JP2889706B2 - Power-on reset circuit - Google Patents

Power-on reset circuit

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JP2889706B2 JP2402087A JP40208790A JP2889706B2 JP 2889706 B2 JP2889706 B2 JP 2889706B2 JP 2402087 A JP2402087 A JP 2402087A JP 40208790 A JP40208790 A JP 40208790A JP 2889706 B2 JP2889706 B2 JP 2889706B2
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    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、主として集積回路など
に組み込まれ、電源投入時に電源電圧が所定レベルに達
するとリセット信号を送出するパワーオンリセット回路
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power-on reset circuit which is mainly incorporated in an integrated circuit or the like and sends out a reset signal when a power supply voltage reaches a predetermined level when power is turned on.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、この種のパワーオンリセット
回路として、図4に示すように、電源電圧が印加される
と定電圧を出力する定電圧回路3と、定電圧回路3の出
力電圧が所定レベルになると導通する第1のスイッチ素
子Q9と、第1のスイッチ素子Q9に直列接続され電源
電圧が所定レベルになると導通する第2のスイッチ素子
Q10と、第1のスイッチ素子Q9と第2のスイッチ素
子Q10との接続点の電位の変化に基づいて電源投入時
に電源電圧が所定レベルに達するとリセットパルスを送
出するシュミットトリガ4とにより構成されたものが提
供されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this kind of power-on reset circuit, as shown in FIG. 4, a constant voltage circuit 3 which outputs a constant voltage when a power supply voltage is applied, and an output voltage of the constant voltage circuit 3 A first switch element Q9 that is turned on when a predetermined level is reached, a second switch element Q10 that is connected in series to the first switch element Q9 and is turned on when the power supply voltage reaches a predetermined level; And a Schmitt trigger 4 that sends out a reset pulse when the power supply voltage reaches a predetermined level when the power supply is turned on based on a change in the potential of the connection point with the switch element Q10.

【0003】定電圧回路3は、それぞれドレイン・ゲー
ト間を接続した一対のnチャンネルのMOSトランジス
タQ7、Q8と、抵抗R2とにより構成される。MOS
トランジスタQ7、Q8は、ドレイン・ソース同士が直
列接続され、MOSトランジスタQ7のドレインに抵抗
R2が接続される。両MOSトランジスタQ7、Q8と
抵抗R2との直列回路には電源電圧が印加される。した
がって、電源投入後に電源電圧が所定レベルに達する
と、MOSトランジスタQ7と抵抗R2との接続点の電
位は電源電圧にかかわらずほぼ一定になる。
The constant voltage circuit 3 is composed of a pair of n-channel MOS transistors Q7 and Q8 connected between the drain and the gate, and a resistor R2. MOS
Transistor Q7, Q8 is, the drain-to-source What happened are connected in series, the resistor R2 is connected to the drain of the MOS transistor Q7. A power supply voltage is applied to a series circuit of the MOS transistors Q7, Q8 and the resistor R2. Therefore, when the power supply voltage reaches a predetermined level after the power is turned on, the potential at the connection point between MOS transistor Q7 and resistor R2 becomes substantially constant regardless of the power supply voltage.

【0004】一方、第1のスイッチ素子Q9は、定電圧
回路3の出力がゲートに印加されるpチャンネルのMO
Sトランジスタよりなり、第2のスイッチ素子Q10は
第1のスイッチ素子Q9のドレインにドレインが接続さ
れたnチャンネルのMOSトランジスタよりなる。第1
のスイッチ素子Q9と第2のスイッチ素子Q10との直
列回路は電源の両端間に接続され、第2のスイッチ素子
Q10のゲートは電源の正極に接続される。
On the other hand, the first switch element Q9 is a p-channel MO to which the output of the constant voltage circuit 3 is applied to the gate.
The second switch element Q10 is an n-channel MOS transistor having a drain connected to the drain of the first switch element Q9. First
The series circuit of the switching element Q9 and the second switching element Q10 is connected between both ends of the power supply, and the gate of the second switching element Q10 is connected to the positive electrode of the power supply.

【0005】したがって、電源投入直後に電源電圧が第
2のスイッチ素子Q10のしきい値電圧を越えると、
2のスイッチ素子Q10がオンになり、この時点ではM
OSトランジスタQ7,Q8はまだオンになっていない
から第1のスイッチ素子Q9のゲート電圧は電源電圧に
ほぼ等しくなり、第1のスイッチ素子Q9はオフに保た
れる。したがって、シュミットトリガ4の入力はLレベ
ルになる。さらに、電源電圧が上昇してMOSトランジ
スタQ7,Q8がオンになり定電圧回路3から出力が得
られるようになると、第1のスイッチ素子Q9のゲート
に印加される電圧がほぼ一定になる。したがって、第1
のスイッチ素子Q9のゲート・ソース間電圧が大きくな
第1のスイッチ素子Q9はオンになる。第1のスイッ
チ素子Q9と第2のスイッチ素子Q10とのチャンネル
幅やチャンネル長などを適当な値に選んでおくことによ
り、電源電圧が一定値以上になるとシュミットトリガ4
の入力電圧がしだいに上昇し、シュミットトリガの入力
のしきい値電圧を越えることになる。その結果、シュミ
ットトリガ4の出力が反転してリセット信号が出力され
のである。すなわち、電源投入後に電源電圧が所定レ
ベルに達すると、シュミットトリガ4からリセット信号
が出力されるのである。
Therefore, immediately after the power is turned on , the power supply voltage becomes
It exceeds the threshold voltage of the second switching element Q10, a second switching element Q10 is turned on, at this point M
OS transistors Q7 and Q8 have not been turned on yet
From the gate voltage of the first switch element Q9 to the power supply voltage.
Become substantially equal, and the first switching element Q9 is kept off.
It is. Therefore, the input of Schmitt trigger 4 is L level.
It becomes Le. In addition, the power supply voltage rises and MOS transistors
When static Q7, Q8 are turned on so that the output from the constant-voltage circuit 3 is obtained, the voltage applied to the Gate of the first switching element Q 9 is substantially constant. Therefore, the first
I large gate-to-source voltage of the switch element Q9 is
Ri first switch element Q9 is ing on. The first switch
Channel between the switching element Q9 and the second switching element Q10.
By selecting appropriate values for width, channel length, etc.
When the power supply voltage exceeds a certain value, the Schmitt trigger 4
Input voltage gradually rises and Schmitt trigger input
Threshold voltage is exceeded. As a result, the output of the Schmitt trigger 4 is inverted and the reset signal is output.
Because That is, when the power supply voltage reaches a predetermined level after the power is turned on, the reset signal is output from the Schmitt trigger 4.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記構成では、図5に
示すように、定電圧回路3に流れる電流Icと、第1の
スイッチ素子Q9および第2のスイッチ素子Q10に流
れる電流Idとが、ともに電源電圧の変化に伴って変化
することになる。すなわち、電源電圧が高くなると、電
流Ic、Idが増加するのであって、電源電圧が高いと
きには消費電力が大きくなるという問題が生じる。
In the above configuration, as shown in FIG. 5, the current Ic flowing through the constant voltage circuit 3 and the current Id flowing through the first switch element Q9 and the second switch element Q10 are: Both will change with the change of the power supply voltage. That is, when the power supply voltage increases, the currents Ic and Id increase, and when the power supply voltage is high, there is a problem that power consumption increases.

【0007】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、電源電圧が高い場合でも消費電力の少ないパ
ワーオンリセット回路を提供しようとするものである。
An object of the present invention is to provide a power-on reset circuit that consumes less power even when the power supply voltage is high.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明では、電源電圧が
所定レベルに達するとドレイン電流が一定になる第1の
MOSトランジスタを備えた定電流回路と、上記第1の
MOSトランジスタとともにカレントミラーを構成する
第2のMOSトランジスタと、ドレイン・ゲート間が接
続されドレイン・ソースが第2のMOSトランジスタの
ドレイン・ソースに直列接続されこの直列回路が電源に
接続される第3のMOSトランジスタと、第3のMOS
トランジスタと第2のMOSトランジスタとの接続点の
電位と、第2のMOSトランジスタのゲート電圧との大
小関係に基づいて電源投入時に電源電圧が所定レベルに
達するとリセット信号を送出するコンパレータとを具備
しているのである。
According to the present invention, a constant current circuit provided with a first MOS transistor whose drain current becomes constant when a power supply voltage reaches a predetermined level, and a current mirror together with the first MOS transistor are provided. a second MOS transistor constituting a third MOS transistor having a drain-source-drain-gate is connected to the series circuit connected in series with the drain-source of the second MOS transistor is connected to the power supply , The third MOS
A comparator that sends a reset signal when the power supply voltage reaches a predetermined level when the power is turned on, based on a magnitude relationship between a potential of a connection point between the transistor and the second MOS transistor and a gate voltage of the second MOS transistor. It is doing.

【0009】[0009]

【作用】上記構成によれば、電源電圧が所定レベルに達
するとドレイン電流が一定になる第1のMOSトランジ
スタを備えた定電流回路と、第1のMOSトランジスタ
とともにカレントミラーを構成する第2のMOSトラン
ジスタとを設けているので、第2のMOSトランジスタ
にも定電流が流れることになる。ここで、ドレイン・ゲ
ート間が接続されドレイン・ソースが第2のMOSトラ
ンジスタのドレイン・ソースに直列接続された第3のM
OSトランジスタと第2のMOSトランジスタとの接続
点の電位を、第2のMOSトランジスタのゲート電圧と
比較してリセット信号を出力するようにしているので、
電源電圧がリセット信号を出力させることができる電圧
より高くなれば、電源電圧が変化しても通電される電流
は変化しないのであり、消費電力が増加することがない
のである。
According to the above arrangement, the constant current circuit having the first MOS transistor, the drain current of which becomes constant when the power supply voltage reaches the predetermined level, and the second current circuit, which forms a current mirror together with the first MOS transistor, are provided. Since the MOS transistor is provided, a constant current also flows through the second MOS transistor. Here, the third M of the drain-source between the drain and gate connected is series connected to the drain-source of the second MOS transistor
Since the potential of the connection point between the OS transistor and the second MOS transistor is compared with the gate voltage of the second MOS transistor to output a reset signal,
If the power supply voltage becomes higher than the voltage at which the reset signal can be output, the supplied current does not change even if the power supply voltage changes, and the power consumption does not increase.

【0010】[0010]

【実施例】図1に示すように、基本的には、電源電圧が
所定レベルに達するとドレイン電流が一定になる第1の
MOSトランジスタQ1を備えた定電流回路1と、第1
のMOSトランジスタQ1とともにカレントミラーを構
成する第2のMOSトランジスタQ2と、第2のMOS
トランジスタQ2のドレイン・ソースに直列接続された
第3のMOSトランジスタQ3と、第2のMOSトラン
ジスタQ2のゲート電圧とドレイン電圧とを比較するコ
ンパレータ2とにより構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As shown in FIG. 1, basically, a constant current circuit 1 having a first MOS transistor Q1 whose drain current becomes constant when a power supply voltage reaches a predetermined level;
A second MOS transistor Q2 forming a current mirror together with the second MOS transistor Q1;
A third MOS transistor Q3 connected in series with the drain-source of the transistor Q2, configured by a comparator 2 for comparing the gate voltage and the drain voltage of the second MOS transistor Q2.

【0011】定電流回路1は、2個のnチャンネルのM
OSトランジスタQ1、Q4と、2個のpチャンネルの
MOSトランジスタQ5、Q6と、抵抗R1とからな
る。MOSトランジスタQ1、Q5のドレイン・ソー
直列接続される。また、MOSトランジスタQ4、Q
6のドレイン・ソースは直列接続されるとともに、MO
SトランジスタQ4のソースに抵抗R1が接続される。
MOSトランジスタQ1、Q4、およびMOSトランジ
スタQ5、Q6は、それぞれゲート同士が接続される。
また、MOSトランジスタQ1、Q6は、それぞれゲー
ト・ドレイン間が接続されている。ここにおいて、各M
OSトランジスタQ1、Q4、Q5、Q6のチャンネル
幅とチャンネル長とを、それぞれW1、W4、・・・、
L1、L4、・・・とすれば、トランジスタQ4のドレ
イン電流Iaは、次式で表されることになる。すなわ
ち、 Ia={(W5/L5)/(W6/L6)−1}/(k・R1・(W1/L1)) となる。ただし、kは定数である。この式より明らかな
ように、MOSトランジスタQ4のドレイン電流は電源
電圧とは無関係に一定電流になる。また、各MOSトラ
ンジスタQ1、Q4、Q5、Q6のドレイン電流が等し
くなるように接続関係が設定されているから、MOSト
ランジスタQ1のドレイン電流も電源電圧とは無関係に
一定になる。
The constant current circuit 1 has two n-channel M
It comprises OS transistors Q1 and Q4, two p-channel MOS transistors Q5 and Q6, and a resistor R1. Drain and the source of the MOS transistor Q1, Q5
They are connected in series. Also, the MOS transistors Q4, Q
6 the drain and the source of with are connected in series, MO
The resistor R1 is connected to the source of the S transistor Q4.
The gates of the MOS transistors Q1, Q4 and the MOS transistors Q5, Q6 are connected to each other.
The MOS transistors Q1 and Q6 are connected between the gate and the drain. Here, each M
The channel widths and the channel lengths of the OS transistors Q1, Q4, Q5, Q6 are W1, W4,.
.. L1, L4,..., The drain current Ia of the transistor Q4 is expressed by the following equation. That is, Ia = {(W5 / L5) / (W6 / L6) -1} / (kR1. (W1 / L1)). Here, k is a constant. As is apparent from this equation, the drain current of the MOS transistor Q4 becomes constant regardless of the power supply voltage. Further, since the connection relation is set so that the drain currents of the MOS transistors Q1, Q4, Q5, Q6 are equal, the drain current of the MOS transistor Q1 is also constant irrespective of the power supply voltage.

【0012】ところで、MOSトランジスタQ2は、n
チャンネルであって、MOSトランジスタQ1とともに
カレントミラーを構成する。すなわち、MOSトランジ
スタQ1は、上述したようにゲート・ドレイン間が接続
され、かつ、MOSトランジスタQ2に対してゲートお
よびソースが、それぞれ共通接続されている。したがっ
て、定常状態では、MOSトランジスタQ2のドレイン
電流Ibは、MOSトランジスタQ2のチャンネル幅を
W2、チャンネル長をL2としたときに、 Ib=Ia・(W2/L2)/(W5/L5) になる。電流Iaは電源電圧とは無関係であったから、
電流Ibも電源電圧とは無関係になり、ほぼ一定値にな
る。
By the way, the MOS transistor Q2 has n
This is a channel and forms a current mirror together with the MOS transistor Q1. That is, the gate and the drain of the MOS transistor Q1 are connected as described above, and the gate and the source are commonly connected to the MOS transistor Q2. Therefore, in the steady state, the drain current Ib of the MOS transistor Q2 is given by Ib = Ia. (W2 / L2) / (W5 / L5) where the channel width of the MOS transistor Q2 is W2 and the channel length is L2. . Since the current Ia was independent of the power supply voltage,
The current Ib is also independent of the power supply voltage, and has a substantially constant value.

【0013】MOSトランジスタQ2のドレインには、
pチャンネルの第3のMOSトランジスタが接続されて
いる。MOSトランジスタQ3は、ドレイン・ソース間
が接続され、MOSトランジスタQ3のしきい値電圧を
Vthとすれば、MOSトランジスタQ3のゲート・ソ
ース間電圧は、2・Ib+Vthになる。すなわち、M
OSトランジスタQ2のドレイン電圧VDは、電源電圧
をVddとすれば、 VD=Vdd−2・Ib−Vth になる。一方、MOSトランジスタQ2のゲート電圧V
Gは、 VG=2・Ia+Vth になる。電流Ia、Ibは、上述したように、電源電圧
が定常状態になればほぼ一定になるから、図2に示すよ
うな変化をする。また、上式で示したように、MOSト
ランジスタQ2のドレイン電圧VDは電源電圧とともに
上昇し、ゲート電圧VGは電源電圧には依存しないか
ら、図3に示すような変化をすることになる。すなわ
ち、電源が投入され電源電圧の上昇すると、まずゲート
電圧VGが一定電圧になり、その後、ドレイン電圧VD
がゲート電圧VGよりも高くなるのである。
The drain of the MOS transistor Q2 has
A third p-channel MOS transistor is connected. The drain and source of the MOS transistor Q3 are connected, and if the threshold voltage of the MOS transistor Q3 is Vth, the gate-source voltage of the MOS transistor Q3 is 2 · Ib + Vth. That is, M
Assuming that the power supply voltage is Vdd, the drain voltage VD of the OS transistor Q2 is VD = Vdd−2 · Ib−Vth. On the other hand, the gate voltage V of the MOS transistor Q2
G becomes VG = 2 · Ia + Vth. As described above, since the currents Ia and Ib become substantially constant when the power supply voltage is in a steady state, they change as shown in FIG. Further, as shown in the above equation, the drain voltage VD of the MOS transistor Q2 rises with the power supply voltage, and the gate voltage VG does not depend on the power supply voltage, and thus changes as shown in FIG. That is, when the power is turned on and the power supply voltage rises, first, the gate voltage VG becomes constant, and then the drain voltage VD
Becomes higher than the gate voltage VG.

【0014】コンパレータ2には、基準電圧としてMO
SトランジスタQ2のゲート電圧VGが入力され、比較
電圧としてMOSトランジスタQ2のドレイン電圧VD
が入力される。したがって、電源投入後に電源電圧が所
定レベルに達して、ドレイン電圧VDのほうがゲート電
圧VGよりも高くなると、コンパレータ2の出力レベル
が反転してリセットパルスが送出されるのである。ここ
において、電流Ia、Ibは、定常状態では電源電圧に
依存しないから、電源電圧が高くなっても電流は一定に
なるのであって、電力消費の増加を防止できるのであ
る。
The comparator 2 has MO as a reference voltage.
The gate voltage VG of the S transistor Q2 is input, and the drain voltage VD of the MOS transistor Q2 is used as a comparison voltage.
Is entered. Therefore, when the power supply voltage reaches a predetermined level after power-on and the drain voltage VD becomes higher than the gate voltage VG, the output level of the comparator 2 is inverted and a reset pulse is transmitted. Here, since the currents Ia and Ib do not depend on the power supply voltage in the steady state, the currents become constant even when the power supply voltage increases, so that an increase in power consumption can be prevented.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明は上述のように、電源電圧が所定
レベルに達するとドレイン電流が一定になる第1のMO
Sトランジスタを備えた定電流回路と、第1のMOSト
ランジスタとともにカレントミラーを構成する第2のM
OSトランジスタとを設けているので、第2のMOSト
ランジスタにも定電流が流れることになる。ここで、ド
レイン・ゲート間が接続されドレイン・ソースが第2の
MOSトランジスタのドレイン・ソースに直列接続され
た第3のMOSトランジスタと第2のMOSトランジス
タとの接続点の電位を、第2のMOSトランジスタのゲ
ート電圧と比較してリセット信号を出力するようにして
いるので、電源電圧がリセット信号を出力させることが
できる電圧より高くなれば、電源電圧が変化しても通電
される電流は変化しないのであり、消費電力が増加する
ことがないという利点を有するのである。
As described above, according to the present invention, the first MO in which the drain current becomes constant when the power supply voltage reaches a predetermined level is obtained.
A constant current circuit having an S transistor, and a second M that forms a current mirror together with the first MOS transistor.
Since the OS transistor is provided, a constant current also flows through the second MOS transistor. Here, the potential at the connection point between the third MOS transistor and a second MOS transistor having a drain-source-drain-gate connected is series connected to the drain-source of the second MOS transistor, the Since the reset signal is output in comparison with the gate voltage of the second MOS transistor, if the power supply voltage becomes higher than the voltage at which the reset signal can be output, the current that is supplied even if the power supply voltage changes Has the advantage that the power consumption does not increase.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment.

【図2】実施例の動作説明図である。FIG. 2 is an operation explanatory diagram of the embodiment.

【図3】実施例の動作説明図である。FIG. 3 is an operation explanatory diagram of the embodiment.

【図4】従来例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図5】従来例の動作説明図である。FIG. 5 is an operation explanatory diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 定電流回路 2 コンパレータ Q1 第1のMOSトランジスタ Q2 第2のMOSトランジスタ Q3 第3のMOSトランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Constant current circuit 2 Comparator Q1 1st MOS transistor Q2 2nd MOS transistor Q3 3rd MOS transistor

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電源電圧が所定レベルに達するとドレイ
ン電流が一定になる第1のMOSトランジスタを備えた
定電流回路と、上記第1のMOSトランジスタとともに
カレントミラーを構成する第2のMOSトランジスタ
と、ドレイン・ゲート間が接続されドレイン・ソースが
第2のMOSトランジスタのドレイン・ソースに直列接
続されこの直列回路が電源に接続される第3のMOSト
ランジスタと、第3のMOSトランジスタと第2のMO
Sトランジスタとの接続点の電位と、第2のMOSトラ
ンジスタのゲート電圧との大小関係に基づいて電源投入
時に電源電圧が所定レベルに達するとリセット信号を送
出するコンパレータとを具備して成ることを特徴とする
パワーオンリセット回路。
1. A constant current circuit comprising a first MOS transistor having a constant drain current when a power supply voltage reaches a predetermined level; and a second MOS transistor forming a current mirror together with the first MOS transistor. a third MOS transistor connected in series the series circuit to the drain-source between the drain and gate is connected to the drain-source <br/> second MOS transistor is connected to the power supply, the third MOS transistor and second MO
A comparator for transmitting a reset signal when the power supply voltage reaches a predetermined level when the power supply is turned on, based on a magnitude relationship between a potential at a connection point with the S transistor and a gate voltage of the second MOS transistor. Characteristic power-on reset circuit.
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