JP2875431B2 - Noise reduction circuit - Google Patents

Noise reduction circuit

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JP2875431B2
JP2875431B2 JP4134624A JP13462492A JP2875431B2 JP 2875431 B2 JP2875431 B2 JP 2875431B2 JP 4134624 A JP4134624 A JP 4134624A JP 13462492 A JP13462492 A JP 13462492A JP 2875431 B2 JP2875431 B2 JP 2875431B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合素子(CC
D:Charge Coupled Device)を
利用した固体撮像素子よりテレビジョン信号を生成する
場合の回路構成の簡略化に関するものであり、特にCC
D形固体撮像素子の出力に含まれるナイキスト周波数を
越える雑音のうち、垂直CCD転送パルスによる誘導雑
音の低減に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a charge coupled device (CC).
D: A simplification of a circuit configuration when a television signal is generated from a solid-state imaging device using a charge coupled device (CC).
The present invention relates to reduction of noise induced by a vertical CCD transfer pulse among noises exceeding the Nyquist frequency included in the output of a D-type solid-state imaging device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、CCD形固体撮像素子の信号
読み出し回路には相関二重サンプリング法が用いられて
いる。撮像素子出力部に係わるリセット雑音やその出力
増幅器により発生する雑音の低減を、相関二重サンプリ
ング回路によって実現しているのである。
2. Description of the Related Art Conventionally, a correlated double sampling method has been used for a signal reading circuit of a CCD type solid-state imaging device. The reduction of the reset noise related to the image sensor output unit and the noise generated by the output amplifier are realized by the correlated double sampling circuit.

【0003】図3は、相関二重サンプリング回路を備え
た従来の雑音低減回路の構成を示す回路図である。同図
において、1は従来の雑音低減回路の入力端子、2は同
回路の出力端子、3は従来の雑音低減回路、4は相関二
重サンプリング回路、5は直流バイアス回路、8は負電
源端子、10はCCD形固体撮像素子、11はコンデン
サ、41,42は第1及び第2のサンプルホールド回
路、43は差動増幅器、44,45は第1及び第2の制
御パルス源である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional noise reduction circuit provided with a correlated double sampling circuit. 1, reference numeral 1 denotes an input terminal of a conventional noise reduction circuit, 2 denotes an output terminal of the circuit, 3 denotes a conventional noise reduction circuit, 4 denotes a correlated double sampling circuit, 5 denotes a DC bias circuit, and 8 denotes a negative power supply terminal. Reference numeral 10 denotes a CCD solid-state imaging device, 11 denotes a capacitor, 41 and 42 denote first and second sample and hold circuits, 43 denotes a differential amplifier, and 44 and 45 denote first and second control pulse sources.

【0004】まず、CCD形固体撮像素子10より出力
される信号について、図4を用いて説明を行う。
First, a signal output from the CCD type solid-state imaging device 10 will be described with reference to FIG.

【0005】図4(A)は、CCD形固体撮像素子10
より繰り返し出力される信号の1水平走査期間を表した
ものであり、撮像信号期間、光学的黒レベル(OB:O
ptical Black)期間、垂直CCD転送期間
の3期間に分けられる。このうち、光学的黒レベル期間
と垂直CCD転送期間とを合わせた期間はブランキング
期間と呼ばれ、テレビジョンでは画面上の表示が行われ
ない期間である。
FIG. 4A shows a CCD solid-state imaging device 10.
This represents one horizontal scanning period of a signal repeatedly output, and includes an image signal period and an optical black level (OB: O
[Picture Black] period and a vertical CCD transfer period. Of these, the period in which the optical black level period and the vertical CCD transfer period are combined is called a blanking period, and is a period during which no display is performed on the screen in a television.

【0006】図4(B)は、CCD形固体撮像素子10
の出力信号中の上記垂直CCD転送期間を拡大したもの
である。この期間は、信号処理の上では不必要な期間で
あって、本来ならば比較的きれいな波形を有する期間で
ある。しかしながら、実際にはこの期間においてCCD
形固体撮像素子10の垂直CCD転送を駆動しているの
で、垂直CCD転送パルスが該撮像素子の出力信号上に
誘導雑音として表れることとなる。
FIG. 4B shows a CCD solid-state imaging device 10.
5 is an enlarged view of the vertical CCD transfer period in the output signal of FIG. This period is an unnecessary period in signal processing, and is a period having a relatively clear waveform in a normal case. However, actually, during this period, the CCD
Since the vertical CCD transfer of the solid-state imaging device 10 is driven, the vertical CCD transfer pulse appears as an induced noise on the output signal of the imaging device.

