JP2844210B2 - Rotation processing method and apparatus - Google Patents

Rotation processing method and apparatus

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JP2844210B2
JP2844210B2 JP5687889A JP5687889A JP2844210B2 JP 2844210 B2 JP2844210 B2 JP 2844210B2 JP 5687889 A JP5687889 A JP 5687889A JP 5687889 A JP5687889 A JP 5687889A JP 2844210 B2 JP2844210 B2 JP 2844210B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回転処理技術、特に、被処理物に処理液が
供給されるとともに、被処理物が回転されて処理液によ
り所定の処理が実施される回転処理装置における処理の
終点検出技術に関し、例えば、半導体装置の製造工程に
おいて、ウエハの現像装置に利用して有効なものに関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a rotation processing technique, in particular, a processing liquid is supplied to an object to be processed, and the object to be processed is rotated so that a predetermined processing is performed by the processing liquid. The present invention relates to a technology for detecting an end point of a process in a rotation processing apparatus to be implemented, for example, to a technique that is effectively used as a wafer developing device in a semiconductor device manufacturing process.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置の製造工程において、ウエハの現像処理を
実施する現像装置として、1988年1月発行、雑誌「SEMI
CON NEWS」P76〜P81に記載されているように、終点検
出装置を備えているものが提案されている。すなわち、
この終点検出装置は現像中のウエハに測定光を照射し、
現像中の反射光強度を測定し、その測定された強度変化
と、予め設定されている演算式および係数とによって現
像処理の終点を検出し、現像装置をして現像の処理を打
ち切らせるように構成されている。
Published in January 1988, "SEMI Magazine" as a developing device that performs wafer development processing in the manufacturing process of semiconductor devices.
As described in “CON NEWS” on pages 76 to 81, an apparatus having an end point detection device has been proposed. That is,
This end point detection device irradiates the developing wafer with measurement light,
Measure the reflected light intensity during development, detect the end point of the development processing by the measured change in intensity and the preset arithmetic expression and coefficient, and let the development device terminate the development processing. It is configured.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかし、このような終点検出装置においては、ホット
レジスト(以下、レジストという。)下のパターンによ
り現像速度が違ってしまう点についての配慮がなされて
いないため、たまたまサンプリングを行った場所の現像
速度を基準にして、ウエハ全域の現像終点が決定されて
しまい、その結果、ウエハ内の現像速度のばらつきが終
点判定の誤差になってしまうという問題点があること
が、本発明者によって明らかにされた。
However, in such an end point detection device, no consideration is given to the fact that the development speed differs depending on the pattern under the hot resist (hereinafter referred to as “resist”). As a reference, the inventors have determined that the development end point of the entire wafer is determined, and as a result, there is a problem that the variation in the development speed in the wafer becomes an error in the end point determination. .

例えば、同一ウエハ内の下地パターンに粗の部分と密
の部分とがある場合、下地パターンの段差と粗密の程度
とにより、レジストの膜厚が変わる現象が知られてお
り、この結果、現像速度がパターン依存性をもってしま
う。このような場合において、前記終点検出装置が用い
られると、サンプリングが粗のパターンについて行われ
た場合と、密の部分について行われた場合とでは、サン
プリング信号が異なるため、その結果、終点がひとつに
定まらない。
For example, when the underlying pattern in the same wafer has a rough portion and a dense portion, it is known that the resist film thickness changes depending on the step of the underlying pattern and the degree of the denseness. Has a pattern dependency. In such a case, when the end point detection device is used, the sampling signal is different between the case where the sampling is performed for the coarse pattern and the case where the sampling is performed for the dense portion, and as a result, one end point is obtained. Not determined.

本発明の目的は、ウエハ内の下地のパターン粗密等の
ような地域的状況差に依存して起こる処理速度のばらつ
きにより、終点検出に誤差が発生するのを防止すること
ができる回転処理技術を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a rotation processing technique capable of preventing an error in end point detection from occurring due to a variation in processing speed depending on a regional situation difference such as a pattern density of an underlayer in a wafer. To provide.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention are as follows.
It will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、次の通りである。
The outline of a representative invention among the inventions disclosed in the present application will be described as follows.

すなわち、被処理物を保持して回転させるスピンヘッ
ドと、スピンヘッドに保持された被処理物上に処理液を
供給する供給管と、被処理物に測定光を照射して、その
反射光を受光するとともに、その受光出力に基づいて処
理液による処理の終点を検出する終点検出装置とを備え
ている回転処理装置において、前記終点検出装置を、被
処理物における所定の場所を検出し、この検出した場所
に前記測定光を前記スピンヘッドの回転に同期して照射
するとともに、この場所からの反射光を受光し、その受
光出力によりこの場所についての前記終点を検出するよ
うに構成し、かつ、前記測定装置は前記被処理物におけ
る測定エリアを拡大縮小変更調整するように構成したも
のである。
That is, a spin head that holds and rotates the object to be processed, a supply pipe that supplies a processing solution onto the object to be processed held by the spin head, and a measuring light that irradiates the object to be processed and reflects the reflected light. A rotary processing device that receives light and detects an end point of the processing by the processing liquid based on the received light output, wherein the end point detection device detects a predetermined location on the object to be processed, Irradiating the detected light with the measurement light in synchronization with the rotation of the spin head, receiving reflected light from this position, and detecting the end point of this position by its light receiving output, and The measurement device is configured to adjust a measurement area of the object to be scaled up or down.

〔作用〕[Action]

前記した手段によれば、各処理の都度、各被処理物の
相互間において、被処理物内における同一の場所につい
て終点検出のサンプリングが実行されるため、被処理物
内において処理の進行状況に地域的な差(ばらつき)が
あった場合であっても、各被処理物の相互間については
差のない終点検出が常に一定に実行されることになる。
したがって、当該一定の場所についての処理状況と処理
速度との関係を予め求めておくことにより、同種の被処
理物のそれぞれに対する処理の都度、常に一定の終点検
出を実行することができる。その結果、被処理物の処理
作業のそれぞれについて品質および信頼性を高めること
ができる。
According to the above-described means, the sampling of the end point detection is performed at the same place in the object to be processed between each of the objects to be processed each time each of the objects is processed. Even if there is a regional difference (variation), the end point detection with no difference is always constantly performed between the respective workpieces.
Therefore, by previously obtaining the relationship between the processing status and the processing speed for the certain place, it is possible to always perform a fixed end point detection every time processing is performed on each of the same type of workpiece. As a result, the quality and reliability of each of the processing operations on the workpiece can be improved.

