の透光性樹脂(図示せず)にて封止されている。こ
のため、回路領域に不要な光が入射して誤動作を起こす
恐れがあり、これを防止するために回路領域上に上部遮
光膜14が設けられている。上部遮光膜14は、例えば
二層目配線12bと兼用となっており、回路領域上方の
ほぼ全体を覆う状態で設けられている。
Since the electric signal processing section 3 is arranged adjacent to the photoelectric conversion section 2, it is sealed with the same translucent resin (not shown) as the sealing material of the photoelectric conversion section 2. There is. Therefore, there is a possibility that unnecessary light may enter the circuit region to cause a malfunction, and the upper light-shielding film 14 is provided on the circuit region to prevent this. The upper light-shielding film 14 also serves as the second-layer wiring 12b, for example, and is provided in a state of covering almost the entire area above the circuit region.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光学装置には次のような問題がある。すなわち、図
5(b)に示すように、回路領域であるエピタキシャル
層11の上方には二層目配線12bと兼用の上部遮光膜
14が設けられているため、上方からの光は上部遮光膜
14にて遮断される。ところが、側方からの光は酸化シ
リコン膜や窒化シリコン膜等の透光性の高い絶縁層13
を通過して内部の回路領域まで達してしまう(図5
(b)中の矢印参照)。
However, such an optical device has the following problems. That is, as shown in FIG. 5B, since the upper light-shielding film 14 that also serves as the second-layer wiring 12b is provided above the epitaxial layer 11 that is the circuit region, light from above does not interfere with the upper light-shielding film. Shut off at 14. However, the light from the side is made of a highly transparent insulating layer 13 such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
And reaches the internal circuit area (Fig. 5
(See arrow in (b)).

【0008】つまり、受光装置の場合には不要な外光が
側方から侵入し、また発光装置では自ら発光した光が回
り込んで側方から侵入し、回路領域内に侵入光に基づく
光電流が流れるようになってしまう。この光電流が電気
信号の処理における誤動作を起こす原因となっている。
従来では、この光電流に対抗するため回路領域内を流れ
る電流値を高めに設定するようにして光電流による影響
を抑えようとしているが、これによって消費電流が増加
するとともに、必要となる容量も大きくなって光学装置
全体の面積増加を招くことになる。
That is, in the case of the light receiving device, unnecessary external light enters from the side, and in the light emitting device, the light emitted by itself enters and enters from the side, and the photocurrent based on the entering light enters the circuit area. Will begin to flow. This photocurrent causes a malfunction in processing an electric signal.
Conventionally, in order to counteract this photocurrent, the current value flowing in the circuit region is set to a high value to suppress the influence of the photocurrent, but this increases the current consumption and the required capacitance. This increases the size of the optical device, resulting in an increase in the area of the entire optical device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された光学装置である。すなわ
ち、本発明の光学装置は、基板に設けられた回路領域、
回路領域上に設けられる配線領域および回路領域へ向か
う光を遮断する上部遮光膜から構成される電気信号処理
部と、電気信号処理部に隣接して配置される光電変換部
とを備えており、配線領域の側周囲に配線領域の側方か
ら回路領域へ向かう光を遮断するための側部遮光膜を設
けたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an optical device made to solve such problems. That is, the optical device of the present invention has a circuit area provided on the substrate,
An electrical signal processing unit configured of an upper light-shielding film that blocks light traveling toward the wiring region and the circuit region provided on the circuit region, and a photoelectric conversion unit disposed adjacent to the electrical signal processing unit are provided, A side light-shielding film for blocking light traveling from the side of the wiring region to the circuit region is provided around the side of the wiring region.

【0010】また、本発明の光学装置は、上部遮光膜お
よび側部遮光膜を導電性材料から構成するとともに、配
線領域に設けられる配線と兼用としたものでもある。ま
た、側部遮光膜を上部遮光膜と一体で設けたり、側部遮
光膜を導電性材料から構成して回路領域の回路に対する
電源電位またはグランド電位にした光学装置でもある。
Further, in the optical device of the present invention, the upper light-shielding film and the side light-shielding film are made of a conductive material and are also used as the wiring provided in the wiring region. Further, it is also an optical device in which the side light-shielding film is provided integrally with the upper light-shielding film, or the side-light shielding film is made of a conductive material so as to have a power supply potential or a ground potential with respect to the circuit in the circuit region.

