JP2892980B2 - Dry process treatment method - Google Patents

Dry process treatment method

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JP2892980B2
JP2892980B2 JP7328575A JP32857595A JP2892980B2 JP 2892980 B2 JP2892980 B2 JP 2892980B2 JP 7328575 A JP7328575 A JP 7328575A JP 32857595 A JP32857595 A JP 32857595A JP 2892980 B2 JP2892980 B2 JP 2892980B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
処理装置等のドライプロセス処理方法に関するものであ
る。 【0002】 【従来の技術】従来ドライプロセス処理装置の圧力コン
トロール機構は図1に示す如く構成されている。即ちこ
の圧力コントロール機構は処理用ガスの流量と処理室の
圧力を共に一定に保つように構成している。 【0003】ガスの流量を一定に保つガス流量コントロ
ール部2はガス源9、開閉バルブ8、ガス流量センサ
5、コントロールバルブ3、コントロールバルブ駆動部
4、サーボアンプ6、流量設定部7からなっている。ガ
ス流量は流量センサ5で検知し、その流量と流量設定部
7で設定された値の差をサーボアンプ6で増幅してコン
トロールバルブ駆動部4を介してコントロールバルブ3
を動かし、一定のガス流量を保つようにしている。 【0004】処理室1の圧力コントロール部10は、圧
力センサ11、排気コンダクタンスコントロールバルブ
12、バルブ駆動部13、サーボアンプ14、圧力設定
部15、真空排気装置16からなっている。 【0005】圧力のコントロールは処理室1の圧力を圧
力センサ11で検出し、圧力設定部15に設定された値
との差をサーボアンプ14で増幅し、バルブ駆動部13
を介してコントロールバルブ12のコンダクタンスを変
化させて排気装置16の排気能力を変え、行なってい
る。 【0006】この排気コントロール部10ではコントロ
ールバルブ12を変化させた場合、圧力は処理室1の容
積とガス流入量、排気量の関係から徐々に変化する。そ
のため測定圧力と設定圧力との差に従ってバルブを開閉
すれば、この圧力コントロール系は振動し、安定に圧力
を制御できなくなる。そこでサーボアンプ14の応答を
遅延させ、圧力が安定にコントロールできるようにして
いる。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】ドライプロセス装置で
は処理を再現性よく行うため、処理条件、すなわちガス
流量やガス圧力を一定にして行う必要がある。 【0008】しかし従来の圧力コントロール方法では圧
力が一定になるまでに時間がかかり、ドライプロセス装
置の処理能力を向上する上でのネックとなっていた。 【0009】特に従来の圧力コントロール方法では設定
圧力に達するまでに1分程の時間がかかり、処理時間全
体に対する割合もドライプロセス処理の高速化に伴い、
2〜3割をしめるようになっている。したがって処理能
力の向上にはガス圧力コントロール時間の短縮が不可欠
となってきた。 【0010】本発明の目的は、ドライプロセス処理圧力
のコントロール応答性を高めることが出来、処理能力の
向上がはかれるようにしたドライプロセス処理方法を提
供することにある。 【0011】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、外部からガスを導入して所定の圧力に維
持された処理室内で試料を処理するドライプロセス処理
方法を、試料を内部に配置した処理室の排気バルブの開
度を全開にして処理室の内部を高真空に排気し、次に処
理室の排気バルブを閉じるとともにガスを処理室の内部
に導入し、ガスを導入して処理室の内部の圧力が所定の
圧力の範囲に入った状態で排気バルブの開度を処理室の
内部の圧力に基づいて制御してドライプロセス処理する
方法とした。また、本発明は、外部からガスを導入して
所定の圧力に維持された処理室内で試料を処理するドラ
イプロセス処理方法を、試料を内部に配置した処理室の
排気バルブの開度を全開にして処理室の内部を高真空に
排気し、次に処理室の排気バルブを閉じるとともにガス
を処理室内で試料をドライプロセス処理するときよりも
大きい流量で処理室の内部に導入し、ガスを導入して処
理室の内部の圧力が所定の圧力の範囲に入った状態で排
気バルブの開度とガスの流量とを処理室の内部の圧力に
基づいて制御してドライプロセス処理する方法とした。 【0012】 【発明の実施の形態】図2に本発明による実施例を示
し、以下に説明する。 【0013】ドライプロセス処理を行う処理室20には
処理用ガスを供給するガス供給管22、処理室内を排気
する排気管32が設けられている。 【0014】ガス供給部はガス源31、開閉バルブ3
0、流量センサ27、コントロールバルブ23から成っ
ている。 【0015】流量センサ27の信号はA/D変換器28
を介して、マイクロコンピュータ21に送られる。コン
トロールバルブ23は駆動モータ24により動かされ、
モータにはエンコーダ25が連結してあり、エンコーダ
25の信号はマイクロコンピュータ21に送られる。 【0016】駆動モータ24はマイクロコンピュータ2
1にコントロールされたドライバ26により動かされ
る。 【0017】ガス流量の設定は流量設定部29から設定
信号をマイクロコンピュータ21に送り行う。 【0018】排気部はコンダクタンスのコントロールバ
ルブ33、真空排気装置40からなっている。 【0019】コントロールバルブ33は駆動モータ34
により動かされ、モータにはエンコーダ35が連結して
あり、その信号はマイクロコンピュータ21に送られ
る。 【0020】駆動モータ34はマイクロコンピュータ2
1にコントロールされたドライバ36により動かされ
る。 【0021】処理室20に取付けた圧力センサ37の信
号はA/D変換器38を介してマイクロコンピュータ2
1に送られる。ガス圧力の設定は圧力設定部39からの
設定信号をマイクロコンピュータ21に送り行う。 【0022】以上の構成において圧力コントロール時の
各部の動作について以下に説明する。 【0023】処理室20はコントロールバルブ33を全
開にして処理室内を低圧に排気している。処理室20に
図示しない搬送系により図示しない被処理物を搬入す
る。搬入完了を検出すると図3に示すように圧力コント
ロールバルブ33を閉じ、ガス供給のガス流量コントロ
ールバルブ23を全開にする。処理用ガスが2種類以上
の原料ガスを混合したガスである場合には、供給する各
原料ガスの混合比は変えず、その内の1種類がガス供給
部のコントロ−ルバルブの最大供給量になるようにマイ
クロコンピュ−タ21によりコントロ−ルする。この時
圧力は処理条件によっても異なるが数秒で設定圧力に近
づく。マイクロコンピュータ21には前回処理した時
の、設定条件に対するバルブ駆動モータ24,34の回
転角がエンコーダ25,35からの信号により、メモリ
に記憶されている。圧力センサ37で処理室内の圧力を
チェックし、設定圧力の±20%以内の圧力範囲に入る
と、マイクロコンピュータ21の指示によりドライバ2
6,36を介して圧力及びガス流量コントロールバルブ
の開閉割合をメモリに記憶された状態に固定する。 【0024】さらに処理室内の圧力が設定圧力の±10
%に入るとコントロールバルブ23,33の制御を設定
圧力と処理室内の圧力差に応じて制御する従来方式によ
り行う。次に処理室内が設定圧力の±3%の圧力に1分
間入った時のコントロールバルブの開閉割合をエンコー