また、終点が検出される際に、被処理物上における測
定エリアが拡大縮小変更調整されることにより、被処理
物の機種や処理条件等の設定条件の相違に対応して最適
の測定エリアを選定することができるため、終点検出お
よび処理の精度や信頼性をより一層高めることができ
る。
In addition, when the end point is detected, the measurement area on the workpiece is scaled and adjusted, so that the optimal measurement area can be adjusted according to the difference in the setting conditions such as the model of the workpiece and processing conditions. Since the selection can be made, the accuracy and reliability of the end point detection and processing can be further improved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例であるウエハ現像装置を示
す模式的正面断面図、第2図はオリエンテーションフラ
ット検出作業を示す模式的正面断面図、第3図は第2図
のIII−III線に沿う平面図、第4図は終点検出装置を示
すブロック図、第5図および第6図はその作用を説明す
るための各説明図である。
FIG. 1 is a schematic front sectional view showing a wafer developing apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic front sectional view showing an orientation flat detecting operation, and FIG. 3 is a III-III in FIG. FIG. 4 is a block diagram showing the end point detecting device, and FIGS. 5 and 6 are explanatory diagrams for explaining the operation thereof.

本実施例において、本発明に係る回転処理装置は、ウ
エハ1上に塗布され、かつ、露光されたレジスト1bを回
転現像処理するウエハ現像装置として構成されている。
このウエハ現像装置は上面が開口された略ボウル形状に
形成されている処理容器2を備えており、この容器2の
上面開口には給気口3が、容器2の底壁には複数個の排
気口4がそれぞれ開設されている。処理容器2の直下に
はシリンダ装置等から成るエレベータ5が、同心的に配
されて垂直上向きに据え付けられれており、そのストロ
ーク軸6の上端にはテーブル7が水平に配されて昇降さ
れるように支持されている。テーブル7上にはモータ8
が処理容器2と同心的に配されて垂直上向きに据え付け
られており、モータ8の回転軸9は処理容器2の底壁を
貫通されて処理容器2内部に挿入されている。回転軸9
の挿入上端部にはスピンヘッド10が水平に配されて回転
されるように支持されており、このスピンヘッド10は被
処理物としてのウエハ1を真空吸着手段(図示せず)に
よって保持して一体回転させるように構成されている。
In the present embodiment, the rotary processing apparatus according to the present invention is configured as a wafer developing apparatus that performs a rotary developing process on the resist 1b that has been coated on the wafer 1 and has been exposed.
The wafer developing apparatus includes a processing container 2 formed in a substantially bowl shape having an open upper surface. An air supply port 3 is provided on an upper surface of the container 2, and a plurality of air supply ports 3 are provided on a bottom wall of the container 2. The exhaust ports 4 are respectively opened. An elevator 5 composed of a cylinder device or the like is installed concentrically and vertically upward just below the processing vessel 2, and a table 7 is horizontally arranged at the upper end of a stroke shaft 6 so as to be lifted and lowered. It is supported by. On the table 7 is a motor 8
Are arranged concentrically with the processing container 2 and installed vertically upward, and the rotating shaft 9 of the motor 8 is inserted into the processing container 2 through the bottom wall of the processing container 2. Rotating shaft 9
A spin head 10 is horizontally supported at the upper end of the insert so as to be rotated, and the spin head 10 holds a wafer 1 as an object to be processed by vacuum suction means (not shown). It is configured to rotate integrally.

他方、処理容器2の真上には、処理液としての現像液
11を供給するための給液管12が、処理容器2と同心的に
配されて垂直下向きに設備されており、この給液管12は
適当な駆動手段(図示せず)により昇降および水平運動
されるようになっている。給液管12には給液ユニット13
が接続されており、この給液ユニット13は現像液11を所
定時に所定量供給し得るように構成されている。
On the other hand, just above the processing container 2, a developing solution
A feed pipe 12 for feeding the feed pipe 11 is provided concentrically with the processing vessel 2 and is provided vertically downward, and the feed pipe 12 is moved up and down and horizontally moved by a suitable driving means (not shown). It is supposed to be. The liquid supply unit 13 is connected to the liquid supply pipe 12.
The liquid supply unit 13 is configured to supply a predetermined amount of the developer 11 at a predetermined time.

また、処理容器2の真上には水洗ノズル14が現像液11
を洗い流し得るように設備されており、この水洗ノズル
14も適当な駆動手段(図示せず)により昇降および水平
運動されるようになっている。水洗ノズル14には洗浄液
供給ユニット15が接続されており、この洗浄液供給ユニ
ット15は純水等のような洗浄液を所定時に所定量供給し
得るように構成されている。
A washing nozzle 14 is provided directly above the processing container 2 with a developer 11.
The flush nozzle is equipped so that the
14 is also adapted to be raised and lowered and moved horizontally by suitable driving means (not shown). A washing liquid supply unit 15 is connected to the washing nozzle 14, and the washing liquid supply unit 15 is configured to be able to supply a predetermined amount of a cleaning liquid such as pure water at a predetermined time.

処理容器2の真上には被処理物としてのウエハ1がロ
ーディング装置(図示せず)によって搬入されるように
なっており、また、処理済みのウエハ1がアンローディ
ング装置(図示せず)によって搬出されるようになって
いる。
A wafer 1 as an object to be processed is loaded directly above the processing container 2 by a loading device (not shown), and the processed wafer 1 is loaded by an unloading device (not shown). It is designed to be carried out.

そして、処理容器2の上方には心合わせ装置16が設備
されており、この心合わせ装置16はローディング装置に
よって供給されたウエハ1をスピンヘッド10に対して心
合わせするように構成されている。すなわち、心合わせ
装置16は一対のシリンダ装置17、17を備えており、両シ
リンダ装置17、17は処理容器2の上方においてスピンヘ
ッド10の回転中心軸の延長線を挟んで互いに対向するよ
うに配され、水平内向きに据え付けられている。シリン
ダ装置17のピスピンロッド18の先端には型板19が水平に
配されて一体移動されるように支持されており、型板19
の内側端辺はウエハ1の円周に帯する円弧形状に形成さ
れている。
A centering device 16 is provided above the processing chamber 2, and the centering device 16 is configured to center the wafer 1 supplied by the loading device with respect to the spin head 10. That is, the centering device 16 includes a pair of cylinder devices 17, 17, and the two cylinder devices 17, 17 are opposed to each other with the extension line of the rotation center axis of the spin head 10 above the processing container 2. And are installed horizontally inward. A template 19 is horizontally disposed at the tip of the pi-spin rod 18 of the cylinder device 17 and supported so as to be integrally moved.
Of the wafer 1 is formed in an arcuate shape extending around the circumference of the wafer 1.

このウエハ現像装置には終点検出装置20が組み込まれ
ており、この終点検出装置20はウエハ1の特徴部として
のオリエンテーションフラット(以下、オリフラとい
う。)1aを検出するためのオリフラ検出装置、終点を測
定するための測定装置およびこの測定装置を所定の測定
位置に移動させるための移動装置を備えている。
An end point detection device 20 is incorporated in the wafer developing device. The end point detection device 20 detects an orientation flat (hereinafter, referred to as an orientation flat) 1a as a characteristic portion of the wafer 1, and an end point detection device. A measuring device for measuring and a moving device for moving the measuring device to a predetermined measuring position are provided.

オリフラ検出装置21はXYテーブル22を備えており、XY
テーブル22は処理容器2の片脇に水平に配されて設備さ
れている。XYテーブル22上にはモータ23が垂直上向きに
配されてXY方向に移動されるように据え付けられてお
り、モータ23の回転軸24にはアーム25が水平に配され
て、一体回動されるように一端部を固定的に支持されて
いる。アーム25の自由端部には投光器26と受光器27と
が、垂直線上において互いに対向するように配されて固
定されており、受光器27は投光器26からの投光を受光し
得るようになっている。
The orientation flat detector 21 includes an XY table 22 and an XY table 22.
The table 22 is installed horizontally on one side of the processing container 2. A motor 23 is mounted on the XY table 22 so as to be arranged vertically upward and moved in the XY direction, and an arm 25 is horizontally arranged on a rotating shaft 24 of the motor 23 and is integrally rotated. Is fixedly supported at one end. At the free end of the arm 25, a light emitter 26 and a light receiver 27 are arranged and fixed so as to face each other on a vertical line, and the light receiver 27 can receive light emitted from the light emitter 26. ing.

受光器27の出力端には測定位置演算装置28が接続され
ており、この演算装置28の他の入力端には設定部29が接
続されている。この演算部28は受光器27の出力に基づい
てオリフラ1aの位置を検出し、この検出結果と、設定部
29からの指令信号とに基づいて、ウエハ1内において測
定すべき位置を演算するように構成されている。そし
て、この演算装置28による演算結果は後記する移動装置
のコントローラに送信されるようになっている。
A measurement position calculator 28 is connected to an output terminal of the light receiver 27, and a setting unit 29 is connected to another input terminal of the calculator 28. The calculation unit 28 detects the position of the orientation flat 1a based on the output of the light receiver 27,
The position to be measured in the wafer 1 is calculated based on the command signal from the controller 29. The calculation result by the calculation device 28 is transmitted to a controller of a mobile device described later.

その移動装置31はXYテーブル32を備えており、XYテー
ブル32は処理容器2のオリフラ検出装置21と反対側の片
脇に水平に配されて設備されている。XYテーブル32上に
はモータ33が垂直上向きに配されてXY方向に移動される
ように据え付けられており、モータ33の回転軸34にはア
ーム35が水平に配されて、一体回動されるように一端部
を固定的に支持されている。アーム35の自由端部には後
記する測定装置が一体移動されるように支持されてい
る。移動装置31のXYテーブル32およびモータ33はコント
ローラ36によって制御されるように構成されており、こ
のコントローラ36は前記測定位置演算装置28の指令によ
りXYテーブル32およびモータ33をして、測定装置を所定
の位置に移動させるように構成されている。
The moving device 31 includes an XY table 32. The XY table 32 is provided horizontally on one side of the processing container 2 on the side opposite to the orientation flat detector 21. A motor 33 is mounted on the XY table 32 so as to be arranged vertically upward and moved in the XY direction, and an arm 35 is horizontally arranged on a rotation shaft 34 of the motor 33 and is integrally rotated. Is fixedly supported at one end. A measuring device described later is supported on the free end of the arm 35 so as to be integrally moved. The XY table 32 and the motor 33 of the moving device 31 are configured to be controlled by a controller 36.The controller 36 controls the XY table 32 and the motor 33 in accordance with a command from the measurement position calculation device 28, and controls the measurement device. It is configured to be moved to a predetermined position.

測定装置40は鏡筒形状に形成された本体41を備えてお
り、本体41は前記移動装置31におけるアーム35の自由端
部に支持されている。本体41には投光器42と受光器43と
が設備されている。投光器42はスピンヘッド10に保持さ
れたウエハ1に測定光を照射するように構成されてお
り、受光器43はウエハ1により反射された測定光を受光
するように構成されている。
The measuring device 40 includes a main body 41 formed in a lens barrel shape, and the main body 41 is supported by a free end of the arm 35 of the moving device 31. The main body 41 is provided with a light emitter 42 and a light receiver 43. The light projector 42 is configured to irradiate the wafer 1 held by the spin head 10 with measurement light, and the light receiver 43 is configured to receive the measurement light reflected by the wafer 1.

また、本体41にはレンズ44が投光器42および受光器43
の前方に配設されており、このレンズ44は本体41に取り
付けられた測定エリア拡大縮小装置45により測定エリア
を拡大縮小変更調整されるように構成されている。受光
器43の出力端には判定装置46が接続されており、判定装
置46の他の入力端には設定部47が接続されている。さら
に、判定装置46の別の入力端には同期装置49が接続され
ており、同期装置49はモータ8に付設されたエンコーダ
48からの検出信号に基づき、同期信号を判定装置46に送
信するようになっている。そして、判定装置46は後述す
るような作用により現像の終点検出を、回転されるウエ
ハ1内の同一箇所に対してウエハ1の回転に同期して実
行するように構成されている。
In addition, a lens 44 is provided on the main body 41 with a light emitter 42 and a light receiver 43.
This lens 44 is configured so that the measurement area can be scaled and adjusted by a measurement area scaling device 45 attached to the main body 41. A determination device 46 is connected to an output terminal of the light receiver 43, and a setting unit 47 is connected to another input terminal of the determination device 46. Further, a synchronization device 49 is connected to another input terminal of the determination device 46, and the synchronization device 49 is an encoder attached to the motor 8.
A synchronization signal is transmitted to the determination device 46 based on the detection signal from 48. The judging device 46 is configured to execute the detection of the end point of the development at the same position in the wafer 1 to be rotated in synchronization with the rotation of the wafer 1 by an operation described later.

次に、前記構成に係る現像装置の作用を形成すること
により、本発明の一実施例である回転処理方法を現像処
理方法に適用した場合について説明する。
Next, a description will be given of a case where the rotation processing method according to an embodiment of the present invention is applied to the development processing method by forming the operation of the developing device having the above-described configuration.

レジスト1bを塗布され、かつ、露光されたウエハ1が
ローディング装置により、処理容器2の真上に搬入され
ると、エレベータ5によりテーブル7が上昇されること
により、スピンヘッド10が上昇され、ウエハ1がスピン
ヘッド10上に移載される。
When the resist 1b is applied and the exposed wafer 1 is loaded directly above the processing container 2 by the loading device, the table 7 is raised by the elevator 5, and the spin head 10 is raised, and the wafer 1 is transferred onto the spin head 10.

続いて、心合わせ装置16における前後一対の各シリン
ダ装置17、17が作動され、その各ピストンロッド18、18
の先端部に支持された型板19、19がウエハ1の円周面に
両脇から前後対称に当接されることにより、ウエハ1が
位置規制される。この型板19、19の両脇からの位置規制
はスピンヘッド10の中心線に対して対称形に実施される
ため、ウエハ1はスピンヘッド10の中心線に心合わせさ
れることになる。そして、このように心合わせされた状
態で、ウエハ1はスピンヘッド10により真空吸着保持さ
れる。
Subsequently, the pair of front and rear cylinder devices 17, 17 in the centering device 16 are operated, and the respective piston rods 18, 18
The position of the wafer 1 is regulated by contacting the template 19, 19 supported on the tip of the wafer 1 with the circumferential surface of the wafer 1 from both sides symmetrically. Since the position regulation from both sides of the template 19 is performed symmetrically with respect to the center line of the spin head 10, the wafer 1 is centered on the center line of the spin head 10. In this state, the wafer 1 is vacuum-adsorbed and held by the spin head 10.

次いで、オリフラ検出装置21におけるXYテーブル22お
よびモータ23が作動され、アーム25の回動によりその先
端部に設備されている投光器26および受光器27がウエハ
1の片脇に接近される。続いて、スピンヘッド10に保持
されたウエハ1がモータ8により緩やかに回転されると
ともに、投光器26がウエハ1を投光する。ウエハ1の回
転に伴って、ウエハ1に投光された光はオリフラ1aがそ
こを通過する時に、オリフラ1aの部分を透過するため、
受光器27により受光される。したがって、現在、スピン
ヘッド10に保持されているウエハ1におけるオリフラ1a
の位置は受光器27の出力により検出されることになる。
Then, the XY table 22 and the motor 23 in the orientation flat detector 21 are operated, and the rotation of the arm 25 causes the light emitter 26 and the light receiver 27 provided at the distal end thereof to approach one side of the wafer 1. Subsequently, the wafer 1 held by the spin head 10 is gently rotated by the motor 8, and the light projector 26 projects the wafer 1. With the rotation of the wafer 1, the light projected on the wafer 1 passes through the portion of the orientation flat 1a when the orientation flat 1a passes therethrough.
The light is received by the light receiver 27. Therefore, the orientation flat 1a on the wafer 1 currently held by the spin head 10
Is detected by the output of the light receiver 27.

そして、受光器27の検出出力は測定位置演算部28に送
信される。この演算部28は受光器27の出力に基づいて、
現在、スピンヘッド10に保持されているウエハ1におけ
るオリフラ1aの位置を検出する。
Then, the detection output of the light receiver 27 is transmitted to the measurement position calculator 28. This calculation unit 28 is based on the output of the light receiver 27,
At present, the position of the orientation flat 1a on the wafer 1 held by the spin head 10 is detected.

他方、この演算部28には測定装置21による測定を実行
すべきウエハ1上の位置が、設定部29から入力されてい
る。すなわち、設定部29は測定実行位置を、ウエハ1の
オリフラ1aに対する座標位置によって指示している。そ
して、演算部28は検出された現在のオリフラ1aの位置と
設定部29からの指示位置とにより、現在、スピンヘッド
10に保持されているウエハ1における測定実行位置を求
め、その座標位置を移動装置31のコントローラ36に送信
する。
On the other hand, the position on the wafer 1 where the measurement by the measuring device 21 is to be performed is input from the setting unit 29 to the arithmetic unit 28. That is, the setting unit 29 indicates the measurement execution position by the coordinate position of the wafer 1 with respect to the orientation flat 1a. The arithmetic unit 28 determines the current position of the spin head based on the detected current position of the orientation flat 1a and the position indicated by the setting unit 29.
The measurement execution position on the wafer 1 held by 10 is obtained, and the coordinate position is transmitted to the controller 36 of the moving device 31.

コントローラ36はこの送信に基づいてXYテーブル32お
よびモータ33を制御することにより、アーム35の先端部
に支持されている測定装置40を指定された座標位置に移
動させる。これにより、測定装置40はスピンヘッド10に
現在保持され、これから測定が実行されるウエハ1内に
おける測定実行装置に対向されることになる。なお、本
実施例において、測定装置40の移動はウエハ1が処理容
器2の内部に下降された後に実行されるが、下降される
以前に実行するように構成してもよい。
The controller 36 controls the XY table 32 and the motor 33 based on this transmission, thereby moving the measuring device 40 supported by the tip of the arm 35 to the designated coordinate position. As a result, the measurement device 40 is currently held by the spin head 10 and faces the measurement execution device in the wafer 1 on which measurement is to be performed. In the present embodiment, the movement of the measuring device 40 is performed after the wafer 1 has been lowered into the processing chamber 2, but may be configured to be performed before the wafer 1 is lowered.

現像作業が開始される際、スピンヘッド10に保持され
たウエハ1はエレベータ5の作動により処理容器2の内
部に下降される。
When the developing operation is started, the wafer 1 held by the spin head 10 is lowered into the processing container 2 by the operation of the elevator 5.

そして、スピンヘッド10に保持されたウエハ1は、モ
ータ8により回転されながら、その上面に給液管12によ
り現像液11を供給される。ウエハ1上に供給された現像
液11は、ウエハ1の回転および液の表面張力によりウエ
ハ1の全面に均等に拡散されて塗布される。このとき、
給液管12を水平移動させると、現像液11がウエハ1上に
より一層均一に塗布される。ウエハ1の上面全体に現像
液11が塗布されると、モータ8の回転が停止される。
The developing solution 11 is supplied to the upper surface of the wafer 1 held by the spin head 10 by the liquid supply pipe 12 while being rotated by the motor 8. The developer 11 supplied onto the wafer 1 is evenly diffused and applied to the entire surface of the wafer 1 by the rotation of the wafer 1 and the surface tension of the liquid. At this time,
When the liquid supply pipe 12 is moved horizontally, the developer 11 is more uniformly applied on the wafer 1. When the developer 11 is applied to the entire upper surface of the wafer 1, the rotation of the motor 8 is stopped.

他方、現像液11がウエハ1上に供給されると、測定装
置40による終点検出作業が開始される。すなわち、投光
器42により非露光型単色光波長の測定光が現像中のウエ
ハ1に照射されるとともに、ウエハ1からの反射光が受
光器43により受光される。ウエハ1によって反射されて
受光器43によりサンプリングされた測定光の反射率は、
現像の進行に伴うレジスト1bの膜厚変化に応じて、第5
図に示されているように、正弦曲線を描く。
On the other hand, when the developing solution 11 is supplied onto the wafer 1, the end point detecting operation by the measuring device 40 is started. That is, the measuring light of the non-exposure type monochromatic light wavelength is applied to the developing wafer 1 by the light projector 42, and the reflected light from the wafer 1 is received by the light receiver 43. The reflectance of the measurement light reflected by the wafer 1 and sampled by the light receiver 43 is:
Depending on the change in the thickness of the resist 1b as the development proceeds, the fifth
Draw a sinusoidal curve as shown.

このように、反射光強度にばらつきが見られるのは、
第6図(a)、(b)、(c)に示されているように、
レジスト1bの最上端表面からの反射光と、ウエハ1の下
地表面からの反射光との間に薄膜干渉が発生しているこ
とによる。第6図(c)に示されている干渉縞の終端と
一定に近い反射率レベルの出し部分がフィルム膜厚喪失
終了ポイントであり、真の意味での終点になる。
Thus, the variation in reflected light intensity is seen
As shown in FIGS. 6 (a), (b) and (c),
This is because thin-film interference occurs between the reflected light from the uppermost end surface of the resist 1b and the reflected light from the base surface of the wafer 1. The end of the interference fringes shown in FIG. 6 (c) and the portion where the reflectance level is almost constant are the end points of the loss of the film thickness, and are the true end points.

最初、第6図(b)に示されているように、現像は垂
直方向に急速に進行する。これが反射光強度が正弦曲線
変化を示す理由になっている。現像が進行して行くと、
第6図(c)に示されているように、サブストレートか
らレジストが初めて除去されるタイミングが到来する。
終点時間は、1/2フリンジ早い時期に相当するが、これ
は終点時間の方がブレークスルーに比べて遥かに正確に
識別できるからである。レジスト1bの除去が行われる
と、現像が続行される中で、露光済みのラインエッジが
大きく横移動する。このため、現像の進行中において
は、初期のレジスト1bによる干渉膜特性は見られなくな
る。干渉縞の幅は露光ウエハのパーセンテージと平均の
最小線幅で決まって来る。
Initially, development proceeds rapidly in the vertical direction, as shown in FIG. 6 (b). This is the reason why the reflected light intensity shows a sinusoidal change. As development progresses,
As shown in FIG. 6 (c), it is time to remove the resist from the substrate for the first time.
The end time corresponds to 1/2 fringe earlier, because the end time can be identified much more accurately than the breakthrough. When the resist 1b is removed, the exposed line edge largely moves laterally while the development is continued. Therefore, during the development, the interference film characteristics due to the initial resist 1b cannot be seen. The width of the interference fringes is determined by the percentage of the exposed wafer and the average minimum line width.

測定装置40によるこのような終点検出作業は、前記し
た作動により、測定装置40が移動装置31によりウエハ1
の所定位置に対向されているため、ウエハ1の所定の場
所に対して常に実行されることになる。しかも、この測
定装置40による終点検出作業は同期装置49によりウエハ
1の回転に同期されて実行されるため、ウエハ1の回転
中もウエハ1の所定の場所に対して終点検出作業が実行
される。
Such an end point detection operation by the measuring device 40 is performed by the operation described above, and the measuring device 40
Therefore, the process is always performed on a predetermined position of the wafer 1. In addition, since the end point detection operation by the measuring device 40 is executed in synchronization with the rotation of the wafer 1 by the synchronization device 49, the end point detection operation is executed at a predetermined position on the wafer 1 even during the rotation of the wafer 1. .

すなわち、ウエハ1の回転は、モータ8の回転を検出
するエンコーダ48により検出される。このエンコーダ48
の検出信号は同期装置49に送信され、同期装置49により
同期信号が作成されて、測定装置40の投光器42に送信さ
れる。投光器42がこの同期信号に同期して投光すると、
受光器43はウエハ1の回転に同期して受光することにな
るため、前記終点検出作業はウエハ1の回転に同期して
実行される。そして、例えば、ウエハ1の1回転毎に投
光器42が1回投光するように設定されている場合、受光
器43による終点検出作業はウエハ1の回転中においても
常に一定の場所について実行されることになる。
That is, the rotation of the wafer 1 is detected by the encoder 48 that detects the rotation of the motor 8. This encoder 48
Is transmitted to the synchronization device 49, a synchronization signal is created by the synchronization device 49, and the synchronization signal is transmitted to the projector 42 of the measurement device 40. When the projector 42 emits light in synchronization with this synchronization signal,
Since the light receiver 43 receives light in synchronization with the rotation of the wafer 1, the end point detection operation is executed in synchronization with the rotation of the wafer 1. For example, when the light emitter 42 is set to emit light once for each rotation of the wafer 1, the end point detection operation by the light receiver 43 is always performed at a fixed place even while the wafer 1 is rotating. Will be.

また、ウエハ1の一定の場所に対する終点検出作業の
エリアが拡大または縮小される場合には、例えば、拡大
縮小装置45によってレンズ44の位置が変更されることに
より、投光器42の照明スポットの径が拡大または縮小さ
れる。すなわち、投光器43による照明エリアが拡大また
は縮小されることにより、受光器42による測定エリアも
拡大または縮小される。
When the area of the end point detection operation with respect to a certain place on the wafer 1 is enlarged or reduced, for example, the position of the lens 44 is changed by the enlargement / reduction device 45 so that the diameter of the illumination spot of the light projector 42 is reduced. Scaled up or down. That is, as the illumination area of the light projector 43 is enlarged or reduced, the measurement area of the light receiver 42 is also enlarged or reduced.

このようにして、ウエハ1の一定の場所に対して終点
検出が、各ウエハ1に対する現像作業の都度、常に実行
されると、ウエハ1内におけるレジスト1b下のパターン
の状況において粗密の差があった場合であっても、各ウ
エハ1、1・・・の相互間においては差がない終点検出
が実行されることになる。したがって、ウエハ1におけ
る前記一定の場所について、現像進行度と受光器43の出
力状況との関係を求めておくことにより、同種のウエハ
1、1相互間においては、各現像処理の都度、常に一定
の終点検出を実行することができる。その結果、同種の
ウエハ1のそれぞれに対する現像処理について品質およ
び信頼性を高めることができる。
In this way, if the end point detection is always performed for a certain location of the wafer 1 every time the developing operation for each wafer 1 is performed, there is a difference in the density of the pattern under the resist 1 b in the wafer 1. , The end point detection is performed without any difference between the wafers 1, 1,.... Therefore, by obtaining the relationship between the development progress degree and the output state of the light receiving device 43 for the certain place on the wafer 1, the same kind of wafers 1 and 1 are always kept constant each time each development processing is performed. Can be performed. As a result, the quality and reliability of the development processing for each of the same kind of wafers 1 can be improved.

そして、ウエハ1における前記一定の場所についての
現増進行度と、受光器43の出力状況との関係は、実験や
過去の実績等による経験則により予め求められ、設定部
47に設定されている。この設定部47からの出力状況と、
受光器43からの現実の出力状況とが判定装置46において
照合され、ウエハ1の一定の場所についての終点検出が
適正に実行される。
The relationship between the current increase degree of the certain place on the wafer 1 and the output state of the light receiver 43 is obtained in advance by an empirical rule based on experiments, past results, and the like.
It is set to 47. The output status from this setting unit 47,
The actual output status from the light receiver 43 is compared with the actual output status in the determination device 46, and the end point detection at a certain location on the wafer 1 is properly executed.

判定装置46において前記現像の終点が判定されると、
モータ8が回転され始めるとともに、洗浄液供給ユニッ
ト15からの純水が水洗ノズル14からウエハ1に供給され
る。これにより、ウエハ1上の現像液11が純水により洗
い流されるとともに、遠心分離されるため、現像の進行
が停止されて現像が定着される。このとき、水洗ノズル
14が水平移動されると、洗浄がより効果的に実行され
る。
When the end point of the development is determined by the determination device 46,
As the motor 8 starts rotating, pure water from the cleaning liquid supply unit 15 is supplied to the wafer 1 from the washing nozzle 14. As a result, the developing solution 11 on the wafer 1 is washed away with pure water and centrifuged, so that the development is stopped and the development is fixed. At this time, the washing nozzle
When the 14 is moved horizontally, the cleaning is performed more effectively.

現像が定着されると、適当な遠心脱水後、ウエハ1は
エレベータ5により処理容器2内からアンローディング
装置の位置まで上昇され、アンローディング装置により
スピンヘッド10から下ろされて、次工程へ搬出されて行
く。
When the development is fixed, after appropriate centrifugal dehydration, the wafer 1 is raised from the inside of the processing container 2 to the position of the unloading device by the elevator 5, lowered by the unloading device from the spin head 10, and carried out to the next step. Go.

以降、前記作動が繰り返されることにより、各ウエハ
1について現像作業が順次、枚葉処理されて行く。そし
て、各ウエハ1の現像処理の都度、ウエハ1内の同一場
所を使用した終点検出が実行されるため、各ウエハ1、
1・・・相互間の終点検出は同一性をそれぞれ保つよう
に実行されることになる。したがって、各ウエハ1、1
・・・相互間において、現像処理にばらつきがないた
め、一定品質および信頼性が確保され、この処理を経て
得られる製品の品質および信頼性が高められることにな
る。
Thereafter, by repeating the above operation, the developing operation is sequentially performed on each wafer 1 one by one. Then, each time the development processing of each wafer 1 is performed, the end point detection using the same location in the wafer 1 is performed.
1 ... End point detection between each other is executed so as to maintain the same identity. Therefore, each wafer 1, 1
... Because there is no variation in the development processing between the processings, constant quality and reliability are ensured, and the quality and reliability of products obtained through this processing are improved.

