JP3303963B2 - Wafer thickness machining amount measuring device - Google Patents

Wafer thickness machining amount measuring device

Info

Publication number
JP3303963B2
JP3303963B2 JP767697A JP767697A JP3303963B2 JP 3303963 B2 JP3303963 B2 JP 3303963B2 JP 767697 A JP767697 A JP 767697A JP 767697 A JP767697 A JP 767697A JP 3303963 B2 JP3303963 B2 JP 3303963B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
wafer
polishing
sensor
surface
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP767697A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10202520A (en )
Inventor
文豪 周
高男 稲葉
Original Assignee
株式会社東京精密
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの厚み加工量測定装置に係り、特にCMP等の研磨装置において、 The present invention relates to relates to a thickness machining amount measuring apparatus of the wafer, especially in the polishing apparatus, such as CMP,
ウェーハの厚み加工量等をインラインで測定するウェーハの厚み加工量測定装置に関する。 Thickness processing of the wafer concerning the thickness machining amount measuring apparatus of the wafer is measured inline.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体ウェーハ等のウェーハ表面を加工する研磨・研削装置において、加工中のウェーハの厚み加工量の測定は、ウェーハの加工終点を検出するための測定に使用され、ウェーハの品質と装置のクローズループ制御のために重要な役割を有している。 BACKGROUND OF THE INVENTION polishing and grinding apparatus for processing a wafer surface such as a semiconductor wafer, measuring the thickness processing of the wafer during processing, is used to measure for detecting the end point of processing of the wafer, and wafer quality It has an important role for the closed-loop control device.

【0003】従来、CMP装置等の研磨加工装置においては、ウェーハの厚み加工量を直接測定するのが困難なため、研磨定盤又はウェーハ固定スピンドルに使用されるモータの電流変化からこの加工量を検出している(モータ電流検出法)。 Conventionally, in the polishing apparatus of a CMP apparatus or the like, because it is difficult to measure the thickness processing of the wafer directly, the amount of processing from the current change in the motor used in the polishing platen or the wafer fixed spindle It is detected (motor current detection method).

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述のモータ電流検出法のようにモータの電流変化から加工量を測定する場合、間接的な測定となるため、測定精度が悪いという欠点がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, when measuring the amount of processing from the current change in the motor as in the above motor current detection method, since the indirect measurement, the measurement accuracy is a drawback of poor. 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの表面を研磨する研磨機において加工中のウェーハの厚み加工量を直接的にインラインで測定することができるウェーハの厚み加工量測定装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, the wafer thickness machining quantity measuring device capable of measuring directly in line thickness processing of the wafer during processing in a polishing machine for polishing the surface of the wafer an object of the present invention is to provide a.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハの裏面をウェーハテーブルで保持した状態で研磨定盤に取り付けられた研磨布に前記ウェーハの表面を押し付けながら前記ウェーハテーブルと前記研磨定盤を相対的に回転させて前記ウェーハの表面を研磨する研磨機に使用されるウェーハの厚み加工量測 The present invention SUMMARY OF], in order to achieve the above object, the while pressing the surface of the wafer to the polishing cloth attached to the polishing platen while holding the back surface of the wafer in the wafer table wherein the wafer table the polishing platen is rotated relative measuring thickness processing of the wafer to be used in polishing machine for polishing the surface of the wafer
定装置であって 、前記研磨定盤に設けられた前記ウェーハの表面を臨む第1の穴と、前記研磨定盤に設けられた前記ウェーハの裏面と一定の距離にある基準面を臨む第2の穴と、前記第1の穴に設置され、前記ウェーハの表面までの距離を非接触で測定する第1の測長手段と、前記第2の穴に設置され、前記ウェーハの裏面と一定の距離にある前記基準面までの距離を非接触で測定する第2 A constant device, a first hole facing the surface of the wafer provided in the polishing table, a second facing the reference surface on the back with a certain distance of the wafer provided on the polishing table of the hole, is disposed in the first bore, a first measuring means for measuring the distance to the surface of the wafer in a non-contact, the installed in the second hole, the fixed and the back surface of the wafer second measuring distance a distance to the reference plane in a non-contact
の測長手段と、から成り、前記ウェーハの表面までの距離と前記ウェーハの裏面までの距離の差の変化量から前記ウェーハの厚み加工量を測定するウェーハの厚み加工量測定装置において、 前記第2の穴は前記第1の穴と同 In between the measuring means consist, distance and thickness machining amount measuring apparatus of the measurement to roux Eha thickness machining of the wafer from the amount of change in the difference between the distance to the back surface of the wafer to the surface of the wafer, said second hole is the same as the first hole
一の穴であり、前記第1の測長手段が前記第2の測長手 Is one of the holes, said first measuring means and the second measuring longitudinal
段を兼ねることを特徴としている。 It is characterized in that also serves as a stage.

【0006】本発明によれば、第1の測長手段によってウェーハの表面(研磨面)までの距離を研磨定盤に設けられた第1の穴から非接触で測定し、第2の測長手段によってウェーハの裏面と一定の距離にある基準面までの距離を研磨定盤に設けられた第2の穴から非接触で測定する。 According to the present invention, the distance to the wafer polishing surface is measured without contact from a first hole provided in the polishing table by the first measuring means, a second measurement the distance between the back surface of the wafer to the reference plane at the predetermined distance is measured in a non-contact from the second holes provided in the polishing table by means. そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚み加工量を測定する。 Then, to measure the thickness processing of the wafer from the difference between the amount of change in these distances. これにより、ウェーハの研磨加工中にインラインでウェーハの厚み加工量を測定することができる。 Thus, it is possible to measure the thickness processing of the wafer in-line during the polishing of the wafer. また、研磨定盤を静止させてウェーハテーブルのみを回転させることにより、ウェーハの円周方向の厚み分布を測定することができる。 Further, the polishing table by rotating only the wafer table by stationary, it is possible to measure the circumferential thickness distribution of the wafer.

