JP2833583B2 - Patterning method for magnetoresistive element - Google Patents

Patterning method for magnetoresistive element

Info

Publication number
JP2833583B2
JP2833583B2 JP13616296A JP13616296A JP2833583B2 JP 2833583 B2 JP2833583 B2 JP 2833583B2 JP 13616296 A JP13616296 A JP 13616296A JP 13616296 A JP13616296 A JP 13616296A JP 2833583 B2 JP2833583 B2 JP 2833583B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
shield
photoresist
pattern
magnetoresistive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP13616296A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH09320019A (en
Inventor
一正 熊谷
延行 石綿
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP13616296A priority Critical patent/JP2833583B2/en
Publication of JPH09320019A publication Critical patent/JPH09320019A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2833583B2 publication Critical patent/JP2833583B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
のパターン化方法に係り、とくに磁気抵抗効果型ヘッド
の製造に際してウエハ(基板)上に複数の磁気抵抗効果
素子を形成するための磁気抵抗効果素子のパターン化方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of patterning a magnetoresistive element, and more particularly to a method of forming a plurality of magnetoresistive elements on a wafer (substrate) when manufacturing a magnetoresistive head. The present invention relates to a method for patterning an effect element.
【0002】[0002]
【従来の技術】磁気記録機器の小型大容量化に伴って、
磁気記録技術の高密度化が急速に進展している。磁気抵
抗効果(以下「MR効果」という)を利用した再生ヘッ
ド(以下「MRヘッド」という)は、大きな再生出力が
得られることから、従来のインダクティブヘッド(以下
「IDヘッド」という)を記録部とし、MRヘッドを再
生部とした複合型ヘッドは、磁気記録の高密度化を推進
するための主要技術の一つである。
2. Description of the Related Art With the miniaturization and large capacity of magnetic recording devices,
The density of magnetic recording technology is rapidly increasing. A reproducing head (hereinafter, referred to as an "MR head") utilizing a magnetoresistive effect (hereinafter, referred to as an "MR effect") can obtain a large reproducing output. The composite type head using the MR head as a reproducing unit is one of the main technologies for promoting higher density of magnetic recording.
【0003】特に、2枚の対向する磁気シールド膜間に
MR素子を配置した構造のシールド型MRヘッドは磁気
ディスク装置用の磁気ヘッドとして有効である。図10
(元第1図)に、このシールド型MRヘッドと記録用I
Dヘッドとを組み合わせた複合型ヘッドの層の従来例に
おける構成例を示す。
In particular, a shield type MR head having a structure in which an MR element is arranged between two opposing magnetic shield films is effective as a magnetic head for a magnetic disk drive. FIG.
(Original Fig. 1) shows this shield type MR head and recording I
The structure example in the conventional example of the layer of the composite type head combined with the D head is shown.
【0004】この図10において、スライダとなる基板
51上には、下シールド膜52,下ギャップ膜53が順
次積層されている。その上に、長方形のMR効果を有す
る感磁部54Aと,この感磁部54Aの両側端にあって
当該感磁部54Aを単磁区化する機能を有する端部領域
54Bおよび54CとからなるMR素子54が形成され
ている。
In FIG. 10, a lower shield film 52 and a lower gap film 53 are sequentially laminated on a substrate 51 serving as a slider. On top of this, an MR comprising a magneto-sensitive portion 54A having a rectangular MR effect, and end regions 54B and 54C provided on both side ends of the magneto-sensitive portion 54A and having a function of dividing the magneto-sensitive portion 54A into a single magnetic domain. An element 54 is formed.
【0005】更にその上には、上ギャップ膜56,上シ
ールド膜57,記録ギャップ膜58,上ポール膜59が
順次形成されている。そして、上シールド膜57と上ポ
ール膜59との間には、フォトレジストによって絶縁さ
れた記録電流用コイルが装備されている。
Further, an upper gap film 56, an upper shield film 57, a recording gap film 58, and an upper pole film 59 are sequentially formed thereon. A coil for recording current insulated by a photoresist is provided between the upper shield film 57 and the upper pole film 59.