【0011】さらに、光電変換部が、受けた光を所定の
電気信号に変換する受光素子を備えていたり、所定の電
気信号に基づき光を出射する発光素子を備えている光学
装置でもある。
Further, it is also an optical device in which the photoelectric conversion section is provided with a light receiving element for converting the received light into a predetermined electric signal or a light emitting element for emitting the light based on the predetermined electric signal.

【0012】[0012]

【作用】本発明では、上部遮光膜にて回路領域の上方か
ら内部へ入り込もうとする光を遮断できるとともに、配
線領域の側周囲に設けた側部遮光膜により側方から内部
に入り込もうとする光をも遮断できるようになる。この
ため、回路領域に不要な光が侵入しないため光電流が流
れなくなり、回路の誤動作が無くなる。しかも、これに
ともない回路の電流値を下げることができるようにな
る。
According to the present invention, the upper light-shielding film can block light from entering into the inside from above the circuit region, and the side-light-shielding film provided around the side of the wiring region can prevent light from entering into the inside from the side. You will be able to shut off even. Therefore, photocurrent does not flow because unnecessary light does not enter the circuit area, and malfunction of the circuit is eliminated. Moreover, the current value of the circuit can be reduced accordingly.

【0013】また、上部遮光膜および側部遮光膜を導電
性材料から構成し、配線領域の配線と兼用することで各
遮光膜を配線と同一工程にて製造できるようになる。さ
らに、側部遮光膜を上部遮光膜と一体にすることで両遮
光膜を同一工程で製造できるようになる。
Further, since the upper light-shielding film and the side light-shielding film are made of a conductive material and also serve as the wiring in the wiring region, each light-shielding film can be manufactured in the same step as the wiring. Furthermore, by integrating the side light shielding film with the upper light shielding film, both light shielding films can be manufactured in the same process.

【0014】また、導電性材料から成る側部遮光膜を回
路領域の回路に対する電源電位またはグランド電位にす
ることで、回路領域に対する遮光とともに電磁的なシー
ルドも行うことができるようになる。
Further, by setting the side light shielding film made of a conductive material to the power supply potential or the ground potential for the circuit in the circuit region, it becomes possible to shield the circuit region as well as electromagnetically shield it.

【0015】[0015]

【実施例】以下に、本発明の光学装置の実施例を図に基
づいて説明する。図1は本発明の光学装置を説明する図
で、(a)は平面図、(b)は(a)のA部拡大断面図
である。また、図2は本発明の適応例を説明する模式断
面図で、(a)は受光装置、(b)は発光装置の場合を
示している。図1(a)に示すように、この光学装置1
は、主として光電変換部2と電気信号処理部3とが同一
の基板10(図1(b)参照)上に隣接して配置され、
図示しない透光性の樹脂にて一体封止されるものであ
る。
Embodiments of the optical device of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B are views for explaining an optical device of the present invention, FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is an enlarged sectional view of a portion A of FIG. Further, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining an application example of the present invention, in which (a) shows a light receiving device and (b) shows a light emitting device. As shown in FIG. 1A, this optical device 1
Mainly, the photoelectric conversion unit 2 and the electric signal processing unit 3 are arranged adjacent to each other on the same substrate 10 (see FIG. 1B),
It is integrally sealed with a transparent resin (not shown).

【0016】なお、光学装置1は、光電変換部2および
電気信号処理部3をシリコン等の同一材料基板上に設け
たモノリシック状となっていても、また各々チップ状に
形成した光電変換部2および電気信号処理部3を実装用
の同一基板上に配置したマルチチップ状となっていても
どちらでもよい。
The optical device 1 may have a monolithic structure in which the photoelectric conversion section 2 and the electric signal processing section 3 are provided on the same material substrate such as silicon, but the photoelectric conversion section 2 is formed in a chip shape. Also, the electric signal processing unit 3 may be arranged on the same substrate for mounting in a multi-chip form.