ダ25,35から読み取り、マイクロコンピュータ内の
バルブ開閉割合を記憶したメモリをクリアし、新しいデ
ータを書き込む。 【0025】以上述べたように本発明による圧力コント
ロール方法ではまず流入ガス量を最大にし、排気バルブ
を閉じるため、再短時間で圧力は上昇し、かつ設定圧に
近づいた時にはバルブ弁の開閉割合は設定圧力を保持す
る状態にあるため、従来の方法にあったような圧力がオ
ーバシュートし振動してしまう問題も発生しない。 【0026】以上述べた本実施例では設定圧力に10秒
程で到達することができ、従来の1/6程度の時間に短
縮することができる。 【0027】また本実施例では処理を開始するまでの圧
力コントロール方法について述べたが、ガス流量、ガス
ライン、ガス圧力など処理条件の途中での変更の場合に
も、同様に行うことができる。その場合にも中途変更後
の処理条件でのコントロールバルブ開閉割合を記憶し、
変更後の圧力条件が高い場合は本実施例に述べた方法に
より行い、変更後の圧力条件が低い場合は逆に、ガス供
給を止め、排気バルブを全開にして同様に設定圧力に近
づけることができる。 【0028】また本実施例ではコントロールバルブの開
閉により圧力コントロールを行う例について述べたが、
基本的には排気量を変えることができる排気方法である
ならば同様の方法を行うことができることは明らかであ
る。たとえば、機械式の真空排気ポンプにより排気し、
真空ポンプの回転数により排気量を変え、圧力をコント
ロールする場合、各処理条件での回転数を記憶し、コン
トロールすることにより行うことができる。 【0029】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理物を処理室内に供給してから被処理室内を処理の
ための所定の圧力に設定するまでの時間を、従来の装置
を用いた方法と比べて短くすることができるので、ドラ
イプロセス装置の処理能力を向上させることができる、
という効果が得られる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a dry processing method for a dry etching apparatus or the like. 2. Description of the Related Art Conventionally, a pressure control mechanism of a dry processing apparatus is configured as shown in FIG. That is, the pressure control mechanism is configured to keep both the flow rate of the processing gas and the pressure of the processing chamber constant. The gas flow control unit 2 for keeping the gas flow constant comprises a gas source 9, an opening / closing valve 8, a gas flow sensor 5, a control valve 3, a control valve driving unit 4, a servo amplifier 6, and a flow setting unit 7. I have. The gas flow rate is detected by the flow rate sensor 5, and the difference between the flow rate and the value set by the flow rate setting section 7 is amplified by the servo amplifier 6 and the control valve 3 is controlled via the control valve driving section 4.
Is moved to maintain a constant gas flow rate. The pressure control section 10 of the processing chamber 1 comprises a pressure sensor 11, an exhaust conductance control valve 12, a valve driving section 13, a servo amplifier 14, a pressure setting section 15, and a vacuum exhaust device 16. In controlling the pressure, the pressure in the processing chamber 1 is detected by the pressure sensor 11, and the difference from the value set in the pressure setting unit 15 is amplified by the servo amplifier 14.
The exhaust capacity of the exhaust device 16 is changed by changing the conductance of the control valve 12 via the control valve 12. In the exhaust control section 10, when the control valve 12 is changed, the pressure gradually changes due to the relationship between the volume of the processing chamber 1, the amount of gas flowing in, and the amount of exhaust. Therefore, if the valve is opened and closed according to the difference between the measured pressure and the set pressure, the pressure control system vibrates, and the pressure cannot be controlled stably. Therefore, the response of the servo amplifier 14 is delayed so that the pressure can be controlled stably. [0007] In the dry process apparatus, in order to perform the process with good reproducibility, it is necessary to perform the process under a constant process condition, that is, a constant gas flow rate and gas pressure. However, in the conventional pressure control method, it takes time until the pressure becomes constant, which has been a bottleneck in improving the processing capability of the dry process apparatus. In particular, in the conventional pressure control method, it takes about one minute to reach the set pressure, and the ratio to the entire processing time also increases with the speeding up of the dry process.