【0007】 [0007]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係るウェーハの厚み加工量測定装置の好ましい実施の形態について詳説する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION will be described in detail preferred embodiments of the wafer thickness machining amount measuring apparatus according to the present invention with reference to the accompanying drawings. 図1は、本発明に係るウェーハの厚み加工量測定装置が適用されるウェーハ研磨装置の要部構造図である。 Figure 1 is a main portion structural view of a wafer polishing apparatus the wafer thickness machining amount measuring device is applied according to the present invention. 図1に示すようにウェーハ研磨装置は、 Wafer polishing apparatus as shown in Figure 1,
研磨定盤10と、ウェーハテーブル18とを備え、ウェーハテーブル18の下面にウェーハ50が研磨面(表面)50Aを下方に向けてウェーハ50の裏面50Bが吸着保持される。 A polishing table 10, and a wafer table 18, wafer 50 to the lower surface of the wafer table 18 is rear surface 50B of the wafer 50 toward the polishing surface (surface) 50A downward is held by suction.

【0008】前記研磨定盤10は、円盤状に形成され、 [0008] The polishing plate 10 is formed in a disk shape,
その上部にセラミック盤12が設けられる。 Ceramic board 12 is provided thereon. セラミック盤12の上面にはウェーハ50を研磨するための研磨布14が取り付けられる。 Polishing cloth 14 for polishing a wafer 50 is attached to the upper surface of the ceramic board 12. また、研磨定盤10の下面にはスピンドル16が固着され、このスピンドル16は図示しないモータの回転軸に連結される。 Further, on the lower surface of the polishing platen 10 is fixed spindle 16, the spindle 16 is coupled to a rotation shaft of a motor (not shown). 従って、モータを駆動することにより研磨定盤10が回転し、研磨布14 Thus, the polishing table 10 is rotated by driving the motor, the polishing cloth 14
が回転する。 There is rotated.

【0009】前記ウェーハテーブル18は、上面にスピンドル20が固着され、このスピンドル20は図示しないモータの回転軸に連結される。 [0009] The wafer table 18, the spindle 20 is secured to the upper surface, the spindle 20 is coupled to a rotation shaft of a motor (not shown). 従って、モータを駆動することによりウェーハテーブル18が回転し、ウェーハテーブル18に吸着保持されたウェーハ50が回転する。 Therefore, the wafer table 18 is rotated by driving the motor, the wafer 50 sucked and held by the wafer table 18 is rotated. また、ウェーハテーブル18は図示しない駆動機構によって上下方向に移動するようになっている。 Further, the wafer table 18 is moved in the vertical direction by an unillustrated driving mechanism. これによりウェーハテーブル18に吸着されたウェーハ50は研磨定盤に向けて下降し研磨布14の表面に押し付けられるとともに、ウェーハ50の研磨が進行するにしたがってウェーハ50が下降する。 Thus along with the wafer 50 adsorbed on the wafer table 18 is pressed against the surface of the polishing pad 14 descends toward the polishing plate, the wafer 50 is lowered in accordance with the polishing of the wafer 50 progresses.

【0010】以上の構成により、ウェーハ50と研磨布14が回転するとともに、ウェーハ50が研磨布14に所定圧力で押し付けられて、ウェーハ50の研磨が行われる。 [0010] With the above configuration, the wafer 50 and the polishing pad 14 is rotated, the wafer 50 is pressed against a predetermined pressure to the polishing pad 14, the polishing of the wafer 50 is carried out. 尚、ウェーハ50と研磨布14の間にはスラリ(研削液)が供給される。 Incidentally, between the wafer 50 and the polishing pad 14 slurry (grinding fluid) is supplied. ところで、研磨定盤10には、ウェーハ50の厚み加工量を測定するための容量センサ60と渦電流センサ62が配設される。 Incidentally, the polishing plate 10, the capacitance sensor 60 and the eddy current sensor 62 for measuring the thickness processing of the wafer 50 is arranged. これらの容量センサ60、渦電流センサ62は、研磨定盤10から研磨布14まで貫通する穴64に設置され、研磨定盤1 These capacitive sensors 60, the eddy current sensor 62 is installed in the hole 64 that penetrates from the polishing platen 10 to the polishing pad 14, the polishing platen 1
0の所定の回転状態において、容量センサ60はウェーハ50の下方に、渦電流センサ62は、ウェーハテーブル18の周辺部に取り付けられたリング状の導体(裏面測定基準部材)74の下方に配設される。 In the predetermined rotation state of 0, disposed below the capacitive sensor 60 is wafer 50, the eddy current sensor 62 is below the wafer peripheral portion mounted ring-shaped conductor of the table 18 (backside metrology reference member) 74 It is.

【0011】ここで、ウェーハの厚み加工量の測定原理を説明する。 [0011] Here, explaining the measurement principle of the thickness processing of the wafer. 図2は、ウェーハの厚み加工量の測定原理を示した図である。 Figure 2 is a diagram showing the measurement principle of the thickness processing of the wafer. 同図に示すように、研磨定盤10の所定の位置を基準位置として、Aで示す位置において基準位置からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測定し、Bで示す位置において基準位置からウェーハ50 As shown in the figure, the wafer a predetermined position of the polishing platen 10 as a reference position, to measure the distance from the reference position at the position indicated by A to the polishing surface 50A of the wafer 50, from the reference position at the position indicated by B 50
の裏面50Bまでの距離を測定する。 For measuring a distance to the rear surface 50B of the. 原理的にはこれらの距離の差分の変化量がウェーハの厚み加工量を示す。 In principle the amount of change in the difference of these distances indicating the thickness processing of the wafer.
実際には、ウェーハ50の裏面50Bから一定距離にある裏面測定基準を設定し、基準位置からウェーハ50の裏面50Bまでの距離の代わりに、基準位置から裏面測定基準までの距離を測定する。 In practice, it sets the back side metrics in a predetermined distance from the rear surface 50B of the wafer 50, instead of the distance from the reference position to the rear surface 50B of the wafer 50, for measuring a distance to the rear surface metrics from the reference position. この場合も、基準位置からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離との差分の変化量がウェーハの厚み加工量を示す。 Again, the variation of the difference between the distance to the grinding surface 50A of the wafer 50 from the reference position indicates the thickness processing of the wafer.

