JPH1174178A - Wafer-processing device and method - Google Patents

Wafer-processing device and method

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Publication number
JPH1174178A
JPH1174178A JP23446897A JP23446897A JPH1174178A JP H1174178 A JPH1174178 A JP H1174178A JP 23446897 A JP23446897 A JP 23446897A JP 23446897 A JP23446897 A JP 23446897A JP H1174178 A JPH1174178 A JP H1174178A
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JP
Japan
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substrate
processing liquid
liquid supply
interval
processing
Prior art date
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Application number
JP23446897A
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Japanese (ja)
Inventor
Joichi Nishimura
讓一 西村
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH1174178A publication Critical patent/JPH1174178A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer-processing technique which is capable of uniformly processing a wafer throughout its surface. SOLUTION: A slit nozzle 30 feeds a developing solution onto a wafer W from a developing solution feed opening while being moved along an X-axis. The slit nozzle 30 can be controlled in a vertical position through a vertical operation and inclination in a lengthwise direction (direction of Y-axis). When a developing solution is fed to the wafer W, a relative angle which the slit nozzle 30 makes with the wafer W is detected by sensors 32a and 32b, and the slit nozzle 30 is so controlled in lengthwise tilt as to be parallel with the wafer W. The space between the slit nozzle 30 and the wafer W in the direction in which the nozzle 30 advances is detected by a sensor 31, and the slit nozzle 30 is controlled in the vertical position, so as to make the movement locus of the slit nozzle 30 along the X-axis parallel to the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板など
の薄板状基板(以下、単に「基板」と称する)に対して
処理液を吐出して所定の処理を行う基板処理装置および
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and method for performing a predetermined processing by discharging a processing liquid onto a thin substrate (hereinafter, simply referred to as a "substrate") such as a semiconductor substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、上記のような基板に対しては、
レジスト塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに
付随する熱処理などを経て一連の基板処理が行われてい
る。
2. Description of the Related Art Generally, for a substrate as described above,
A series of substrate processes are performed through a resist coating process, an exposure process, a developing process, and a heat treatment associated therewith.

【0003】これらの諸処理のうち、現像処理において
は、基板の直径と同等以上の長さの処理液供給口を有す
る棒状の吐出ノズルを基板の主面の上方に設置し、当該
吐出ノズルから現像液を静止させた基板上に滴下させつ
つ、吐出ノズルを基板と平行に移動させ、基板の主面全
面に現像液を盛るようにする現像方法が提案されてい
る。
[0003] Among these various processes, in the developing process, a rod-shaped discharge nozzle having a processing liquid supply port having a length equal to or longer than the diameter of the substrate is provided above the main surface of the substrate. A developing method has been proposed in which a discharge nozzle is moved in parallel with a substrate while the developer is dropped on a stationary substrate, so that the developer is applied to the entire main surface of the substrate.

【0004】この方法によれば、基板面内において均一
な量の現像液を液盛りすることができ均一な現像処理結
果が得られる。
[0004] According to this method, a uniform amount of the developing solution can be applied on the substrate surface, and a uniform developing result can be obtained.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法において、基板と吐出ノズルとの間隔を一定に保つこ
とは、装置の組立精度あるいは基板の保持精度の都合上
困難な場合も多い。すなわち、装置の組立あるいは基板
の保持が厳密に正確でない限り基板と吐出ノズルとが相
対的に傾斜した状態となり、基板と吐出ノズルとの間隔
が一定に保たれなくなる。
However, in the above method, it is often difficult to keep the distance between the substrate and the discharge nozzle constant due to the assembly accuracy of the apparatus or the substrate holding accuracy. That is, unless the assembly of the apparatus or the holding of the substrate is strictly accurate, the substrate and the discharge nozzle are in a relatively inclined state, and the distance between the substrate and the discharge nozzle cannot be kept constant.

【0006】基板と吐出ノズルとの間隔を一定に維持で
きない場合は、吐出ノズルから供給される現像液の液圧
が基板の面内において不均一となり、その結果現像処理
結果に基板面内不均一性が生じることとなる。
If the distance between the substrate and the discharge nozzle cannot be maintained constant, the pressure of the developing solution supplied from the discharge nozzle becomes non-uniform in the surface of the substrate. Nature will arise.

【0007】また、このような場合は、処理する基板ご
とに吐出ノズルとそれぞれの基板との間隔が異なるた
め、処理済みの基板間における現像処理結果の不均一性
も生じることとなる。
In such a case, since the distance between the discharge nozzle and each substrate is different for each substrate to be processed, non-uniformity of the development processing results between the processed substrates also occurs.

【0008】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板の面内において均一な処理結果が得られる
基板処理装置および方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus and method capable of obtaining a uniform processing result in a plane of a substrate.

【0009】また、本発明は、基板間においても均一な
処理結果が得られる基板処理装置および方法を提供する
ことを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of obtaining a uniform processing result even between substrates.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板に処理液を付与して所定の
処理を行う基板処理装置であって、(a)基板を略水平姿
勢に保持する保持手段と、(b)前記基板の直径と同等以
上の長さの処理液供給口を有し、前記基板に前記処理液
を供給する処理液供給手段と、(c)前記処理液供給手段
を略水平方向かつ前記処理液供給手段の長手方向に対し
て垂直な方向に移動させる移動手段と、(d)前記移動手
段による移動によって描かれる前記処理液供給口の軌跡
が前記基板の主面と平行になるように前記処理液供給手
段と前記基板との間隔を調整する間隔調整手段と、を備
えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process by applying a processing liquid to a substrate. Holding means for holding in a posture, (b) a processing liquid supply means having a processing liquid supply port having a length equal to or greater than the diameter of the substrate, and supplying the processing liquid to the substrate, (c) the processing Moving means for moving the liquid supply means in a substantially horizontal direction and in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the processing liquid supply means, and (d) the trajectory of the processing liquid supply port drawn by movement by the movement means is the substrate. And a distance adjusting means for adjusting the distance between the processing liquid supply means and the substrate so as to be parallel to the main surface of the substrate.

【0011】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、(e)前記処理液供給手段
と前記基板との間隔を検出する間隔検出手段、をさらに
備え、前記間隔調整手段に前記間隔検出手段による前記
検出の結果に基づいて前記処理液供給手段と前記基板と
の間隔の調整を行わせている。
Further, the invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: (e) an interval detecting means for detecting an interval between the processing liquid supply means and the substrate. The distance adjusting means adjusts the distance between the processing liquid supply means and the substrate based on the result of the detection by the distance detecting means.

【0012】また、請求項3の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、前記間隔検出手段に、前
記処理液供給手段の前記長手方向に沿った位置における
前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する長手
方向間隔検出手段、を含ませ、前記間隔調整手段は、前
記処理液供給手段の前記長手方向において前記処理液供
給手段と前記基板の主面とが平行になるように前記処理
液供給手段の傾斜を調整する傾斜調整手段、を含ませて
いる。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the interval detecting means includes a processing liquid supply means at a position along the longitudinal direction of the processing liquid supply means. A longitudinal direction interval detecting unit for detecting an interval between the substrate and the substrate, wherein the interval adjusting unit is configured such that the processing liquid supply unit and the main surface of the substrate are parallel in the longitudinal direction of the processing liquid supply unit. Thus, a tilt adjusting means for adjusting the tilt of the processing liquid supply means is included.

【0013】また、請求項4の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、前記間隔検出手段に、前
記移動手段によって前記処理液供給手段を移動させつつ
前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する移動
方向間隔検出手段、を含ませ、前記間隔調整手段に、前
記処理液供給手段の前記移動の方向において前記処理液
供給手段の前記移動による軌跡と前記基板の主面とが平
行となるように前記処理液供給手段を鉛直方向に昇降さ
せる昇降手段、を含ませている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the processing liquid supply unit and the processing liquid supply unit are moved by the moving means to the interval detection unit. Moving direction interval detecting means for detecting an interval between the substrate and the main surface of the substrate, wherein the distance adjusting means includes a path by the movement of the processing liquid supply means in the direction of the movement of the processing liquid supply means and a main surface of the substrate; Elevating means for vertically elevating the processing liquid supply means such that the processing liquid supply means are parallel to each other.

【0014】また、請求項5の発明は、基板に処理液を
付与して所定の処理を行う基板処理方法であって、(a)
基板を略水平姿勢に保持する保持工程と、(b)前記基板
の直径と同等以上の長さの処理液供給口を有する処理液
供給手段から前記基板に前記処理液を供給する処理液供
給工程と、(c)前記処理液供給手段と前記基板との間隔
を検出する間隔検出工程と、(d)前記処理液供給手段を
略水平方向かつ前記処理液供給手段の長手方向に対して
垂直な方向に移動させる移動行程と、(e)前記検出の結
果に基づいて前記処理液供給口の前記移動による軌跡が
前記基板の主面と平行になるように前記処理液供給手段
と前記基板との間隔の調整を行う間隔調整工程と、を備
えている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for performing a predetermined processing by applying a processing liquid to a substrate, wherein (a)
A holding step of holding the substrate in a substantially horizontal posture, and (b) a processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the substrate from processing liquid supply means having a processing liquid supply port having a length equal to or greater than the diameter of the substrate. (C) an interval detecting step of detecting an interval between the processing liquid supply unit and the substrate, and (d) the processing liquid supply unit is substantially horizontal and perpendicular to a longitudinal direction of the processing liquid supply unit. And (e) moving the processing liquid supply means and the substrate so that the trajectory of the processing liquid supply port based on the movement is parallel to the main surface of the substrate based on the result of the detection. And an interval adjusting step for adjusting the interval.

【0015】また、請求項6の発明は、請求項5の発明
に係る基板処理方法であって、前記間隔検出工程に、前
記処理液供給手段の前記長手方向に沿った位置における
前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する長手
方向間隔検出工程、を含ませ、前記間隔調整工程に、前
記処理液供給手段の前記長手方向において前記処理液供
給手段と前記基板の主面とが平行になるように前記処理
液供給手段の傾斜を調整する傾斜調整工程、を含ませて
いる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the fifth aspect of the present invention, wherein, in the interval detecting step, the processing liquid supply means is provided at a position along the longitudinal direction of the processing liquid supply means. A longitudinal direction interval detecting step for detecting an interval between the means and the substrate, wherein the main surface of the processing liquid supply unit and the main surface of the substrate are parallel to each other in the longitudinal direction of the processing liquid supply unit. And a tilt adjusting step of adjusting the tilt of the processing liquid supply means so that

【0016】また、請求項7の発明は、請求項5の発明
に係る基板処理方法であって、前記間隔検出工程に、前
記移動工程において前記処理液供給手段を移動させつつ
前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する移動
方向間隔検出工程、を含ませ、前記間隔調整工程は、前
記処理液供給手段の前記移動の方向において前記移動に
よる前記処理液供給手段の軌跡と前記基板の主面とが平
行となるように前記処理液供給手段を鉛直方向に昇降さ
せる昇降工程、を含ませている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the fifth aspect of the present invention, wherein the processing solution supply means is moved to the interval detecting step while the processing solution supply means is moved in the moving step. And a moving direction interval detecting step of detecting an interval between the substrate and the substrate, wherein the interval adjusting step includes: a trajectory of the processing liquid supply unit due to the movement in the direction of the movement of the processing liquid supply unit; An elevating step of vertically elevating the processing liquid supply means so that the main surface is parallel to the main surface.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】本実施形態では、処理液として現像液を使
用する基板現像装置について説明する。
In this embodiment, a description will be given of a substrate developing apparatus using a developing solution as a processing solution.

【0019】<A.基板現像装置の全体概略構成>ま
ず、基板現像装置の全体的な概略構成について説明す
る。図1は、本発明に係る基板処理装置の一実施形態で
ある基板現像装置の概略構成を示す正面図である。ま
た、図2は、図1の基板現像装置を説明する平面図であ
る。
<A. Overall Schematic Configuration of Substrate Developing Apparatus> First, the overall schematic configuration of the substrate developing apparatus will be described. FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of a substrate developing apparatus which is an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate developing device of FIG.

【0020】なお、図1および図2並びに以下の各図に
おいては、それらの関係を明確にするため、床面に平行
な水平面をX−Y面とし鉛直方向をZ方向とする三次元
直角座標系を付している。(+X)の向きと(−X)の
向きとを区別しない場合には単に「X軸方向」と呼ぶ
(YおよびZについても同様とする)。
In FIGS. 1 and 2 and each of the following figures, three-dimensional rectangular coordinates in which a horizontal plane parallel to the floor surface is an XY plane and a vertical direction is a Z direction in order to clarify the relationship therebetween. The system is attached. When the direction of (+ X) and the direction of (−X) are not distinguished, they are simply referred to as “X-axis direction” (the same applies to Y and Z).

【0021】この基板現像装置100は、露光後の基板
Wに対して現像液を供給して現像処理を行う装置であ
り、後述する構成によって現像液吐出処理、リンス液洗
浄処理、スピンドライ処理などを行うことが可能であ
る。
The substrate developing apparatus 100 is an apparatus for performing a developing process by supplying a developing solution to the exposed substrate W, and includes a developing solution discharging process, a rinsing solution cleaning process, a spin dry process, etc. It is possible to do.

【0022】基板現像装置100は、基板Wを回転させ
るためのスピンモータ15と、基板Wに現像液を吐出す
るスリットノズル30(図2)と、現像処理終了時に基
板Wにリンス液(本実施形態では純水)を吐出するリン
ス液吐出ノズル65と、装置に備えられた各機構の動作
を制御する制御部80とを備えている。
The substrate developing device 100 includes a spin motor 15 for rotating the substrate W, a slit nozzle 30 (FIG. 2) for discharging a developing solution onto the substrate W, and a rinsing liquid (this embodiment) when the developing process is completed. A rinse liquid discharge nozzle 65 for discharging pure water (in the embodiment), and a control unit 80 for controlling the operation of each mechanism provided in the apparatus.

【0023】基板Wは回転台11によって水平姿勢に吸
着保持される。回転台11は、その下面側中央に回転軸
12を垂設しており、当該回転軸12はスピンモータ1
5に接続されている。そして、スピンモータ15の回転
は回転軸12を介して回転台11に伝達され、回転台1
1に吸着保持された基板Wが鉛直方向(Z軸方向)を軸
として回転することとなる。なお、回転台11は基板W
を吸着保持する形態に限定されるものではなく、基板W
の周縁部を把持する形態の回転台であってもよい。
The substrate W is suction-held by the turntable 11 in a horizontal posture. The rotating table 11 has a rotating shaft 12 suspended from the center of the lower surface thereof.
5 is connected. The rotation of the spin motor 15 is transmitted to the turntable 11 via the rotation shaft 12,
The substrate W sucked and held at 1 rotates around the vertical direction (Z-axis direction) as an axis. Note that the turntable 11 is provided with the substrate W
Is not limited to the form in which the substrate W is held by suction.
The rotary table may be configured to hold the peripheral edge of the rotary table.

【0024】この基板現像装置100において、基板W
がスピンモータ15によって回転されるのは、主として
リンス液洗浄処理及びその後の乾燥工程であるいわゆる
スピンドライ処理のときである。
In the substrate developing apparatus 100, the substrate W
Is rotated by the spin motor 15 mainly in a so-called spin dry process, which is a rinse solution cleaning process and a subsequent drying process.

【0025】スリットノズル30は、図示を省略する現
像液供給源から現像液の供給を受けて基板の主面に現像
液を拡がらせて現像液層を形成する(以下、「現像液を
盛る」という)機能を有している。すなわち、スリット
ノズル30は基板Wの直径と同等の長さを有する現像液
供給口35を有しており、その現像液供給口35から現
像液を静止させた基板W上に滴下させつつ、水平方向移
動機構20を使用してスリットノズル30を基板Wと平
行に(+X)の向きに移動させ、基板の主面全面に現像
液を盛るようにしている。なお、現像液供給口35の長
さは基板Wの直径と同等に限定されず、それ以上の長さ
を有していてもよい。また、現像液を盛る際には基板W
に与える現像液の衝撃を考慮し、スリットノズル30が
基板Wの上方に位置する手前から現像液の滴下を開始
し、スリットノズル30を(+X)の向きに移動させて
いる。
The slit nozzle 30 receives a supply of a developing solution from a developing solution supply source (not shown) and spreads the developing solution on the main surface of the substrate to form a developing solution layer. "). That is, the slit nozzle 30 has a developer supply port 35 having a length equal to the diameter of the substrate W, and while the developer is dropped from the developer supply port 35 onto the stationary substrate W, The slit nozzle 30 is moved in the (+ X) direction parallel to the substrate W by using the direction moving mechanism 20, so that the developing solution is applied to the entire main surface of the substrate. Note that the length of the developer supply port 35 is not limited to be equal to the diameter of the substrate W, and may be longer. When the developer is applied, the substrate W
In consideration of the impact of the developing solution on the substrate W, the slit nozzle 30 starts dropping the developing solution shortly before being located above the substrate W, and moves the slit nozzle 30 in the (+ X) direction.

【0026】ここで、本発明に係る基板処理装置である
基板現像装置100では、スリットノズル30が基板W
と常に一定の間隔を保つように、センサ31、センサ3
2a、32b、昇降機構40およびノズル傾斜修正機構
70を備えているが、これらについては後に詳述する。
Here, in the substrate developing apparatus 100 which is the substrate processing apparatus according to the present invention, the slit nozzle 30
So that the sensor 31 and the sensor 3
2a, 32b, an elevating mechanism 40 and a nozzle inclination correcting mechanism 70, which will be described later in detail.

【0027】リンス液吐出ノズル65は、現像処理後の
基板Wにリンス液を吐出し、現像処理を停止させる機能
を有する。また、リンス液吐出ノズル65はノズル回動
モータ60によって鉛直方向を軸とする回動動作が可能
に構成されるとともに、内部にエアシリンダを備えたリ
ンス液吐出ノズル昇降部61による昇降動作も可能であ
る。これにより、リンス液吐出ノズル65は、リンス液
吐出時以外は、基板Wの上方より待避してスリットノズ
ル30と干渉するのを回避している。なお、リンス液吐
出ノズル昇降部61の昇降機構はエアシリンダに限定さ
れるものではなく、アクチュエータなどの公知の昇降機
構が適用可能である。
The rinsing liquid discharge nozzle 65 has a function of discharging a rinsing liquid to the substrate W after the development processing and stopping the development processing. In addition, the rinsing liquid discharge nozzle 65 is configured to be rotatable around a vertical direction by a nozzle rotation motor 60, and is also capable of moving up and down by a rinsing liquid discharge nozzle raising / lowering unit 61 having an air cylinder therein. It is. This prevents the rinsing liquid discharge nozzle 65 from retreating from above the substrate W and interfering with the slit nozzle 30 except during rinsing liquid discharge. The raising and lowering mechanism of the rinsing liquid discharge nozzle raising and lowering section 61 is not limited to an air cylinder, and a known raising and lowering mechanism such as an actuator can be applied.

【0028】制御部80は基板現像装置100の各処理
部の動作を管理する。この制御部80は、水平方向移動
機構20のモータ23、昇降機構40のモータ41およ
びノズル支持部材45に電気的に接続されており、水平
方向移動機構20、昇降機構40およびノズル傾斜修正
機構70を制御する。
The control section 80 manages the operation of each processing section of the substrate developing apparatus 100. The control unit 80 is electrically connected to the motor 23 of the horizontal moving mechanism 20, the motor 41 of the elevating mechanism 40, and the nozzle support member 45, and the horizontal moving mechanism 20, the elevating mechanism 40, and the nozzle tilt correcting mechanism 70 Control.

【0029】上述したように、基板Wとスリットノズル
30との間隔を一定に保つことは、装置の組立精度ある
いは基板の保持精度の都合上困難な場合が多い。本実施
形態の基板現像装置100では、少なくとも基板Wの直
径以上の長さを有するスリットノズル30をX軸方向に
移動させているため、スリットノズル30の長手方向
(Y軸方向)およびスリットノズル30の移動方向(X
軸方向)のそれぞれにおいてスリットノズル30と基板
Wとの間隔が一定でない場合が生じる。そこで、基板現
像装置100では、スリットノズル30の長手方向およ
び移動方向のそれぞれについて基板Wとの間隔を一定に
保つ調整機構を設けている。以下、これらについて説明
する。
As described above, it is often difficult to keep the distance between the substrate W and the slit nozzle 30 constant due to the assembly accuracy of the apparatus or the substrate holding accuracy. In the substrate developing device 100 of the present embodiment, since the slit nozzle 30 having at least the length of the diameter of the substrate W is moved in the X-axis direction, the longitudinal direction (Y-axis direction) of the slit nozzle 30 and the slit nozzle 30 Direction of movement (X
(In the axial direction), the gap between the slit nozzle 30 and the substrate W may not be constant. Therefore, the substrate developing device 100 is provided with an adjustment mechanism that keeps the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W constant in each of the longitudinal direction and the moving direction. Hereinafter, these will be described.

【0030】<B.スリットノズルの移動方向における
調整機構>まず、スリットノズル30の移動方向につい
て基板Wとの間隔を一定に保つ調整機構について説明す
る。
<B. Adjustment Mechanism in Slit Nozzle Movement Direction> First, an adjustment mechanism for keeping a constant distance from the substrate W in the movement direction of the slit nozzle 30 will be described.

【0031】上述のように、スリットノズル30は水平
方向移動機構20によってX軸方向(スリットノズル3
0の長手方向に対して垂直な方向)に移動される。ここ
で、水平方向移動機構20は、モータ23、プーリ22
a、22bおよびベルト21で構成されている。モータ
23のモータ軸にはプーリ22bが連結されており、プ
ーリ22a、22bにはベルト21が掛けられている。
すなわち、モータ23の回転にともなってベルト21が
循環回送するように構成されている。
As described above, the horizontal movement mechanism 20 moves the slit nozzle 30 in the X-axis direction (the slit nozzle 3).
0 (in the direction perpendicular to the longitudinal direction). Here, the horizontal moving mechanism 20 includes a motor 23, a pulley 22
a, 22b and the belt 21. A pulley 22b is connected to a motor shaft of the motor 23, and a belt 21 is hung on the pulleys 22a and 22b.
That is, the belt 21 is configured to circulate and rotate with the rotation of the motor 23.

【0032】また、ベルト21と昇降機構40のモータ
41とは係止部材24によって接続されている。したが
って、モータ23の正または逆回転にともなって、モー
タ41がX軸方向に前進または後退し、その結果昇降機
構40の上部に設けられているスリットノズル30が
(+X)または(−X)の向きに移動することとなる。
The belt 21 and the motor 41 of the lifting mechanism 40 are connected by the locking member 24. Therefore, with the forward or reverse rotation of the motor 23, the motor 41 moves forward or backward in the X-axis direction, and as a result, the slit nozzle 30 provided on the upper part of the elevating mechanism 40 becomes (+ X) or (-X). It will move in the direction.

【0033】ここで基板Wが回転台11に厳密に水平姿
勢に保持されていない場合や水平方向移動機構20によ
るスリットノズル30の移動が厳密に水平方向に移動し
ていない場合は、スリットノズル30の移動方向におい
てスリットノズル30と基板Wとの間隔が一定に維持さ
れていない状態となる。
Here, when the substrate W is not held strictly in the horizontal position on the turntable 11 or when the movement of the slit nozzle 30 by the horizontal moving mechanism 20 is not strictly moved in the horizontal direction, the slit nozzle 30 In the moving direction, the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W is not maintained constant.

【0034】そこで、基板現像装置100では、センサ
31および昇降機構40によってスリットノズル30の
移動方向においてスリットノズル30と基板Wとの間隔
が一定となるように調整している。
Therefore, in the substrate developing apparatus 100, the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W in the moving direction of the slit nozzle 30 is adjusted by the sensor 31 and the elevating mechanism 40 so as to be constant.

【0035】センサ31はスリットノズル30に固設さ
れており、当該センサ31と基板Wとの距離を測定する
検出装置である。図1および図2に示すようにセンサ3
1は、現像液の液盛り時のスリットノズル30の進行方
向(+X方向)におけるスリットノズル30よりも前方
に設置されている。なお、センサ31の形態としては、
基板Wからの反射光を利用する検出装置など公知の全て
の技術を適用することができる。
The sensor 31 is fixed to the slit nozzle 30 and is a detection device for measuring the distance between the sensor 31 and the substrate W. As shown in FIG. 1 and FIG.
Numeral 1 is provided in front of the slit nozzle 30 in the traveling direction (+ X direction) of the slit nozzle 30 when the developer is filled. In addition, as a form of the sensor 31,
All known techniques, such as a detection device using reflected light from the substrate W, can be applied.

【0036】昇降機構40は、モータ41とカップリン
グ43とボールネジ44とで構成されている。モータ4
1の回転は、カップリング43を介してボールネジ44
に伝達される。ボールネジ44にはノズル支持部材45
が螺合されている。したがって、モータ41の正または
逆回転によってノズル支持部材45およびスリットノズ
ル30が鉛直方向に昇降されることになる。なお、カッ
プリング43はモータ41のモータ軸42とボールネジ
44との軸ずれを吸収してモータ41を保護するための
部材である。
The elevating mechanism 40 comprises a motor 41, a coupling 43, and a ball screw 44. Motor 4
1 is rotated by a ball screw 44 via a coupling 43.
Is transmitted to The ball screw 44 has a nozzle support member 45.
Is screwed. Therefore, the nozzle support member 45 and the slit nozzle 30 are raised and lowered in the vertical direction by the forward or reverse rotation of the motor 41. Note that the coupling 43 is a member for protecting the motor 41 by absorbing the axial displacement between the motor shaft 42 of the motor 41 and the ball screw 44.

【0037】現像液の液盛りを行う際には、センサ31
と基板Wとの間隔が予め定められたスリットノズル30
と基板Wとの間隔に対応する値となるように、制御部8
0が昇降機構40を制御してスリットノズル30を昇降
させる。すなわち、スリットノズル30を移動させつつ
スリットノズル30と基板Wとの間隔をセンサ31によ
って測定し、その測定結果に基づいて昇降機構40をフ
ィードバック制御し、X軸方向におけるスリットノズル
30の移動による軌跡と基板Wとが平行になるようにス
リットノズル30の鉛直方向位置を調整している。
When the developer is filled, the sensor 31
Nozzle 30 having a predetermined distance between the substrate and the substrate W
Control unit 8 so as to have a value corresponding to the distance between
0 controls the elevating mechanism 40 to move the slit nozzle 30 up and down. That is, the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W is measured by the sensor 31 while the slit nozzle 30 is moved, and the lifting mechanism 40 is feedback-controlled based on the measurement result, and the trajectory caused by the movement of the slit nozzle 30 in the X-axis direction. The vertical position of the slit nozzle 30 is adjusted so that the substrate and the substrate W are parallel to each other.

【0038】なお、センサ31をスリットノズル30の
前方に配置しているのは、フィードバック制御を容易に
するためであるが、センサ31の配置位置はスリットノ
ズル30の前方に限定されず後方であってもよい。この
場合は、現像液を液盛りすることなくスリットノズル3
0を移動させて、スリットノズル30と基板Wとの間隔
を測定し、その測定結果に基づいてスリットノズル30
のX軸方向における移動軌跡を予め演算によって求める
ことにより制御を行えばよい。
The reason why the sensor 31 is disposed in front of the slit nozzle 30 is to facilitate feedback control. However, the position of the sensor 31 is not limited to the position in front of the slit nozzle 30 but may be in the rear. You may. In this case, the slit nozzle 3 is used without filling the developer.
0, the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W is measured, and the slit nozzle 30
The control may be performed by obtaining the movement locus in the X-axis direction by calculation in advance.

【0039】<C.スリットノズルの長手方向における
調整機構>次に、スリットノズル30の長手方向につい
て基板Wとの間隔を一定に保つ調整機構について説明す
る。この調整は2つのセンサ32a、32bおよびノズ
ル傾斜修正機構70によって行われる。
<C. Adjusting Mechanism in the Longitudinal Direction of Slit Nozzle> Next, an adjusting mechanism for keeping a constant distance from the substrate W in the longitudinal direction of the slit nozzle 30 will be described. This adjustment is performed by the two sensors 32a and 32b and the nozzle inclination correcting mechanism 70.

【0040】図3は、基板現像装置100のノズル傾斜
修正機構70の一例を説明する図である。このノズル傾
斜修正機構70では、スリットノズル30がノズル支持
部材45に固設された支点71を軸として回動自在に支
持されている。そして、スリットノズル30の長手方向
において支点71の両側に力学的作用を及ぼすことがで
きる2つのモータ72a、72bが設けられている。2
つのモータ72a、72bは、制御部80によって制御
されており、スリットノズル30に対して鉛直方向に押
し引きすることにより協働してスリットノズル30を傾
斜させる。なお、2つのモータ72a、72bは、シリ
ンダやアクチュエータなどであってもよい。
FIG. 3 is a view for explaining an example of the nozzle inclination correcting mechanism 70 of the substrate developing apparatus 100. In the nozzle inclination correcting mechanism 70, the slit nozzle 30 is rotatably supported on a fulcrum 71 fixed to the nozzle support member 45 as an axis. Two motors 72a and 72b capable of exerting a mechanical action on both sides of the fulcrum 71 in the longitudinal direction of the slit nozzle 30 are provided. 2
The two motors 72a and 72b are controlled by the control unit 80 and cooperate to tilt the slit nozzle 30 by pushing and pulling the slit nozzle 30 in the vertical direction. Note that the two motors 72a and 72b may be cylinders, actuators, or the like.

【0041】また、スリットノズル30には、その長手
方向に2つのセンサ32a、32bが備えられている。
2つのセンサ32a、32bは、それらのセンサと基板
Wとの間隔を測定する検出装置であり、当該両センサの
測定結果からスリットノズル30の長手方向においてス
リットノズル30と基板Wとの相対的な角度を検出する
ことができる。なお、センサ32a、32bの形態とし
ては、上記センサ31と同様に、基板Wからの反射光を
利用する検出装置など公知の全ての技術を適用すること
ができる。
The slit nozzle 30 is provided with two sensors 32a and 32b in the longitudinal direction.
The two sensors 32a and 32b are detection devices that measure the distance between the sensors and the substrate W. Based on the measurement results of the two sensors, the relative distance between the slit nozzle 30 and the substrate W in the longitudinal direction of the slit nozzle 30 is determined. The angle can be detected. Note that, as the form of the sensors 32a and 32b, all known technologies such as a detection device using reflected light from the substrate W can be applied as in the case of the sensor 31.

【0042】現像液の液盛りを行う際には、2つのセン
サ32a、32bと基板Wとの間隔が等しくなるよう
に、制御部80がノズル傾斜修正機構70を制御して、
スリットノズル30の傾きを調整する。すなわち、スリ
ットノズル30の長手方向に沿った複数の位置における
スリットノズル30と基板Wとの間隔をセンサ32a、
32bによって測定し、その測定結果に基づいて制御部
80がノズル傾斜修正機構70を制御し、スリットノズ
ル30の長手方向においてスリットノズル30と基板W
とが平行になるようにスリットノズル30の傾斜を調整
する。
When the developer is filled, the controller 80 controls the nozzle inclination correcting mechanism 70 so that the distance between the two sensors 32a and 32b and the substrate W becomes equal.
The inclination of the slit nozzle 30 is adjusted. That is, the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W at a plurality of positions along the longitudinal direction of the slit nozzle 30 is determined by the sensor 32a,
32b, the control unit 80 controls the nozzle inclination correcting mechanism 70 based on the measurement result, and the slit nozzle 30 and the substrate W in the longitudinal direction of the slit nozzle 30.
And the inclination of the slit nozzle 30 is adjusted so that is parallel.

【0043】次に、ノズル傾斜修正機構70の他の例に
ついて説明する。図4は、基板現像装置100のノズル
傾斜修正機構70の他の例を説明する図である。
Next, another example of the nozzle inclination correcting mechanism 70 will be described. FIG. 4 is a diagram illustrating another example of the nozzle inclination correcting mechanism 70 of the substrate developing device 100.

【0044】このノズル傾斜修正機構70が上記図3の
例と異なるのは、支点71が直接モータ73の回転軸と
されており、モータ73の回転がそのままスリットノズ
ル30の回動動作となる点である。モータ73も制御部
80によって制御されており、センサ32a、32bに
よる測定結果に基づいて、スリットノズル30の長手方
向においてスリットノズル30と基板Wとが平行になる
ようにスリットノズル30の傾斜が調整される。
The nozzle tilt correcting mechanism 70 differs from the example of FIG. 3 in that the fulcrum 71 is directly used as the rotation axis of the motor 73, and the rotation of the motor 73 is the rotation operation of the slit nozzle 30 as it is. It is. The motor 73 is also controlled by the control unit 80, and the inclination of the slit nozzle 30 is adjusted based on the measurement results by the sensors 32a and 32b so that the slit nozzle 30 and the substrate W are parallel in the longitudinal direction of the slit nozzle 30. Is done.

【0045】以上の図3および図4に示した例では、セ
ンサ32a、32bの測定結果に基づく自動制御であっ
たが、スリットノズル30の傾斜は手動によっても調整
することができる。図5は、基板現像装置100のノズ
ル傾斜修正機構70の他の例を説明する図である。
In the examples shown in FIGS. 3 and 4, automatic control is performed based on the measurement results of the sensors 32a and 32b. However, the inclination of the slit nozzle 30 can be adjusted manually. FIG. 5 is a diagram illustrating another example of the nozzle inclination correcting mechanism 70 of the substrate developing device 100.

【0046】図5の例においては、スリットノズル30
が支点71を軸として回動自在に支持されている。そし
て、2つのネジ75a、75bがノズル支持部材45に
螺合されており、当該ネジ75a、75bの先端はスリ
ットノズル30の長手方向における支点71の両側に当
接している。したがって、2つのネジ75a、75bを
回転させて鉛直方向に上下動させることにより、スリッ
トノズル30を所望の傾斜に調整することができる。
In the example of FIG. 5, the slit nozzle 30
Are rotatably supported on a fulcrum 71 as an axis. The two screws 75 a and 75 b are screwed into the nozzle support member 45, and the tips of the screws 75 a and 75 b abut on both sides of the fulcrum 71 in the longitudinal direction of the slit nozzle 30. Accordingly, the slit nozzle 30 can be adjusted to a desired inclination by rotating the two screws 75a and 75b and moving the same vertically.

【0047】図5のノズル傾斜修正機構70によってス
リットノズル30の傾斜を調整する際には、予め基板W
の主面上に平行な面を有する治具を載せ、当該治具の面
にスリットノズル30が線で接触するように2つのネジ
75a、75bを調整すればよい。
When the inclination of the slit nozzle 30 is adjusted by the nozzle inclination correcting mechanism 70 shown in FIG.
A jig having a parallel surface may be placed on the main surface of the jig, and the two screws 75a and 75b may be adjusted so that the slit nozzle 30 contacts the jig surface with a line.

【0048】<D.スリットノズルの動作の総括>以上
のように、本発明に係る基板処理装置の一形態である基
板現像装置100では、ノズル傾斜修正機構70および
昇降機構40を制御して、スリットノズル30の長手方
向および移動方向のそれぞれについて基板Wとの間隔を
一定に保つようにしている。換言すれば、スリットノズ
ル30によって基板Wに現像液の液盛りを行うときは、
スリットノズル30の移動によって描かれる現像液供給
口35の軌跡の面が基板Wの主面と平行になるようにス
リットノズル30の傾斜および鉛直方向位置を調整しつ
つ、現像液供給口35から基板Wに現像液を供給してい
る。
<D. Summary of Operation of Slit Nozzle> As described above, in the substrate developing apparatus 100 which is an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, the nozzle inclination correcting mechanism 70 and the elevating mechanism 40 are controlled to control the longitudinal direction of the slit nozzle 30. The distance from the substrate W is kept constant in each of the moving directions. In other words, when the developer is loaded on the substrate W by the slit nozzle 30,
While adjusting the inclination and vertical position of the slit nozzle 30 so that the surface of the trajectory of the developer supply port 35 drawn by the movement of the slit nozzle 30 is parallel to the main surface of the substrate W, the substrate from the developer supply port 35 is adjusted. The developer is supplied to W.

【0049】したがって、スリットノズル30から基板
Wに供給される現像液の液圧が基板Wの面内において均
一となり、その結果基板Wの面内において均一な現像処
理結果を得ることができる。
Therefore, the liquid pressure of the developing solution supplied from the slit nozzle 30 to the substrate W becomes uniform in the plane of the substrate W, and as a result, a uniform development processing result can be obtained in the plane of the substrate W.

【0050】また、複数の基板Wを順次処理する場合で
あっても、処理する基板Wのそれぞれについてスリット
ノズル30と基板Wとの間隔が一定であるため、処理済
みの基板間における現像処理結果の均一性をも得ること
ができる。
Even when a plurality of substrates W are sequentially processed, the distance between the slit nozzle 30 and the substrate W is constant for each of the substrates W to be processed. Can also be obtained.

【0051】<E.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではなく、スリットノズル30の移動によって描か
れる現像液供給口35の軌跡の面が基板Wの主面と平行
になるようにスリットノズル30の傾斜および鉛直方向
位置が調整できる形態であればよい。
<E. Modifications> Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above example, and the surface of the locus of the developer supply port 35 drawn by the movement of the slit nozzle 30 is Any form can be used as long as the inclination and the vertical position of the slit nozzle 30 can be adjusted so as to be parallel to the main surface of.

【0052】例えば、図4のノズル傾斜修正機構70に
おいて、支点71を直接モータ73の回転軸としていた
が、これをベルトなどを介してモータ73の回転動作を
支点71に伝達するようにしてもよい。
For example, in the nozzle inclination correcting mechanism 70 shown in FIG. 4, the fulcrum 71 is directly used as the rotation axis of the motor 73, but the rotation may be transmitted to the fulcrum 71 via a belt or the like. Good.

【0053】また、図5のノズル傾斜修正機構70にお
いても、治具を使用する手法に限定されるものではな
く、スリットノズル30に図3および図4と同様のセン
サを備え、当該センサによる測定結果を確認しつつ、手
動によってスリットノズル30と基板Wとが平行になる
ようにスリットノズル30の傾斜を調整するようにして
もよい。
The nozzle inclination correcting mechanism 70 shown in FIG. 5 is not limited to the method using a jig, but the slit nozzle 30 is provided with a sensor similar to that shown in FIGS. While checking the result, the inclination of the slit nozzle 30 may be manually adjusted so that the slit nozzle 30 and the substrate W are parallel to each other.

【0054】また、上記実施形態では処理液として現像
液を使用する基板現像装置について説明したが、本発明
に係る基板処理装置は基板現像装置に限定されるもので
はなく、処理液を付与して基板に表面処理を行う基板処
理装置であれば適用可能である。
Further, in the above embodiment, the substrate developing apparatus using a developing solution as the processing liquid has been described. However, the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the substrate developing apparatus. The present invention is applicable to any substrate processing apparatus that performs a surface treatment on a substrate.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1、請求項
5、請求項6および請求項7の発明によれば、移動手段
による移動によって描かれる処理液供給口の軌跡が基板
の主面と平行になるように処理液供給手段と基板との間
隔を調整しているため、処理液供給手段から基板に供給
される処理液の液圧が基板の面内において均一となり、
その結果基板の面内において均一な処理結果を得ること
ができる。また、複数の基板を順次処理する場合であっ
ても、処理する基板のそれぞれについて処理液供給手段
と基板との間隔が一定であるため、処理済みの基板間に
おける処理結果の均一性をも得ることができる。
As described above, according to the first, fifth, sixth and seventh aspects of the present invention, the trajectory of the processing liquid supply port drawn by the movement of the moving means is the main surface of the substrate. Since the distance between the processing liquid supply unit and the substrate is adjusted so as to be parallel to the processing liquid pressure of the processing liquid supplied to the substrate from the processing liquid supply unit becomes uniform in the plane of the substrate,
As a result, a uniform processing result can be obtained in the plane of the substrate. Further, even when a plurality of substrates are sequentially processed, since the distance between the processing liquid supply unit and the substrates is constant for each of the substrates to be processed, uniformity of the processing results between the processed substrates is also obtained. be able to.

【0056】また、請求項2、請求項3および請求項4
の発明によれば、間隔検出手段による検出の結果に基づ
いて処理液供給手段と基板との間隔の調整を行っている
ため、上記の効果に加え、当該間隔調整を自動で行える
ことができ、処理効率を向上させることができる。
Further, claims 2, 3 and 4
According to the invention, since the distance between the processing liquid supply means and the substrate is adjusted based on the result of the detection by the distance detection means, in addition to the above effects, the distance can be automatically adjusted, Processing efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態である
基板現像装置の概略構成を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of a substrate developing apparatus which is an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の基板現像装置を説明する平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate developing device of FIG.

【図3】図1の基板現像装置のノズル傾斜修正機構の一
例を説明する図である。
3 is a diagram illustrating an example of a nozzle inclination correcting mechanism of the substrate developing device of FIG.

【図4】図1の基板現像装置のノズル傾斜修正機構の他
の例を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating another example of a nozzle inclination correcting mechanism of the substrate developing device of FIG.

【図5】図1の基板現像装置のノズル傾斜修正機構の他
の例を説明する図である。
FIG. 5 is a view for explaining another example of the nozzle inclination correcting mechanism of the substrate developing device of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 水平方向移動機構 30 スリットノズル 31、32a、32b センサ 35 現像液供給口 40 昇降機構 70 ノズル傾斜修正機構 80 制御部 W 基板 Reference Signs List 20 horizontal movement mechanism 30 slit nozzle 31, 32a, 32b sensor 35 developer supply port 40 elevating mechanism 70 nozzle inclination correcting mechanism 80 control unit W substrate

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に処理液を付与して所定の処理を行
う基板処理装置であって、 (a) 基板を略水平姿勢に保持する保持手段と、 (b) 前記基板の直径と同等以上の長さの処理液供給口を
有し、前記基板に前記処理液を供給する処理液供給手段
と、 (c) 前記処理液供給手段を略水平方向かつ前記処理液供
給手段の長手方向に対して垂直な方向に移動させる移動
手段と、 (d) 前記移動手段による移動によって描かれる前記処理
液供給口の軌跡が前記基板の主面と平行になるように前
記処理液供給手段と前記基板との間隔を調整する間隔調
整手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a predetermined processing by applying a processing liquid to a substrate, comprising: (a) holding means for holding the substrate in a substantially horizontal posture; and (b) a diameter equal to or larger than the diameter of the substrate. A processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the substrate, and (c) the processing liquid supply means in a substantially horizontal direction and a longitudinal direction of the processing liquid supply means. (D) the processing liquid supply means and the substrate so that the trajectory of the processing liquid supply port drawn by the movement by the movement means is parallel to the main surface of the substrate. And a distance adjusting means for adjusting the distance between the substrates.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 (e) 前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する
間隔検出手段、をさらに備え、 前記間隔調整手段は、前記間隔検出手段による前記検出
の結果に基づいて前記処理液供給手段と前記基板との間
隔の調整を行うことを特徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: (e) interval detecting means for detecting an interval between said processing liquid supply means and said substrate, wherein said interval adjusting means is said interval detecting means. A substrate processing apparatus that adjusts an interval between the processing liquid supply unit and the substrate based on a result of the detection by the method.
【請求項3】 請求項2記載の基板処理装置において、 前記間隔検出手段は、 前記処理液供給手段の前記長手方向に沿った位置におけ
る前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する長
手方向間隔検出手段、を含み、 前記間隔調整手段は、 前記処理液供給手段の前記長手方向において前記処理液
供給手段と前記基板の主面とが平行になるように前記処
理液供給手段の傾斜を調整する傾斜調整手段、を含むこ
とを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the distance detecting means detects a distance between the processing liquid supply means and the substrate at a position along the longitudinal direction of the processing liquid supply means. Direction interval detecting means, wherein the interval adjusting means tilts the processing liquid supply means so that the processing liquid supply means and the main surface of the substrate are parallel to each other in the longitudinal direction of the processing liquid supply means. A substrate processing apparatus, comprising: a tilt adjusting means for adjusting.
【請求項4】 請求項2記載の基板処理装置において、 前記間隔検出手段は、 前記移動手段によって前記処理液供給手段を移動させつ
つ、前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する
移動方向間隔検出手段、を含み、 前記間隔調整手段は、 前記処理液供給手段の前記移動の方向において前記処理
液供給手段の前記移動による軌跡と前記基板の主面とが
平行となるように前記処理液供給手段を鉛直方向に昇降
させる昇降手段、を含むことを特徴とする基板処理装
置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the distance detecting means detects the distance between the processing liquid supply means and the substrate while moving the processing liquid supply means by the moving means. A direction interval detecting unit, wherein the interval adjusting unit performs the processing so that a trajectory of the processing liquid supply unit due to the movement and a main surface of the substrate are parallel to each other in the direction of the movement of the processing liquid supply unit. A substrate processing apparatus comprising: elevating means for elevating and lowering a liquid supply means in a vertical direction.
【請求項5】 基板に処理液を付与して所定の処理を行
う基板処理方法であって、 (a) 基板を略水平姿勢に保持する保持工程と、 (b) 前記基板の直径と同等以上の長さの処理液供給口を
有する処理液供給手段から前記基板に前記処理液を供給
する処理液供給工程と、 (c) 前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する
間隔検出工程と、 (d) 前記処理液供給手段を略水平方向かつ前記処理液供
給手段の長手方向に対して垂直な方向に移動させる移動
行程と、 (e) 前記検出の結果に基づいて前記処理液供給口の前記
移動による軌跡が前記基板の主面と平行になるように前
記処理液供給手段と前記基板との間隔の調整を行う間隔
調整工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。
5. A substrate processing method for performing a predetermined processing by applying a processing liquid to a substrate, comprising: (a) a holding step of holding the substrate in a substantially horizontal posture; and (b) a diameter equal to or greater than the diameter of the substrate. A processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the substrate from a processing liquid supply unit having a processing liquid supply port having a length of: c) an interval detection step of detecting an interval between the processing liquid supply unit and the substrate (D) a movement step of moving the processing liquid supply means in a substantially horizontal direction and a direction perpendicular to the longitudinal direction of the processing liquid supply means; and (e) supplying the processing liquid based on the result of the detection. A substrate processing method, comprising: an interval adjusting step of adjusting an interval between the processing liquid supply unit and the substrate such that a locus of the opening due to the movement of the opening is parallel to a main surface of the substrate.
【請求項6】 請求項5記載の基板処理方法であって、 前記間隔検出工程は、 前記処理液供給手段の前記長手方向に沿った位置におけ
る前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する長
手方向間隔検出工程、を含み、 前記間隔調整工程は、 前記処理液供給手段の前記長手方向において前記処理液
供給手段と前記基板の主面とが平行になるように前記処
理液供給手段の傾斜を調整する傾斜調整工程、を含むこ
とを特徴とする基板処理方法。
6. The substrate processing method according to claim 5, wherein the interval detecting step detects an interval between the processing liquid supply unit and the substrate at a position along the longitudinal direction of the processing liquid supply unit. A step of detecting the longitudinal direction of the processing liquid, wherein the step of adjusting the distance of the processing liquid supply means is such that the processing liquid supply means and the main surface of the substrate are parallel to each other in the longitudinal direction of the processing liquid supply means. A substrate adjusting method including an inclination adjusting step of adjusting an inclination.
【請求項7】 請求項5記載の基板処理方法であって、 前記間隔検出工程は、 前記移動工程において前記処理液供給手段を移動させつ
つ、前記処理液供給手段と前記基板との間隔を検出する
移動方向間隔検出工程、を含み、 前記間隔調整工程は、 前記処理液供給手段の前記移動の方向において前記移動
による前記処理液供給手段の軌跡と前記基板の主面とが
平行となるように前記処理液供給手段を鉛直方向に昇降
させる昇降工程、を含むことを特徴とする基板処理装
置。
7. The substrate processing method according to claim 5, wherein the interval detecting step detects an interval between the processing liquid supply unit and the substrate while moving the processing liquid supply unit in the moving step. A moving direction interval detecting step, wherein the interval adjusting step is such that a locus of the processing liquid supply unit due to the movement and a main surface of the substrate are parallel in the moving direction of the processing liquid supply unit. A substrate processing apparatus, comprising: an elevating step of elevating and lowering the processing liquid supply means in a vertical direction.
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