JP2864316B2 - Method for manufacturing piezoelectric ceramic element - Google Patents

Method for manufacturing piezoelectric ceramic element

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JP2864316B2 JP3080393A JP3080393A JP2864316B2 JP 2864316 B2 JP2864316 B2 JP 2864316B2 JP 3080393 A JP3080393 A JP 3080393A JP 3080393 A JP3080393 A JP 3080393A JP 2864316 B2 JP2864316 B2 JP 2864316B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本願発明は、圧電セラミック素子
の製造方法に関し、セラミック板の表面に薄膜形成され
るべき電極被膜のエッジをよりシャープに形成すること
ができるようにしたものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric ceramic element, and more particularly to a method for forming a sharp edge of an electrode film to be formed on a surface of a ceramic plate.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】たと
えば、図5の回路で表される圧電発振子を構成するため
の圧電セラミック素子1は、一般的に、次のような構成
をもっている。
2. Description of the Related Art For example, a piezoelectric ceramic element 1 for constituting a piezoelectric oscillator represented by the circuit of FIG. 5 generally has the following configuration.

【0003】すなわち、図4に示すように、所定厚みを
もつ矩形短冊状の圧電性セラミック板2の表面および裏
面に、それぞれたとえば銀を用いて電極被膜3,3が形
成されている。この各電極被膜3,3は、平面視におい
て所定の面積重なるように形成され、上記両電極被膜
3,3の重なりの精度が、圧電発振子のインピーダンス
特性に大きな影響をおよぼす。
[0003] That is, as shown in FIG. 4, electrode coatings 3 are formed on the front and back surfaces of a rectangular strip-shaped piezoelectric ceramic plate 2 having a predetermined thickness, using, for example, silver. The electrode coatings 3, 3 are formed so as to have a predetermined area overlap in a plan view, and the accuracy of the overlapping of the two electrode coatings 3, 3 has a great influence on the impedance characteristics of the piezoelectric oscillator.

【0004】上記の電極被膜3,3の形成は、上述した
ように、電極被膜の形状に精度が求められること、およ
び、いわゆるキューリーポイント以下の温度で電極成膜
をする必要があることから、いわゆる厚膜形成法による
のではなく、蒸着またはスパッタリングなどの薄膜形成
法によって行われるのが通常である。
[0004] As described above, the formation of the electrode coatings 3 and 3 requires the accuracy of the shape of the electrode coating and the necessity of forming the electrode at a temperature below the so-called Curie point. Usually, it is performed not by a so-called thick film forming method but by a thin film forming method such as evaporation or sputtering.

【0005】ところで、上記の蒸着またはスパッタリン
グを行うに際して圧電性セラミック板2に添着されるマ
スク板は、従来、メタルエッチングマスク板が一般に用
いられている。しかしながら、このようなメタルエッチ
ングマスク板を用いる場合、マスク板それ自体の常温で
の精度は高度に達成されても、電極被膜の成膜処理中、
実際上次のような問題が生じる。
Meanwhile, a metal etching mask plate is generally used as a mask plate attached to the piezoelectric ceramic plate 2 when performing the above-described vapor deposition or sputtering. However, when such a metal etching mask plate is used, even when the accuracy of the mask plate itself at room temperature is highly achieved, during the process of forming the electrode coating,
Actually, the following problem occurs.

【0006】すなわち、メタルエッチングマスク板は、
金属であるがゆえに成膜時に生じる熱によって膨張し、
その結果、圧電性セラミック板表面に対して浮きが生じ
やすい。そうすると、マスク板それ自体の開口のエッジ
がシャープにかつ精度よく形成されていたとしても、こ
のマスク板の開口を通して圧電性セラミック板表面に蒸
着される電極被膜3,3のエッジがぼけてしまうことが
ある。そうすると、図4における表裏双方の電極被膜
3,3のエッジが、成膜時の諸条件によって変化するこ
とになり、圧電発振子としてのインピーダンス特性に画
一性をもたせることが困難になる。これを換言すると、
従前の成膜方法によって電極被膜が形成された圧電セラ
ミック素子は、圧電発振子を構成する際の周波数特性に
ばらつきが生じてしまい、要求される発振子周波数誤差
範囲によっては、歩留りが著しく低下する結果となる。
That is, the metal etching mask plate is
Because of the metal, it expands due to the heat generated during film formation,
As a result, the surface of the piezoelectric ceramic plate easily floats. Then, even if the edges of the openings of the mask plate itself are formed sharply and accurately, the edges of the electrode coatings 3, 3 deposited on the surface of the piezoelectric ceramic plate through the openings of the mask plate are blurred. There is. Then, the edges of the electrode coatings 3 on both sides in FIG. 4 change depending on various conditions at the time of film formation, and it becomes difficult to provide uniformity in impedance characteristics as a piezoelectric oscillator. In other words,
In a piezoelectric ceramic element on which an electrode coating is formed by a conventional film forming method, the frequency characteristics when a piezoelectric oscillator is formed vary, and the yield is significantly reduced depending on the required oscillator frequency error range. Results.

【0007】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、簡単な構成により、圧電性セラミ
ック板表面上に、精度よく電極被膜を形成することがで
きる新たな方法を提供することをその方法としている。
The present invention has been devised in view of the above circumstances, and provides a new method capable of forming an electrode film on a surface of a piezoelectric ceramic plate with high accuracy by a simple structure. The method is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
Means for Solving the Problems To solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

【0009】すなわち、本願発明は、セラミック板の表
面に所定形状の電極を蒸着またはスパッタリングによっ
て形成してなる圧電セラミック素子の製造方法であっ
て、上記セラミック板の表面にセラミック製のマスク板
を添着し、かつこのマスク板を昇温によって外面が凹と
なるように変形する傾向をもつ押さえ板を用いて上記セ
ラミック板の表面に押圧しつつ、上記電極形成処理を行
うことを特徴としている。
That is, the present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric ceramic element in which electrodes of a predetermined shape are formed on the surface of a ceramic plate by vapor deposition or sputtering, and a ceramic mask plate is attached to the surface of the ceramic plate. The electrode forming process is performed while pressing the mask plate against the surface of the ceramic plate by using a pressing plate which has a tendency to deform so that the outer surface becomes concave when the temperature is raised.

【0010】なお、上記押さえ板としては、上記セラミ
ック板から離反する面側に位置するものよりも上記セラ
ミック板に接近する面側に位置するものの方が熱膨張率
が大きい複数の板材を貼り合わせて形成される、いわゆ
るバイメタルの構造をもつものを採用することができる
(請求項2)。
[0010] As the pressing plate, a plurality of plate materials having a larger coefficient of thermal expansion are bonded on a surface closer to the ceramic plate than on a surface separated from the ceramic plate. A so-called bimetal structure can be employed.

【0011】[0011]

【発明の作用および効果】まず、本願発明においては、
セラミック板の表面に電極被膜を蒸着またはスパッタリ
ングによって形成するに際してセラミック板の表面に添
着するべきマスク板を、セラミック製としている。よく
知られているように、セラミックは、熱膨張率がきわめ
て小さく、昇温によって容易に熱膨張することはない。
したがって、かかるセラミック製のマスク板を添着した
状態において圧電性セラミック板に対して蒸着あるいは
スパッタリングによって電極被膜形成処理を行うに際
し、上記マスク板が熱膨張することによってセラミック
板から浮き上がるといった事態は起こりえない。
First, in the present invention,
The mask plate to be attached to the surface of the ceramic plate when the electrode coating is formed on the surface of the ceramic plate by vapor deposition or sputtering is made of ceramic. As is well known, ceramic has a very low coefficient of thermal expansion, and does not easily expand thermally when heated.
Therefore, when performing an electrode coating formation process on the piezoelectric ceramic plate by vapor deposition or sputtering in a state where the ceramic mask plate is attached, a situation may occur in which the mask plate is lifted off from the ceramic plate due to thermal expansion. Absent.

【0012】それだけではなく、本願発明方法において
は、マスク板の材質が、これを添着するべき相手部材と
同質の材質であることから、マスク板が馴染みよく圧電
性セラミック板の表面に添着させられ、したがって、圧
電性セラミック板の表面に対するマスク板の密着性がよ
り高められる。
In addition, in the method of the present invention, since the material of the mask plate is the same as the material of the mating member to which the mask plate is to be attached, the mask plate can be easily adhered to the surface of the piezoelectric ceramic plate. Therefore, the adhesion of the mask plate to the surface of the piezoelectric ceramic plate is further enhanced.

【0013】さらに、本願発明方法では、上記のマスク
板を圧電性セラミック板に対して押さえつける押さえ板
として、特に昇温によって外面が凹となるように変形す
る傾向をもつものを採用している。したがって、蒸着処
理あるいはスパッタリング処理が進行して温度が上昇す
るにしたがって、圧電性セラミック板の表面にマスク板
を押圧する力が増大させられる。
Further, in the method of the present invention, as the pressing plate for pressing the above-mentioned mask plate against the piezoelectric ceramic plate, a pressing plate which has a tendency to deform so that its outer surface becomes concave due to a rise in temperature is employed. Therefore, as the temperature increases due to the progress of the vapor deposition process or the sputtering process, the force of pressing the mask plate against the surface of the piezoelectric ceramic plate is increased.

【0014】上記の作用が総合して、結局、本願発明方
法によれば、電極被膜を形成するべきセラミック板の表
面に対し、マスク板を密に添着させた状態が蒸着あるい
はスパッタリング処理の進行の全過程において確実に達
成され、その結果、上記セラミック板の表面に対し、マ
スク板の開口形状にしたがったシャープなエッジをもつ
電極被膜が確実に形成されることになる。
As a result of the above-mentioned operations, according to the method of the present invention, the state in which the mask plate is closely attached to the surface of the ceramic plate on which the electrode coating is to be formed is the progress of the deposition or sputtering process. This is reliably achieved in the entire process, and as a result, an electrode coating having a sharp edge according to the opening shape of the mask plate is reliably formed on the surface of the ceramic plate.

【0015】このように、本願発明方法によれば、シャ
ープなエッジによって一定の形状をした電極被膜が圧電
性セラミック板の表面に画一的に形成することができる
ようになり、こうしてできた圧電セラミック素子のイン
ピーダンス特性のばらつきを著しく縮小することがで
き、製品の歩留りを高度に達成することができるように
なる。
As described above, according to the method of the present invention, it is possible to uniformly form an electrode coating having a uniform shape with sharp edges on the surface of a piezoelectric ceramic plate. Variations in the impedance characteristics of the ceramic element can be significantly reduced, and a high product yield can be achieved.

【0016】[0016]

【実施例の説明】以下、本願発明の実施例を図面を参照
しつつ、具体的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0017】前述したように、本願発明が対象とする圧
電セラミック素子1は、図4に示したように、所定厚み
をもつ矩形短冊状をした圧電性セラミック板2の表裏両
面に、所定形状をもつ電極被膜3,3を蒸着あるいはス
パッタリングによって薄膜形成したものである。
As described above, the piezoelectric ceramic element 1 to which the present invention is applied, as shown in FIG. 4, has a rectangular strip-shaped piezoelectric ceramic plate 2 having a predetermined thickness and a predetermined shape formed on both front and back surfaces thereof. The electrode coatings 3 are formed into thin films by vapor deposition or sputtering.

【0018】上記の蒸着あるいはスパッタリングによる
金属薄膜の形成をするにあたっては、対象材料板の表面
に所定の開口をもった薄板状マスク板9を位置決めしつ
つ添着保持させ、かつこのマスク板9を押さえ板10に
よって上記材料板2に対して押しつける必要があり、こ
のように材料セラミック板に対してマスク板を押さえ板
によって押しつけた状態で保持するための保持装置6が
用いられる。
In forming the metal thin film by the above-mentioned vapor deposition or sputtering, a thin mask plate 9 having a predetermined opening is positioned and attached to the surface of the target material plate while being attached thereto, and the mask plate 9 is pressed down. It is necessary to press against the material plate 2 by the plate 10, and a holding device 6 for holding the mask plate pressed against the material ceramic plate by the pressing plate is used.

【0019】図3の(a) 、(b) 、(c) 、(d) は、上記保
持装置を構成する部材をそれぞれ表している。また図1
は上記各部材を積層した保持装置6の平面図を、図2は
保持装置の断面図を、それぞれ示している。7(図3
(a) )は、たとえばステンレスで形成されたベース板で
あり、このベース板7の上に、材料圧電性セラミック板
2を位置決め収容保持する保持孔8a…が複数形成され
た保持板8(図3(b) )が重ねられる。この保持板8も
また、たとえばステンレス板によって形成され、上記各
保持孔8a…は、材料圧電性セラミック板2がぴったり
と嵌まり込むようになっている。また、この保持板8の
厚みは、材料圧電性セラミック板2の厚みと対応してお
り、たとえば300μm程度の厚みとすることができ
る。
FIGS. 3 (a), 3 (b), 3 (c) and 3 (d) show members constituting the holding device, respectively. FIG.
Shows a plan view of the holding device 6 in which the above members are stacked, and FIG. 2 shows a cross-sectional view of the holding device. 7 (FIG. 3
(a)) is a base plate made of, for example, stainless steel, and a plurality of holding holes 8a for positioning and holding the piezoelectric ceramic plate 2 are formed on the base plate 7 (see FIG. 3 (b)) are superimposed. The holding plate 8 is also formed of, for example, a stainless steel plate, and the holding holes 8a are adapted to fit the material piezoelectric ceramic plate 2 exactly. The thickness of the holding plate 8 corresponds to the thickness of the material piezoelectric ceramic plate 2, and may be, for example, about 300 μm.

【0020】上記保持板8上にさらに重ねるようにし
て、マスク板9(図3(c) )が配置される。本願発明に
おいては、このマスク板9は、アルミナセラミック等の
セラミック板によって形成する。このマスク板9には、
所定形状の開口9a…が形成されており、この開口9a
…の形状に沿って上記保持板8内に保持される材料圧電
性セラミック板の表面上に電極被膜3,3が形成される
ことになる。
The mask plate 9 (FIG. 3 (c)) is arranged on the holding plate 8 so as to be further overlapped. In the present invention, the mask plate 9 is formed of a ceramic plate such as alumina ceramic. This mask plate 9 has
An opening 9a having a predetermined shape is formed.
The electrode coatings 3, 3 are formed on the surface of the piezoelectric ceramic plate held in the holding plate 8 along the shape of.

【0021】なお、上記マスク板9の厚みは、たとえば
50μm程度の薄状としておくことが、よりシャープな
電極被膜を蒸着あるいはスパッタリンク形成する上で都
合がよい。
It is convenient to make the thickness of the mask plate 9 as thin as, for example, about 50 μm in order to deposit a sharper electrode coating or to form a sputter link.

【0022】上記マスク板9のさらに上には、このマス
ク板9を上記保持板8に保持されている各材料圧電性セ
ラミック板2の表面に対して押しつけるための押さえ板
10(図3(d) )が重ねられる。
A pressing plate 10 (FIG. 3 (d)) for pressing the mask plate 9 against the surface of the piezoelectric ceramic plate 2 of each material held by the holding plate 8 is further above the mask plate 9. )) Are superimposed.

【0023】この押さえ板10には、上記保持板8に形
成された各保持孔8a…、上記マスク板9に形成された
各開口9a…の間隔と対応して、マスク板9上に重ねら
れたとき、マスク板9の各開口9a…が外部に臨むこと
ができるように、窓孔10a…が形成されている。
The pressing plate 10 is superimposed on the mask plate 9 in correspondence with the spacing between the holding holes 8a formed in the holding plate 8 and the openings 9a formed in the mask plate 9. Window holes 10a are formed so that the openings 9a of the mask plate 9 can be exposed to the outside.

【0024】本願発明方法において用いる押さえ板10
は、昇温すると外面すなわち材料圧電性セラミック板2
から離反する側の面が凹となるように変形する傾向をも
つように形成される。それには、表面側すなわち材料圧
電性セラミック板2から離反する面側の金属よりも裏面
側すなわち材料圧電性セラミック板2に接近する面側の
金属の方が熱膨張率が大きい二枚の金属薄板を重ね合わ
せてなる、いわゆるバイメタル構造をもったものとする
ことができる。かかるバイメタルを構成する金属として
は、たとえば、低熱膨張率側にはアンバーを、高熱膨張
率側には黄銅を採用することができる。
Pressing plate 10 used in the method of the present invention
When the temperature rises, the outer surface, that is, the material piezoelectric ceramic plate 2
It is formed so as to have a tendency to deform so that the surface on the side away from the surface is concave. For this purpose, two metal thin plates having a larger coefficient of thermal expansion on the back side, that is, on the side closer to the material piezoelectric ceramic plate 2, than the metal on the front side, that is, the surface side away from the material piezoelectric ceramic plate 2. Having a so-called bimetal structure formed by superimposing. As a metal constituting such a bimetal, for example, amber can be adopted on the low thermal expansion side and brass can be adopted on the high thermal expansion side.

【0025】上記ベース板7、材料圧電性セラミック板
2を保持した保持板8、マスク板9、および上記押さえ
板10は、相互に平面方向の正確な位置決めをしながら
重ねられる。かかる位置決めは、たとえば、各部材7,
8,9,10にノックピン用の位置決め孔11を少なく
とも二箇所づつ設けておき、かつ各部材を上述のように
重ねた状態においてノックピン12を上記各位置決め透
孔11に連通挿するとともに、四隅をねじ13によって
連結することにより行われる。
The base plate 7, the holding plate 8 holding the material piezoelectric ceramic plate 2, the mask plate 9, and the pressing plate 10 are superimposed on each other with accurate positioning in the plane direction. Such positioning is performed by, for example, each member 7,
Knock pin positioning holes 11 are provided in at least two places on 8, 9, and 10, and the knock pins 12 are inserted into the positioning through holes 11 in a state where the members are overlapped as described above, and the four corners are formed. It is performed by connecting with a screw 13.

【0026】こうして保持装置6が組み立てられた状態
においては、最上層の押さえ板10の各窓孔10a…
に、マスク板9の開口9a…が臨み、さらにこのマスク
板9の開口9a…には、材料セラミック板2の表面が部
分的に露出することになる。
In the state where the holding device 6 is assembled in this manner, each of the window holes 10a...
The openings 9a of the mask plate 9 are exposed, and the surface of the material ceramic plate 2 is partially exposed through the openings 9a of the mask plate 9.

【0027】したがってこの保持装置6を蒸着槽内に装
填するとともに、保持装置6の表面にむけて金属を蒸着
により成膜させると、上記マスク板9の開口9a…によ
って臨ませられた部分にのみ、金属被膜3,3が薄膜形
成される。
Therefore, when the holding device 6 is loaded into a vapor deposition tank and a metal is deposited on the surface of the holding device 6 by vapor deposition, only the portion of the mask plate 9 which is exposed by the openings 9a. Then, the metal films 3 and 3 are formed as a thin film.

【0028】各材料圧電性のセラミック板の表面に対す
る電極被膜の形成が終わると、上記と同様の手順によ
り、各材料圧電性セラミック板の裏面に対する電極被膜
の形成が行われる。
After the formation of the electrode coating on the surface of the piezoelectric ceramic plate of each material is completed, the electrode coating is formed on the back surface of the piezoelectric ceramic plate of each material by the same procedure as described above.

【0029】本願発明の方法においては、まず第一に、
マスク板9として、蒸着処理を行う対象である圧電性セ
ラミック板と同質のセラミック材料を用いて形成してい
るので、マスク板9の材料圧電性セラミックの表面に対
するなじみがよく、これらが都合よく密着接触させられ
る。第二に、このマスク板9を圧電性セラミック板に押
さえつけるための押さえ板10として、昇温することに
よって上に凹に変形する傾向をもたせているので、成膜
処理過程において生じる温度上昇にともない、マスク板
9を圧電性セラミック板に対して押圧する力が上昇し、
このことによっても、上記材料圧電性セラミック板に対
するマスク板9の密着性が高度に保持される。また、上
記マスク板9が熱膨張率がきわめて小さいセラミックで
形成されていることから、上記の蒸着処理中の温度上昇
にともなってこのマスク板が熱膨張し、これに起因して
マスク板9が材料圧電性セラミック板に対して浮き上が
るということはほとんどない。
In the method of the present invention, first of all,
Since the mask plate 9 is formed using the same ceramic material as the piezoelectric ceramic plate to be subjected to the vapor deposition process, the material of the mask plate 9 is well adapted to the surface of the piezoelectric ceramic, and these are conveniently adhered to each other. Contacted. Secondly, as the pressing plate 10 for pressing the mask plate 9 against the piezoelectric ceramic plate, the mask plate 9 has a tendency to be concavely deformed by increasing the temperature. The force for pressing the mask plate 9 against the piezoelectric ceramic plate increases,
This also keeps the adhesion of the mask plate 9 to the piezoelectric ceramic plate of the material to a high degree. Further, since the mask plate 9 is formed of a ceramic having a very low coefficient of thermal expansion, the mask plate thermally expands as the temperature rises during the above-mentioned vapor deposition process, and as a result, the mask plate 9 The material hardly rises with respect to the piezoelectric ceramic plate.

【0030】以上の総合的な結果として、本願発明方法
によれば、圧電性セラミック板の表面上に形成される電
極被膜のエッジの精度を規定するべきマスク板を、蒸着
処理の全過程において材料セラミック板に対して密着状
態としておくことができ、その結果、電極被膜の形状
が、きわめて精度よくなる。
As a comprehensive result, according to the method of the present invention, a mask plate for defining the precision of the edge of the electrode coating formed on the surface of the piezoelectric ceramic plate is made to be a material in the whole process of the vapor deposition process. It can be kept in close contact with the ceramic plate, and as a result, the shape of the electrode coating becomes extremely accurate.

【0031】もちろん、本願発明の範囲は上述した実施
例に限定されるものではない。保持装置6を構成するた
めの部材を互いに位置決めする方法およびこれらを重ね
られた状態においてその周部どうしを互いに連結する方
法は、他にも種々考えられる。
Of course, the scope of the present invention is not limited to the embodiment described above. Various other methods are conceivable for a method of positioning the members for constituting the holding device 6 with each other and a method of connecting the peripheral portions of the members in a state where they are overlapped.

【0032】また、昇温によって上に凹となるように変
形する傾向をもつ押さえ板10を形成するためには、上
述したように、バイメタル構造を採用する他、たとえ
ば、形状記憶合金を用い、常温においては平板の形態を
とり、所定の温度に到達した時点で上に凹となるように
変形するべく、形状記憶を付与しておくという方法も考
えられる。
Further, in order to form the holding plate 10 which has a tendency to be deformed so as to become concave when heated, as described above, in addition to employing the bimetal structure, for example, a shape memory alloy is used. It is also conceivable to take a form of a flat plate at normal temperature, and to add a shape memory so as to be deformed so as to be concave upward when a predetermined temperature is reached.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明方法に使用するマスク保持装置の平面
図である。
FIG. 1 is a plan view of a mask holding device used in the method of the present invention.

【図2】図1のII−II線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図3】上記マスク保持装置を構成する各部材の平面図
であり、(a) はベース部材、(b) は材料セラミック板を
保持する保持板、(c) はマスク板、(d) は押さえ板をそ
れぞれ示す。
3A and 3B are plan views of members constituting the mask holding device, wherein FIG. 3A is a base member, FIG. 3B is a holding plate for holding a ceramic material plate, FIG. 3C is a mask plate, and FIG. Each of the holding plates is shown.

【図4】本願発明方法で製造される圧電セラミック素子
の断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a piezoelectric ceramic element manufactured by the method of the present invention.

【図5】圧電セラミック素子を用いた圧電発振子の回路
例である。
FIG. 5 is a circuit example of a piezoelectric oscillator using a piezoelectric ceramic element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧電セラミック素子 2 圧電性セラミック板 3 電極被膜 9 マスク板 10 押さえ板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric ceramic element 2 Piezoelectric ceramic plate 3 Electrode coating 9 Mask plate 10 Holding plate

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 セラミック板の表面に所定形状の電極を
蒸着またはスパッタリングによって形成してなる圧電セ
ラミック素子の製造方法であって、 上記セラミック板の表面にセラミック製のマスク板を添
着し、かつこのマスク板を昇温によって外面が凹となる
ように変形する傾向をもつ押さえ板を用いて上記セラミ
ック板の表面に押圧しつつ、上記電極形成処理を行うこ
とを特徴とする、圧電セラミック素子の製造方法。
1. A method of manufacturing a piezoelectric ceramic element comprising forming an electrode of a predetermined shape on a surface of a ceramic plate by vapor deposition or sputtering, comprising: adhering a ceramic mask plate to the surface of the ceramic plate; Manufacturing the piezoelectric ceramic element, wherein the electrode forming process is performed while pressing the mask plate against the surface of the ceramic plate using a pressing plate that has a tendency to deform so that the outer surface becomes concave due to an increase in temperature. Method.
【請求項2】 上記押さえ板は、上記セラミック板から
離反する面側に位置するものよりも上記セラミック板に
接近する面側に位置するものの方が熱膨張率が大きい複
数の板材を貼り合わせて形成されている、請求項1の製
造方法。
2. The pressing plate is formed from the ceramic plate.
To the above ceramic plate rather than the one located on the side that separates
The manufacturing method according to claim 1, wherein a plurality of plate members having a larger coefficient of thermal expansion are attached to a plate located closer to the surface to be approached .
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