【0017】例えば、光学装置1を図2(a)に示すよ
うな受光装置に適応した場合には、受光素子から成る光
電変換部2としてp形のシリコン基板にn形エピタキシ
ャル層を形成したpn接合によるフォトダイオードを構
成し、同一材料基板上に電気信号処理部3(図1(a)
参照)を形成する。これを透光性樹脂から成るパッケー
ジ5にて封止し、一体型のレンズ51を介して光を集光
するようにする。
For example, when the optical device 1 is applied to a light receiving device as shown in FIG. 2A, a pn in which an n-type epitaxial layer is formed on a p-type silicon substrate as a photoelectric conversion part 2 including a light receiving element is used. A photodiode is formed by bonding, and the electric signal processing unit 3 (FIG. 1A) is formed on the same material substrate.
). This is sealed with a package 5 made of a translucent resin, and light is condensed through an integrated lens 51.

【0018】また、光学装置1を図2(b)に示すよう
な発光装置に適応した場合には、発光素子から成る光電
変換部2として例えばpn接合による発光ダイオードを
構成して実装用の基板10a上に実装し、この発光ダイ
オードに信号を与えるための電気信号処理部3を同じ基
板10a上に実装する。そして、これらを透光性樹脂か
ら成るパッケージ5にて一体封止して発光装置を構成す
る。
When the optical device 1 is applied to a light emitting device as shown in FIG. 2B, a light emitting diode having a pn junction, for example, is used as the photoelectric conversion portion 2 including a light emitting element to mount a substrate. The electric signal processing unit 3 for mounting the light emitting diode on the same substrate 10a is mounted on the same substrate 10a. Then, these are integrally sealed with a package 5 made of a translucent resin to form a light emitting device.

【0019】いずれの態様の光学装置1であっても、図
1(b)に示すように、その電気信号処理部3は基板1
0上に形成したエピタキシャル層11によって所定の回
路領域が構成され、その上方にアルミニウム等で形成し
た一層目配線12aおよび二層目配線12bから成る配
線層12が絶縁層13を介して設けられている。
As shown in FIG. 1 (b), the electrical signal processing section 3 of the optical device 1 of any of the embodiments has the substrate 1
A predetermined circuit region is formed by the epitaxial layer 11 formed on the upper surface of the substrate 0, and a wiring layer 12 including a first wiring layer 12a and a second wiring layer 12b formed of aluminum or the like is provided above the wiring layer 12 via an insulating layer 13. There is.

【0020】この光学装置1の配線層12のうち二層目
配線12bが上部遮光膜14と兼用となっており、さら
に配線層12の外周囲には同様なアルミニウム等で形成
した側部遮光膜15が設けられている。この側部遮光膜
15は例えば二層目配線12bである上部遮光膜14と
同一工程で形成され、絶縁層13の側端部分を囲う状態
となる。これによって、光学装置1の側方からの光を遮
断して内部の回路に光電流が流れるのを防止できるよう
になる。
The second layer wiring 12b of the wiring layer 12 of the optical device 1 also serves as the upper light-shielding film 14, and the side light-shielding film formed of aluminum or the like is provided around the outer periphery of the wiring layer 12. 15 are provided. The side light-shielding film 15 is formed in the same step as the upper light-shielding film 14 which is, for example, the second layer wiring 12b, and surrounds the side end portion of the insulating layer 13. This makes it possible to block light from the side of the optical device 1 and prevent photocurrent from flowing to the internal circuit.

【0021】また、上部遮光膜14を回路領域の回路に
対する電源電位とした場合には、上部遮光膜14との間
にわずかな隙間を開けて側部遮光膜15を形成し、側部
遮光膜15をグランド電位としてもよい。これにより、
上部遮光膜14のみが形成されている場合に比べて回路
領域に対する電磁シールド効果を高めることができる。
When the upper light-shielding film 14 is used as the power supply potential for the circuit in the circuit area, the side light-shielding film 15 is formed with a slight gap between the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 14. 15 may be the ground potential. This allows
Compared to the case where only the upper light-shielding film 14 is formed, the electromagnetic shield effect on the circuit area can be enhanced.

