JP2919648B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JP2919648B2
JP2919648B2 JP3182878A JP18287891A JP2919648B2 JP 2919648 B2 JP2919648 B2 JP 2919648B2 JP 3182878 A JP3182878 A JP 3182878A JP 18287891 A JP18287891 A JP 18287891A JP 2919648 B2 JP2919648 B2 JP 2919648B2
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晋 太田
隆仁 柳田
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144Stacked arrangements of planar printed circuit boards

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はエージング処理を要する
素子を実装する混成集積回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated circuit device on which elements requiring aging processing are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】車載用の混成集積回路装置には極めて高
い耐環境性と信頼性が求められる。特に、エンジンルー
ムに搭載される混成集積回路装置、あるいは制動関係の
混成集積回路装置には振動、高温、サージ下での確実な
動作が求められる。
2. Description of the Related Art A hybrid integrated circuit device for a vehicle is required to have extremely high environmental resistance and reliability. In particular, a hybrid integrated circuit device mounted in an engine room or a hybrid integrated circuit device related to braking is required to reliably operate under vibration, high temperature, and surge.

【0003】制動用の混成集積回路装置を例示する図3
および図4を参照してその種の混成集積回路装置を説明
する。図3は混成集積回路装置のブロック図であり、混
成集積回路装置は4つの車輪の回転数信号をコンピュー
タ処理に適した信号に変換する入力インタフェース(4
0)、所定のプログラムに基づいて4つの車輪のスキッド
状態を演算し、制動量を決定する第1および第2のマイ
クロコンピュータ(42)(46)、この第1および第2のマイ
クロコンピュータ(42)(48)にそれぞれデータおよびプロ
グラムを提供するROM(44)(48)、第1および第2のマ
イクロコンピュータ(42)(48)の演算結果を比較、判断す
るゲートアレイ(50)および出力インタフェース(52)から
構成される。
FIG. 3 illustrates a hybrid integrated circuit device for braking.
Such a hybrid integrated circuit device will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a block diagram of the hybrid integrated circuit device. The hybrid integrated circuit device has an input interface (4) for converting the rotation speed signals of four wheels into signals suitable for computer processing.
0), first and second microcomputers (42) and (46) for calculating the skid state of the four wheels based on a predetermined program and determining the braking amount, and the first and second microcomputers (42) (48), a gate array (50) for comparing and judging the operation results of the first and second microcomputers (42), (48), and an output interface (52).

【0004】この混成集積回路装置は、第1および第2
のマイクロコンピュータ(42)(46)によって決定された特
定の車輪のスキッド状態および制動量のデータがそれぞ
れ等しい場合にのみ、その車輪の制動をデータに応じて
解除するような制御動作を行う。この結果、制動を解除
すべきでない車輪の制動を解除するような危険な誤動作
が防止される。
This hybrid integrated circuit device comprises first and second
Only when the data of the skid state and the braking amount of a specific wheel determined by the microcomputers (42) and (46) are equal to each other, a control operation of releasing the braking of the wheel according to the data is performed. As a result, dangerous malfunctions such as releasing the braking of the wheels that should not be released are prevented.

【0005】図4は上記した混成集積回路装置の基板構
造を示す。混成集積回路装置の基板には表面を陽極酸化
したアルミニウム基板(60)が使用され、このアルミニウ
ム基板(60)の一主面に接着性の絶縁樹脂により銅箔を貼
着し、この銅箔をエッチングして接続端子(62)、導電路
(63)、ダイボンドパッド(64)、その他のパッドが形成さ
れる。
FIG. 4 shows a substrate structure of the hybrid integrated circuit device described above. An aluminum substrate (60) having an anodized surface is used for the substrate of the hybrid integrated circuit device, and a copper foil is adhered to one main surface of the aluminum substrate (60) with an adhesive insulating resin. Etching and connecting terminal (62), conductive path
(63), die bond pads (64) and other pads are formed.

【0006】第1および第2のマイクロコンピュータ(4
2)(46)、ゲートアレイ(50)、入力インタフェース(40)あ
るいは出力インタフェース(52)を構成するその他の半導
体素子(54)はAgペースト等によりダイボンドパッド(6
4)にチップ形状で固着され、チップ抵抗(56)、図示しな
いチップコンデンサ等は所定のパッドに半田固着され
る。
The first and second microcomputers (4
2) (46), the gate array (50), the input interface (40) or the other semiconductor elements (54) constituting the output interface (52) are die-bonded with Ag paste or the like.
4), the chip resistor (56), a chip capacitor (not shown), and the like are fixed to predetermined pads by soldering.

