JP2917975B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JP2917975B2 JP2917975B2 JP17035597A JP17035597A JP2917975B2 JP 2917975 B2 JP2917975 B2 JP 2917975B2 JP 17035597 A JP17035597 A JP 17035597A JP 17035597 A JP17035597 A JP 17035597A JP 2917975 B2 JP2917975 B2 JP 2917975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum
- layer
- semiconductor laser
- box
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光計測器
用光源、ファイバアンプや固体レーザの励起用光源、光
情報処理などに用いられる半導体レーザに関する。
用光源、ファイバアンプや固体レーザの励起用光源、光
情報処理などに用いられる半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の光通信や光情報処理に用いられる
半導体レーザの活性層には、多重量子井戸構造が使用さ
れることが多くなっている。これは分子線エピタキシャ
ル法や有機金属気相成長法などの発展にともない、膜厚
方向での１原子層のスケールで膜厚の制御とへテロ界面
の急峻性の制御が可能になったためである。このことに
よってデバイス特性は飛躍的に向上した。理論的には、
活性層として量子箱や量子細線を用いればさらに特性が
向上することが期待されている。
半導体レーザの活性層には、多重量子井戸構造が使用さ
れることが多くなっている。これは分子線エピタキシャ
ル法や有機金属気相成長法などの発展にともない、膜厚
方向での１原子層のスケールで膜厚の制御とへテロ界面
の急峻性の制御が可能になったためである。このことに
よってデバイス特性は飛躍的に向上した。理論的には、
活性層として量子箱や量子細線を用いればさらに特性が
向上することが期待されている。
【０００３】そこで、例えば量子箱を活性層に用いた面
発光型半導体レーザが提案されている（特開平８−１７
２２１７号公報）。以下、この発明を図面を参照して説
明する。図７は、活性層に量子箱を用いた従来の面発光
型半専体レーザの断面図である。ｎ−ＧａＡｓ基板２０
１上にＭＢＥ（モレキュラービームエピタキシー）によ
って２２．５周期のｎ−ＧａＡｓ層／ｎ−ＡｌＡｓ層か
らなるｎ側多層反射膜２０２を成長し、その上にｎ−Ｇ
ａＡｓスペーサ層２０３を成長する。そしてこのｎ−Ｇ
ａＡｓスペーサ層２０３上にＩｎＡｓ層を２．５原子層
分成長する。するとＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数の差
に起因して厚さが数原子層程度で直径が数十ないし数百
原子層程度に凝集した島状のＩｎＧａＡｓからなる量子
箱が形成される。続いて、バリア層となるＧａＡｓを量
子箱に被せるように成長する。このようにして量子箱を
含む活性層２０４を形成する。さらに、ｐ−ＧａＡｓス
ペーサ層２０５を成長し、その上に２２．５周期のｐ−
ＧａＡｓ層／ｐ−ＡｌＡｓ層からなるｐ側多層反射膜２
０６を成長し、その上にｐ−ＧａＡｓキャップ層２０７
を成長する。続いて、電流の狭窄化を行うために、ウェ
ットエッチングによって活性領域の周囲に溝を形成し、
ＳｉＯ2絶縁膜２０８で被服した後、コンタクト用の窓
をあけてｐ側電極２０９を形成する。さらに、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２０１の下面に、光を放射するための開口を有
するｎ側電極２１０を形成し、次いでその開口部にＳｉ
Ｎ反射防止膜２１１を形成する。
発光型半導体レーザが提案されている（特開平８−１７
２２１７号公報）。以下、この発明を図面を参照して説
明する。図７は、活性層に量子箱を用いた従来の面発光
型半専体レーザの断面図である。ｎ−ＧａＡｓ基板２０
１上にＭＢＥ（モレキュラービームエピタキシー）によ
って２２．５周期のｎ−ＧａＡｓ層／ｎ−ＡｌＡｓ層か
らなるｎ側多層反射膜２０２を成長し、その上にｎ−Ｇ
ａＡｓスペーサ層２０３を成長する。そしてこのｎ−Ｇ
ａＡｓスペーサ層２０３上にＩｎＡｓ層を２．５原子層
分成長する。するとＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数の差
に起因して厚さが数原子層程度で直径が数十ないし数百
原子層程度に凝集した島状のＩｎＧａＡｓからなる量子
箱が形成される。続いて、バリア層となるＧａＡｓを量
子箱に被せるように成長する。このようにして量子箱を
含む活性層２０４を形成する。さらに、ｐ−ＧａＡｓス
ペーサ層２０５を成長し、その上に２２．５周期のｐ−
ＧａＡｓ層／ｐ−ＡｌＡｓ層からなるｐ側多層反射膜２
０６を成長し、その上にｐ−ＧａＡｓキャップ層２０７
を成長する。続いて、電流の狭窄化を行うために、ウェ
ットエッチングによって活性領域の周囲に溝を形成し、
ＳｉＯ2絶縁膜２０８で被服した後、コンタクト用の窓
をあけてｐ側電極２０９を形成する。さらに、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２０１の下面に、光を放射するための開口を有
するｎ側電極２１０を形成し、次いでその開口部にＳｉ
Ｎ反射防止膜２１１を形成する。
【０００４】上記従来の発明は、複数の量子箱のサイズ
や形状のバラツキにより発光スペクトル幅を狭くするこ
とが困難であるというこれまでの問題を解決するもので
あり、量子箱間でキャリアがトンネルできるようなバリ
ア層厚にし、相対的にエネルギーが低い量子箱にキャリ
アを順次トンネルさせて、相対的にエネルギーが低い量
子箱で発光させ、発光スペクトル幅を狭くする構成とな
っている。
や形状のバラツキにより発光スペクトル幅を狭くするこ
とが困難であるというこれまでの問題を解決するもので
あり、量子箱間でキャリアがトンネルできるようなバリ
ア層厚にし、相対的にエネルギーが低い量子箱にキャリ