【0022】さらに、本発明の光学装置1では、上部遮
光膜14および側部遮光膜15によって上方および側方
からの外光を遮断でき、回路領域内の回路に流れる光電
流を抑制できるため、回路の電流値として光電流に対抗
できるような大きな電流を流す必要がなくなる。これに
よって、回路の電流値を低くすることができ消費電流の
低減を図ることが可能となる。
Furthermore, in the optical device 1 of the present invention, the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15 can block the external light from above and from the side and suppress the photocurrent flowing in the circuit in the circuit region. It becomes unnecessary to flow a large current as a current value of the circuit that can oppose the photocurrent. As a result, the current value of the circuit can be lowered and the current consumption can be reduced.

【0023】次に、本発明の他の例を図3および図4に
基づいて説明する。図3は他の例(その1)を説明する
図で、(a)は平面図、(b)は(a)のB部拡大断面
図である。すなわち、この光学装置1は、光電変換部2
と電気信号処理部3とが同一基板10上に隣接して形成
されている点で図1に示す光学装置1と同様であるが、
上部遮光膜14と側部遮光膜15とが一体である点で相
違する。
Next, another example of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating another example (No. 1), FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view of a B portion of FIG. That is, the optical device 1 includes the photoelectric conversion unit 2
And the electric signal processing unit 3 are formed adjacent to each other on the same substrate 10, which is similar to the optical device 1 shown in FIG.
The difference is that the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15 are integrated.

【0024】電気信号処理部3の配線層12は、例えば
一層目配線12aと二層目配線12bとから構成され、
この二層目配線12bが上部遮光膜14および側部遮光
膜15と兼用となっている。つまり、二層目配線12b
の形成とともに上部遮光膜14および側部遮光膜15を
一体的に形成する。これによって、二層目配線12b、
上部遮光膜14および側部遮光膜15を同一工程にて形
成できるようになる。
The wiring layer 12 of the electric signal processor 3 is composed of, for example, a first layer wiring 12a and a second layer wiring 12b,
The second-layer wiring 12b also serves as the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15. That is, the second layer wiring 12b
And the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15 are integrally formed. As a result, the second layer wiring 12b,
The upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15 can be formed in the same process.

【0025】この光学装置1では、上部遮光膜14にて
光学装置1の上方からの光を遮断し、側部遮光膜15に
て側方からの光を遮断することができる。これによっ
て、回路領域の回路内に流れる光電流を抑制できるよう
になり、電気信号処理部3の誤動作を防止できる。
In this optical device 1, the upper light-shielding film 14 can block light from above the optical device 1, and the side light-shielding film 15 can block light from the side. As a result, the photocurrent flowing in the circuit in the circuit region can be suppressed, and the malfunction of the electric signal processing unit 3 can be prevented.

【0026】また、アルミニウム等の導電性材料にて上
部遮光膜14および側部遮光膜15を一体に形成し、こ
れを回路に対する電源電位またはグランド電位とするこ
とにより回路領域に対する電磁シールド効果を持たせる
こともでき、さらに外乱に強い光学装置1となる。
Further, the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15 are integrally formed of a conductive material such as aluminum, and are set as a power supply potential or a ground potential for the circuit to have an electromagnetic shield effect on the circuit area. The optical device 1 can also be made to have a strong resistance against disturbance.

【0027】図4は本発明の他の例(その2)を説明す
る図で、(a)は平面図、(b)は(a)のC部拡大断
面図である。この光学装置1は、光電変換部2と電気信
号処理部3とが同一基板10上に隣接して形成されてい
る点および上部遮光膜14と側部遮光膜15とが一体と
なっている点で図3に示す光学装置1と同様であるが、
側部遮光膜15’が設けられている点で相違する。
FIGS. 4A and 4B are views for explaining another example (No. 2) of the present invention. FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is an enlarged sectional view of a C portion of FIG. In this optical device 1, the photoelectric conversion unit 2 and the electric signal processing unit 3 are formed adjacent to each other on the same substrate 10, and the upper light shielding film 14 and the side light shielding film 15 are integrated. Is similar to the optical device 1 shown in FIG.
The difference is that a side light-shielding film 15 'is provided.

【0028】すなわち、電気信号処理部3の配線層12
のうち二層目配線12bが上部遮光膜14および側部遮
光膜15と兼用となっており、同一工程にて形成される
ようになっている。また、側部遮光膜15’は一層目配
線12aと同一工程にて形成されるようになっており、
側部遮光膜15とエピタキシャル層11との間での遮光
を行う状態に配置されている。
That is, the wiring layer 12 of the electric signal processing section 3
Among them, the second-layer wiring 12b also serves as the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15, and is formed in the same step. The side light-shielding film 15 'is formed in the same step as the first layer wiring 12a,
The side light-shielding film 15 and the epitaxial layer 11 are arranged so as to shield light.

【0029】つまり、この2つの側部遮光膜15、1
5’によって光学装置1の側方からの光(特に、図中真
横からの光)が直接内部に入射するのを完全に妨ぐこと
ができるようになり、光電流の大幅な抑制を図ることが
可能となる。また、側部遮光膜15を回路に対する電源
電位とし、側部遮光膜15’をグランド電位とすること
で回路領域に対する電磁シールド効果を持たせることも
可能となる。
That is, the two side light-shielding films 15 and 1
By 5 ', it becomes possible to completely prevent the light from the side of the optical device 1 (especially the light from the right side in the figure) from directly entering the inside, and to significantly suppress the photocurrent. Is possible. Further, the side light-shielding film 15 is set to the power supply potential for the circuit, and the side light-shielding film 15 ′ is set to the ground potential, so that it is possible to provide the electromagnetic shielding effect to the circuit region.

【0030】なお、本実施例で説明したいずれの例にお
いても、上部遮光膜14および側部遮光膜15を二層目
配線12bと兼用にしないで独立に設けてもよい。ま
た、上部遮光膜14および側部遮光膜15、15’とし
てアルミニウム以外にも所定の光を遮断できる材質で、
しかも絶縁層13に被着できるものであれば何でも適応
可能である。
In any of the examples described in this embodiment, the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding film 15 may be provided independently without being used also as the second-layer wiring 12b. Further, as the upper light-shielding film 14 and the side light-shielding films 15 and 15 ′, other than aluminum, a material capable of blocking predetermined light,
Moreover, anything that can be applied to the insulating layer 13 can be applied.

【0031】さらに、本実施例では、光学装置1として
光電変換部2に受光素子を備えた場合と、発光素子を備
えた場合とを例として示したが、光電変換部2に受光素
子および発光素子の両方を備えた受発光装置(例えば、
双方向通信の可能なリモートコマンダー等)の場合であ
っても同様である。
Further, in the present embodiment, the case where the photoelectric conversion portion 2 is provided with the light receiving element and the case where the light emitting element is provided as the optical device 1 are shown as an example, but the photoelectric conversion portion 2 is provided with the light receiving element and the light emission. A light emitting and receiving device including both elements (for example,
The same applies to the case of a remote commander capable of bidirectional communication).

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学装置
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明の光
学装置では、上方からの光を遮断する上部遮光膜ととも
に側方からの光を遮断する側部遮光膜を備えているた
め、不要な光が電気信号処理部に侵入しなくなり、光電
流による回路の誤動作発生を抑制することが可能とな
る。
As described above, the optical device of the present invention has the following effects. That is, in the optical device of the present invention, since the upper light blocking film that blocks light from above and the side light blocking film that blocks light from the side are provided, unnecessary light does not enter the electrical signal processing unit. Therefore, it is possible to suppress malfunction of the circuit due to photocurrent.

【0033】さらに、光電流の発生を抑制できるため回
路に流す電流値を大きくして対抗する必要がなくなり、
消費電流の低減を図ることが可能となる。これにともな
い、回路構成を微細化でき光学装置の小型化を図ること
が可能となる。また、側部遮光膜を回路に対する電源電
位にしたりグランド電位にすることで電磁シールド効果
を持たせることができ、光学装置の動作信頼性をさらに
向上させることが可能となる。
Furthermore, since the generation of photocurrent can be suppressed, it is not necessary to increase the value of the current flowing in the circuit to counter it.
It is possible to reduce the current consumption. Along with this, the circuit configuration can be miniaturized and the optical device can be downsized. Further, by setting the side light-shielding film to a power supply potential or a ground potential for the circuit, an electromagnetic shield effect can be provided, and the operation reliability of the optical device can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光学装置を説明する図で、(a)は平
面図、(b)は(a)のA部拡大断面図である。
1A and 1B are diagrams illustrating an optical device of the present invention, FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of a portion A of FIG.

