JP2873029B2

JP2873029B2 - 遮断器作動器・付属装置組合せユニット回路

Info

Publication number: JP2873029B2
Application number: JP1336778A
Authority: JP
Inventors: ロナルド・リチャード・ラッセル
Original assignee: JENERARU EREKUTORITSUKU CO
Current assignee: JENERARU EREKUTORITSUKU CO
Priority date: 1988-12-30
Filing date: 1989-12-27
Publication date: 1999-03-24
Anticipated expiration: 2014-03-24
Also published as: DE3942786A1; DE3942786B4; FR2641411A1; FR2641411B1; BR8906858A; IT1237878B; JPH02231917A; IT8922651A0; CA1323897C; US4890184A

Description

【発明の詳細な説明】［発明の背景］回路保護産業は現在配線用遮断器のような標準の過電
流保護装置に補助的な保護装置を追加することによって
完全な回路保護を達成する傾向にある。「遮断器用ハウ
ジングおよび付属箱（Circuit Breaker Housing and At
tachment Box）」という名称の米国特許第4,622,444号
は遮断器の内部部品の完全性を損なうことなく遮断器内
に現場で取り付けることができる付属装置について記載
している。これは遮断器の密閉容器を部分的に構成する
カバーに形成された凹部内に付属装置を取り付けること
によって達成されている。

遮断器の密閉容器内に取り付けられる電子式引外し作
動器は「配線用遮断器の引外し作動器（Trip Actuator
for Molded Case Cricuit Breakers）」という名称の米
国特許第4,679,019号に記載されている。遮断器の作動
器は米国特許第4,589,052号に記載されているような半
導体チップ内に完全に設けられている電子式引外しユニ
ットによって発生される引外し信号に応答する。過電流
保護機能および付属装置機能の両方を組み合わせた引外
し作動器の開発は「電子式引外し遮断器用の引外しユニ
ット付属装置モジュールの組合せ（Combined Trip Unit
and Accessory Module for Electronic Trip Circuit
Breakers）」という名称の米国特許第4,700,161号に記
載されている。回路保護装置の技術の発展状態を記載し
ている上述した米国特許は参考のためここに例示した。

分路引外し付属装置ユニットは遮断器接点を分離する
ように遮断器作動機構が関節式に駆動されることを可能
にし、通常電子システムの制御および保護のための引外
し機能を達成する。このような１つの分路引外し付属装
置ユニットが「配線用遮断器の分路引外しユニット（Mo
lded Case Circuit Breaker Shunt Trip Unit）」とい
う名称の米国特許第4,786,885号に記載されている。補
助スイッチ付属装置ユニットは可聴警報または可視表示
によって遠隔位置においてオペレータが配線用遮断器の
接点の「オン」または「オフ」状態を決定することが出
来るようにする。このような１つの補助スイッチ・ユニ
ットは「配線用遮断器の補助スイッチ・ユニット（Mold
ed Case Circuit Breaker Auxiliary Switch Unit）」
という名称の米国特許第4,794,356号に記載されてい
る。上述した米国特許の両方は参考のためここに示し
た。

不足電圧解放回路の一例が「不足電圧解放機能を有す
る遮断器（Circuit Breaker With Undervoltage Releas
e）」という名称の英国特許出願第2,033,177A号に記載
されている。この出願に記載されている回路は、大きな
初期電流パルスを不足電圧解放コイルに供給して、プラ
ンジャを強力な圧縮ばねのバイアスに抗して駆動すると
ともに、安定抵抗を使用して、不足電圧解放コイルの保
持電流を小さな値に制限している。この回路は回路から
発生する熱のために遮断器の密閉容器内に設けることが
できないものと考えられる。

過電流引外し作動器と多重付属装置とを組み合わせた
更に最近の例が「配線用遮断機の多重付属装置ユニット
（Molded Case Circuit Breaker Multiple Accessory U
nit）」という名称の米国特許第4,788,621号に記載され
ており、この過電流引外し作動器と多重付属装置との組
合せユニットは遮断器のカバー内に別の取付け凹部を必
要とし、付属装置制御回路を実装したプリント配線基板
を収容している。「配線用遮断器の作動器・付属装置組
合せユニット（Molded Case Circuit Breaker Actuator
−Accessory Unit）」という名称の米国特許出願第163,
589号はこのような過電流引外し作動器と多重付属装置
との組合せユニットを記載しており、プリント配線基板
と作動器・付属装置組合せユニットの両方が遮断器のカ
バー内の同じ取付け凹部内に配設されている。「配線用
遮断器の作動器・付属装置組合せモジュール（Molded C
ase Circuit Breaker Actuator−Accessory Module）」
という名称の米国特許出願第176,589号は光学分離器
（オプトアイソレータ）とを使用して、過電流回路と不
足電圧回路との間を接続し、両回路間の有害な電気的相
互作用を防止している。上述した米国特許および米国特
許出願の全ては参考のためここに示した。

［発明の概要］共通の密閉容器内に補助付属装置機能とともに過電流
保護機能を備えた集積化保護ユニットは選ばれた付属装
置モジュールにアクセスするための付属装置カバーを有
し、これにより付属装置モジュールを現場で取り付ける
ことが可能になる。作動器・付属装置組合せユニットが
過電流および不足電圧解放機能を有し、密閉容器の一部
内に付属装置制御回路を有するプリント配線基板ととも
に設けられる。付属装置制御回路は固体スイッチを有
し、この固体スイッチは作動器・付属装置組合せユニッ
トの引外しコイルに対して低インピーダンス路を形成
し、過電流状態が発生した場合には高インピーダンス路
を形成して、引外しコイルの迅速な解放を保証する。

［好適実施例の説明］モールド成形されたプラスチックのケース11およびカ
バー12を有する集積化遮断器10が第１図に示され、付属
装置カバー13がねじ14によって遮断器のカバーに取り付
けられている。遠隔スイッチまたは警報装置との外部接
続を可能にするために、ケースには配線用スロット15が
形成されている。遮断器の操作ハンドル16がカバーの飾
り部材18に形成されたアクセス・スロット17を通って上
方に延出している。「配線用遮断器の定格プラグ密閉容
器（Rating Plug Enclosure for Molded Case Circuit
Breakers）」という名称の米国特許第4,728,914号に記
載されているような定格プラグ19が付属装置カバー内に
組み立てられている。一対の付属装置ドア20,21が付属
装置カバーに形成されており、これにより、第２図に示
す凹部23内に配設される以下「作動器・付属装置組合せ
ユニット」と称する、電磁作動器と多重付属装置との組
合せユニット22へのアクセスが可能になる。更に第２図
を参照すると、定格プラグ19は、付属装置カバーをねじ
14、貫通孔25およびねじ付き開口部26によって遮断器カ
バーに固定した後、付属装置カバー13に形成されている
凹部24内にはめ込まれる。校正のための定格プラグ内部
へのアクセスは定格プラグ・アクセス孔27を介して行わ
れる。

集積化遮断器10の引外しユニットは、引外しユニット
用凹部29内に配置されたプリント配線基板28中に設けら
れている。定格プラグ19は、定格プラグ用凹部内に挿入
されたとき、プリント配線基板から直立しているピン30
と定格プラグの底部に形成されているソケット31とによ
りプリント配線基板と相互接続される。補助スイッチ32
が補助スイッチ用凹部33内に配置される。これは「配線
用遮断器の補助スイッチ・ユニット（Molded Case Circ
uit Breaker Auxiliary Switch Unit）」という名称の
前述した米国特許第4,794,356号に記載されているもの
と同じである。補助スイッチおよび引外しユニットのプ
リント配線基板がそれらの適当な凹部内に組み立てられ
ると、作動器・付属装置組合せユニット22は凹部23内に
取り付けられる。作動器・付属装置組合せユニット22は
ハウジング34を有し、このハウジング34内にはコイル35
が設けられ、更にハウジング34内にはプランジャ36およ
びプランジャばね（図示せず）が設けられている。プラ
ンジャばねは、付勢されたコイル35によって生じる保持
力に抗してプランジャを前方の引外し位置に突出させる
ように作用する。作動器・付属装置組合せユニットは前
述した米国特許出願第163,589号に記載されている作動
器・付属装置組合せユニットに類似しており、旋回自在
にハウジング34に取り付けられたラッチ37を更に有す
る。このラッチの一端に形成されているフック38が、前
述した米国特許第4,700,161号および米国特許出願第17
6,589号に記載されているように遮断器作動機構と協働
する。作動器・付属装置組合せユニットの動作は米国特
許第4,641,117号および第4,679,019号に記載されている
ものと同じであり、これらの特許はここに参考のため取
り入れられている。作動器・付属装置組合せユニットは
プリント配線基板39を有する。このプリント配線基板39
はコイル35を動作させるのに必要な部品を有し、作動器
・付属装置組合せユニットのプリント配線基板39に接続
されているコネクタ41を介して引外しユニットのプリン
ト配線基板28から直立している一対のピン40に接続され
る。一対のワイヤ導体42は不足電圧保護機能を必要とす
る場合に作動器・付属装置組合せユニットを電圧源に接
続し、別の一対のワイヤ導体43は分路引外し機能を必要
とする場合に電圧源に接続する。作動器・付属装置組合
せユニットのコイル35は図示のように別の一対のワイヤ
導体44を介して作動器・付属装置組合せユニットのプリ
ント配線基板39に内部的に接続される。

不足電圧解放機能が過電流保護機能とともに要求され
る場合には、第３図において39Aで示される回路が前述
した作動器・付属装置組合せユニットのプリント配線基
板39中に設けられる。コイル35は導体44および端子T5,T
6を介して回路39Aに接続され、また導体42および端子T
1,T2を介して遠隔の電圧源に接続される。不足電圧制御
回路46は、前述した米国特許第4,788,621に記載されて
いるものと同じであり、保持電流を導体44および端子T
5,T6を介してコイル35に供給する。この保持電流供給動
作は端子T1,T2に供給される電圧が所定の値に低下する
まで行われ、この所定の値に低下した時点において保持
電流は遮断され、引外し機能が前述したように開始す
る。回路39Aは固体スイッチ49がコイル35の一端に直列
に挿入され、導体52が不足電圧制御回路46に接続される
という点において前述した米国特許出願第176,589号に
記載されているものと異なっている。他方の導体53はコ
イル35の他方に直接接続されている。固体スイッチは正
常な動作中はコイル35に対して低インピーダンスを提供
するが、過電流引外し信号がコイル35に供給されたとき
には高インピーダンスを提供するように動作する。この
構成はコイルのインダクタンスによる影響を克服する。
換言すれば、このように構成されてない場合には、コイ
ルのインダクタンスが蓄積したエネルギを指数関数的に
ゆっくりと放出し、この結果コイルによる引外しの応答
速度を対応して遅くするからである。過電流引外し機能
は過電流制御回路47によって達成される。この過電流制
御回路47は発光ダイオードD1およびフォトトランジスタ
Q1から成る光学分離器48を介して不足電圧制御回路と相
互動作する。過電流制御回路は端子T3,T4を介して第２
図の引外しユニットのプリント配線基板28に接続され
る。端子T3,T4はコネクタ41を有し、また前述したよう
にピン40を介して引外しユニットのプリント配線基板に
接続される。

