JP2895662B2 - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JP2895662B2 JP3171336A JP17133691A JP2895662B2 JP 2895662 B2 JP2895662 B2 JP 2895662B2 JP 3171336 A JP3171336 A JP 3171336A JP 17133691 A JP17133691 A JP 17133691A JP 2895662 B2 JP2895662 B2 JP 2895662B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の入力信号が選択
的に入力される差動増幅回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の差動増幅回路からなるボ
ルテージフォロワ回路の一例を図3に示す。この回路
は、PチャネルMOSトランジスタP1〜P3,Pa1
〜Pan,Pb1〜PbnおよびNチャネルMOSトラ
ンジスタN1〜N6により構成されている。トランジス
タP1は定電流回路を構成し、トランジスタN1,N2
はカレントミラー回路を構成している。トランジスタP
1のゲートにはカレントミラー回路に流れる電流を設定
するためのバイアス電流設定電圧Vb1が印加されてい
る。トランジスタN5,N6は容量性駆動負荷CFに充
電された電荷を放電させるためのものである。
【0003】トランジスタPb1〜Pbnはゲートに夫
々入力信号が印加される非反転入力側の入力トランジス
タであり、トランジスタPa1〜Panは入力信号を選
択するためのスイッチングトランジスタである。トラン
ジスタP3は反転入力側の入力トランジスタであり、ゲ
ートがボルテージフォロワ回路の出力に接続されてい
る。トランジスタN3,N4はバッファとして機能す
る。トランジスタN4のゲートにはバッファのバイアス
電流を設定するためのバイアス電流設定電圧Vb2が印
加されている。
【0004】トランジスタN3のゲートはトランジスタ
P3,N2の接続点に接続されており、トランジスタN
3,N4の接続点はトランジスタP3のゲートに接続さ
れている。
【0005】また、負荷CFを放電させるためのトラン
ジスタN6はボルテージフォロワ回路の出力とグランド
との間に接続され、一方、トランジスタN5はトランジ
スタP3,N2の接続点とグランドとの間に接続されて
いる。トランジスタN5,N6のゲートにはディスチャ
ージ信号DISが印加される。
【0006】各入力トランジスタPb1〜Pbnは、直
列に接続されているスイッチングトランジスタpa1〜
panがオンしたとき、トランジスタP1とトランジス
タN1との間に接続される。図4に示すように、スイッ
チングトランジスタPa1〜Panのゲートにローレベ
ルの入力選択信号C1〜Cnが順次入力されると、各ス
イッチングトランジスタはそのつどオンし、入力トラン
ジスタPb1〜PbnがトランジスタP1とトランジス
タN1との間に順次接続される。その結果、各入力トラ
ンジスタPb1〜Pbnのゲートに入力されている入力
信号V1〜Vnが出力信号OUTとして出力される。
【0007】ディスチャージ信号DISは、負荷CFを
放電させるためのものであり、この信号がハイレベル
(VDDレベル)になると、トランジスタN5,N6は
オンとなり、負荷CFの電荷が放電される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の差動増幅回路を用いたボルテージフォロワ回路には
次のような問題がある。すなわち、いずれの入力信号V
1〜Vnも選択されず、すべてのスイッチングトランジ
スタPa1〜Panがオフの状態になると、非反転入力
側の入力トランジスタPb1〜Pbnには一切電流が流
れなくなる。トランジスタP1〜P3はトランジスタN
2と比較してインピーダンスが低いため、入力トランジ
スタPb1〜Pbnに電流が流れない状態では、トラン
ジスタN2のドレインの電位がVDD側に引っ張られて
しまい、その結果、負荷CFがVDDレベルで充電され
てしまう。例えば、図4に示す場合には期間T1におい
て、すべての入力選択信号C1〜Cnがハイレベルとな
るため、スイッチングトランジスタはすべてオフとな
り、ボルテージフォロワ回路の出力信号OUTはVDD
レベルに上昇する。期間T1の後はスイッチングトラン
ジスタPb1がオンするので、回路は正常な状態に戻る
が、負荷CFの電荷はすぐには放電されないので、出力
信号OUTの電圧は徐々に低下する。このように、期間
T2の間、出力が安定しない状態が続く。
【0009】本発明の目的は、このような問題を解決
し、複数の入力信号が選択的に入力されるボルテージフ
ォロワ回路を構成する差動増幅回路であって、複数の入
力信号のいずれもが選択されない状態においてその駆動
負荷がハイレベルの電圧で不必要に充電されることを防
止し得る差動増幅回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、複数の
入力信号が選択的に印加される非反転入力と、出力に接
続された反転入力と、前記出力に接続された容量性駆動
負荷と、入力選択信号に基づき制御され、前記非反転入
力に前記複数の入力信号のいずれもが入力されない間、
前記容量性駆動負荷への充電を防止すべく前記出力の電
位をグランドレベルに固定する手段とを備えたことを特
徴とする差動増幅回路によって達成される。
【0011】
【作用】非反転入力には複数の入力信号が順次印加さ
れ、出力には印加された信号の電圧に等しい電圧が現れ
る。非反転入力に複数の入力電圧のいずれもが印加され
ない間は、出力の電位はグランドレベルに固定されるの
で、出力に接続された容量性駆動負荷への充電が防止さ
れ、従って、この間、出力が上昇して不安定になること
が防止される。
【0012】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図1
に本発明による差動増幅回路を用いて構成したボルテー
ジフォロワ回路の一例を示す。この回路は、トランジス
タP2のゲート電圧を制御する回路として、ANDゲー
トA1が設けられている点で図3の回路と異なってい
る。ANDゲートA1はそのすべての入力端子にハイレ
ベルの電圧が印加されたときのみハイレベルの電圧を出
力する。これらの入力端子には、入力選択信号C1〜C
nがそれぞれ入力され、出力端子はトランジスタP2の
ゲートに接続されている。その他の部分については図3
の回路と同じ構成を有している。
【0013】即ち、トランジスタP1は定電流回路を構
成し、トランジスタN1,N2はカレントミラー回路を
構成している。トランジスタP1のゲートにはカレント
ミラー回路に流れる電流を設定するためのバイアス電流
設定電圧Vb1が印加されている。トランジスタPb1
〜Pbnはゲートに夫々入力信号が印加される非反転入
力側の入力トランジスタであり、トランジスタPa1〜
Panは入力信号を選択するためのスイッチングトラン
ジスタである。トランジスタP3は反転入力側の入力ト
ランジスタであり、ゲートがボルテージフォロワ回路の
出力に接続されている。トランジスタN3,N4はバッ
ファとして機能する。トランジスタN4のゲートにはバ
ッファのバイアス電流を設定するためのバイアス電流設
定電圧Vb2が印加されている。
【0014】トランジスタN3のゲートはトランジスタ
P3,N2の接続点に接続されており、トランジスタN
3,N4の接続点はトランジスタP3のゲートに接続さ
れている。
【0015】また、負荷CFを放電させるためのトラン
ジスタN6はボルテージフォロワ回路の出力とグランド
との間に接続され、一方、トランジスタN5はトランジ
スタP3,N2の接続点とグランドとの間に接続されて
いる。トランジスタN5,N6のゲートにはディスチャ
ージ信号DISが印加される。
【0016】次にこのボルテージフォロワ回路の動作を
説明する。図2に示すように期間T1において入力選択
信号C1〜Cnがすべてハイレベルとなり、入力信号V
1〜Vnのいずれも選択されず、従ってすべてのスイッ
チングトランジスタPa1〜Panがオフとなる。この
ときANDゲートA1の入力端子にはすべてハイレベル
の電圧が印加されるので、ANDゲートA1の出力信号
ASはハイレベルとなる。これにより、トランジスタP
2はオフとなり、トランジスタP3、N2の接続点の電
位はトランジスタN2によりグランド側に引っ張られて
グランドレベルとなる。従って、ボルテージフォロア回
路の出力信号OUTもこのときグランドレベルとなるの
で従来のように負荷CFがVDDレベルで充電されるこ
とはない。
【0017】各スイッチングトランジスタPa1〜Pa
nのゲートに順次、ローレベルの入力選択信号C1〜C
nが入力されると、各スイッチングトランジスタはその
つどオンし、入力トランジスタPb1〜Pbnがトラン
ジスタP1とトランジスタN1との間に順次接続され
る。その結果、各入力トランジスタPb1〜Pbnのゲ
ートに入力されている入力信号V1〜Vnが出力信号O
UTとして出力される。このボルテージフォロワ回路で
は、すべての入力選択信号C1〜Cnがハイレベルとな
る期間T1においても、ANDゲートA1の出力信号が
ハイレベルとなるため、トランジスタP2はオフとな
る。従って、ボルテージフォロワ回路の出力信号OUT
もその期間中グランドレベルとなり、負荷CFがVDD
レベルで不必要に充電されることがない。
【0018】なお、この実施例では差動増幅回路の入力
部分にPチャネルのトランジスタを用いているが、入力
トランジスタPb1〜Pbn、スイッチングトランジス
タPa1〜Pan、ならびにトランジスタP1〜P3を
Nチャネルのトランジスタに置き換え、トランジスタN
1,N2をPチャネルのトランジスタに置き換えて構成
した差動増幅回路に対しても本発明は適用可能であり、
この場合にも上記同様に出力電圧が安定化される。
【0019】
【発明の効果】本発明の差動増幅器は、非反転入力に前
記複数の入力信号のいずれもが入力されない間、前記容
量性駆動負荷への充電を防止すべく出力の電位をグラン
ドレベルに固定する手段とを備えているので、出力に接
続された容量性駆動負荷がハイレベルの電圧で不必要に
充電されるのを防止でき、従って、出力レベルを安定化
することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による差動増幅回路を用いて構成したボ
ルテージフォロワ回路の回路図である。
【図2】図1のボルテージフォロワ回路の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。
【図3】従来の差動増幅回路を用いて構成したボルテー
ジフォロワ回路の回路図である。
【図4】図3のボルテージフォロワ回路の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
A1 ANDゲート N1〜N6 NチャネルMOSトランジスタ P1〜P3、Pa1〜Pan、Pb1〜Pbn Pチャ
ネルMOSトランジスタ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03F 3/45 H03F 1/52 H03K 17/62 H03K 19/0175

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の入力信号が選択的に印加される非
    反転入力と、出力に接続された反転入力と、前記出力に
    接続された容量性駆動負荷と、入力選択信号に基づき制
    御され、前記非反転入力に前記複数の入力信号のいずれ
    もが入力されない間、前記容量性駆動負荷への充電を防
    止すべく前記出力の電位をグランドレベルに固定する手
    段とを備えたことを特徴とする差動増幅回路。
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