【0006】これらの層を形成する膜は、フォトリソグ
ラフィによる方法によって所望の形状にパタ−ン化され
る。特にMR素子54のパターンは、膜厚が数10〔n
m〕と薄いことや、パターン幅が1〔μm〕程度と小さ
いこと、更に、この素子に対しては107 〔A/c
2 〕程度の密度の電流を流すこと等から、上下のギャ
ップに十分な絶縁機能を持たせるためにMR素子54の
パターン化によるバリの発生を抑制する等の要求があ
り、精度の高いパターン化技術が必要とされる。
The films forming these layers are patterned into a desired shape by a photolithographic method. In particular, the pattern of the MR element 54 has a film thickness of several tens [n].
m], the pattern width is as small as about 1 μm, and furthermore, 10 7 [A / c
m 2 ], it is necessary to suppress the occurrence of burrs due to the patterning of the MR element 54 so that the upper and lower gaps have a sufficient insulating function. Technology is required.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】MR素子54をパター
ン化するに当たって、バリの発生を抑制するとの観点か
ら、そのパタ−ン形状を決定するフォトレジストパタ−
ンの厚さは出来る限り薄いことが望ましい。
In patterning the MR element 54, from the viewpoint of suppressing the occurrence of burrs, a photoresist pattern for determining its pattern shape is used.
It is desirable that the thickness of the component be as thin as possible.
【0008】しかしながら、薄いフォトレジストを基板
51の全面に均一の厚さをもって塗布することは難し
く、とくに2〔μm〕程度の厚さを備えた下シールドパ
タ−ン52を形成した後に、このフォトレジストを薄く
均一に塗布するという事は殆ど不可能な状態となってい
た。
However, it is difficult to apply a thin photoresist to the entire surface of the substrate 51 with a uniform thickness. It has been almost impossible to apply the resist thinly and uniformly.
【0009】図6乃至図8に、従来から行われている、
下シールドパタ−ン(マトリクス上に配設された下シー
ルド膜52の全体)を形成した後にMR素子54をパタ
−ン化するためのフォトレジストを塗布する工程の例を
示す。この図6乃至図8において、MR素子54はフォ
トレジスト塗布の工程後に形成されるようになってい
る。
FIGS. 6 to 8 show a conventional method.
An example of the step of forming a lower shield pattern (the entire lower shield film 52 disposed on the matrix) and then applying a photoresist for patterning the MR element 54 will be described. 6 to 8, the MR element 54 is formed after the step of applying a photoresist.
【0010】フォトレジストを基板51の全面に塗布す
る場合は、基板51の中心を回転軸とし、高速回転させ
ることによって塗布を行う。図中、矢印61は、各位置
においてフォトレジストが下シールドパタ−ンに進入す
る方向を示す。特に、下シールドパタ−ン素子521n
よび52n1におけるフォトレジストの進行方向と素子形
状との関係を図6に,その具体例を図7,図8にそれぞ
れ示す。この従来例で明らかのように、下シールドパタ
−ン52を構成する各下シールドパタ−ン素子5211
52nnは、図7,図8に示すように、左右および上下方
向において非対称となっている。
When the photoresist is applied to the entire surface of the substrate 51, the application is performed by rotating the substrate 51 at a high speed around the center of the substrate 51 as a rotation axis. In the figure, the arrow 61 indicates the direction in which the photoresist enters the lower shield pattern at each position. In particular, the lower shield pattern - in Fig. 6 the relationship between the traveling direction and the element shape of the photoresist in the emission element 52 1n and 52 n1, respectively a specific example 7 and 8. As is apparent from this conventional example, each of the lower shield pattern elements 52 11 to 52
52 nn is asymmetric in the left-right and up-down directions as shown in FIGS. 7 and 8.
【0011】このことからフォトレジストが各下シール
ドパタ−ン素子5211〜52nnに進入するときの状況が
基板51上の位置によって大きく異なってくる。その結
果、各下シールドパタ−ン素子5211〜52nn部分のフ
ォトレジストの塗布膜の厚さは基板51上の位置によっ
て大きく変化する。このことは、フォトレジスト厚が薄
くなるほど顕著となる。
From this, the situation when the photoresist enters each of the lower shield pattern elements 52 11 to 52 nn greatly differs depending on the position on the substrate 51. As a result, the lower shield pattern - the thickness of the coating film of the photoresist down element 52 11 to 52 nn portion varies greatly depending on the position on the substrate 51. This becomes more pronounced as the photoresist thickness decreases.
【0012】図9に、0.15〔μm〕の厚さのフォト
レジストを塗布した場合の各下シールドパタ−ン素子5
11〜52nn上でのフォトレジスト厚さが基板51の中
心からの位置によって変化している様子を示す。
FIG. 9 shows each lower shield pattern element 5 when a photoresist having a thickness of 0.15 [μm] is applied.