アを順次トンネルさせて、相対的にエネルギーが低い量
子箱で発光させ、発光スペクトル幅を狭くする構成とな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、量子箱
間をキャリアがトンネルするということは各量子箱間で
電子もしくはホールの波動関数が結合していることを意
味するため、純粋な量子箱の状態密度関数にはならず、
低次元化した量子効果による、低閾値化、高速化、狭線
幅などのメリットを十分に受けられないという問題があ
る。
間をキャリアがトンネルするということは各量子箱間で
電子もしくはホールの波動関数が結合していることを意
味するため、純粋な量子箱の状態密度関数にはならず、
低次元化した量子効果による、低閾値化、高速化、狭線
幅などのメリットを十分に受けられないという問題があ
る。
【０００６】また、たとえ量子箱間の距離を離して各量
子箱間の波動関数の結合を切ったとしても、バリア層で
あるＧａＡｓ層と量子箱であるＩｎＧａＡｓとの体積の
割合はＧａＡｓ層の方が大きくなるため、ｎ及びｐ−Ｇ
ａＡｓスペーサ層から活性層に注入されたキャリアがバ
リア層であるＧａＡｓ層で発光再結合し、量子箱に効果
的に注入されず、効率が低下するという問題があった。
子箱間の波動関数の結合を切ったとしても、バリア層で
あるＧａＡｓ層と量子箱であるＩｎＧａＡｓとの体積の
割合はＧａＡｓ層の方が大きくなるため、ｎ及びｐ−Ｇ
ａＡｓスペーサ層から活性層に注入されたキャリアがバ
リア層であるＧａＡｓ層で発光再結合し、量子箱に効果
的に注入されず、効率が低下するという問題があった。
【０００７】また、電流注入励起の困難をさけるために
光励起を用いる場合は、励起用の光源が必要となるた
め、装置が大型化し、半導体素子の大きなメリットであ
る小型化が犠牲になるという問題もある。
光励起を用いる場合は、励起用の光源が必要となるた
め、装置が大型化し、半導体素子の大きなメリットであ
る小型化が犠牲になるという問題もある。
【０００８】そこで本発明の目的は、閾値が低く、高速
で、発光スペクトル幅が狭く、効率の高い半導体レーザ
を提供することである。
で、発光スペクトル幅が狭く、効率の高い半導体レーザ
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
【００１０】本発明は、量子細線または量子箱、及び量
子井戸を活性層に有する半導体レーザであって、該量子
細線または量子箱を電流注入により励起するとともに、
該量子井戸を電流注入により発光させ、この光で該量子
細線または量子箱の高次の準位にキャリアを光励起し、
該量子細線または量子箱の第１準位間での再結合により
発する光をレーザ光として利用することを特徴とする半
導体レーザに関する。
子井戸を活性層に有する半導体レーザであって、該量子
細線または量子箱を電流注入により励起するとともに、
該量子井戸を電流注入により発光させ、この光で該量子
細線または量子箱の高次の準位にキャリアを光励起し、
該量子細線または量子箱の第１準位間での再結合により
発する光をレーザ光として利用することを特徴とする半
導体レーザに関する。
【００１１】本発明の半導体レーザにおいては、上記の
構成にすることにより、一つのチップ内で電流注入励起
と光励起を実現している。
構成にすることにより、一つのチップ内で電流注入励起
と光励起を実現している。
【００１２】また本発明の半導体レーザは、量子細線ま
たは量子箱を、量子井戸から発する光のフィールドのほ
ぼ中央に配することで、極めて効果的に量子細線または
量子箱を光励起できる。
たは量子箱を、量子井戸から発する光のフィールドのほ
ぼ中央に配することで、極めて効果的に量子細線または
量子箱を光励起できる。
【００１３】さらに本発明の半導体レーザは、誘電体多
層膜からなるバンドパスフィルタや回折格子によって量
子細線または量子箱から発する光を選択的に反射する機
構を設けることで、量子細線または量子箱から発する光
で容易に発振する。また、量子細線または量子箱を共振
器方向に周期的に配列することでも同様な効果が得られ
る。
層膜からなるバンドパスフィルタや回折格子によって量
子細線または量子箱から発する光を選択的に反射する機
構を設けることで、量子細線または量子箱から発する光
で容易に発振する。また、量子細線または量子箱を共振
器方向に周期的に配列することでも同様な効果が得られ
る。
【００１４】本発明の半導体レーザにおいて、電極か
ら、量子井戸および量子細線または量子箱を含む活性領
域に注入されたキャリアは、ほとんどが量子井戸または
量子細線もしくは量子箱に注入される。このうち量子井
戸に注入されたキャリアは再結合を起こして発光し、こ
の光が導波路を導波していく。しかしこの光は、導波す
る光のフィールドの中央に位置する量子細線または量子
箱の高次の準位にキャリアを励起して吸収されてしま
う。その結果、活性層領域に注入されたキャリアは、そ
の大部分が量子細線または量子箱に注入されることにな
る。
ら、量子井戸および量子細線または量子箱を含む活性領
域に注入されたキャリアは、ほとんどが量子井戸または
量子細線もしくは量子箱に注入される。このうち量子井
戸に注入されたキャリアは再結合を起こして発光し、こ
の光が導波路を導波していく。しかしこの光は、導波す
る光のフィールドの中央に位置する量子細線または量子
箱の高次の準位にキャリアを励起して吸収されてしま
う。その結果、活性層領域に注入されたキャリアは、そ
の大部分が量子細線または量子箱に注入されることにな
る。
【００１５】また、誘電体多層膜からなるバンドパスフ
ィルタを端面に形成して、量子細線または量子箱の基底
準位から発する光を選択的に反射させることにより、共
振器内の量子細線または量子箱から発する光の密度を上
げることができ、低次元の状態密度を反映したレーザが
実現できる。量子細線または量子箱の基底準位から発す
る光は、回折格子を用いることによっても選択的に反射
させることができ、同様な効果が得られる。さらに、量
子細線または量子箱を共振器方向に周期的に配列するこ
とによっても、同様な効果が得られる。
ィルタを端面に形成して、量子細線または量子箱の基底
準位から発する光を選択的に反射させることにより、共
振器内の量子細線または量子箱から発する光の密度を上
げることができ、低次元の状態密度を反映したレーザが
実現できる。量子細線または量子箱の基底準位から発す
る光は、回折格子を用いることによっても選択的に反射
させることができ、同様な効果が得られる。さらに、量
子細線または量子箱を共振器方向に周期的に配列するこ
とによっても、同様な効果が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】第１の実施の形態 図１（ａ）は本発明の半導体レーザの活性層の断面図で
ある。第１導電型化合物半導体基板１上に第１導電型化
合物半導体ＳＣＨ（separate confinement heterostr
ucture）層２を配し、その上に、化合物半導体からなる
バリア層３で分離された化合物半導体からなる量子井戸
層４を配する。さらにその上に、化合物半導体からなる
バリア層５で波動関数の結合がないように空間的に分離
された化合物半導体からなる量子細線６を配する。その
上にバリア層３で分離された量子井戸層４を配する。最
後に、第２導電型化合物半導体ＳＣＨ層７と第２導電型
化合物半導体クラッド層８を配することで光導波路を形
成する。
ある。第１導電型化合物半導体基板１上に第１導電型化
合物半導体ＳＣＨ（separate confinement heterostr
ucture）層２を配し、その上に、化合物半導体からなる
バリア層３で分離された化合物半導体からなる量子井戸
層４を配する。さらにその上に、化合物半導体からなる
バリア層５で波動関数の結合がないように空間的に分離
された化合物半導体からなる量子細線６を配する。その
上にバリア層３で分離された量子井戸層４を配する。最
後に、第２導電型化合物半導体ＳＣＨ層７と第２導電型
化合物半導体クラッド層８を配することで光導波路を形
成する。
【００１８】本発明における化合物半導体としては、II
I-Ｖ族、II-VI族化合物半導体が好ましい。このときク
ラッド層、ＳＣＨ層、量子井戸の障壁層（バリア層）、
量子井戸層、量子細線のバリア層、及び量子細線の化合
物半導体のバンドギャップをそれぞれＥg1、Ｅg2、Ｅg
3、Ｅg4、Ｅg5、Ｅg6とすると、 Ｅg1≧Ｅg2≧Ｅg3≧Ｅg5＞Ｅg4＞Ｅg6 が成り立っている必要がある。さらに、前記量子井戸に
形成される電子とホールの第１準位間のエネルギー差を
Ｅ1、前記量子細線に形成される電子とホールの第２準
位間のエネルギー差をＥ2、第１準位間のエネルギー差
をＥ3とした場合、 Ｅ1≒Ｅ2＞Ｅ3 である必要がある。
I-Ｖ族、II-VI族化合物半導体が好ましい。このときク
ラッド層、ＳＣＨ層、量子井戸の障壁層（バリア層）、
量子井戸層、量子細線のバリア層、及び量子細線の化合
物半導体のバンドギャップをそれぞれＥg1、Ｅg2、Ｅg
3、Ｅg4、Ｅg5、Ｅg6とすると、 Ｅg1≧Ｅg2≧Ｅg3≧Ｅg5＞Ｅg4＞Ｅg6 が成り立っている必要がある。さらに、前記量子井戸に
形成される電子とホールの第１準位間のエネルギー差を
Ｅ1、前記量子細線に形成される電子とホールの第２準
位間のエネルギー差をＥ2、第１準位間のエネルギー差
をＥ3とした場合、 Ｅ1≒Ｅ2＞Ｅ3 である必要がある。
【００１９】上述の構成をとることにより、量子井戸の
電子およびホールの第１準位１３、１２間で再結合して
発光した光１６は光導波路層を基本横モードで伝搬する
（図１（ｃ））。このとき、量子細線６がこの光１６の
フィールド９のほぼ中央に位置しているため（図１
（ｂ））、量子井戸の電子およびホールの第１準位間で
再結合し伝搬している光は、量子細線の第２量子準位１
４、１５間に電子とホールを励起して吸収されてしまう
（図１（ｄ））。励起された量子細線の電子とホール
は、それぞれの第１準位１３、１２に緩和し、再結合発
光し、その光１７が光導波路を吸収ロス無しに伝搬する
（図１（ｄ））。
電子およびホールの第１準位１３、１２間で再結合して
発光した光１６は光導波路層を基本横モードで伝搬する
（図１（ｃ））。このとき、量子細線６がこの光１６の
フィールド９のほぼ中央に位置しているため（図１
（ｂ））、量子井戸の電子およびホールの第１準位間で
再結合し伝搬している光は、量子細線の第２量子準位１
４、１５間に電子とホールを励起して吸収されてしまう
（図１（ｄ））。励起された量子細線の電子とホール
は、それぞれの第１準位１３、１２に緩和し、再結合発
光し、その光１７が光導波路を吸収ロス無しに伝搬する
（図１（ｄ））。
【００２０】反射横構に関しては、少なくとも一つの端
面には誘電体多層膜からなるバンドパスフィルタを備え
ており、前記量子細線の基底準位からの光のみを選択的
に反射する構造になっている。
面には誘電体多層膜からなるバンドパスフィルタを備え
ており、前記量子細線の基底準位からの光のみを選択的
に反射する構造になっている。
【００２１】したがって、量子井戸からの光は、導波路
内に大きな吸収ロスがあることに加え、端面におけるミ
ラーロスも大きいことから発振し得ない。これに対し、
量子細線からの光は、導波路内に吸収ロスがなく、端面
のミラーロスも小さいことから容易に発振する。
内に大きな吸収ロスがあることに加え、端面におけるミ
ラーロスも大きいことから発振し得ない。これに対し、
量子細線からの光は、導波路内に吸収ロスがなく、端面
のミラーロスも小さいことから容易に発振する。
【００２２】第１の実施の形態はその変形として、端面
に誘電体多層膜からなるバンドパスフィルタを設ける代
わりに、第１導電型化合物半導体基板１と第１導電型化
合物半導体ＳＣＨ層２との間、もしくは第２導電型化合
物半導体ＳＣＨ層７と第２導電型化合物半導体クラッド
層８との間に、回折格子を設けて、量子細線の基底準位
間からの光を選択的に反射する構造、すなわち屈折率結
合型分布帰還型レーザ構造にしてもよい。
に誘電体多層膜からなるバンドパスフィルタを設ける代
わりに、第１導電型化合物半導体基板１と第１導電型化
合物半導体ＳＣＨ層２との間、もしくは第２導電型化合
物半導体ＳＣＨ層７と第２導電型化合物半導体クラッド
層８との間に、回折格子を設けて、量子細線の基底準位
間からの光を選択的に反射する構造、すなわち屈折率結
合型分布帰還型レーザ構造にしてもよい。