【0012】上述の図1に示した容量センサ60は、この容量センサ60の検出面の位置を基準位置として、この検出面からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測定する。 [0012] capacitive sensor 60 shown in FIG. 1 described above, the position of the detection surface of the capacitive sensor 60 as a reference position, to measure the distance from the detection surface to the polished surface 50A of the wafer 50. また、上述の裏面測定基準部材74はその表面によって裏面測定基準を設定し、渦電流センサ62 Furthermore, backside metrology reference member 74 described above sets the backside metric by its surface, the eddy current sensor 62
は、この渦電流センサ62の検出面から裏面測定基準部材74までの距離を測定する。 Measures the distance to the backside metrology reference member 74 from the detection surface of the eddy current sensor 62. 尚、容量センサ60の検出面と渦電流センサ62の検出面の位置の差分(距離) The difference of the position of the detection surface of the detection surface and the eddy current sensor 62 of the capacitive sensor 60 (Distance)
と、ウェーハ50の裏面50Bと裏面測定基準部材74 When the rear surface 50B of the wafer 50 and the back measuring reference member 74
の位置の差分(距離)を予め測定しておけば、これらの差分値に基づいて、容量センサ60及び渦電流センサ6 Be previously measured position of the difference (distance), based on these difference values, the capacitance sensor 60 and the eddy current sensor 6
2による上記測定値の差分からウェーハ50の厚さを測定することもできる。 May be by 2 to measure the thickness of the wafer 50 from the difference of the measured values.

【0013】図3は、図1に示したウェーハの厚み加工量測定装置の構成を拡大して示した要部断面図である。 [0013] Figure 3 is a fragmentary cross-sectional view showing an enlarged configuration of the wafer thickness machining quantity measuring device shown in FIG.
同図に示すように研磨定盤10の所定回転状態においてウェーハ50の研磨面50Aの下方に位置する研磨定盤10、セラミック盤12及び研磨布14の一部に穴66 Polishing table 10 which is located below the polished surface 50A of the wafer 50 in a predetermined rotation state of the polishing platen 10 as shown in the drawing, the holes 66 in a portion of the ceramic plate 12 and the polishing cloth 14
が穿設され、この穴66に容量センサ60を保持するセンサホルダ68が嵌入される。 There is bored, the sensor holder 68 for holding the capacitive sensor 60 in the hole 66 is fitted. センサホルダ68は、2 Sensor holder 68, 2
重に構成された円筒管68A、68Bと、これらの円筒管68A、68Bの底部を被覆する基底部68Cとからなり、これらの円筒管68A、68B、基底部68Cは一体形成される。 Cylindrical tube 68A which is configured to weight, and 68B, these cylindrical tubes 68A, composed of a base portion 68C for covering the bottom of 68B, these cylindrical tubes 68A, 68B, the base portion 68C are integrally formed. また、図には示さないが、このセンサホルダ68には微動装置が装着される。 Although not shown, the fine movement apparatus is mounted to the sensor holder 68. センサホルダ6 The sensor holder 6
8はこの微動装置によって穴66に対して昇降移動することができ、容量センサ60が所望の高さに位置決めされる。 8 may be vertically movable relative to the hole 66 by the fine movement device, the capacitive sensor 60 is positioned at a desired height.

【0014】容量センサ60は、このセンサホルダ68 [0014] capacitive sensor 60, the sensor holder 68
の基底部68Cに穿設された穴に挿通され、容量センサ60の先端の検出面がセンサホルダ68の先端と略一致する位置に設置される。 Is inserted into a hole drilled in the basal portion 68C of the detection surface of the tip of the capacitive sensor 60 is mounted to the distal end substantially matches the position of the sensor holder 68. この容量センサ60は、静電容量により容量センサ70の検出面から対象物(ウェーハ表面)までの空間の距離を測定するものであり、検出面からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測定する。 The capacitive sensor 60 is for measuring the distance of the space to the object (wafer surface) from the detection surface of the capacitive sensor 70 by the electrostatic capacitance, measuring the distance from the detection surface to the polished surface 50A of the wafer 50 . 即ち、この検出面の位置を基準位置とするウェーハ50の研磨面50Aの位置を検出する。 That is, to detect the position of the polishing surface 50A of the wafer 50 to the position of the detection surface as a reference position.

【0015】また、容量センサ60が挿通されたセンサホルダ68内側の円筒管68Aには、エアー注入管70 Further, the sensor holder 68 inside the cylindrical tube 68A to the capacitive sensor 60 is inserted, an air injection tube 70
が連結され、図示しないエアーポンプからエアー注入管70にエアーが送られ、エアー注入管70を介して円筒管68A内にエアーが供給される。 There are connected, air is sent from the air pump (not shown) to the air injection tube 70, air is supplied into the cylindrical tube 68A via the air inlet tube 70. 尚、以下、この円筒管68Aをエアー円筒管68Aと称する。 In the following, it referred to as the cylindrical tube 68A and an air cylinder tube 68A. このエアー円筒管68Aは、エアー注入管70からエアーが供給されると、容量センサ60の検出面上に高圧の空気層を生成する。 The air cylinder tube 68A, when air is supplied from the air injection tube 70, to generate a high pressure air layer on the detection surface of the capacitive sensor 60.

