JP2889935B2 - Substrate heating device - Google Patents
Substrate heating deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、基板加熱装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a substrate heating apparatus.
（従来の技術） 例えば、半導体デバイスの製造工程等においては、例
えば表面にフォトレジストあるいは樹脂をコーティング
した半導体ウエハ等の基板の乾燥等に、基板加熱装置が
用いられている。(Prior Art) For example, in a semiconductor device manufacturing process or the like, a substrate heating apparatus is used for drying a substrate such as a semiconductor wafer having a surface coated with a photoresist or a resin.
第２図にこのような従来の基板加熱装置の構成を示
す。基板加熱装置には、上面に被処理基板、例えば半導
体ウエハ１を載置可能に構成された形状例えば円板状の
熱板２が設けられている。この熱板２は、図示しない加
熱手段例えば抵抗加熱ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータ
に供給する電力を調節して熱板２の温度を制御する温度
制御手段を備えており、半導体ウエハ１を所定温度に加
熱することができるよう構成されている。FIG. 2 shows the configuration of such a conventional substrate heating apparatus. The substrate heating apparatus is provided on its upper surface with a hot plate 2 having a shape such as a disc-like shape on which a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer 1, can be placed. The heating plate 2 includes a heating unit (not shown), for example, a resistance heater, and a temperature control unit that controls the temperature of the heating plate 2 by adjusting the power supplied to the resistance heating heater. It is configured so that it can be heated.
また、この熱板２は、筐体３内に収容されており、こ
の筐体３の天井部４のほぼ中央には、半導体ウエハ１の
表面にコーティングされたフォトレジストあるいは樹脂
等から生じた溶媒蒸気等を排出するための排気配管５が
接続された排気口６が設けられている。The hot plate 2 is accommodated in a housing 3, and a solvent generated from a photoresist or resin coated on the surface of the semiconductor wafer 1 is provided substantially at the center of a ceiling 4 of the housing 3. An exhaust port 6 to which an exhaust pipe 5 for discharging steam or the like is connected is provided.
（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の基板加熱装置では、筐体３の
天井部４のほぼ中央に設けられた排気口６から排気を行
うことにより、半導体ウエハ１の表面にコーティングさ
れたフォトレジストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気
等を排出するよう構成されている。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional substrate heating apparatus, the surface of the semiconductor wafer 1 is exhausted by exhausting air from the exhaust port 6 provided substantially at the center of the ceiling portion 4 of the housing 3. It is configured to discharge a solvent vapor or the like generated from a photoresist or a resin coated on the substrate.
しかしながら、本発明者等が詳査したところ、上記説
明の従来の基板加熱装置では、排気配口６から排気を行
うにもかかわらず、フォトレジストあるいは樹脂等から
生じた溶媒蒸気等が、液滴となって天井部４に付着し、
この液滴が半導体ウエハ１上に落下する等の問題があっ
た。However, the present inventors have conducted a detailed investigation and found that, in the conventional substrate heating apparatus described above, the solvent vapor or the like generated from the photoresist or the resin, even though the gas is exhausted from the exhaust port 6, drops. And adheres to the ceiling 4
There were problems such as the drop of the droplet on the semiconductor wafer 1.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、筐体の天井
部等に液滴となって付着することを防止することのでき
る基板加熱装置を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of such a conventional situation, and is capable of preventing a solvent vapor or the like generated from a substrate to be processed from adhering as droplets to a ceiling portion or the like of a housing. It is intended to provide a heating device.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板を加熱する熱板と、こ
の熱板を収容する容器とを具備した基板加熱装置におい
て、 前記容器の前記被処理基板と対向する天井部が、円錐
状に凹陥された凹陥部であってその頂部が前記被処理基
板の略中心上方に位置しかつ周縁部が前記被処理基板の
周縁部より外側上方に位置する凹陥部を具備し、この凹
陥部の頂部から排気を行うように構成されるとともに、 前記被処理基板面より上方に位置する如く、前記容器
に外気を取り入れるための開口が形成されたことを特徴
とする。[Configuration of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, according to the present invention, in a substrate heating apparatus including a hot plate for heating a substrate to be processed and a container for accommodating the hot plate, The ceiling facing the processing substrate is a conical recess, the top of which is located substantially above the center of the substrate to be processed, and the peripheral edge is located above and outside the peripheral edge of the substrate to be processed. A concave portion, and exhaust is performed from the top of the concave portion, and an opening for introducing outside air into the container is formed so as to be located above the surface of the substrate to be processed. Features.
また、請求項２の発明は、請求項１記載の基板加熱装
置において、 前記容器に外気を取り入れるための開口が、前記凹陥
部の周縁部より外側に形成されたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate heating apparatus according to the first aspect, an opening for introducing outside air into the container is formed outside a peripheral edge of the recess.
（作用） 本発明の基板加熱装置では、熱板を収容する容器の天
井部が、凹面形状とされており、この天井部の頂部から
排気を行うように構成されている。(Operation) In the substrate heating apparatus of the present invention, the ceiling of the container that accommodates the hot plate has a concave shape, and is configured to exhaust air from the top of the ceiling.
したがって、凹陥された天井部によって、フォトレジ
ストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排気配管に
導き、効率良く筐体外に排出することができ、この溶媒
蒸気等が、筐体の天井部等に液滴となって付着すること
を防止することができる。Therefore, by the recessed ceiling, the solvent vapor or the like generated from the photoresist or the resin can be guided to the exhaust pipe, and can be efficiently exhausted to the outside of the housing. It is possible to prevent droplets from adhering.
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、基板加熱装置10には、上面に被
処理基板、例えば半導体ウエハ11を載置可能に構成さ
れ、形状例えば円板状であって、処理を行う半導体ウエ
ハ11のサイズに合わせてその直径を設定された（本実施
例では、６インチの半導体ウエハに対して直径例えば20
cmとされた）熱板12が設けられている。As shown in FIG. 1, the substrate heating apparatus 10 is configured such that a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer 11 can be placed on the upper surface thereof, and has a shape of, for example, a disk, and the size of the semiconductor wafer 11 to be processed. (In this embodiment, the diameter is set, for example, to 20 for a 6-inch semiconductor wafer.
A hot plate 12 (measured in cm) is provided.
この熱板12は、図示しない加熱手段、例えば抵抗加熱
ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータに供給する電力を調節
して熱板12の温度を制御する温度制御手段を備えてお
り、レジスト液塗布後の半導体ウエハ11を所定温度に加
熱し、溶剤を乾燥させることができるよう構成されてい
る。The heating plate 12 includes heating means (not shown), for example, a resistance heater and temperature control means for controlling the temperature of the heating plate 12 by adjusting the power supplied to the resistance heating heater. The configuration is such that the wafer 11 can be heated to a predetermined temperature and the solvent can be dried.
上記熱板12は、容器13内に収容されている。この容器
13は、例えば断熱材等から構成されており、容器状に形
成された熱板収容部14と、熱板12の上部を覆う如く設け
られた蓋部15とからなる。そして、図示しない駆動機構
により、これらの熱板収容部14と蓋部15とを相対的に上
下動させ、両者の間に間隔を設け、熱板12上に半導体ウ
エハ11をロード・アンロードするよう構成されている。
また、熱板12を貫通する如く図示しないウエハ支持ピン
が複数例えば３本設けられており、上記熱板収容部14ま
たは蓋部15の上下動に伴なって、ウエハ支持ピンが熱板
12上に突出し、半導体ウエハ11を熱板12上に支持するよ
う構成されている。The hot plate 12 is housed in a container 13. This container
Reference numeral 13 is made of, for example, a heat insulating material or the like, and includes a hot plate accommodating portion 14 formed in a container shape and a lid portion 15 provided so as to cover an upper portion of the hot plate 12. Then, by a driving mechanism (not shown), the hot plate housing portion 14 and the lid portion 15 are relatively moved up and down, an interval is provided therebetween, and the semiconductor wafer 11 is loaded and unloaded on the hot plate 12. It is configured as follows.
Further, a plurality of, for example, three wafer support pins (not shown) are provided so as to penetrate the hot plate 12, and the wafer support pins are moved by the vertical movement of the hot plate housing portion 14 or the lid portion 15.
It is configured to protrude above the semiconductor wafer 11 and support the semiconductor wafer 11 on the hot plate 12.
また、上記蓋部15内側の半導体ウエハ11との対向面、
すなわち、天井部15aは、材質例えばステレンスで円錐
状凹陥面形状とされており、その頂部（中央部）には、
排気配管16に接続された排気口17（直径例えば10mm〜50
mm）が設けられている。この円錐状の天井部15aの傾斜
角θは、望ましくは例えば２〜20度（本実施例では、４
度）とされている。Further, a surface facing the semiconductor wafer 11 inside the lid portion 15,
That is, the ceiling portion 15a is made of a material such as stainless steel and has a conical concave surface shape, and its top (central portion) has
Exhaust port 17 (diameter, for example, 10 mm to 50 mm) connected to exhaust pipe 16
mm) is provided. The inclination angle θ of the conical ceiling 15a is desirably, for example, 2 to 20 degrees (in this embodiment, 4 degrees).
Degrees).
さらに、熱板収容部14と蓋部15との間には、例えば0.
2〜0.6mm程度（本実施例では、0.3mm）の空気取入れ用
の間隙18が設けられており、排気口17から排気を行う
と、この間隙18から外部の空気が取り入れられ、間隙18
と排気口17との間に、円錐状の天井部15aに沿って、空
気流が形成されるよう構成されている。Furthermore, between the hot plate housing part 14 and the lid part 15, for example, 0.
A gap 18 for air intake of about 2 to 0.6 mm (0.3 mm in this embodiment) is provided, and when air is exhausted from the exhaust port 17, external air is taken in from the gap 18 and the gap 18
It is configured such that an air flow is formed between the air outlet 17 and the conical ceiling 15a.
なお、図中符号ｄで示す間隔、すなわち、熱板12の上
面と、蓋部15の縁部下面との間隔は、３〜10mm（本実施
例では5mm）とされている。これは、上記間隔ｄを拡
げ、例えば15mm以上とすると、排気口17からの排気圧を
高めても（例えば10mmH2Oとしても）、天井部15aに溶媒
蒸気等が液滴となって付着してしまうためである。The distance indicated by the symbol d in the figure, that is, the distance between the upper surface of the hot plate 12 and the lower surface of the edge of the lid 15 is 3 to 10 mm (5 mm in this embodiment). This is because if the distance d is increased to, for example, 15 mm or more, even if the exhaust pressure from the exhaust port 17 is increased (for example, 10 mmH 2 O), solvent vapor or the like adheres to the ceiling 15a as droplets. This is because
上記構成のこの実施例の基板加熱装置では、図示しな
い駆動装置により、熱板収容部14と蓋部15とを相対的に
上下動させ両者の間に間隔を設けるとともに、図示しな
いウエハ支持ピンを熱板12上に突出させ、この状態でウ
エハ支持ピン上に、表面にフォトレジスト液あるいは樹
脂液等をコーティングされた半導体ウエハ11をロートす
る。また、図示しない加熱手段および温度制御手段によ
り、予め熱板12を所定温度に加熱しておく。In the substrate heating apparatus of this embodiment having the above-described configuration, a driving device (not shown) relatively moves the hot plate accommodating portion 14 and the lid portion 15 up and down to provide an interval therebetween, and a wafer supporting pin (not shown). The semiconductor wafer 11 having a surface coated with a photoresist solution or a resin solution is loaded onto the wafer support pins while the semiconductor wafer 11 is projected onto the hot plate 12 in this state. Further, the heating plate 12 is previously heated to a predetermined temperature by a heating means and a temperature control means (not shown).
そして、上記熱板収容部14と蓋部15との間隔を閉じる
とともに、ウエハ支持ピン上の半導体ウエハ11を熱板12
上に受け渡し、熱板12と接触させることにより、半導体
ウエハ11を加熱する。また、排気配管16により、排気口
17から所定排気圧例えば1mmH2Oで排気を行い、空気取入
れ用の間隙18と排気口17との間に空気流を形成し、半導
体ウエハ11の表面にコーティングされたフォトレジスト
あるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排出する。Then, the distance between the hot plate housing portion 14 and the lid portion 15 is closed, and the semiconductor wafer 11 on the wafer support pins is moved to the hot plate 12
The semiconductor wafer 11 is heated by being transferred to the upper side and brought into contact with the hot plate 12. In addition, the exhaust port 16
Evacuation is performed from 17 at a predetermined evacuation pressure, for example, 1 mmH 2 O, an air flow is formed between the air intake gap 18 and the exhaust port 17, generated from a photoresist or resin coated on the surface of the semiconductor wafer 11. Evaporates solvent vapors.
このようにして、半導体ウエハ11を所定時間所定温度
で加熱し、表面にコーティングされたフォトレジストあ
るいは樹脂等の乾燥が終了すると、上記したロードの手
順と逆の手順で、熱板12上の半導体ウエハ11をアンロー
ドして、処理を終了する。In this way, the semiconductor wafer 11 is heated at a predetermined temperature for a predetermined time, and when the drying of the photoresist or the resin coated on the surface is completed, the semiconductor wafer 11 on the hot plate 12 is reversed in a procedure reverse to the loading procedure described above. The wafer 11 is unloaded, and the process ends.
上記実施例の基板加熱装置により、表面にポリイミド
をコーティングした６インチの半導体ウエハ11の乾燥を
行ったところ、排気配管16の排気圧1mmH2O（排気量約10
0リットル／分）、排気時間30秒で、天井部15aの付着物
は全く見られなかった。When the 6-inch semiconductor wafer 11 coated with polyimide on its surface was dried by the substrate heating apparatus of the above embodiment, the exhaust pressure of the exhaust pipe 16 was 1 mmH 2 O (the exhaust amount was about 10 mm).
(0 liter / min), the evacuation time was 30 seconds, and no deposits were observed on the ceiling 15a.
なお、第２図に示した従来の基板加熱装置で同様な半
導体ウエハ11の乾燥を行ったところ、排気圧40mmH2O、
排気時間60秒としても、天井部に大量の付着物（溶媒蒸
気の液滴）が見られた。When the same semiconductor wafer 11 was dried by the conventional substrate heating apparatus shown in FIG. 2, an exhaust pressure of 40 mmH 2 O,
Even when the evacuation time was 60 seconds, a large amount of deposits (solvent vapor droplets) were observed on the ceiling.
上記実施例ではレジスト液の塗布された半導体ウエハ
の加熱について説明したが、基板の加熱例えば現像液の
塗布された半導体ウエハ、磁性体の塗布された磁気媒体
等いずれに適用しても良い。In the above embodiment, the heating of the semiconductor wafer coated with the resist solution has been described. However, the present invention may be applied to heating of a substrate, for example, any of a semiconductor wafer coated with a developing solution, a magnetic medium coated with a magnetic material, and the like.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の基板加熱装置によれ
ば、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、液滴となっ
て筐体の天井部等に付着することを防止することができ
る。[Effects of the Invention] As described above, according to the substrate heating apparatus of the present invention, it is possible to prevent the solvent vapor or the like generated from the substrate to be processed from adhering to the ceiling or the like of the housing as droplets. be able to.
第１図は本発明の一実施例の基板加熱装置の構成を示す
図、第２図は従来の基板加熱装置の構成を示す図であ
る。 10……基板加熱装置、11……半導体ウエハ、12……熱
板、13……容器、14……熱板収容部、15……蓋部、15a
……天井部、16……排気配管、17……排気口、18……空
気取入れ用の間隙。FIG. 1 is a view showing a configuration of a substrate heating apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a configuration of a conventional substrate heating apparatus. 10: substrate heating device, 11: semiconductor wafer, 12: hot plate, 13: container, 14: hot plate container, 15: lid, 15a
... ceiling, 16 ... exhaust pipe, 17 ... exhaust port, 18 ... gap for air intake.
フロントページの続き (72)発明者 古川 孝弘 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−241124（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−206123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/324 G03F 7/26 Continuation of the front page (72) Inventor Takahiro Furukawa 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (56) References JP-A-1-241124 (JP, A) JP-A-58-206123 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/027 H01L 21/324 G03F 7/26
Claims (2)
収容する容器とを具備した基板加熱装置において、 前記容器の前記被処理基板と対向する天井部が、円錐状
に凹陥された凹陥部であってその頂部が前記被処理基板
の略中心上方に位置しかつ周縁部が前記被処理基板の周
縁部より外側上方に位置する凹陥部を具備し、この凹陥
部の頂部から排気を行うように構成されるとともに、 前記被処理基板面より上方に位置する如く、前記容器に
外気を取り入れるための開口が形成されたことを特徴と
する基板加熱装置。1. A substrate heating apparatus comprising: a hot plate for heating a substrate to be processed; and a container for accommodating the hot plate, wherein a ceiling of the container facing the substrate to be processed is conically recessed. A concave portion whose top is located substantially above the center of the substrate to be processed and whose peripheral edge is located outside and above the peripheral edge of the substrate to be processed. And an opening for taking in outside air into the container so as to be located above the surface of the substrate to be processed.
の周縁部より外側に形成されたことを特徴とする基板加
熱装置。2. The substrate heating apparatus according to claim 1, wherein an opening for introducing outside air into the container is formed outside a peripheral edge of the recess.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27268890A JP2889935B2 (en) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Substrate heating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27268890A JP2889935B2 (en) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Substrate heating device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04147612A JPH04147612A (en) | 1992-05-21 |
| JP2889935B2 true JP2889935B2 (en) | 1999-05-10 |
Family
ID=17517412
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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1990
- 1990-10-11 JP JP27268890A patent/JP2889935B2/en not_active Expired - Lifetime
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