JP2925375B2 - Molding method for mold part in electronic component - Google Patents

Molding method for mold part in electronic component

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JP2925375B2
JP2925375B2 JP24951791A JP24951791A JP2925375B2 JP 2925375 B2 JP2925375 B2 JP 2925375B2 JP 24951791 A JP24951791 A JP 24951791A JP 24951791 A JP24951791 A JP 24951791A JP 2925375 B2 JP2925375 B2 JP 2925375B2
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molding
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、IC等のように半導体
チップを備えた電子部品において、その半導体チップの
部分をパッケージする合成樹脂製のモールド部を成形す
る方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a synthetic resin molded part for packaging a semiconductor chip in an electronic component having a semiconductor chip such as an IC.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、この種の電子部品は、従来から
良く知られ、且つ、図5及び図6に示すように、薄い金
属板製のリードフレームAに、アイランド部Bを一体的
に造形すると共に、細幅に形成した多数本のリード端子
Cを、当該各リード端子Cの先端におけるインナーリー
ドC1が前記アイランド部Bに向かって放射状に延びる
ように一体的に造形し、前記アイランド部Bの上面に半
導体チップDをマウントしたのち、この半導体チップD
と前記各インナーリードC1 との間を、細い金線Eにて
ワイヤーボンディングし、次いで、このリードフレーム
Aを、上下一対の金型F,Gにて挟み付け、この両金型
F,Gの間に形成したモールド部成形用キャビティーH
内に、前記リードフレームAの下面に沿って設けたゲー
トJより合成樹脂を溶融状態で注入することによって、
モールド部を形成するようにしている。
2. Description of the Related Art In general, this type of electronic component is well known in the art, and as shown in FIGS. 5 and 6, an island portion B is integrally formed on a lead frame A made of a thin metal plate. At the same time, a large number of narrow lead terminals C are integrally formed so that the inner leads C1 at the tips of the lead terminals C extend radially toward the island portions B, After mounting the semiconductor chip D on the upper surface of the semiconductor chip D
Wherein between each inner lead C 1, and wire bonding with a thin gold wires E and, then, the lead frame A, a pair of upper and lower molds F, pinched at G, the molds F, G Molding cavity C formed during
By injecting a synthetic resin in a molten state from a gate J provided along the lower surface of the lead frame A,
A mold section is formed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来にお
けるモールド部の成形方法は、リードフレームAを、上
下一対の金型F,Gにて挟み付けたとき、そのアイラン
ド部B及び各インナーリードC1 は、モールド部成形用
キャビティーH内において宙吊りの状態になっているの
で、前記キャビティーH内に、リードフレームAの下面
側におけるゲートJより溶融合成樹脂を注入したとき、
この溶融合成樹脂によって、前記アイランド部B及び各
インナーリードC1が、下から上向きに押し上げられる
ように変位して、このアイランド部Bにマウントした半
導体チップDと、各インナーリードC1 との間を接続す
る金線Eにストレスが掛かることになるから、この金線
Eが途中で切断したり、或いはこの金線Eにおける半導
体チップDに対する接合部、及びインナーリードC1に
対する接合部が外れたりすることが発生することによ
り、モールド部の成形に際して、不良品の発生率が可成
り高いと言う問題があった。
However, in the conventional molding method of the mold portion, when the lead frame A is sandwiched between a pair of upper and lower molds F and G, the island portion B and the respective inner leads C are formed. 1 is suspended in the mold part forming cavity H, so that when the molten synthetic resin is injected into the cavity H from the gate J on the lower surface side of the lead frame A,
This molten synthetic resin, the island portion B and the inner leads C1 is displaced so as to be pushed upward from below, and the semiconductor chip D was mounted on the island portion B, between each inner lead C 1 Since stress is applied to the gold wire E to be connected, the gold wire E is cut off in the middle, or the bonding portion of the gold wire E to the semiconductor chip D and the bonding portion to the inner lead C1 are disconnected. Has caused a problem that the rate of occurrence of defective products is considerably high when molding the molded part.

