JP2904858B2 - 核磁気共鳴断層撮影装置 - Google Patents

核磁気共鳴断層撮影装置

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JP2904858B2
JP2904858B2 JP2075353A JP7535390A JP2904858B2 JP 2904858 B2 JP2904858 B2 JP 2904858B2 JP 2075353 A JP2075353 A JP 2075353A JP 7535390 A JP7535390 A JP 7535390A JP 2904858 B2 JP2904858 B2 JP 2904858B2
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    • G01R33/34Constructional details, e.g. resonators, specially adapted to MR
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は高周波アンテナを備えた核磁気共鳴断層撮
影装置に関する。
[従来の技術] 高周波を遮り低周波を通す円筒形外被を有する高周波
アンテナを備え、この外被が円筒軸線に平行に延びる少
なくとも二つの内部導体を囲み、これらの内部導体のイ
ンダクタンスが少なくとも一つの短絡キャパシタンスと
共に導波管共振器を形成する核磁気共鳴断層撮影装置が
知られている。
医療診断の分野では周知のように核磁気共鳴断層撮影
装置が用いられ、この装置では全体の陽子共鳴信号の計
算的な又は測定技術的な解析により、検査しようとする
肉体の空間的なスピン密度分布又は緩和時間分布からX
線断層像と類似した像が構成される。検査しようとする
肉体的に人体は強力で均一な磁界すなわち基本磁界の中
に入れられ、この磁界が人体の核スピンを揃える。更に
空間的に異なる磁界を発生させる傾斜コイルが設けられ
ている。高周波アンテナは核スピンを励起し、かつ励起
された核スピンから放射される信号を受信する。この高
周波アンテナは一般に整合コンデンサ及び送受信分岐を
経て送信器及び受信器に接続されている。
核磁気共鳴断層撮影装置の従来例では、高周波アンテ
ナは良導電性材料から成り高周波を遮り低周波を通す円
筒形外被を備え、この外被は円筒軸線に平行に伸びる少
なくとも二つの内部導体を囲む。内部導体と外被とは送
信器及び受信器に接続されている。内部導体は短絡コン
デンサに接続され、内部導体のインダクタンスがこの短
絡キャパシタタンスと共に導波管共鳴器を形成するよう
になっている。導体対により外被の内部で例えば100MHz
の高い周波数を有する波伝播が可能となり、その際共振
状態が調節されるので、撮影体積の中では同相に振動す
る磁界が発生し、内部導体上には定在波が形成される。
内部導体は短絡コンデンサにより、ほぼ検査対象物すな
わち人体の大きさに相応する長さに制限される。外被は
高周波磁界のための案内体であるばかりでなく同時に外
部部品に対する高周波シールドである。これに反して、
厚さが望ましくは100μm未満である外被の低周波透過
性に基づいて、撮影体積の中では低周波の傾斜磁界はほ
ぼ妨げられることなく伝播することができる。高周波ア
ンテナはそれぞれ一つの共鳴周波数に対して選ばれてい
る(欧州特許第0073375号明細書参照)。
核磁気共鳴断層撮影装置の中の高周波アンテナは一般
に陽子撮影のために用いられる。しかしながらますます
他の原子例えばリン、フッ素又はナトリウムをも同じ設
備で検査できるようにすることが要求される。これらの
原子核は非常に異なる核スピン共鳴を有するので、これ
らの原子核は相応に広帯域の高周波アンテナを用いなけ
れば検査することができない。しかし高周波アンテナの
広帯域の構成は、装置損失を少なくしたいという要求の