【0007】図4(C)は、CCD形固体撮像素子10
の出力信号中の上記撮像信号期間の1画素分を拡大した
ものであり、フィードスルー期間、画素信号期間、リセ
ットパルス期間の3期間に分けられる。実際の画素情報
は、フィードスルー期間の信号電位と画素信号期間の信
号電位との差によって表される。
FIG. 4C shows a CCD type solid-state imaging device 10.
The output signal of FIG. 1 is an enlargement of one pixel in the image signal period, and is divided into three periods of a feed-through period, a pixel signal period, and a reset pulse period. Actual pixel information is represented by the difference between the signal potential during the feedthrough period and the signal potential during the pixel signal period.

【0008】このような波形を有するCCD形固体撮像
素子10の出力信号は、図3に示すように、コンデンサ
11を介して交流成分のみが雑音低減回路3の入力端子
1に入力され、直流バイアス回路5により再度直流成分
が付加されたのち、次段に接続されている相関二重サン
プリング回路4に入力される。
As shown in FIG. 3, only the AC component of the output signal of the CCD solid-state imaging device 10 having such a waveform is input to the input terminal 1 of the noise reduction circuit 3 via the capacitor 11, and the DC bias is applied. After the DC component is added again by the circuit 5, it is input to the correlated double sampling circuit 4 connected to the next stage.

【0009】相関二重サンプリング回路4に入力された
信号は、第1のサンプルホールド回路41によりフィー
ドスルー期間の電位がホールドされ、第2のサンプルホ
ールド回路42により画素信号期間の電位がホールドさ
れ、その各期間のホールド電位が差動増幅器43にそれ
ぞれ入力される。これにより、上記各期間の電位差のみ
を雑音低減回路3の出力端子2に出力することとしてい
る。したがって、撮像信号期間におけるCCD形固体撮
像素子10の出力信号から実際の画素情報を取り出すこ
とが可能となる。しかも、CCD形固体撮像素子10の
出力部に係わるリセット雑音やその出力増幅器により発
生する雑音は、相関二重サンプリング回路4によって低
減される。
The signal input to the correlated double sampling circuit 4 is held at a potential during a feedthrough period by a first sample and hold circuit 41, and is held at a potential during a pixel signal period by a second sample and hold circuit 42. The hold potential in each period is input to the differential amplifier 43. As a result, only the potential difference in each period is output to the output terminal 2 of the noise reduction circuit 3. Therefore, actual pixel information can be extracted from the output signal of the CCD solid-state imaging device 10 during the imaging signal period. In addition, reset noise relating to the output section of the CCD solid-state imaging device 10 and noise generated by its output amplifier are reduced by the correlated double sampling circuit 4.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】図3に示す従来の雑音
低減回路には、図4(B)に示す垂直CCD転送パルス
に起因した誘導雑音を低減できない問題があった。この
誘導雑音は、相関二重サンプリング回路4のナイキスト
周波数を越える周波数成分を持っており、相関二重サン
プリング法では低減することができないのである。相関
二重サンプリング法ではナイキスト周波数以下の雑音は
低減できるがナイキスト周波数を越える雑音は低減でき
ないことが知られている。
The conventional noise reduction circuit shown in FIG. 3 has a problem that the induced noise caused by the vertical CCD transfer pulse shown in FIG. 4B cannot be reduced. This induced noise has a frequency component exceeding the Nyquist frequency of the correlated double sampling circuit 4, and cannot be reduced by the correlated double sampling method. It is known that the correlated double sampling method can reduce noise below the Nyquist frequency but cannot reduce noise above the Nyquist frequency.

【0011】垂直CCD転送期間における相関二重サン
プリング回路4の動作について、図5を用いて説明を行
う。
The operation of the correlated double sampling circuit 4 during the vertical CCD transfer period will be described with reference to FIG.

【0012】垂直CCD転送期間において、図5(B)
に示す垂直CCD転送パルスがCCD形固体撮像素子1
0に印加されると、同図(A)に示すように、垂直CC
D転送パルスの論理遷移時にCCD形固体撮像素子10
の出力に誘導雑音が生じる。一方、第1の制御パルス源
44の出力パルスは同図(C)に示すように垂直CCD
転送パルスの論理遷移に同期しており、第2の制御パル
ス源45の出力パルスは同図(D)に示すように垂直C
CD転送パルスの論理遷移からずれている。垂直CCD
転送パルスと第1及び第2の制御パルス源44,45の
出力パルスとの間にこのような位相関係がある結果、該
第1及び第2の制御パルス源44,45にて第1及び第
2のサンプルホールド回路41,42を各々制御させる
と、同図(E),(F)に示すように、第1のサンプル
ホールド回路41から誘導雑音成分を含んだ信号が出力
され、第2のサンプルホールド回路42から誘導雑音成
分を含まない信号が出力されることとなる。第1及び第
2のサンプルホールド回路41,42の出力間の電位差
は差動増幅器43によって増幅されるので、上記誘導雑
音は、同図(G)に示すように低減されないどころか、
相関二重サンプリング回路4により反って増幅されるこ
ととなる。
In the vertical CCD transfer period, FIG.
The vertical CCD transfer pulse shown in FIG.
0, the vertical CC is applied as shown in FIG.
CCD type solid-state imaging device 10 at the time of logic transition of D transfer pulse
Inductive noise is generated in the output of. On the other hand, the output pulse of the first control pulse source 44 is a vertical CCD as shown in FIG.
The output pulse of the second control pulse source 45 is synchronized with the logical transition of the transfer pulse, and the output pulse of the second control pulse
It deviates from the logical transition of the CD transfer pulse. Vertical CCD
As a result of such a phase relationship between the transfer pulse and the output pulses of the first and second control pulse sources 44 and 45, the first and second control pulse sources 44 and 45 cause the first and second control pulse sources 44 and 45 to generate the first and second control pulses. When the second sample-and-hold circuits 41 and 42 are respectively controlled, as shown in FIGS. 11E and 11F, a signal including an induced noise component is output from the first sample-and-hold circuit 41, and A signal containing no induced noise component is output from the sample and hold circuit 42. Since the potential difference between the outputs of the first and second sample and hold circuits 41 and 42 is amplified by the differential amplifier 43, the induced noise is not reduced as shown in FIG.
The signal is amplified by the correlated double sampling circuit 4 in a warped manner.

【0013】また、上記雑音低減回路3の次段以降に接
続される信号処理回路では、各ブロック間をコンデンサ
結合し、無信号期間としてのブランキング期間の信号電
位をクランプすることにより直流電圧値補正を行ってい
る。しかし、雑音低減回路3の出力信号中に上記増幅さ
れた誘導雑音が存在すれば、クランプパルスとの位相関
係によりクランプ電位と本来の無信号電位との間にオフ
セット電圧が生じるため、この誘導雑音を除去するため
の複雑な回路を付加する必要があった。
In the signal processing circuit connected to the subsequent stage of the noise reduction circuit 3, a capacitor is connected between the blocks and the signal potential in a blanking period as a non-signal period is clamped to thereby reduce the DC voltage value. Correction has been performed. However, if the amplified induction noise is present in the output signal of the noise reduction circuit 3, an offset voltage is generated between the clamp potential and the original no-signal potential due to the phase relationship with the clamp pulse. It was necessary to add a complicated circuit for removing the noise.

【0014】本発明の目的は、垂直CCD転送パルスに
起因したCCD形固体撮像素子出力中の誘導雑音を簡単
な構成にて低減することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to reduce, with a simple structure, induced noise in the output of a CCD solid-state imaging device caused by a vertical CCD transfer pulse.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、CCD形固体撮像素子の出力信号に含
まれる雑音を低減するための雑音低減回路において、垂
直CCD転送期間中はCCD形固体撮像素子からの出力
信号を遮断することとした。
In order to achieve the above object, the present invention provides a noise reduction circuit for reducing noise included in an output signal of a CCD solid-state imaging device. The output signal from the solid-state imaging device is cut off.

【0016】具体的には、本発明は、垂直CCD転送期
間中は直流電圧源より出力される直流信号を選択するよ
うにCCD形固体撮像素子の出力信号と前記直流電圧源
からの直流信号とを切り換えて出力するための信号切り
換え回路と、該信号切り換え回路の出力信号が入力され
る相関二重サンプリング回路とを備えた構成を採用した
ものである。
Specifically, the present invention relates to a method for selecting a DC signal output from a DC voltage source during a vertical CCD transfer period, so as to select an output signal of a CCD solid-state imaging device and a DC signal from the DC voltage source. And a correlated double sampling circuit to which an output signal of the signal switching circuit is input.

【0017】[0017]

【作用】本発明によれば、垂直CCD転送期間中はCC
D形固体撮像素子の出力信号に代えて誘導雑音を有しな
い直流電圧が相関二重サンプリング回路に入力されるた
め、該相関二重サンプリング回路がCCD形固体撮像素
子の出力信号中の誘導雑音を増幅するのを防止できる。
つまり、相関二重サンプリング回路の前段で誘導雑音が
除去されるのである。
According to the present invention, CC is transferred during the vertical CCD transfer period.
Since a DC voltage having no induced noise is input to the correlated double sampling circuit instead of the output signal of the D-type solid-state imaging device, the correlated double sampling circuit reduces the induced noise in the output signal of the CCD solid-state imaging device. Amplification can be prevented.
That is, the induced noise is removed before the correlated double sampling circuit.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明を行う。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1は、相関二重サンプリング回路を備え
た本発明の実施例に係る雑音低減回路の構成を示す回路
図である。同図において、1は本実施例に係る雑音低減
回路の入力端子、2は同回路の出力端子、3は本実施例
に係る雑音低減回路、4は相関二重サンプリング回路、
5は直流バイアス回路、6は信号切り換え回路、7は正
電源端子、8は負電源端子、10はCCD形固体撮像素
子、11はコンデンサ、41,42は第1及び第2のサ
ンプルホールド回路、43は差動増幅器、44,45,
68は第1〜第3の制御パルス源、51,64,65,
66は第1〜第4の抵抗、52は基準電圧源、61は定
電流源、62,63,67は第1〜第3のトランジスタ
である。ただし、第3の制御パルス源68の出力パルス
は、CCD形固体撮像素子10の出力信号の垂直CCD
転送期間のみにおいて“H”にするものとする。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a noise reduction circuit according to an embodiment of the present invention having a correlated double sampling circuit. In the figure, 1 is an input terminal of the noise reduction circuit according to the present embodiment, 2 is an output terminal of the same circuit, 3 is a noise reduction circuit according to the present embodiment, 4 is a correlated double sampling circuit,
5 is a DC bias circuit, 6 is a signal switching circuit, 7 is a positive power supply terminal, 8 is a negative power supply terminal, 10 is a CCD solid-state imaging device, 11 is a capacitor, 41 and 42 are first and second sample and hold circuits, 43 is a differential amplifier, 44, 45,
68 is a first to third control pulse sources, 51, 64, 65,
66 is first to fourth resistors, 52 is a reference voltage source, 61 is a constant current source, and 62, 63 and 67 are first to third transistors. However, the output pulse of the third control pulse source 68 is the vertical CCD of the output signal of the CCD solid-state imaging device 10.
It is set to “H” only in the transfer period.

【0020】以上の構成を有する本実施例に係る雑音低
減回路3の動作を説明する。
The operation of the noise reduction circuit 3 according to this embodiment having the above configuration will be described.

【0021】CCD形固体撮像素子10の出力信号は、
コンデンサ11を介して本発明の雑音低減回路3の入力
端子1に入力され、第1の抵抗51及び基準電圧源52
にて構成される直流バイアス回路5により直流バイアス
が付加されたのち、定電流源61、第1〜第3のトラン
ジスタ62,63,67、第2〜第4の抵抗64,6
5,66並びに第3の制御パルス源68により構成され
る信号切り換え回路6に入力される。ここで、第3のト
ランジスタ67のカットオフ状態において第2のトラン
ジスタ63のベース電位が図4(C)で示されるフィー
ドスルー期間の最大入力電圧値より高い電位になるよう
に、基準電圧源52及び第2〜第4の抵抗64,65,
66が設定されているものとする。
The output signal of the CCD solid-state imaging device 10 is
The signal is input to the input terminal 1 of the noise reduction circuit 3 of the present invention via the capacitor 11, and the first resistor 51 and the reference voltage source 52
After the DC bias is applied by the DC bias circuit 5 composed of the following, the constant current source 61, the first to third transistors 62, 63, 67, and the second to fourth resistors 64, 6
5, 66 and a third control pulse source 68. Here, the reference voltage source 52 is set such that the base potential of the second transistor 63 becomes higher than the maximum input voltage value in the feedthrough period shown in FIG. And second to fourth resistors 64, 65,
It is assumed that 66 is set.

【0022】まず、第3の制御パルス源68の出力が
“L”である場合には、第3のトランジスタ67はカッ
トオフ状態となる。第1及び第2のトランジスタ62,
63のベース電位を考えると、上記の設定条件より第2
のトランジスタ63のベース電位に比べて第1のトラン
ジスタ62のベース電位の方が低電位になるため、第2
のトランジスタ63はカットオフ状態になる。したがっ
て、入力端子1より入力されかつ直流バイアスを与えら
れたCCD形固体撮像素子10の出力信号は、定電流源
61及び第1のトランジスタ62よりなるエミッタホロ
ワ回路を介して相関二重サンプリング回路4へ入力され
ることとなり、従来と同様に、CCD形固体撮像素子1
0の出力部に係わるリセット雑音やその出力増幅器によ
り発生する雑音が相関二重サンプリング回路4によって
低減されたのち、出力端子2より撮像信号が出力される
こととなる。
First, when the output of the third control pulse source 68 is "L", the third transistor 67 is cut off. The first and second transistors 62,
Considering the base potential of No. 63, the second
Since the base potential of the first transistor 62 is lower than the base potential of the transistor 63 of
Transistor 63 is cut off. Therefore, the output signal of the CCD type solid-state imaging device 10 input from the input terminal 1 and supplied with the DC bias is supplied to the correlated double sampling circuit 4 via the emitter follower circuit including the constant current source 61 and the first transistor 62. The CCD type solid-state image sensor 1
After the reset noise relating to the output unit of 0 and the noise generated by the output amplifier thereof are reduced by the correlated double sampling circuit 4, the imaging signal is output from the output terminal 2.

【0023】逆に第3の制御パルス源68の出力が
“H”である場合には、第3のトランジスタ67は飽和
状態となり、該第3のトランジスタ67のコレクタ端子
は負電源端子8とほぼ等しい電位となる。したがって、
このときの第2のトランジスタ63のベース電位は、第
3の制御パルス源68の出力が“L”である場合よりも
低電位となる。このとき、第2のトランジスタ63のベ
ース電位が第1のトランジスタ62のベース電位よりも
低くなるように第2及び第3の抵抗64,65を設定し
ておけば、第1のトランジスタ62はカットオフ状態と
なり、信号切り換え回路6の次段に接続された相関二重
サンプリング回路4には第2のトランジスタ63のベー
ス電位よりも該第2のトランジスタ63のベース−エミ
ッタ間の電位差分だけ高くなった直流電圧が入力される
こととなる。出力端子2に出力される信号は、前記のと
おり、第1及び第2の制御パルス源44,45により各
々制御される第1及び第2のサンプルホールド回路4
1,42の出力電位の差分を差動増幅器43により増幅
したものである。この場合、第1及び第2のサンプルホ
ード回路41,42の入力電圧は各々時間的に一定な直
流電圧であるので、出力端子2には誘導雑音のない直流
電圧のみが出力されることとなる。
Conversely, when the output of the third control pulse source 68 is "H", the third transistor 67 is in a saturated state, and the collector terminal of the third transistor 67 is substantially connected to the negative power supply terminal 8. The potentials are equal. Therefore,
At this time, the base potential of the second transistor 63 is lower than when the output of the third control pulse source 68 is “L”. At this time, if the second and third resistors 64 and 65 are set so that the base potential of the second transistor 63 is lower than the base potential of the first transistor 62, the first transistor 62 is cut. In the off state, the correlated double sampling circuit 4 connected to the next stage of the signal switching circuit 6 becomes higher than the base potential of the second transistor 63 by the potential difference between the base and the emitter of the second transistor 63. DC voltage is input. The signal output to the output terminal 2 is, as described above, the first and second sample-and-hold circuits 4 controlled by the first and second control pulse sources 44 and 45, respectively.
The difference between the output potentials of the output potentials 1 and 42 is amplified by a differential amplifier 43. In this case, since the input voltages of the first and second sample hold circuits 41 and 42 are DC voltages that are constant over time, only the DC voltage without induced noise is output to the output terminal 2. .

【0024】図2は、図1中の各部の信号波形の例を示
すタイムチャート図である。
FIG. 2 is a time chart showing an example of a signal waveform of each part in FIG.

【0025】図2(A)に示すように、CCD形固体撮
像素子10の出力信号は、垂直CCD転送期間において
垂直CCD転送パルスに起因したナイキスト周波数を越
える周波数成分を持つ誘導雑音を有するものとする。こ
れに対して、第3の制御パルス源68の出力パルスは、
同図(B)に示すように、CCD形固体撮像素子10の
出力信号の垂直CCD転送期間のみにおいて“H”とさ
れる。これにより、同図(C)に示すように、本実施例
に係る雑音低減回路3の出力波形すなわち出力端子2の
波形には、垂直CCD転送パルスに起因した誘導雑音が
含まれないことになる。
As shown in FIG. 2A, the output signal of the CCD type solid-state imaging device 10 has induced noise having a frequency component exceeding the Nyquist frequency caused by the vertical CCD transfer pulse during the vertical CCD transfer period. I do. On the other hand, the output pulse of the third control pulse source 68 is
As shown in FIG. 2B, the output signal of the CCD solid-state imaging device 10 is set to "H" only during the vertical CCD transfer period. As a result, as shown in FIG. 3C, the output waveform of the noise reduction circuit 3 according to the present embodiment, that is, the waveform of the output terminal 2 does not include the induced noise caused by the vertical CCD transfer pulse. .

【0026】なお、CCD形固体撮像素子10の出力信
号のうち図4(C)に示すリセットパルス期間の信号
は、信号処理上は不要なものであり、この振幅が大きい
と第1及び第2のサンプルホールド回路41,42等で
入力ダイナミックレンジを越え、その回路構成素子の飽
和により両サンプルホールド回路の周波数特性が悪化す
ることになる。そこで、通常は、サンプルホールド回路
の前段にハイクリップ回路を挿入する方法をとる。本実
施例によれば、図1中の信号切り換え回路6の構成要素
のうち定電流源61、第1及び第2のトランジスタ6
2,63並びに第2〜第4の抵抗64,65,66が上
記ハイクリップ回路に相当することとなる。つまり、わ
ずか1個のトランジスタ(第3のトランジスタ)67と
第3の制御パルス源68のみで上記の誘導雑音を除去す
ることが可能となるのである。
The signal in the reset pulse period shown in FIG. 4C among the output signals of the CCD type solid-state imaging device 10 is unnecessary for signal processing. If the amplitude is large, the first and second signals are not generated. The input dynamic range is exceeded by the sample and hold circuits 41, 42, etc., and the frequency characteristics of both sample and hold circuits are deteriorated due to saturation of the circuit components. Therefore, usually, a method of inserting a high clip circuit before the sample and hold circuit is adopted. According to this embodiment, the constant current source 61, the first and second transistors 6 among the components of the signal switching circuit 6 in FIG.
2, 63 and the second to fourth resistors 64, 65, 66 correspond to the high clip circuit. In other words, it is possible to remove the above-mentioned induced noise with only one transistor (third transistor) 67 and the third control pulse source 68 only.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明してきたとおり、本発明によれ
ば、垂直CCD転送期間中はCCD形固体撮像素子から
の出力信号を遮断することにより相関二重サンプリング
回路に誘導雑音を印加しない構成を採用したので、垂直
CCD転送パルスに起因したCCD形固体撮像素子出力
中の誘導雑音を簡単な構成にて低減することができる。
これにより、従来とは違って次段以降に接続される信号
処理回路に誘導雑音を除去するための複雑な回路を付加
する必要がないので、固体撮像素子よりテレビジョン信
号を生成する上で回路構成の簡略化が図れることとな
る。また、信号経路が簡略化されることにより発生雑音
も低減されることになり、S/Nの向上にもつながると
いう効果がある。
As described above, according to the present invention, there is provided a configuration in which the output signal from the CCD solid-state image pickup device is cut off during the vertical CCD transfer period so that no induced noise is applied to the correlated double sampling circuit. With the adoption, the induced noise in the output of the CCD solid-state imaging device due to the vertical CCD transfer pulse can be reduced with a simple configuration.
This eliminates the need for adding a complicated circuit for removing induced noise to the signal processing circuit connected to the subsequent stage unlike the conventional one, so that the circuit for generating a television signal from the solid-state imaging device is not necessary. The structure can be simplified. Further, since the signal path is simplified, the generated noise is reduced, which leads to an effect of improving the S / N.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例に係る雑音低減回路の構成を示
す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a noise reduction circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1中の各部の信号波形の例を示すタイムチャ
ート図であって、(A)はCCD形固体撮像素子の出力
信号波形を、(B)は第3の制御パルス源の出力パルス
の波形を、(C)は雑音低減回路の出力端子の信号波形
を各々示す図である。
FIGS. 2A and 2B are time chart diagrams showing examples of signal waveforms of respective parts in FIG. 1, wherein FIG. 2A shows an output signal waveform of a CCD solid-state imaging device, and FIG. 2B shows an output of a third control pulse source; FIG. 3C is a diagram illustrating a pulse waveform, and FIG. 3C is a diagram illustrating a signal waveform at an output terminal of the noise reduction circuit.

【図3】従来の雑音低減回路の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional noise reduction circuit.

【図4】図3中のCCD形固体撮像素子の出力波形を示
すタイムチャート図であって、(A)は撮像素子出力信
号の1水平走査期間を表した図、(B)は垂直CCD転
送期間の拡大図、(C)は撮像信号期間の1画素分の拡
大図である。
4A and 4B are time charts showing output waveforms of the CCD solid-state imaging device in FIG. 3, wherein FIG. 4A shows one horizontal scanning period of an imaging device output signal, and FIG. FIG. 3C is an enlarged view of one period in an image pickup signal period.

【図5】図3中の各部の信号波形の例を示すタイムチャ
ート図であって、(A)はCCD形固体撮像素子の出力
信号波形を、(B)は該CCD形固体撮像素子に印加さ
れる垂直CCD転送パルスの波形を、(C)は第1の制
御パルス源の出力パルスの波形を、(D)は第2の制御
パルス源の出力パルスの波形を、(E)は第1のサンプ
ルホールド回路の出力信号波形を、(F)は第2のサン
プルホールド回路の出力信号波形を、(G)は雑音低減
回路の出力端子の信号波形を各々示す図である。
5A and 5B are time charts showing examples of signal waveforms at various parts in FIG. 3, wherein FIG. 5A shows an output signal waveform of a CCD solid-state imaging device, and FIG. (C) shows the waveform of the output pulse of the first control pulse source, (D) shows the waveform of the output pulse of the second control pulse source, and (E) shows the waveform of the output pulse of the first control pulse source. 3 (F) is a diagram showing an output signal waveform of a second sample-hold circuit, and FIG. 3 (G) is a diagram showing a signal waveform of an output terminal of a noise reduction circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 雑音低減回路の入力端子 2 雑音低減回路の出力端子 3 雑音低減回路 4 相関二重サンプリング回路 5 直流バイアス回路 6 信号切り換え回路 7 正電源端子 8 負電源端子 10 CCD形固体撮像素子 11 コンデンサ 41,42 サンプルホールド回路 43 差動増幅器 44,45,68 制御パルス源 51,64〜66 抵抗 52 基準電圧源 61 定電流源 62,63,67 トランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input terminal of noise reduction circuit 2 Output terminal of noise reduction circuit 3 Noise reduction circuit 4 Correlated double sampling circuit 5 DC bias circuit 6 Signal switching circuit 7 Positive power supply terminal 8 Negative power supply terminal 10 CCD solid-state imaging device 11 Capacitor 41, 42 sample-and-hold circuit 43 differential amplifier 44,45,68 control pulse source 51,64-66 resistor 52 reference voltage source 61 constant current source 62,63,67 transistor

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 CCD形固体撮像素子の出力信号に含ま
れる雑音を低減するための雑音低減回路であって、 垂直CCD転送期間中は直流電圧源より出力される直流
信号を選択するように前記CCD形固体撮像素子の出力
信号と前記直流電圧源からの直流信号とを切り換えて出
力するための信号切り換え回路と、 前記信号切り換え回路の出力信号が入力される相関二重
サンプリング回路とを備えたことを特徴とする雑音低減
回路。
1. A noise reduction circuit for reducing noise contained in an output signal of a CCD type solid-state imaging device, wherein said circuit selects a DC signal output from a DC voltage source during a vertical CCD transfer period. A signal switching circuit for switching and outputting an output signal of a CCD solid-state imaging device and a DC signal from the DC voltage source; and a correlated double sampling circuit to which an output signal of the signal switching circuit is input. A noise reduction circuit characterized in that:
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