【００２３】以上の実施の形態において量子細線を量子
箱に置き換えても同様の結果が得られる。
箱に置き換えても同様の結果が得られる。
【００２４】第２の実施の形態 図４は、本発明の半導体レーザの活性層の光の出射方向
から見た断面図であり、図５及び図６はそれぞれ図４の
Ａ−Ａ線およびＢ−Ｂ線断面図である。量子井戸と量子
箱のそれぞれの量子準位間の波長の関係は第１の実施の
形態と同様である。
から見た断面図であり、図５及び図６はそれぞれ図４の
Ａ−Ａ線およびＢ−Ｂ線断面図である。量子井戸と量子
箱のそれぞれの量子準位間の波長の関係は第１の実施の
形態と同様である。
【００２５】この第２の実施の形態において重要なこと
は、共振器方向での量子箱のピッチΛが実効的な屈折率
Ｎeffと量子箱の基底準位間の波長λと次のような関係
にあることである。
は、共振器方向での量子箱のピッチΛが実効的な屈折率
Ｎeffと量子箱の基底準位間の波長λと次のような関係
にあることである。
【００２６】λ≒２ＮeffΛ すなわち、利得結合型の分布帰還型レーザダイオード
（DFBLD：Distributed Feed Back LD）になっているこ
とである。
（DFBLD：Distributed Feed Back LD）になっているこ
とである。
【００２７】この第２の実施の形態の変形例は、量子細
線を、導波路に、その垂直方向に同様の上述の関係式
（Λは垂直方向での量子細線のピッチを示す。）を満た
しながら並べた構成を有するものである。これにより、
光閉じ込め係数が上がり、閾値が下がる。
線を、導波路に、その垂直方向に同様の上述の関係式
（Λは垂直方向での量子細線のピッチを示す。）を満た
しながら並べた構成を有するものである。これにより、
光閉じ込め係数が上がり、閾値が下がる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれらに限定するものではない。
が、本発明はこれらに限定するものではない。
【００２９】実施例１ 図２は、本発明の半導体レーザの斜視図である。ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１０１上に、量子井戸および量子細線を含む活
性層１００を形成し、その上にｐ−ＩｎＰクラッド層５
１（厚さ０．６μｍ、濃度７×１０17ｃｍ-3）を形成し
た。導波路の形成のために２本の溝５８を形成し（この
とき溝間の活性層幅は１．５μｍにする。）、電流狭窄
のために、ｐ−ＩｎＰブロック層５２（厚さ０．６μ
ｍ、濃度３×１０17ｃｍ-3）及びｎ−ＩｎＰブロック層
５３（厚さ０．６μｍ、濃度１×１０18ｃｍ-3）で活性
層直上以外の部分を埋め込んで、次いでｐ−ＩｎＰ埋め
込み層５４（厚さ３μｍ、濃度７×１０17ｃｍ-3）で全
体を埋め込んだ。その後、コンタクト用にｐ−ＩｎＧａ
Ａｓキャップ層５５（厚さ１μｍ、濃度３×１０18ｃｍ
-3）を形成した。このような構成をとることで、電流ブ
ロック構造にいわゆるＤＣ−ＰＢＨ構造（Double Chann
el-Planar Buried Heterostructure）を有する半導体レ
ーザとなる。
ｎＰ基板１０１上に、量子井戸および量子細線を含む活
性層１００を形成し、その上にｐ−ＩｎＰクラッド層５
１（厚さ０．６μｍ、濃度７×１０17ｃｍ-3）を形成し
た。導波路の形成のために２本の溝５８を形成し（この
とき溝間の活性層幅は１．５μｍにする。）、電流狭窄
のために、ｐ−ＩｎＰブロック層５２（厚さ０．６μ
ｍ、濃度３×１０17ｃｍ-3）及びｎ−ＩｎＰブロック層
５３（厚さ０．６μｍ、濃度１×１０18ｃｍ-3）で活性
層直上以外の部分を埋め込んで、次いでｐ−ＩｎＰ埋め
込み層５４（厚さ３μｍ、濃度７×１０17ｃｍ-3）で全
体を埋め込んだ。その後、コンタクト用にｐ−ＩｎＧａ
Ａｓキャップ層５５（厚さ１μｍ、濃度３×１０18ｃｍ
-3）を形成した。このような構成をとることで、電流ブ
ロック構造にいわゆるＤＣ−ＰＢＨ構造（Double Chann
el-Planar Buried Heterostructure）を有する半導体レ
ーザとなる。
【００３０】ｎ側およびｐ側に電極５６を形成した後、
長さ３００ｍｍに劈開し、両端面にα−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）（屈折率３．５）及びＳｉＮ（屈折率
１．８）からなる誘電体多層膜（バンドパスフィルタ）
５７を形成した。半導体側からＳｉＮを１８０．６ｎ
ｍ、α−Ｓｉを９２．９ｎｍ、ＳｉＮを３６１．２ｎ
ｍ、α−Ｓｉを９２．９ｎｍ、ＳｉＮを３６１．２ｎｍ
の膜厚とすることで、波長１．３μｍに対しては０．２
％の反射率、波長１．５５μｍに対しては８４％の反射
率を有するフィルタになる。
長さ３００ｍｍに劈開し、両端面にα−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）（屈折率３．５）及びＳｉＮ（屈折率
１．８）からなる誘電体多層膜（バンドパスフィルタ）
５７を形成した。半導体側からＳｉＮを１８０．６ｎ
ｍ、α−Ｓｉを９２．９ｎｍ、ＳｉＮを３６１．２ｎ
ｍ、α−Ｓｉを９２．９ｎｍ、ＳｉＮを３６１．２ｎｍ
の膜厚とすることで、波長１．３μｍに対しては０．２
％の反射率、波長１．５５μｍに対しては８４％の反射
率を有するフィルタになる。
【００３１】図３は、本発明の半導体レーザの活性層の
光の出射方向から見た断面図である。ｎ−ＩｎＰ基板１
０１上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０２を配し、
その上に、ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０３で分離された
ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層１０４を配した。さらにその
上に、ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０５で波動関数の結合
がないように空間的に分離させられたＩｎＧａＡｓＰ量
子細線１０６を配した。その上に、ＩｎＧａＡｓＰバリ
ア層１０３で分離されたＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層１０
４を配した。最後に、ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０７
とｐ−ＩｎＰクラッド層５１を配することで光導波路を
形成する。ＳＣＨ層は、波長組成１．０５μｍで厚さ４
０ｎｍであり、ｎ側のＳＣＨの濃度は１×１０18ｃｍ-3
である。
光の出射方向から見た断面図である。ｎ−ＩｎＰ基板１
０１上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０２を配し、
その上に、ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０３で分離された
ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層１０４を配した。さらにその
上に、ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０５で波動関数の結合
がないように空間的に分離させられたＩｎＧａＡｓＰ量
子細線１０６を配した。その上に、ＩｎＧａＡｓＰバリ
ア層１０３で分離されたＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層１０
４を配した。最後に、ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０７
とｐ−ＩｎＰクラッド層５１を配することで光導波路を
形成する。ＳＣＨ層は、波長組成１．０５μｍで厚さ４
０ｎｍであり、ｎ側のＳＣＨの濃度は１×１０18ｃｍ-3
である。
【００３２】量子井戸層１０４は、格子整合時の波長組
成１．２９μｍのＩｎＧａＡｓＰに０．７％の圧縮歪を
加えたもので厚さ約５ｎｍであり、この量子井戸層を分
離しているバリア層１０３は、波長組成１．１３μｍで
厚さ１０ｎｍである。このような量子井戸層とバリア層
の構成をとることで量子井戸の基底準位間の波長は約
１．３μｍとなる。
成１．２９μｍのＩｎＧａＡｓＰに０．７％の圧縮歪を
加えたもので厚さ約５ｎｍであり、この量子井戸層を分
離しているバリア層１０３は、波長組成１．１３μｍで
厚さ１０ｎｍである。このような量子井戸層とバリア層
の構成をとることで量子井戸の基底準位間の波長は約
１．３μｍとなる。
【００３３】量子細線１０６は、格子整合時の波長組成
１．５μｍのＩｎＧａＡｓＰに１％の圧縮歪を加えたも
のであり、この量子細線を分離しているバリア層は波長
組成１．２μｍである。量子細線間の間隔は、エピ積層
方向で１０ｎｍ、横方向で１５０ｎｍである。量子細線
の厚さ及び幅は、量子細線の第１準位間の波長が１．５
５μｍ、第２準位間の波長が約１．３μｍになるように
調整する。
１．５μｍのＩｎＧａＡｓＰに１％の圧縮歪を加えたも
のであり、この量子細線を分離しているバリア層は波長
組成１．２μｍである。量子細線間の間隔は、エピ積層
方向で１０ｎｍ、横方向で１５０ｎｍである。量子細線
の厚さ及び幅は、量子細線の第１準位間の波長が１．５
５μｍ、第２準位間の波長が約１．３μｍになるように
調整する。
【００３４】以上のような構成において、量子井戸およ
び量子細線を含む活性層に注入されたキャリアは、量子
井戸または量子細線に注入される。このうち量子井戸に
注入されたキャリアは、第１準位間で再結合し、波長
１．３μｍの光を出し、その光が導波路を伝搬しようと
するが、その光のフィールドのほぼ中心に量子細線があ
り、量子細線の第２量子準位間のエネルギー差が１．３
μｍになっているため、ほとんどの光が量子細線の第２
量子準位に電子とホールを励起して吸収されてしまう。
その結果、量子細線は、もともとの電流注入励起と量子
井戸の発光を介した光励起とで効果的に励起され、その
第１準位間（波長１．５５μｍ）からの発光が効果的に
起こる。さらに、端面の反射率は、波長１．５５μｍに
対しては８４％の反射率を有しているため、ミラーロス
も少ない。このように、量子細線にしたことによる状態
密度の変化を受けた低閾値化が可能となる。
び量子細線を含む活性層に注入されたキャリアは、量子
井戸または量子細線に注入される。このうち量子井戸に
注入されたキャリアは、第１準位間で再結合し、波長
１．３μｍの光を出し、その光が導波路を伝搬しようと
するが、その光のフィールドのほぼ中心に量子細線があ
り、量子細線の第２量子準位間のエネルギー差が１．３
μｍになっているため、ほとんどの光が量子細線の第２
量子準位に電子とホールを励起して吸収されてしまう。
その結果、量子細線は、もともとの電流注入励起と量子
井戸の発光を介した光励起とで効果的に励起され、その
第１準位間（波長１．５５μｍ）からの発光が効果的に
起こる。さらに、端面の反射率は、波長１．５５μｍに
対しては８４％の反射率を有しているため、ミラーロス
も少ない。このように、量子細線にしたことによる状態
密度の変化を受けた低閾値化が可能となる。
【００３５】実施例２ 図４は、本実施例の半導体レーザの活性層の光の出射方
向からみた断面図である。ｎ−ＩｎＰ基板１０１上にｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０２を配し、その上に、
ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０３で分離されたＩｎＧａＡ
ｓＰ量子井戸層１０４を配した。さらにその上に、Ｉｎ
ＧａＡｓＰバリア層１０５で波動関数の結合がないよう
に空間的に分離されたＩｎＧａＡｓＰ量子箱１０８を配
した。その上に、ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０３で分離
されたＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層１０４を配した。最後
に、ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０７とｐ−ＩｎＰクラ
ッド層５１を配することで光導波路を形成した。
向からみた断面図である。ｎ−ＩｎＰ基板１０１上にｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０２を配し、その上に、
ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０３で分離されたＩｎＧａＡ
ｓＰ量子井戸層１０４を配した。さらにその上に、Ｉｎ
ＧａＡｓＰバリア層１０５で波動関数の結合がないよう
に空間的に分離されたＩｎＧａＡｓＰ量子箱１０８を配
した。その上に、ＩｎＧａＡｓＰバリア層１０３で分離
されたＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層１０４を配した。最後
に、ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層１０７とｐ−ＩｎＰクラ
ッド層５１を配することで光導波路を形成した。
【００３６】図５及び図６はそれぞれ図４におけるＡ−
Ａ線およびＢ−Ｂ線断面図である。図５において量子箱
１０８は共振器方向に２４０ｎｍピッチで並んでいる。
Ａ線およびＢ−Ｂ線断面図である。図５において量子箱
１０８は共振器方向に２４０ｎｍピッチで並んでいる。
【００３７】ＳＣＨ層は、波長組成１．０５μｍで厚さ
４０ｎｍであり、ｎ側のＳＣＨ層の濃度は１×１０18ｃ
ｍ-3である。
４０ｎｍであり、ｎ側のＳＣＨ層の濃度は１×１０18ｃ
ｍ-3である。
【００３８】量子井戸層１０４は、格子整合時の波長組
成１．２９μｍのＩｎＧａＡｓＰに０．７％の圧縮歪を
加えたもので厚さ約５ｎｍであり、この量子井戸層を分
離しているバリア層１０３は波長組成１．１３μｍで厚
さ１０ｎｍである。このような量子井戸層とバリア層の
構成をとることで、量子井戸の基底準位間の波長は約
１．３μｍとなる。
成１．２９μｍのＩｎＧａＡｓＰに０．７％の圧縮歪を
加えたもので厚さ約５ｎｍであり、この量子井戸層を分
離しているバリア層１０３は波長組成１．１３μｍで厚
さ１０ｎｍである。このような量子井戸層とバリア層の
構成をとることで、量子井戸の基底準位間の波長は約
１．３μｍとなる。
【００３９】量子箱１０８は、格子整合時の波長組成
１．５μｍのＩｎＧａＡｓＰに１％の圧縮歪を加えたも
のであり、この量子箱を分離しているバリア層は波長組
成１．２μｍである。量子箱間の間隔はエピ積層方向で
１０ｎｍ、横方向で１５０ｎｍである。量子箱の厚さ、
幅および共振器方向への奥行きは、量子箱の第１準位間
の波長が１．５５μｍ、第２準位間の波長が約１．３μ
ｍになるように調整した。
１．５μｍのＩｎＧａＡｓＰに１％の圧縮歪を加えたも
のであり、この量子箱を分離しているバリア層は波長組
成１．２μｍである。量子箱間の間隔はエピ積層方向で
１０ｎｍ、横方向で１５０ｎｍである。量子箱の厚さ、
幅および共振器方向への奥行きは、量子箱の第１準位間
の波長が１．５５μｍ、第２準位間の波長が約１．３μ
ｍになるように調整した。
【００４０】電流ブロック構造は、実施例１と同様にい
わゆるＤＣ−ＰＢＨ構造である。
わゆるＤＣ−ＰＢＨ構造である。
【００４１】長さ３００ｍｍに劈開し、前方端面にＳｉ
Ｎ（屈折率１．８）の単層膜（厚さ１９７．９ｎｍ）を
形成し、後方端面にα−Ｓｉ（屈折率３．５）及びＳｉ
Ｎ（屈折率１．８）からなる誘電体多層膜（バンドパス
フィルタ）５７を形成する。この誘電体多層膜からなる
後方のフィルタは実施例１と同じ構成であり、波長１．
３μｍに対しては０．２％の反射率、波長１．５５μｍ
に対しては８４％の反射率になっており、前方の反射膜
は波長１．３μｍに対しては１．１％の反射率、波長
１．５５μｍに対しては０．９％の反射率を有してい
る。
Ｎ（屈折率１．８）の単層膜（厚さ１９７．９ｎｍ）を
形成し、後方端面にα−Ｓｉ（屈折率３．５）及びＳｉ
Ｎ（屈折率１．８）からなる誘電体多層膜（バンドパス
フィルタ）５７を形成する。この誘電体多層膜からなる
後方のフィルタは実施例１と同じ構成であり、波長１．
３μｍに対しては０．２％の反射率、波長１．５５μｍ
に対しては８４％の反射率になっており、前方の反射膜
は波長１．３μｍに対しては１．１％の反射率、波長
１．５５μｍに対しては０．９％の反射率を有してい
る。
【００４２】このような構成をとることで、量子箱の基
底準位間からの発光である１．５５μｍの波長光に対し
ては前方で０．９％、後方で８４％の反射率を有する利
得結合型の分布帰還型レーザになっており、単一軸モー
ドで発振する。量子箱の状態密度がδ関数的であること
を反映して、極めて大きな微分利得とそれにともなう高
速応答が得られる。一方、量子箱の近傍に配された量子
井戸の基底準位間からの発光である１．３μｍの波長光
に対しては、量子箱の第２量子準位間に吸収され、且
つ、端面の反射率がそれぞれ０．２％と１．１％である
ためファブリペローモードでも発振することはない。
底準位間からの発光である１．５５μｍの波長光に対し
ては前方で０．９％、後方で８４％の反射率を有する利
得結合型の分布帰還型レーザになっており、単一軸モー
ドで発振する。量子箱の状態密度がδ関数的であること
を反映して、極めて大きな微分利得とそれにともなう高
速応答が得られる。一方、量子箱の近傍に配された量子
井戸の基底準位間からの発光である１．３μｍの波長光
に対しては、量子箱の第２量子準位間に吸収され、且
つ、端面の反射率がそれぞれ０．２％と１．１％である
ためファブリペローモードでも発振することはない。
【００４３】
【発明の効果】以上に述べたように本発明の半導体レー
ザは、電流注入励起の困難な量子細線や量子箱を効率よ
く励起することができ、低次元化した量子効果による低
閾値化、高速化、狭線幅などのメリットを十分に受ける
ことができる。
ザは、電流注入励起の困難な量子細線や量子箱を効率よ
く励起することができ、低次元化した量子効果による低
閾値化、高速化、狭線幅などのメリットを十分に受ける
ことができる。
【００４４】その理由は次の通りである。量子井戸およ
び量子細線または量子箱を含む活性層に注入されたキャ
リアは、ほとんどが量子井戸や量子細線または量子箱に
注入される。このうち量子井戸に注入されたキャリアは
再結合を起こし発光して、その光が導波路を伝搬してい
く。しかし、この光は、伝搬する光のフィールドの中央
