JP2909266B2 - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- control capacitor
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は画素が複数の副画素に
分割され、多階調表示が可能な液晶表示素子の画素の構
成に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a pixel of a liquid crystal display device in which a pixel is divided into a plurality of sub-pixels and which can perform multi-tone display.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種の従来技術として、米国特許第
4,840460号(特開平2−12「液晶表示装置の
画素および液晶表示装置における画素のグレースケール
を実現する方法」)が公知である。即ち、図1に液晶表
示パネルの1つの画素領域をパネルと垂直に切出して示
すように、ガラスのような透明基板1の内面に制御コン
デンサ電極2が形成され、その制御コンデンサ電極2の
上から透明基板1の全面に渡って絶縁膜3が形成され
る。その絶縁膜3上に4等分割された方形状の副画素電
極41 乃至44 が形成される。これらの副画素電極と間
隔をおいて対向して設けられたガラスなどの透明基板5
の内面に共通電極6が形成され、共通電極6と副画素電
極4i (i=1〜4)との間に液晶7が封入されてい
る。制御コンデンサ電極2、副画素電極4i 及び共通電
極6はITOなどで作られた透明な電極である。このよ
うにして1画素は副画素電極41 〜44 と対応して、副
画素F1 〜F4 に4分割される。図2に示すように各副
画素電極4i と制御コンデンサ電極2との間に絶縁膜3
を誘電体とする制御コンデンサCciが形成され、また副
画素電極4i と共通電極6との間に液晶7を誘電体とす
る液晶コンデンサCLCi が形成されている。図1の画素
の電気的等価回路を図3に示す。符号Cci及びCLCi を
静電容量を表わすのに流用すると、 CC1>CC2>CC3>CC4 (1) となるように、制御コンデンサ電極2の各副画素電極4
i と重なる面積が調整されている。2. Description of the Related Art As a prior art of this kind, U.S. Pat. No. 4,840,460 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-12 / 1990 "Pixels of a liquid crystal display device and a method of realizing gray scale of pixels in a liquid crystal display device") is known. . That is, as shown in FIG. 1, one pixel region of the liquid crystal display panel is cut out perpendicularly to the panel, and a control capacitor electrode 2 is formed on the inner surface of a transparent substrate 1 such as glass. An insulating film 3 is formed over the entire surface of the transparent substrate 1. The insulating film 3 on the 4 or the like divided towards subpixel electrodes 4 1 to 4 4 shape is formed. A transparent substrate 5 made of glass or the like provided to face these sub-pixel electrodes at an interval.
A common electrode 6 is formed on the inner surface of the substrate, and a liquid crystal 7 is sealed between the common electrode 6 and the sub-pixel electrode 4 i (i = 1 to 4). The control capacitor electrode 2, the sub-pixel electrode 4i, and the common electrode 6 are transparent electrodes made of ITO or the like. Thus one pixel to correspond to the subpixel electrodes 41 to 4, is divided into four sub-pixels F 1 to F 4. As shown in FIG. 2, an insulating film 3 is provided between each sub-pixel electrode 4 i and the control capacitor electrode 2.
The controlled capacitor C ci which a dielectric is formed, and also the liquid crystal capacitor C LCi that the dielectric is formed the liquid crystal 7 between the sub-pixel electrode 4 i and the common electrode 6. FIG. 3 shows an electrical equivalent circuit of the pixel in FIG. When the codes C ci and C LCi are used to represent the capacitance, each sub-pixel electrode 4 of the control capacitor electrode 2 is set so that C C1 > C C2 > C C3 > C C4 (1).
The area overlapping with i has been adjusted.
【0003】制御コンデンサ電極2は図1の画素と隣接
して透明基板1上に形成されている薄膜トランジスタ
(TFT)8のドレイン電極Dに接続されている(図
2)。制御コンデンサ電極2と共通電極6との間には所
定の電圧Va がTFT8を介して供給される。TFT8
がオンに制御されたとき、各副画素Fi において供給電
圧Va は制御コンデンサCCiの両端電圧VCiと液晶コン
デンサCLCi の両端電圧V LCi とに分圧される。VLCi
はThe control capacitor electrode 2 is adjacent to the pixel shown in FIG.
Thin film transistor formed on transparent substrate 1
(TFT) 8 is connected to the drain electrode D (FIG.
2). There is no space between the control capacitor electrode 2 and the common electrode 6.
Constant voltage VaIs supplied through the TFT 8. TFT8
Is controlled to be on, each sub-pixel FiPower supply at
Pressure VaIs the control capacitor CCiVoltage VCiAnd liquid crystal con
Densa CLCiVoltage V LCiAnd the partial pressure. VLCi
Is
【0004】[0004]
【数1】 と表わされる。各制御コンデンサCCiの容量を(1) 式の
ように設定することによって、各液晶コンデンサCLCi
の両端電圧VLCi は VLC1 >VLC2 >VLC3 >VLC4 (3) に設定される。(Equation 1) It is expressed as By setting the capacitance of each control capacitor C Ci as in equation (1), each liquid crystal capacitor C LCi
Voltage across V LCi of being set to V LC1> V LC2> V LC3 > V LC4 (3).
【0005】液晶の光透過が飽和状態となる電圧を
VU 、閾電圧をVL とすると、図4に示すように画素に
供給する電圧Va の大きさによって、液晶コンデンサC
LCi の両端電圧VLCi は以下のような場合が存在する。 (a) 全てのi=1〜4に対しVLCi =0の場合。このと
きVa =0である。 (b) VLC1 =VU ,VLC2 =VL の場合。VLC3 ,V
LC4 はVL 以下である。この時の供給電圧Va をVa1で
表わす。 (c) VLC2 =VU ,VLC3 =VL の場合。この時の供給
電圧Va をVa2で表わす。 (d) VLC3 =VU ,VLC4 =VL の場合。この時のVa
をVa3で表わす。 (e) VLC4 =VU の場合。この時のVa をVa4で表わ
す。[0005] The liquid crystal of the voltage light transmittance is saturated V U, when the threshold voltage is V L, the magnitude of the voltage V a to be supplied to the pixel as shown in FIG. 4, the liquid crystal capacitor C
Voltage across V LCi of LCi is present if the following. (a) When V LCi = 0 for all i = 1 to 4. At this time, a V a = 0. (b) V LC1 = V U , if the V LC2 = V L. V LC3 , V
LC4 is below VL . It represents a supply voltage V a when this V a1. (c) V LC2 = V U , if the V LC3 = V L. It represents a supply voltage V a when this V a2. (d) V LC3 = V U , if the V LC4 = V L. V a at this time
Is represented by Va3. (e) When V LC4 = V U. Representing the V a at this time in the V a4.
【0006】供給電圧Vaiは、 Va1>Va2>Va3>Va4>0 (4) である。供給電圧Va の大きさを変化させて多階調表示
が行われる。The supply voltage Vai is such that Va1 > Va2 > Va3 > Va4 > 0 (4). Multi-gradation display is performed by changing the magnitude of the supply voltage V a.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、副画
素Fi において、画素に供給する電圧Va がVaiのと
き、液晶コンデンサCLCi の両端電圧VLCi は液晶の光
透過が飽和する電圧VU に等しくなるように設定され
る。即ち、In THE INVENTION Problem to be Solved] prior art, in the sub-pixel F i, when the voltage V a to be supplied to the pixels of the V ai, voltage across V LCi of the liquid crystal capacitor C LCi LCD light transmission is saturated It is set equal to the voltage V U. That is,
【0008】[0008]
【数2】 各制御コンデンサCCiはその容量が(5) 式を満足するよ
うに、副画素電極4i と重なる面積が設定される。(5)
式からわかるようにある副画素4i の液晶コンデンサV
LCi に印加される電圧を非常に小さくするには対応する
その制御コンデンサCCiの容量を小さくしなければなら
ない。即ち副画素電極4i と重なる制御コンデンサ電極
2の面積を小さくする必要がある。しかしながら、この
重なる面積が小さくなればなるほど(上述の例ではCC4
の重なる面積が最も小さい)、パターンずれなどによる
副画素電極41 〜44 と制御コンデンサ電極2の重なる
面積のばらつきによって容量値CCiの誤差が大きくな
る。液晶コンデンサ電圧VLCi は光透過の飽和電圧VU
に対する偏差が大きくなり、このため多階調表示の誤差
が大きくなり、表示品位が著しく低下する問題があっ
た。(Equation 2) The area of each control capacitor C Ci that overlaps with the sub-pixel electrode 4 i is set so that the capacitance satisfies the expression (5). (Five)
As can be seen from the equation, the liquid crystal capacitor V of the sub-pixel 4 i
In order to make the voltage applied to LCi very small, the capacitance of the corresponding control capacitor C Ci must be reduced. That is, it is necessary to reduce the area of the control capacitor electrode 2 overlapping the sub-pixel electrode 4 i . However, the smaller the overlap area (in the above example, C C4
Smallest) is the overlapping area of the error of the capacitance value C Ci by variations in the area overlapping the subpixel electrodes 41 to 4 due to misalignment of the patterns of the control capacitor electrode 2 is increased. The liquid crystal capacitor voltage V LCi is the light transmission saturation voltage V U
, The error in multi-tone display becomes large, and the display quality is remarkably deteriorated.