【0016】即ち、エアー円筒管68Aの上縁端は、ウェーハ50の研磨面50Aに対して容量センサ60の測定レンジ範囲内まで近接する。 [0016] That is, edge end on the air cylinder tube 68A is proximate the polishing surface 50A of the wafer 50 to within the measurement range capacitance range sensor 60. このため、ウェーハ50 For this reason, the wafer 50
が蓋のようにエアー円筒管68Aの上方縁を覆い、エアー円筒管68A内の空気に抵抗を与える。 There covers the upper edge of the air cylinder tube 68A as the lid, provides resistance to the air in the air cylinder tube 68A. 従って、このときにエアー円筒管68Aにエアー注入管70からエアーを注入すると、エアー円筒管68A内部に圧力を貯めながら、ゆっくりとエアーがエアー円筒管68Aの上方縁から溢れるようになる。 Therefore, when injecting the air from the air injection tube 70 to the air cylinder tube 68A at this time, while accumulated pressure inside the air cylinder tube 68A, slowly air comes to overflow from the upper edge of the air cylinder tube 68A. このようにして容量センサ7 Capacitive sensor 7 in this way
0の検出面上方の隙間に圧力の高いエアー気団が形成される。 High detection surface above the gap 0 of pressure air air masses are formed. このエアー気団を以下「エアーパック」と呼ぶ。 This air air masses hereinafter referred to as "air pack".

【0017】このエアーパックは、ウェーハ50の測定表面を洗浄するとともに、容量センサ70の検出面に汚れが付着するのを防止する。 [0017] The air pack, as well as cleaning the measuring surface of the wafer 50, the dirt detection surface of the capacitive sensor 70 is prevented from adhering. 図4に示すように、ウェーハ表面に付着されている微粒子(汚れ)は、ウェーハ5 As shown in FIG. 4, the fine particles being deposited on the wafer surface (dirt) is the wafer 5
0と共に高速運動(例えば、1.256m/s)し、一方、エアーパックは研磨定盤10とともに逆方向Cで高速で移動している。 0 Fast motion (e.g., 1.256m / s) with and, on the other hand, air pack is moving at high speed in the reverse direction C together with the polishing table 10. ウェーハ50の表面に付着されている微粒子がエアーパックと衝突すると、同図に示すようにエアーパックの圧力によりこの微粒子は横に流され、 When particles are deposited on the surface of the wafer 50 collides with air pack, the fine particles by the pressure of the air pack, as shown in the figure flows laterally,
容量センサ60の検出面に対向する位置のウェーハ50 Wafer 50 at a position opposing the detection surface of the capacitive sensor 60
の研磨面50Aは常に洗浄された状態になる(この洗浄方法を「エアーパック方式」と呼ぶ)。 Polishing surface 50A will always cleaned state of (this cleaning method is referred to as "air pack method").

【0018】また、センサホルダ68の外側の円筒管6 Further, the outer sensor holder 68 of the cylindrical tube 6
8Bには排水パイプ72が連結され、排水パイプ72は図示しない排水ポンプに連結される。 8B drain pipe 72 is connected to the drainage pipe 72 is connected to a drainage pump (not shown). 従って、センサホルダ68を挿通する研磨定盤10の穴66に流れ込んだスラリや汚れ等はこの円筒管68Bに通して排水パイプ72から外部に排出される。 Thus, the slurry and dirt flown into the hole 66 of the polishing platen 10 for inserting the sensor holder 68 is discharged to the outside through the drain pipe 72 through the cylindrical tube 68B. 一方、上述したようにウェーハテーブル18の下面外周部にリング状の導体である裏面測定基準部材74が固着される。 On the other hand, the rear surface measuring reference member 74 is a ring-shaped conductor is fixed to the lower surface peripheral portion of the wafer table 18 as described above. そして、研磨定盤10の所定回転状態においてこの裏面測定基準部材74 Then, the backside metrology reference member 74 in a predetermined rotation state of the polishing platen 10
の下方の研磨定盤10、セラミック盤12及び研磨布1 Polishing table 10 of the lower ceramic plate 12 and the polishing cloth 1
4の一部に穴76が穿設され、この穴76に、渦電流センサ62が装着される。 Hole 76 is bored in a part of the 4, into the hole 76, the eddy current sensor 62 is mounted.

【0019】渦電流センサ62は、裏面測定基準部材7 The eddy current sensor 62, the back side measuring reference member 7
4に渦電流を発生させて渦電流センサ62の検出面から裏面測定基準部材74までの距離を測定する。 4 to generate eddy currents in by measuring the distance from the detection surface of the eddy current sensor 62 to the backside metrology reference member 74. 即ち、この検出面の位置を基準とする裏面測定部材74の位置を測定する。 That is, to measure the position of the backside metrology member 74 relative to the position of the detection surface. 以上の構成により、容量センサ60の検出面からウェーハ50の研磨面50Aまでの距離と、渦電流センサ62の検出面からウェーハテーブル18に固定された裏面測定基準部材74までの距離とが測定される。 With the above configuration, the distance from the detection surface of the capacitive sensor 60 to the polishing surface 50A of the wafer 50, and the distance from the detection surface of the eddy current sensor 62 to the backside metrology reference member 74 fixed to the wafer table 18 is measured that.
そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚さ加工量が検出される。 Then, the thickness machining of the wafer from the change amount of the difference of these distances are detected.

【0020】次に、上記容量センサ60及び渦電流センサ62の設置位置について説明する。 Next, a description will be given installation position of the capacitive sensor 60 and the eddy current sensor 62. 図5は、研磨定盤10にウェーハテーブル18の位置関係を示し、容量センサ60と渦電流センサ62の設置位置を示した図である。 5, the polishing table 10 shows the positional relationship between the wafer table 18 is a diagram showing the installation position of the capacitive sensor 60 and the eddy current sensor 62. 同図に示す1の位置に容量センサ60と渦電流センサを設置した場合、研磨定盤10とウェーハテーブル1 Case of installing an eddy current sensor and the capacitive sensor 60 to the first position shown in the figure, the polishing plate 10 and the wafer table 1
8が回転している状態では、図6(a)に示すように、 In the state where 8 is rotating, as shown in FIG. 6 (a),
容量センサ60はウェーハ50の破線で示す位置を通過し、渦電流センサ62は裏面測定基準部材74の破線で示す位置を通過する。 Capacitive sensor 60 passes through the position indicated by the broken line in the wafer 50, the eddy current sensor 62 passes through the position indicated by the broken line in the back side measuring reference member 74. 従って、容量センサ60と渦電流センサ62がこれらの破線上を通過する時に測定を行えば、上述したようにウェーハ50の研磨面50Aまでの距離と裏面測定基準部材74までの距離を測定することができる。 Therefore, by performing the measurement when the capacitance sensor 60 and the eddy current sensor 62 passes over these dashed, measuring the distance to the distance and the backside metrology reference member 74 to the polishing surface 50A of the wafer 50 as described above can.