前記実施例によれば次の効果が得られる。 According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

(1) 各処理の都度、被処理物の相互間において被処
理物内の同一場所について終点検出のサンプリングを実
行することにより、被処理物内において処理の進行状況
に地域的な差(ばらつき)があった場合であっても、各
被処理物の相互間については差のない終点検出が常に一
定に実行されるため、各処理相互間について一定の品質
および信頼性を維持することができ、その結果、その処
理を経て得られる製品の品質および信頼性を高めること
ができる。
(1) By performing sampling of the end point detection for the same place in the processing object between the processing objects each time the processing is performed, a regional difference (variation) in the progress of the processing in the processing object is obtained. Even if there is, since the end point detection with no difference is always performed constantly between each of the objects to be processed, it is possible to maintain constant quality and reliability between each of the processes, As a result, the quality and reliability of the product obtained through the processing can be improved.

(2) ウエハに対する回転処理装置の終点検出装置に
おいて、ウエハ中の特徴部としてオリフラを検出するよ
うに構成することにより、このオリフラとウエハ内のXY
座標との関係により定点を簡単に求めることができるた
め、終点検出装置の構造を簡単化することができるとと
もに、定点測定検出の作業性を高めることができる。
(2) By configuring the end point detection device of the rotary processing device for the wafer to detect the orientation flat as a feature in the wafer, the orientation flat and the XY in the wafer are detected.
Since the fixed point can be easily obtained based on the relationship with the coordinates, the structure of the end point detecting device can be simplified, and the workability of the fixed point measurement detection can be improved.

(3) ウエハに対する回転処理装置の終点検出装置に
おいて、測定装置の測定をウエハの回転に同期させるこ
とにより、ウエハの回転中においてもウエハ内の定点に
ついて測定を続行させることができるため、終点検出の
精度および信頼性を高めることができる。
(3) In the end point detection device of the rotation processing device for the wafer, by synchronizing the measurement of the measurement device with the rotation of the wafer, the measurement can be continued at a fixed point in the wafer even during the rotation of the wafer. Accuracy and reliability can be improved.

(4) 終点検出装置における測定装置の測定エリアを
拡大または縮小変更調整し得るように構成することによ
り、製品の機種や処理条件等のような設定条件の相違に
対応して最適の測定エリアを選定することができるた
め、終点検出および処理の精度や信頼性をより一層高め
ることができる。
(4) By configuring so that the measurement area of the measurement device in the end point detection device can be enlarged or reduced and adjusted, an optimal measurement area can be set in response to a difference in setting conditions such as a product model and processing conditions. Since the selection can be made, the accuracy and reliability of the end point detection and processing can be further improved.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the invention. Nor.

例えば、ウエハの特徴部を検出する装置は、ウエハの
オリフラを検出するように構成するに限らず、ウエハに
形成された特徴のあるパターン等のような他の特徴部を
検出するように構成してもよい。
For example, an apparatus for detecting a characteristic portion of a wafer is not limited to detecting the orientation flat of the wafer, but may be configured to detect another characteristic portion such as a characteristic pattern formed on the wafer. You may.

測定光としては、非露光型単色光波長の光を使用する
に限らず、偏向光等を使用してもよい。
The measurement light is not limited to the light of the non-exposure type monochromatic light wavelength, but may be a polarized light or the like.

オリフラ検出装置、移動装置、測定装置および現像装
置の具体的構造は、前記実施例に開示された構成に限定
されるものではない。
The specific structures of the orientation flat detector, the moving device, the measuring device, and the developing device are not limited to the configurations disclosed in the above embodiments.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である現像技術に適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、回転によってレジストをウエハ上に塗布するため
のスピンナ塗布装置等のような回転処理装置全般および
それらの回転処理装置による回転処理方法全般に適用す
ることができる。例えば、スピンナ塗布装置の場合、終
点検出は回転によってウエハ上に形成される塗膜の厚さ
について実行されることになる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the developing technique which is the background of the application has been described. However, the present invention is not limited to this, and the resist is coated on the wafer by rotation. To a general rotation processing apparatus such as a spinner coating apparatus and a general rotation processing method using such a rotation processing apparatus. For example, in the case of a spinner coating apparatus, end point detection is performed on the thickness of a coating film formed on a wafer by rotation.

また、ウエハに対して処理する場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、ホトマスクやプリ
ント配線基板等のように、回転によって現像や塗布等の
ような処理が施される被処理物全般に適用することがで
きる。
Also, the case of processing on a wafer has been described. However, the present invention is not limited to this, and is generally applied to a processing target such as a photomask or a printed wiring board, which is subjected to processing such as development or coating by rotation. Can be applied to

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りであ
る。
The effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

各処理の都度、被処理物の相互間において被処理物内
の同一場所について終点検出のサンプリングを実行する
ことにより、被処理物内において処理の進行状況に地域
的な差(ばらつき)があった場合であっても、各被処理
物の相互間については差のない終点検出が常に一定に実
行されるため、各処理相互間について一定の品質および
信頼性を維持することができ、その結果、その処理を経
て得られる製品の品質および信頼性を高めることができ
る。
By performing sampling of the end point detection for the same place in the processing object between the processing objects each time, there is a regional difference (variation) in the progress of the processing in the processing object. Even in this case, since the end point detection with no difference is always performed constantly between the respective objects to be processed, it is possible to maintain a constant quality and reliability between the respective processes, and as a result, The quality and reliability of the product obtained through the processing can be improved.

また、終点が検出される際に、被処理物上における測
定エリアが拡大縮小変更調整されることにより、被処理
物の機種や処理条件等の設定条件の相違に相対して最適
の測定エリアを選定することができるため、終点検出お
よび処理の精度や信頼性をより一層高めることができ
る。
In addition, when the end point is detected, the measurement area on the workpiece is scaled and adjusted, so that the optimal measurement area can be determined in response to the difference in the setting conditions such as the model of the workpiece and processing conditions. Since the selection can be made, the accuracy and reliability of the end point detection and processing can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例であるウエハ現像装置を示す
模式的正面断面図、 第2図はオリエンテーションフラット検出作業を示す模
式的正面断面図、 第3図は第2図のIII−III線に沿う平面図、 第4図は終点検出装置を示すブロック図、 第5図および第6図(a)、(b)、(c)はその作用
を説明するための各説明図である。 1……ウエハ(被処理物)、2……処理容器、3……給
気口、4……排気口、5……エレベータ、6……ストロ
ーク軸、7……テーブル、8……モータ、9……回転
軸、10……スピンヘッド、11……現像液、12……給液
管、13……給液ユニット、14……水洗ノズル、15……洗
浄液供給ユニット、16……心合わせ装置、17……シリン
ダ装置、18……ピストンロッド、19……型板、20……終
点検出装置、21……オリフラ検出装置、22……XYテーブ
ル、23……モータ、24……回転軸、25……アーム、26…
…投光器、27……受光器、28……測定位置演算部、29…
…設定部、31……移動装置、32……XYテーブル、33……
モータ、34……回転軸、35……アーム、36……コントロ
ーラ、40……測定装置、41……本体、42……投光器、43
……受光器、44……レンズ、45……拡大縮小装置、46…
…判定装置、47……設定部、48……エンコーダ、49……
同期装置。
FIG. 1 is a schematic front sectional view showing a wafer developing apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic front sectional view showing an orientation flat detecting operation, and FIG. 3 is a III-III in FIG. FIG. 4 is a block diagram showing an end point detecting device, and FIGS. 5 and 6 are explanatory views for explaining the operation thereof. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (workpiece), 2 ... Processing container, 3 ... Air supply port, 4 ... Exhaust port, 5 ... Elevator, 6 ... Stroke axis, 7 ... Table, 8 ... Motor, 9 ... rotating shaft, 10 ... spin head, 11 ... developer, 12 ... liquid supply pipe, 13 ... liquid supply unit, 14 ... washing nozzle, 15 ... cleaning liquid supply unit, 16 ... alignment Device, 17… Cylinder device, 18… Piston rod, 19… Mold plate, 20… End point detection device, 21… Ori-flat detection device, 22 XY table, 23… Motor, 24… Rotating shaft , 25 ... arm, 26 ...
... Emitter, 27 ... Receiver, 28 ... Measurement position calculator, 29 ...
… Setting unit, 31… Moving device, 32… XY table, 33…
Motor, 34: Rotating shaft, 35: Arm, 36: Controller, 40: Measuring device, 41: Main body, 42: Emitter, 43
…… Receiver, 44 …… Lens, 45 …… Enlargement / reduction device, 46…
... Judgment device, 47 ... Setting unit, 48 ... Encoder, 49 ...
Synchronization device.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】被処理物が回転されながら被処理物の上に
処理液が供給されて拡散され、この処理液による処理の
終点が検出される回転処理方法において、 前記被処理物の特定の形状が認識され認識された特定形
状の場所に基づいて前記被処理物上の所定の測定実行場
所が求められ、 前記被処理物の回転と同期されて前記求められた測定実
行場所に測定光が照射されるとともに、測定実行場所か
らの反射光が受光され、その受光出力に基づいて前記終
点が検出され、 前記終点が検出される際に、前記被処理物上における測
定エリアが拡大縮小変更調整されることを特徴とする回
転処理方法。
1. A rotation processing method in which a processing liquid is supplied and diffused onto a processing object while the processing object is being rotated, and an end point of processing by the processing liquid is detected. A predetermined measurement execution location on the workpiece is determined based on the location of the specific shape whose shape is recognized and recognized, and the measurement light is emitted to the determined measurement execution location in synchronization with the rotation of the workpiece. While being irradiated, the reflected light from the measurement execution place is received, the end point is detected based on the received light output, and when the end point is detected, the measurement area on the workpiece is changed in scale. A rotation processing method.
【請求項2】受光出力に基づく終点検出に際し、受光強
度の時間的変化が予め求めた反射光強度の時間的変化と
照合され、現在の受光強度の値が予め求めた反射光強度
の時間的変化において予め設定された値と実質的に一致
した時点をもって終点と判定されることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の回転処理方法。
2. The method according to claim 1, wherein when detecting an end point based on the received light output, a temporal change in the received light intensity is compared with a temporal change in the reflected light intensity determined in advance, and a current value of the received light intensity is compared with the temporal change in the reflected light intensity determined in advance. 2. The rotation processing method according to claim 1, wherein an end point is determined when a change substantially coincides with a preset value.
【請求項3】被処理物を保持して回転させるスピンヘッ
ドと、スピンヘッドに保持された被処理物上に処理液を
供給する給液管と、被処理物に測定光を照射して、その
反射光を受光するとともに、その受光出力に基づいて処
理液による処理の終点を検出する終点検出装置とを備え
ている回転処理装置において、前記終点検出装置が被処
理物内における所定の場所を検出し、この検出した場所
に前記測定光を前記スピンヘッドの回転に同期して照射
するとともに、この場所からの反射光を受光し、その受
光出力によりこの場所についての前記終点を検出するよ
うに構成されており、前記測定装置が前記被処理物上に
おける測定エリアを拡大縮小変更調整するように構成さ
れていることを特徴とする回転処理装置。
3. A spin head for holding and rotating an object to be processed, a liquid supply pipe for supplying a processing liquid onto the object to be processed held by the spin head, and irradiating the object to be measured with measurement light; An end point detection device that receives the reflected light and detects an end point of the processing with the processing liquid based on the received light output, wherein the end point detection device locates a predetermined place in the workpiece. Detecting, irradiating the detected light with the measurement light in synchronization with the rotation of the spin head, receiving reflected light from this position, and detecting the end point of the position by the light reception output. A rotation processing device, wherein the measurement device is configured to adjust a scaling of a measurement area on the workpiece.
【請求項4】前記終点検出装置が、前記被処理物の特徴
部を検出する特徴部検出装置と、この検出された特徴部
に基づいて求められた所定の場所に前記測定光を照射す
るとともに、この場所からの反射光を受光する測定装置
と、この測定装置の測定を前記スピンヘッドの回転に同
期させる同期装置とを備えていることを特徴とする特許
請求の範囲第3項記載の回転処理装置。
4. An apparatus according to claim 1, wherein said end point detection device irradiates said measurement light to a predetermined portion determined based on said detected characteristic portion, and a characteristic portion detection device for detecting a characteristic portion of said workpiece. 4. The rotating device according to claim 3, further comprising a measuring device for receiving the reflected light from the place, and a synchronizing device for synchronizing the measurement of the measuring device with the rotation of the spin head. Processing equipment.
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