不足電圧制御回路46および過電流制御回路47の動作は
回路39Aを詳しく示す第４図を参照することによってよ
く理解される。不足電圧制御回路は端子T1,T2の両端の
電圧が所定の時間にわたって所定値以下に下がった場合
に、端子T5,T6を介して回路内に接続されているコイル3
5を不作動にする。外部電圧源（図示せず）が導体42
（第３図）を介して端子T1,T2に接続され、これにより
電流制限抵抗R0,R1およびダイオードD2−D5から成る整
流器を介して電流を供給する。整流器の一方の出力は正
の母線51に接続され、整流器の他方の出力は負の母線50
に接続されている。バリスタZ1が抵抗R0を介して端子間
に接続され、不足電圧制御回路をサージ電圧から保護す
る。コイル35は正の母線とFET2のドレイン端子との間に
接続され、FET2のソースはFET1のドレインに接続され、
FET1のソースはダイオードD7および抵抗R2,R9を介して
負の母線に接続されている。フライバック・ダイオード
D6を使用して、FET1がオフになったとき、コイル35を介
して電流を逆に循環させる。比較器55の出力ピン７がFE
T1のゲートに接続され、比較器の入力ピン６が抵抗R3お
よびダイオードD8を介してFET1のソースに接続されてい
る。入力ピン６はコンデンサC1を介して負の母線に接続
されている。比較器の入力ピン５は、抵抗R6−R9からな
る試験用分圧器の中点に接続されている。本質的にFET1
および比較器55から成るチョッパ回路が、コイル35への
電流を次のように制御する。FET1が「オフ」状態にある
とき、比較器55の入力ピン５は抵抗R7およびR8の接続点
の２ボルトに設定されている。コンデンサC1の両端間の
電圧が２ボルト以下であるとき、比較器の出力ピン７は
「高レベル」であり、FET1をターンオンにし、コイル35
に保持電流を流れさす。FET1がオンであるとき、ダイオ
ードD7を流れる回路電流はR2およびR9の両端間に比例し
た電圧を発生させる。コンデンサC1はダイオードD8およ
び抵抗R3を介してこの電圧に充電される。抵抗R2に直列
に接続されているダイオードD7はダイオードD8に対する
電圧および温度補償を行っており、抵抗R3はコンデンサ
C1の充電サイクルの際に短い遅延時間を形成し、これに
よって比較器55がダイオードD6の逆回復動作の間に生じ
る電流スパイクによって時間尚早にターンオフしないよ
うになっている。30ミリアンペアの回路電流においてR2
およびR9の選択された値に対して、R2およびR9の両端間
に発生する電圧は約３ボルトである。R9の両端間の電圧
がR8の両端間の電圧に加えられ、比較器の入力ピン５を
約３ボルトでバイアスする。回路電流が30ミリアンペア
を超えると、コンデンサC1は３ボルトより大きく充電さ
れ、比較器の出力ピン７を「低レベル」状態に駆動し、
これによってFET1をオフにする。FET1がオフになると、
入力ピン５の電圧は２ボルトの基準値に戻る。コンデン
サC1の両端間の電圧が３ボルトである場合、比較器の出
力は、C1の両端間の電圧が２ボルト以下に低下するま
で、「高レベル」になることはできない。C1は、「低レ
ベル」状態にある第２の比較器54の出力ピン１に接続さ
れている抵抗R4を介してのみ放電することができる。抵
抗R4の値はコンデンサC1が２ボルトに低下するのに一定
の遅延時間を与えるように選択され、これによりFET1に
対して一定のオフ時間が設定される。コイル35を流れる
回路電流は約30ミリアンペアでターンオフするように構
成される。それから、ダイオードD6は、プランジャ36
（第２図）が前方方向に駆動されることを防止するのに
充分な高い値に電流を維持するために、コイル35のイン
ダクタンスに蓄積されたエネルギを循環させる。コイル
35を流れる回路電流は該コイルのインダクタンスおよび
抵抗特性によって決定される所定の遅延時間の後に約20
ミリアンペアに低下する。固体スイッチ49はFET2、抵抗
R16、コンデンサC6およびツェナーダイオードD12から構
成される。過電流制御回路47の光学分離器48内のフォト
トランジスタQ1のコレクタはFET2のゲートに直接接続さ
れるとともに、抵抗R16を介してFET2のドレインに接続
されている。コンデンサC5はQ1用のRFバイパス・フィル
タであり、抵抗R15は雑音抑制用である。固体スイッチ4
9は、前述したように、所定の引外し信号を端子T3,T4か
ら電流制御抵抗R14を介してフォトダイオードD1に供給
することによって、過電流制御回路47内で発生された引
外し信号にコイ35が迅速に応答することを可能にし、ま
たは過電流引外し信号がFET2のゲート・ソース端子をク
ランプして、それがダイオードD6に対して高インピーダ
ンスとして現れるまで、フライバック・ダイオードD6に
対して低イピーダンス路を形成することによって不足電
圧制御回路46内で発生した引外し信号にコイル35が迅速
に応答することができるようにしている。所定レベル以
上の電圧が端子T1,T2に供給されると、FET2の両端間に
形成される順方向電圧はゲートを順方向にバイアスし、
抵抗R16を介して導通状態にする。ツェナーダイオードD
12はゲート・ソース電圧をクランプしてFET2をスイッチ
ング過渡電圧から保護し、他方コンデンサC6は高周波バ
イパスフィルタを形成する。また、不足電圧制御回路46
はFET1のドレインをフライバック・ダイオードD6のアノ
ードおよびFET2のソースに接続することによって固体ス
イッチ49に接続される。不足電圧制御回路の電圧調整作
用は米国特許出願第176,589号に記載されているように
行われ、ここにおいて抵抗R4はコイル35に引外し信号が
ない場合に同じ所定の遅延時間でコンデンサを３ボルト
から２ボルトに放電するように選択される。所定の遅延
時間の後、比較器55の出力ピン７は「高レベル」にな
り、上述した処理が繰り返される。端子T1,T2に供給さ
れる電圧が所定の値以下に低下した場合には常に第２の
比較器54の出力ピン１は「高レベル」になり、これによ
りコンデンサC1を第２の比較器の正レイル（rail）電圧
まで充電し、また比較器55の出力ピン７を「低レベル」
に駆動して、FET1をオフにする。コンデンサC7は比較器
に対するRFバイパス路を形成している。端子T1,T2間の
電圧が増大すると、第２の比較器54の出力ピン１は「低
レベル」になり、コンデンサC1は抵抗R4を介して放電す
る。コンデンサC1の両端の電圧が２ボルトに低下するや
否や、FET1はオンになり、上述した過程が繰り返され
る。正および負の母線51,55の間に接続されている抵抗R
10,R11は抵抗R11の両端間に接続されている第２のコン
デンサC2ならびに抵抗R5を介して接続された第２の比較
器54の入力ピン２とともに簡単な平均化回路を形成し
て、C2の両端間にほぼ一定の出力電圧を発生する。C2の
両端間の電圧値は、それより大きいときには回路電流が
コイル35に供給されるようにする「ピックアップ」値と
して定義され、それより小さいときにはコイル35への電
流が遮断されるようにする「ドロップアウト値」として
定義される電圧値を決定する。動作において、コンデン
サC2の両端間に設定される平均電圧は電流制限抵抗R5を
介して第２の比較器54の入力ピン２に供給される。電流
制限抵抗R5は、C2の両端間の電圧が第２の比較器54に供
給される正のレイル電圧が超えたときに、入力ピン２へ
の電流を制限する。第２の比較器54の入力ピン３は基準
電圧分圧器R6−R9によって約７ボルトに設定される。こ
の分圧器R6−R9は抵抗R6およびR7の間の接続点に現れる
電圧を決定する。コンデンサC2の両端間の電圧が７ボル
ト以下である場合、第２の比較器54の出力ピン１は「高
レベル」になり、第１の比較器55はコイル35への電流を
遮断する。逆に、C2の両端間の電圧が７ボルトより大き
い場合には、第２の比較器の出力ピン１は「低レベル」
になり、これにより比較器55はコイル35に電流を供給す
るためにFET1のゲート電極にオン電圧を供給する。抵抗
R12、ツェナーダイオードD9、トランジスタQ2およびコ
ンデンサC3は次のようにFET3のエミッタの電圧を調整す
るように作用する。抵抗R12およびツェナーダイオードD
9はQ2のベースに対する基準電圧を設定し、これによりQ
2のエミッタから調整された出力電圧が供給され、この
出力電圧は抵抗R6を介して第２の比較器54の入力ピン３
に供給される。抵抗R12およびQ2のコレクタは蓄積コン
デンサC4の一端に接続されている。不足電圧制御回路46
はFET1、比較器55,54およびトランジスタQ2のような個
別電子部品の動作を維持するために１ミリアンペア台の
比較的低レベルの定常電流を必要とする。30ミリアンペ
ア台の高レベルの電流はコイル35に供給されて、プラン
ジャ36（第２図）を拘束するのに充分な磁束を発生す
る。コイル35への30ミリアンペアの電流は、端子T1,T2
に供給される交流電圧が交流サイクルの各半サイクル毎
にゼロ交差点を通過する間、維持されなければならな
い。これはFET3と抵抗R13および蓄積コンデンサC4との
組合せによって達成される。ツェナーダイオードD10に
直列な抵抗R13はFET3のドレイン電極に33ボルトのゲー
ト基準電圧を設定し、これによりFET3は蓄積コンデンサ
C4に対して30ボルトの充電レベルを設定する。コンデン
サC4が30ボルトより低く、端子T1,T2に供給される交流
電圧が30ボルトより大きいとき、FET3のゲート電極はソ
ース電極に対して正になり、FETは充電電流を蓄積コン
デンサC4に供給する。C4が30ボルトに近づくにつれて、
FET3は前述した低レベル定常電流要求条件を適用すべく
ターンオフする。従って、ツェナーダイオードD11は、
コンデンサC4が完全に放電したときに交流電圧が端子T
1,T2に供給された場合に、FET3のゲートを過電圧状態か
ら保護する。コンデンサC4が完全に充電された場合、高
い周囲温度によるFET3の漏洩電流によってコンデンサの
定格値を超えてコンデンサが更に充電される。ツェナー
ダイオードD11は蓄積コンデンサC4に供給される電圧
を、ツェナーダイオードD10の両端間の電圧よりも１ダ
イオード電圧分だけ高い電圧に制限するように機能す
る。従って、ツェナーダイオードD11はFET3のゲート電
圧に負電圧を供給して、FET3の漏洩電流を低減し、これ
により蓄積コンデンサC4を過電圧から保護する。前述し
たように、蓄積コンデンサC4は端子T1,T2に供給される
電圧が30ボルト以下に低下したときにコイル35にエネル
ギを供給する。蓄積コンデンサC4の放電路はFET3の内部
のソース・ドレイン間ダイオード、コイル35,FET2,FET
1、ダイオードD7および抵抗R2,R9である。

前述した米国特許第4,788,621号に記載されているよ
うに、不足電圧制御回路46は、高い入力電圧において電
力消費が少なく、これにより大きさが小さく、低い定格
の蓄積コンデンサを使用することができるという利点が
あるため、従来のRCエネルギ蓄積回路よりも好ましいも
のである。低い電力消費は蓄積コンデンサC4に接続され
ているFET3によって達成され、これによりコンデンサC4
は典型的に30−80ボルトの間の入力端子T1,T2間に供給
される交流電圧の波形の立ち上がり部分の間のみFET3の
動作を通して充電される。FET3は電圧が再び30ボルト以
下に低下するまでオフ状態に留まっている。入力端子T
1,T2間に現れるピーク電圧は350ボルトを越えるので、
低い電圧レベルに蓄積コンデンサC4を充電することは消
費電力を低くする重要な特徴であることがわかる。

フライバック・ダイオードD6に対するインピーダンス
状態を制御するために固体スイッチ49を使用すること
は、過電流状態の発生時に敏感な関連する電気装置に対
する損傷を防止するために被保護回路をできるだけ速や
かに遮断しなければならない場合に重要なことである。
正常な動作においてはフライバック・ダイオードに対し
て低いインピーダンス路を形成し、過電流状態において
は高いインピーダンス路を形成することは、過電流引外
し信号が供給されるや否か瞬時に引外し応答を行うこと
を保証している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による迅速な解放引外し回路を有する集
積化配線用遮断器の斜視図である。第２図は作動器・付属装置組合せユニットの組立前の第
１図の集積化遮断器の斜視図である。第３図は第１図および第２図に示す集積化遮断器に使用
される不足電圧制御回路および過電流制御回路を含むブ
ロック図である。第４図は第３図の不足電圧制御回路および過電流制御回
路の詳細な回路図である。［主な符号の説明］ 10……遮断器、11……ケース、12……カバー、22……作
動器・付属装置組合せユニット、35……コイル、36……
プランジャ、37……引外し作動器ラッチ、46……不足電
圧制御回路、47……過電流制御回路、48……光学分離
器、49……固体スイッチ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H02H 3/08 - 3/253 H03K 17/78

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】不足電圧解放電磁コイルと、前記コイルが付勢されているときの前記コイルの保持力
に抗して前方引外し位置に保持されるばねバイアス式プ
ランジャと、前記コイルに接続された不足電圧制御回路であって、所
定の不足電圧信号を受信したときに前記コイルへの保持
電流を遮断して、前記プランジャを引外しレバーに接触
させる手段を含む不足電圧制御回路と、前記不足電圧制御回路と共に動作する過電流制御回路で
あって、所定の過電流信号を受信したときに前記保持電
流を遮断する手段を含む過電流制御回路と、前記不足電圧制御回路および前記過電流制御回路を前記
電磁コイルに相互接続し、前記所定の過電流信号がない
場合には前記電磁コイルに対して第１のインピーダンス
を提供し、前記所定の過電流信号が発生したときには前
記第１のインピーダンスよりも大きい第２のインピーダ
ンスを前記電磁コイルに対して提供する固体スイッチ
と、を有する遮断器の作動器・付属装置組合せユニット回
路。
【請求項２】前記固体スイッチが前記電磁コイルの一端
に接続された第１のFETを含む請求項１記載の作動器・
付属装置組合せユニット回路。
【請求項３】前記FETのゲートとソースとの間に、前記F
ETのゲート・ソース電圧を制限する手段が設けられてい
る請求項２記載の作動器・付属装置組合せユニット回
路。
【請求項４】前記FETのゲートとソースとの間に、高周
波をバイパスする手段が設けられている請求項３記載の
作動器・付属装置組合せユニット回路。
【請求項５】前記のゲート・ソース電圧制限手段がツェ
ナーダイオードを有する請求項３記載の作動器・付属装
置組合せユニット回路。
【請求項６】前記の高周波バイパス手段がコンデンサを
有する請求項４記載の作動器・付属装置組合せユニット
回路。
【請求項７】前記過電流制御回路が光学分離器を介して
前記不足電圧回路に動作上結合されている請求項１記載
の作動器・付属装置組合せユニット回路。
【請求項８】前記光学分離器が、第１のトランジスタ・
スイッチを介して前記不足電圧制御回路に接続されてい
るフォトトランジスタと、第１の対の入力端子に接続さ
れて、前記所定の過電流信号を受信するフォトダイオー
ドとを有する請求項７記載の作動器・付属装置組合せユ
ニット回路。
【請求項９】前記不足電圧制御回路が、前記電磁コイル
および前記第１のFETに第２のFETを介して接続されてい
る第１の比較器を含む請求項２記載の作動器・付属装置
組合せユニット回路。
【請求項１０】第２の比較器およびトランジスタ・スイ
ッチを介して前記第１の比較器に接続されている第３の
FETを有する請求項９記載の作動器・付属装置組合せユ
ニット回路。
【請求項１１】前記フォトトランジスタのコレクタが前
記FETのゲートに接続され、前記フォトトランジスタの
エミッタが前記FETのソースに接続されている請求項８
記載の作動器・付属装置組合せユニット回路。
【請求項１２】前記電磁コイルの一端にカソードが接続
され、前記FETのソースにアノードが接続されているフ
ライバック・ダイオードを有する請求項２記載の作動器
・付属装置組合せユニット回路。