【0021】また、上記説明では、裏面測定基準部材7 [0021] In the above description, the back side measuring reference member 7
4までの距離を渦電流センサ62で測定するようにしたが、渦電流センサ62の代わりに容量センサを使用することもできる。 The distance to 4 as measured by the eddy current sensor 62, it is also possible to use a capacitive sensor in place of the eddy current sensor 62. また、1つの容量センサ60で、ウェーハ50の研磨面50Aまでの距離と、裏面測定基準部材74までの距離の両方距離を測定することができる。 Further, in one capacitive sensor 60 can measure the distance to the grinding surface 50A of the wafer 50, both distances of the distance to the back side measuring reference member 74. 例えば、図5に示す2の位置に容量センサ60を設置した場合、研磨定盤10とウェーハテーブル18が回転している状態では、図6(b)に示すように、容量センサ6 For example, when installing the capacitive sensor 60 to the position of 2 shown in FIG. 5, in a state where the polishing table 10 and the wafer table 18 is rotated, as shown in FIG. 6 (b), the capacitance sensor 6
0はウェーハ50の破線で示す位置と、裏面測定基準部材74の破線で示す位置を通過する。 0 passes the position indicated by the broken line in the wafer 50, the position indicated by dashed backside metrology reference member 74. 従って、容量センサ60がこれらの破線上を通過する時に測定を行えば、 Therefore, by performing the measurement when the capacitance sensor 60 passes over these broken lines,
上述したようにウェーハの研磨面までの距離と裏面測定基準部材74までの距離を1つの容量センサで測定することができる。 The distance to the distance and the backside metrology reference member 74 to the polishing surface of the wafer as described above can be measured by one capacitive sensor.

【0022】また、当然、図5に示す1、2以外の場所でも例えば図5の3乃至5に示す位置等にセンサを設置することは可能であり、また、複数のセンサを使用する場合にそれぞれのセンサを任意の位置に設置することも可能である。 Further, of course, it is possible to install the sensor in a position such as shown in 3-5 in FIG. 5, for example at a location other than 1 and 2 shown in FIG. 5, In the case of using a plurality of sensors it is also possible to install each sensor in an arbitrary position. 次に上記ウェーハの厚み加工量測定装置の作用について説明する。 Next a description of the operation of the thickness processing amount measuring device of the wafer. 図7は、ウェーハの厚み加工量測定装置のシステム構成図であり、図8は、この厚み加工装置の作用を示したフローチャートである。 Figure 7 is a system configuration diagram of a thickness machining amount measuring apparatus of the wafer, FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the thickness processing device.

【0023】図7に示すように、厚み加工量測定装置にはこの測定システム専用の末端検出用パソコン100が使用され、この末端検出用パソコン100は、ウェーハ研磨装置を制御するホストコンピュータ200との交信により、制御指令をホストコンピュータ200から受信し、又は、測定データをホストコンピュータ200に送信して、測定装置全体を制御する。 As shown in FIG. 7, the thickness machining measuring apparatus ends detection computer 100 of the measurement system only is used, the end detection computer 100, the host computer 200 which controls the wafer polishing apparatus the communication, receives a control command from the host computer 200, or transmits the measured data to the host computer 200, controls the entire measuring device.

【0024】また、同図に示すように、エアーポンプ1 [0024] In addition, as shown in the figure, the air pump 1
02、排水ポンプ104、微動装置106は末端検出用パソコン100から出力される制御信号により作動する。 02, the drainage pump 104, the fine movement apparatus 106 is operated by a control signal outputted from the terminal detecting PC 100. 尚、エアーポンプ102は、図3に示したようにエアーをエアー注入管70からセンサホルダ68のエアー円筒管68Aに供給し、容量センサ60の検出面上にエアーパックを形成させ、排水ポンプ104は、センサホルダ68の円筒管68Bに流れ込んだスラリを排水パイプ72を介して吸引し、排水タンク107に排水するものである。 Incidentally, the air pump 102 supplies the air as shown in FIG. 3 from the air injection tube 70 to the air cylinder tube 68A of the sensor holder 68, to form an air pack on the detection surface of the capacitive sensor 60, the drainage pump 104 is the slurry flowing into the cylindrical tube 68B of the sensor holder 68 by suction through the drainage pipe 72 is for drained into the drainage tank 107. また、微動装置106は、センサホルダ68 Further, the fine movement apparatus 106, the sensor holder 68
を昇降移動させ、容量センサ60をウェーハの研磨面に対して適切な位置に設置する装置である。 The raising and lowering movement, a device to be installed in position the capacitive sensor 60 against the polishing surface of the wafer.

【0025】また、図7に示す測定センサ108は、ウェーハ50の研磨面50Aと裏面50B(裏面測定基準部材74)までの距離を測定するセンサであり、上述したように、容量センサ60と渦電流センサ62とを用いてこれらの距離を測定する場合には、これらの容量センサ60と渦電流センサ62を示し、また、容量センサ6 Further, the measurement sensor 108 shown in FIG. 7 is a sensor for measuring a distance to the polishing surface 50A and rear surface 50B of the wafer 50 (backside metrology reference member 74), as described above, capacitive sensor 60 and eddy when measuring these distances using a current sensor 62, it shows these capacitive sensor 60 and the eddy current sensor 62, also capacitive sensor 6
0のみを用いて測定する場合には、この容量センサ60 When measured using a 0 only, the capacitive sensor 60
を示す。 It is shown.

【0026】また、図7に示す距離センサ110は、測定センサ108の補助として使用されるセンサであり、 [0026] The distance sensor 110 shown in FIG. 7 is a sensor which is used as an aid in the measurement sensor 108,
例えば渦電流センサ等が使用される。 For example an eddy current sensor or the like is used. 測定センサ108 Measuring sensor 108
の測定レンジは狭いため、測定センサ108より測定レンジの広い距離センサ110により、ウェーハ50までの距離を測定して測定センサ108の測定位置の調整を行う。 Because the measurement range narrow, the wide distance sensor 110 of the measuring range than the measurement sensor 108 measures the distance to the wafer 50 to adjust the measurement position of the measuring sensor 108.

【0027】図8のフローチャートを用いて測定手順を説明すると、まず、ホストコンピュータ200により研磨定盤を測定位置まで回転させる(ステップS10)。 [0027] The measurement procedure will be described with reference to the flowchart of FIG. 8, rotates the polishing table to the measuring position by the host computer 200 (step S10).
そして、ウェーハテーブル18にウェーハ50をロードし、ウェーハ50にかける圧力を正常の研磨圧力に調整する(ステップS12)。 Then, the wafer 50 is loaded on the wafer table 18 to adjust the pressure applied to the wafer 50 to normal polishing pressure (step S12). 次に、末端検出用パソコン1 Then, end detection for the personal computer 1
00は距離センサ110によりウェーハ50の位置を判断する(ステップS14)。 00 determines the position of the wafer 50 by the distance sensor 110 (step S14). そして、距離センサ110 The distance sensor 110
により得られたデータに基づいて微動装置106を制御し、測定センサ108を自動的に測定位置に調整する(ステップS16)。 Controlling fine movement apparatus 106 on the basis of the data obtained by automatically adjusting the measuring position measuring sensor 108 (step S16).

【0028】この状態において、測定センサ108によりウェーハ50の研磨面50Aと裏面50B(裏面測定基準)までの初期距離D 01 、D 02を測定する(ステップS18)。 [0028] In this state, the measuring sensor 108 for measuring the initial distance D 01, D 02 to the polishing surface 50A and rear surface 50B of the wafer 50 (rear surface metric) (step S18). 尚、これらの値は前後10個のデータの平均値とする。 Note that these values ​​are the average of 10 data back and forth. 次に、洗浄装置と排水装置を作動させる(ステップS20)。 Then, actuating the cleaning device and drainage device (step S20). 即ち、エアーポンプ102と排水ポンプ104を作動させる。 That is, to operate the air pump 102 and drain pump 104. そして、この状態で再度ウェーハ50の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D 11 、D The distance D 11, D to the polishing surface 50A and rear surface 50B of the wafer 50 again in this state
12を測定し(ステップS22)、先に測定した初期距離D 01 、D 02と比較して異常の有無を検出する(ステップS24)。 12 were measured (step S22), and compared to the initial distance D 01, D 02 previously measured to detect the presence or absence of an abnormality (step S24). 正常の場合にはホストコンピュータ200に正常信号を発信し、異常の場合にはホストコンピュータ200に異常信号を発信する。 It transmits the normal signal to the host computer 200 in the case of normal, in the case of abnormal transmits an abnormality signal to the host computer 200.

【0029】正常の場合、次にホストコンピュータ20 [0029] In the case of normal, then the host computer 20
0は、研磨定盤10とウェーハテーブル18を回転させ、ウェーハ50の研磨状態に入る(ステップS2 0, the polishing table 10 and the wafer table 18 is rotated, into the polishing state of the wafer 50 (step S2
6)。 6). このとき、末端検出用パソコン100はエンコーダ112からデータを入力し、研磨定盤10とウェーハテーブル18の回転位置を把握し、測定センサ108の回転位置を正しく制御する(ステップS28)。 At this time, terminal detection computer 100 inputs data from the encoder 112, to grasp the rotation position of the polishing table 10 and the wafer table 18, to properly control the rotational position of the measuring sensor 108 (step S28).

【0030】研磨定盤10が3から5回転して回転が安定となった時、予め算出された周期によりウェーハ50 [0030] When the polishing table 10 is rotated by 5 rotates from 3 becomes stable, the wafer 50 in advance by the calculated period
の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D 21 、D 22を測定する(ステップS30)。 Distance D 21 to the polishing surface 50A and rear surface 50B of the measures D 22 (step S30). そして、先に測定した距離D 11 、D 12の値と比較し、異常の有無を判断する(ステップS32)。 Then, compared with the values of the distance D 11, D 12 previously measured to determine the presence or absence of an abnormality (step S32). 以下、同様にしてウェーハ50の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D i1 、D i2を繰り返し測定する(ステップS34)。 In the same manner repeatedly measuring the distance D i1, D i2 until the polishing surface 50A and rear surface 50B of the wafer 50 (step S34). ただし、距離D i1 、D i2は測定タイミングの前後の10データにより算出した平均値である。 However, the distance D i1, D i2 is the mean value calculated by 10 data before and after the measurement timing.

【0031】このようして得られたウェーハ50の研磨面50Aと裏面50Bまでの距離D The distance D to the polishing surface 50A and rear surface 50B of the wafer 50 obtained in this way was i1 、D i2のデータを解析しウェーハ50の厚み加工量を算出し(ステップS i1, analyzes the data of the D i2 calculates the thickness processing of the wafer 50 (step S
36)、予め設定した厚み加工限界値と比較する(ステップS38)。 36), comparing the thickness processing limit value and the preset (step S38). そしてその結果をホストコンピュータに送信する。 And it sends the results to the host computer. 特に異常が発生した場合、警告アラーム11 Particularly if the abnormality occurs, a warning alarm 11
4を鳴らす。 4 ring the.

【0032】厚み加工量が加工限界値となった場合には、ホストコンピュータ200は研磨定盤10を測定位置に静止させ、ウェーハテーブル18を数周回転させる。 [0032] When the thickness processing amount becomes the machining limit, the host computer 200 is stationary polishing plate 10 to the measuring position, rotate the wafer table 18 laps. 末端検出用パソコン100は、この状態でウェーハ50の研磨面50Aまでの距離をを測定し、ウェーハ5 End detection computer 100 measures the distance to the polishing surface 50A of the wafer 50 in this state, the wafer 5
0の厚みの円周分布を測定する(ステップS40)。 The circumferential distribution of 0 thickness measuring (step S40). そして、研磨が終了すると、最後にウェーハ50の研磨面50Aまでの距離D i1のデータを解析し、研磨布14の磨耗量を算出する(ステップS42)。 When polishing is completed, finally analyzing the data of the distance D i1 to the polishing surface 50A of the wafer 50, to calculate the amount of wear of the polishing pad 14 (step S42).

【0033】尚、上述のように、研磨定盤10を静止させた状態でウェーハテーブル18のみを回転させ、容量センサ60によりウェーハ50の研磨面50Aまでの距離を測定することによりウェーハ50の厚みの円周分布を測定することができる。 [0033] Incidentally, as described above, by rotating only the wafer table 18 in a state where the polishing table 10 is stationary, the thickness of the wafer 50 by measuring the distance to the grinding surface 50A of the wafer 50 by the capacitive sensor 60 it is possible to measure the circumference distribution of.

【0034】 [0034]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェーハの厚み加工量測定装置によれば、第1の測長手段によってウェーハの表面までの距離を研磨定盤に設けられた第1の穴から非接触で測定し、第2の測長手段によってウェーハの裏面と一定の距離にある基準面までの距離を研磨定盤に設けられた第2の穴から非接触で測定する。 According to the thickness machining amount measuring device wafer according to the present invention, as described above, according to the present invention, a first hole provided the distance to the surface of the wafer to the polishing platen by the first measuring means measured without contact from, it is measured in a non-contact from the second hole a distance to the reference plane with the back surface of the wafer at a constant distance is provided in the polishing surface plate by the second measuring means.
そして、これらの距離の差分の変化量からウェーハの厚み加工量を測定する。 Then, to measure the thickness processing of the wafer from the difference between the amount of change in these distances. これにより、ウェーハの研磨加工中にインラインでウェーハの厚み加工量を測定することができる。 Thus, it is possible to measure the thickness processing of the wafer in-line during the polishing of the wafer. 従って、加工終了点を正確に制御することができる。 Therefore, it is possible to precisely control the machining end point.

【0035】また、研磨定盤を静止させてウェーハテーブルのみを回転させることにより、ウェーハの円周方向の厚み分布を測定することができ、品質管理に利用することができる。 Further, by rotating only the wafer table the polishing platen is stationary, it is possible to measure the circumferential thickness distribution of the wafer can be used for quality control. さらに、測定装置の構成が簡単であるとともに、装置の取り付けとメンテナンスが容易であるため、イニシャルコストとランニングコストを削減することができる。 Furthermore, the configuration is simple measuring device, for installation and maintenance of the apparatus is easy, it is possible to reduce the initial cost and running cost.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】図1は、本発明に係るウェーハの厚み加工量測定装置が適用されるウェーハ研磨装置の要部構造図である。 FIG. 1 is a main structure diagram of the wafer polishing apparatus wafer thickness machining amount measuring device is applied according to the present invention.

【図2】図2は、ウェーハの厚み加工量の測定原理を示した図である。 Figure 2 is a diagram showing the measurement principle of the thickness processing of the wafer.

【図3】図3は、図1に示したウェーハの厚み加工量測定装置の構成を拡大して示した要部断面図である。 Figure 3 is a fragmentary cross-sectional view showing an enlarged configuration of the wafer thickness machining quantity measuring device shown in FIG.

【図4】図4は、エアーパックによるウェーハ表面の洗浄作用を示した図である。 Figure 4 is a diagram showing the cleaning effect of the wafer surface by the air pack.

【図5】図5は、研磨定盤10にウェーハテーブル18 FIG. 5, the wafer table 18 in the polishing platen 10
の位置関係を示し、容量センサ60と渦電流センサ62 It shows the positional relationship of the capacitance sensor 60 and the eddy current sensor 62
の設置位置を示した図である。 Is a diagram showing the installation position.

【図6】図6は、ウェーハ及び裏面測定基準部材におけるセンサの軌跡をセンサの設置位置に応じて示した図である。 Figure 6 is a diagram illustrating in accordance with the trajectory of the sensor at the wafer and back metrics member to the installation position of the sensor.

【図7】図7は、ウェーハの厚み加工量測定装置のシステム構成図である。 Figure 7 is a system configuration diagram of a thickness machining amount measuring device of the wafer.

【図8】図8は、ウェーハの厚み加工装置の作用を示したフローチャートである。 Figure 8 is a flow chart showing the action of the thickness processing device wafer.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10…研磨定盤 14…研磨布 18…ウェーハテーブル 60…容量センサ 62…渦電流センサ 68…センサホルダ 68A…エアー円筒管 70…エアー注入管 72…排水パイプ 10 ... polishing plate 14 ... abrasive cloth 18 ... wafer table 60 ... capacitance sensor 62 ... eddy current sensor 68 ... Sensor holder 68A ... Air cylindrical tube 70 ... air injection tube 72 ... drain pipe

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−234467(JP,A) 特開 平7−40233(JP,A) 特開 平3−170265(JP,A) 特開 平7−227756(JP,A) 特開 平10−202514(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) B24B 49/00 - 49/18 B24B 37/04 H01L 21/304 Following (56) references of the front page Patent flat 3-234467 (JP, A) JP flat 7-40233 (JP, A) JP flat 3-170265 (JP, A) JP flat 7-227756 (JP , a) JP flat 10-202514 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) B24B 49/00 - 49/18 B24B 37/04 H01L 21/304