【0009】また、副画素電極4i は画素電極を単に行
方向及び列方向に分割して形成しているので、副画素が
1つのみオンとなっている状態と複数の副画素がオンと
なっている状態ではオン領域の中心が異なり、表示画像
の品質が良くなかった。この発明の第1の目的は制御コ
ンデンサ容量の製造ばらつきの影響による多階調表示品
位の低下が少ない液晶表示素子を提供することである。Further, since the sub-pixel electrode 4i is formed by simply dividing the pixel electrode in the row direction and the column direction, a state in which only one sub-pixel is on and a state in which a plurality of sub-pixels are on In this state, the center of the ON area was different, and the quality of the displayed image was not good. A first object of the present invention is to provide a liquid crystal display element in which the deterioration of the multi-gradation display quality due to the influence of manufacturing variations of the control capacitor is small.
【0010】この発明の第2の目的は画素のオン領域が
増減してもその中心が移動せず、画像表示品位の優れた
液晶表示素子を提供することである。A second object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having excellent image display quality even when the ON region of a pixel is increased or decreased without moving the center thereof.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】この発明の第1の観点に
よれば、各画素を構成する複数の互いに分離された副画
素電極が液晶を挟んで第2基板上の共通電極と対向して
第1基板上に配され、それら間に液晶コンデンサを形成
し、副画素電極の少くとも1つと第1絶縁膜を介して対
向する制御コンデンサ電極が第1基板と副画素電極の間
に設けられており、それによって上記少くとも1つの副
画素電極が上記共通電極との間に形成する液晶コンデン
サに直列に接続された制御コンデンサを形成し、上記制
御コンデンサ電極と共通電極との間に駆動電圧が供給さ
れるように構成された画素を有する液晶表示素子におい
て、この発明では、上記少くとも1つの副画素電極と第
2絶縁膜を介して対向するように付加コンデンサ電極が
形成され、それによって上記液晶コンデンサに等価的に
並列な付加コンデンサを形成している。According to a first aspect of the present invention, a plurality of separated sub-pixel electrodes constituting each pixel are opposed to a common electrode on a second substrate with a liquid crystal interposed therebetween. A control capacitor electrode is disposed on the first substrate and forms a liquid crystal capacitor therebetween, and a control capacitor electrode facing at least one of the sub-pixel electrodes via a first insulating film is provided between the first substrate and the sub-pixel electrode. Thereby forming a control capacitor connected in series with the liquid crystal capacitor formed between the at least one sub-pixel electrode and the common electrode, and having a drive voltage between the control capacitor electrode and the common electrode. In the liquid crystal display element having a pixel configured to be supplied with, an additional capacitor electrode is formed so as to face the at least one sub-pixel electrode with a second insulating film interposed therebetween. Forming a equivalently parallel additional capacitor to the liquid crystal capacitor me.
【0012】この発明の第2の観点によれば、各画素を
構成する複数の互いに分離された副画素電極が液晶を挟
んで第2基板上の共通電極と対向して第1基板上に配さ
れ、それら間に液晶コンデンサを形成し、副画素電極の
少くとも1つと第1絶縁膜を介して対向する制御コンデ
ンサ電極が第1基板と副画素電極の間に設けられてお
り、それによって上記少くとも1つの副画素電極が上記
共通電極との間に形成する液晶コンデンサに直列に接続
された制御コンデンサを形成し、上記制御コンデンサ電
極と共通電極との間に駆動電圧が供給されるように構成
された画素を有する液晶表示素子において、この発明で
は、上記複数の副画素電極は、中央副画素領域と、その
周囲をほぼ同心状に囲む少なくとも1つのループ状副画
素領域を規定するように形成されている。According to the second aspect of the present invention, a plurality of separated sub-pixel electrodes constituting each pixel are arranged on the first substrate, facing the common electrode on the second substrate with the liquid crystal interposed therebetween. A liquid crystal capacitor is formed therebetween, and a control capacitor electrode opposed to at least one of the sub-pixel electrodes via the first insulating film is provided between the first substrate and the sub-pixel electrode. At least one subpixel electrode forms a control capacitor connected in series to a liquid crystal capacitor formed between the common electrode and the common electrode, and a driving voltage is supplied between the control capacitor electrode and the common electrode. In the liquid crystal display device having the constituted pixels, according to the present invention, the plurality of sub-pixel electrodes define a central sub-pixel region and at least one loop-shaped sub-pixel region surrounding the periphery substantially concentrically. It is formed in.
【0013】[0013]
【作用】この発明の第1の観点によれば、制御コンデン
サと直列に接続された液晶コンデンサに対して等価的に
並列に付加コンデンサが接続されるので、制御コンデン
サ電極及び付加コンデンサ電極のいずれの面積を変化さ
せてもその液晶コンデンサを構成する液晶に印加される
容量分割電圧を制御することができ、それだけ画素の設
計の自由度が大となる。According to the first aspect of the present invention, since the additional capacitor is equivalently connected in parallel to the liquid crystal capacitor connected in series with the control capacitor, either the control capacitor electrode or the additional capacitor electrode is connected. Even if the area is changed, the capacitance division voltage applied to the liquid crystal constituting the liquid crystal capacitor can be controlled, and the degree of freedom in designing the pixel increases accordingly.
【0014】この発明の第2の観点によれば、各画素を
構成する副画素が互いに同心状に配置されるので、副画
素の表示状態を変化させてもオン領域の中心は画素のほ
ぼ中心に固定されており、表示画像の品質を改善でき
る。According to the second aspect of the present invention, since the sub-pixels constituting each pixel are arranged concentrically with each other, even if the display state of the sub-pixel is changed, the center of the ON region is substantially at the center of the pixel. To improve the quality of the displayed image.
【0015】[0015]
【実施例】この発明の実施例をその1画素領域を切出し
て図5に示し、図1と対応する部分に同じ符号を付し、
重複説明を省略する。この実施例においては、制御コン
デンサ電極2は副画素電極相互間の十字ギャップGaと
全長に渡って重なると共に、この例ではほぼ長方形の画
素領域の四隅をそれぞれ所定の大きさ除去した太十字状
にITOで形成される。従って副画素電極間のギャップ
においては制御コンデンサ電極2に与えられる電圧によ
り液晶が駆動される。この発明の第1の観点によれば、
付加コンデンサ電極12と副画素電極4i (i=1〜
4)との間に絶縁膜11を誘電体とする付加コンデンサ
CSiが図6に示すように形成される。即ち、十字のギャ
ップGaで互いに分離された副画素電極41 〜44 上に
窒化シリコン(SiNx )などの絶縁膜11を介して付
加コンデンサ電極12が、この例ではアルミニウムでU
字状に形成される。U字状の付加コンデンサ電極12は
これら副画素電極41 〜44 上を順次通過していくよう
形成されている。更に各行のそれぞれの画素の付加コン
デンサ電極12は図示しない配線により順次接続され、
液晶表示素子の動作時に一定の電位が与えられる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention is shown in FIG. 5 in which one pixel region is cut out, and portions corresponding to those in FIG.
A duplicate description is omitted. In this embodiment, the control capacitor electrode 2 overlaps the entire length of the cross gap Ga between the sub-pixel electrodes, and in this example, the four corners of the substantially rectangular pixel region are each removed in a thick cross shape by removing a predetermined size. It is formed of ITO. Therefore, in the gap between the sub-pixel electrodes, the liquid crystal is driven by the voltage applied to the control capacitor electrode 2. According to a first aspect of the present invention,
The additional capacitor electrode 12 and the sub-pixel electrode 4 i (i = 1 to
4), an additional capacitor C Si having the insulating film 11 as a dielectric is formed as shown in FIG. That is, the additional capacitor electrode 12 through an insulating film 11 such as silicon nitride (SiN x) on the sub-pixel electrode 41 to 4 which are separated from each other by crisscross gap Ga is, U aluminum in this example
It is formed in a character shape. U-shaped additional capacitor electrode 12 is formed so as to sequentially pass through these subpixel electrodes 41 to 4 above. Further, the additional capacitor electrodes 12 of the respective pixels in each row are sequentially connected by wiring (not shown),
A constant potential is applied when the liquid crystal display element operates.
