JP2936808B2 - Ｘ線回折顕微方法 - Google Patents
Ｘ線回折顕微方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、（１００）Ｓｉウェー
ハ表面極く近傍の微小な結晶欠陥・応力場を検出すると
同時に検出された結晶欠陥・応力場周辺の極く微量な不
純物原子分布を測定するためのＸ線回折顕微方法に関す
る。
ハ表面極く近傍の微小な結晶欠陥・応力場を検出すると
同時に検出された結晶欠陥・応力場周辺の極く微量な不
純物原子分布を測定するためのＸ線回折顕微方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉウェーハ内に存在する結晶欠陥（例
えば、空孔、格子間原子、転位、積層欠陥、析出、偏析
等）は、半導体デバイス特性に悪影響を及ぼす。特に、
近年の超集積回路に代表される半導体デバイスは高集積
化・多層膜化しつつあり、応力集中によるプロセス誘起
欠陥が発生しやすい。
えば、空孔、格子間原子、転位、積層欠陥、析出、偏析
等）は、半導体デバイス特性に悪影響を及ぼす。特に、
近年の超集積回路に代表される半導体デバイスは高集積
化・多層膜化しつつあり、応力集中によるプロセス誘起
欠陥が発生しやすい。
【０００３】これら結晶欠陥は、半導体のバンド構造に
おける禁制帯中に深い準位を形成する可能性があり、キ
ャリアの生成・再結合中心となりうる。一方、プロセス
中に導入される重金属による汚染も、結晶欠陥同様、禁
制帯中に深い準位を形成し、半導体デバイス特性に悪影
響を及ぼす。
おける禁制帯中に深い準位を形成する可能性があり、キ
ャリアの生成・再結合中心となりうる。一方、プロセス
中に導入される重金属による汚染も、結晶欠陥同様、禁
制帯中に深い準位を形成し、半導体デバイス特性に悪影
響を及ぼす。
【０００４】さらに、重金属不純物原子は、結晶欠陥や
応力場との相互作用が大きく、禁制帯中に複雑な準位を
形成し半導体デバイス特性の向上・制御をより一層困難
にしている。
応力場との相互作用が大きく、禁制帯中に複雑な準位を
形成し半導体デバイス特性の向上・制御をより一層困難
にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、Ｓｉウェーハ内
の結晶欠陥を観察するために回折現象を用いたＸ線・電
子線回折顕微法があり、半導体デバイスの不良解析に広
く利用されている。一方、重金属不純物原子の検出に
は、ライフタイム法、原子吸光法、全反射蛍光Ｘ線分析
法などがあり、プロセス汚染評価に偉力を発揮してい
る。
の結晶欠陥を観察するために回折現象を用いたＸ線・電
子線回折顕微法があり、半導体デバイスの不良解析に広
く利用されている。一方、重金属不純物原子の検出に
は、ライフタイム法、原子吸光法、全反射蛍光Ｘ線分析
法などがあり、プロセス汚染評価に偉力を発揮してい
る。
【０００６】しかしながら、いずれの方法においても、
重金属不純物原子と結晶欠陥との相関を調べることは不
可能である。この観点においては、重金属不純物原子濃
度が高い場合においてのみ、転位線上に析出したものと
して、電子顕微鏡とエネルギー分散Ｘ線分析法にて検出
されている。
重金属不純物原子と結晶欠陥との相関を調べることは不
可能である。この観点においては、重金属不純物原子濃
度が高い場合においてのみ、転位線上に析出したものと
して、電子顕微鏡とエネルギー分散Ｘ線分析法にて検出
されている。
【０００７】しかしながら、実際の半導体プロセスにお
ける微量な重金属不純物原子と結晶欠陥との相互作用を
調べる点においては不十分である。
ける微量な重金属不純物原子と結晶欠陥との相互作用を
調べる点においては不十分である。
【０００８】本発明の目的は、前記課題を解決したＸ線
回折顕微方法を提供することにある。
回折顕微方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るＸ線回折顕微方法においては、ω−２
θ回転可能な第一ゴニオメータのヘッドに設置されたモ
ノクロメータによってシンクロトロン放射光から所望の
波長をもつＸ線を選別し、その選別された波長をもつＸ
線を用いて、ω−２θ回転可能な第二ゴニオメータのヘ
ッドに設置された（１００）Ｓｉウェーハの非対称反射
を生じさせ、このとき、前記Ｘ線の（１００）Ｓｉウェ
ーハへの入射角が臨界角以下となるように逐次制御し、
この条件下で（１００）Ｓｉウェーハの非対称反射によ
る信号を検出し、これらの検出された信号を重ね合わす
ことにより、結晶欠陥・応力場周辺での不純物分布を得
るものである。
め、本発明に係るＸ線回折顕微方法においては、ω−２
θ回転可能な第一ゴニオメータのヘッドに設置されたモ
ノクロメータによってシンクロトロン放射光から所望の
波長をもつＸ線を選別し、その選別された波長をもつＸ
線を用いて、ω−２θ回転可能な第二ゴニオメータのヘ
ッドに設置された（１００）Ｓｉウェーハの非対称反射
を生じさせ、このとき、前記Ｘ線の（１００）Ｓｉウェ
ーハへの入射角が臨界角以下となるように逐次制御し、
この条件下で（１００）Ｓｉウェーハの非対称反射によ
る信号を検出し、これらの検出された信号を重ね合わす
ことにより、結晶欠陥・応力場周辺での不純物分布を得
るものである。
【００１０】
【作用】本発明では、近年の半導体デバイスが要求する
表面極く近傍の微小な結晶欠陥・応力場を検出すると同
時に、これら結晶欠陥・応力場周辺に集ってくる微量な
重金属不純物原子の分布をＸ線回折顕微法的に観察する
ものである。
表面極く近傍の微小な結晶欠陥・応力場を検出すると同
時に、これら結晶欠陥・応力場周辺に集ってくる微量な
重金属不純物原子の分布をＸ線回折顕微法的に観察する
ものである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明による全反射
Ｘ線回折顕微方法の実施例を示す図である。
Ｘ線回折顕微方法の実施例を示す図である。
【００１３】シンクロトロン放射光は、強力な連続の波
長を有し、回折現象を用いた結晶欠陥評価用ならびに分
光現象を用いた蛍光Ｘ線分析用のＸ線源として大変有用
なものである。本発明は、このシンクロトロン放射光の
特徴を有効に利用したものである。
長を有し、回折現象を用いた結晶欠陥評価用ならびに分
光現象を用いた蛍光Ｘ線分析用のＸ線源として大変有用
なものである。本発明は、このシンクロトロン放射光の
特徴を有効に利用したものである。
【００１４】図１において、１１は連続光であるシンク
ロトロン放射光である。このシンクロトロン放射光１１
は、スリット１２によってＸ線ビームサイズを形成され
た後、ω−２θ回転可能な第一ゴニオメータ１３のヘッ
ドに設置されたモノクロメータ１４によって選別され
る。
ロトロン放射光である。このシンクロトロン放射光１１
は、スリット１２によってＸ線ビームサイズを形成され
た後、ω−２θ回転可能な第一ゴニオメータ１３のヘッ
ドに設置されたモノクロメータ１４によって選別され
る。
【００１５】この選別されたＸ線１５は、スリット１６
によってビームサイズを成形された後、ω−２θ回転可
能な第二ゴニオメータ１７のヘッドに設置された（１０
０）Ｓｉウェーハ１８に入射する。
によってビームサイズを成形された後、ω−２θ回転可
能な第二ゴニオメータ１７のヘッドに設置された（１０
０）Ｓｉウェーハ１８に入射する。
【００１６】（１００）Ｓｉウェーハ１８からの回折
は、（１００）表面に対して２５．２４°傾いた格子面
である３１１非対称反射を用いる。仮に、モノクロメー
タ１４によってシンクロトロン放射光１１から波長λ＝
１．４２〓をもつＸ線１５を選別し、ω−２θ回転可能
な第二ゴニオメータ１７によって、（１００）Ｓｉウェ
ーハ１８をＸ線１５に対して入射角（θB−α）を持つ
ように設置すると、（１００）Ｓｉウェーハ１８の３１
１非対称反射による回折線１９を得ることができる。
は、（１００）表面に対して２５．２４°傾いた格子面
である３１１非対称反射を用いる。仮に、モノクロメー
タ１４によってシンクロトロン放射光１１から波長λ＝
１．４２〓をもつＸ線１５を選別し、ω−２θ回転可能
な第二ゴニオメータ１７によって、（１００）Ｓｉウェ
ーハ１８をＸ線１５に対して入射角（θB−α）を持つ
ように設置すると、（１００）Ｓｉウェーハ１８の３１
１非対称反射による回折線１９を得ることができる。
【００１７】ここで、θB は回折角度であり２５．７０
°を有し、αは（１００）表面と（３１１）面とのなす
角であり、前記した２５．２４°の値を有する。そし
て、Ｘ線１５の（１００）Ｓｉウェーハ１８への入射角
は０．４６°となる。このとき、図２において計算され
た侵入深さ曲線２１が示すようにＸ線１５の（１００）
Ｓｉウェーハ１８内への侵入深さは数千〓程度となる。
°を有し、αは（１００）表面と（３１１）面とのなす
角であり、前記した２５．２４°の値を有する。そし
て、Ｘ線１５の（１００）Ｓｉウェーハ１８への入射角
は０．４６°となる。このとき、図２において計算され
た侵入深さ曲線２１が示すようにＸ線１５の（１００）
Ｓｉウェーハ１８内への侵入深さは数千〓程度となる。
【００１８】モノクロメータ１４によって選別されたＸ
線１５の波長を、第一ゴニオメータ１３のω回転を低角
に逐次回転することによって僅かに短くすると、３１１
非対称反射面による回折角度θBはそれに追従して減少
する。
線１５の波長を、第一ゴニオメータ１３のω回転を低角
に逐次回転することによって僅かに短くすると、３１１
非対称反射面による回折角度θBはそれに追従して減少
する。
【００１９】その結果、（１００）Ｓｉウェーハ１８か
らの回折線１９を見失うことなく、Ｘ線１５の（１０
０）Ｓｉウェーハ１８への入射角を減少させ、ついには
全反射を起こす臨界角θCよりも小さくすることが可能
である。これはシンクロトロン放射光の波長連続性を有
効に利用したものである。
らの回折線１９を見失うことなく、Ｘ線１５の（１０
０）Ｓｉウェーハ１８への入射角を減少させ、ついには
全反射を起こす臨界角θCよりも小さくすることが可能
である。これはシンクロトロン放射光の波長連続性を有
効に利用したものである。
【００２０】この操作をＸ線１５の波長がλ＝１．４０
４〓近傍になるまで行うと、Ｘ線１５の（１００）Ｓｉ
ウェーハ１８への入射角は０．１５°となり、臨界角θ
C＝０．２０°よりも小さくなる。
４〓近傍になるまで行うと、Ｘ線１５の（１００）Ｓｉ
ウェーハ１８への入射角は０．１５°となり、臨界角θ
C＝０．２０°よりも小さくなる。
【００２１】このとき、反射率曲線２２が示すようにＸ
線１５の（１００）Ｓｉウェーハ上での反射率は１に近
くなり、Ｘ線の場の強度曲線２３が示すようにＸ線の場
の強さも十分大きい。また、侵入深さ曲線２１が示すよ
うにＸ線１５の（１００）Ｓｉウェーハ１８内への侵入
深さは数十〓程度となり、表面の極く近傍の情報を得る
ことができる。この条件下で（１００）Ｓｉウェーハ１
８の３１１非対称反射による回折線１９を二次元検出器
１１１で顕微法的に検出する。
線１５の（１００）Ｓｉウェーハ上での反射率は１に近
くなり、Ｘ線の場の強度曲線２３が示すようにＸ線の場
の強さも十分大きい。また、侵入深さ曲線２１が示すよ
うにＸ線１５の（１００）Ｓｉウェーハ１８内への侵入
深さは数十〓程度となり、表面の極く近傍の情報を得る
ことができる。この条件下で（１００）Ｓｉウェーハ１
８の３１１非対称反射による回折線１９を二次元検出器
１１１で顕微法的に検出する。
【００２２】二次元検出器１１１によって検出された信
号は、波高分析器１１２によって図３に示すように、波
長λ＝１．４０４〓を持つシンクロトロン放射光の３１
１非対称反射面による回折線３１と、前記Ｘ線によりＫ
殻を励起されることによって生じた重金属不純物原子で
あるＮｉの蛍光Ｘ線３２とＦｅの蛍光Ｘ線３３に分離さ
れる。
号は、波高分析器１１２によって図３に示すように、波
長λ＝１．４０４〓を持つシンクロトロン放射光の３１
１非対称反射面による回折線３１と、前記Ｘ線によりＫ
殻を励起されることによって生じた重金属不純物原子で
あるＮｉの蛍光Ｘ線３２とＦｅの蛍光Ｘ線３３に分離さ
れる。
【００２３】ここで、回折線３１、Ｎｉの蛍光Ｘ線３
２、Ｆｅの蛍光Ｘ線３３は、それぞれエネルギー８８３
０ｅＶ、７４７７ｅＶ、６４０３ｅＶに対応したチャネ
ル数の所にピークとして現われる。このように波長λ＝
１．４０４〓を持つシンクロトロン放射光は、（１０
０）Ｓｉウェーハ上で全反射しているので、Ｓｉウェー
ハ基板からの散乱を受けることなく、良好なシングル／
バックグランド比の条件下で、回折線３１と同時に表面
極く近傍にある濃度として１０10ｃｍ-2程度の微量な重
金属不純物原子による蛍光Ｘ線を検出することが可能で
ある。
２、Ｆｅの蛍光Ｘ線３３は、それぞれエネルギー８８３
０ｅＶ、７４７７ｅＶ、６４０３ｅＶに対応したチャネ
ル数の所にピークとして現われる。このように波長λ＝
１．４０４〓を持つシンクロトロン放射光は、（１０
０）Ｓｉウェーハ上で全反射しているので、Ｓｉウェー
ハ基板からの散乱を受けることなく、良好なシングル／
バックグランド比の条件下で、回折線３１と同時に表面
極く近傍にある濃度として１０10ｃｍ-2程度の微量な重
金属不純物原子による蛍光Ｘ線を検出することが可能で
ある。
【００２４】今、波高選別器１１３により回折線３１の
みを選別すると、表面の極く近傍に存在する結晶欠陥・
応力場の分布が二次元的に得られる。
みを選別すると、表面の極く近傍に存在する結晶欠陥・
応力場の分布が二次元的に得られる。
【００２５】次に、Ｎｉの蛍光Ｘ線３２のみを波高選別
器１１３によって選別すると、表面の極く近傍に存在す
るＮｉ重金属不純物原子の二次元分布が得られる。同様
に、Ｆｅの蛍光Ｘ線３３のみを選別すれば、Ｆｅ重金属
不純物原子の二次元分布が得られる。
器１１３によって選別すると、表面の極く近傍に存在す
るＮｉ重金属不純物原子の二次元分布が得られる。同様
に、Ｆｅの蛍光Ｘ線３３のみを選別すれば、Ｆｅ重金属
不純物原子の二次元分布が得られる。
【００２６】このようにして得られた、結晶欠陥・応力
場分布、Ｎｉ重金属不純物原子分布、Ｆｅ重金属不純物
原子分布を画像装置１１４によって重ね合わせることに
よって、上記三種類の二次元分布を同一場所で比較・検
討することができ、表面の極く近傍に存在する結晶欠陥
・応力場周辺のＮｉ重金属不純物原子、Ｆｅ重金属不純
物原子のそれぞれの分布を得ることができる。
場分布、Ｎｉ重金属不純物原子分布、Ｆｅ重金属不純物
原子分布を画像装置１１４によって重ね合わせることに
よって、上記三種類の二次元分布を同一場所で比較・検
討することができ、表面の極く近傍に存在する結晶欠陥
・応力場周辺のＮｉ重金属不純物原子、Ｆｅ重金属不純
物原子のそれぞれの分布を得ることができる。
【００２７】一例として、本発明を用いれば、半導体プ
ロセスにおけるＬＯＣＯＳ端ならびにマスク端における
結晶欠陥・応力場分布とＮｉ、Ｆｅ重金属不純物原子分
布との相関の情報が得られる。また、表面から数十μｍ
にわたって無析出帯が形成されているＳｉウェーハにお
いて、無析出帯中の微小な結晶欠陥・応力場分布と微量
なＮｉ、Ｆｅ重金属不純物原子分布との相関の情報を得
ることができる。
ロセスにおけるＬＯＣＯＳ端ならびにマスク端における
結晶欠陥・応力場分布とＮｉ、Ｆｅ重金属不純物原子分
布との相関の情報が得られる。また、表面から数十μｍ
にわたって無析出帯が形成されているＳｉウェーハにお
いて、無析出帯中の微小な結晶欠陥・応力場分布と微量
なＮｉ、Ｆｅ重金属不純物原子分布との相関の情報を得
ることができる。
【００２８】（実施例２）本発明は、（１００）表面に
対して３５．２６°傾いた格子面である４２２非対称反
射を用いても同様な効果を発揮する。実施例１に示した
手順を用いて、最終的にシンクロトロン放射光１１より
λ＝１．２８４〓近傍の波長を選別すると、Ｘ線１５の
（１００）Ｓｉウェーハ１８への入射角は０．１３°と
なり、臨界角θC＝０．１８°よりも小さくなり、全反
射下において４２２非対称反射面による回折条件を満足
している。
対して３５．２６°傾いた格子面である４２２非対称反
射を用いても同様な効果を発揮する。実施例１に示した
手順を用いて、最終的にシンクロトロン放射光１１より
λ＝１．２８４〓近傍の波長を選別すると、Ｘ線１５の
（１００）Ｓｉウェーハ１８への入射角は０．１３°と
なり、臨界角θC＝０．１８°よりも小さくなり、全反
射下において４２２非対称反射面による回折条件を満足
している。
【００２９】このとき、波高分析器１１２には、図４に
示すようにλ＝１．２８４〓を持つシンクロトロン放射
光の４２２非対称反射面による回折線４１と前記Ｘ線に
よりＫ殻を励起されることによって生じたＣｕの蛍光Ｘ
線４２、Ｎｉの蛍光Ｘ線４３Ｆｅの蛍光Ｘ線４４が、そ
れぞれ９６５６ｅＶ、８０４６ｅＶ、７４７７ｅＶ、６
４０３ｅＶのエネルギーに対応するチャネル数の所にあ
らわれる。
示すようにλ＝１．２８４〓を持つシンクロトロン放射
光の４２２非対称反射面による回折線４１と前記Ｘ線に
よりＫ殻を励起されることによって生じたＣｕの蛍光Ｘ
線４２、Ｎｉの蛍光Ｘ線４３Ｆｅの蛍光Ｘ線４４が、そ
れぞれ９６５６ｅＶ、８０４６ｅＶ、７４７７ｅＶ、６
４０３ｅＶのエネルギーに対応するチャネル数の所にあ
らわれる。
【００３０】この場合、第一ゴニオメータ１３によって
選別されたシンクロトロン放射光の波長が実施例１より
も短くなり、Ｃｕ重金属不純物原子のＫ殻を励起するの
に十分のエネルギーを持つため、波高分析器１１２にお
いてＣｕの蛍光Ｘ線４２が観察可能となる。
選別されたシンクロトロン放射光の波長が実施例１より
も短くなり、Ｃｕ重金属不純物原子のＫ殻を励起するの
に十分のエネルギーを持つため、波高分析器１１２にお
いてＣｕの蛍光Ｘ線４２が観察可能となる。
【００３１】上記四種類のスペクトルをそれぞれ波高選
別器１１３によって検出した後、画像装置１１４によっ
て重ね合わすと、表面の極く近傍に存在する結晶欠陥・
応力場周辺のＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ重金属不純物原子分布を
それぞれ求めることができる。
別器１１３によって検出した後、画像装置１１４によっ
て重ね合わすと、表面の極く近傍に存在する結晶欠陥・
応力場周辺のＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ重金属不純物原子分布を
それぞれ求めることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、
（１００）Ｓｉウェーハ表面の極く近傍に存在する微小
な結晶欠陥・応力場をＸ線顕微法的に観察可能であり、
それと同時に観察された結晶欠陥・応力場周辺の極く微
量な不純物原子分布を測定することが可能となる。本発
明を用いれば、結晶欠陥・応力場と不純物原子との相互
作用の挙動を明らかにすることができ、半導体デバイス
特性の向上に有効な効果を発揮する。
（１００）Ｓｉウェーハ表面の極く近傍に存在する微小
な結晶欠陥・応力場をＸ線顕微法的に観察可能であり、
それと同時に観察された結晶欠陥・応力場周辺の極く微
量な不純物原子分布を測定することが可能となる。本発
明を用いれば、結晶欠陥・応力場と不純物原子との相互
作用の挙動を明らかにすることができ、半導体デバイス
特性の向上に有効な効果を発揮する。
【図１】本発明の実施例を示す構成図である。
【図２】本発明において、３１１非対称反射を用いた条
件下での計算結果を示す図である。
件下での計算結果を示す図である。
【図３】本発明において、３１１非対称反射を用いた条
件下でのスペクトル分布図である。
件下でのスペクトル分布図である。
【図４】本発明において、４２２非対称反射を用いた条
件下でのスペクトル分布図である。
件下でのスペクトル分布図である。
１１ シンクロトロン放射光 １２ スリット １３ 第一ゴニオメータ １４ モノクロメータ １５ 選別されたＸ線 １６ スリット １７ 第二ゴニオメータ １８ （１００）Ｓｉウェーハ １９ 回折線 １１１ 二次元検出器 １１２ 波高分析器 １１３ 波高選別器 １１４ 画像装置 ２１ 侵入深さ曲線 ２２ 反射率曲線 ２３ Ｘ線の場の強度曲線 ３１ 回折線 ３２ Ｎｉの蛍光Ｘ線 ３３ Ｆｅの蛍光Ｘ線 ４１ 回折線 ４２ Ｃｕの蛍光Ｘ線 ４３ Ｎｉの蛍光Ｘ線 ４４ Ｆｅの蛍光Ｘ線
Claims (1)
- 【請求項１】 ω−２θ回転可能な第一ゴニオメータの
ヘッドに設置されたモノクロメータによってシンクロト
ロン放射光から所望の波長をもつＸ線を選別し、 その選別された波長をもつＸ線を用いて、ω−２θ回転
可能な第二ゴニオメータのヘッドに設置された（１０
０）Ｓｉウェーハの非対称反射を生じさせ、 このとき、前記Ｘ線の（１００）Ｓｉウェーハへの入射
角が臨界角以下となるように逐次制御し、 この条件下で（１００）Ｓｉウェーハの非対称反射によ
る信号を検出し、これらの検出された信号を重ね合わす
ことにより、結晶欠陥・応力場周辺での不純物分布を得
ることを特徴とするＸ線回折顕微方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17451891A JP2936808B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Ｘ線回折顕微方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17451891A JP2936808B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Ｘ線回折顕微方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574907A JPH0574907A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2936808B2 true JP2936808B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=15979923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17451891A Expired - Fee Related JP2936808B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Ｘ線回折顕微方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936808B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4581126B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-11-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Ｘ線回折分析方法およびｘ線回折分析装置 |
| JP4674352B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2011-04-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸化チタンの分析方法とこの方法を実施する酸化チタンの分析装置 |
| KR20100075599A (ko) * | 2007-10-03 | 2010-07-02 | 아사히비루 가부시키가이샤 | 과립, 정제 및 이들의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP17451891A patent/JP2936808B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574907A (ja) | 1993-03-26 |
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