【0007】ノイズ遮蔽のため、また大規模回路となる
ため、制動用の混成集積回路装置は通常、同一サイズの
2枚の基板に分割形成し、この2枚の基板を対向配置す
る構造が採用される。そして、初期故障を排除するた
め、第1および第2のマイクロコンピュータ(42)(46)、
ゲートアレイ(50)を実装した一方の基板は約100℃、
数時間のエージング処理が行われ、さらには定格電圧の
140パーセントの電圧で機能試験が行われる。
[0007] Because of noise shielding and a large-scale circuit, a hybrid integrated circuit device for braking is usually formed by dividing into two substrates of the same size and arranging the two substrates to face each other. Is done. Then, in order to eliminate the initial failure, the first and second microcomputers (42) (46),
One substrate on which the gate array (50) is mounted is about 100 ° C.
The aging process is performed for several hours, and the functional test is performed at a voltage of 140% of the rated voltage.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】マイクロコンピュー
タ、ゲートアレイとしてウェハ工程完了直後のチップを
使用する混成集積回路装置は、エージング処理を各別に
行った個別部品による回路装置に比較して、エージング
処理時の初期故障の発生が多くなることは避けられな
い。そこで、何れかのチップの障害により、それを実装
した基板の全てが、しかも最終工程で不良品となるおそ
れがある。
A hybrid integrated circuit device using a microcomputer and a chip immediately after completion of a wafer process as a gate array requires a smaller amount of time for the aging process than a circuit device using individual components which have been separately aged. It is inevitable that the number of initial failures will increase. Therefore, there is a possibility that, due to a failure of any one of the chips, all of the boards on which it is mounted will be defective in the final step.

【0009】また、フェールセーフ構造の混成集積回路
装置の機能試験には、素子毎に、その周辺にテスト端子
を必要とするため、集積度が低下する問題を有する。さ
らには、ローカルレギュレータ、過電圧保護回路を内蔵
する混成集積回路装置は過電圧試験が不可能となる問題
を有する。
In addition, in the function test of a hybrid integrated circuit device having a fail-safe structure, a test terminal is required around each element, so that there is a problem that the degree of integration is reduced. Further, a hybrid integrated circuit device having a built-in local regulator and overvoltage protection circuit has a problem that an overvoltage test cannot be performed.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上述した課題に
鑑みてなされたものであり、エージング処理を要する素
子により構成される回路とエージング処理を要しない素
子により構成される回路を各別の絶縁金属基板上に混成
集積回路として実装し、エージング処理および機能試験
後にそれらを相互接続したことを主要な特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a circuit constituted by elements requiring aging processing and a circuit constituted by elements not requiring aging processing are separately provided. The main feature is that they are mounted as a hybrid integrated circuit on an insulated metal substrate and interconnected after aging and functional testing.

【0011】[0011]

【作用】エージング処理を要する素子により構成される
回路とエージング処理を要しない素子により構成される
回路を各別の基板上に混成集積回路として実現するた
め、それぞれの混成集積回路のトラブルシューティング
が容易になると共に不良発生時に廃棄される回路を最小
限とすることができる。
A circuit composed of elements requiring aging processing and a circuit composed of elements not requiring aging processing are realized as hybrid integrated circuits on separate substrates, so that troubleshooting of each hybrid integrated circuit is easy. And the number of circuits discarded when a failure occurs can be minimized.

【0012】[0012]

【実施例】以下、図1および図2を参照して本発明の一
実施例を説明する。なお、図2は図1のA−A線断面図
である。また、実施例の回路構成は図3と同一である。
図1および図2を参照すると、本発明の混成集積回路装
置は図3に示した入力インターフェース(40)を実装した
第1の絶縁金属基板(14)、第1および第2のマイクロコ
ンピュータ(42)(48)、ゲートアレイ(50)、ROM(44)(4
8)を実装した第2の絶縁金属基板(15)、出力インターフ
ェース(52)を実装した第3の絶縁金属基板(16)、第1お
よび第2の絶縁金属基板(14)(15)と第3の絶縁金属基板
(16)とを所定間隔で離間配置し、これら絶縁金属基板間
に封止空間を形成する樹脂製のケース(17)、第2および
第3の絶縁金属基板(15)(16)の回路接続部を遮蔽する蓋
(18)から構成される。なお、集積度の向上のため、現実
の装置では第1および第2のマイクロコンピュータ(42)
(48)とROM(44)(48)としてROM内蔵のマイクロコン
ピュータが使用される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. The circuit configuration of the embodiment is the same as that of FIG.
Referring to FIGS. 1 and 2, the hybrid integrated circuit device of the present invention includes a first insulated metal substrate (14) on which the input interface (40) shown in FIG. 3 is mounted, a first and a second microcomputer (42). ) (48), gate array (50), ROM (44) (4
8), a third insulating metal substrate (16) mounting an output interface (52), first and second insulating metal substrates (14) (15) and a second 3. Insulated metal substrate
(16) and a resin connection case (17) forming a sealed space between these insulating metal substrates, and a circuit connection between the second and third insulating metal substrates (15) and (16). Lid to cover the part
It consists of (18). In order to improve the degree of integration, in actual equipment, the first and second microcomputers (42)
A microcomputer with a built-in ROM is used as (48) and the ROMs (44) and (48).

【0013】第1乃至第3の絶縁金属基板(14)(15)(16)
には表面を陽極酸化処理し、絶縁層(11)を形成した厚さ
0.5mm〜2.0mmのアルミニウム基板(10)が使用
され、接着性の絶縁樹脂(12)によりその一主面に貼着し
た銅箔をエッチングして内部接続端子(20)、外部接続端
子(22)、数10μm幅の導電路(24)、ダイボンドパッド
(26)等が所定パターンに形成される。第1および第2の
マイクロコンピュータ(42)(48)、ゲートアレイ(50)、R
OM(44)(48)、その他の半導体素子(54)はダイボンドパ
ッド(26)上にAgペースト等を使用して固着され、チッ
プ抵抗(56)あるいはチップコンデンサ等の異形部品は所
定のパッドに半田固着される。
First to third insulating metal substrates (14) (15) (16)
Anodizing the surface, an aluminum substrate (10) having a thickness of 0.5 mm to 2.0 mm on which an insulating layer (11) is formed is used, and an adhesive insulating resin (12) is used on one main surface thereof. Etching the adhered copper foil, internal connection terminal (20), external connection terminal (22), conductive path (24) of several tens of μm width, die bond pad
(26) and the like are formed in a predetermined pattern. First and second microcomputers (42) (48), gate array (50), R
The OM (44) (48) and other semiconductor elements (54) are fixed on the die bond pad (26) using an Ag paste or the like, and a deformed part such as a chip resistor (56) or a chip capacitor is fixed to a predetermined pad. Solder is fixed.

【0014】第1および第3の絶縁金属基板(14)(15)の
一周辺端には複数の内部接続端子(20)が形成され、その
配列方向と直角方向に外部接続端子(22)が形成される。
また、第2の絶縁金属基板(15)にはその対向する2つの
周辺端に内部接続端子(20)が形成される。第1乃至第3
の絶縁金属基板(14)(15)(16)はそれら内部接続端子(20)
を相互接続するフレキシブルケーブル(32)により内部接
続される。
A plurality of internal connection terminals (20) are formed at one peripheral end of the first and third insulating metal substrates (14) and (15), and external connection terminals (22) are perpendicular to the arrangement direction. It is formed.
Further, internal connection terminals (20) are formed at two peripheral edges of the second insulated metal substrate (15). First to third
The insulated metal substrates (14) (15) (16) are their internal connection terminals (20)
Are interconnected by a flexible cable (32) interconnecting the two.

【0015】ケース(17)は、図1に示すように概略枠状
であり、第1の絶縁金属基板(14)と第2の絶縁金属基板
(15)との接続部を収納する溝(34)、第2の絶縁金属基板
(15)と第3の絶縁金属基板(16)との接続部を収納する溝
(36)および溝(38)を備える。前記した外部接続端子(22)
はこの溝(38)において外部に露出される第1および第3
の絶縁金属基板(14)(15)(16)上に形成され、この溝(38)
と第1乃至第3の絶縁金属基板(14)(15)(16)によりコネ
クタハウジングが形成される。実施例はこのコネクタハ
ウジングに雄型コネクタを挿入して外部回路との接続が
行われる。なお、外部接続端子(22)にリードを直接半田
固着する構造を採用することも可能であり、また外部回
路に接続される雌型コネクタと接続可能な他のコネクタ
を配置する構造も採用可能である。
The case (17) is substantially frame-shaped as shown in FIG. 1, and includes a first insulating metal substrate (14) and a second insulating metal substrate.
A groove (34) for accommodating a connection portion with (15), a second insulating metal substrate
A groove for accommodating a connection portion between (15) and the third insulating metal substrate (16).
(36) and a groove (38). The above-mentioned external connection terminal (22)
Are first and third exposed to the outside in this groove (38).
Formed on the insulating metal substrate (14) (15) (16) of this groove (38)
And the first to third insulating metal substrates (14), (15) and (16) form a connector housing. In the embodiment, a male connector is inserted into this connector housing to connect to an external circuit. It is also possible to adopt a structure in which the lead is directly fixed to the external connection terminal (22) by soldering, and a structure in which another connector that can be connected to the female connector connected to the external circuit can be adopted. is there.

【0016】第1および第2のマイクロコンピュータ(4
2)(48)、ゲートアレイ(50)、ROM(44)(48)を実装した
第2の絶縁金属基板(12)は約100℃、数時間のエージ
ング処理を行った後、主として内部接続端子(20)をテス
ト端子として機能試験および過電圧試験が実施される。
The first and second microcomputers (4
2) (48), the gate array (50), the second insulating metal substrate (12) on which the ROMs (44) and (48) are mounted are subjected to an aging treatment at about 100 ° C. for several hours, and then the internal connection terminals A function test and an overvoltage test are performed using (20) as a test terminal.

【0017】本発明によれば、内部接続端子をテスト端
子として使用するため、基板分割による内部接続端子の
実装面積占有の問題が生じないばかりか、機能試験およ
び過電圧試験を容易に行うことができる。また、不良発
生時に廃棄される回路を最小限とすることができる。
According to the present invention, since the internal connection terminal is used as a test terminal, not only the problem of occupying the mounting area of the internal connection terminal due to the division of the board does not occur, but also the function test and the overvoltage test can be easily performed. . Further, the number of circuits discarded when a failure occurs can be minimized.

【0018】機能試験が終了した第1乃至第3の絶縁金
属基板(14)(15)(16)はフレキシブルケーブル(32)を使用
して順次に相互接続され、熱硬化性樹脂含浸シートによ
りケース(17)に接着される。
The first to third insulated metal substrates (14), (15), and (16), for which the functional test has been completed, are sequentially interconnected using a flexible cable (32), and the case is covered with a thermosetting resin impregnated sheet. Glued to (17).

【0019】図2を参照すると、フレキシブルケーブル
(32)による第1および第2の絶縁金属基板(14)(15)の相
互接続部はケース(17)の溝(34)内に配置され、熱硬化性
樹脂を充填して密封される。また、フレキシブルケーブ
ル(32)による第2および第3の絶縁金属基板(14)(15)の
相互接続部は蓋(18)で遮蔽、保護される。
Referring to FIG. 2, a flexible cable
The interconnection between the first and second insulated metal substrates (14) and (15) according to (32) is disposed in the groove (34) of the case (17) and is filled with a thermosetting resin and sealed. In addition, the interconnection between the second and third insulating metal substrates (14) and (15) by the flexible cable (32) is shielded and protected by the lid (18).

【0020】以上、第1および第2の絶縁金属基板(14)
(15)の基板面積の和が第3の絶縁金属基板(15)の基板面
積に等しい実施例を説明したが、本発明は第3の絶縁金
属基板(15)にエージングを要する素子を実装するような
変更が可能である。また、マイクロコンピュータ以外
の、他のエージングを要する素子を使用する混成集積回
路装置に適用可能である。
As described above, the first and second insulating metal substrates (14)
Although the embodiment in which the sum of the substrate areas of (15) is equal to the substrate area of the third insulating metal substrate (15) has been described, the present invention mounts an element requiring aging on the third insulating metal substrate (15). Such changes are possible. Further, the present invention can be applied to a hybrid integrated circuit device using other elements requiring aging other than the microcomputer.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、エー
ジング処理を要する素子により構成される回路とエージ
ング処理を要しない素子により構成される回路を各別の
基板上に混成集積回路として実現するため、それぞれの
混成集積回路のトラブルシューティングが容易になると
共に不良発生時に廃棄される回路を最小限とすることが
できる。また、ケースにブリッジを形成し、このブリッ
ジにおいて分割基板を接続するため、基板分割による封
止の問題が容易に解決されるばかりか、ケース強度が向
上する利点を有する。しかも、テスト端子を分割基板の
内部接続に共用するため集積度低下が生じない。
As described above, according to the present invention, a circuit constituted by elements requiring aging processing and a circuit constituted by elements not requiring aging processing are realized as hybrid integrated circuits on separate substrates. Therefore, it is easy to troubleshoot each hybrid integrated circuit, and it is possible to minimize the number of circuits discarded when a failure occurs. Further, since a bridge is formed in the case and the divided substrates are connected to each other at the bridge, not only the problem of sealing due to the division of the substrate can be easily solved but also the strength of the case is improved. In addition, since the test terminals are shared for the internal connection of the divided substrates, there is no reduction in the degree of integration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例の分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A線断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】制動用の混成集積回路装置のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a hybrid integrated circuit device for braking.

【図4】従来例の要部斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a main part of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

14 第1の混成集積回路基板 15 第2の混成集積回路基板 16 第3の混成集積回路基板 17 ケース 18 蓋 20 内部接続端子 22 外部接続端子 24 導電路 26 ダイボンドパッド 14 First hybrid integrated circuit board 15 Second hybrid integrated circuit board 16 Third hybrid integrated circuit board 17 Case 18 Lid 20 Internal connection terminal 22 External connection terminal 24 Conductive path 26 Die bond pad

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 エージング処理を要する素子から構成さ
れる主回路を実装した第1の混成集積回路基板と、 エージング処理を要しない素子から構成され、前記主回
路の入力インターフェースを実装した第2の混成集積回
路基板と、 エージング処理を要しない素子から構成され、前記主回
路の出力インターフェースを実装した第3の混成集積回
路基板と、 これら混成集積回路基板を所定間隔離間配置し、その実
装素子を封止する略枠状のケースから構成される混成集
積回路装置であって、 前記第1の混成集積回路基板と第2あるいは第3の混成
集積回路基板を同一平面に配置したことを特徴とする混
成集積回路装置。
1. A first hybrid integrated circuit board mounted with a main circuit composed of elements requiring aging processing, and a second hybrid integrated circuit board composed of elements not requiring aging processing and mounted with an input interface of the main circuit. A third integrated circuit board comprising a hybrid integrated circuit board, an element that does not require aging processing, and an output interface of the main circuit mounted thereon, and the hybrid integrated circuit board arranged at a predetermined interval; A hybrid integrated circuit device comprising a substantially frame-shaped case to be sealed, wherein the first hybrid integrated circuit board and the second or third hybrid integrated circuit board are arranged on the same plane. Hybrid integrated circuit device.
【請求項2】 前記ケースに溝を備えたブリッジを形成
し、この溝内に第1あるいは第3の混成集積回路基板と
第2の混成集積回路基板の接続部を配置し、この溝内に
封止樹脂を充填して、前記接続部を樹脂封止したことを
特徴とする請求項1の混成集積回路装置。
2. A bridge having a groove is formed in the case, and a connecting portion between the first or third hybrid integrated circuit board and the second hybrid integrated circuit board is arranged in the groove. 2. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a sealing resin is filled, and the connection portion is resin-sealed.
【請求項3】 前記第1の混成集積回路基板に少なくと
もマイクロコンピュータをチップ形状で実装したことを
特徴とする請求項1の混成集積回路装置。
3. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein at least a microcomputer is mounted in a chip shape on said first hybrid integrated circuit board.
【請求項4】 混成集積回路基板を相互接続するための
パッドとテスト用パッドを共用したことを特徴とする請
求項1の混成集積回路装置。
4. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a pad for interconnecting the hybrid integrated circuit board and a test pad are shared.
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