ために、許容されない大きい出費をかけなければ製作す
ることができない。それゆえに異なる原子核の検査のた
めに従来は異なる高周波アンテナが用いられた。比較的
小さい寸法を有する高周波アンテナ例えば表面コイル又
は頭部コイルを使用する場合には、これらのアンテナを
大した苦労をせずに交換することができる。これに反し
てこのことは全身用共振器の場合には実際上不可能であ
る。従って全身用共振器は所定の原子の検査のためにだ
け、例えば専ら陽子検査のために用いられる。
[発明が解決しようとする課題] この発明の課題は、容量的に短絡された導波管共振器
の形で、複数の共鳴周波数のために従って種々の原子の
検査のために用いることができる全身用共振器の構成を
提供することにある。
[課題を解決するための手段] この課題を解決するため、この発明によれば、高周波
を遮り低周波を通す円筒形外被を有する高周波アンテナ
を備え、この外被は円筒軸線に平行に延びる少なくとも
二つの内部導体を囲み、これらの内部導体のインダクタ
ンスが少なくとも一つの短絡キャパシタンスと共に導波
管共振器を形成し、導波管共振器は複数の共鳴周波数の
ために用いられ、導波管共振器は各共鳴周波数に対して
個有の入力端を有し、この個有の入力端は少なくとも一
つの他の共鳴周波数に対する他の入力端から減結合さ
れ、各内部導体は少なくとも一つの共鳴周波数に対して
動作し、各内部導体はその入力端にその共鳴周波数の数
に対応する数の接地された電流分岐を有し、これらの電
流分岐のうちの少なくとも一つの電流分岐が他の電流分
岐の共鳴周波数に対するトラップ回路を備える。
この核磁気共鳴断層撮影装置では、複数の周波数に適
合された共鳴器は直線偏波されたアンテナに対しては少
なくとも二つの内部導体から成り、また円偏波されたア
ンテナに対しては少なくとも四つの内部導体から成る。
共振器の一実施態様では異なる共鳴周波数を有する導体
装置が内外に重なり合っている。その際誘導性結合を望
ましくない周波数のためのトラップ回路により防止する
ことができ、トラップ回路はそのために内部導体の少な
くとも一方の端部に短絡コンデンサと直列に配置されて
いる。内部導体の容量性結合の効果は別のトラップ回路
により内部導体の他方の端部で実際上防止できる。
入力側ではトラップ回路を直接に内部導体に接続する
ことができる。それにより両入力端の減結合が達成され
る。
核磁気共鳴断層撮影装置の特別な実施態様によれば、
導波管共振器は複数の共鳴周波数と強固な結合とのため
に単一の内部導体を有するにすぎず、この内部導体はま
た更に複数の短絡コンデンサを備えることができる。
トラップ回路は阻止しようとする共鳴周波数のための
並列振動回路であり、トラップ回路は得に伝送線路とし
て構成することができる。トラップ回路が大地に接続さ
れるならば、特にシールドを接地された同軸導体回路を
用いることができる。
[実施例] 次にこの発明に基づく核磁気共鳴断層撮影装置の高周
波アンテナ回路の複数の実施例を示す図面により、この
発明を詳細に説明する。
第1図に示す導波管共振器としての核磁気共鳴断層撮
影装置用高周波アンテナの実施例では、かご形の中空円
筒形外被2が用いられ、その内円筒軸線はx−y−z直
角座標系のz軸の方向に向いている。例えば約200cmの
長さLと例えば約70cmの直径Dとを有するこの外被は、
例えば銅からなるか又は少なくとも部分的に銀めっきさ
れた銅から成ることもできる。更に外被は少なくとも片
面を金属化例えば銅めっき又は銀めっきされたプラスチ
ックから成ることができる。外被2は四つの内部導体4
〜7を囲み、これらの内部導体のうちそれぞれ二つの導
体が一つの導体装置を形成し、第1図では符号4、5又
は6、7が付けられている。これらの内部導体4〜7は
円筒軸線に平行に相互に間隔Aを置いて配置され、この
間隔は例えば約2cmとすることができる。内部導体6、
7を備えた導体装置は円筒形外被2から約3cm離れてい
るので、内部導体4、5は約60cmの直径dを有する検査
空間を囲む。円筒形外被2により囲まれたこの導体装置
により破線の矢印により示された高周波磁界Bが発生
し、この高周波磁界は円筒軸線の付近ではほぼ均一であ
りかつz軸に垂直に向いている。導体4〜7は少なくと
も一端に少なくとも一つの短絡コンデンサ望ましくは複
数の短絡コンデンサを備え、これらの短絡コンデンサの
うち図には簡単化のために一つのコンデンサだけが示さ
れ、例えば内部導体4に対しては符号10が付けられてい
る。同様に残りの内部導体は短絡コンデンサ11〜13を備
える。これらのコンデンサはコンデンサに従属する内部
導体のインダクタンスと共にそれぞれ導波管共振器を形
成する。内部導体4、5及び6、7の電流方向は図中に
それぞれ矢印Jにより示されている。導波管共振器のた
めの給電線と内部導体4〜7の分離された送信器及び受
信器への結合部とは図示されていない。
内部導体4、6のそれぞれ送信器40又は41及び受信器
42又は43へのこの結合は第2図に示されている。リンの
検査のための例えばf2=69MHzの低い共鳴周波数のため
の内部導体4は、始端に少なくとも一つの短絡コンデン
サ10を備える。終端にも複数の短絡コンデンサを備える
ことができ、これらのコンデンサのうち第2図には簡単
化のために一つのコンデンサだけが示され符号15が付け
られている。内部導体4は更に始端に短絡コンデンサ10
に直列に高い共鳴周波数例えばf1=170MHzに対するトラ
ップ回路50を備え、また終端に短絡コンデンサ15に直列
に同じトラップ回路51を備える。同様に場合によっては
設けられしかしながら図示されていない別の短絡コンデ
ンサにトラップ回路が直列に接続される。送信器40は送
受信分岐44及び整合コンデンサ30を経て、トラップ回路
50と短絡コンデンサ10との結合導体に接続されている。
短絡コンデンサ10には有利に更に、同調のための可変補
助短絡コンデンサ17を並列接続することができる。高い
共鳴周波数f1のための内部導体6は更に補助短絡コンデ
ンサ14を備えるのが有利である。内部導体6の始端は低
い共鳴周波数f2に対するトラップ回路52と短絡コンデン
サ12とを経て接地されている。内部導体6の端部は、第
2図にただ一つだけが示され符号16が付けられている短
絡コンデンサ及び低い共鳴周波数f2に対するトラップ回
路53を経て同様に接地されている。図示の接地端子は外
被2に設けられるのが有利である。内部導体6に従属す
る送信器41は送受信分岐45及び整合コンデンサ31を経
て、トラップ回路52と短絡コンデンサ12との間の結合導
体に接続されている。同調のために望ましくは用いられ
る短絡コンデンサは図中に符号18で示されている。送受
信分岐44、45には更に各一つの受信器42又は43が接続さ
れる。補助短絡コンデンサ14による二重容量性短絡部を
備えた内部導体6は非常に高い共鳴周波数に特に適して
いる。
第3図に示す複数の運転周波数を備える核磁気共鳴断
層撮影装置の特に有利な実施例においては、両共鳴周波
数に対して共通な内部導体8が用いられ、この内部導体
は有利に導体装置の中の短絡コンデンサ14及び更に図示
されていない補助短絡コンデンサを備えることができ
る。この内部導体8は始端及び終端に両共鳴周波数f1
f2に対する電流の分離された制御のための手段を備え
る。この目的のために始端はトラップ回路54又は56及び
短絡コンデンサ10又は19を介して接地され、また終端は
トラップ回路55又は57及び短絡コンデンサ21又は22を介
して接地されている。信号器及び受信器はそれぞれ入力
端46又は47に接続されている。入力回路はそれぞれ整合
コンデンサ32又は33を備える。内部導体8の中の電流は
トラップ回路54、56及び55、57のインピーダンスにより
設定される。それぞれの二つのトラップ回路例えば高い
周波数f1のためのトラップ回路54、55では、他の回路の
周波数が阻止される。例えばこれらのトラップ回路54、
55が阻止すると、その電流分岐の中には低い周波数f2
有する電流Jだけが流れる。両共鳴周波数すなわち同時
に高い共鳴周波数f1ばかりでなく低い共鳴周波数f2によ
る運転も可能である。なぜならば低い周波数f2に対する
トラップ回路56、57を備えた他の電流分岐の中には高い
共鳴周波数f1を有する電流が流れることができるからで
ある。
第4図に示す簡単化された実施例では同様に共通の内
部導体8が短絡コンデンサを備え、これらの短絡コンデ
ンサのうち簡単化のためにそれぞれ一つだけが示され符
号10、15及び19、20が付けられている。始端は短絡コン
デンサ10及びトラップ回路58を介して接地されている。
更に始端は短絡コンデンサ19を介して直接接地されてい
る。同様に終端は短絡コンデンサ20を介して直接に、か
つトラップ回路59と直列の短絡コンデンサ15を介して接
地されている。この実施例では両短絡コンデンサ19、20
が高い共鳴周波数f1に対して選ばれている。両トラップ
回路58、59は同様に高い共鳴周波数f1に対して選ばれて
いる。短絡コンデンサ10、19とトラップ回路58とを備え
た両分岐、並びに短絡コンデンサ15、20とトラップ回路
59とを備えた両分岐が、それぞれ合わせて低い共鳴周波
数f2のための短絡キャパシタンスを形成する。低い周波
数f2に対してコンデンサ15又は10を選定する場合に、コ
ンデンサ20又は19及びトラップ回路59又は58のインピー
ダンスを考慮することができる。それによりこの実施例
では二つのトラップ回路が省略される。
トラップ回路は第5図に示すような並列共振回路を備
え、第5図には短絡コンデンサ10と直列なトラップ回路
50が選ばれている。トラップ回路のインダクタンスLと
キャパシタンスCとは、トラップ回路が阻止しようとす
る共鳴周波数に対し高い共振回路インピーダンスZを有
するように選ばれている。最大共振回路インピーダンス
Zは例えば次式 f1=1/{2π(LC)0.5} に示す共鳴周波数の場合の損失に関係する。従ってトラ
ップ回路の共鳴周波数f1又はf2は隣接する分岐の阻止し
ようとする共鳴周波数に対して選ばれている。トラップ
回路59は例えば低い共鳴周波数f2のための回路の中では
高い共鳴周波数f1を阻止する。
トラップ回路は第6図に示すように特に終端で短絡さ
れた同軸導体70を備えた伝送回路として有利に構成する
ことができる。この実施例は、例えば10mmの直径とl=
λx/4の長さとを有する符号の無い外被を備えた同軸導
体70を備える。ここでλは伝送波長であり、lは例え
ば170MHzに対しては約30cmとなる。しかしながら並列共
振回路としての同軸導体のこの実施例のほかに平行な二
つの導体を用いることもでき、そのときその長さと間隔
とは相応に選ばれる。
第7図には導体84と大地との間の短絡コンデンサ24に
より容量的に短絡されかつ終端で短絡された同軸導体71
を並列共振回路として示す。従ってこの実施例では長さ
lの一部が短絡コンデンサ24により補償されている。符
号の無い外被はここでも接地されている。所定の共鳴周
波数f0に対しては短絡コンデンサ24の容量を次式で示
す。
C24=1/(2πf0Z1・tanβ) ここでZ1は伝送インピーダンスであり、 β=1πlvλ λは周波数f0の場合の伝送波長である。
従属する内部導体、例えば両共鳴周波数f1、f2のため
の内部導体4、5を備えた導波管共振器のための内部導
体4と5との相互接続、並びにこれらの内部導体の入力
端46、47を介して図示されていない送信器及び受信器へ
の結合は、第8図に示されている。内部導体4、5は第
4図に示すようにそれぞれ高い共鳴周波数f1に基づき選
ばれた短絡コンデンサ19、20を介して接地されている。
更に両端はそれぞれ短絡コンデンサ10、15と各一つのト
ラップ回路58、59との直列回路を介して接地されてい
る。短絡コンデンサ10、19及びトラップ回路58のインピ
ーダンスは一緒に低い共鳴周波数f2のための短絡キャパ
シタンスを形成する。同様に短絡コンデンサ15、20及び
トラップ回路59のインピーダンスが低い共鳴周波数f2
ための短絡キャパシタンスを形成する。内部導体5の始
端と終端とは同様な方法で短絡コンデンサ11、21及び2
2、23並びに符号の無いトラップ回路に接続されてい
る。
内部導体4の始端は共鳴周波数f1のためのトラップ回
路60、同軸導体72及び整合コンデンサ34を介し入力端46
に結合されている。始端は更にf2のためのトラップ回路
61、同軸導体75及び整合コンデンサ35を介して入力端47
に結合されている。同様に内部導体5の始端はそれぞ
れ、f1又はf2のためのトラップ回路62又は63と同軸導体
73又は74と整合コンデンサ34又は35とを介して入力端46
又は47に結合されている。入力端46には図示されていな
い送受信分岐を介して低い共鳴周波数f2のための送信器
及び受信器が接続されるのが有利であり、入力端47には
同様に送受信分岐を介して高い周波数f1のための送信器
及び受信器が接続されるのが有利である。整合コンデン
サ34は例えば60MHzの入力される低い共鳴周波数f2に対
して選ばれ、また整合コンデンサ35は例えば170MHzの入
力される高い共鳴周波数f1に対して選ばれている。装置
の特別な実施例では整合コンデンサ34、35に各一つの補
助同調コンデンサ26、27を付設することができる。整合
コンデンサ34、35とトラップ回路60〜63との間の結合導
体は、それぞれシールドを備えた同軸導体として構成さ
れるのが有利である。同軸導体72と73又は74と75との間
の長さの差はそれぞれの共鳴周波数に対してλ/2であ
る。従って同軸導体73又は75はそれぞれ導体72又は74よ
りλ/2だけ長い。それにより導体4、5の中の電流Jの
180゜の位相ずれが得られる。それぞれの同軸導体の電
気的な全長は少なくともほぼλ/2又はその倍数とすべき
である。そのとき導体4又は5の入力点でのインピーダ
ンスは整合コンデンサ34又は35の個所で同じ値に変換さ
れる。導体の物理的な長さについてはトラップ回路60〜
63の影響を考慮すべきである。
変形案として電流Jの180゜の位相ずれを起こさせる
ために、第9図に示すように内部導体4には前側でかつ
内部導体5には後ろ側で入力することもできる。この実
施例では低い共鳴周波数f2は整合コンデンサ34と同軸導
体76、77とトラップ回路60、62とを経て入力され、高い
共鳴周波数f1は整合コンデンサ35と同軸導体78、79とト
ラップ回路63、61とを経て入力される。この場合には同
軸導体76、77及び78、79に対して同じ伝送長さが得られ
る。
結合の特に簡単な実施例が第10図に示され、この実施
例では同様に電流Jを有する内部導体4、5並びに短絡
コンデンサ及びトラップ回路の同様な装置が選ばれてい
る。この実施例では内部導体4の始端は共鳴周波数f1
ためのトラップ回路64及び整合コンデンサ36を介して低
い共鳴周波数f2のための入力端46に結合されている。内
部導体4の始端は更に区切り点Sを備えた線路を経て内
部導体5の始端に結合され、この区切り点は低い共鳴周
波数f2のためのトラップ回路65及び整合コンデンサ37を
経て高い周波数f1のための入力端47に結合されている。
整合コンデンサ36、37にはそれぞれ符号の無い同調コン
デンサを付設することができるので有利である。区切り
点Sにより二つの導体80、81が形成され、その長さ
l80、l81は低い共鳴周波数f2に対してλ/2バラン回路が
生じるように選ばれている。それゆえに導体80、81の長
さは低い共鳴周波数f2に対して、 l80+l81=λ2/2 また高い共鳴周波数f1に対して、 l80−l81=λ1/2 となるように選ばれる。それにより低い共鳴周波数f2
入力に対して内部導体4へは直接入力され、内部導体5
へはλ2/2バラン回路を介して入力される。これに反し
て高い共鳴周波数f1に対しては導体4、5がλ1/2の長
さの差を有する線路を介して入力される。それによりこ
の場合にも両周波数において導体4、5の中の電流が18
0゜だけ位相がずれているということが保証される。上
記の式による線路長の和又は半波長の整数倍Nを選ぶこ
ともできる。
特に有利な一実施例によれば、第10図に示すように内
部導体4を同軸導体82を介してトラップ回路64に結合す
ることができ、同軸導体82の長さl82は、大地に対する
トラップ回路64の漂遊キャパシタンスが内部導体4の始
端では高い共鳴周波数f1の場合に無負荷運転へ変換され
るように選ばれている。
これまで述べた諸実施例では、それぞれ直線偏波高周
波磁界Bを発生させる導波管共振器が選ばれた。しかし
ながら円偏波高周波磁界bを発生させる導波管共振器を
用いることもできる。この場合には導体装置が90゜だけ
ずれている二つの直線偏波導波管共振器が共通の外被2
の内部に配置される。
この発明に基づく導波管共振器を備えた核磁気共鳴断
層撮影装置が一般にn個の共鳴周波数に対して用いられ
るときは、n個の電流分岐が少なくとも一端に配置さ
れ、これらの分岐は阻止しようとする共鳴周波数のため
の(n−1)側のトラップ回路を備える。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に基づく核磁気共鳴断層撮影装置の全
身用高周波アンテナの一実施例の斜視図、第2図ないし
第4図及び第8図ないし第10図はそれぞれこの発明に基
づくアンテナ回路の異なる実施例を示す回路図、第5図
ないし第7図はそれぞれ前記アンテナ回路に用いられる
トラップ回路の異なる実施例の回路図である。 2……円筒形外被 4〜7……内部導体 10〜16、19〜24……短絡コンデンサ 30〜37……整合コンデンサ 44、45、50〜65……トラップ回路 46、47……入力端 70〜79……同軸導体 81、81……λ/2バラン回路 84……中心導体 f1、f2……共鳴周波数 S……区切り点

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高周波を遮り低周波を通す円筒形外被を有
    する高周波アンテナを備え、この外被は円筒軸線に平行
    に延びる少なくとも二つの内部導体(4〜7)を囲み、
    これらの内部導体のインダクタンスが少なくとも一つの
    短絡キャパシタンスと共に導波管共振器を形成し、導波
    管共振器は複数の共鳴周波数(f1、f2)のために用いら
    れ、導波管共振器は各共鳴周波数(f1、f2)に対して個
    有の入力端を有し、この個有の入力端は少なくとも一つ
    の他の共鳴周波数(f2又はf1)に対する他の入力端から
    減結合され、各内部導体(4〜7)は少なくとも一つの
    共鳴周波数(f1又はf2)に対して動作し、各内部導体
    (4〜7)はその入力端にその共鳴周波数(f1、f2)の
    数に対応する数の接地された電流分岐を有し、これらの
    電流分岐のうちの少なくとも一つの電流分岐が他の電流
    分岐の共鳴周波数(f2又はf1)に対するトラップ回路
    (50〜53)を備えることを特徹とする核磁気共鳴断層撮
    影装置。
  2. 【請求項2】内部導体(4〜7)が始端及び終端にそれ
    ぞれ少なくとも一つのトラップ回路(50〜53)を備える
    ことを特徴とする請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】著しく異なる共鳴周波数のために、高い方
    の共鳴周波数に対する内部導体(6)が少なくとも一つ
    の補助短絡コンデンサ(14)を備えることを特徴とする
    請求項2記載の装置。
  4. 【請求項4】共通の内部導体(8)が用いられることを
    特徴とする請求項2記載の装置。
  5. 【請求項5】内部導体(8)が複数の短絡コンデンサを
    備えることを特徴とする請求項4記載の装置。
  6. 【請求項6】共通の内部導体を備え、その始端及び終端
    がそれぞれ高い共鳴周波数(f1)のための少なくとも一
    つの短絡コンデンサ(19、20)を介して直接接地され、
    かつその始端及び終端がそれぞれ少なくとも一つの短絡
    コンデンサ(10、15)及び高い周波数(f1)のための少
    なくとも一つのトラップ回路(58、59)を介して接地さ
    れることを特徴とする請求項1記載の装置。
  7. 【請求項7】それぞれ阻止しようとする共鳴周波数(f1
    又はf2)のためのトラップ回路(50〜65)として並列共
    振回路を備えることを特徴とする請求項1記載の装置。
  8. 【請求項8】トラップ回路が終端で短絡されたλ/4同軸
    導体(70)から成ることを特徴とする請求項7記載の装
    置。
  9. 【請求項9】トラップ回路が終端で短絡された同軸導体
    (71)を備え、この同軸導体の長さ(1v)がλ/4より小
    さく、かつこの同軸導体の入力端には短絡コンデンサ
    (24)が中心導体(84)と大地との間に配置されている
    ことを特徴とする請求項7記載の装置。
  10. 【請求項10】内部導体(4、5)がそれぞれ同軸導体
    (72又は73)を備えたトラップ回路(60又は62)と整合
    コンデンサ(34)との直列回路を経て第1の入力端(4
    6)に接続され、かつ同軸導体(75又は74)を備えたト
    ラップ回路(61又は63)と整合コンデンサ(35)との直
    列回路を経て第2の入力端(47)に接続され、同一の入
    力端(46又は47)に接続された同軸導体(72、73又は7
    4、75)の長さが接続された送信器の半波長λ/2だけ異
    なっていることを特徴とする請求項1記載の装置。
  11. 【請求項11】第1の内部導体(4)の始端と第2の内
    部導体(5)の終端とがそれぞれ、同軸導体(76又は7
    7)を備えたトラップ回路(60又は62)と整合コンデン
    サ(34)との直列回路を経て第1の入力端(46)に接続
    され、かつ同軸導体(79又は78)を備えたトラップ回路
    (61又は63)と整合コンデンサ(35)との同様な直列回
    路を経て第2の入力端(47)に接続されていることを特
    徴とする請求項1記載の装置。
  12. 【請求項12】高い共鳴周波数(f1)及び低い共鳴周波
    数(f2)のための導波管共振器を備え、内部導体(4)
    が高い共鳴周波数(f1)のためのトラップ回路(64)と
    整合コンデンサ(36)とを経て低い共鳴周波数(f2)の
    ための入力端(46)に接続され、両内部導体(4、5)
    が区切り点(S)を備えたλ2/2バラン回路(80、81)
    を介して相互に結合され、この区切り点が長さl80を有
    する導体(80)を経て第1の内部導体(4)に結合さ
    れ、かつ長さl81を有する導体(81)を経て第2の内部
    導体(5)に結合され、区切り点(S)が低い共鳴周波
    数(f2)のためのトラップ回路(65)と整合コンデンサ
    (37)とを経て高い共鳴周波数(f1)のための入力端
    (47)に接続されていることを特徴とする請求項1記載
    の装置。
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