【0016】図5の画素の電気的等価回路は図7に示す
ように表わされる。即ち、付加コンデンサCSiは図示し
てない配線により一定電位に保持されるため、等価的に
は液晶コンデンサCLCi と並列に接続されている。制御
コンデンサ電極2と共通電極6との間に印加される駆動
電圧Va は制御コンデンサ容量CCiと、液晶コンデンサ
容量CLCi 及び付加コンデンサ容量CSiの合成容量C
LCi +CSiとにより分圧され、液晶コンデンサCLCi に
印加される電圧VLCi はAn electrical equivalent circuit of the pixel shown in FIG. 5 is represented as shown in FIG. That is, since the additional capacitor C Si is held at a constant potential by a wiring (not shown), it is equivalently connected in parallel with the liquid crystal capacitor C LCi . Driving voltage V a applied between the control capacitor electrode 2 and the common electrode 6 and the control capacitor capacitance C Ci, combined capacitance of the liquid crystal capacitance C LCi and the additional capacitance C Si C
The voltage V LCi divided by LCi + C Si and applied to the liquid crystal capacitor C LCi is
【0017】[0017]
【数3】 で表わされる。従来例では液晶コンデンサ電圧VLCi を
設定するのを、制御コンデンサ容量CCiの調整のみで行
っていたが、この発明では付加容量CSiの調整が併用さ
れる。例えばコンデンサCLC4 の両端電圧VLC4 がV
LC1 〜VLC4 の中で最も小さく設定される場合、CC4が
小さくされると共にCS4は大きく設定され、これにより
(6) 式のCC4/(CLC4 +CS4+CC4)の値がi=1〜
3の場合より最も小さく設定される。このように付加コ
ンデンサCSiを併用すると、制御コンデンサ容量CCiは
従来のようにあまり小さくせず、製造ばらつきの影響が
問題にならない程度にとどめられる。付加コンデンサ電
極12は製造ばらつきによりその位置がずれても、各副
画素電極4i と重なる面積があまり変らないようにして
容量値の製造ばらつきを小さく抑えるのが望ましい。(Equation 3) Is represented by In the prior art, the liquid crystal capacitor voltage V LCi is set only by adjusting the control capacitor capacitance C Ci , but in the present invention, the adjustment of the additional capacitance C Si is also used. For example, the voltage V LC4 across the capacitor C LC4 is V
When the smallest set in LC1 ~V LC4, C S4 with the C C4 is small is set larger, thereby
In the equation (6), the value of C C4 / (C LC4 + C S4 + C C4 ) is i = 1 to
3 is set to be the smallest. When the additional capacitor C Si is used together in this way, the control capacitor capacitance C Ci is not made so small as in the conventional case, and the effect of the manufacturing variation is kept to a small extent. Even if the position of the additional capacitor electrode 12 is displaced due to manufacturing variations, it is desirable to minimize the manufacturing variation of the capacitance value so that the area overlapping each subpixel electrode 4 i does not change much.
【0018】太十字状制御コンデンサ電極2は副画素電
極相互間のギャップと重なっているので、これらのギャ
ップ上の液晶には、制御コンデンサ電極2と共通電極6
との間に印加される電圧Va が絶縁膜3,11と液晶7
とで分圧され、電圧Va の大きさによって、この液晶部
分を光透過或いは光遮断の状態に制御し、副画素電極と
同様に多階調表示に寄与するようにする。これにより画
素の開口率が向上される。Since the thick cross-shaped control capacitor electrode 2 overlaps the gaps between the sub-pixel electrodes, the liquid crystal on these gaps includes the control capacitor electrode 2 and the common electrode 6
Voltage V a applied and the insulating film 3 and 11 between the liquid crystal 7
Is divided by the, by the magnitude of the voltage V a, the liquid crystal portion to control the state of light transmission or light blocking, so as to contribute to the multi-gradation display as well as the sub-pixel electrode. Thereby, the aperture ratio of the pixel is improved.
【0019】なお、制御コンデンサCC1〜CC4のうち、
最大容量を形成する副画素電極41 の領域の液晶には最
大の電圧が印加されることになる。画素に供給される電
圧V a を一定とした時に、この最大電圧をできるだけ大
とするには制御コンデンサ電極2は副画素電極41 の全
面と対向して重なる形状にすればよいが、副画素電極4
1 と制御コンデンサ電極2とを電気的に接続することも
できる。後述の実施例はこの場合に当り、制御コンデン
サCC1の容量を無限大にしたのと等価である。その場合
は制御コンデンサ電極2と副画素電極41 との重なりは
任意でよく、重なりが無くてもよい。電圧対透過率特性の設計 副画素F1 〜F4 の電圧対透過率特性を上述のように付
加コンデンサ容量CSiと制御コンデンサ容量CCiとによ
り制御することによって、画素全体の透過率特性を設計
する自由度が増え、種々の好ましい特性を得ることがで
きる。 (イ)副画素F1 〜F4 の特性を図8のAのように電圧
軸の方向に間隔をあけて設定することにより、画素の総
合特性を図8のBのように階段状にすることができる。 (ロ)副画素F1 〜F4 の特性を図9のAのように、副
画素Fi の光透過率が90%となるときの印加電圧Va
と副画素Fi+1 の光透過率が10%となるときの印加電
圧Va とが等しくなるように副画素F1 〜F4 の特性を
設定すれば、画素の総合特性は図9のBに示すように直
線状となり、その傾斜を副画素に分割しない場合より緩
やかにすることができる。このようにすると、各副画素
Fi の図9のAにおける直線からの透過率の偏差は、図
9のBの総合特性においては結果としてより小さく圧縮
された特性となり直線性が改善される。また画素の総合
特性の直線領域も、図9のAにおける個々の特性より広
くなる。このため通常液晶表示素子をビテオ信号の表示
器として用いるとき、印加電圧値を調整して直線性を補
正する所謂γ(ガンマ)補正が不要となる。また電圧対
透過率特性が緩やかであるため、ビデオ表示等を行なう
とき、ソースバスに信号を供給する駆動ICの出力偏差
に対するマージンを大きくできる。図9のAに示すよう
にそれぞれの副画素の電圧対透過率特性を設定すると、
図9のBに示すように画素の透過率が飽和する電圧を図
8のBの場合より低く抑えられ、より低電圧駆動が可能
となる。 (ハ)カラー表示用のTN形液晶表示素子の本質的な特
性として旋光分散に基づいてR,G,Bの各色毎に画素
の電圧対透過率特性が図10のAに示すように異なるこ
とが知られているが、この発明によれば、画素の電圧対
透過率特性の設計の自由度が増えたため所望の特性に設
計するのが容易となり、図10のBのように各色ともほ
ぼ同じ特性に補正できる。なおこの補正は画素が副画素
に分割されない場合でも、制御コンデンサ容量CC と付
加容量CS とにより液晶コンデンサ電圧 VLC=Va C
C /(CLC+CS +CC )を各色毎に調整できるので、
上記と同様の補正が可能である。The control capacitor CC1~ CC4Of which
Sub-pixel electrode 4 forming the maximum capacitance1Liquid crystal in the area
A large voltage will be applied. The power supplied to the pixel
Pressure V aWhen the constant is
The control capacitor electrode 2 is connected to the sub-pixel electrode 41All of
The sub-pixel electrode 4 may be formed so as to face and overlap the surface.
1And the control capacitor electrode 2 can be electrically connected.
it can. The embodiment described below corresponds to this case, and the control
Sa CC1Is equivalent to infinite capacity. In that case
Is the control capacitor electrode 2 and the sub-pixel electrode 41Overlap with
It may be arbitrary and may not have overlap.Design of voltage versus transmittance characteristics Sub-pixel F1~ FFourThe voltage versus transmittance characteristics of
Capacitor capacity CSiAnd control capacitor capacitance CCiAnd by
To control the transmittance characteristics of the entire pixel
The degree of freedom to obtain various favorable characteristics.
Wear. (A) Sub-pixel F1~ FFourOf the voltage as shown in FIG.
By setting an interval in the direction of the axis, the total pixel
The matching characteristic can be made stepwise as shown in FIG. (B) Sub-pixel F1~ FFourThe characteristics of
Pixel FiVoltage V at which the light transmittance of the sample becomes 90%a
And sub-pixel Fi + 1Applied when the light transmittance of the
Pressure VaAnd the sub-pixel F1~ FFourThe characteristics of
If set, the overall characteristics of the pixel will be straightforward as shown in FIG.
It becomes linear, and its inclination is gentler than when it is not divided into sub-pixels.
It can be done. In this way, each sub-pixel
FiThe deviation of the transmittance from the straight line in FIG.
Resulting in less compression in the overall properties of 9B
Characteristic and the linearity is improved. Also the total of pixels
The linear region of the characteristics is also wider than the individual characteristics in FIG.
It becomes. For this reason, the liquid crystal display element normally displays video signals.
When used as a detector, adjust the applied voltage value to compensate for linearity.
Correction so-called γ (gamma) correction becomes unnecessary. Also voltage vs.
Performs video display, etc., because the transmittance characteristics are moderate.
When the output deviation of the drive IC that supplies the signal to the source bus
Margin can be increased. As shown in FIG.
When the voltage versus transmittance characteristics of each sub-pixel are set in
The voltage at which the transmittance of the pixel is saturated as shown in FIG.
8 lower than in case of B, lower voltage driving is possible
Becomes (C) Essential features of TN type liquid crystal display devices for color display
Pixel for each color of R, G, B based on optical rotation dispersion
The voltage-transmittance characteristics of
According to the present invention, the voltage of the pixel
Since the degree of freedom in designing the transmittance characteristics has increased, the desired characteristics can be set.
It is easy to measure each color, as shown in FIG.
It can be corrected to the same characteristics. In this correction, the pixel is a sub-pixel
Control capacitor capacitance CCAnd with
Capacity CSAnd the liquid crystal capacitor voltage VLC= VaC
C/ (CLC+ CS+ CC) Can be adjusted for each color,
The same correction as described above is possible.
【0020】これ迄の説明では画素を4個の副画素に分
割する場合を示したが、一般にはn(2以上の整数)個
に分割できることは明らかである。この発明の第2の観
点によれば、各画素を分割した複数の副画素の領域を互
いに同心状に配置する。例えば、図5と対応するものに
同じ符号を付けて図11に示すように、ITOの画素電
極は方形ループ状のギャプGaにより2つの方形ループ
状副画素電極41,42 に同心状に分割されている。副画
素電極41 の中央は方形窓Wが形成されている。制御コ
ンデンサ電極2は図12に示すように、副画素電極41
のほぼ半分の領域とは重ならないように穴2aが形成さ
れ、その穴2a以外で副画素電極41,42 及び方形窓W
と絶縁膜3を介して対抗するよう画素のほぼ全領域に渡
ってITOにより形成されている。この例では中央窓W
において絶縁膜3を介して電気的に露出される制御コン
デンサ電極2の領域は副画素領域F1 を規定する。従っ
て、制御コンデンサ電極2と共通電極6との間に印加す
る駆動電圧Vaを増加していくと、最初に中央窓Wの副
画素領域F1 がオンとなり、次に副画素電極41 が規定
する副画素領域F2 が追加的にオンとなり、最後に副画
素電極42 が規定する副画素領域F3 が追加的にオンと
なる。このようにオン領域が増減してもそのオン領域の
中心位置は画素のほぼ中央に固定しているため、各画素
がこのように構成された液晶表示素子によれば人間の視
覚にとって見易い画像を表示でき、また図1のように画
素電極を行方向及び列方向に分割した場合に比べて画像
の表示品質が良いことが実験で確かめられた。他の実施例 各画素を2つの副画素で構成し、第1の副画素電極を制
御コンデンサ電極に接続した場合のこの発明の第1と第
2の観点の組み合わせによる実施例の平面図、そのA−
A断面図及びB−B断面図を図13,図14及び図15
に、図5,図6と対応する部分に同じ符号を付して示
す。透明基板1上に島状に遮光層13が形成される。遮
光層13はTFTに光が入射しないようにするものであ
る。透明基板1及び遮光層13上に酸化シリコン(Si
O2 )のような絶縁膜14が形成され、その上にループ
状の制御コンデンサ電極2がITOなどにより形成され
る。制御コンデンサ電極2及び絶縁膜14上に酸化シリ
コンのような絶縁膜15が形成され、その上にITOな
どによりソースバス21、ソース電極21a、ドレイン
電極22、副画素電極41 ,42 が形成される。副画素
電極41 は制御コンデンサ電極2上の絶縁膜15に形成
されたコンタクトホール15Hにおいて、制御コンデン
サ電極2に接触して形成され、互いに導通状態とされ
る。また副画素電極41 はTFT8のドレイン電極22
迄延長され、互いに連結される。ソース電極21a及び
ドレイン電極22にまたがってアモルファスシリコンな
どの半導体層23が形成される。半導体層23及び副画
素電極41 ,42 上にまたがって窒化シリコン(SiN
x )などのゲート絶縁膜24が形成され、その上に例え
ばアルミニウムによりゲートバス25、ゲート電極25
a、付加コンデンサ電極12が同時に形成される。In the above description, the case where a pixel is divided into four sub-pixels has been described. However, it is apparent that the pixel can be generally divided into n (an integer of 2 or more). According to the second aspect of the present invention, a plurality of subpixel regions obtained by dividing each pixel are arranged concentrically with each other. For example, as shown in FIG. 11 by attaching the same reference numerals to those corresponding to FIG. 5, the ITO pixel electrode is concentric with two square loop-shaped sub-pixel electrodes 4 1 and 4 2 by a square loop-shaped gap Ga. Has been split. Center sub-pixel electrodes 4 1 rectangular window W is formed. The control capacitor electrode 2, as shown in FIG. 12, the sub-pixel electrodes 4 1
Substantially does not overlap the half area hole 2a is formed as the sub-pixel electrodes 4 1 except that hole 2a, 4 2 and rectangular window W of
And is formed of ITO over almost the entire area of the pixel so as to oppose each other via the insulating film 3. In this example, the central window W
Region of the control capacitor electrode 2 which is electrically exposed through the insulating film 3 in defining a subpixel area F 1. Accordingly, when gradually increasing the drive voltage Va applied between the control capacitor electrode 2 and the common electrode 6, the first sub-pixel region F 1 of the central window W is turned on, then the sub-pixel electrodes 4 1 provisions subpixel region F 2 is additionally turned on, the last subpixel electrodes 4 2 sub-pixel region F 3 is additionally on defining the. Even if the ON area increases or decreases in this way, the center position of the ON area is fixed at substantially the center of the pixel, and therefore, according to the liquid crystal display device having such a configuration, an image that is easy to see for human eyes can be obtained. It was confirmed by experiments that the display was possible and that the display quality of the image was better than when the pixel electrode was divided in the row direction and the column direction as shown in FIG. Other Embodiments A plan view of an embodiment according to a combination of the first and second aspects of the present invention in which each pixel is composed of two sub-pixels and a first sub-pixel electrode is connected to a control capacitor electrode, A-
13, 14, and 15 are sectional views of A and BB.
The same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 5 and FIG. The light shielding layer 13 is formed on the transparent substrate 1 in an island shape. The light shielding layer 13 prevents light from entering the TFT. Silicon oxide (Si) is formed on the transparent substrate 1 and the light shielding layer 13.
An insulating film 14 such as O 2 ) is formed, and a control capacitor electrode 2 having a loop shape is formed thereon by ITO or the like. An insulating film 15 such as silicon oxide is formed on the control capacitor electrode 2 and the insulating film 14, and a source bus 21, a source electrode 21a, a drain electrode 22, and sub-pixel electrodes 4 1 and 4 2 are formed thereon by using ITO or the like. Is done. Subpixel electrodes 4 1 in the contact hole 15H formed in the insulating film 15 on the control capacitor electrode 2 is formed in contact with the control capacitor electrode 2 is in a conductive state with each other. The drain electrode 22 of the sub-pixel electrodes 4 1 TFT8
And are connected to each other. A semiconductor layer 23 such as amorphous silicon is formed over the source electrode 21a and the drain electrode 22. Silicon nitride (SiN) is formed over the semiconductor layer 23 and the sub-pixel electrodes 4 1 and 4 2.
x ), etc., and a gate bus 25 and a gate electrode 25 made of, for example, aluminum are formed thereon.
a, the additional capacitor electrode 12 is formed at the same time.
【0021】上述のようにTFT8、副画素電極41 ,
42 等が形成された透明基板1は共通電極6が内面に形
成されている透明基板5と対向して配され、それらの基
板間に液晶7が封入される。ソースバス21とゲートバ
ス25の交叉部、及びソースバス21と付加コンデンサ
電極12の交叉部には島状半導体層23a及び23bが
ゲート絶縁膜24の下に積層して形成され、絶縁性を高
めている。ゲートバス25とソースバス21の交叉点の
近傍にTFT8が形成される。左右のソースバス21及
び上下のゲートバス25で囲まれた領域内に小面積の副
画素電極41 と大面積の副画素電極42が形成される。制
御コンデンサ電極2は副画素電極42 の周縁部を囲むと
共にその周縁部と重なってループ状に形成される。副画
素電極41 と制御コンデンサ電極2とは既に述べたよう
にコンタクトホール15Hで互いに電気的に接続され
る。As described above, the TFT 8, the sub-pixel electrode 4 1 ,
4 2 such as a transparent substrate 1 formed is is arranged opposite to the transparent substrate 5 which common electrode 6 is formed on the inner surface, the liquid crystal 7 is sealed between the substrates. At the intersection of the source bus 21 and the gate bus 25 and at the intersection of the source bus 21 and the additional capacitor electrode 12, island-shaped semiconductor layers 23a and 23b are formed by being stacked below the gate insulating film 24 to improve the insulation. ing. The TFT 8 is formed near the intersection of the gate bus 25 and the source bus 21. In a region surrounded by the right and left source bus 21 and the upper and lower gate bus 25 and the sub-pixel electrodes 4 1 small-area subpixel electrodes 4 2 large area is formed. The control capacitor electrode 2 is formed in a loop shape overlaps with the peripheral portion surrounds the peripheral edge of the subpixel electrodes 4 2. The sub-pixel electrodes 4 1 and the control capacitor electrode 2 are electrically connected to each other by a contact hole 15H as already mentioned.
【0022】副画素電極41 に接続された制御コンデン
サ電極2は副画素電極42 を囲んで同心状に配置されて
いるので、液晶表示素子の駆動時にTFT8を通してあ
る電圧Va が与えられた時にまず副画素42 を囲む制御
コンデンサ電極2の領域(副画素41 領域も含む)がオ
ン(光透過)となり、電圧Va をそれより所定値だけ高
くすると更に副画素42 の領域もオンとなる。前述のよ
うに画素の表示領域を同心的に制御すると図5のように
副画素を縦、横に配置した場合より表示品位がよい。[0022] Since the control capacitor electrode 2 connected to the sub-pixel electrode 4 1 is arranged concentrically surrounding the subpixel electrode 4 2, the voltage V a in through TFT8 in driving the liquid crystal display device is given sometimes first sub-pixel (including sub-pixels 4 1 region) 4 2 area of the control capacitor electrode 2 surrounding the oN (light transmission), and even more subpixels 4 2 regions when a voltage V a higher predetermined value than Turns on. When the display area of the pixels is concentrically controlled as described above, the display quality is better than when the sub-pixels are arranged vertically and horizontally as shown in FIG.
【0023】付加コンデンサ電極12はゲート絶縁膜2
4を介して副画素電極42 上に形成されている。付加コ
ンデンサ電極12はこの実施例ではH字状をしており、
その水平部12Cが制御コンデンサ電極2のほぼ中央を
水平に横切って延び、その両端部にそれぞれ垂直部12
A,12Bが設けられている。垂直部12A,12Bは
制御コンデンサ電極2の側縁と重なって延びている。水
平部12Cは両端が延長されてゲートバス25の延長方
向に隣接する画素の付加コンデンサ電極12と接続され
ている。液晶表示素子の動作時には全ての画素のこれら
付加コンデンサ電極12は水平部12Cの延長端に一定
の直流電圧を与えることによりあらかじめ決めた一定電
位に保持される。制御コンデンサ電極2は、副画素電極
41 ,4 2 間のギャップGaと重なるように配される。The additional capacitor electrode 12 is a gate insulating film 2
4 through the sub-pixel electrode 4TwoIs formed on. Additional
The capacitor electrode 12 has an H shape in this embodiment.
The horizontal portion 12C is located substantially at the center of the control capacitor electrode 2.
It extends horizontally and has vertical portions 12 at each end.
A and 12B are provided. The vertical parts 12A, 12B
It extends so as to overlap with the side edge of the control capacitor electrode 2. water
The flat part 12C is extended at both ends to extend the gate bus 25.
Connected to the additional capacitor electrode 12 of the pixel adjacent in the direction
ing. During operation of the liquid crystal display element,
The additional capacitor electrode 12 is fixed at the extension end of the horizontal portion 12C.
Constant current by applying a DC voltage of
Is held in place. The control capacitor electrode 2 is a sub-pixel electrode
41, 4 TwoIt is arranged so as to overlap with the gap Ga between them.
【0024】制御コンデンサ電極2と副画素電極42 と
の間に制御コンデンサCC2が形成されるが、制御コンデ
ンサ電極2と副画素電極41 とは電気的に短絡されてい
るので、制御コンデンサCC1は形成されない(或いはC
C1は形成されているが両端が短絡されていると見ること
もできる)。付加コンデンサ電極12と副画素電極42
との間に付加容量CS2が形成される。この例では、副画
素電極41 と付加コンデンサ電極12との間に直接付加
容量CS1を形成せず、代りに制御コンデンサ電極2(副
画素電極41 と接続されている)と付加コンデンサ電極
12との間に形成される。副画素電極41 と共通電極6
との間に液晶コンデンサCLC1aが、副画素電極間のギャ
ップGaと対向する制御コンデンサ電極2と共通電極6
との間に液晶コンデンサCLC1bが、また副画素電極42
と共通電極6との間に液晶コンデンサCLC2 がそれぞれ
形成される。従って図13,図14及び図15の実施例
における画素の電気的等価回路は図16に示すものとな
る。[0024] While control capacitor C C2 is formed between the control capacitor electrode 2 and the subpixel electrode 4 2, since the control capacitor electrode 2 and the subpixel electrode 4 1 is electrically shorted, the control capacitor C C1 is not formed (or C
It can be seen that C1 is formed but both ends are short-circuited). Additional capacitor electrode 12 and sub-pixel electrode 4 2
, An additional capacitance C S2 is formed. In this example, direct additional capacitance C S1 without formation, the control capacitor electrode 2 (connected with the sub-pixel electrode 4 1) instead and the additional capacitor electrode between the subpixel electrodes 4 1 and the additional capacitor electrode 12 12 is formed. Subpixel electrodes 4 1 and the common electrode 6
Common electrode 6 crystal capacitor C LC1A is the control capacitor electrode 2 which faces the gap Ga between the subpixel electrodes between the
Between the liquid crystal capacitor C LC1b and the sub-pixel electrode 4 2
The liquid crystal capacitor CLC2 is formed between the common electrode 6 and the common electrode 6. Accordingly, the electrical equivalent circuit of the pixel in the embodiment of FIGS. 13, 14 and 15 is as shown in FIG.
【0025】図13の例では、制御コンデンサ電極2が
副画素電極42 の周縁部と重ねられる寸法は12μm 程
度であるが、もし従来例のように付加容量を併用しない
構成にすると、この重ねられる寸法は例えば 1.5μm 程
度と極めて小さくする必要があり、パターンずれなどに
対する製造マージンが取れなくなる。図13から分るよ
うに、付加コンデンサ電極12の垂直部12A,12B
はその幅方向の中間において制御コンデンサ2の両側縁
と重なっているので、付加コンデンサ電極12の上下及
び左右方向の製造上の位置ずれに対しては、副画素電極
42 と重なる面積及び制御コンデンサ電極2(副画素電
極41 と接続されている)と重なる面積は共にほとんど
変化しない。従ってパターンずれなどによる製造ばらつ
きに対し付加コンデンサ容量CS1,CS2はほぼ一定に保
たれる。なおこの付加コンデンサCS1,CS2は信号電荷
保持のための蓄積容量として作用するものであり、リー
ク電流が増大する高温動作での表示の安定性向上などに
寄与する。In the example of FIG. 13, the control capacitor electrode 2 is dimensioned to be overlaid with the peripheral edge portion of the subpixel electrode 4 2 is approximately 12 [mu] m, if the conventional example to not mix constituting the additional capacity as this overlapping The required size must be extremely small, for example, about 1.5 μm, and a manufacturing margin for a pattern shift cannot be obtained. As can be seen from FIG. 13, the vertical portions 12A and 12B of the additional capacitor electrode 12 are formed.
Since overlaps the side edges of the control capacitor 2 in the middle in the width direction, with respect to the positional deviation of the vertical and lateral directions manufacture of additional capacitor electrode 12, the area and the control capacitor overlapping the subpixel electrode 4 2 area overlapping with the electrode 2 (connected subpixel electrodes 4 1 and) does both little change. Therefore, the additional capacitor capacities C S1 and C S2 are kept substantially constant with respect to manufacturing variations due to pattern shifts and the like. The additional capacitors C S1 and C S2 function as storage capacitors for holding signal charges, and contribute to improvement of display stability in high-temperature operation where leakage current increases.
【0026】図13,図14及び図15においては副画
素電極42 を囲むように制御コンデンサ電極2が形成さ
れているが、図13に対応するものを図17に簡略化し
て示すように、制御コンデンサ電極2を島状に中央に配
置し、その周縁と重なりかつ囲むように副画素電極42
を形成してもよい。その場合は印加電圧Vaを増加して
いくと中央の副画素領域がオンとなり、次にその外周の
副画素領域もオンとなる。FIG. 13, as it is the control capacitor electrode 2 so as to surround the sub-pixel electrode 4 2 is formed in FIGS. 14 and 15, shown, in simplified form, in FIG 17 corresponds to FIG. 13, The control capacitor electrode 2 is arranged in the center in an island shape, and the sub-pixel electrode 4 2 is overlapped with and surrounds the periphery thereof.
May be formed. In this case, as the applied voltage Va is increased, the central sub-pixel region is turned on, and then the outer sub-pixel region is also turned on.