20% to 30% of the time. Therefore, shortening the gas pressure control time has become indispensable for improving the processing capacity. An object of the present invention is to provide a dry process processing method capable of improving the control response of the dry process pressure and improving the processing capability. [0011] In order to achieve the above object, the present invention provides a dry processing method for processing a sample in a processing chamber maintained at a predetermined pressure by introducing a gas from the outside. By fully opening the exhaust valve of the processing chamber in which the sample is placed, the interior of the processing chamber is evacuated to a high vacuum, and then closing the exhaust valve of the processing chamber and introducing gas into the processing chamber. The dry process is performed by controlling the opening degree of the exhaust valve based on the pressure inside the processing chamber in a state where the gas is introduced and the pressure inside the processing chamber falls within a predetermined pressure range. Further, the present invention provides a dry process processing method for processing a sample in a processing chamber maintained at a predetermined pressure by introducing a gas from the outside, by fully opening an exhaust valve of a processing chamber in which a sample is disposed. The inside of the processing chamber is evacuated to a high vacuum, then the exhaust valve of the processing chamber is closed, and gas is introduced into the processing chamber at a larger flow rate than when the sample is dry-processed in the processing chamber. Then, in a state where the pressure inside the processing chamber is within a predetermined pressure range, the opening degree of the exhaust valve and the flow rate of the gas are controlled based on the pressure inside the processing chamber to perform the dry process. FIG. 2 shows an embodiment according to the present invention, which will be described below. The processing chamber 20 for performing the dry process processing is provided with a gas supply pipe 22 for supplying a processing gas and an exhaust pipe 32 for exhausting the processing chamber. The gas supply unit includes a gas source 31, an on-off valve 3,
0, a flow sensor 27, and a control valve 23. The signal from the flow sensor 27 is supplied to an A / D converter 28
Through the microcomputer 21. The control valve 23 is moved by a drive motor 24,
An encoder 25 is connected to the motor, and a signal from the encoder 25 is sent to the microcomputer 21. The drive motor 24 is connected to the microcomputer 2
It is moved by the driver 26 controlled to 1. To set the gas flow rate, a setting signal is sent from the flow rate setting section 29 to the microcomputer 21. The exhaust section comprises a control valve 33 for conductance and a vacuum exhaust device 40. The control valve 33 has a drive motor 34
The encoder 35 is connected to the motor, and its signal is sent to the microcomputer 21. The drive motor 34 is connected to the microcomputer 2
It is moved by the driver 36 controlled to 1. The signal from the pressure sensor 37 attached to the processing chamber 20 is sent to the microcomputer 2 via an A / D converter 38.
Sent to 1. The gas pressure is set by sending a setting signal from the pressure setting unit 39 to the microcomputer 21. The operation of each part during the pressure control in the above configuration will be described below. The processing chamber 20 exhausts the processing chamber to a low pressure by fully opening the control valve 33. A workpiece (not shown) is carried into the processing chamber 20 by a transport system (not shown). When the completion of loading is detected, the pressure control valve 33 is closed and the gas flow control valve 23 for gas supply is fully opened as shown in FIG. When the processing gas is a gas obtained by mixing two or more types of raw material gases, the mixing ratio of each raw material gas to be supplied does not change, and one of the mixed gases is set to the maximum supply amount of the control valve of the gas supply unit. The control is performed by the microcomputer 21 as shown in FIG. At this time, the pressure approaches the set pressure in a few seconds, though it varies depending on the processing conditions. In the microcomputer 21, the rotation angles of the valve drive motors 24 and 34 corresponding to the set conditions at the time of the previous processing are stored in the memory by the signals from the encoders 25 and 35. The pressure in the processing chamber is checked by the pressure sensor 37, and when the pressure falls within a range of ± 20% of the set pressure, the driver 2 is instructed by the microcomputer 21.
The pressure and the open / close ratio of the gas flow control valve are fixed to the state stored in the memory via the ports 6 and 36. Further, the pressure in the processing chamber is set to ± 10 of the set pressure.
%, Control of the control valves 23 and 33 is performed by a conventional method of controlling according to a set pressure and a pressure difference in the processing chamber. Next, when the processing chamber enters a pressure of ± 3% of the set pressure for 1 minute, the opening / closing ratio of the control valve is read from the encoders 25 and 35, the memory storing the valve opening / closing ratio in the microcomputer is cleared, and new data is stored. Write. As described above, in the pressure control method according to the present invention, since the inflow gas amount is first maximized and the exhaust valve is closed, the pressure rises again in a short time, and when the pressure approaches the set pressure, the opening / closing ratio of the valve valve is increased. Since the pressure is maintained at the set pressure, there is no problem that the pressure overshoots and vibrates as in the conventional method. In this embodiment described above, the set pressure can be reached in about 10 seconds, and the time can be reduced to about 1/6 of the conventional one. In this embodiment, the pressure control method up to the start of the processing has been described. However, the same can be applied to the case where the processing conditions such as the gas flow rate, the gas line, and the gas pressure are changed in the middle. Even in that case, the control valve opening / closing ratio under the processing conditions after the halfway change is stored,
If the pressure condition after the change is high, perform the method described in the present embodiment.If the pressure condition after the change is low, on the contrary, stop the gas supply, open the exhaust valve fully, and similarly approach the set pressure. it can. In this embodiment, an example in which pressure control is performed by opening and closing a control valve has been described.
It is apparent that basically the same method can be used as long as the exhaust method can change the exhaust amount. For example, evacuating with a mechanical vacuum pump,
When controlling the pressure by changing the exhaust amount according to the number of revolutions of the vacuum pump, the number of revolutions under each processing condition can be stored and controlled. As described above, according to the present invention,
Since the time from supplying the processing object into the processing chamber to setting the processing chamber to a predetermined pressure for processing can be shortened as compared with a method using a conventional apparatus, a dry process apparatus is used. Can improve the processing capacity of
The effect is obtained.

【図面の簡単な説明】 【図1】従来のドライプロセス装置における圧力コント
ロールシステムを示す図。 【図2】本発明のドライプロセス装置における圧力コン
トロールシステムの一実施例を示す図。 【図3】本発明のドライプロセス装置における圧力コン
トロールフローを示した図。 【符号の説明】 20 処理室、 21…マイクロコンピュータ、 23…コントロールバルブ、 25…エンコーダ、 27…流量センサ、 33…コントロールバルブ、 35…エンコーダ、 37…圧力センサ、 40…真空排気装置。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a pressure control system in a conventional dry process device. FIG. 2 is a diagram showing one embodiment of a pressure control system in the dry process device of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a pressure control flow in the dry process device of the present invention. [Description of Signs] 20 processing chamber, 21 microcomputer, 23 control valve, 25 encoder, 27 flow rate sensor, 33 control valve, 35 encoder, 37 pressure sensor, 40 vacuum exhaust device.

フロントページの続き (72)発明者 藤井 輝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 上村 隆 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 相内 進 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−140127(JP,A) 特開 昭57−174465(JP,A) 特開 昭58−115812(JP,A) 特開 昭58−9320(JP,A) 菅野卓雄「半導体プラズマプロセス技 術」(昭和55−7−10)産業図書p. 183〜189Continuation of front page    (72) Inventor Teru Fujii               292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa               Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory (72) Inventor Takashi Uemura               292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa               Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory (72) Inventor Susumu Aiuchi               292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa               Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory                (56) References JP-A-58-140127 (JP, A)                 JP-A-57-174465 (JP, A)                 JP-A-58-115812 (JP, A)                 JP-A-58-9320 (JP, A)                 Takuo Sugano "Semiconductor Plasma Processing Technology               Syutsu ”(Showa 55-7-10) Sangyo Tosho p.               183-189

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.外部からガスを導入して所定の圧力に維持された処
理室内で試料を処理するドライプロセス処理方法であっ
て、前記試料を内部に配置した前記処理室の排気バルブ
の開度を全開にして前記処理室の内部を高真空に排気
し、次に前記処理室の排気バルブを閉じるとともに前記
ガスを前記処理室の内部に導入し、前記ガスを導入して
前記処理室の内部の圧力が所定の圧力の範囲に入った状
態で前記排気バルブの開度を前記処理室の内部の圧力に
基づいて制御することを特徴とするドライプロセス処理
方法。 2.外部からガスを導入して所定の圧力に維持された処
理室内で試料を処理するドライプロセス処理方法であっ
て、前記試料を内部に配置した前記処理室の排気バルブ
の開度を全開にして前記処理室の内部を高真空に排気
し、次に前記処理室の排気バルブを閉じるとともに前記
ガスを前記処理室内で前記試料をドライプロセス処理す
るときよりも大きい流量で前記処理室の内部に導入し、
前記ガスを導入して前記処理室の内部の圧力が所定の圧
力の範囲に入った状態で前記排気バルブの開度と前記ガ
スの流量とを前記処理室の内部の圧力に基づいて制御す
ることを特徴とするドライプロセス処理方法。
(57) [Claims] A dry processing method for processing a sample in a processing chamber maintained at a predetermined pressure by introducing a gas from the outside, wherein the exhaust valve of the processing chamber in which the sample is disposed is fully opened. The inside of the processing chamber is evacuated to a high vacuum, and then the exhaust valve of the processing chamber is closed and the gas is introduced into the processing chamber. Wherein the opening degree of the exhaust valve is controlled based on the pressure inside the processing chamber in a state where the pressure falls within the range of the pressure. 2. A dry processing method for processing a sample in a processing chamber maintained at a predetermined pressure by introducing a gas from the outside, wherein the exhaust valve of the processing chamber in which the sample is disposed is fully opened. The inside of the processing chamber is evacuated to a high vacuum, and then the exhaust valve of the processing chamber is closed and the gas is introduced into the processing chamber at a larger flow rate than when the sample is dry-processed in the processing chamber. And
The opening degree of the exhaust valve and the flow rate of the gas are controlled based on the pressure inside the processing chamber in a state where the gas is introduced and the pressure inside the processing chamber is within a predetermined pressure range. A dry process treatment method.
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