【0004】本発明は、この問題を解消できるようにし
たモールド部の成形方法を提供することを技術的課題と
するものである。
An object of the present invention is to provide a molding method of a mold part which can solve this problem.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「半導体チップがマウントされ且つこ
の半導体チップに対するリード端子を備えたリードフレ
ームを、上下一対の金型にて、その半導体チップ及びリ
ード端子におけるインナーリードが前記両金型における
モールド部成形用のキャビティー内 に位置するように挟
み付け、この状態で、前記両金型におけるキャビティー
内に溶融合成樹脂を注入するようにしたモールド部の成
形方法において前記リードフレームを、前記両金型間
に、その半導体チップが下向きになるように装填する一
方、前記両金型におけるキャビティー内に、前記キャビ
ティー内に注入される溶融合成樹脂によって溶けてこれ
と一体化する合成樹脂製のスペーサ体を、当該スペーサ
体にて前記半導体チップの下面側及び各リード端子にお
けるインナーリードの下面側を支持するように挿入し、
この状態で、前記キャビティー内に、前記溶融合成樹脂
を、前記リードフレームの上面側に設けたゲートより注
入することを特徴とする。」ものである。
In order to achieve the above technical object, the present invention provides a semiconductor device having a semiconductor chip mounted and mounted.
Lead frame with lead terminals for semiconductor chips
A pair of upper and lower molds is used for the
The inner lead at the lead terminal is
Hold it so that it is located in the cavity for molding
In this state, the cavities in the two molds
Of the mold part to inject molten synthetic resin
In the forming method, the lead frame is placed between the two molds.
First, load the semiconductor chip so that it faces downward.
On the other hand, in the cavity of the two dies,
Melted by the molten synthetic resin injected into the tee
The spacer body made of synthetic resin that integrates with the spacer
On the underside of the semiconductor chip and each lead terminal.
To support the lower side of the inner lead,
In this state, the molten synthetic resin is placed in the cavity.
And characterized by injected from the gate provided on the upper surface side of the lead frame. Is the thing.

【0006】[0006]

【作 用】このようにすると、半導体チップ及び各イ
ンナーリードには、モールド部成形用キャビティー内に
注入した溶融合成樹脂によって、下向きに押圧する力が
作用することになるが、これら半導体チップ及び各イン
ナーリードの下面側は、前記モールド部成形用キャビテ
ィー内に予め挿入した合成樹脂製のスペーサ体にて支持
されているので、前記半導体チップ及び各インナーリー
ドにおける下向き方向への変位を防止することができ
る。
[Work] In this manner, a downward pressing force acts on the semiconductor chip and each inner lead by the molten synthetic resin injected into the cavity for molding the molding portion. Since the lower surface side of each inner lead is supported by a synthetic resin spacer body previously inserted into the molding cavity, the downward displacement of the semiconductor chip and each inner lead is prevented. be able to.

【0007】一方、前記合成樹脂製のスペーサ体は、そ
の表面の一部がキャビティー内に注入される溶融合成樹
脂によって溶けて、当該溶融合成樹脂と一体化されるこ
とにより、前記半導体チップ及び各金線並びに各インナ
ーリードの部分をパッケージするモールド部の一部とな
るのである。
On the other hand, the synthetic resin spacer body is partially melted by the molten synthetic resin injected into the cavity and integrated with the molten synthetic resin to form the semiconductor chip and the spacer. It becomes a part of a mold part for packaging each gold wire and each inner lead.

【0008】[0008]

【発明の効果】このように、本発明によると、モールド
部の成形に際して、半導体チップ及び各インナーリード
が溶融合成樹脂によって変位することを防止できること
により、前記半導体チップと各インナーリードとの間を
接続する金線が途中で切断したり、金線の半導体チップ
及びインナーリードに対する接合部に外れが発生したり
することを確実に低減できるから、モールド部の成形に
際しての不良品の発生率を大幅に低減できる効果を有す
る。
As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the semiconductor chip and each inner lead from being displaced by the molten synthetic resin at the time of molding the molded portion, so that the gap between the semiconductor chip and each inner lead can be prevented. It is possible to reliably reduce disconnection of the gold wire on the way and disconnection of the gold wire from the semiconductor chip and the inner lead, thereby significantly reducing the rate of defective products when molding the molded part. It has the effect of being able to be reduced.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。図において符号1は、薄い金属板から打ち抜き形成
したリードフレームを示し、このリードフレーム1に
は、その両サイドフレーム2,3の間の部位に、アイラ
ンド部4が、支持バー5にて支持した状態で一体的に造
形されていると共に、多数本のリード端子6が、当該各
リード端子6の先端におけるインナーリード6aが前記
アイランド部4に向かって放射状に延びるように一体的
に造形されている。また、前記各リード端子6の間に
は、ダムバー7が一体的に造形されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawing, reference numeral 1 denotes a lead frame formed by punching a thin metal plate. In this lead frame 1, an island portion 4 is supported by a support bar 5 at a portion between both side frames 2 and 3. While being integrally formed in a state, a large number of lead terminals 6 are integrally formed such that inner leads 6 a at the tips of the respective lead terminals 6 extend radially toward the island portion 4. . A dam bar 7 is integrally formed between the lead terminals 6.

【0010】前記リードフレーム1におけるアイランド
部4の上面に半導体チップ8をダイボンディングしたの
ち、この半導体チップ8と前記各インナーリード6aと
の間を、細い金線9にてワイヤーボンディングする。そ
して、前記リードフレーム1を、上下一対の金型10,
11の間に、当該リードフレーム1におけるアイランド
部4にダイボンディングした半導体チップ8が下向きに
なるようにして挿入し、次いで、このリードフレーム1
を、両金型10,11にて挟み付けたのち、モールド部
成形用キャビティー12内に、前記リードフレーム1の
上面に沿って設けたゲート13より溶融合成樹脂を注入
することによって、モールド部を成形するのである。
After the semiconductor chip 8 is die-bonded to the upper surface of the island portion 4 of the lead frame 1, a thin gold wire 9 is wire-bonded between the semiconductor chip 8 and each of the inner leads 6 a. Then, the lead frame 1 is connected to a pair of upper and lower molds 10,
11, the semiconductor chip 8 die-bonded to the island portion 4 of the lead frame 1 is inserted so as to face downward.
Is sandwiched between the molds 10 and 11, and then a molten synthetic resin is injected into a molding cavity 12 through a gate 13 provided along the upper surface of the lead frame 1, thereby forming a molding portion. Is molded.

【0011】このモールド部の成形に先立って、前記キ
ャビティー12内には、リードフレーム1の下面側に、
前記モールド部と同じ材質の合成樹脂にて形成したスペ
ーサ体14を挿入するのであり、このスペーサ体14の
上面には、環状突起14aを一体的に設けて、この環状
突起14aの上面に前記各インナーリード6aの下面に
接当するように構成すると共に、その中心に突起14b
を一体的に設けて、この突起14bの上面が前記半導体
チップ8に対して接触するように構成する。
Prior to the molding of the mold portion, the cavity 12 is provided with a lower surface side of the lead frame 1.
The spacer body 14 made of the same material as the mold part is inserted into the spacer body 14. An annular protrusion 14a is integrally provided on the upper surface of the spacer body 14, and each of the annular protrusions 14a is provided on the upper surface of the annular protrusion 14a. The inner lead 6a is configured so as to be in contact with the lower surface, and the center thereof has a protrusion 14b.
Are provided integrally so that the upper surface of the projection 14b contacts the semiconductor chip 8.

【0012】このようにすると、半導体チップ8付きア
イランド部4及び各インナーリード6aには、モールド
部成形用キャビティー12内に注入した溶融合成樹脂に
よって、下向きに押圧する力が作用することになるが、
これら半導体チップ8及び各インナーリード6aの下面
側は、前記モールド部成形用キャビティー12内に予め
挿入した合成樹脂製のスペーサ体14にて支持されてい
るので、前記半導体チップ8及び各インナーリード6a
における下向き方向への変位を防止することができる。
In this way, a downward pressing force acts on the island portion 4 with the semiconductor chip 8 and each inner lead 6a by the molten synthetic resin injected into the cavity 12 for molding. But,
Since the lower surfaces of the semiconductor chip 8 and the inner leads 6a are supported by the synthetic resin spacers 14 previously inserted into the molding cavity 12, the semiconductor chip 8 and the inner leads 6a are formed. 6a
Can be prevented from displacing in the downward direction.

【0013】一方、前記合成樹脂製のスペーサ体14
は、その表面の一部がキャビティー12内に注入される
溶融合成樹脂によって溶けて、当該溶融合成樹脂と一体
化されることにより、前記半導体チップ8及び各金線9
並びに各インナーリード6aの部分をパッケージするモ
ールド部の一部となるのである。
On the other hand, the spacer body 14 made of synthetic resin is used.
The semiconductor chip 8 and the gold wires 9 are partially melted by the molten synthetic resin injected into the cavity 12 and integrated with the molten synthetic resin.
In addition, it becomes a part of a mold part for packaging a part of each inner lead 6a.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例におけるリードフレームの平面
図である。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のII−II視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図3】前記リードフレームを上下一対の金型間に挿入
したときの斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view when the lead frame is inserted between a pair of upper and lower molds.

【図4】図3のIV−IV視断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3;

【図5】従来の方法におけるリードフレームの平面図で
ある。
FIG. 5 is a plan view of a lead frame in a conventional method.

【図6】図5のVI−VI視断面図である。6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 2,3 サイドフレーム 4 アイランド部 5 支持バー 6 リード端子 6a インナーリード 7 ダムバー 8 半導体チップ 9 金線 10,11 金型 12 モールド部成形用キャビティー 13 ゲート 14 スペーサ体 14a 環状突起 14b 突起 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2, 3 Side frame 4 Island part 5 Support bar 6 Lead terminal 6a Inner lead 7 Dam bar 8 Semiconductor chip 9 Gold wire 10, 11 Mold 12 Molding cavity 13 Gate 14 Spacer body 14a Annular projection 14b Projection

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体チップがマウントされ且つこの半導
体チップに対するリード端子を備えたリードフレーム
を、上下一対の金型にて、その半導体チップ及びリード
端子におけるインナーリードが前記両金型におけるモー
ルド部成形用のキャビティー内に位置するように挟み付
け、この状態で、前記両金型におけるキャビティー内に
溶融合成樹脂を注入するようにしたモールド部の成形方
法において前記リードフレームを、前記両金型間に、その半導体チ
ップが下向きになるように装填する一方、前記両金型に
おけるキャビティー内に、前記キャビティー内に注入さ
れる溶融合成樹脂によって溶けてこれと一体化する合成
樹脂製のスペーサ体を、当該スペーサ体にて前記半導体
チップの下面側及び各リード端子におけるインナーリー
ドの下面側を支持するように挿入し、この状態で、前記
キャビティー内に、前記溶融合成樹脂を、 前記リードフ
レームの上面側に設けたゲートより注入することを特徴
とする電子部品におけるモールド部の成形方法。
A semiconductor chip is mounted and mounted on the semiconductor chip.
Frame with lead terminals for body chip
The semiconductor chip and the lead by a pair of upper and lower molds.
The inner leads at the terminals are
Sandwiched in the cavity for molding
In this state, in the cavity of both the molds
How to mold a mold part to inject molten synthetic resin
In the method, the lead frame is placed between the two dies by a semiconductor chip.
With the die facing down,
Into the cavity in the cavity
Synthesized by being melted and integrated with the molten synthetic resin
The resin spacer is connected to the semiconductor by the spacer.
Inner lead on the underside of the chip and each lead terminal
Insert to support the lower side of the
A method of molding a mold part in an electronic component , wherein the molten synthetic resin is injected into a cavity from a gate provided on an upper surface side of the lead frame.
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