【0027】更に、図18に断面でのみ示すように、図
13,図14及び図15の実施例におけるTFT8のソ
ース電極21a及びドレイン電極22を制御コンデンサ
電極2と同じ層に形成し、副画素電極41 と制御コンデ
ンサ電極2を連続した一体構造に形成することもでき
る。図13,図14及び図15の実施例では副画素電極
42 の上に付加コンデンサ電極12を設けたが、図19
及び図20に示すように副画素電極41 ,42 の下の制
御コンデンサ電極2と同じ面に設けてもよい。即ち、図
19及び図20に示す実施例においては図13における
方形ループ状の制御コンデンサ電極2の一部を除去して
通路2Aを形成し、その通路2Aを変形H形付加コンデ
ンサ電極12の水平部12Cが通され、H形電極12の
垂直部12Aと12Bはそれぞれ方形ループ状電極2の
外側と内側に配置されている。またこの実施例において
は副画素電極41 はその両側縁が制御コンデンサ電極2
の側縁及び付加コンデンサ電極12と重なるように形成
され、かつほぼ長方形の副画素電極42 の長側辺と間隔
Gaをおいて平行にほぼ全長に沿って延びている。H状
付加コンデンサ電極12の垂直部12Aはその両端が延
長されそれぞれ上下に隣接する画素の付加コンデンサ電
極の垂直部12Aに接続され、液晶表示素子の動作時に
は付加コンデンサ電極12は一定の電位に保持される。
この実施例におけるそれぞれの容量の接続等価回路も図
16に示すものと全く同じになる。Further, as shown only in the cross section in FIG. 18, the source electrode 21a and the drain electrode 22 of the TFT 8 in the embodiment of FIGS. 13, 14 and 15 are formed in the same layer as the control capacitor electrode 2, and it is also possible to form the electrodes 4 1 and the control capacitor electrode 2 in the integral structure continuously. 13, although the additional capacitor electrode 12 on the sub-pixel electrode 4 2 is provided in the embodiment of FIGS. 14 and 15, 19
Alternatively, as shown in FIG. 20, it may be provided on the same surface as the control capacitor electrode 2 under the sub-pixel electrodes 4 1 and 4 2 . That is, in the embodiment shown in FIGS. 19 and 20, a part of the rectangular loop-shaped control capacitor electrode 2 in FIG. 13 is removed to form the passage 2A, and the passage 2A is formed in the horizontal direction of the modified H-shaped additional capacitor electrode 12. The vertical portion 12A and the vertical portion 12B of the H-shaped electrode 12 are disposed outside and inside the rectangular loop-shaped electrode 2, respectively. The sub-pixel electrode in this embodiment 4 1 its side edges the control capacitor electrode 2
Extends parallel along substantially the entire length of the formed so as to overlap the side edges and the additional capacitor electrode 12, and at an approximately rectangular subpixel electrode 4 second long sides and spacing Ga. Both ends of the vertical portion 12A of the H-shaped additional capacitor electrode 12 are extended and connected to the vertical portions 12A of the additional capacitor electrodes of vertically adjacent pixels, respectively, and the additional capacitor electrode 12 is kept at a constant potential during operation of the liquid crystal display element. Is done.
The connection equivalent circuit of each capacitor in this embodiment is completely the same as that shown in FIG.
【0028】上述した各実施例においてはすべての副画
素電極41 ,42 ,…に対しそれぞれ付加コンデンサC
S1,CS2,…を設けた場合を示したが、場合によっては
少くとも1つの副画素電極には付加コンデンサを接続し
なくてもよい。例えば図13,図14及び図15に示す
実施例において付加コンデンサCS1を省略した実施例を
簡略化して図21,図22及び図23に示す。この実施
例においては付加コンデンサ電極12はほぼ長方形の副
画素電極42 の一側縁部とゲート絶縁膜24を介して重
なるようにゲートバス25と平行に同じ材料(例えばア
ルミニウム)で同時に形成されている。副画素電極41
は図13,図14及び図15の実施例と同様に絶縁膜1
5に形成されたコンタクトホール15Hを通して制御コ
ンデンサ電極2に接続されている。制御コンデンサ電極
2は付加コンデンサ電極12と互いに重なっておらず、
従ってこの実施例においては副画素電極41には付加コ
ンデンサが接続されていない。この実施例の画素の電気
的等価回路は図16において付加コンデンサCS1を除去
したものと同一である。In each of the above-described embodiments, the additional capacitors C are provided for all the sub-pixel electrodes 4 1 , 4 2 ,.
Although the case where S1 , Cs2 ,... Are provided is shown, an additional capacitor may not be connected to at least one sub-pixel electrode in some cases. For example, in the embodiments shown in FIGS. 13, 14 and 15, the embodiment in which the additional capacitor C S1 is omitted is simplified and shown in FIGS. 21, 22 and 23. Additional capacitor electrode 12 in this embodiment is formed simultaneously with substantially rectangular sub-pixel electrode 4 and second one side edge parallel to the same material as the gate bus 25 so as to overlap through the gate insulating film 24 (e.g. aluminum) ing. Sub-pixel electrode 4 1
Is the insulating film 1 in the same manner as in the embodiment of FIG. 13, FIG. 14 and FIG.
5 is connected to the control capacitor electrode 2 through a contact hole 15H. The control capacitor electrode 2 does not overlap with the additional capacitor electrode 12,
Therefore, the sub-pixel electrodes 4 1 additional capacitor not connected in this embodiment. The electrical equivalent circuit of the pixel in this embodiment is the same as that in FIG. 16 from which the additional capacitor C S1 is removed.
【0029】同様に図19,図20に示す実施例におい
て付加コンデンサCS1を除去した実施例を簡略化して図
24,図25及び図26に示す。この実施例では付加コ
ンデンサ電極12はITOにより制御コンデンサ電極2
と同じ面に同時に形成され、副画素電極42 と重なるよ
うにソースバス21と同じ方向に延長されている。副画
素電極41 は絶縁膜15に形成されたコンタクトホール
15Hを通して制御コンデンサ電極2に接続されている
が付加コンデンサ電極12とは互いに重ならない。従っ
て副画素電極41 には付加コンデンサが接続されておら
ず、画素の電気的等価回路は図16において付加コンデ
ンサCS1を除去したものと同一である。Similarly, in the embodiment shown in FIGS. 19 and 20, the embodiment in which the additional capacitor C S1 is removed is simplified and shown in FIGS. 24, 25 and 26. In this embodiment, the additional capacitor electrode 12 is a control capacitor electrode 2 made of ITO.
The same surface to be formed at the same time, is extended in the same direction as the source bus 21 so as to overlap with the sub-pixel electrode 4 2. Subpixel electrodes 4 1 do not overlap each other and in that although additional capacitor electrode 12 is connected to the control capacitor electrode 2 through the contact hole 15H formed in the insulating film 15. Therefore additional capacitor is not connected to the subpixel electrodes 4 1, electrical equivalent circuit of a pixel is the same as removing the additional capacitor C S1 in FIG.
【0030】前述のようにこの発明の第1の観点の原理
による付加コンデンサの効果はその付加コンデンサが接
続される副画素電極に対する制御コンデンサの設計自由
度を高める点にある。従って図21,図22及び図23
の実施例及び図24,図25及び図26の実施例から明
らかなように制御コンデンサが直列に接続されない副画
素電極に対してはこの発明の原理を適用できないので、
付加コンデンサを設けなくてもよい。しかしながら付加
コンデンサを接続することにより液晶コンデンサの容量
が増加し、それだけ電荷を多く蓄積できるので周知のよ
うに高温におけるリーク電流の増大に対し電圧低下を遅
くする効果が得られる。As described above, the effect of the additional capacitor according to the principle of the first aspect of the present invention is that the degree of freedom in designing a control capacitor for the sub-pixel electrode to which the additional capacitor is connected is increased. Therefore, FIG. 21, FIG. 22 and FIG.
24, 25 and 26, the principle of the present invention cannot be applied to the sub-pixel electrode to which the control capacitor is not connected in series.
It is not necessary to provide an additional capacitor. However, by connecting the additional capacitor, the capacity of the liquid crystal capacitor is increased, and a larger amount of electric charge can be accumulated. Therefore, as is well known, the effect of delaying the voltage drop against the increase in the leak current at a high temperature can be obtained.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第1の
観点によれば複数の副画素のうち少くとも1つの副画素
Fi においては従来の制御コンデンサCCiと共に付加コ
ンデンサCSiが液晶コンデンサCLCi の両端電圧VLCi
を決定するのに用いられ、その副画素の電圧対透過率特
性の設計自由度がそれだけ増加する。このため制御コン
デンサ電極2はパターンずれなどによる容量誤差の影響
が問題になるほど、副画素電極4i と重なる面積を小さ
くする必要がなくなり、各液晶コンデンサ電圧V LCi を
従来より精度よく設定することができる。このため画素
の多階調表示を従来より正確に行うことができ、表示品
位を向上できる。この付加コンデンサの併用によって各
副画素の電圧対透過率特性を精度よく設定することがで
きるので、画素の総合的な電圧対透過率特性の直線性を
向上することが容易となり、直線性補正のため従来行っ
ていた所謂γ補正が不要となる。また同じ理由からカラ
ーTN形液晶表示素子における旋光分散に起因する、色
の異なる画素間の電圧対透過率特性のずれを容易に補正
できる。As described above, the first aspect of the present invention is as follows.
According to an aspect, at least one sub-pixel of the plurality of sub-pixels
FiIn the conventional control capacitor CCiWith additional
Capacitor CSiIs the liquid crystal capacitor CLCiVoltage VLCi
Is used to determine the sub-pixel voltage versus transmittance characteristics.
Sex design freedom increases accordingly. Therefore, the control
Capacitance error due to pattern shift etc.
Becomes more problematic, the sub-pixel electrode 4iSmall overlapping area
It is no longer necessary to use LCiTo
It can be set with higher accuracy than before. Because of this pixel
Display can be performed more accurately than before.
Position can be improved. By using this additional capacitor together,
It is possible to accurately set the voltage-transmittance characteristics of the sub-pixel.
The linearity of the pixel's overall voltage versus transmittance characteristics
It is easy to improve, and it is conventionally performed for linearity correction.
This eliminates the need for so-called gamma correction. Also for the same reason
-Color caused by optical rotation dispersion in TN type liquid crystal display devices
Correction of voltage-transmittance characteristics between different pixels
it can.
【0032】この発明の第2の観点によれば、各画素は
複数の副画素が同心状に配置されるように構成されるの
で画像の表示品質を高めることができる。According to the second aspect of the present invention, since each pixel is configured such that a plurality of sub-pixels are arranged concentrically, the display quality of an image can be improved.
【図1】従来の液晶表示素子における画素構成を示す斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a pixel configuration in a conventional liquid crystal display element.
【図2】図1の各電極間に形成される静電容量を示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing a capacitance formed between electrodes of FIG. 1;
【図3】図1の画素の電気的等価回路を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an electrical equivalent circuit of the pixel in FIG. 1;
【図4】図1の副画素Fi (i=1〜4)における印加
電圧Va対液晶コンデンサ電圧VLCi 特性を示す図であ
る。4 is a diagram showing an applied voltage V a pair of liquid crystal capacitor voltage V LCi characteristic in the sub-pixel F i (i = 1~4) of FIG.
【図5】この発明の第1の観点にもとずく実施例におけ
る画素構成を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a pixel configuration in an embodiment according to the first aspect of the present invention.
【図6】図5における各電極間に形成される静電容量を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a capacitance formed between each electrode in FIG. 5;
【図7】図5の画素の電気的等価回路を示す図である。7 is a diagram showing an electrical equivalent circuit of the pixel in FIG.
【図8】Aは図5の各副画素の電圧対透過率特性の一例
を示す図であり、BはAの総合電圧対透過率特性を示す
図である。8A is a diagram illustrating an example of a voltage versus transmittance characteristic of each sub-pixel in FIG. 5, and FIG. 8B is a diagram illustrating a total voltage versus transmittance characteristic of A.
【図9】Aは図5の各副画素の電圧対透過率特性の他の
例を示す図であり、BはAの総合電圧対透過率特性を示
す図である。9A is a diagram illustrating another example of the voltage versus transmittance characteristic of each sub-pixel in FIG. 5, and FIG. 9B is a diagram illustrating the total voltage versus transmittance characteristic of A.
【図10】AはTN形カラー液晶表示素子におけるR,
G,Bの各画素の一般的な電圧対透過率特性を示す図で
あり、Bはこの発明の液晶表示素子におけるR,G,B
の各画素の電圧対透過率特性の一例を示す図である。FIG. 10A shows R, R in a TN type color liquid crystal display device.
FIG. 3 is a diagram showing general voltage versus transmittance characteristics of each pixel of G and B, where B is R, G, and B in the liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a voltage versus transmittance characteristic of each pixel of FIG.
【図11】この発明の第2の観点にもとずく画素構成の
実施例を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing an embodiment of a pixel configuration according to a second aspect of the present invention.
【図12】図11における制御コンデサ電極の平面図で
ある。FIG. 12 is a plan view of a control capacitor electrode in FIG. 11;
【図13】この発明の他の実施例の要部を示す平面図で
ある。FIG. 13 is a plan view showing a main part of another embodiment of the present invention.
【図14】図13のA−A断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図15】図13のB−B断面図である。FIG. 15 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図16】図13,図14及び図15の画素の電気的等
価回路を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an electrical equivalent circuit of the pixel shown in FIGS. 13, 14, and 15;
【図17】図13に対応する変形実施例を簡略化して示
す平面図である。FIG. 17 is a simplified plan view showing a modified example corresponding to FIG. 13;
【図18】図13,図14及び図15の実施例の変形例
を示す断面図である。FIG. 18 is a sectional view showing a modification of the embodiment of FIGS. 13, 14 and 15;
【図19】この発明の更に他の実施例を示す平面図であ
る。FIG. 19 is a plan view showing still another embodiment of the present invention.
【図20】図19のA−A断面図である。FIG. 20 is a sectional view taken along line AA of FIG. 19;
【図21】更に他の実施例の平面図である。FIG. 21 is a plan view of still another embodiment.
【図22】図21におけるA−A断面図である。FIG. 22 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 21.
【図23】図21におけるB−B断面図である。23 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 21.
【図24】更に他の実施例の平面図である。FIG. 24 is a plan view of still another embodiment.
【図25】図24におけるA−A断面図である。25 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 24.
【図26】図24におけるB−B断面図である。26 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 24.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−72392(JP,A) 特開 平2−12(JP,A) 特開 平2−79026(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/136 500 G02F 1/1343 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-2-72392 (JP, A) JP-A-2-12 (JP, A) JP-A-2-79026 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/136 500 G02F 1/1343
Claims (14)
素ごとに制御コンデンサ電極が形成され、 上記制御コンデンサ電極上で上記第1基板の全面に渡っ
て第1絶縁膜が形成され、 上記第1絶縁膜を介して上記制御コンデンサ電極上に少
なくとも1つの副画素電極が形成され、 上記液晶表示パネルの第2基板の内面に共通電極が形成
され、 上記第1基板と第2基板との間に液晶が封入され、 上記少なくとも1つの副画素電極と上記共通電極との間
に液晶コンデンサが形成され、 上記少なくとも1つの副画素電極と上記制御コンデンサ
電極との間に制御コンデンサが形成され、 上記制御コンデンサ電極と上記共通電極との間に駆動電
圧が供給されるように構成された上記画素を有する液晶
表示素子において、 上記少くとも1つの副画素電極と第2絶縁膜を介して対
向するように、一定電位に保持された付加コンデンサ電
極が設けられ、上記少なくとも1つの副画素電極と上記
付加コンデンサ電極との間に、付加コンデンサを形成し
ていることを特徴とする液晶表示素子。An image is formed on an inner surface of a first substrate of a liquid crystal display panel.
A control capacitor electrode is formed for each element, and over the entire surface of the first substrate on the control capacitor electrode.
A first insulating film is formed on the control capacitor electrode via the first insulating film.
At least one sub-pixel electrode is formed, and a common electrode is formed on the inner surface of the second substrate of the liquid crystal display panel.
Is, the liquid crystal between the first substrate and the second substrate is sealed, between the at least one sub-pixel electrode and the common electrode
A liquid crystal capacitor is formed in the at least one subpixel electrode and the control capacitor.
A liquid crystal display element having a pixel formed with a control capacitor between the electrode and a driving voltage supplied between the control capacitor electrode and the common electrode; An additional capacitor voltage maintained at a constant potential so as to face the electrode via the second insulating film.
A pole is provided, wherein the at least one sub-pixel electrode is
A liquid crystal display device comprising an additional capacitor formed between the additional capacitor electrode .
素ごとに制御コンデンサ電極が形成され、 上記制御コンデンサ電極上で上記第1基板の全面に渡っ
て第1絶縁膜が形成され、 上記第1絶縁膜を介して上記制御コンデンサ電極上に少
なくとも1つの副画素電極が形成され、 上記液晶表示パネルの第2基板の内面に共通電極が形成
され、 上記第1基板と第2基板との間に液晶が封入され、 上記少なくとも1つの副画素電極と上記共通電極との間
に液晶コンデンサが形成され、 上記少なくとも1つの副画素電極と上記制御コンデンサ
電極との間に制御コンデンサが形成され、 上記制御コンデンサ電極と上記共通電極との間に駆動電
圧が供給されるように構成された上記画素を有する液晶
表示素子において、 上記少くとも1つの副画素電極と上記制御コンデンサ電
極は一方が他方をほぼ囲むと共に少なくとも周縁で上記
絶縁膜を介して互いに重なるように同心状に配され、そ
れによって島状の第1副画素領域とそれをほぼ囲むルー
プ状の第2副画素領域とを規定していることを特徴とす
る液晶表示素子。2. An image forming method according to claim 1 , further comprising:
A control capacitor electrode is formed for each element, and over the entire surface of the first substrate on the control capacitor electrode.
A first insulating film is formed on the control capacitor electrode via the first insulating film.
At least one sub-pixel electrode is formed, and a common electrode is formed on the inner surface of the second substrate of the liquid crystal display panel.
Is, the liquid crystal between the first substrate and the second substrate is sealed, between the at least one sub-pixel electrode and the common electrode
A liquid crystal capacitor is formed in the at least one subpixel electrode and the control capacitor.
A liquid crystal display element having a pixel formed with a control capacitor between the electrode and a driving voltage supplied between the control capacitor electrode and the common electrode; The electrode and the control capacitor electrode are arranged concentrically so that one substantially surrounds the other and overlaps at least on the periphery with the insulating film interposed therebetween, thereby forming an island-like first sub-pixel region and a loop-like substantially surrounding the first sub-pixel region. A second sub-pixel area of the liquid crystal display element.
域の内側に規定された上記制御コンデンサ電極の領域の
一部であり、上記副画素電極は上記第1副画素領域をほ
ぼ囲むループ状に形成されている請求項2記載の液晶表
示素子。3. The first sub-pixel region is a part of a region of the control capacitor electrode defined inside the second sub-pixel region, and the sub-pixel electrode substantially surrounds the first sub-pixel region. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the liquid crystal display device is formed in a loop.
域の内側に配置された上記少なくとも1つの副画素電極
であり、上記制御コンデンサ電極は上記少なくとも1つ
の副画素電極をほぼ囲む領域を有し、上記第2副画素領
域を規定している請求項2記載の液晶表示素子。4. The first sub-pixel region is the at least one sub-pixel electrode disposed inside the second sub-pixel region, and the control capacitor electrode is a region substantially surrounding the at least one sub-pixel electrode. 3. The liquid crystal display element according to claim 2, comprising: the second sub-pixel region.
ップで隔てられたもう1つの副画素電極が設けられ、上
記もう1つの副画素電極と上記制御コンデンサ電極とは
電気的に接続されている請求項1記載の液晶表示素子。5. The image display device according to claim 1, further comprising another sub-pixel electrode separated by a gap from the at least one sub-pixel electrode, and the other sub-pixel electrode and the control capacitor electrode are electrically connected. Item 2. A liquid crystal display device according to item 1.
とも1つの副画素電極の周縁部をほぼ囲むと共にその周
縁部と重なって形成されている請求項5記載の液晶表示
素子。6. The liquid crystal display element according to claim 5, wherein the control capacitor electrode substantially surrounds a peripheral portion of the at least one sub-pixel electrode and overlaps the peripheral portion.
制御コンデンサ電極の周縁部をほぼ囲むと共にその周縁
部と重なるように形成されている請求項5記載の液晶表
示素子。7. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein said at least one subpixel electrode is formed so as to substantially surround a peripheral portion of said control capacitor electrode and to overlap with the peripheral portion.
副画素電極の上から上記第1基板のほぼ全面に渡って形
成されており、その上に上記付加コンデンサ電極が形成
されている請求項1記載の液晶表示素子。8. The second insulating film is formed over the at least one sub-pixel electrode over substantially the entire surface of the first substrate, and the additional capacitor electrode is formed thereon. 2. The liquid crystal display device according to 1.
ンデンサ電極と一体に同一面上に形成されている請求項
5記載の液晶表示素子。9. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein said another sub-pixel electrode is formed integrally with said control capacitor electrode on the same plane.
り兼用されており、上記制御コンデンサ電極と上記付加
コンデンサ電極は同一面上に形成されている請求項1記
載の液晶表示素子。10. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said second insulating film is also used by said first insulating film, and said control capacitor electrode and said additional capacitor electrode are formed on the same surface.
コンデンサ電極とは上記第1絶縁膜に形成したコンタク
トホールを通して互いに接続されている請求項5記載の
液晶表示素子。11. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein said another sub-pixel electrode and said control capacitor electrode are connected to each other through a contact hole formed in said first insulating film.
くとも1つの副画素電極と同一面に互いにギャップによ
り分離されて形成され、上記制御コンデンサ電極は上記
ギャップとそのほぼ全長に渡って重なる領域を有する請
求項5記載の液晶表示素子。12. The another sub-pixel electrode is formed on the same plane as the at least one sub-pixel electrode and separated from each other by a gap, and the control capacitor electrode has a region overlapping with the gap over substantially the entire length thereof. The liquid crystal display device according to claim 5, comprising:
及び列配列のいずれか一方の方向に隣接する上記画素の
上記付加コンデンサ電極に接続される延長部を有してい
る請求項1記載の液晶表示素子。13. The liquid crystal display according to claim 1, wherein the additional capacitor electrode has an extension connected to the additional capacitor electrode of the pixel adjacent in one of the row arrangement and the column arrangement. element.
画素ごとに制御コンデンサ電極が形成され、 上記制御コンデンサ電極上で上記第1基板の全面に渡っ
て第1絶縁膜が形成され、 上記第1絶縁膜を介して上記制御コンデンサ電極上に少
なくとも1つの副画素電極が形成され、 上記液晶表示パネルの第2基板の内面に共通電極が形成
され、 上記第1基板と第2基板との間に液晶が封入され、 上記少なくとも1つの副画素電極と上記共通電極との間
に液晶コンデンサが形成され、 上記少なくとも1つの副画素電極と上記制御コンデンサ
電極との間に制御コンデンサが形成され、 上記制御コンデンサ電極と上記共通電極との間に駆動電
圧が供給されるように構成された上記画素を有する液晶
表示素子において、 上記複数の副画素電極は中央の島状の1つを他の少なく
とも1つがほぼ囲むと共に少なくとも周縁で上記絶縁膜
を介して互いに重なるように同心状に配され、それによ
って中央の島状の第1副画素領域とそれをほぼ囲むルー
プ状の第2副画素領域とを規定していることを特徴とす
る液晶表示素子。14. An inner surface of a first substrate of a liquid crystal display panel.
A control capacitor electrode is formed for each pixel, and extends over the entire surface of the first substrate on the control capacitor electrode.
A first insulating film is formed on the control capacitor electrode via the first insulating film.
At least one sub-pixel electrode is formed, and a common electrode is formed on the inner surface of the second substrate of the liquid crystal display panel.
Is, the liquid crystal between the first substrate and the second substrate is sealed, between the at least one sub-pixel electrode and the common electrode
A liquid crystal capacitor is formed in the at least one subpixel electrode and the control capacitor.
A control capacitor is formed between the control electrode and the common electrode, and a driving voltage is supplied between the control capacitor electrode and the common electrode. The central island-shaped one is substantially surrounded by at least one other, and is arranged concentrically so as to overlap with each other at least on the peripheral edge via the insulating film. A liquid crystal display element, wherein the liquid crystal display element defines a substantially loop-shaped second sub-pixel region.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11205692B2 (en) | 2017-05-31 | 2021-12-21 | Mikuni Electron Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
US11239449B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-02-01 | Mikuni Electron Corporation | Organic electroluminescence element including carrier injection amount control electrode |
US11257961B2 (en) | 2018-09-26 | 2022-02-22 | Mikuni Electron Corporation | Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same |
US11476450B2 (en) | 2019-02-22 | 2022-10-18 | Mikuni Electron Corporation | Display device |
US11630360B2 (en) | 2020-02-05 | 2023-04-18 | Mikuni Electron Corporation | Liquid crystal display device |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3520382B2 (en) * | 1995-02-01 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal display |
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KR20040105934A (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display having multi domain and panel for the same |
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KR20050098631A (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display and panel for the same |
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KR101112540B1 (en) * | 2004-10-25 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | Multi-domain thin film transistor array panel |
KR101344351B1 (en) * | 2006-06-30 | 2013-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Array substrate and display panel having the same |
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JP5154597B2 (en) * | 2010-04-16 | 2013-02-27 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display |
WO2013018636A1 (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | Display device and method for driving same |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17973691A patent/JP2909266B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11205692B2 (en) | 2017-05-31 | 2021-12-21 | Mikuni Electron Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
US11626463B2 (en) | 2017-05-31 | 2023-04-11 | Mikuni Electron Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
US11937458B2 (en) | 2017-05-31 | 2024-03-19 | Mikuni Electron Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
US11239449B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-02-01 | Mikuni Electron Corporation | Organic electroluminescence element including carrier injection amount control electrode |
US11257961B2 (en) | 2018-09-26 | 2022-02-22 | Mikuni Electron Corporation | Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same |
US11929439B2 (en) | 2018-09-26 | 2024-03-12 | Mikuni Electron Corporation | Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same |
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