JP2929196B2 - Heating equipment - Google Patents
Heating equipmentInfo
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- JP2929196B2 JP2929196B2 JP63228960A JP22896088A JP2929196B2 JP 2929196 B2 JP2929196 B2 JP 2929196B2 JP 63228960 A JP63228960 A JP 63228960A JP 22896088 A JP22896088 A JP 22896088A JP 2929196 B2 JP2929196 B2 JP 2929196B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、加熱装置に関する （従来の技術） 半導体製造において、被処理体例えば半導体ウエハに
フォトレジストを塗布した後に、このフォトレジストの
溶媒の乾燥除去、フォトレジストの硬化処理等の目的
で、上記半導体ウエハの加熱処理するベーキング工程が
ある。そして、このベーキングは一般に、発熱体をヒー
ター等の熱源により加熱し、この発熱体上に上記半導体
ウエハを載置して加熱処理するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a heating device. (Prior art) In a semiconductor manufacturing, after a photoresist is applied to an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, There is a baking step of heating the semiconductor wafer for the purpose of drying and removing the solvent of the photoresist and curing the photoresist. In general, the baking is to heat a heating element by a heat source such as a heater, and place the semiconductor wafer on the heating element to perform a heating process.
上記加熱を行う装置例として、例えば、特開昭54−12
5978、特開昭58−21332、特開昭58−44721、特開昭58−
223340、特開昭61−23321、特開昭61−67224、特開昭61
−152023、特開昭61−201426、特開昭61−256721号公報
等で開示されたものがある。As an example of an apparatus for performing the above heating, for example, JP-A-54-12
5978, JP-A-58-21332, JP-A-58-44721, JP-A-58-44721
223340, JP-A-61-23321, JP-A-61-67224, JP-A-61-67224
-152023, JP-A-61-201426, JP-A-61-256721 and the like.
（発明が解決しようとする課題） 半導体ウエハ表面へのフォトレジスト塗布方法とし
て、半導体ウエハ上にフォトレジスト液を滴下した後、
この半導体ウエハを回転して塗布するスピンコーティン
グ法が行われている。この塗布において、半導体ウエハ
の周縁部裏面にフォトレジストが回り込むことがあるた
め、リンス液等で裏面洗浄を行って除去することが行わ
れるが、回り込み付着したフォトレジストの完全な除去
は難しく微量ではあるが付着残存するのは避け難い。(Problems to be Solved by the Invention) As a method of applying a photoresist on a semiconductor wafer surface, after a photoresist solution is dropped on a semiconductor wafer,
A spin coating method of rotating and applying the semiconductor wafer has been performed. In this application, since the photoresist may wrap around the peripheral edge back surface of the semiconductor wafer, it is removed by performing back surface cleaning with a rinsing liquid or the like. Although it is present, it is unavoidable that it remains attached.
したがって、周縁部裏面にフォトレジストが付着した
ままの半導体ウエハを加熱装置に載置すると、上記フォ
トレジストが半導体ウエハから剥離して加熱装置の発熱
体表面に付着して残存する可能性がある。この付着量が
微量のうちは無視することもできるが、半導体ウエハの
加熱処理を続けているうちに次第に増加して、例えば、
クリーンな半導体ウエハに付着してしまったり、大量に
付着した場合には他工程例えばステッパー装置でフォー
カスエラーの一原因になるとか、また付着が微量であっ
ても搬送途中で剥離してごみとして飛散し汚染源になっ
てしまう可能性がある。Therefore, when the semiconductor wafer with the photoresist adhered to the back surface of the peripheral portion is placed on the heating device, the photoresist may be separated from the semiconductor wafer and adhered to the surface of the heating element of the heating device and may remain. Although the amount of adhesion can be neglected in a very small amount, it gradually increases while the heat treatment of the semiconductor wafer is continued, for example,
If it adheres to a clean semiconductor wafer, or if it adheres in large quantities, it may cause a focus error in another process, such as a stepper device. And may be a source of pollution.
したがって、上記発熱体表面に付着したフォトレジス
トは出来る限り早期に除去しておくのが望ましい。Therefore, it is desirable to remove the photoresist adhering to the surface of the heating element as early as possible.
従来装置では一旦発熱体の温度を下げて常温程度に戻
して溶剤で洗浄し上記付着したフォトレジストを除去し
た後、発熱体を昇温していた。しかし、発熱体は、加熱
温度の均一性を得るために一般に熱容量を大きく形成し
てあるので上記昇降温に要する時間は長く、且つ溶剤に
よる洗浄は安全面から取扱上注意を必要とし、装置の停
止時間を長く必要とし生産性が低下する等の問題があっ
た。In the conventional apparatus, the temperature of the heating element was once increased by lowering the temperature of the heating element to return it to about normal temperature, washing with a solvent to remove the attached photoresist, and then removing the photoresist. However, since the heating element is generally formed with a large heat capacity in order to obtain a uniform heating temperature, the time required for raising and lowering the temperature is long, and cleaning with a solvent requires care in handling from a safety point of view. There was a problem that a long stopping time was required and productivity was lowered.
本発明は上記従来事情に対応してなされたもので、発
熱体表面の清掃が容易で、クリーンな加熱処理可能な加
熱装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a heating device that can easily clean the surface of a heating element and that can perform a clean heat treatment.
（課題を解決するための手段） （１）フォトレジストを塗布した被処理体を発熱板に載
置して加熱処理する装置において、 発熱板の載置面と間隔をおいて対向するように一方向
に沿って形成されたガス流出孔及びガス排出孔を備えた
ガス流出部と、 このガス流出部を前記一方向と直交する方向に移動さ
せるための移動手段と、を備え、 被処理体を所定枚数加熱処理し、加熱処理された被処
理体を上記発熱板から搬出した後、上記被処理体から剥
離して上記発熱板に付着したフォトレジストを分解除去
するために、上記ガス流出部を移動手段により移動させ
ながら、ガス流出孔から酸化性ガスを加熱状態にある発
熱板に供給すると共に、酸化性ガスとフォトレジストと
の反応生成ガスを排出項から排出することを特徴とす
る。(Means for Solving the Problems) (1) In an apparatus in which an object to be processed coated with a photoresist is placed on a heat generating plate and subjected to heat treatment, one of the objects is opposed to the mounting surface of the heat generating plate at an interval. A gas outflow portion provided with a gas outflow hole and a gas exhaust hole formed along a direction; and a moving means for moving the gas outflow portion in a direction orthogonal to the one direction. A predetermined number of heat treatments are performed, and after the heated object to be processed is carried out from the heating plate, the gas outflow portion is used to decompose and remove the photoresist adhered to the heating plate by being separated from the object to be processed. The oxidizing gas is supplied from the gas outlet to the heating plate in a heated state while being moved by the moving means, and the reaction product gas of the oxidizing gas and the photoresist is discharged from the discharge section.
（作用） 本発明によれば、フォトレジストを塗布した被処理体
を加熱処理した後、載置台に対して酸化性ガスを供給し
ているので、酸化性ガスの酸化作用により、上記載置台
の表面に付着した付着物を、載置台を加熱した状態で酸
化しガスとして除去できる。(Operation) According to the present invention, since the oxidizing gas is supplied to the mounting table after the object to which the photoresist is applied is subjected to the heat treatment, the oxidizing action of the oxidizing gas causes Deposits adhering to the surface can be oxidized and removed as a gas while the mounting table is heated.
（実施例） 以下、本発明加熱装置をレジスト塗布後の加熱処理装
置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。(Embodiment) An embodiment in which the heating apparatus of the present invention is applied to a heat treatment apparatus after resist application will be described below with reference to the drawings.
基台（１）には、温度制御機構（図示せず）によって
制御されるヒーター（図示せず）を内蔵し、被処理体例
えばスピンコーティング法によって表面にレジストが塗
布された半導体ウエハ（２）を載置して80℃〜250℃程
度の範囲内の温度で加熱することにより熱処理する発熱
体例えば方形板状に形成された発熱板（３）が上記基台
（１）に平行状態に取着されている。また、この発熱板
（３）の図の左右両端側には、半導体ウエハ（２）を載
置して搬送するベルト式の搬送機構（図示せず）がそれ
ぞれ配置されており、さらに、上記発熱板（３）の図の
左右方向に亘り、ウォーキングビーム方式と呼称される
搬送機構の搬送ビーム（図示せず）が設けられている。
そして、上記搬送機構（図示せず）により図の左方向か
ら搬送されてきた半導体ウエハ（２）を上記搬送ビーム
（図示せず）を上昇させることにより載置して持ち上げ
て図の右方向に向って所定距離搬送し、その後上記搬送
ビーム（図示せず）を下降させて上記半導体ウエハ
（２）を発熱板（３）に載置可能に構成されている。同
時に、上記発熱板（３）に載置されていた半導体ウエハ
（２）を搬出して発熱板（３）右側に設けられている搬
送機構（図示せず）に移し搬出可能に構成されている。The base (1) has a built-in heater (not shown) controlled by a temperature control mechanism (not shown), and an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (2) having a surface coated with a resist by spin coating. The heating element, for example, a heating plate (3) formed in a rectangular plate shape, which is subjected to heat treatment by heating at a temperature in the range of about 80 ° C. to 250 ° C., is placed parallel to the base (1). Is being worn. A belt-type transfer mechanism (not shown) for mounting and transferring the semiconductor wafer (2) is disposed on each of the left and right ends of the heating plate (3) in the drawing. A transport beam (not shown) of a transport mechanism called a walking beam system is provided in the left-right direction of the drawing of the plate (3).
Then, the semiconductor wafer (2) transferred from the left side of the figure by the transfer mechanism (not shown) is placed and lifted by raising the transfer beam (not shown) to the right in the figure. The semiconductor wafer (2) can be placed on the heating plate (3) by lowering the transfer beam (not shown). At the same time, the semiconductor wafer (2) mounted on the heating plate (3) can be unloaded and transferred to a transfer mechanism (not shown) provided on the right side of the heating plate (3). .
一方、上記発熱板（３）の周囲には、この発熱板
（３）の上面に向けてアッシングガス例えば酸化性のガ
スであるオゾン（O3）を含む混合ガスを流出させるガス
流出機構（４）が設けられている。先ず、発熱板（３）
の図の前後側には各１個ずつガイドレール（５）（６）
が図の左右方向に平行に基台（１）に敷設されている。
また、この各ガイドレール（５）（６）に滑合し、モー
タ（７）に連結されたボールネジ（８）の回転により左
右に移動可能に構成され、図の前後に細長く形成された
ガス流出部（９）が取着されたガス流出部取付部材（1
0）が設けられており、通常は発熱板（３）の左側に待
機する如く構成されている。この例ではガイドレール
（５）（６）、モータ（７）及びボールネジ（８）は、
ガス流出部（９）を発熱板（３）の左（右）端から右
（左）端に移動させる移動手段をなしている。On the other hand, around the heating plate (3), a gas outflow mechanism (4) for flowing a mixed gas containing an ashing gas, for example, ozone (O 3 ), which is an oxidizing gas, toward the upper surface of the heating plate (3). ) Is provided. First, the heating plate (3)
Guide rails (5) and (6) on the front and rear sides of the figure
Are laid on the base (1) in parallel to the left-right direction in the figure.
In addition, the guide rails (5) and (6) are configured to be able to slide left and right by rotation of a ball screw (8) connected to a motor (7), and to be elongated in the front and rear of the drawing. Gas outlet attachment member (1
0), and is usually configured to wait on the left side of the heating plate (3). In this example, the guide rails (5) and (6), the motor (7) and the ball screw (8)
Moving means for moving the gas outflow portion (9) from the left (right) end of the heating plate (3) to the right (left) end is provided.
上記ガス流出部（９）は第２図に示すように、発熱板
（３）との対向面にガスを流周および排気するためのガ
ス流出排出板（11）が設けられている。詳しくは、例え
ば、ガス供給管（12）から供給されたガスを発熱板
（３）に向って流出させる細長いスリット状の溝に形成
された１個のガス流出孔（13）と、このガス流出孔（1
3）の両側に形成されガスをガス排気管（14）を通して
排気する細長いスリット状の溝に形成されたガス排出孔
（15）（16）とを備えている。As shown in FIG. 2, the gas outflow portion (9) is provided with a gas outflow and discharge plate (11) for flowing and exhausting gas on the surface facing the heat generating plate (3). More specifically, for example, one gas outflow hole (13) formed in an elongated slit-like groove through which gas supplied from the gas supply pipe (12) flows out toward the heating plate (3); Hole (1
3) Gas exhaust holes (15) and (16) formed in elongated slit-like grooves formed on both sides for exhausting gas through a gas exhaust pipe (14).
また、上記ガス流出部（９）のガス供給管（12）はバ
ルブ（17）を介して順に流量調節器（18）、オゾン発生
器（19）、酸素供給源（20）に接続されており、ガス排
気管（14）は排気装置（21）に接続されている。上記の
如くガス流出機構（４）が構成されている。なお、上記
発熱板（３）の下面周辺部分および上記基台（１）の発
熱板（３）上方部分には、熱の発散を防止するための断
熱手段（図示せず）が設けられている。The gas supply pipe (12) of the gas outlet (9) is connected to a flow controller (18), an ozone generator (19), and an oxygen supply source (20) through a valve (17). The gas exhaust pipe (14) is connected to the exhaust device (21). The gas outflow mechanism (4) is configured as described above. In addition, a heat insulating means (not shown) for preventing heat from dissipating is provided in a peripheral portion of a lower surface of the heat generating plate (3) and a portion above the heat generating plate (3) of the base (1). .
次に、動作を説明する。 Next, the operation will be described.
先ず、搬送機構（図示せず）により、表面にフォトレ
ジスト膜の塗布された半導体ウエハ（２）を発熱板
（３）の左側位置に搬送し、搬送ビーム（図示せず）に
より載置して図の右方向に搬送して発熱板（３）の所定
位置に載置する。そして、発熱板（３）の温度を例えば
200℃に設定して上記半導体ウエハ（２）を所定の時間
加熱し、熱処理を行う。この熱処理が終了すると、搬送
ビーム（図示せず）を動作させて、上記処理の終了した
半導体ウエハ（２）を上記発熱板（３）から搬出して、
発熱板（３）の右側の搬送機構（図示せず）に移して搬
出すると共に、次に処理すべき半導体ウエハ（２）を発
熱板（３）に載置して加熱する。以後、上記動作を繰返
して半導体ウエハ（２）の熱処理を行う。First, a semiconductor wafer (2) having a surface coated with a photoresist film is transferred to a position on the left side of a heating plate (3) by a transfer mechanism (not shown), and is placed by a transfer beam (not shown). It is conveyed rightward in the figure and placed on a predetermined position of the heating plate (3). Then, the temperature of the heating plate (3) is set to, for example,
The semiconductor wafer (2) is heated at a temperature of 200 ° C. for a predetermined time to perform a heat treatment. When the heat treatment is completed, a carrier beam (not shown) is operated to carry out the semiconductor wafer (2) after the processing from the heating plate (3).
The semiconductor wafer (2) to be processed next is placed on the heating plate (3) and heated while being transferred to a transfer mechanism (not shown) on the right side of the heating plate (3). Thereafter, the above operation is repeated to perform the heat treatment on the semiconductor wafer (2).
上記熱処理を繰返すことにより半導体ウエハ（２）の
周縁部裏面に付着していたフォトレジストが剥離して付
着物として発熱板（３）上に付着残存しこの付着量が漸
増しごみ発生の点で不都合が発生する前に、半導体ウエ
ハ（２）の新な熱処理を一旦中断する。By repeating the above heat treatment, the photoresist adhering to the back surface of the peripheral portion of the semiconductor wafer (2) is peeled off and adheres and remains on the heat generating plate (3) as an adhered substance. Before the inconvenience occurs, the new heat treatment of the semiconductor wafer (2) is temporarily stopped.
そして、上記発熱板（３）を加熱したままの状態でガ
ス流出機構（４）を動作させ、発熱板（３）上に付着残
存しているフォトレジスト（22）を除去する。Then, the gas outflow mechanism (4) is operated while the heating plate (3) is heated, and the photoresist (22) remaining on the heating plate (3) is removed.
すなわち、モータ（７）を駆動してボールネジ（８）
を回転させ、ガス流出部取付部材（10）すなわちガス流
出部（９）を図の右方向に向って10〜50mm/sec程度の速
度で移動させる。そして、バルブ（17）を開け、酸素供
給源（20）から酸素（O2）ガスを原料としてオゾン発生
器（19）により生成されたオゾン（O3）を含むガスを流
量調節器（18）で流量調節して、半導体ウエハ（２）が
発熱板（３）に載置されていない時、この発熱板（３）
に向って、流出させる。この時、ガス流出部（９）のガ
ス流出排出板（11）と発熱板（３）との中間の空間部に
は、第２図に矢印で示すように、ガス流周孔（13）から
出て発熱板（３）に向い、また発熱板（３）から戻りガ
ス排出孔（15）（16）から排気されるようなガスの流れ
が形成される。上記ガス中に含まれているオゾンは加熱
されているフォトレジスト（22）および周辺の雰囲気に
より分解され酸素原子ラジカルが発生し、この酸素原子
ラジカルがフォトレジスト（22）を化学分解する。そし
て上記フォトレジスト（22）が排ガスとして発熱板
（３）から除去し、ガス排出孔（15）（16）から排出す
る。That is, the motor (7) is driven to drive the ball screw (8).
To move the gas outlet attachment member (10), that is, the gas outlet (9), to the right in the drawing at a speed of about 10 to 50 mm / sec. Then, a valve (17) is opened, and a gas containing ozone (O 3 ) generated by an ozone generator (19) using oxygen (O 2 ) gas as a raw material from an oxygen supply source (20) is supplied to a flow controller (18). When the semiconductor wafer (2) is not placed on the heat generating plate (3), the heat generating plate (3) is adjusted.
And let it flow out. At this time, as shown by an arrow in FIG. 2, a space between the gas outflow / discharge plate (11) and the heating plate (3) in the gas outflow portion (9) extends from the gas flow peripheral hole (13). A gas flow is formed that exits and faces the heating plate (3), and is returned from the heating plate (3) and exhausted from the gas exhaust holes (15) and (16). Ozone contained in the gas is decomposed by the heated photoresist (22) and the surrounding atmosphere to generate oxygen atom radicals, and the oxygen atom radicals chemically decompose the photoresist (22). Then, the photoresist (22) is removed from the heat generating plate (3) as exhaust gas, and is discharged from the gas discharge holes (15) and (16).
この際、発熱板（３）は加熱状態にあるため従来のよ
うに冷却・加熱を繰返す必要はなく、また溶剤等は使用
しないので、短時間で自動的に発熱板（３）に付着した
フォトレジスト（22）を除去することができる。At this time, since the heating plate (3) is in a heated state, it is not necessary to repeat cooling and heating as in the prior art, and since a solvent or the like is not used, the photo-adhering plate (3) automatically adheres to the heating plate (3) in a short time. The resist (22) can be removed.
なお、上記ガス流出部（９）の移動は、例えば遅い速
度で１往復させても良いし、速い速度で複数回往復移動
させても良い。The gas outlet (9) may be moved back and forth once at a low speed, or may be moved back and forth a plurality of times at a high speed.
上記のようにして、発熱板（３）に付着したフォトレ
ジスト（22）の除去が終了すると、次に処理すべき半導
体ウエハ（２）を発熱板（３）に載置した熱処理を再開
する。When the removal of the photoresist (22) adhered to the heating plate (3) is completed as described above, the heat treatment in which the semiconductor wafer (2) to be processed next is placed on the heating plate (3) is restarted.
なお、上記発熱板（３）からのフォトレジスト（22）
の除去は、半導体ウエハ（２）の周縁部裏面に付着した
フォトレジストの量、発熱板（３）上への付差残存した
量等の実際の状況に対応して必要な時に行えばよく、例
えば半導体ウエハ（２）１枚毎でもよく、10枚毎、100
枚毎、…等、任意に設定して行えばよい。The photoresist (22) from the heating plate (3)
May be removed when necessary in accordance with the actual situation, such as the amount of photoresist adhering to the back surface of the peripheral portion of the semiconductor wafer (2), the amount of the difference remaining on the heating plate (3), and the like. For example, the semiconductor wafer (2) may be every single wafer, every ten wafers, every 100 wafers.
What is necessary is just to set arbitrarily, such as for each sheet,.
また、上記実施例では、ガス流出部（９）のガス流出
は、ガス流出排出板（11）によりガスの流出と排出を近
傍にて行う構成のものについて説明したが、例えばガス
流出のみを行うようにし、発熱板（３）周辺部から排気
するように構成してもよい。また、ガス流出部（９）を
上記実施例のように細長く形成して発熱板（３）上方を
移動させるのではなく、例えば上記発熱板（３）上面と
同程度の面積を有するガス流出部（９）にし、固定して
使用するように構成してもよい。Further, in the above embodiment, the gas outflow from the gas outflow portion (9) is described as a configuration in which the gas outflow and discharge are performed in the vicinity by the gas outflow and discharge plate (11). For example, only the gas outflow is performed. In such a manner, the exhaust may be performed from the periphery of the heating plate (3). Further, instead of forming the gas outflow portion (9) to be elongated as in the above-described embodiment and moving the gas outflow portion above the heating plate (3), for example, the gas outflow portion having the same area as the upper surface of the heating plate (3) is used. (9), and may be configured to be used fixedly.
さらに、上記実施例では、本発明をレジスト塗布後の
加熱処理装置に適用した一実施例について説明したが、
加熱機構を備え、この加熱機構に付着した付着物を酸化
して除去できるものであれば他の装置の何れにでも適用
でき、例えばウエハプローバ、LCDアッシャー、エッチ
ング装置、スパッタ装置等に適用することができる。Furthermore, in the above embodiment, one embodiment in which the present invention was applied to a heat treatment apparatus after resist application was described.
It can be applied to any other apparatus provided that it has a heating mechanism and can oxidize and remove the deposits attached to the heating mechanism.For example, it can be applied to a wafer prober, an LCD asher, an etching apparatus, a sputtering apparatus, and the like. Can be.
また、上記実施例ではアッシングガスとして、酸化性
のあるガスであるオゾンを含む混合ガスを使用した例に
ついて説明したが、酸化性のあるガスであれば他の何れ
でもよく、例えばNO、NO2、N2O、およびハロゲンである
CF4、C2F6、Cl2等を含む混合ガスを使用してもよい。Further, in the above embodiment, an example was described in which a mixed gas containing ozone, which is an oxidizing gas, was used as the ashing gas, but any other oxidizing gas may be used, for example, NO, NO 2 , N 2 O, and halogen
A mixed gas containing CF 4 , C 2 F 6 , Cl 2 or the like may be used.
上記のように本発明のよれば、発熱体に付着した付着
物を、短時間に容易に除去することが可能な加熱装置を
適用できる。As described above, according to the present invention, it is possible to apply a heating device capable of easily removing deposits attached to a heating element in a short time.
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明装置を実施するための加熱装置の一実施
例を示す構成図、第２図は第１図の主要部説明図であ
る。 ３……発熱板、４……ガス流出機構、 ９……ガス流出部、11……ガス流出排出板。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a heating device for carrying out the apparatus of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view of a main part of FIG. 3. Heat generating plate, 4. Gas outflow mechanism, 9. Gas outflow section, 11 Gas outflow discharge plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−107117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−290134（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/027 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-63-107117 (JP, A) JP-A-62-290134 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/3065 H01L 21/027
Claims (1)
板に載置して加熱処理する装置において、 発熱板の載置面と間隔をおいて対向するように一方向に
沿って形成されたガス流出孔及びガス排出孔を備えたガ
ス流出部と、 このガス流出部を前記一方向と直交する方向に移動させ
るための移動手段と、 を備え、 被処理体を所定枚数加熱処理し、加熱処理された被処理
体を上記発熱板から搬出した後、上記被処理体から剥離
して上記発熱板に付着したフォトレジストを分解除去す
るために、上記ガス流出部を移動手段により移動させな
がら、ガス流出孔から酸化性ガスを加熱状態にある発熱
板に供給すると共に、酸化性ガスとフォトレジストとの
反応生成ガスを排出孔から排出することを特徴とする加
熱装置。1. An apparatus for performing a heat treatment by mounting a workpiece coated with a photoresist on a heat generating plate, wherein the object is formed along one direction so as to face a mounting surface of the heat generating plate at an interval. A gas outlet provided with a gas outlet and a gas outlet, and a moving means for moving the gas outlet in a direction orthogonal to the one direction. After unloading the processed object from the heating plate, in order to decompose and remove the photoresist adhered to the heating plate peeled from the object, while moving the gas outflow portion by moving means, A heating device for supplying an oxidizing gas from a gas outlet to a heating plate in a heated state, and discharging a reaction product gas of the oxidizing gas and the photoresist from an outlet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228960A JP2929196B2 (en) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | Heating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228960A JP2929196B2 (en) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | Heating equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276218A JPH0276218A (en) | 1990-03-15 |
| JP2929196B2 true JP2929196B2 (en) | 1999-08-03 |
Family
ID=16884559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
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1988
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Also Published As
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|---|---|
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