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 ウェーハの裏面をウェーハテーブルで保持した状態で研磨定盤に取り付けられた研磨布に前記ウェーハの表面を押し付けながら前記ウェーハテーブルと前記研磨定盤を相対的に回転させて前記ウェーハの表面を研磨する研磨機に使用されるウェーハの厚み加工量測 We claim: 1. The back surface of the wafer the wafer table and the polishing table are relatively rotated while pressing the surface of the wafer to the polishing cloth attached to the polishing table in a state held by the wafer table the wafer measuring the thickness processing of the wafer to be used for polishing machine for polishing the surface of the
    定装置であって 、 前記研磨定盤に設けられた前記ウェーハの表面を臨む第1の穴と、 前記研磨定盤に設けられた前記ウェーハの裏面と一定の距離にある基準面を臨む第2の穴と、 前記第1の穴に設置され、前記ウェーハの表面までの距離を非接触で測定する第1の測長手段と、 前記第2の穴に設置され、前記ウェーハの裏面と一定の距離にある前記基準面までの距離を非接触で測定する第2の測長手段と、 から成り、前記ウェーハの表面までの距離と前記ウェーハの裏面までの距離の差の変化量から前記ウェーハの厚み加工量を測定するウェーハの厚み加工量測定装置において、 前記第2の穴は前記第1の穴と同一の穴であり、前記第 A constant device, a first hole facing the surface of the wafer provided in the polishing table, a second facing the reference surface on the back with a certain distance of the wafer provided on the polishing table of the hole, is disposed in the first bore, a first measuring means for measuring the distance to the surface of the wafer in a non-contact, the installed in the second hole, the fixed and the back surface of the wafer a second measuring means for measuring a distance to the reference plane in a non-contact at a distance, made from the variation of the difference in distance between the distance to the surface of the wafer to the back surface of the wafer of the wafer in thickness processing amount measuring apparatus of roux Eha measuring the thickness processing amount, the second hole is the same hole and the first hole, the second
    1の測長手段が前記第2の測長手段を兼ねることを特徴 Characterized in that one of the measuring means also serves as said second measuring means
    とするウェーハの厚み加工量測定装置。 Wafer thickness machining amount measuring device according to.
  2. 【請求項2】 前記第1の測長手段及び第2の測長手段は容量センサであることを特徴とする請求項1のウェーハの厚み加工量測定装置。 Wherein said first measuring means and second measuring means wafer thickness machining amount measuring apparatus according to claim 1, characterized in that a capacitive sensor.
JP767697A 1997-01-20 1997-01-20 Wafer thickness machining amount measuring device Expired - Fee Related JP3303963B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP767697A JP3303963B2 (en) 1997-01-20 1997-01-20 Wafer thickness machining amount measuring device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP767697A JP3303963B2 (en) 1997-01-20 1997-01-20 Wafer thickness machining amount measuring device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10202520A true JPH10202520A (en) 1998-08-04
JP3303963B2 true JP3303963B2 (en) 2002-07-22

Family

ID=11672405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP767697A Expired - Fee Related JP3303963B2 (en) 1997-01-20 1997-01-20 Wafer thickness machining amount measuring device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3303963B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101684842B1 (en) * 2015-10-27 2016-12-20 주식회사 케이씨텍 Chemical mechanical polishing apparatus

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4817575B2 (en) * 1999-12-23 2011-11-16 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Using an eddy current measurement, a method of monitoring the metallization process in a real state
JP3259225B2 (en) * 1999-12-27 2002-02-25 株式会社ニコン Polishing state monitoring method and apparatus, a polishing apparatus, the process wafer, a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device,
KR100416900B1 (en) * 2000-03-28 2004-02-05 가부시끼가이샤 도시바 Eddy current loss measurement sensor, film thickness measurement device and method thereof, and storage medium
DE60132385T2 (en) * 2000-05-19 2008-05-15 Applied Materials, Inc., Santa Clara polishing pad
KR100874148B1 (en) 2000-10-11 2008-12-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 A substrate holding apparatus
JP4620072B2 (en) * 2000-10-11 2011-01-26 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus
JP2002219645A (en) * 2000-11-21 2002-08-06 Nikon Corp Grinding device, method for manufacturing semiconductor device using it and semiconductor device manufactured thereby
JP2003089056A (en) * 2001-09-12 2003-03-25 Hamai Co Ltd Workpiece thickness measuring method
JP2005517290A (en) * 2002-02-06 2005-06-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Method and apparatus for chemical mechanical polishing with the eddy current monitoring system
JP5122854B2 (en) * 2007-04-13 2013-01-16 株式会社ディスコ Grinding method of the device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101684842B1 (en) * 2015-10-27 2016-12-20 주식회사 케이씨텍 Chemical mechanical polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date Type
JPH10202520A (en) 1998-08-04 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6364746B2 (en) Endpoint detection apparatus, planarizing machines with endpointing apparatus, and endpointing methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-substrate assemblies
US6515493B1 (en) Method and apparatus for in-situ endpoint detection using electrical sensors
US5483568A (en) Pad condition and polishing rate monitor using fluorescence
US5663797A (en) Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6454630B1 (en) Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
US5551906A (en) Caliper assembly for grinder
US6464824B1 (en) Methods and apparatuses for monitoring and controlling mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US5492594A (en) Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station
US5944580A (en) Sensing device and method of leveling a semiconductor wafer
US5595526A (en) Method and apparatus for endpoint detection in a chemical/mechanical process for polishing a substrate
US6517413B1 (en) Method for a copper CMP endpoint detection system
USRE34425E (en) Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US5658183A (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US6186864B1 (en) Method and apparatus for monitoring polishing pad wear during processing
US6129613A (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for measuring in-situ pressure across a wafer
US6338667B2 (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5655951A (en) Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6301006B1 (en) Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness
US6437868B1 (en) In-situ automated contactless thickness measurement for wafer thinning
US5643060A (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US20020055192A1 (en) Chemical mechanical polishing of a metal layer with polishing rate monitoring
US6019663A (en) System for cleaning semiconductor device probe
US5618447A (en) Polishing pad counter meter and method for real-time control of the polishing rate in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5667424A (en) New chemical mechanical planarization (CMP) end point detection apparatus
US6213846B1 (en) Real-time control of chemical-mechanical polishing processes using a shaft distortion measurement

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees