JP2922663B2 - 超電導電流リード - Google Patents
超電導電流リードInfo
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Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各超電導体の分流比を
最適にできる超電導電流リードに関する。
最適にできる超電導電流リードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の超電導電流リードを図５に示す。
図６において、常温領域と液体ヘリウム温度（４．２
Ｋ）領域との間に液体窒素（７７Ｋ）温度領域を設け
て、７７Ｋと４．２Ｋ領域間を例えば液体窒素温度以上
で超電導となる酸化物超電導体１１ｂで接続する。この
超電導体１１ｂは酸化物のため熱伝導率が低く、金属製
の電流リードに比較した場合、７７Ｋから４．２Ｋ領域
への伝導熱侵入量を大幅に低減することができる。また
超電導体故に導体抵抗が無いことから、従来の金属製電
流リードのように通電によるジュール損失も生じない等
の利点を持つ。従って、酸化物高温超電導体は、特に液
体ヘリウムレベルの超電導機器用電流リードに応用する
ことにより、４．２Ｋ領域への熱侵入量を抑制して冷凍
機等冷却補機のコンパクト化と省電力化を図ることがで
きる。
図６において、常温領域と液体ヘリウム温度（４．２
Ｋ）領域との間に液体窒素（７７Ｋ）温度領域を設け
て、７７Ｋと４．２Ｋ領域間を例えば液体窒素温度以上
で超電導となる酸化物超電導体１１ｂで接続する。この
超電導体１１ｂは酸化物のため熱伝導率が低く、金属製
の電流リードに比較した場合、７７Ｋから４．２Ｋ領域
への伝導熱侵入量を大幅に低減することができる。また
超電導体故に導体抵抗が無いことから、従来の金属製電
流リードのように通電によるジュール損失も生じない等
の利点を持つ。従って、酸化物高温超電導体は、特に液
体ヘリウムレベルの超電導機器用電流リードに応用する
ことにより、４．２Ｋ領域への熱侵入量を抑制して冷凍
機等冷却補機のコンパクト化と省電力化を図ることがで
きる。
【０００３】このような酸化物超電導電流リードを実用
化する場合、２つの主要な問題がある。その第１は、超
電導体を銀等の金属シースで覆うとその部分でリードの
断熱性が損われる為、この種の電流リードは基本的には
酸化物のバルク材でなければならない。第２は数ｋＡ級
以上の大電流電流リードを得ようとする場合、その直径
を大きくして目標の臨界電流値（以下、ＩＣ値と言う）
を達成するより、比較的小さい径のバルクを複数並列に
構成する方が技術的にもまた性能及び信頼性の点からも
容易且つ有利となる。すなわち、大きな直径のバルクを
得るには設備も大規模なものが必要となると同時に、バ
ルクの径が大きくなるほど全体にわたって均質な超電導
体を得にくくなるため単位断面積当たりの臨界電流値
（以下、臨界電流密度ＪＣと言う）を維持することが技
術的に困難となる。このことは一定のＩＣ値を得るの
に、より大きな断面積の電流リードが必要となること意
味しており、断面積増加によって７７Ｋから４．２Ｋ間
の熱抵抗が減少して断熱性能も低下することになる。従
ってこの様な事情を勘案すると、大容量の超電導電流リ
ードの実際的な構成としては例えば図７のようになる。
すなわち、図８のような比較的直径の小さい複数の酸化
物超電導体（本例では２２，２３，２４の３本）を用い
て、常温側（７７Ｋ）端子２１ａと低温側（４．２Ｋ）
端子２１ｂ間を接続するような構造とする。
化する場合、２つの主要な問題がある。その第１は、超
電導体を銀等の金属シースで覆うとその部分でリードの
断熱性が損われる為、この種の電流リードは基本的には
酸化物のバルク材でなければならない。第２は数ｋＡ級
以上の大電流電流リードを得ようとする場合、その直径
を大きくして目標の臨界電流値（以下、ＩＣ値と言う）
を達成するより、比較的小さい径のバルクを複数並列に
構成する方が技術的にもまた性能及び信頼性の点からも
容易且つ有利となる。すなわち、大きな直径のバルクを
得るには設備も大規模なものが必要となると同時に、バ
ルクの径が大きくなるほど全体にわたって均質な超電導
体を得にくくなるため単位断面積当たりの臨界電流値
（以下、臨界電流密度ＪＣと言う）を維持することが技
術的に困難となる。このことは一定のＩＣ値を得るの
に、より大きな断面積の電流リードが必要となること意
味しており、断面積増加によって７７Ｋから４．２Ｋ間
の熱抵抗が減少して断熱性能も低下することになる。従
ってこの様な事情を勘案すると、大容量の超電導電流リ
ードの実際的な構成としては例えば図７のようになる。
すなわち、図８のような比較的直径の小さい複数の酸化
物超電導体（本例では２２，２３，２４の３本）を用い
て、常温側（７７Ｋ）端子２１ａと低温側（４．２Ｋ）
端子２１ｂ間を接続するような構造とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上、従来の技術とそ
れを応用した大容量電流リードの望ましい構造について
説明してきたが、図７のような構造の超電導電流リード
にした場合においても、次のような課題が残されてい
る。
れを応用した大容量電流リードの望ましい構造について
説明してきたが、図７のような構造の超電導電流リード
にした場合においても、次のような課題が残されてい
る。
【０００５】その第１は、超電導バルクの両端部と端子
間に生じる接合抵抗のばらつきである。周知の通り、酸
化物超電導バルクの共通の課題として電極付けの難しさ
がある。すなわち超電導バルクと端子との電気的な接続
を行う場合には、図８に示すように超電導母材２２の両
端部に何等かの金属を蒸着して電極２２ａ，２２ｂを構
成した上で、その電極部と端子２１ａ，２１ｂとを半田
付けするか、ろう付けする方法が用いられる。この時、
半田接合部分の抵抗値は無視できる程度に小さいが、問
題となるのが電極と超電導バルクとの間に生じる抵抗で
ある。一例として、直径１０ｍｍのＢｉ系超電導バルク
材の両端表面に１０ｍｍ長さの全周銀蒸着を施した時の
液体窒素中（７７Ｋ）における電極はバルク間と接合抵
抗値を数サンプル評価したところ、１０-6〜１０
-9（Ω）の範囲で“ばらつき”が見られた。この原因
は、蒸着の良否に起因するものと考えられ分類上は酸化
物超電導体と蒸着金属膜間の境界抵抗と推測される。こ
のような１０-9（Ω）オーダーと言った極めて小さいレ
ベルの境界抵抗値の“ばらつき”を無くすことは、現状
の技術では困難な状況である。しかし、このような接続
抵抗値のばらつきを許容したまま、図７に示す電流リー
ドを製作した場合、各超電導体２２，２３，２４を流れ
る電流の比は１０2 オーダーにもおよび、実質的には最
も接合抵抗値の小さい超電導体のみに電流が集中して並
列化した効果が無くなる。
間に生じる接合抵抗のばらつきである。周知の通り、酸
化物超電導バルクの共通の課題として電極付けの難しさ
がある。すなわち超電導バルクと端子との電気的な接続
を行う場合には、図８に示すように超電導母材２２の両
端部に何等かの金属を蒸着して電極２２ａ，２２ｂを構
成した上で、その電極部と端子２１ａ，２１ｂとを半田
付けするか、ろう付けする方法が用いられる。この時、
半田接合部分の抵抗値は無視できる程度に小さいが、問
題となるのが電極と超電導バルクとの間に生じる抵抗で
ある。一例として、直径１０ｍｍのＢｉ系超電導バルク
材の両端表面に１０ｍｍ長さの全周銀蒸着を施した時の
液体窒素中（７７Ｋ）における電極はバルク間と接合抵
抗値を数サンプル評価したところ、１０-6〜１０
-9（Ω）の範囲で“ばらつき”が見られた。この原因
は、蒸着の良否に起因するものと考えられ分類上は酸化
物超電導体と蒸着金属膜間の境界抵抗と推測される。こ
のような１０-9（Ω）オーダーと言った極めて小さいレ
ベルの境界抵抗値の“ばらつき”を無くすことは、現状
の技術では困難な状況である。しかし、このような接続
抵抗値のばらつきを許容したまま、図７に示す電流リー
ドを製作した場合、各超電導体２２，２３，２４を流れ
る電流の比は１０2 オーダーにもおよび、実質的には最
も接合抵抗値の小さい超電導体のみに電流が集中して並
列化した効果が無くなる。
【０００６】第２の問題点としては、超電導体のＩＣ値
のばらつきである。この種の超電導バルクは未だ理論的
解明も十分で無く、一定形状に成形し且つ同様の超電導
化処理を行ったとしても、それらのＩＣ値を同程度にコ
ントロールすることは現状において困難である。すなわ
ち、仮に前述の接合抵抗値がほぼ一定の値に揃ったとし
ても、超電導バルクのＩＣ値にばらつきがあった場合に
は、３本の超電導体２２，２３，２４の内の最も低いＩ
Ｃ値の３倍の電流値までしか実際には電流を流せないと
いう不合理が生じる。
のばらつきである。この種の超電導バルクは未だ理論的
解明も十分で無く、一定形状に成形し且つ同様の超電導
化処理を行ったとしても、それらのＩＣ値を同程度にコ
ントロールすることは現状において困難である。すなわ
ち、仮に前述の接合抵抗値がほぼ一定の値に揃ったとし
ても、超電導バルクのＩＣ値にばらつきがあった場合に
は、３本の超電導体２２，２３，２４の内の最も低いＩ
Ｃ値の３倍の電流値までしか実際には電流を流せないと
いう不合理が生じる。
【０００７】以上のように、複数の酸化物超電導体を並
列に構成した従来の超電導電流リードにおいては、超電
導体と電極間の接合抵抗値や超電導体自身のＩＣ値のば
らつきにより、並列に構成しても効率的に大容量化が図
れなかった。本発明の目的は、並列に構成された超電導
体から構成される電流リードの大容量化が可能になる超
電導電流リードを提供することにある。 ［発明の構成］
列に構成した従来の超電導電流リードにおいては、超電
導体と電極間の接合抵抗値や超電導体自身のＩＣ値のば
らつきにより、並列に構成しても効率的に大容量化が図
れなかった。本発明の目的は、並列に構成された超電導
体から構成される電流リードの大容量化が可能になる超
電導電流リードを提供することにある。 ［発明の構成］
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、常温側端子と
低温側端子を有し、これらの端子間に前記常温側端子へ
一端が接続され前記低温側端子へ他端が接続される超電
導体を複数設けた超電導電流リードの、前記超電導体と
直列に、設定可能なインダクタンスを有する超電導イン
ダクタを接続したものである。
低温側端子を有し、これらの端子間に前記常温側端子へ
一端が接続され前記低温側端子へ他端が接続される超電
導体を複数設けた超電導電流リードの、前記超電導体と
直列に、設定可能なインダクタンスを有する超電導イン
ダクタを接続したものである。
【０００９】
【作用】本発明は以上の構成により、接合抵抗値がばら
ついたり各超電導体のＩＣ値が相違する場合でも、超電
導体と直列に接続された超電導インダクタのインダクタ
ンス値を調整することにより、分流を最適にして、大容
量化が可能になる。
ついたり各超電導体のＩＣ値が相違する場合でも、超電
導体と直列に接続された超電導インダクタのインダクタ
ンス値を調整することにより、分流を最適にして、大容
量化が可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお図７及び図８と同様な部分については説明を
省略する。図１は本発明の超電導電流リードの構成図、
図２は本発明の超電導電流リードの各超電導体の構成
図、図３は本発明の超電導電流リードの等価回路であ
る。
する。なお図７及び図８と同様な部分については説明を
省略する。図１は本発明の超電導電流リードの構成図、
図２は本発明の超電導電流リードの各超電導体の構成
図、図３は本発明の超電導電流リードの等価回路であ
る。
【００１１】本発明は、超電導体２２，２３，２４の電
極２２ｂ，２３ｂ，２４ｂと低温側端子２１ｂとの間
に、そのインダクタンスを任意に設定できる超電導イン
ダクタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃを直列に設けたことを特
徴とする。従って、この超電導電流リードは超電導体２
２，２３，２４内部の抵抗及びインダクタンスや各電極
と端子間と言ったいわゆる金属間接合抵抗を零と考える
と、その等価回路は図３に示すように、各超電導バルク
と常温側電極２２ａ，２３ａ，２４ａとの接合抵抗Ｒ２
２ａ，Ｒ２３ａ，Ｒ２４ａと、低温側電極２２ｂ，２３
ｂ，２４ｂ部の接合抵抗Ｒ２２ｂ，Ｒ２３ｂ，Ｒ２４
ｂ、及び超電導インダクタのリアクタンスＸ２２，Ｘ２
３，Ｘ２４の直列回路となっている。尚、超電導インダ
クタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃは、金属系の超電導線を用
いた任意形状及び任意インダクタンス値を有する超電導
コイルとなっており、金属または高熱伝導性のセラミッ
クコイルボビン２２ｄ，２３ｄ，２４ｄに各々巻装、保
持されると同時に、その一端は各超電導体電極２２ｂ，
２３ｂ，２４ｂにまた他端は低温側端子２１ｂに各々半
田付け等の方法により接合されている。また超電導イン
ダクタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃは所定のピッチで巻かれ
ており、そのインダクタンス値を必要な値に設定する場
合には、ターン間を超電導線で必要数短絡する等の手段
により容易に調整できるような構造となっている。
極２２ｂ，２３ｂ，２４ｂと低温側端子２１ｂとの間
に、そのインダクタンスを任意に設定できる超電導イン
ダクタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃを直列に設けたことを特
徴とする。従って、この超電導電流リードは超電導体２
２，２３，２４内部の抵抗及びインダクタンスや各電極
と端子間と言ったいわゆる金属間接合抵抗を零と考える
と、その等価回路は図３に示すように、各超電導バルク
と常温側電極２２ａ，２３ａ，２４ａとの接合抵抗Ｒ２
２ａ，Ｒ２３ａ，Ｒ２４ａと、低温側電極２２ｂ，２３
ｂ，２４ｂ部の接合抵抗Ｒ２２ｂ，Ｒ２３ｂ，Ｒ２４
ｂ、及び超電導インダクタのリアクタンスＸ２２，Ｘ２
３，Ｘ２４の直列回路となっている。尚、超電導インダ
クタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃは、金属系の超電導線を用
いた任意形状及び任意インダクタンス値を有する超電導
コイルとなっており、金属または高熱伝導性のセラミッ
クコイルボビン２２ｄ，２３ｄ，２４ｄに各々巻装、保
持されると同時に、その一端は各超電導体電極２２ｂ，
２３ｂ，２４ｂにまた他端は低温側端子２１ｂに各々半
田付け等の方法により接合されている。また超電導イン
ダクタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃは所定のピッチで巻かれ
ており、そのインダクタンス値を必要な値に設定する場
合には、ターン間を超電導線で必要数短絡する等の手段
により容易に調整できるような構造となっている。
【００１２】図４は、本超電導電流リードの仕上がり特
性の一例を示す等価回路である。本例では、超電導体２
２及び２３の電極部境界抵抗Ｒ２２ａ，Ｒ２３ａ，Ｒ２
２ｂ，Ｒ２３ｂが、１箇所当たり１×１０-6（Ω）、超
電導体２４の電極部境界抵抗Ｒ２４ａ，Ｒ２４ｂが各々
１×１０-9（Ω）、超電導体２２，２３，２４のＩＣ値
としては、条件を簡略化するため各々１０００Ａ，１０
００Ａ，１５００Ａとなっているものとする。また、本
発明の特徴である超電導インダクタ２２ｃ，２３Ｃ，２
４ｃは、有効巻き数２０回でそのインダクタンスは各々
０．５（μＨ）になっているものとする。また、インダ
クタンスＬ２２，Ｌ２３，Ｌ２４は、コイルターン数Ｎ
の２乗に比例して変化するものとする。 Ｌ22＝Ｌ23＝Ｌ24＝ｋ0 ・Ｎ2 （Ｈ） ｋ0 ：比例定数＝0.5 ×10-6／202 ＝1.25×10-9
性の一例を示す等価回路である。本例では、超電導体２
２及び２３の電極部境界抵抗Ｒ２２ａ，Ｒ２３ａ，Ｒ２
２ｂ，Ｒ２３ｂが、１箇所当たり１×１０-6（Ω）、超
電導体２４の電極部境界抵抗Ｒ２４ａ，Ｒ２４ｂが各々
１×１０-9（Ω）、超電導体２２，２３，２４のＩＣ値
としては、条件を簡略化するため各々１０００Ａ，１０
００Ａ，１５００Ａとなっているものとする。また、本
発明の特徴である超電導インダクタ２２ｃ，２３Ｃ，２
４ｃは、有効巻き数２０回でそのインダクタンスは各々
０．５（μＨ）になっているものとする。また、インダ
クタンスＬ２２，Ｌ２３，Ｌ２４は、コイルターン数Ｎ
の２乗に比例して変化するものとする。 Ｌ22＝Ｌ23＝Ｌ24＝ｋ0 ・Ｎ2 （Ｈ） ｋ0 ：比例定数＝0.5 ×10-6／202 ＝1.25×10-9
【００１３】本例では、超電導体２２，２３のＩＣ値が
２４のＩＣ値の１／１．５となっていることから、超電
導体２２，２３の回路インピーダンスＺ２２，Ｚ２３
は、超電導体２４の回路インピーダンスＺ２４の１．５
倍にする必要がある。こうすることによって、各超電導
体のクエンチが同期して電流リードの通電容量が最大と
なる。
２４のＩＣ値の１／１．５となっていることから、超電
導体２２，２３の回路インピーダンスＺ２２，Ｚ２３
は、超電導体２４の回路インピーダンスＺ２４の１．５
倍にする必要がある。こうすることによって、各超電導
体のクエンチが同期して電流リードの通電容量が最大と
なる。
【００１４】次に、超電導インダクタの設定値について
説明する。前述の臨界電流値の比から、各回路インピー
ダンスＺ２２，Ｚ２３，Ｚ２４の関係は下記の等式で表
される。 Ｚ22＝Ｚ23＝ｋ1 ・Ｚ24 …（１） ここに、 （１）式から超電導インダクタ２４ｃの必要リアクタン
スを求める。 （２）式において、挿入するリアクタンス分を最小にす
る（Ｘ２２＝Ｘ２３＝０）と 超電導インダクタ２４ｃの必要インダクタンス値Ｌ２４
は ∴Ｌ24＝Ｘ24／（２・π・ｆ） ＝4.23×10-9（Ｈ） 但し、ｆ＝50Ｈz となる。 従って、本例においては、超電導インダクタ２４の必要
ターン数Ｎ２４は となる。
説明する。前述の臨界電流値の比から、各回路インピー
ダンスＺ２２，Ｚ２３，Ｚ２４の関係は下記の等式で表
される。 Ｚ22＝Ｚ23＝ｋ1 ・Ｚ24 …（１） ここに、 （１）式から超電導インダクタ２４ｃの必要リアクタン
スを求める。 （２）式において、挿入するリアクタンス分を最小にす
る（Ｘ２２＝Ｘ２３＝０）と 超電導インダクタ２４ｃの必要インダクタンス値Ｌ２４
は ∴Ｌ24＝Ｘ24／（２・π・ｆ） ＝4.23×10-9（Ｈ） 但し、ｆ＝50Ｈz となる。 従って、本例においては、超電導インダクタ２４の必要
ターン数Ｎ２４は となる。
【００１５】本実施例では、以上のように超電導インダ
クタＬ２２，Ｌ２３を全短絡し、Ｌ２４のみを約２ター
ン残して短絡することにより、各超電導体２２，２３，
２４の最適な分流が行われる。
クタＬ２２，Ｌ２３を全短絡し、Ｌ２４のみを約２ター
ン残して短絡することにより、各超電導体２２，２３，
２４の最適な分流が行われる。
【００１６】図５に、従来の電流リードと本案による電
流リードの電流分布及び許容通電電流値を示す。従来技
術においては、超電導体２２，２３，２４が超電導状態
にある時、超電導体２４に最大１５００Ａの電流が流れ
る。しかし、他の超電導体２２，２３には各々１．５Ａ
の電流しか流れない。この電流アンバランスは、前述の
電極部境界抵抗のばらつきによるものであり、その結果
電流リードとしての全電流は１５０３Ａとなる（従来ケ
ース１）。
流リードの電流分布及び許容通電電流値を示す。従来技
術においては、超電導体２２，２３，２４が超電導状態
にある時、超電導体２４に最大１５００Ａの電流が流れ
る。しかし、他の超電導体２２，２３には各々１．５Ａ
の電流しか流れない。この電流アンバランスは、前述の
電極部境界抵抗のばらつきによるものであり、その結果
電流リードとしての全電流は１５０３Ａとなる（従来ケ
ース１）。
【００１７】次に、その全電流がわずかでも上昇する
と、まず超電導体２４の超電導性が消失（以下、クエン
チと言う）して超電導体２４は数ｍΩの高抵抗体に相転
移する。その結果、全電流は他の超電導体２２，２３へ
転流し、ほぼ均等に分流する。超電導体２２，２３は、
各々１０００ＡのＩＣ値を有しているため、全電流が２
０００Ａ以内であれば電流リードとしての機能を果たす
ことができる（従来ケース２）。しかし、超電導体がク
エンチすると大きなジュール損失が発生し、様々な弊害
を引き起こすため、一般的には前述のケース１の使い方
を守るのが基本である。
と、まず超電導体２４の超電導性が消失（以下、クエン
チと言う）して超電導体２４は数ｍΩの高抵抗体に相転
移する。その結果、全電流は他の超電導体２２，２３へ
転流し、ほぼ均等に分流する。超電導体２２，２３は、
各々１０００ＡのＩＣ値を有しているため、全電流が２
０００Ａ以内であれば電流リードとしての機能を果たす
ことができる（従来ケース２）。しかし、超電導体がク
エンチすると大きなジュール損失が発生し、様々な弊害
を引き起こすため、一般的には前述のケース１の使い方
を守るのが基本である。
【００１８】これに対し、本電流リードは、前述の超電
導インダクタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃの作用によって超
電導体２２，２３，２４のクエンチがほぼ同時に起きる
ように設定されている。すなわち、超電導体２２，２
３，２４が共に超電導状態にある時、電流リードへの通
電電流を増やしていくと、超電導体２２，２３の分流電
流値が各々１０００Ａに、また超電導体２４の分流電流
値が１５００Ａとなるところまで電流リードは超電導を
維持する。従って、本案電流リードは、全電流値が、３
５００Ａまでその機能を果たすことができる（本発
明）。
導インダクタ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃの作用によって超
電導体２２，２３，２４のクエンチがほぼ同時に起きる
ように設定されている。すなわち、超電導体２２，２
３，２４が共に超電導状態にある時、電流リードへの通
電電流を増やしていくと、超電導体２２，２３の分流電
流値が各々１０００Ａに、また超電導体２４の分流電流
値が１５００Ａとなるところまで電流リードは超電導を
維持する。従って、本案電流リードは、全電流値が、３
５００Ａまでその機能を果たすことができる（本発
明）。
【００１９】以上、各超電導体のＩＣ値が相異する場合
について説明してきたが、超電導体２２，２３，２４の
内部抵抗がそれぞれ不規則に異なる場合においても、同
様の考え方に基き超電導インダクタ２２ｃ，２３ｃ，２
４ｃを各々所定の値に設定すれば良い。
について説明してきたが、超電導体２２，２３，２４の
内部抵抗がそれぞれ不規則に異なる場合においても、同
様の考え方に基き超電導インダクタ２２ｃ，２３ｃ，２
４ｃを各々所定の値に設定すれば良い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、常温側端子
と低温側端子を有し、これらの端子間に前記常温側端子
へ一端が接続され前記低温側端子へ他端が接続される超
電導体を複数設けた超電導電流リードの、前記超電導体
と直列に、設定可能なインダクタンスを有する超電導イ
ンダクタを接続することにより、接合抵抗値がばらつい
たり各超電導体のＩＣ値が相違する場合でも、超電導体
と直列に接続された超電導インダクタのインダクタンス
値を調整することにより、分流を最適にして、大容量化
が可能になる。
と低温側端子を有し、これらの端子間に前記常温側端子
へ一端が接続され前記低温側端子へ他端が接続される超
電導体を複数設けた超電導電流リードの、前記超電導体
と直列に、設定可能なインダクタンスを有する超電導イ
ンダクタを接続することにより、接合抵抗値がばらつい
たり各超電導体のＩＣ値が相違する場合でも、超電導体
と直列に接続された超電導インダクタのインダクタンス
値を調整することにより、分流を最適にして、大容量化
が可能になる。
【図１】本発明の超電導電流リードの構成図。
【図２】本発明の超電導電流リードの超電導体の構成
図。
図。
【図３】本発明の超電導電流リードの等価回路。
【図４】本発明の超電導電流リードの一例を示す等価回
路。
路。
【図５】超電導電流リードの通電容量の特性図。
【図６】超電導機器の構成図。
【図７】従来の超電導電流リードの構成図。
【図８】従来の超電導電流リードの超電導体の構成図。
２１ａ…常温側端子 ２１ｂ…低温側端子 ２２，２３，２４…超電導体 ２２ｃ，２３ｃ，２４ｃ…超電導インダクタ
Claims (1)
- 【請求項１】 常温側端子と低温側端子を有し、これら
の端子間に前記常温側端子へ一端が接続され前記低温側
端子へ他端が接続される超電導体を複数設けた超電導電
流リードにおいて、前記超電導体と直列に、設定可能な
インダクタンスを有する超電導インダクタを接続したこ
とを特徴とする超電導電流リード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7950491A JP2922663B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 超電導電流リード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7950491A JP2922663B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 超電導電流リード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314311A JPH04314311A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2922663B2 true JP2922663B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=13691770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7950491A Expired - Lifetime JP2922663B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 超電導電流リード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2922663B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4703545B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | 超電導装置および電流リード |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP7950491A patent/JP2922663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04314311A (ja) | 1992-11-05 |
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