【図2】本発明の光学装置の適応例を説明する模式断面
図で、(a)は受光装置、(b)は発光装置である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an application example of the optical device of the present invention, in which (a) is a light receiving device and (b) is a light emitting device.

【図3】他の例(その1)を説明する図で、(a)は平
面図、(b)は(a)のB部拡大断面図である。
3A and 3B are diagrams illustrating another example (No. 1), FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view of a B part in FIG. 3A.

【図4】他の例(その2)を説明する図で、(a)は平
面図、(b)は(a)のC部拡大断面図である。
4A and 4B are views for explaining another example (No. 2), in which (a) is a plan view and (b) is an enlarged cross-sectional view of a C portion of (a).

【図5】従来例を説明する図で、(a)は平面図、
(b)は(a)のD部拡大断面図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional example, (a) is a plan view,
(B) is an enlarged cross-sectional view of the D portion of (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光学装置 2 光電変換部 3 電気信号処理部 10 基板 11 エピタキシャル層 12 配線部 12a 一層目配線 12b 二層目
配線 13 絶縁層 14 上部遮光
膜 15 側部遮光膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical device 2 Photoelectric conversion part 3 Electric signal processing part 10 Substrate 11 Epitaxial layer 12 Wiring part 12a First layer wiring 12b Second layer wiring 13 Insulating layer 14 Upper light-shielding film 15 Side light-shielding film

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に設けられた回路領域、該回路領域
上に設けられる配線領域および該回路領域へ向かう光を
遮断する上部遮光膜から構成される電気信号処理部と、
該電気信号処理部に隣接して配置される光電変換部とを
備えた光学装置であって、 前記配線領域の側周囲には該配線領域の側方から前記回
路領域へ向かう光を遮断するための側部遮光膜が設けら
れていることを特徴とする光学装置。
1. An electric signal processing section comprising a circuit area provided on a substrate, a wiring area provided on the circuit area, and an upper light-shielding film for blocking light traveling to the circuit area,
An optical device comprising a photoelectric conversion unit arranged adjacent to the electrical signal processing unit, for blocking light traveling from the side of the wiring region to the circuit region around the side of the wiring region. An optical device, characterized in that a side light-shielding film is provided.
【請求項2】 前記上部遮光膜および前記側部遮光膜は
導電性材料から成り、かつ前記配線領域に設けられる配
線と兼用となっていることを特徴とする請求項1記載の
光学装置。
2. The optical device according to claim 1, wherein the upper light-shielding film and the side light-shielding film are made of a conductive material and also serve as a wiring provided in the wiring region.
【請求項3】 前記側部遮光膜は前記上部遮光膜と一体
で設けられていることを特徴とする請求項1または請求
項2記載の光学装置。
3. The optical device according to claim 1, wherein the side light shielding film is provided integrally with the upper light shielding film.
【請求項4】 前記側部遮光膜は導電性材料から成り、
かつ前記回路領域の回路に対する電源電位またはグラン
ド電位であることを特徴とする請求項1から請求項3の
うちいずれか一つに記載の光学装置。
4. The side light-shielding film is made of a conductive material,
The optical device according to claim 1, wherein the optical device has a power supply potential or a ground potential with respect to a circuit in the circuit region.
【請求項5】 前記光電変換部は、受けた光を所定の電
気信号に変換する受光素子を備えていることを特徴とす
る請求項1から請求項4のうちいずれか一つに記載の光
学装置。
5. The optical device according to claim 1, wherein the photoelectric conversion unit includes a light receiving element that converts received light into a predetermined electric signal. apparatus.
【請求項6】 前記光電変換部は、所定の電気信号に基
づき光を出射する発光素子を備えていることを特徴とす
る請求項1から請求項4のうちいずれか一つに記載の光
学装置。
6. The optical device according to claim 1, wherein the photoelectric conversion unit includes a light emitting element that emits light based on a predetermined electric signal. .
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