JP2892988B2 - Lead frame, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same - Google Patents
Lead frame, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止されてなる半導体装置を構成するリードフ
レームとそのリードフレームを用いた半導体装置および
その製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame constituting a semiconductor device mounted with a semiconductor element and sealed with a resin, a semiconductor device using the lead frame, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体装置用のリードフレーム１
は、図９に示すように、インナーリード部２と、アウタ
ーリード部３と、タイバー４と、半導体素子を搭載する
ダイパッド部５と、ダイパッド部５を支持する吊りリー
ド部６とより構成されていた。そしてリードフレーム１
に半導体素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイパ
ッド部５への応力を緩和するために、ダイパッド部５に
は、開口部であるスリット７が形成されていた。また樹
脂封止し、パッケージを形成した際に、ダイパッド部５
上に搭載した半導体素子の表面からパッケージの表面ま
での樹脂厚と、ダイパッド部５の裏面からパッケージの
裏面までの樹脂厚とが同じになるように、吊りリード部
６にディプレス加工を施してディプレス部８を形成し、
ダイパッド部５をインナーリード部２よりも下げてい
た。2. Description of the Related Art A conventional lead frame 1 for a semiconductor device.
As shown in FIG. 9, the semiconductor device includes an inner lead portion 2, an outer lead portion 3, a tie bar 4, a die pad portion 5 on which a semiconductor element is mounted, and a suspension lead portion 6 supporting the die pad portion 5. Was. And lead frame 1
In order to alleviate the stress on the die pad portion 5 when the outer periphery is sealed with a resin after mounting the semiconductor element on the die pad, the die pad portion 5 has a slit 7 as an opening. When the package is formed by resin sealing, the die pad 5
The suspension lead portion 6 is depressed so that the resin thickness from the surface of the semiconductor element mounted thereon to the surface of the package and the resin thickness from the back surface of the die pad portion 5 to the back surface of the package are the same. Forming a depressed part 8,
The die pad portion 5 was lower than the inner lead portion 2.
【０００３】次に従来のリードフレームを用いた半導体
装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１０、図１１は、従来の半導体装置の製造方法を示す
断面図であり、図９のＢ−Ｂ１断面を示している。Next, a conventional method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame will be described with reference to the drawings.
10 and 11 are cross-sectional views showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device, and show a cross section taken along line BB1 of FIG.
【０００４】まず図１０に示すように、ダイパッド部５
を支持している吊りリード部６にプレス加工によりディ
プレス部８を形成したリードフレーム１に対して、半導
体素子９をそのダイパッド部５上に銀（Ａｇ）ペースト
等の接着剤１０により接合する。なお、ダイパッド部５
には、スリット７が設けられているものである。[0004] First, as shown in FIG.
The semiconductor element 9 is bonded to the die pad portion 5 with an adhesive 10 such as silver (Ag) paste on the lead frame 1 in which the depressed portion 8 is formed by press working on the suspension lead portion 6 supporting the die. . The die pad 5
Is provided with a slit 7.
【０００５】次に図１１に示すように、搭載した半導体
素子９とリードフレーム１のインナーリード部とを金属
細線等の電気的接続手段により接続した後、半導体素子
９の外囲およびリードフレーム１のインナーリード部の
領域を封止樹脂１１で封止し、パッケージ部を形成す
る。その後、リードフレーム１のアウターリード部を成
形して半導体装置を形成していた。Next, as shown in FIG. 11, after the mounted semiconductor element 9 and the inner lead portion of the lead frame 1 are connected by an electrical connecting means such as a thin metal wire, the outer periphery of the semiconductor element 9 and the lead frame 1 are connected. Is sealed with a sealing resin 11 to form a package portion. Thereafter, the outer lead portion of the lead frame 1 was formed to form a semiconductor device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良が大きな問
題となってきている。この問題の原因としては、半導体
素子とダイパッド部とを接合するのに用いている銀（Ａ
ｇ）ペースト等の接着剤に吸湿した水分が、リフロー時
の熱により気化膨張することによる応力であると考えら
れている。そのため従来は、ダイパッド部にスリットを
施したリードフレームを用いて、Ａｇペーストの量を減
らして、絶対的に水分の吸湿量を減らすことにより対処
していた。In recent years, in the reflow process when mounting a semiconductor device on a substrate, package cracking and defective soldering due to swelling of the back surface of the package have become a serious problem. The cause of this problem is that silver (A) used for bonding the semiconductor element and the die pad portion is used.
g) It is considered that the moisture absorbed by the adhesive such as the paste is a stress caused by the vaporization and expansion caused by the heat during the reflow. For this reason, conventionally, measures have been taken by using a lead frame in which a die pad portion is provided with a slit and reducing the amount of Ag paste to absolutely reduce the amount of absorbed moisture.
【０００７】しかし従来のようにスリットを設けたダイ
パッド部では、半導体素子を搭載した際に、半導体素子
の裏面が露出することになり、半導体素子裏面と封止樹
脂とが接触することになる。この場合、もしも半導体素
子裏面が汚染されていた場合、半導体素子と封止樹脂と
の密着性が悪くなるという課題が発生してしまう。特に
リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する
前に、半導体素子が形成された半導体ウェハーを粘着シ
ートに貼り付けてダイシングするので、その粘着シート
の粘着剤が半導体素子の裏面に残り、半導体素子裏面が
汚染されてしまい、樹脂封止した場合、半導体素子と封
止樹脂との密着性が悪くなる恐れがある。However, in the conventional die pad portion provided with slits, when the semiconductor element is mounted, the back surface of the semiconductor element is exposed, and the back surface of the semiconductor element comes into contact with the sealing resin. In this case, if the back surface of the semiconductor element is contaminated, there arises a problem that the adhesion between the semiconductor element and the sealing resin is deteriorated. In particular, before the semiconductor element is mounted on the die pad portion of the lead frame, the semiconductor wafer on which the semiconductor element is formed is attached to the adhesive sheet and diced, so that the adhesive of the adhesive sheet remains on the back surface of the semiconductor element and the semiconductor element When the back surface is contaminated and sealed with resin, the adhesion between the semiconductor element and the sealing resin may be deteriorated.
【０００８】また、半導体装置の小型化、薄型化にとも
ない、半導体装置のパッケージ厚が薄くなり、樹脂封止
の際、リードフレームのダイパッド部の裏面側におい
て、樹脂ゲート口とその対向側で、注入する樹脂の流入
速度が異なり、ダイパッド部の左右領域が早く注入さ
れ、中央部が遅くなり、リードフレームの樹脂ゲート口
の対角側に未充填ボイドが発生してしまうという問題も
ある。Further, as the semiconductor device becomes smaller and thinner, the package thickness of the semiconductor device becomes thinner. When the resin is sealed, a resin gate port is formed on the back side of the die pad portion of the lead frame and on the side opposite to the resin gate port. There is also a problem that the inflow speed of the injected resin is different, the left and right regions of the die pad portion are injected earlier, the central portion is slower, and unfilled voids are generated on the diagonal side of the resin gate port of the lead frame.
【０００９】本発明は、上記課題を解決するもので、半
導体素子の裏面が露出していても、封止樹脂との密着性
を確保でき、また樹脂封止の際に未充填領域ができるの
を防止できるリードフレームとそれを用いた半導体装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems. Even when the back surface of a semiconductor element is exposed, it is possible to ensure adhesion to a sealing resin and to form an unfilled region when sealing a resin. It is an object of the present invention to provide a lead frame capable of preventing the occurrence of the problem, a semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のリードフレームは、インナーリード部と、
アウターリード部と、搭載する半導体素子の外形よりも
小型のダイパッド部と、そのダイパッド部を支持する吊
りリード部とより構成されるリードフレームであって、
ダイパッド部は接着剤により半導体素子を接着する複数
の接合部と、複数の接合部が互いに連結されることによ
り、それら接合部間に形成された開口部とよりなるダイ
パッド部であり、その開口部は円形であるリードフレー
ムである。 In order to achieve the above object, a lead frame according to the present invention comprises: an inner lead portion;
Outer lead part and the outer shape of the semiconductor element to be mounted
A lead frame including a small die pad portion and a suspension lead portion supporting the die pad portion,
The die pad part is used to bond semiconductor elements with adhesive.
And the plurality of joints are connected to each other.
And a die comprising an opening formed between the joints.
Pad frame, the opening of which is circular
It is.
【００１１】また、半導体装置は、半導体素子と、その
半導体素子を搭載したダイパッド部と、そのダイパッド
部を支持した吊りリード部と、半導体素子と金属細線で
接続されたインナーリード部と、半導体素子、ダイパッ
ド部、吊りリード部および金属細線の領域を封止した封
止樹脂とよりなる半導体装置であって、ダイパッド部は
その外形が搭載した半導体素子の外形よりも小型であ
り、接着剤により半導体素子の裏面の一部と接着した複
数の接合部と、複数の接合部が互いに連結されることに
より、それら接合部の内側に形成された開口部とよりな
るダイパッド部であり、半導体素子は、その裏面が清浄
な状態でダイパッド部の開口部を通して封止樹脂と接し
て封止されている半導体装置である。そして半導体素子
は、その裏面がダイシング工程で用いた粘着シートの粘
着剤が除去された清浄な状態である半導体装置であり、
ダイパッド部の複数の接合部が互いに連結されることに
より、それら接合部の内側に形成された開口部は円形を
なしている半導体装置である。そして半導体装置の製造
方法は、インナーリード部と、アウターリード部と、搭
載する半導体素子の外形よりも小型であり、接着剤によ
り半導体素子を接着する複数の接合部と、複数の接合部
が互いに連結されることにより、それら接合部間に形成
された開口部とよりなるダイパッド部と、ダイパッド部
を支持する吊りリード部とより構成されたリードフレー
ムのダイパッド部の接合部上に半導体素子を接着剤によ
り接合するダイボンド工程と、半導体素子とインナーリ
ード部とを金属細線により接続するワイヤーボンド工程
と、半導体素子、ダイパッド部、吊りリード部および金
属細線の領域を封止樹脂により封止するとともに、半導
体素子の裏面をダイパッド部の開口部を通して封止樹脂
により封止する樹脂封止工程とよりなる半導体装置の製
造方法であって、ダイボンド工程前においては、半導体
素子が複数個形成された半導体ウェハーを粘着シートに
貼り付けてダイシングして個々の半導体素子に分割した
後、半導体素子の裏面に残存した粘着シートの粘着剤を
除去し、半導体素子の裏面を清浄な状態にする工程を有
する半導体装置の製造方法である。 Further, the semiconductor device comprises a semiconductor element and the semiconductor element.
Die pad portion on which semiconductor element is mounted and die pad
With a suspension lead supporting the semiconductor element and a thin metal wire.
Connect the connected inner leads to the semiconductor element and die
Seals the area of the
A semiconductor device comprising a sealing resin, wherein a die pad portion is
The outer shape is smaller than the outer shape of the mounted semiconductor element.
The adhesive bonded to a part of the back surface of the semiconductor element with an adhesive
Number of joints and multiple joints connected to each other
Better than the openings formed inside those joints
Die pad, and the back surface of the semiconductor element is clean.
In contact with the sealing resin through the opening in the die pad
Semiconductor device. And semiconductor elements
Is the back of the adhesive sheet used in the dicing process.
A semiconductor device in a clean state where the adhesive has been removed,
The multiple joints of the die pad are connected to each other
Therefore, the openings formed inside these joints are circular.
Semiconductor device. And manufacture of semiconductor devices
The method is as follows: inner lead part, outer lead part, board
It is smaller than the outer shape of the semiconductor element on which it is mounted.
Joints for adhering semiconductor elements and multiple joints
Are connected to each other to form between the joints
Die pad portion having a formed opening, and die pad portion
Frame that consists of a hanging lead that supports the
The semiconductor element is bonded to the die pad of the
Die bonding process for bonding the semiconductor element and inner
Wire bonding process to connect the metal part with a thin metal wire
And a semiconductor element, a die pad portion, a suspension lead portion, and gold
The area of the fine wire is sealed with a sealing resin and
Sealing resin through the opening of the die pad
Of a semiconductor device comprising a resin sealing step of sealing by
Manufacturing method, before the die bonding process, the semiconductor
A semiconductor wafer with multiple elements formed into an adhesive sheet
Pasted, diced and divided into individual semiconductor elements
After that, the adhesive of the adhesive sheet remaining on the back of the semiconductor element is removed.
Removing and cleaning the back surface of the semiconductor element.
This is a method for manufacturing a semiconductor device.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】この前記構成の通り、本発明のリ
ードフレームでは、半導体素子を搭載するダイパッド部
が、開口部と接合部とを有し、搭載する半導体素子より
も外形が小さいダイパッド部であり、応力緩和できる形
状であるため、そのダイパッド部に半導体素子を搭載
後、樹脂封止した際、封止樹脂との応力を緩和でき、ま
たダイパッド部に対して、半導体素子を搭載する際、半
導体素子とダイパッド部とを接合するのに用いる接着剤
の量を減らすことができ、接着剤が吸湿する水分量を減
らし、半導体装置を基板実装する際のリフロー工程でパ
ッケージクラック、パッケージ裏面の膨れによる半田付
け実装不良を防止することができる。また封止樹脂を注
入する樹脂ゲート口のゲート対角部に接合部を設けない
構造、または接合部に凹部を形成することにより、樹脂
の注入速度の均一化を図り、薄型パッケージ形成時の封
止でもゲート対角部に未充填ボイドの発生を防止するこ
とができる。As described above, in the lead frame of the present invention, the die pad for mounting the semiconductor element has an opening and a joint, and has a smaller outer shape than the mounted semiconductor element. Since the shape is such that the stress can be relieved, the stress with the sealing resin can be reduced when the semiconductor element is mounted on the die pad portion and then sealed with resin, and when the semiconductor element is mounted on the die pad portion. The amount of adhesive used to join the semiconductor element and the die pad portion can be reduced, the amount of moisture absorbed by the adhesive can be reduced, and the package cracks in the reflow process when mounting the semiconductor device on the substrate, It is possible to prevent solder mounting failure due to swelling. In addition, by using a structure in which no joint is provided at the gate diagonal of the resin gate opening for injecting the sealing resin, or by forming a concave portion in the joint, the resin injection speed can be made uniform and sealing during thin package formation can be achieved. Even when stopping, the generation of unfilled voids at the gate diagonal can be prevented.
【００１３】さらに半導体素子の裏面を清浄な状態にす
るための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行なう
という製造方法と、本発明のリードフレームとを組み合
わせることにより、懸念される半導体素子の裏面の汚染
はなく、半導体素子裏面と封止樹脂とが直接接しても、
半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を確保することが
できる。Further, by combining the manufacturing method of performing a pre-process for cleaning the back surface of the semiconductor element to a clean state and then performing the die bonding step with the lead frame of the present invention, the back surface of the semiconductor element is of concern. No contamination, even if the semiconductor element back surface and the sealing resin are in direct contact,
Adhesion between the back surface of the semiconductor element and the sealing resin can be ensured.
【００１４】以下、本発明のリードフレームの一実施形
態について図面を参照しながら説明する。図１は、第１
の実施形態のリードフレームの主要部分を示す平面図で
ある。An embodiment of a lead frame according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the first
It is a top view which shows the principal part of the lead frame of embodiment.
【００１５】図１において、本実施形態のリードフレー
ム１２は、インナーリード部１３と、アウターリード部
１４と、タイバー１５と、半導体素子を搭載するダイパ
ッド部１６と、ダイパッド部１６を支持する吊りリード
部１７とより構成されている。そしてリードフレーム１
２に半導体素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイ
パッド部１６への応力を緩和するために、ダイパッド部
１６は、開口部１８を有しており、また半導体素子との
接着のための接合部１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄを
有している。すなわち、４個の小型ダイパッド部である
接合部１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄが連結されるこ
とによりダイパッド部１６を構成しているものである。
なお、本実施形態のリードフレーム１２のダイパッド部
１６の大きさは、搭載する半導体素子の大きさよりも小
型としている。また樹脂封止し、パッケージを形成した
際に、ダイパッド部１６上に搭載した半導体素子の表面
からパッケージの表面までの樹脂厚と、ダイパッド部１
６の裏面からパッケージの裏面までの樹脂厚とが同じに
なるように、吊りリード部１７にディプレス加工を施し
てディプレス部２０を形成し、ダイパッド部１６をイン
ナーリード部１３よりも下げている。In FIG. 1, a lead frame 12 according to the present embodiment includes an inner lead portion 13, an outer lead portion 14, a tie bar 15, a die pad portion 16 for mounting a semiconductor element, and a suspension lead for supporting the die pad portion 16. And a unit 17. And lead frame 1
In order to reduce the stress on the die pad portion 16 when the outer periphery is sealed with resin after mounting the semiconductor device on the die 2, the die pad portion 16 has an opening 18, and the die pad portion 16 has an opening 18. Connecting portions 19a, 19b, 19c, and 19d. That is, the die pad portion 16 is formed by connecting the bonding portions 19a, 19b, 19c, and 19d, which are four small die pad portions.
Note that the size of the die pad portion 16 of the lead frame 12 of the present embodiment is smaller than the size of the semiconductor element to be mounted. Further, when the package is formed by resin sealing, the resin thickness from the surface of the semiconductor element mounted on the die pad portion 16 to the surface of the package and the die pad portion 1
The suspension lead portion 17 is depressed to form a depressed portion 20 so that the resin thickness from the back surface of the package 6 to the back surface of the package becomes the same, and the die pad portion 16 is lowered below the inner lead portion 13. I have.
【００１６】次に図１に示したリードフレーム１２を用
いた半導体装置の製造方法について説明する。図２、図
３は半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図１の
Ａ−Ａ１箇所の断面図である。Next, a method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame 12 shown in FIG. 1 will be described. 2 and 3 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device, and are cross-sectional views taken along the line AA1 in FIG.
【００１７】まず前工程として、半導体素子が複数個形
成された半導体ウェハーを個々の半導体素子に分割する
ダイシング工程において、半導体素子が形成された半導
体ウェハーを粘着シートに貼り付けてダイシングした
後、その半導体素子の裏面に残存した粘着シートの粘着
剤を紫外線（ＵＶ）洗浄し、半導体素子の裏面を清浄な
状態にしておく。紫外線（ＵＶ）洗浄は、半導体素子の
裏面に対して紫外線を照射することにより行なうもので
あるが、ダイシング時の粘着シートに紫外線硬化型の粘
着剤を用いている場合に有効であり、他の粘着剤を用い
ている場合は、適宜、対応した洗浄を行なう。First, as a pre-process, in a dicing step of dividing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed into individual semiconductor elements, the semiconductor wafer on which the semiconductor elements are formed is attached to an adhesive sheet and diced. The pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive sheet remaining on the back surface of the semiconductor element is cleaned with ultraviolet light (UV) to keep the back surface of the semiconductor element clean. Ultraviolet (UV) cleaning is performed by irradiating the back surface of the semiconductor element with ultraviolet light. However, it is effective when an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive is used for the pressure-sensitive adhesive sheet during dicing. If an adhesive is used, appropriate washing is performed as appropriate.
【００１８】次に図２に示すように、ダイボンド工程と
して、ダイパッド部１６を支持している吊りリード部１
７にプレス加工によりディプレス部２０を形成したリー
ドフレーム１２に対して、前工程により、裏面が清浄な
半導体素子２１をそのダイパッド部１６の接合部１９
ｂ，１９ｄ（１９ａ，１９ｃは図示せず）上に銀（Ａ
ｇ）ペースト等の接着剤２２により接合する。Next, as shown in FIG. 2, as a die bonding step, the suspension lead 1 supporting the die pad 16 is formed.
7, a semiconductor element 21 having a clean back surface is bonded to the bonding portion 19 of the die pad portion 16 in the lead frame 12 having the depressed portion 20 formed by press working.
b, 19d (19a, 19c not shown) on silver (A
g) Joining with an adhesive 22 such as a paste.
【００１９】次に図３に示すように、搭載した半導体素
子２１とリードフレーム１２のインナーリード部とを金
属細線等の電気的接続手段により接続（ワイヤーボン
ド）した後、半導体素子２１の外囲およびリードフレー
ム１２のインナーリード部の領域を封止樹脂２３で封止
し、パッケージ部を形成する。その後、リードフレーム
１２のアウターリード部を成形して半導体装置を形成す
る。なお、ここで本実施形態では、半導体素子２１上の
封止樹脂厚ａと半導体素子２１下の封止樹脂厚ｂとを同
じになるようにディプレスを行なっている。ただし、ダ
イパッド部の形状により、多少ディプレス部の深さは変
化させる必要がある。図１の形状では、約２０［μｍ］
ほどディプレス部を半導体素子の上下均等値より浅めに
した方が、効果的である。Next, as shown in FIG. 3, the mounted semiconductor element 21 and the inner lead portion of the lead frame 12 are connected (wire-bonded) by an electric connection means such as a thin metal wire, and then the semiconductor element 21 is surrounded. Then, the region of the inner lead portion of the lead frame 12 is sealed with the sealing resin 23 to form a package portion. Thereafter, the outer lead portion of the lead frame 12 is formed to form a semiconductor device. Here, in the present embodiment, depressing is performed so that the sealing resin thickness a on the semiconductor element 21 is equal to the sealing resin thickness b below the semiconductor element 21. However, the depth of the depressed portion needs to be changed slightly depending on the shape of the die pad portion. In the shape of FIG. 1, about 20 [μm]
It is more effective to make the depressed portion shallower than the upper and lower uniform values of the semiconductor element.
【００２０】以上のように、半導体素子２１よりも小さ
い外形のダイパッド部１６を有し、かつ搭載される半導
体素子２１との接合面積が少ない本実施形態のリードフ
レームを用いることにより、封止樹脂２３との応力を緩
和でき、またダイパッド部１６に対して、半導体素子２
１を搭載しても、半導体素子２１とダイパッド部１６と
を接合するのに用いる銀（Ａｇ）ペースト等の接着剤２
２の量を減らすことができ、接着剤２２が吸湿する水分
量を減らし、半導体装置を基板実装する際のリフロー工
程でパッケージクラック、パッケージ裏面の膨れによる
半田付け実装不良を防止することができる。また、ダイ
ボンド前に半導体素子２１の裏面を紫外線洗浄して、ダ
イシングの粘着シートの粘着剤を除去しているので、懸
念される半導体素子２１の裏面の汚染はなく、半導体素
子２１の裏面が露出し、直接封止樹脂２３と接していて
も、封止樹脂２３との密着性を確保し、パッケージクラ
ックの発生を防止し、信頼性を確保できる。As described above, by using the lead frame of this embodiment having the die pad portion 16 having an outer shape smaller than that of the semiconductor element 21 and having a small bonding area with the semiconductor element 21 to be mounted, the sealing resin 23, and the semiconductor element 2
1, an adhesive 2 such as a silver (Ag) paste used for joining the semiconductor element 21 and the die pad portion 16.
2 can be reduced, the amount of moisture absorbed by the adhesive 22 can be reduced, and a solder cracking due to a package crack and a bulging of the back surface of the package can be prevented in a reflow process when the semiconductor device is mounted on a substrate. In addition, since the back surface of the semiconductor element 21 is subjected to ultraviolet cleaning before die bonding to remove the adhesive from the dicing adhesive sheet, there is no concern about contamination of the back surface of the semiconductor element 21 and the back surface of the semiconductor element 21 is exposed. In addition, even in direct contact with the sealing resin 23, the adhesion with the sealing resin 23 is ensured, the occurrence of package cracks is prevented, and the reliability can be ensured.
【００２１】次にリードフレームの構造について、他の
実施形態について説明する。図４，図５は、図１に示し
たリードフレームとは異なる形態を有するリードフレー
ムを示す平面図である。Next, another embodiment of the structure of the lead frame will be described. 4 and 5 are plan views showing a lead frame having a different form from the lead frame shown in FIG.
【００２２】まず図４に示すリードフレーム２４は、イ
ンナーリード部２５と、アウターリード部２６と、タイ
バー２７と、半導体素子を搭載するダイパッド部２８
と、ダイパッド部２８を支持する吊りリード部２９とよ
り構成されている。そしてリードフレーム２４に半導体
素子を搭載後、外囲を樹脂封止した際にダイパッド部２
８への応力を緩和するために、ダイパッド部２８は、開
口部３０を有しており、また半導体素子との接着のため
の接合部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを有してい
る。すなわち、接合部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ
が連結されることによりダイパッド部２８を構成してい
るものである。なお、本実施形態のリードフレーム２４
のダイパッド部２８は、搭載する半導体素子の大きさよ
りも小型としている。また樹脂封止し、パッケージを形
成した際に、ダイパッド部２８上に搭載した半導体素子
の表面からパッケージの表面までの樹脂厚と、ダイパッ
ド部２８の裏面からパッケージの裏面までの樹脂厚とが
同じになるように、吊りリード部２９にディプレス加工
を施してディプレス部３２を形成し、ダイパッド部２８
をインナーリード部２５よりも下げている。ここで図４
に示すリードフレーム２４のダイパッド部２８は、中央
部の開口部３０が円形に構成されており、封止後の封止
樹脂とリードフレーム材料との熱膨張係数の違いから生
じる応力に対しても緩和する効果を有している。また、
ディプレス加工を施す際の応力によるディプレス部の深
さのバラツキ、ダイパッド部のたわみを防止することが
できるものである。First, a lead frame 24 shown in FIG. 4 has an inner lead portion 25, an outer lead portion 26, a tie bar 27, and a die pad portion 28 on which a semiconductor element is mounted.
And a suspension lead portion 29 for supporting the die pad portion 28. After the semiconductor element is mounted on the lead frame 24, the die pad 2
In order to alleviate the stress applied to the die 8, the die pad portion 28 has an opening portion 30 and has bonding portions 31a, 31b, 31c, 31d for adhesion to a semiconductor element. That is, the joints 31a, 31b, 31c, 31d
Are connected to form a die pad portion 28. Note that the lead frame 24 of the present embodiment
The die pad section 28 is smaller than the size of the semiconductor element to be mounted. Also, when the package is formed by resin sealing, the resin thickness from the surface of the semiconductor element mounted on the die pad portion 28 to the surface of the package is the same as the resin thickness from the back surface of the die pad portion 28 to the back surface of the package. The suspension lead portion 29 is depressed to form a depressed portion 32 so that the die pad portion 28 is formed.
Is lower than the inner lead portion 25. Here, FIG.
The die pad portion 28 of the lead frame 24 shown in FIG. 1 has a central opening 30 formed in a circular shape, and is also resistant to stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the sealing resin after sealing and the lead frame material. It has a relaxing effect. Also,
It is possible to prevent variations in the depth of the depressed portion and deflection of the die pad portion due to stress during depressing.
【００２３】図５に示すリードフレーム３３は、図１に
示したダイパッド部１６の形状を円形にしたダイパッド
部３４を有したものであり、他の構成は図１，図４に示
したものと同様である。図４に示したリードフレーム２
４と同様に、封止後の封止樹脂とリードフレーム材料と
の熱膨張係数の違いから生じる応力に対しても緩和する
効果を有している。また、ディプレス加工を施す際の応
力によるディプレス部の深さのバラツキ、ダイパッド部
のたわみを防止することができるものである。The lead frame 33 shown in FIG. 5 has a die pad portion 34 in which the shape of the die pad portion 16 shown in FIG. 1 is made circular, and other configurations are the same as those shown in FIGS. The same is true. Lead frame 2 shown in FIG.
As in the case of No. 4, it has an effect of reducing stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the sealing resin after sealing and the lead frame material. Further, it is possible to prevent variations in the depth of the depressed portion due to stress during the depressing process and the deflection of the die pad portion.
【００２４】なお、図４，図５に示したリードフレーム
２４，リードフレーム３３を用いて半導体装置を製造し
ても前記と同様な効果がある。The same effect as described above can be obtained by manufacturing a semiconductor device using the lead frame 24 and the lead frame 33 shown in FIGS.
【００２５】次に本発明のリードフレームの第２の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図６は本実
施形態のリードフレームを示す平面図である。図７は図
６とは異なる実施形態のリードフレームを示す平面図で
ある。Next, a second embodiment of the lead frame of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a plan view showing the lead frame of the present embodiment. FIG. 7 is a plan view showing a lead frame of an embodiment different from FIG.
【００２６】図６に示すように、本実施形態のリードフ
レーム３５は、そのダイパッド部３６が接合部３７ａ，
３７ｂ，３７ｃを有しており、リードフレーム３５の封
止樹脂を注入する樹脂ゲート口３８付近にのみ接合部３
７ａ，３７ｂ，３７ｃを設け、樹脂ゲート口３８と対向
するゲート対角領域３９には接合部を設けていないもの
である。このような構成とすることで、樹脂封止した際
に、樹脂ゲート口３８から注入した樹脂は、均一な速度
で注入され、ゲート対角領域３９もダイパッド部３６の
左右領域と同時に注入されるので、未充填ボイドの発生
を防止できる。As shown in FIG. 6, in the lead frame 35 of the present embodiment, the die pad portion 36 has a bonding portion 37a,
37b and 37c, and the joint 3 is formed only in the vicinity of the resin gate port 38 for injecting the sealing resin of the lead frame 35.
7a, 37b, and 37c are provided, and no junction is provided in the gate diagonal region 39 facing the resin gate port 38. With such a configuration, when the resin is sealed, the resin injected from the resin gate opening 38 is injected at a uniform speed, and the gate diagonal region 39 is also injected at the same time as the left and right regions of the die pad portion 36. Therefore, generation of unfilled voids can be prevented.
【００２７】また図７に示すように、リードフレーム４
０は、ダイパッド部４１の裏面での樹脂流れに対する抵
抗を小さくし、裏面での樹脂流れの速度を一定にするた
め、ダイパッド部４１の接合部４２ａ，４２ｂ，４２
ｃ，４２ｄの裏面を凹状にしたものである。図におい
て、ハッチングを付した部分が接合部４２ａ，４２ｂ，
４２ｃ，４２ｄの各凹状部である。また接合部４２ａ，
４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの凹状の形成は、樹脂ゲート口
４３に対向するゲート対角領域４４側の接合部４２ｃだ
けでもよい。なお、凹状の加工は、エッチング加工、プ
レス加工により行なうものである。Further, as shown in FIG.
0 indicates that the bonding portions 42a, 42b, and 42 of the die pad portion 41 are to reduce the resistance to the resin flow on the back surface of the die pad portion 41 and to make the speed of the resin flow on the back surface constant.
The back surfaces of c and 42d are concave. In the figure, the hatched portions are the joints 42a, 42b,
42c and 42d are concave portions. Also, the joints 42a,
The concave portions 42b, 42c, and 42d may be formed only at the joint 42c on the gate diagonal region 44 side facing the resin gate port 43. The concave processing is performed by etching and pressing.
【００２８】次に前記本実施形態に示したような、開口
部と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が
小さいダイパッド部を有したリードフレームを用いた場
合の半導体装置の製造方法において、特に金属細線によ
る接続工程であるワイヤーボンド工程について説明す
る。Next, the manufacture of a semiconductor device using a lead frame having a die pad portion having an opening and a joint portion and having a smaller outer shape than the semiconductor element to be mounted as shown in the present embodiment will be described. In the method, a wire bonding step, which is a connection step using a thin metal wire, will be particularly described.
【００２９】図８は、ワイヤーボンド工程で用いるヒー
タープレートを示す図であり、図８（ａ）は平面図、図
８（ｂ）はＡ−Ａ１箇所の断面図である。図示するよう
なヒータープレートは、リードフレームを搭載し、ワイ
ヤーボンドする際にリードフレームを加熱するために用
いられるものである。FIGS. 8A and 8B are views showing a heater plate used in the wire bonding step. FIG. 8A is a plan view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along a line AA1. The heater plate as shown is used for mounting a lead frame and heating the lead frame when performing wire bonding.
【００３０】図８に示すヒータープレートは、プレート
本体４５と、リードフレームのダイパッド部が載置され
る凹部４６と、ダイパッド部の接合部を真空で吸着し、
固定するための吸着用穴４７より構成されている。吸着
用穴４７は、その径が０．１［ｍｍ］〜１．０［ｍｍ］
であり、ダイパッド部の大きさにより、適宜設定するも
のである。In the heater plate shown in FIG. 8, the plate body 45, the concave portion 46 on which the die pad portion of the lead frame is placed, and the joint portion of the die pad portion are sucked by vacuum.
It is composed of a suction hole 47 for fixing. The diameter of the suction hole 47 is 0.1 [mm] to 1.0 [mm].
This is appropriately set according to the size of the die pad portion.
【００３１】したがって、前記本実施形態で示したよう
なリードフレームを用いて、リードフレーム上に搭載し
た半導体素子とインナーリード部とを金属細線により接
続する場合は、図８に示すヒータープレートを用いるこ
とにより、リードフレームのダイパッド部の接合部を吸
着用穴４７の真空吸着により安定に固定しながら、ワイ
ヤーボンドすることができ、金属細線による接続の信頼
性を向上させることができる。なお、通常のリードフレ
ームでは、ワイヤーボンド時にダイパッド部を吸着して
固定する必要はないが、本実施形態で示したような開口
部と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が
小さいダイパッド部を有したリードフレームの場合は、
ダイパッド部の安定が悪く、ダイパッド部を固定しなけ
れば、安定したワイヤーボンドができないものである。Therefore, when the semiconductor element mounted on the lead frame and the inner lead portion are connected by a thin metal wire using the lead frame as shown in the present embodiment, the heater plate shown in FIG. 8 is used. By doing so, wire bonding can be performed while the bonding portion of the die pad portion of the lead frame is stably fixed by the vacuum suction of the suction holes 47, and the reliability of the connection by the thin metal wire can be improved. In a normal lead frame, it is not necessary to adsorb and fix the die pad portion at the time of wire bonding, but it has an opening and a joint as shown in this embodiment, and has an outer shape smaller than that of the semiconductor element to be mounted. In the case of a lead frame with a small die pad,
The stability of the die pad portion is poor, and stable wire bonding cannot be performed unless the die pad portion is fixed.
【００３２】以上、本実施形態で示したように、開口部
と接合部とを有し、搭載する半導体素子よりも外形が小
さいダイパッド部を有したリードフレームを用いること
により、樹脂封止した際、封止樹脂との応力を緩和で
き、またダイパッド部に対して、半導体素子を搭載して
も、半導体素子とダイパッド部とを接合するのに用いる
銀（Ａｇ）ペースト等の接着剤の量を減らすことがで
き、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止する
ことができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な状態に
するための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行な
うという製造方法と、本実施形態のリードフレームとを
組み合わせることにより、懸念される半導体素子の裏面
の汚染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を
確保することができるという効果を奏する。さらに、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体装置を製造す
る際のワイヤーボンド工程では、リードフレームのダイ
パッド部を安定に固定するために、ヒータープレートに
吸着用穴を備えたものを用いることにより、安定な状態
で半導体素子とインナーリード部とを接続することがで
き、金属細線による接続の信頼性を向上させることがで
きる。As described above, as shown in the present embodiment, when a lead frame having a die pad portion having an opening and a joint portion and having a smaller outer shape than a semiconductor element to be mounted is used, resin sealing is performed. Even when a semiconductor element is mounted on the die pad portion, the amount of an adhesive such as silver (Ag) paste used for bonding the semiconductor element and the die pad portion can be reduced even if the semiconductor element is mounted on the die pad portion. It is possible to reduce the amount of moisture absorbed by the adhesive and to prevent a solder cracking due to a package crack and a bulging of the back surface of the package in a reflow process when the semiconductor device is mounted on a substrate. Further, by combining the manufacturing method of performing the pre-process for cleaning the back surface of the semiconductor element and then performing the die bonding step with the lead frame of the present embodiment, the contamination of the back surface of the semiconductor element is a concern. However, there is an effect that the adhesion between the back surface of the semiconductor element and the sealing resin can be ensured. Furthermore, in the wire bonding process when manufacturing a semiconductor device using the lead frame of the present embodiment, in order to stably fix the die pad portion of the lead frame, a heater plate having a suction hole is used. In addition, the semiconductor element and the inner lead portion can be connected in a stable state, and the reliability of connection by the thin metal wire can be improved.
【００３３】また開口部と接合部とを有し、搭載する半
導体素子よりも外形が小さいダイパッド部を有したリー
ドフレームにおいて、封止樹脂を注入する樹脂ゲート口
のゲート対角部に接合部を設けない構造、または接合部
に凹部を形成することにより、樹脂の注入速度の均一化
を図り、薄型パッケージ形成時の封止でもゲート対角部
に未充填ボイドの発生を防止することができる。Also, in a lead frame having an opening and a bonding portion, and having a die pad portion smaller in outer shape than a semiconductor element to be mounted, a bonding portion is formed at a gate diagonal portion of a resin gate opening into which a sealing resin is injected. By forming a concave portion in a structure not provided or a joint portion, it is possible to make the resin injection speed uniform and to prevent the generation of unfilled voids in the diagonal portions of the gate even in sealing at the time of forming a thin package.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームは、その
ダイパッド部に半導体素子を搭載後、樹脂封止した際、
封止樹脂との応力を緩和でき、またダイパッド部に対し
て、半導体素子を搭載する際、半導体素子とダイパッド
部とを接合するのに用いる接着剤の量を減らすことがで
き、接着剤が吸湿する水分量を減らし、半導体装置を基
板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パ
ッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良を防止する
ことができる。さらに半導体素子の裏面を清浄な状態に
するための前工程を行なった後、ダイボンド工程を行な
うという製造方法と、本発明のリードフレームとを組み
合わせることにより、懸念される半導体素子の裏面の汚
染はなく、半導体素子裏面と封止樹脂との密着性を確保
することができるという効果を奏する。As described above, in the lead frame of the present invention, when the semiconductor element is mounted on the die pad portion and then sealed with resin,
The stress with the sealing resin can be reduced, and when the semiconductor element is mounted on the die pad portion, the amount of adhesive used for joining the semiconductor element and the die pad portion can be reduced, and the adhesive absorbs moisture. This reduces the amount of moisture to be generated, and prevents package cracking and soldering failure due to swelling of the back surface of the package in the reflow step when the semiconductor device is mounted on a substrate. Further, by performing a pre-process for cleaning the back surface of the semiconductor element and then performing a die bonding step and combining the lead frame of the present invention, the contamination of the back surface of the semiconductor element which is a concern In addition, it is possible to ensure the adhesion between the back surface of the semiconductor element and the sealing resin.
【００３５】また開口部と接合部とを有し、搭載する半
導体素子よりも外形が小さいダイパッド部を有したリー
ドフレームにおいて、封止樹脂を注入する樹脂ゲート口
のゲート対角部に接合部を設けない構造、または接合部
に凹部を形成することにより、樹脂の注入速度の均一化
を図り、薄型パッケージ形成時の封止でもゲート対角部
に未充填ボイドの発生を防止することができる。In a lead frame having a die pad portion having an opening and a bonding portion and having a smaller outer shape than a semiconductor element to be mounted, a bonding portion is formed at a gate diagonal portion of a resin gate opening for injecting a sealing resin. By forming a concave portion in a structure not provided or a joint portion, it is possible to make the resin injection speed uniform and to prevent the generation of unfilled voids in the diagonal portions of the gate even in sealing at the time of forming a thin package.
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing the method for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment of the present invention;
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図４】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図FIG. 4 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図FIG. 5 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図FIG. 6 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図FIG. 7 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
ヒータープレートを示す図FIG. 8 is a view showing a heater plate in the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図９】従来のリードフレームを示す平面図FIG. 9 is a plan view showing a conventional lead frame.
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図FIG. 10 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図FIG. 11 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
１ リードフレーム ２ インナーリード部 ３ アウターリード部 ４ タイバー ５ ダイパッド部 ６ 吊りリード部 ７ スリット ８ ディプレス部 ９ 半導体素子 １０ 接着剤 １１ 封止樹脂 １２ リードフレーム １３ インナーリード部 １４ アウターリード部 １５ タイバー １６ ダイパッド部 １７ 吊りリード部 １８ 開口部 １９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 接合部 ２０ ディプレス部 ２１ 半導体素子 ２２ 接着剤 ２３ 封止樹脂 ２４ リードフレーム ２５ インナーリード部 ２６ アウターリード部 ２７ タイバー ２８ ダイパッド部 ２９ 吊りリード部 ３０ 開口部 ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ 接合部 ３２ ディプレス部 ３３ リードフレーム ３４ ダイパッド部 ３５ リードフレーム ３６ ダイパッド部 ３７ａ，３７ｂ，３７ｃ 接合部 ３８ 樹脂ゲート口 ３９ ゲート対角領域 ４０ リードフレーム ４１ ダイパッド部 ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ 接合部 ４３ 樹脂ゲート口 ４４ ゲート対角領域 ４５ プレート本体 ４６ 凹部 ４７ 吸着用穴 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Inner lead part 3 Outer lead part 4 Tie bar 5 Die pad part 6 Suspended lead part 7 Slit 8 Depressed part 9 Semiconductor element 10 Adhesive 11 Sealing resin 12 Lead frame 13 Inner lead part 14 Outer lead part 15 Tie bar 16 Die pad part 17 Suspended lead part 18 Opening part 19a, 19b, 19c, 19d Joint part 20 Depressed part 21 Semiconductor element 22 Adhesive 23 Sealing resin 24 Lead frame 25 Inner lead part 26 Outer lead part 27 Tie bar 28 Die pad part 29 Suspension Lead part 30 Opening part 31a, 31b, 31c, 31d Joint part 32 Depressed part 33 Lead frame 34 Die pad part 35 Lead frame 36 Die pad part 37a, 37b, 37c Join part 38 Resin Over preparative port 39 gate diagonal region 40 leadframe 41 die pad portion 42a, 42b, 42c, holes for 42d junction 43 resin gate hole 44 gate diagonal region 45 plate body 46 recess 47 adsorption
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−40352（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−97354（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−268146（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−350010（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−297213（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-40352 (JP, A) JP-A-6-97354 (JP, A) JP-A-6-268146 (JP, A) JP-A-6-268146 350010 (JP, A) JP-A-7-297213 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 23/50
Claims (4)
と、搭載する半導体素子の外形よりも小型のダイパッド
部と、前記ダイパッド部を支持する吊りリード部とより
構成されるリードフレームであって、前記ダイパッド部
は前記吊りリード部に設けられたディプレス部により前
記インナーリード部よりも下方に位置するとともに、接
着剤により半導体素子を接着する複数の接合部と、前記
複数の接合部が互いに連結されることにより、それら接
合部間に形成された円形の開口部とよりなるダイパッド
部であることを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame comprising: an inner lead portion; an outer lead portion; a die pad portion smaller than an outer shape of a semiconductor element to be mounted; and a suspension lead portion for supporting the die pad portion. The die pad portion is moved forward by a depress portion provided on the suspension lead portion.
A plurality of joints that are located below the inner lead portion and that bond the semiconductor element with an adhesive, and a circular opening formed between the joints by connecting the plurality of joints to each other. lead frame and wherein the parts to be more composed die pad portion.
たダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持した吊りリ
ード部と、前記半導体素子と金属細線で接続されたイン
ナーリード部と、前記半導体素子、前記ダイパッド部、
前記吊りリード部および前記金属細線の領域を封止した
封止樹脂とよりなる半導体装置であって、前記ダイパッ
ド部は前記吊りリード部に設けられたディプレス部によ
り前記インナーリード部よりも下方に位置し、その外形
が搭載した前記半導体素子の外形よりも小型であり、接
着剤により前記半導体素子の裏面の一部と接着した複数
の接合部と、前記複数の接合部が互いに連結されること
により、それら接合部の内側に形成された円形の開口部
とよりなるダイパッド部であり、前記半導体素子は、そ
の裏面が清浄な状態で前記ダイパッド部の円形の開口部
を通して前記封止樹脂と接して封止されていることを特
徴とする半導体装置。2. A semiconductor device, a die pad portion on which the semiconductor device is mounted, a suspension lead portion supporting the die pad portion, an inner lead portion connected to the semiconductor device by a thin metal wire, the semiconductor device, Die pad part,
A semiconductor device comprising a sealing resin for sealing a region of the suspension lead portion and the thin metal wire, wherein the die pad portion is formed by a depress portion provided on the suspension lead portion.
A plurality of joints which are located below the inner lead portion and whose outer shape is smaller than the outer shape of the mounted semiconductor element, and which are bonded to a part of the back surface of the semiconductor element with an adhesive; Are connected to each other to form a die pad portion having a circular opening formed inside the bonded portion, and the semiconductor element has a circular shape on the back surface of the die pad portion in a clean state . A semiconductor device which is sealed in contact with the sealing resin through an opening.
程で用いた粘着シートの粘着剤が除去された清浄な状態
であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。 3. The semiconductor element has a back surface formed by a dicing process.
Condition of the adhesive sheet used in the process, with the adhesive removed
The semiconductor device according to claim 2, wherein
と、搭載する半導体素子の外形よりも小型のダイパッド
部と、前記ダイパッド部を支持する吊りリード部とより
構成されるリードフレームであって、前記ダイパッド部
は前記吊りリード部に設けられたディプレス部により前
記インナーリード部よりも下方に位置するとともに、接
着剤により半導体素子を接着する複数の接合部と、前記
複数の接合部が互いに連結されることにより、それら接
合部間に形成された円形の開口部とよりなるダイパッド
部であるリードフレームの前記ダイパッド部の接合部上
に半導体素子を接着剤により接合するダイボンド工程
と、前記半導体素子と前記インナーリード部とを金属細
線により接続するワイヤーボンド工程と、前記半導体素
子、前記ダイパッド部、前記吊りリード部および前記金
属細線の領域を封止樹脂により封止するとともに、前記
半導体素子の裏面を前記ダイパッド部の開口部を通して
前記封止樹脂により封止する樹脂封止工程とよりなる半
導体装置の製造方法であって、前記ダイボンド工程前に
おいては、半導体素子が複数個形成された半導体ウェハ
ーを粘着シートに貼り付けてダイシングして個々の半導
体素子に分割した後、前記半導体素子の裏面に残存した
前記粘着シートの粘着剤を除去し、半導体素子の裏面を
清浄な状態にする工程を有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。4. A die pad smaller than an outer shape of an inner lead portion, an outer lead portion, and a semiconductor element to be mounted.
And a suspension lead portion supporting the die pad portion.
A lead frame comprising the die pad portion
Is depressed by the depress part provided on the suspension lead part.
It is located below the inner lead and
A plurality of joints for bonding the semiconductor element with an adhesive;
By connecting multiple joints to each other,
Die pad consisting of a circular opening formed between joints
A die bonding step of bonding a semiconductor element to the bonding part of the die pad part of the lead frame part by an adhesive; a wire bonding step of connecting the semiconductor element and the inner lead part with a thin metal wire; A resin sealing step of sealing the area of the die pad portion, the hanging lead portions and the fine metal wires with a sealing resin, and sealing the back surface of the semiconductor element with the sealing resin through an opening of the die pad portion; A semiconductor wafer having a plurality of semiconductor elements formed thereon is attached to an adhesive sheet and diced into individual semiconductor elements before the die bonding step. Removing the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive sheet remaining on the back surface of the semiconductor element to clean the back surface of the semiconductor element. The method of manufacturing a semiconductor device characterized by having a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17327496A JP2892988B2 (en) | 1996-04-17 | 1996-07-03 | Lead frame, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-95235 | 1996-04-17 | ||
| JP9523596 | 1996-04-17 | ||
| JP17327496A JP2892988B2 (en) | 1996-04-17 | 1996-07-03 | Lead frame, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18014198A Division JP3045999B2 (en) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | Lead frame, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| JP18014298A Division JP3062153B2 (en) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | Lead frame, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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