に位置する量子細線または量子箱の高次の準位間にキャ
リアを励起して吸収されてしまう。その結果、活性層領
域に注入されたキャリアは大部分が量子細線または量子
箱に注入されることになる。また、共振器を形成する反
射膜や回折格子は選択的に量子細線または量子箱の基底
準位からの光のみを反射するので量子井戸からの発光で
は発振し得ないため、量子井戸からの光によって共振器
外に放射されるエネルギーは小さい。
び量子細線または量子箱を含む活性層に注入されたキャ
リアは、ほとんどが量子井戸や量子細線または量子箱に
注入される。このうち量子井戸に注入されたキャリアは
再結合を起こし発光して、その光が導波路を伝搬してい
く。しかし、この光は、伝搬する光のフィールドの中央
に位置する量子細線または量子箱の高次の準位間にキャ
リアを励起して吸収されてしまう。その結果、活性層領
域に注入されたキャリアは大部分が量子細線または量子
箱に注入されることになる。また、共振器を形成する反
射膜や回折格子は選択的に量子細線または量子箱の基底
準位からの光のみを反射するので量子井戸からの発光で
は発振し得ないため、量子井戸からの光によって共振器
外に放射されるエネルギーは小さい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザの説明図である。
【図２】本発明の半導体レーザの斜視図である。
【図３】本発明の半導体レーザの活性層の断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の半導体レーザの活性層の断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の半導体レーザの活性層の断面図（図４
のＡ−Ａ線断面図）である。
のＡ−Ａ線断面図）である。
【図６】本発明の半導体レーザの活性層の断面図（図４
のＢ−Ｂ線断面図）である。
のＢ−Ｂ線断面図）である。
【図７】従来の面発光半導体レーザの断面図である。
１ 第１導電型化合物半導体基板 ２ 第１導電型化合物半導体ＳＣＨ層 ３ バリア層 ４ 量子井戸層 ５ バリア層 ６ 量子細線 ７ 第２導電型化合物半導体ＳＣＨ層 ８ 第２導電型化合物半導体クラッド層 ９ 量子井戸の基底準位から発する光のフィールド １０ 荷電子帯 １１ 電導帯 １２ ホールの基底準位 １３ 電子の基底準位 １４ ホールの第２量子準位 １５ 電子の第２量子準位 １６ 量子井戸の第１量子準位間での発光 １７ 量子細線の第１量子準位間での発光 ５１ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ５２ ｐ−ＩｎＰブロック層 ５３ ｎ−ＩｎＰブロック層 ５４ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 ５５ ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層 ５６ 電極 ５７ 誘電体多層膜 ５８ 溝 ５９ ＳｉＮ反射防止膜 １００ 活性層 １０１ ｎ−ＩｎＰ基板 １０２ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層 １０３ ＩｎＧａＡｓＰバリア層 １０４ ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層 １０５ ＩｎＧａＡｓＰバリア層 １０６ ＩｎＧａＡｓＰ量子細線 １０７ ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層 １０８ 量子箱 ２０１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０２ ｎ側多層反射膜 ２０３ ｎ−ＧａＡｓスペーサ層 ２０４ 量子箱を含む活性層 ２０５ ｐ−ＧａＡｓスペーサ層 ２０６ ｐ側多層反射膜 ２０７ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ２０８ ＳｉＯ2絶縁膜 ２０９ ｐ側電極 ２１０ ｎ側電極 ２１１ ＳｉＮ反射防止膜
Claims (7)
- 【請求項１】 量子細線または量子箱、及び量子井戸を
活性層に有する半導体レーザであって、該量子細線また
は量子箱を電流注入により励起するとともに、該量子井
戸を電流注入により発光させ、この光で該量子細線また
は量子箱の高次の準位にキャリアを光励起し、該量子細
線または量子箱の第１準位間での再結合により発する光
をレーザ光として利用することを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 量子細線または量子箱が、その近傍に配
された量子井戸から発する光のフィールドのほぼ中央に
位置する請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 量子細線または量子箱から発する光を選
択的に反射する機構を有する請求項１記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項４】 反射する機構が誘電体多層膜からなるバ
ンドパスフィルタを用いて構成される請求項３記載の半
導体レーザ。 - 【請求項５】 反射する機構が回折格子を用いて構成さ
れる請求項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 反射する機構が、共振器方向に周期的に
配列された量子細線または量子箱で構成される請求項３
記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 反射する機構が、誘電体多層膜からなる
バンドパスフィルタと回折格子とを組み合わせて、また
は誘電体多層膜からなるバンドパスフィルタと共振器方
向に周期的に配列された量子細線もしくは量子箱とを組
み合わせて構成される請求項３記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17035597A JP2917975B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17035597A JP2917975B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117271A JPH1117271A (ja) | 1999-01-22 |
| JP2917975B2 true JP2917975B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=15903405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17035597A Expired - Fee Related JP2917975B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917975B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5105738B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2012-12-26 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体積層物の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP17035597A patent/JP2917975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1117271A (ja) | 1999-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4993036A (en) | Semiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties | |
| US4817110A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5052016A (en) | Resonant-periodic-gain distributed-feedback surface-emitting semiconductor laser | |
| US7450624B2 (en) | Grating—outcoupled surface-emitting lasers | |
| US6760359B2 (en) | Grating-outcoupled surface-emitting lasers with flared gain regions | |
| JP3153727B2 (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| US4622674A (en) | Single longitudinal mode semiconductor laser | |
| JP4829119B2 (ja) | 側方に取り付けられたエッジ発光体を有するモノリシック光学的ポンピングｖｃｓｅｌ | |
| US4930132A (en) | Second harmonic wave generating device having active layer and second harmonic wave generating layer on same substrate | |
| JP2002064244A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| KR100503939B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| US6888874B2 (en) | Single-wavelength, unequal-length-multi-cavity grating-outcoupled surface emitting laser with staggered tuned distributed Bragg reflectors | |
| US20050123018A1 (en) | Ridge type distributed feedback semiconductor laser | |
| US6647048B2 (en) | Grating-outcoupled surface-emitting lasers using quantum wells with thickness and composition variation | |
| JP2917975B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| US6636547B2 (en) | Multiple grating-outcoupled surface-emitting lasers | |
| JP2002111125A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPH0770785B2 (ja) | 分布反射型半導体レーザ | |
| US5556795A (en) | Quantum well superluminescent diode | |
| JPS63228795A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH05283806A (ja) | 選択的に設置された損失部を有する分布帰還型レーザーダイオード | |
| US5182758A (en) | Periodic gain-type semiconductor laser device | |
| JP2875929B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2941463B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6250074B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 12 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |