JP2936799B2 - Resin-sealed multi-chip package - Google Patents

Resin-sealed multi-chip package

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JP2936799B2
JP2936799B2 JP15252791A JP15252791A JP2936799B2 JP 2936799 B2 JP2936799 B2 JP 2936799B2 JP 15252791 A JP15252791 A JP 15252791A JP 15252791 A JP15252791 A JP 15252791A JP 2936799 B2 JP2936799 B2 JP 2936799B2
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数個のMIS 型集積回
路あるいはバイポーラ型集積回路等の半導体チップを組
み込む樹脂封止型マルチチップパッケージに係り、特に
これらの半導体チップを載置する配線基板を配設する基
板配設部位を中央に備えた樹脂封止型マルチチップパッ
ケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed multi-chip package in which a plurality of semiconductor chips such as MIS type integrated circuits or bipolar type integrated circuits are incorporated, and more particularly to a wiring board on which these semiconductor chips are mounted. The present invention relates to a resin-encapsulated multi-chip package having a substrate mounting portion in which a substrate is provided at the center.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、上記した樹脂封止型マルチチップ
パッケージ(以下、単にマルチチップパッケージとい
う)は、一例として図6に示すように、吊りリード3に
支持されて中央部に配設されたアイランド2上に複数の
半導体チップ6a,6bを載置した配線基板5を搭載
し、アイランド2と略同一面内にアイランドを囲んで横
方向及び縦方向にそれぞれ内端部が対向し外端部が外部
端子(図示省略)に接続された複数のインナーリード4
を有するリードフレーム1を備えている。そして、この
種のマルチチップパッケージにおいては実装上の要請か
らパッケージの形状を一定の大きさ以下にしなければな
らないので配線基板5の形状が限定されるが、半導体チ
ップ6aの電極パッドと配線基板5の下方に位置するイ
ンナーリードとを接続する場合、配線基板5上に複雑な
引き回し配線を形成しなければならない。このような場
合には、図7に示すように、配線基板5の面積の増加を
抑えるため2層の積層基板を採用している。すなわち、
アルミナ等のグリーンシートからなる基板5aの上下両
端部に中継用の電極パッドA〜G及び電極パッドa〜g
を設け、同じくグリーンシートからなる基板5b上に各
電極パッドAとa,…,Gとgを接続する配線I〜VIIを
設け、基板5b上に基板5aを積層し各配線I〜VIIと各
電極パッドA〜G及びa〜gをスルーホールを通して接
続し、焼成することにより積層配線基板5を形成してい
る。そして、図6に示すように、半導体チップ6aの電
極パッドP〜Vと基板5aの中継用電極パッドA〜Gを
ワイヤボンディングにより接続し、中継用電極パッドa
〜gとインナーリード4の内端部p〜vとをワイヤボン
ディングにより接続することにより互いに離れた位置の
半導体チップ6aの所定の電極パッドと所定のインナー
リード4との接続を行うようにしている(例えば特開昭
61ー110460号公報参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, the above-mentioned resin-encapsulated multi-chip package (hereinafter simply referred to as a multi-chip package) is provided at a central portion by being supported by a suspension lead 3 as shown in FIG. A wiring board 5 on which a plurality of semiconductor chips 6a and 6b are mounted is mounted on the island 2, and the inner end faces in the horizontal and vertical directions around the island in substantially the same plane as the island 2, and the outer end faces. Are a plurality of inner leads 4 connected to external terminals (not shown).
Is provided. In this type of multi-chip package, the shape of the wiring board 5 is limited because the shape of the package must be reduced to a certain size or less due to mounting requirements, but the shape of the wiring board 5 is limited. When connecting to the inner leads located below the wiring board 5, a complicated lead wiring must be formed on the wiring board 5. In such a case, as shown in FIG. 7, a two-layer laminated substrate is employed to suppress an increase in the area of the wiring substrate 5. That is,
Relay electrode pads A to G and electrode pads a to g are provided on both upper and lower ends of a substrate 5a made of a green sheet of alumina or the like.
Are provided on the substrate 5b also made of a green sheet, and wirings I to VII for connecting the electrode pads A and a,..., G and g are provided. The electrode pads A to G and a to g are connected through through holes and fired to form the laminated wiring board 5. Then, as shown in FIG. 6, the electrode pads P to V of the semiconductor chip 6a and the relay electrode pads A to G of the substrate 5a are connected by wire bonding.
To g and the inner ends p to v of the inner leads 4 are connected by wire bonding, so that predetermined electrode pads of the semiconductor chip 6a at positions separated from each other and predetermined inner leads 4 are connected. (See, for example, JP-A-61-110460).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記マルチチ
ップパッケージにおいては、配線基板として積層基板を
用いなければならないため配線基板の厚みが増し、この
ため従来と同様の厚さにモールド樹脂層を形成するとマ
ルチチップパッケージ全体の厚さが厚くなり、実装体積
が増加するという実装上の問題があり、また樹脂モール
ドの厚みを薄くしてマルチチップパッケージ全体の厚さ
を薄くしようとすると半導体チップの信頼性を損なうこ
とになる。さらに、高価な積層基板を用いることによ
り、配線基板のコストが増大し最終の集積回路部品のコ
ストアップをもたらす。本発明は、上記課題を解消しよ
うとするもので、樹脂封止された半導体チップの信頼性
を維持しつつ全体の厚さが薄くかつ安価なマルチチップ
パッケージを提供することを目的とする。
However, in the above-mentioned multi-chip package, a laminated substrate must be used as a wiring substrate, so that the thickness of the wiring substrate is increased. As a result, there is a mounting problem that the thickness of the entire multi-chip package increases and the mounting volume increases, and if the thickness of the entire multi-chip package is reduced by reducing the thickness of the resin mold, the reliability of the semiconductor chip is reduced. It will spoil the nature. Further, by using an expensive laminated substrate, the cost of the wiring substrate is increased and the cost of the final integrated circuit component is increased. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an inexpensive multi-chip package having a small overall thickness while maintaining the reliability of a resin-sealed semiconductor chip.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
半導体チップを載置する配線基板を配設する基板配設部
位を備え、該基板配設部位を囲んで同基板配設部位と略
同一面内にてそれぞれ内端部が対向し外端部が外部端子
に接続された複数のインナーリードを有するリードフレ
ームを備えた樹脂封止型マルチチップパッケージにおい
て、前記インナーリードの少なくとも一部を前記基板配
設部位に延在させてその上面に前記配線基板を載置固定
し、かつ延在させた前記インナーリードの各内端部と前
記配線基板上の電極パターン、又は配線基板に載置した
前記半導体チップの所定の電極パッドのいずれかとを直
接ワイヤボンディングにより接続したことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION A feature of the present invention is to provide a substrate disposing portion for disposing a wiring substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted, and to surround the substrate disposing portion. In a resin-sealed multi-chip package including a lead frame having a plurality of inner leads each having an inner end facing each other and an outer end connected to an external terminal in substantially the same plane, at least a part of the inner leads Are extended to the substrate disposing portion, and the wiring substrate is placed and fixed on the upper surface thereof, and each extended inner end of the inner lead is placed on the electrode pattern on the wiring substrate or the wiring substrate. The present invention is characterized in that one of the predetermined electrode pads of the placed semiconductor chip is directly connected by wire bonding.

【0005】[0005]

【発明の作用・効果】上記のように構成した本発明の樹
脂封止型マルチチップパッケージにおいては、複数のイ
ンナーリードの一部を基板配設部位に延在させて、その
上面に配線基板を載置固定させるとともに延在させたイ
ンナーリードの各内端部と配線基板上の電極パターン又
は配線基板に載置した半導体チップの電極パッドのいず
れかとを直接ワイヤボンディングにより接続したため、
配線基板に複雑な配線を形成する必要がなく、配線基板
としては1層の基板を用いればよく、積層基板を用いる
必要がなくなった。これにより、配線基板の厚みを薄く
することができパッケージ全体の厚さを薄くすることが
できるので、半導体チップの信頼性を維持しつつ実装面
からの要請である集積回路部品の薄型化を達成すること
ができる。さらに、高価な積層基板を必要としなくなっ
たことから、配線基板のコストを低下させることがで
き、最終の集積回路部品のコストダウンを図ることがで
きる。
In the resin-sealed multi-chip package of the present invention configured as described above, a part of the plurality of inner leads is extended to the portion where the substrate is provided, and the wiring substrate is mounted on the upper surface thereof. Because each inner end of the inner lead extended while being mounted and fixed was directly connected by wire bonding to either the electrode pattern on the wiring board or the electrode pad of the semiconductor chip mounted on the wiring board,
There is no need to form complicated wiring on the wiring substrate, and a single-layer substrate may be used as the wiring substrate, and it is no longer necessary to use a laminated substrate. As a result, the thickness of the wiring board can be reduced, and the thickness of the entire package can be reduced. As a result, the thickness of the integrated circuit component, which is a requirement from the mounting surface, has been reduced while maintaining the reliability of the semiconductor chip. can do. Furthermore, since an expensive laminated substrate is no longer required, the cost of the wiring substrate can be reduced, and the cost of the final integrated circuit component can be reduced.

【0006】また、延出させたインナーリードにより配
線基板を支持させるようにしたことにより、従来必要と
されていた配線基板保持用のアイランドおよびアイラン
ドを支持する吊りリードが不要となるため、吊りリード
切断用の金型が不要になると共に吊りリード切断工程の
廃止によりカットアンドベント工程時間を短縮させるこ
とができる。さらに配線基板上に中継用電極パッドを設
ける必要がなくなるため、基板面積を縮小させることが
でき、マルチチップパッケージの全体形状を小さくする
ことができるので、最終の集積回路部品の実装面積を低
減させることができる。また、中継用電極パッドが不要
になったことにより、インナーリードの各内端部と半導
体チップの電極パッド間の距離が短縮され、ボンディン
グワイヤ長を適正な長さに短縮させることができるの
で、ワイヤボンディングの信頼性を高めることができ
る。また、配線基板の中継用電極パッドと半導体チップ
間のワイヤボンディングが不要となるため、ワイヤボン
ディング回数が減少しワイヤボンディング工数を削減さ
せることができる。
In addition, since the wiring board is supported by the extended inner leads, an island for holding the wiring board and a suspension lead for supporting the island, which have been conventionally required, become unnecessary. A cutting die is not required, and the cut and vent process time can be shortened by eliminating the hanging lead cutting process. Further, since there is no need to provide relay electrode pads on the wiring substrate, the substrate area can be reduced, and the overall shape of the multi-chip package can be reduced, thereby reducing the mounting area of the final integrated circuit component. be able to. Also, since the relay electrode pad is no longer required, the distance between each inner end of the inner lead and the electrode pad of the semiconductor chip is reduced, and the bonding wire length can be reduced to an appropriate length. The reliability of wire bonding can be improved. Further, since wire bonding between the relay electrode pad of the wiring board and the semiconductor chip is not required, the number of wire bonding is reduced, and the number of wire bonding steps can be reduced.

【0007】[0007]

【実施例】以下本発明の一実施例を図面により説明す
る。図1は、第1実施例に係るマルチチップパッケージ
の樹脂封止前の組み付け状態を示すもので、このマルチ
チップパッケージはリードフレーム10と半導体集積回
路チップ(以下、半導体チップという)を載置するため
の配線基板20を備えている。リードフレーム10は、
図2に詳細に示すように、仮想線にて示す基板配設部位
Kを囲んで略同一面内に横方向および縦方向にそれぞれ
内端部が対向した複数のインナーリード11を備えてお
り、また各インナーリード11を一体的に固定するタイ
バー12と、インナーリード11の外端に連結された外
部端子13を備えている。しかして、インナーリード1
1のうちの図示下方に位置するインナーリード11A〜
11Fが上方に延出しかつ右側下端に位置するインナー
リード11Gが直角に屈曲して上方に延出し基板配設部
位Kを通って各内端が上方のインナーリード11W〜1
1Zの内端に同一平面内にて並列するように形成されて
いる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an assembled state of a multi-chip package according to a first embodiment before resin sealing. In this multi-chip package, a lead frame 10 and a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter, referred to as a semiconductor chip) are mounted. And a wiring board 20 for it. The lead frame 10
As shown in detail in FIG. 2, a plurality of inner leads 11 whose inner ends face each other in a horizontal direction and a vertical direction are provided in substantially the same plane around a substrate arrangement site K indicated by a virtual line, In addition, a tie bar 12 for integrally fixing each inner lead 11 and an external terminal 13 connected to an outer end of the inner lead 11 are provided. Then, inner lead 1
1 of inner leads 11A-
11F is extended upward and the inner lead 11G located at the lower right end is bent at a right angle and extended upward, and passes through the substrate mounting portion K, and each inner end is an upper inner lead 11W-1.
It is formed so as to be parallel to the inner end of 1Z in the same plane.

【0008】配線基板20は、図1に示すように、アル
ミナ等の1層の絶縁基板にメタライズ技術により形成さ
れた半導体チップ搭載用パッド21,22と、両半導体
チップチップ31,32の電極パッド間を接続するため
の12個の中間電極パッド23を備えている。配線基板
20は、図2のリードフレーム10の仮想線にて示す基
板配設部位Kに載置される。配線基板20の載置方法
は、図3に示すように、複数の配線基板の形成された基
板PBを両面テープ41に張り付け両面テープのシート部
分41bをウエハダイシング用リング40に張り付ける
(図3(a),(b) 参照)。ダイシング刃により配線基板2
0をシート部分41bの一部まで切断し(図3(b) 参
照)、分割された配線基板20をダイボンディングによ
りリードフレーム10の所定の基板配設部位Kに粘着部
分41aにて接着させる(図3(c) 参照)。なお、リー
ドフレーム10の基板配設部位Kに両面テープ41を張
り付け、その上に配線基板20をダイボンディングによ
り接着させるようにしてもよく、また、リードフレーム
10上に粘度の高い絶縁性ペーストを塗布し、配線基板
20をダイボンディングにより接着させるようにしても
よい。
As shown in FIG. 1, the wiring board 20 includes semiconductor chip mounting pads 21 and 22 formed on a one-layer insulating substrate made of alumina or the like by a metallizing technique, and electrode pads of both semiconductor chip chips 31 and 32. There are twelve intermediate electrode pads 23 for connecting between them. The wiring board 20 is mounted on the board placement site K indicated by a virtual line of the lead frame 10 in FIG. As shown in FIG. 3, the mounting method of the wiring substrate 20 is as follows. (See (a), (b)). Wiring board 2 by dicing blade
0 is cut to a part of the sheet portion 41b (see FIG. 3 (b)), and the divided wiring substrate 20 is bonded to a predetermined substrate mounting portion K of the lead frame 10 by die bonding at the adhesive portion 41a (see FIG. 3B). (See FIG. 3 (c)). Note that a double-sided tape 41 may be attached to the substrate mounting portion K of the lead frame 10 and the wiring substrate 20 may be bonded thereto by die bonding. Alternatively, a highly viscous insulating paste may be applied on the lead frame 10. It may be applied, and the wiring substrate 20 is bonded by die bonding.

【0009】つぎに、上記した配線基板20の載置され
たリードフレーム10のパッケージ形成にいたる組立工
程について説明する。図1に示すように、配線基板20
の半導体チップ搭載用パッド21,22に導電性樹脂ペ
ースト等を塗布し所定の半導体チップ31,32をダイ
ボンディングにより接着させる。次に、半導体チップ3
1,32の電極パッドとインナーリード11間をワイヤ
ボンディングにより接続する。さらに、図示しない樹脂
モールド工程、タイバー等のカット及び外部端子のベン
ド工程を経て最終製品である樹脂封止型集積回路が得ら
れる。上記組立工程において、配線基板20上に載置さ
れた半導体チップ31の外側の電極パッド31A〜31
Gとインナーリード11A〜11Gの各内端が近接して
配設されているので、電極パッド31A〜31Gとイン
ナーリード11A〜11Gの各内端を直接ワイヤボンデ
ィングにより接続することができる。このため、配線基
板20に複雑な配線を形成する必要がなく、配線基板2
0としては1層の基板を用いればよく、積層基板を用い
る必要はない。これにより、配線基板20の厚みを薄く
することができパッケージ全体の厚さを薄くすることが
できるので、半導体集積回路の信頼性を維持しつつ実装
面からの要請である集積回路部品の薄型化を達成するこ
とができる。さらに、高価な積層基板を必要としなくな
ったことから、配線基板20のコストを低減させること
ができ、最終の集積回路部品のコストダウンを図ること
ができる。
Next, an assembling process up to the formation of a package of the lead frame 10 on which the wiring board 20 is mounted will be described. As shown in FIG.
A conductive resin paste or the like is applied to the semiconductor chip mounting pads 21 and 22 and predetermined semiconductor chips 31 and 32 are bonded by die bonding. Next, the semiconductor chip 3
The electrode pads 1 and 32 and the inner leads 11 are connected by wire bonding. Furthermore, a resin-sealed integrated circuit as a final product is obtained through a resin molding step (not shown), cutting of tie bars and the like, and a bending step of external terminals. In the above assembling step, the outer electrode pads 31A to 31A of the semiconductor chip 31 mounted on the wiring board 20 are formed.
Since the G and the inner ends of the inner leads 11A to 11G are arranged close to each other, the electrode pads 31A to 31G and the inner ends of the inner leads 11A to 11G can be directly connected by wire bonding. For this reason, there is no need to form complicated wiring on the wiring substrate 20, and the wiring substrate 2
As 0, a one-layer substrate may be used, and it is not necessary to use a laminated substrate. As a result, the thickness of the wiring board 20 can be reduced, and the thickness of the entire package can be reduced. Therefore, while maintaining the reliability of the semiconductor integrated circuit, the thinning of the integrated circuit component, which is a demand from the mounting surface, is required. Can be achieved. Furthermore, since an expensive laminated board is no longer required, the cost of the wiring board 20 can be reduced, and the cost of the final integrated circuit component can be reduced.

【0010】また、延出したインナーリードにより配線
基板20を支持させるようにしたことにより、従来必要
とされていた配線基板保持用のアイランドおよびアイラ
ンドを支持する吊りリードが不要となるため、吊りリー
ド切断用の金型が不要になると共に吊りリード切断工程
の廃止によりカットアンドベント工程時間を短縮させる
ことができる。さらに、従来必要であった半導体チップ
とインナーリード間の中継用電極パッド(図6参照)を
配線基板20上に設ける必要がなくなるため、基板面積
を図6に示す従来例に比べ約25%と大幅に縮小させる
ことができ、マルチチップパッケージの全体形状を小さ
くすることができるので、最終集積回路部品の実装面積
を低減させることができるとともに、配線基板20のコ
ストダウンを図ることができる。また、中継用パッドが
不要になったことにより、インナーリード11の内端部
と半導体チップ31の電極パッド間の距離が短縮され、
従来最大2.5mm 程度であったボンディングワイヤ長を1.
5mm 程度の理想的な長さに短縮させることができるの
で、ワイヤボンディングの信頼性を高めることが可能に
なった。また、従来必要であった配線基板20の中継用
電極パッドと半導体チップ間のワイヤボンディングが不
要となるため、ワイヤボンディング回数が減少しワイヤ
ボンディング工数を削減させることができる。
In addition, since the wiring board 20 is supported by the extended inner leads, the conventionally required island for holding the wiring board and the suspension lead for supporting the island are not required. A cutting die is not required, and the cut and vent process time can be shortened by eliminating the hanging lead cutting process. Further, since it is not necessary to provide a relay electrode pad (see FIG. 6) between the semiconductor chip and the inner lead, which has been conventionally required, on the wiring substrate 20, the substrate area is reduced by about 25% as compared with the conventional example shown in FIG. Since the size can be greatly reduced and the overall shape of the multichip package can be reduced, the mounting area of the final integrated circuit component can be reduced, and the cost of the wiring board 20 can be reduced. Further, since the relay pad is not required, the distance between the inner end of the inner lead 11 and the electrode pad of the semiconductor chip 31 is reduced,
The bonding wire length, which was about 2.5 mm in the past, is 1.
Since the length can be reduced to an ideal length of about 5 mm, the reliability of wire bonding can be improved. Further, since wire bonding between the relay electrode pad of the wiring board 20 and the semiconductor chip, which is required in the related art, becomes unnecessary, the number of wire bondings can be reduced, and the number of wire bonding steps can be reduced.

【0011】つぎに、本発明の第2実施例を図4により
説明する。第2実施例においては、図示上方に位置する
インナーリード11の一部11P〜11Rを下方に延出
させ、図示下方のインナーリード11の内端に同一平面
内にて並列して形成するようにした。このように第2実
施例を構成したことにより、第1実施例と同様にインナ
ーリード11P〜11Rにより配線基板20を支持させ
ることができると共に、下側の半導体チップ32の外側
の電極パッド32P〜32Rとインナーリード11P〜
11Rのワイヤボンディングを直接行うことが可能にな
った。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, parts 11P to 11R of the inner lead 11 located at the upper part of the drawing are extended downward, and are formed in parallel on the same plane at the inner end of the inner lead 11 at the lower part of the drawing. did. By configuring the second embodiment in this manner, the wiring board 20 can be supported by the inner leads 11P to 11R in the same manner as in the first embodiment, and the outer electrode pads 32P to the lower semiconductor chip 32 can be supported. 32R and inner lead 11P ~
11R wire bonding can be performed directly.

【0012】つぎに、本発明の第3実施例を図5により
説明する。第3実施例においては、図示上方および下方
のインナーリード11の一部11S〜11Uを配線基板
20の略中間位置にまで延出させ、さらに延出されたイ
ンナーリード11の内端周囲の配線基板20に開口部2
0aを形成するようにした。上記のように第3実施例を
構成したことにより、第1実施例と同様にインナーリー
ド11S〜11Uにより配線基板20を支持させること
ができると共に、半導体チップ31,32の内側の電極
パッド31T,31Uおよび32Sと離れた位置にある
インナーリード11S〜11Uとのワイヤボンディング
を直接行うことが可能になった。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment, portions 11S to 11U of the upper and lower inner leads 11 in the drawing extend to a substantially intermediate position of the wiring board 20, and further, the wiring board around the inner end of the extended inner lead 11 Opening 2 at 20
0a was formed. By configuring the third embodiment as described above, the wiring board 20 can be supported by the inner leads 11S to 11U as in the first embodiment, and the electrode pads 31T, inside the semiconductor chips 31, 32 can be supported. Wire bonding with the inner leads 11S to 11U at positions distant from 31U and 32S can be performed directly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るマルチチップパッケー
ジのリードフレームと配線基板の組み付け状態を示す概
略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an assembled state of a lead frame and a wiring board of a multi-chip package according to one embodiment of the present invention.

【図2】同リードフレームの全体平面図である。FIG. 2 is an overall plan view of the lead frame.

【図3】配線基板のリードフレーム上への組み付け方法
を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a method of assembling a wiring board on a lead frame.

【図4】第2実施例に係るリードフレームの概略平面図
である。
FIG. 4 is a schematic plan view of a lead frame according to a second embodiment.

【図5】第3実施例に係るリードフレームの概略平面図
である。
FIG. 5 is a schematic plan view of a lead frame according to a third embodiment.

【図6】従来例に係るマルチチップパッケージのリード
フレームと配線基板の組み付け状態を示す概略平面図で
ある。
FIG. 6 is a schematic plan view showing an assembled state of a lead frame and a wiring board of a multi-chip package according to a conventional example.

【図7】従来例に係る積層配線基板の分解平面図であ
る。
FIG. 7 is an exploded plan view of a laminated wiring board according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…リードフレーム、11…インナーリード、11A
〜11G,11P〜11R,11S〜11U…インナー
リード延出部分、12…タイバー、13…外部端子、2
0…配線基板、31,32…半導体チップ。
10: Lead frame, 11: Inner lead, 11A
11G, 11P to 11R, 11S to 11U: inner lead extension portion, 12: tie bar, 13: external terminal, 2
0: wiring board, 31, 32: semiconductor chip.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の半導体チップを載置する配線基板
を配設する基板配設部位を備え、該基板配設部位を囲ん
で同基板配設部位と略同一面内にてそれぞれ内端部が対
向し外端部が外部端子に接続された複数のインナーリー
ドを有するリードフレームを備えた樹脂封止型マルチチ
ップパッケージにおいて、前記インナーリードの少なく
とも一部を前記基板配設部位に延在させてその上面に前
記配線基板を載置固定し、かつ延在させた前記インナー
リードの各内端部と前記配線基板上の電極パターン、又
は配線基板に載置した前記半導体チップの所定の電極パ
ッドのいずれかとを直接ワイヤボンディングにより接続
したことを特徴とする樹脂封止型マルチチップパッケー
ジ。
A substrate mounting portion for mounting a wiring substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted; and an inner end portion surrounding the substrate mounting portion and substantially in the same plane as the substrate mounting portion. In a resin-sealed multi-chip package including a lead frame having a plurality of inner leads whose opposed outer ends are connected to external terminals, at least a part of the inner leads is extended to the substrate mounting portion. The wiring board is mounted and fixed on the upper surface thereof, and each inner end of the inner lead extended and an electrode pattern on the wiring board or a predetermined electrode pad of the semiconductor chip mounted on the wiring board A resin-sealed multi-chip package characterized by being directly connected to any one of the above by wire bonding.
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