The state in which the photoresist thickness on 2 11 to 52 nn changes depending on the position from the center of the substrate 51 is shown.
【0013】この図9に示す測定結果からも明らかのよ
うに、基板51上中心付近では0.15〔μm〕程度の
厚さを有していても、中心から離れるに従って厚さは大
きく変化するという不都合が生じている。
As is clear from the measurement results shown in FIG. 9, even if the substrate 51 has a thickness of about 0.15 μm near the center on the substrate 51, the thickness changes greatly as the distance from the center increases. The inconvenience has occurred.
【0014】[0014]
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに下シールドパタ−ン上に下ギャップ膜
を介して比較的薄いフォトレジストを塗布する際の塗布
厚の均一化を図り、これによって同一製造工程によって
一度に形成される複数の磁気抵抗効果型ヘッドの品質の
均一化をより一層高めることが可能な磁気抵抗効果素子
のパターン化方法を提供することを、その目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to improve the disadvantages of the prior art and to make the coating thickness uniform when coating a relatively thin photoresist on a lower shield pattern via a lower gap film. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of patterning a magnetoresistive element capable of further improving the uniformity of the quality of a plurality of magnetoresistive heads formed at one time by the same manufacturing process. .
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】基板内でのフォトレジス
トの塗布膜の厚さの変動原因が、基板を高速回転させて
フォトレジストを塗布する際の、フォトレジストが下シ
ールドパタ−ンに進入する条件の違いにあること、同時
に当該フォトレジストが下シールドパタ−ンに進入する
条件をウエハ内で均一にすることによって一定のフォト
レジスト塗布厚が得られること、を発明者らは見いだし
た。このため、本発明では、上記課題の解決手段として
以下に示す手法を見いだした。
The photoresist enters the lower shield pattern when the photoresist is applied by rotating the substrate at a high speed because the thickness of the photoresist coating film in the substrate fluctuates. The inventors have found that there is a difference in the conditions for performing the same, and at the same time, a uniform photoresist coating thickness can be obtained by making the conditions for the photoresist to enter the lower shield pattern uniform within the wafer. Therefore, in the present invention, the following method has been found as a means for solving the above-mentioned problem.
【0016】即ち、本発明では、スライダとなる基板上
に、下シールド膜,下ギャップ膜を順次積層し、その上
に長方形の感磁部を備えた磁気抵抗効果素子(MR素
子)を装備し、更にその上に上ギャップ膜,上シールド
膜,記録ギャップ膜,上ポール膜を順次形成し、上シー
ルド膜と上ポール膜との間には、フォトレジストによっ
て絶縁された記録電流用コイル部を積層して成る磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前述した下シールド膜として
の複数の下シールドパターン素子からなる下シールドパ
ターンを基板上に形成した後に、当該下シールドパター
ン素子上に下ギャップ膜を介して設けられた磁気抵抗効
果素子(MR素子)をパターン化するためのフォトレジ
ストを塗布する工程を備えている。そして、各磁気抵抗
効果素子のパタ−ン化に際しては、予め前述した各下シ
ールドパタ−ン素子を円形若しくはこれに準ずる形状に
設定する、という構成を採っている。
That is, according to the present invention, a lower shield film and a lower gap film are sequentially laminated on a substrate serving as a slider, and a magnetoresistive effect element (MR element) having a rectangular magnetic sensing portion is provided thereon. An upper gap film, an upper shield film, a recording gap film, and an upper pole film are sequentially formed thereon, and a recording current coil portion insulated by a photoresist is interposed between the upper shield film and the upper pole film. In a laminated magnetoresistive head, after forming a lower shield pattern composed of a plurality of lower shield pattern elements as a lower shield film described above on a substrate, a lower gap film is interposed on the lower shield pattern element. A step of applying a photoresist for patterning the provided magnetoresistive element (MR element). When the respective magnetoresistive elements are patterned, each lower shield pattern element is set in advance to a circular shape or a similar shape.
【0017】また、この場合、前述した各磁気抵抗効果
素子(MR素子)は、円形若しくはこれに準ずる形状に
形成された各下シールドパタ−ン素子の中央部に一様に
形成しパタ−ン化する。
In this case, each of the above-mentioned magnetoresistive effect elements (MR elements) is formed uniformly at the center of each lower shield pattern element formed in a circular or similar shape. Become
【0018】そして、その後に、複数の各シールドパタ
ーン素子の中央部に位置するように磁気抵抗効果素子
(MR素子)を一様に配設してパタ−ン化する。また、
前述した各磁気抵抗効果素子(MR素子)のパタ−ン化
に際しては、予め下シールドパタ−ン素子を円形若しく
はこれに準ずる形状に設定する、という構成を採ってい
る。
After that, the magnetoresistive effect element (MR element) is uniformly arranged so as to be located at the center of each of the plurality of shield pattern elements and patterned. Also,
When the above-described magnetoresistive elements (MR elements) are patterned, the lower shield pattern element is set in advance to a circular shape or a shape similar thereto.
【0019】この場合、磁気抵抗効果素子は、円形若し
くはこれに準ずる形状に形成された各下シールドパタ−
ン素子の中央部に一様に配設すると、量産に際しては品
質の均一性を維持するのに都合がよい。
In this case, each of the lower shield patterns formed in a circular shape or a shape similar thereto has a magnetoresistive effect element.
It is convenient to maintain uniform quality in mass production if it is arranged uniformly in the center of the element.
【0020】また、前述した各磁気抵抗効果素子のパタ
−ン化に際して塗布されるフォトレジストの平均厚さ
は、200〔nm〕に設定すると実用上好ましい。
Further, it is practically preferable to set the average thickness of the photoresist applied at the time of patterning each of the above-described magnetoresistance effect elements to 200 [nm].
【0021】このため、本発明では、各下シールドパタ
−ン素子を円形もしくはこれに準ずる形状に設定したこ
とから、この各下シールドパタ−ン素子のパタ−ン上に
下ギャップ膜を介してMR素子をパタ−ン化するための
フォトレジストを、基板の中心を回転軸として基板を高
速回転させて塗布させる場合、当該フォトレジストが下
シールドのパタ−ンに進入する条件を基板の任意の位置
でほぼ同一とすることができる。
For this reason, in the present invention, since each lower shield pattern element is set to a circular shape or a shape similar thereto, the lower shield pattern element is formed on the pattern of each lower shield pattern element via a lower gap film. When applying a photoresist for patterning the MR element by rotating the substrate at a high speed around the center of the substrate as a rotation axis, the condition for the photoresist to enter the pattern of the lower shield is determined by an arbitrary condition of the substrate. It can be almost identical in position.
【0022】このため、例えば、0.15〔μm〕の厚
さのフォトレジストを塗布したときの、下シールドパタ
ーン素子上でのフォトレジストの厚さは、基板中心から
離れて、それぞれほぼ0.15〔μm〕の厚さで均一に
塗布することを確認することができた。
For this reason, for example, when a photoresist having a thickness of 0.15 [μm] is applied, the thickness of the photoresist on the lower shield pattern element is approximately 0. It could be confirmed that the film was uniformly applied with a thickness of 15 [μm].
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
1乃至図5に基づいて説明する。まず、図5において、
符号11はスライダとなる基板を示す。この基板11
は、本実施形態では、Al23 −Ti C基板が用いられ
ている。このスライダとなる基板11上には、前述した
従来例の場合と同様に、下シールド膜12,下ギャップ
膜13が順次積層され、その上に長方形の感磁部14A
を備えた磁気抵抗効果素子(MR素子)14(図1にお
ける1411〜14nnに同じ)を形成し、更にその上に、
上ギャップ膜16,上シールド膜17,記録ギャップ膜
18,上ポール膜19が順次形成されるようになってい
る。また、上シールド膜17と上ポール膜18との間に
は、フォトレジストによって絶縁された記録電流用コイ
ル(図示せず)が積層されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. First, in FIG.
Reference numeral 11 denotes a substrate serving as a slider. This substrate 11
Is in the present embodiment, Al 2 O 3 -Ti C substrate is used. A lower shield film 12 and a lower gap film 13 are sequentially laminated on the substrate 11 serving as the slider as in the case of the above-described conventional example, and a rectangular magnetic sensing portion 14A is formed thereon.
Is formed (same as 14 11 to 14 nn in FIG. 1), and further thereon,
An upper gap film 16, an upper shield film 17, a recording gap film 18, and an upper pole film 19 are sequentially formed. A recording current coil (not shown) insulated by a photoresist is laminated between the upper shield film 17 and the upper pole film 18.
【0024】ここで、磁気抵抗効果素子(MR素子)1
4(図1における1411〜14nnに同じ)の形成工程に
ついて詳述する。
Here, the magnetoresistive effect element (MR element) 1
4 (same as 14 11 to 14 nn in FIG. 1) will be described in detail.
【0025】まず、下シールド膜12である複数の下シ
ールドパターン素子1211〜12nn(図1参照)からな
るシールドパターンを基板11上に形成した後に、当該
したシールドパターン素子1211〜12nn上に薄膜10
0〔nm〕のアルミナ膜を下ギャップ膜13として形成
し、その上に、フォトレジストを塗布し、その後、複数
の各シールドパターン素子1211〜12nnの中央部に対
応して一様に磁気抵抗効果素子(MR素子)1411〜1
nnが位置するように当該MR素子をパタ−ン化する。
First, a shield pattern composed of a plurality of lower shield pattern elements 12 11 to 12 nn (see FIG. 1) as the lower shield film 12 is formed on the substrate 11 and then the shield pattern elements 12 11 to 12 nn. Thin film 10 on top
0 to form an alumina film [nm] as the lower gap film 13, on which is coated with a photoresist, then uniformly magnetically corresponding to the central portion of each of the plurality of shield pattern elements 12 11 to 12 nn Resistance effect element (MR element) 14 11 -1
The MR element is patterned so that 4 nn is located.
【0026】尚、ここで、前述した下シールドパターン
素子1211〜12nnは、その膜厚が2〔μm〕の円形で
且つFe Si Al 合金により形成されている。
The above-mentioned lower shield pattern elements 12 11 to 12 nn are formed in a circular shape having a thickness of 2 [μm] and made of a FeSiAl alloy.
【0027】各磁気抵抗効果素子(MR素子)1411
14nnのパタ−ン化に際しては、上述したように、予め
下シールドパタ−ン素子1211〜12nnを円形若しくは
これに準ずる形状に設定する。この場合、各MR素子1
11〜14nnは、長方形の感磁部の対角線の交点と各下
シールドパタ−ン素子1211〜12nnの中心点とが一致
するように決定する。
[0027] Each magneto-resistive element (MR element) 14 11 -
When the 14 nn pattern is formed, as described above, the lower shield pattern elements 12 11 to 12 nn are set in advance to a circular shape or a shape similar thereto. In this case, each MR element 1
4 11 to 14 nn are determined such that the intersection of the diagonal lines of the rectangular magnetic sensing part and the center point of each lower shield pattern element 12 11 to 12 nn match.
【0028】一方、円形若しくはこれに準ずる形状に形
成された各下シールドパタ−ン素子1211〜12nn上の
フォトレジストの平均厚さは、200〔nm〕以下に設
定されている。また、MR素子1411〜14nnの形成に
際しては、このパタ−ン上に薄膜100〔nm〕のアル
ミナ膜を下ギャップ膜13として形成した後、感磁部1
4Aを構成するための軟磁性膜、磁気スペーサ膜、およ
びMR膜を成膜する。
On the other hand, the average thickness of the photoresist on each of the lower shield pattern elements 12 11 to 12 nn formed in a circular or similar shape is set to 200 nm or less. When forming the MR elements 14 11 to 14 nn, a 100 nm thin alumina film is formed as a lower gap film 13 on this pattern, and then the magnetosensitive portion 1 is formed.
A soft magnetic film, a magnetic spacer film, and an MR film for forming 4A are formed.
【0029】軟磁性膜としては膜厚30〔nm〕のCo
Zr Mo 膜を、磁気スペーサ膜としては膜厚10〔n
m〕のTa 膜を、MR膜としては膜厚20〔nm〕のN
i Fe膜を用いた。
As a soft magnetic film, a 30 nm thick Co
The ZrMo film has a thickness of 10 [n] as a magnetic spacer film.
m] of the Ta film and an MR film of 20 nm thick N
An iFe film was used.
【0030】この後、感磁部の幅を規定するパタ−ン化
を行った後、このパタ−ン化に用いたフォトレジストマ
スクを使ったリフトオフにより、端部領域14B,14
Cを形成するCo Pt Cr 膜を30〔nm〕厚で成膜し
た。
Then, after patterning for defining the width of the magneto-sensitive portion is performed, the end regions 14B, 14B are lifted off using the photoresist mask used for the patterning.
A Co Pt Cr film for forming C was formed with a thickness of 30 [nm].
【0031】以上の感磁部14Aと端部領域14B,1
4CとからなるMR素子14の形状を最終的に規定する
ために、基板中心を回転中心とした高速回転により、
0.15〔μm〕相当のフォトレジストを塗布した。こ
の時の下シールドパタ−ン素子1211〜12nnに対応し
た上領域に塗布されたフォトレジストの膜厚分布の測定
結果を図4に示す。これにより、フォトレジストがほぼ
均一に塗布されていることが確認された。
The above-described magnetic sensing portion 14A and end regions 14B, 1
In order to finally define the shape of the MR element 14 composed of 4C, by high-speed rotation around the center of the substrate,
A photoresist equivalent to 0.15 [μm] was applied. FIG. 4 shows measurement results of the film thickness distribution of the photoresist applied to the upper region corresponding to the lower shield pattern elements 12 11 to 12 nn at this time. As a result, it was confirmed that the photoresist was applied almost uniformly.
【0032】その後、前述したように、MR素子14
(1411〜14nn)に通電用の電極を形成した後、膜厚
100〔nm〕のアルミナ膜を上ギャップ膜16として
形成し、更に、膜厚3〔μm〕のNi Fe 膜を上シール
ド膜17として形成した。その上に記録ギャップ膜18
となる膜厚300〔nm〕のアルミナ膜を形成し、フォ
トレジストにより絶縁されたCuコイルを形成した後
に、上ポール膜19としての膜厚4〔μm〕のNi Fe
パタンを形成した。
Thereafter, as described above, the MR element 14
(14 11 -14 nn ), a current-carrying electrode was formed, an alumina film having a thickness of 100 [nm] was formed as the upper gap film 16, and a NiFe film having a thickness of 3 [μm] was further shielded with an upper shield. It was formed as a film 17. On top of this, the recording gap film 18
After forming an alumina film having a thickness of 300 [nm] and forming a Cu coil insulated by photoresist, a 4 [μm] thick NiFe film as the upper pole film 19 is formed.
A pattern was formed.
【0033】そして、最後に、基板11をスライダ化
し、MR/ID複合ヘッドとした。
Finally, the substrate 11 was made into a slider to form an MR / ID composite head.
【0034】次に、同一条件で従来例におけるMR/I
D複合ヘッドを制作し、これと比較してみた。この場
合、従来例(図10)に示すMR/ID複合ヘッドで
は、MR素子54の上シールド56とのショートや出力
特性のバラツキが多く観測された。これは、MR素子を
パタ−ン化する際のフォトレジスト厚の大きなバラツキ
により、MR素子54が均一に形成されなかったことに
よる。
Next, under the same conditions, the MR / I
I made a D composite head and compared it with this. In this case, in the MR / ID composite head shown in the conventional example (FIG. 10), many short-circuits with the upper shield 56 of the MR element 54 and variations in output characteristics were observed. This is because the MR element 54 was not formed uniformly due to a large variation in the photoresist thickness when the MR element was patterned.
【0035】これに対して、本実施形態におけるMR/
ID複合ヘッド(図5に示す)では、上記従来例におけ
るショートやバラツキが大幅に減少し、これがため、歩
留まりの大幅な改善を確認することができた。
On the other hand, the MR /
In the ID composite head (shown in FIG. 5), the short circuit and the variation in the above-described conventional example were greatly reduced, and therefore, a significant improvement in the yield could be confirmed.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上のように、本発明によると、下シー
ルドパタ−ン上に下ギャップ膜を介して比較的薄いフォ
トレジストを塗布する際の塗布厚の均一化を図ることが
可能となり、このため、MR素子の基板内でのバラツキ
を大幅に減少させることが可能となり、このため、これ
を使用すると、磁気抵抗効果型ヘッドの品質の均一化を
より一層高めることができ、製造歩留まりの大幅な改善
を図り得るという従来にない優れた磁気抵抗効果素子の
パターン化方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to achieve a uniform coating thickness when a relatively thin photoresist is coated on a lower shield pattern via a lower gap film. For this reason, it is possible to greatly reduce the variation in the MR element in the substrate. Therefore, when this is used, the uniformity of the quality of the magnetoresistive head can be further improved, and the manufacturing yield can be reduced. It is possible to provide an unprecedented and excellent method of patterning a magnetoresistive element which can achieve a great improvement.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明のおける一実施形態を示す場合の図で、
基板上の各下シールドパターン素子上に下ギャップ膜を
介してMR素子を設定するためのフォトレジスタの塗布
工程を示す説明図である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a photoresist coating process for setting an MR element on each lower shield pattern element on a substrate via a lower gap film.
【図2】図1における下シールドパタ−ン素子に下ギャ
ップ膜を介してMR素子をパタ−ン化するためのフォト
レジストの塗布工程の一部を示す詳細説明図である。
FIG. 2 is a detailed explanatory view showing a part of a photoresist coating process for patterning an MR element through a lower gap film on a lower shield pattern element in FIG. 1;
【図3】図1における下シールドパタ−ン素子に下ギャ
ップ膜を介してMR素子をパタ−ン化するためのフォト
レジストの塗布工程の一部を示す詳細説明図である。
FIG. 3 is a detailed explanatory view showing a part of a photoresist coating process for patterning an MR element on a lower shield pattern element via a lower gap film in FIG. 1;
【図4】図1に開示した手法により塗布したフォトレジ
ストの厚さの測定例を示す線図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of measuring the thickness of a photoresist applied by the method disclosed in FIG. 1;
【図5】図1に開示した手法により形成したヘッドの例
を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a head formed by the method disclosed in FIG. 1;
【図6】従来例における一実施形態を示す場合の図で、
基板上の各下シールドパターン素子上に下ギャップ膜を
介してMR素子を設定するためのフォトレジスタの塗布
工程を示す説明図である。
FIG. 6 is a diagram showing one embodiment of a conventional example.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a photoresist coating process for setting an MR element on each lower shield pattern element on a substrate via a lower gap film.
【図7】図6(従来例)における下シールドパタ−ン素
子に下ギャップ膜を介してMR素子をパタ−ン化するた
めのフォトレジストの塗布工程の一部を示す詳細説明図
である。
FIG. 7 is a detailed explanatory view showing a part of a photoresist coating process for patterning the MR element through the lower gap film on the lower shield pattern element in FIG. 6 (conventional example).
【図8】図6(従来例)における下シールドパタ−ン素
子に下ギャップ膜を介してMR素子をパタ−ン化するた
めのフォトレジストの塗布工程の一部を示す詳細説明図
である。
FIG. 8 is a detailed explanatory view showing a part of a photoresist coating process for patterning the MR element on the lower shield pattern element via a lower gap film in FIG. 6 (conventional example).
【図9】図6(従来例)に開示した手法により塗布した
フォトレジストの厚さの測定例を示す線図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of measuring the thickness of a photoresist applied by the method disclosed in FIG. 6 (conventional example).
【図10】図6(従来例)に開示した手法により形成し
た複合型磁気ヘッドの例を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of a composite magnetic head formed by the method disclosed in FIG. 6 (conventional example).
【符号の説明】[Explanation of symbols]
11 基板 12 下シールド膜 1211〜12nn 下シールドパタ−ン素子 13 下ギャップ膜 14,1411〜14nn 磁気抵抗効果素子(MR素子) 16 上ギャップ膜 17 上シールド膜 18 記録ギャップ膜 19 上ポール膜11 substrate 12 lower shield film 12 11 to 12 nn under shielding pattern - emission element 13 lower gap film 14, 14 11 to 14 nn magnetoresistive element (MR element) 16 upper gap film 17 upper shield film 18 recording gap film 19 above Pole membrane

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]
  1. 【請求項1】 スライダとなる基板上に、下シールド
    膜,下ギャップ膜を順次積層し、その上に長方形の感磁
    部を備えた磁気抵抗効果素子を装備し、更にその上に上
    ギャップ膜,上シールド膜,記録ギャップ膜,上ポール
    膜を順次形成し、前記上シールド膜と上ポール膜との間
    に、フォトレジストによって絶縁された記録電流用コイ
    ル部を積層して成る磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記下シールド膜としての複数の下シールドパターン素
    子からなる下シールドパターンを前記基板上に形成した
    後に、当該下シールドパターン素子上に下ギャップ膜を
    介して形成された前記磁気抵抗効果素子をパターン化す
    るためのフォトレジストを塗布する工程を備え、 前記各磁気抵抗効果素子のパタ−ン化に際しては、予め
    前記各下シールドパタ−ン素子を円形若しくはこれに準
    ずる形状に設定したことを特徴とする磁気抵抗効果素子
    のパターン化方法。
    1. A lower shield film and a lower gap film are sequentially laminated on a substrate serving as a slider, and a magnetoresistive effect element having a rectangular magneto-sensitive portion is provided thereon, and an upper gap film is further provided thereon. , An upper shield film, a write gap film, and an upper pole film are sequentially formed, and a recording current coil portion insulated by a photoresist is laminated between the upper shield film and the upper pole film. In the head, after forming a lower shield pattern including a plurality of lower shield pattern elements as the lower shield film on the substrate, the magnetoresistance effect element formed on the lower shield pattern element via a lower gap film Applying a photoresist for patterning the lower shield pattern element before patterning each of the magnetoresistive elements. Patterning method of the magnetoresistive element, characterized in that the set into a circular or a shape equivalent thereto.
  2. 【請求項2】 前記磁気抵抗効果素子を、円形若しくは
    これに準ずる形状に形成された前記各下シールドパタ−
    ン素子の中央部に一様に形成しパタ−ン化することを特
    徴とした請求項1記載の磁気抵抗効果素子のパターン化
    方法。
    2. The lower shield pattern, wherein the magnetoresistive effect element is formed in a circular or similar shape.
    2. The method according to claim 1, wherein the pattern is formed uniformly at the center of the element.
  3. 【請求項3】 前記各磁気抵抗効果素子のパタ−ン化に
    際して塗布されるフォトレジストの平均厚さを、200
    〔nm〕以下に設定したことを特徴とした請求項1記載
    の磁気抵抗効果素子のパターン化方法。
    3. An average thickness of a photoresist applied when patterning each of said magnetoresistive elements is 200.
    2. The patterning method for a magnetoresistive element according to claim 1, wherein the value is set to [nm] or less.
JP13616296A 1996-05-30 1996-05-30 Patterning method for magnetoresistive element Expired - Fee Related JP2833583B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13616296A JP2833583B2 (en) 1996-05-30 1996-05-30 Patterning method for magnetoresistive element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13616296A JP2833583B2 (en) 1996-05-30 1996-05-30 Patterning method for magnetoresistive element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09320019A JPH09320019A (en) 1997-12-12
JP2833583B2 true JP2833583B2 (en) 1998-12-09

Family

ID=15168777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13616296A Expired - Fee Related JP2833583B2 (en) 1996-05-30 1996-05-30 Patterning method for magnetoresistive element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2833583B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09320019A (en) 1997-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001084535A (en) Manufacture of thin film magnetic head and manufacture of magnetresistance effect device
JP2000105906A (en) Production of thin film magnetic head
US20020186503A1 (en) Metal in gap thin film tape head
JP3925680B2 (en) Thin film magnetic head and manufacturing method thereof
US7372667B2 (en) Thin-film magnetic head, head gimbal assembly with thin-film magnetic head, head arm assembly with head gimbal assembly, magnetic disk drive apparatus with head gimbal assembly and manufacturing method of thin-film magnetic head
JPH117615A (en) Manufacture of combined magnetic head
JP2000048318A (en) Thin film magnetic head and its production
JP2000113421A (en) Magnetic tunnel junction magneto-resistive head
JPH05143939A (en) Composite type thin-film magnetic head and production thereof
JP2000099914A (en) Production of thin-film magnetic head
JP2833583B2 (en) Patterning method for magnetoresistive element
JP2002208115A (en) Manufacturing method for thin film magnetic head
JP3440225B2 (en) Frame plating method and method of forming magnetic pole of thin film magnetic head
JP2567221B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
US6433969B1 (en) Compound magnetoresistive head and method for manufacturing same
JP3150301B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP2891221B2 (en) Monitor element of thin-film magnetic head and method of manufacturing the same
JP3792396B2 (en) Method for forming magnetic pole of thin film magnetic head and method for manufacturing thin film magnetic head
JP2002175606A (en) Thin film magnetic head and manufacturing method thereof, and magnetic disk unit
JP2861080B2 (en) Method for forming pattern of amorphous alloy magnetic film
JP3231510B2 (en) Magnetic head
JPH08263807A (en) Formation of magnetic pole of thin-film magnetic head
JPH10275312A (en) Production of thin film magnetic head
JP2000231705A (en) Thin film magnetic head and its production
JPH0664716B2 (en) Method of manufacturing thin film magnetic head

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980901

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071002

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees