JP2821695B2 - Photoreactive semiconductor supporting sheet and method for producing the same - Google Patents

Photoreactive semiconductor supporting sheet and method for producing the same

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JP2821695B2
JP2821695B2 JP1212453A JP21245389A JP2821695B2 JP 2821695 B2 JP2821695 B2 JP 2821695B2 JP 1212453 A JP1212453 A JP 1212453A JP 21245389 A JP21245389 A JP 21245389A JP 2821695 B2 JP2821695 B2 JP 2821695B2
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semiconductor
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光反応性半導体をその性能を損なわずに担持
させた光反応性半導体シート及びその製造方法に関す
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoreactive semiconductor sheet carrying a photoreactive semiconductor without impairing its performance and a method for producing the same.

更に詳しくは、ガス状の、あるいは雰囲気中に浮遊し
ている有害物質(悪臭成分、刺激性成分及び青果物や花
卉類等の保存に有害な成長促進成分)を光酸化反応を利
用して除去するのに有効な新規な光反応性半導体担持シ
ート及びその製造方法に関する。
More specifically, a toxic substance (a malodorous component, an irritant component, and a growth promoting component harmful to the preservation of fruits and vegetables, flowers and the like) which is gaseous or floating in the atmosphere is removed using a photooxidation reaction. And a method for producing the same.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、生活レベルの向上に伴い、工業的に発生する悪
臭や刺激性成分のみならず、家庭や飲食店における廃棄
物の臭いや調理時に発生する悪臭(硫化水素、アンモニ
ア、メルカプタン、アミン、アルデヒド等)や刺激性成
分(ホルムアルデヒド、アクロレイン等)が問題となっ
てきている。
In recent years, with the improvement of living standards, not only bad odors and irritating components produced industrially, but also odors of waste in homes and restaurants and bad odors generated during cooking (hydrogen sulfide, ammonia, mercaptan, amines, aldehydes, etc.) ) And irritating components (formaldehyde, acrolein, etc.) have become problems.

一方、食物嗜好の高級化に伴い、常に新鮮な青果物や
珍しい果物あるいは通常の収穫期を外れた時期における
青果物や花卉に対する需要も高まっているが、これらの
需要に応えるためには成長促進成分であるエチレンを除
去することが重要である。
On the other hand, along with the sophistication of food preferences, the demand for fresh fruits and vegetables and fruits and flowers in seasons outside the normal harvest season is also increasing, but in order to meet these demands, growth promotion components are required. It is important to remove some ethylene.

本発明者らは、これらの有害成分を光酸化反応を利用
して除去する検討を進めてきた。それは、この光反応を
利用した方法が、酸化処理効率、エネルギーコスト
及び設備コスト、安全性、等の点で優れているからで
ある。
The present inventors have been studying the removal of these harmful components using a photo-oxidation reaction. This is because the method utilizing the photoreaction is excellent in terms of oxidation treatment efficiency, energy cost and equipment cost, safety, and the like.

しかしながら、従来の技術は、光反応性半導体をその
もの単独で、あるいは担体に担持させて溶液中に分散さ
せた状態で、これに紫外線あるいは可視光線を照射する
方法であり、ガス状の、あるいは雰囲気中に浮遊してい
る有害成分を除去するのには適していなかった。
However, the conventional technique is to irradiate the photoreactive semiconductor alone or in a state of being supported on a carrier and dispersed in a solution, and then irradiating the photoreactive semiconductor with ultraviolet light or visible light. It was not suitable for removing harmful components suspended in it.

従来、光反応性半導体を、高分子フィルム、金属、ガ
ラス、セラミックス等のシート状担体に担持させる方法
としては、光反応性半導体を水又はメタノール、アセ
トン、テトラヒドロフラン等の揮発性有機溶媒に懸濁さ
せ、シートに塗布したのち乾燥する、担体が金属やセ
ラミックス等の場合に前記の方法で光反応性半導体を
担持させたシートを更に高温(700℃以上)で焼成す
る、担体が紙や膨潤しやすい高分子フィルム等の場合
にこれを光反応性半導体の水又は揮発性有機溶媒の懸濁
液中に浸し、これに該半導体を十分に浸透させたのち乾
燥する、各担体の製造過程で光反応性半導体をフィラ
ーとして予め混入する、デンプンやカゼイン等の水溶
性高分子又はエポキシ系やウレタン系等の接着剤を用い
て光反応性半導体を担持させる等の方法が行なわれてい
る。
Conventionally, as a method of supporting a photoreactive semiconductor on a sheet-shaped carrier such as a polymer film, metal, glass, and ceramics, the photoreactive semiconductor is suspended in water or a volatile organic solvent such as methanol, acetone, and tetrahydrofuran. Then, apply to the sheet and dry it. When the carrier is a metal or ceramics, bake the sheet carrying the photoreactive semiconductor by the above method at a higher temperature (700 ° C. or more). In the case of a polymer film or the like that is easy to immerse, it is immersed in a suspension of a photoreactive semiconductor in water or a volatile organic solvent, the semiconductor is sufficiently penetrated into the suspension, and then dried. For pre-mixing reactive semiconductors as fillers, for supporting photoreactive semiconductors using water-soluble polymers such as starch or casein, or epoxy- or urethane-based adhesives It has been carried out.

しかしながら、の方法には、光反応性半導体の担持
量が少なく、またシートとの接着力が小さいので、光反
応性半導体が容易に剥離する、の方法には、焼成の過
程で光反応性半導体の凝集が起こるため比表面積が減少
し性能が落ちる、の方法には、使用できる担体の種類
が限られ、また、光反応性半導体のほとんどがシート内
部に取り込まれてしまうために光反応を行なうシート表
面の光反応性半導体量が少なくなる、の方法には、
の方法と同様にシート表面の光反応性半導体量が少なく
なり、また、シートの製造・加工の過程で他の原料との
反応や加熱等により光反応性半導体が変質して性能が落
ちる、の方法には、光反応性半導体が接着剤と反応し
たり、光反応性半導体表面を覆ってしまうために活性点
が少なくなってしまう等の欠点があり、従って光反応性
半導体の性能を損なわずにシート状担体表面に均一に必
要量の光反応性半導体を担持させる方法が望まれてい
た。
However, in the method, the amount of the photoreactive semiconductor carried is small, and the adhesive force with the sheet is small, so that the photoreactive semiconductor is easily peeled off. The type of carrier that can be used is limited, and the photoreaction is performed because most of the photoreactive semiconductors are taken into the inside of the sheet. The method of reducing the amount of photoreactive semiconductor on the sheet surface includes:
The amount of photoreactive semiconductor on the sheet surface is reduced in the same way as in the above method, and the performance of the photoreactive semiconductor deteriorates due to the reaction with other raw materials or heating during the production and processing of the sheet. The method has drawbacks such as the photoreactive semiconductor reacting with the adhesive or covering the photoreactive semiconductor surface, thereby reducing the number of active sites, and therefore, does not impair the performance of the photoreactive semiconductor. A method for uniformly supporting a required amount of a photoreactive semiconductor on the surface of a sheet-like carrier has been desired.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

本発明の目的は、その性能を損なわずにシート状担体
表面に均一に必要量の光反応性半導体を担持させ、光酸
化反応を利用したガス状の、あるいは雰囲気中に浮遊し
た有害物質を効率よく除去できる光反応性半導体担持シ
ート及びその製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to uniformly support a required amount of a photoreactive semiconductor on the surface of a sheet-like carrier without deteriorating its performance, and to efficiently remove harmful substances that are gaseous or floating in the atmosphere using a photo-oxidation reaction. An object of the present invention is to provide a photoreactive semiconductor supporting sheet that can be removed well and a method for producing the same.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明者らはこの目的を達成すべく鋭意研究を行なっ
た結果、光反応性半導体をラテックスを用いて担持した
シートにガス状の、あるいは雰囲気中に浮遊した有害物
質を接触させると同時に光反応性半導体に紫外線を照射
することにより有害物質が効率よく除去できることを見
出し、この知見に基いて本発明を完成するに至った。
The inventors of the present invention have conducted intensive studies to achieve this object, and as a result, contacted gaseous or harmful substances suspended in the atmosphere with a sheet carrying a photoreactive semiconductor using latex, It has been found that harmful substances can be efficiently removed by irradiating a conductive semiconductor with ultraviolet light, and the present invention has been completed based on this finding.

かくして、本発明によれば、0.5〜5eVの禁止帯幅を有
する光反応性半導体を表面に担持させたシートにおい
て、該半導体を最低造膜温度が60℃以下であるラテック
スを用いて担持させたことを特徴とする光反応性半導体
担持シート及び0.5〜5eVの禁止帯幅を有する光反応性半
導体100重量部と、固形分換算で1重量部超、20重量部
未満のラテックスとを含有する光反応性組成物をシート
表面に担持させることを特徴とする上記の光反応性半導
体担持シートの製造方法が提供される。
Thus, according to the present invention, in a sheet carrying a photoreactive semiconductor having a band gap of 0.5 to 5 eV on a surface, the semiconductor was carried using a latex having a minimum film formation temperature of 60 ° C. or less. A light containing 100 parts by weight of a photoreactive semiconductor supporting sheet and a photoreactive semiconductor having a band gap of 0.5 to 5 eV, and a latex of more than 1 part by weight and less than 20 parts by weight in terms of solid content. The method for producing a photoreactive semiconductor-carrying sheet is provided, wherein the reactive composition is carried on the sheet surface.

本発明において用いる光反応性半導体とは、光触媒反
応を生じる半導体であり、0.5〜5eV、好ましくは1〜3e
Vの禁止帯幅を持つものである。
The photoreactive semiconductor used in the present invention is a semiconductor that causes a photocatalytic reaction, and 0.5 to 5 eV, preferably 1 to 3 eV.
It has a bandgap of V.

このような光反応性半導体の具体例としては、例えば
二酸化スズ、酸化亜鉛、三酸化タングステン、二酸化チ
タン、チタン酸バリウム、酸化第二鉄等の金属酸化物;
例えば硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、セレン化亜
鉛、セレン化カドミウム等の金属カルコゲナイド;例え
ばシリコン、ゲルマニウム等の第IV族元素;例えばガリ
ウム−リン、ガリウム−ヒ素、インジウム−リン等のII
I−V族化合物;例えばポリアセチレン、ポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリビニルカルバ
ゾール等の有機半導体を挙げることができる。これらの
うち、特に好ましいものは、酸化亜鉛、三酸化タングス
テン、二酸化チタン、酸化セリウム等の金属酸化物及び
その液晶物である。
Specific examples of such a photoreactive semiconductor include metal oxides such as tin dioxide, zinc oxide, tungsten trioxide, titanium dioxide, barium titanate, and ferric oxide;
Metal chalcogenides such as zinc sulfide, cadmium sulfide, lead sulfide, zinc selenide and cadmium selenide; Group IV elements such as silicon and germanium; II such as gallium-phosphorus, gallium-arsenic and indium-phosphorus
Group IV compound; examples thereof include organic semiconductors such as polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, and polyvinylcarbazole. Among these, particularly preferred are metal oxides such as zinc oxide, tungsten trioxide, titanium dioxide, and cerium oxide, and liquid crystal materials thereof.

また、上記の光反応性半導体にヒ素、リン、アルミニ
ウム、ホウ素、ナトリウム、ハロゲン等の不純物をドー
プしたものも同様に使用することができる。
Further, the above-mentioned photoreactive semiconductor doped with impurities such as arsenic, phosphorus, aluminum, boron, sodium, and halogen can also be used.

また、これらの光反応性半導体表面に白金、パラジウ
ム、銀、銅等の貴金属を担持させることにより、その光
触媒反応効率の向上をはかることができる。
In addition, by supporting a noble metal such as platinum, palladium, silver, or copper on the surface of the photoreactive semiconductor, the photocatalytic reaction efficiency can be improved.

さらに、本発明の効果を損なわない限り、光反応性半
導体に活性炭や酸化白土、ゼオライト等の吸着剤を併用
してもよい。
Further, as long as the effects of the present invention are not impaired, an adsorbent such as activated carbon, clay oxide or zeolite may be used in combination with the photoreactive semiconductor.

本発明において光反応性半導体を担持させるために用
いるシートの材質は得に制限されず、例えば、紙;植物
繊維(木綿、リネン、大麻等)、動物繊維(羊毛、モヘ
ア、ビキュナ等の獣毛や絹等)、合成繊維(レーヨン、
アセテート、トリアセテート、アクリル、アラミド、ナ
イロン、オレフィン、ポリエステル等)、あるいは無機
繊維(ガラス、金属、セラミックス、鉱物、アスベスト
等)等を製織、編成、物理・化学的接着等により織物、
編地、不織布等に加工したもの;アクリロニロリル−ブ
タジエン−スチレン共重合体(ABS)、アクリロニトリ
ル−アクリル酸メチル共重合体、セロハン、セルロース
類(エチルセルロース、酢酸セルロース等)、フッ素系
プラスチック(エチレン−テトラフルオロエチレン共重
合体(ETFE)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE
等)、アイオノマー、ポリアミド(ナイロン−6、ナイ
ロン−6,6等)、ポリブチレン、ポリカーボネート、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリイミド、ポ
リメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリスルホンやポリエーテルスルホン等のス
ルホン系ポリマー、ポリウレタンエラストマー、ポリビ
ニルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−アセテート共重合体等の各種重合体を
カレンダー加工やインフレーション法、Tダイキャステ
ィング法、基材へのコーティング等の押出し加工により
成形したもの;鉄、銅、ステンレス鋼等をシート状に成
形したもの;粘土、シリカ、長石等の種々の鉱物からな
るセラミックスを押出し成形、乾式加圧成形、加熱成形
等の塑性成形や鋳込成形、溶融鋳造等の鋳造によりシー
ト状に成形したもの等を挙げることができる。
The material of the sheet used to support the photoreactive semiconductor in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include paper; plant fibers (cotton, linen, cannabis, etc.), and animal fibers (wool, mohair, bikuna, etc., animal hair). And silk), synthetic fibers (rayon,
Weaving, knitting, physical / chemical bonding, etc. of woven, knitted, physical, chemical, etc. acetate, triacetate, acrylic, aramid, nylon, olefin, polyester, etc.) or inorganic fibers (glass, metal, ceramics, minerals, asbestos, etc.)
Knitted fabric, non-woven fabric, etc .; acryloniloryl-butadiene-styrene copolymer (ABS), acrylonitrile-methyl acrylate copolymer, cellophane, celluloses (ethyl cellulose, cellulose acetate, etc.), fluoroplastics (ethylene-tetra Fluoroethylene copolymer (ETFE) and polytetrafluoroethylene (PTFE)
Etc.), ionomers, polyamides (nylon-6, nylon-6,6 etc.), polyesters such as polybutylene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyimide, polymethyl methacrylate (PMMA), polypropylene Calendering, inflation, and T-die casting of various polymers such as polystyrene, sulfone polymers such as polysulfone and polyether sulfone, polyurethane elastomers, polyvinyl alcohol, polyvinylidene chloride, polyvinyl chloride, and vinyl chloride-acetate copolymer. Formed by extrusion process such as coating on base material, etc .; Formed into sheet form of iron, copper, stainless steel, etc .; Extruded ceramics composed of various minerals such as clay, silica, feldspar Examples thereof include those molded into a sheet by plastic molding such as molding, dry pressure molding, and heat molding, and casting such as cast molding and melt casting.

また、以上挙げた各種シートを互いに他にコーティン
グしたりラミネートしたり、他の材料とともに押出した
りしたものでもよい。
Further, the above-mentioned various sheets may be coated or laminated with each other, or extruded together with other materials.

シートの厚みは、機械的強度や取り扱い易さからは、
0.25mm以上が好ましいが、特に制限されない。
The thickness of the sheet depends on its mechanical strength and ease of handling.
It is preferably at least 0.25 mm, but is not particularly limited.

シートの表面形状は、平滑であっても多孔質であって
もよい。
The surface shape of the sheet may be smooth or porous.

更に、シートは光反応性半導体を担持させる前に金網
状、ハニカム状、アコーデオン状、あるいはもっと複雑
な形に2次加工してもよい。
Further, the sheet may be subjected to secondary processing into a wire mesh, honeycomb, accordion, or more complicated shape before supporting the photoreactive semiconductor.

本発明に用いるラテックスは、その最低造膜温度が60
℃以下であることが必要である。最低造膜温度が60℃を
超えるラテックスを使用するときは、光反応性半導体と
シートとの接着が不十分となり、光反応性半導体担持シ
ートから光反応性半導体が次第に剥離してしまう。
The latex used in the present invention has a minimum film forming temperature of 60.
It is necessary to be less than or equal to ° C. When a latex having a minimum film forming temperature exceeding 60 ° C. is used, adhesion between the photoreactive semiconductor and the sheet becomes insufficient, and the photoreactive semiconductor gradually peels off from the photoreactive semiconductor supporting sheet.

本発明に用いるラテックスは上記要件を満足するもの
であれば、天然ゴムラテックスあるいは合成ラテックス
のいずれでもよく、その合成法やそれを構成する単量体
組成に制限はない。本発明において使用するラテックス
の合成に用い得る単量体の具体例としては、エチレン、
プロピレン、2−メチルプロペン等のオレフィン類;ブ
タジエン、イソプレン、1,3−ブタジエン等の共役ジオ
レフィン類;スチレン、α−メチルスチレン、モノクロ
ルスチレン、ビニルトルエン、ビニルピリジン等の芳香
族ビニル化合物;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)
アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル等の(メ
タ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリロニトリル等
のα,β−不飽和ニトリル化合物;塩化ビニル、塩化ビ
ニリデン等のハロゲン化ビニリデン類;酢酸ビニル等の
カルボン酸ビニルエステル類;ビニルイソシアナート、
ビニルウレタン等のウレタン系化合物;等を示すことが
できる。また、官能性単量体として、(メタ)アクリル
酸、クロトン酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、マ
レイン酸、ブテントリカルボン酸、イタコン酸モノエチ
ル、フマル酸モノブチル、マレイン酸モノブチル、アク
リル酸スルホエチルナトリウム、メタクリル酸スルホプ
ロピルナトリウム、アクリルアミドプロパンスルホン
酸、アクリルアミドプロパンスルホン酸ナトリウム等の
酸基含有単量体又はその塩;アクリル酸β−ヒドロキシ
エチル等の水酸基含有単量体;(メタ)アクリルアミ
ド、N−メチロールアクリルアミド、ジアセトンアクリ
ルアミド等のアミド基含有単量体;(メタ)アクリル酸
グリシジル、アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基
含有単量体;アクロレイン等のホルミル基含有単量体;
アリルアルコール、フタル酸ジアリル、トリアリルシア
ヌレート、アクリル酸アリル等のアリル基含有単量体;
ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレー
ト等の架橋性単量体等を共重合することもできる。
The latex used in the present invention may be either a natural rubber latex or a synthetic latex as long as it satisfies the above requirements, and there is no limitation on the synthesis method and the monomer composition constituting the latex. Specific examples of monomers that can be used in the synthesis of the latex used in the present invention, ethylene,
Olefins such as propylene and 2-methylpropene; conjugated diolefins such as butadiene, isoprene and 1,3-butadiene; aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, monochlorostyrene, vinyltoluene and vinylpyridine; (Meth) methyl acrylate, (meth)
(Meth) acrylates such as ethyl acrylate and butyl (meth) acrylate; α, β-unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile; vinylidene halides such as vinyl chloride and vinylidene chloride; vinyl acetate; Carboxylic acid vinyl esters; vinyl isocyanate,
Urethane compounds such as vinyl urethane; and the like. The functional monomers include (meth) acrylic acid, crotonic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, maleic acid, butenetricarboxylic acid, monoethyl itaconate, monobutyl fumarate, monobutyl maleate, and sulfoacrylate. Acid group-containing monomers such as ethyl sodium, sodium sulfopropyl methacrylate, acrylamidopropanesulfonic acid, sodium acrylamidopropanesulfonate or salts thereof; hydroxyl-containing monomers such as β-hydroxyethyl acrylate; (meth) acrylamide; Amide group-containing monomers such as N-methylol acrylamide and diacetone acrylamide; epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth) acrylate and allyl glycidyl ether; formyl group-containing monomers such as acrolein;
Allyl group-containing monomers such as allyl alcohol, diallyl phthalate, triallyl cyanurate and allyl acrylate;
Crosslinkable monomers such as divinylbenzene and ethylene glycol dimethacrylate can also be copolymerized.

本発明においては、ラテックスとしてバインダー・ピ
グメント・ラテックス又は両性ラテックスが好適に用い
られる。
In the present invention, a binder pigment latex or an amphoteric latex is suitably used as the latex.

バインダー・ピグメント・ラテックスとは、有機顔料
としての機能(光学特性向上)とバインダーとしての機
能を併有するポリマー粒子より成るラテックスである。
バインダー・ピグメント・ラテックスの構造としてはポ
リスチレンを核とし、スチレン・ブタジエン共重合体を
殻とする2層構造のものが知られており(紙パルプ技術
協会紙第43巻第2号159−166、1989)、また、バインダ
ー・ピグメント・ラテックスの製造方法は、特公昭57−
26692、特公昭62−31115、特開昭54−131013、特開昭55
−45724、特開昭63−303195等に開示されているが、本
発明でいうバインダー・ピグメント・ラテックスは製造
方法、粒子構造の如何を問わない。
The binder pigment latex is a latex composed of polymer particles having both a function as an organic pigment (improved optical properties) and a function as a binder.
As the structure of the binder / pigment / latex, there is known a two-layer structure having a core of polystyrene and a shell of a styrene / butadiene copolymer (Paper and Pulp Technical Association, Vol. 43, No. 2, No. 159-166, 1989), and the method for producing binder, pigment, and latex is described in
26692, JP-B-62-31115, JP-A-54-131013, JP-A-55
-45724, JP-A-63-303195, etc., but the binder, pigment and latex referred to in the present invention are not limited by the production method and particle structure.

また、両性ラテックスとはラテックスのポリマー粒子
がアニオン性官能基による負電荷とカチオン性官能基に
よる正電荷とを併有しているラテックスをいう。両電荷
を付与する方法としては、ラテックスの乳化剤としてア
ニオン界面活性剤及びカチオン界面活性剤を併用する方
法、これらに更に両性活面活性剤を併用する方法、ある
いは共重合体中に負電荷を与える不飽和カルボン酸等と
正電荷を付与する不飽和アミン類とを共重合する方法等
があるが、これらに限定されない。両性ラテックスの製
造方法の例としては、特公昭61−39334に開示されてい
る方法を示すことができる。
The amphoteric latex refers to a latex in which the polymer particles of the latex have both a negative charge due to an anionic functional group and a positive charge due to a cationic functional group. Examples of a method for imparting both charges include a method using an anionic surfactant and a cationic surfactant in combination as an emulsifier for a latex, a method using an amphoteric surfactant in combination with these, or a method for providing a negative charge in a copolymer. There is a method of copolymerizing an unsaturated carboxylic acid or the like with an unsaturated amine imparting a positive charge, but the method is not limited thereto. As an example of the method for producing the amphoteric latex, the method disclosed in JP-B-61-39334 can be shown.

両性ラテックスの合成に使用できるアニオン性官能基
含有単量体の具体例としては、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、ケイ皮酸、イタコン酸、マレイン酸等
の不飽和カルボン酸;イタコン酸モノエチル、フマル酸
モノブチル、マレイン酸モノブチル等の不飽和ジカルボ
ン酸のモノアルキルエステル;アクリル酸スルホエチル
ナトリウム塩、メタクリル酸スルホプロピルナトリウム
塩等の不飽和スルホン酸又はそのアルカリ塩等を示すこ
とができる。他方、カチオン性官能基含有単量体として
は、メチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ターシ
ャリーブチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジメ
チルアミノエチル(メタ)アクリレート等のエチレン系
不飽和カルボン酸のアミノアルキルエステル;メチルア
ミノエチル(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエ
チル(メタ)アクリルアミド等のエチレン系不飽和カル
ボン酸のアミノアルキルアミド;アミノエチルビニルエ
ーテル、メチルアミノエチルビニルエーテル等のアミノ
アルキルビニルエーテル;2−ビニルピリジン、2−メチ
ル−5−ビニルピリジン、2,4−ジエチル−5−ビニル
リジン等のビニルピリジン類等のエチレン系不飽和アミ
ン単量体を例示することができる。
Specific examples of the anionic functional group-containing monomer that can be used for the synthesis of the amphoteric latex include unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, cinnamic acid, itaconic acid, and maleic acid; monoethyl itaconate, Monoalkyl esters of unsaturated dicarboxylic acids such as monobutyl fumarate and monobutyl maleate; unsaturated sulfonic acids such as sodium sulfoethyl acrylate and sodium sulfopropyl methacrylate; and alkali salts thereof can be given. On the other hand, as the cationic functional group-containing monomer, aminoalkyl esters of ethylenically unsaturated carboxylic acids such as methylaminoethyl (meth) acrylate, tert-butylaminoethyl (meth) acrylate, and dimethylaminoethyl (meth) acrylate An aminoalkylamide of an ethylenically unsaturated carboxylic acid such as methylaminoethyl (meth) acrylamide and dimethylaminoethyl (meth) acrylamide; an aminoalkylvinyl ether such as aminoethyl vinyl ether and methylaminoethyl vinyl ether; 2-vinylpyridine, 2-vinylpyridine Examples thereof include ethylenically unsaturated amine monomers such as vinylpyridines such as methyl-5-vinylpyridine and 2,4-diethyl-5-vinyllysine.

更に、本発明の効果を損なわない限り、ラテックスに
澱粉、カゼイン、ポリビニルアルコール等の水溶性高分
子類を併用してもよい。
Furthermore, as long as the effects of the present invention are not impaired, water-soluble polymers such as starch, casein, and polyvinyl alcohol may be used in combination with the latex.

本発明においては、0.5〜5eVの禁止帯幅を有する光反
応性半導体の100重量部に対して、固形分換算で20重量
部未満、1重量部超のラテックスを使用する。固形分換
算したラテックスの重量が20重量部以上では、バインダ
ーが光酸化反応の活性部位である光反応性半導体粒子表
面を覆ってしまう。他方、1重量部如何では、該半導体
がシートから剥離しやすくなる。
In the present invention, less than 20 parts by weight and more than 1 part by weight of latex in terms of solid content are used for 100 parts by weight of the photoreactive semiconductor having a band gap of 0.5 to 5 eV. If the weight of the latex in terms of solid content is 20 parts by weight or more, the binder covers the surface of the photoreactive semiconductor particles which are active sites of the photooxidation reaction. On the other hand, when the amount is 1 part by weight, the semiconductor is easily separated from the sheet.

また、光反応性組成物を調製するに当たって、必要な
らば、分散剤、保水剤、消泡剤等を添加してもよい。更
に、白金、パラジウム、銀、銅等の貴金属をこの段階で
混合することもできる。
In preparing the photoreactive composition, if necessary, a dispersant, a water retention agent, an antifoaming agent, and the like may be added. Further, noble metals such as platinum, palladium, silver, and copper can be mixed at this stage.

本発明の光反応性半導体担持シートは、ラテックスに
光反応性半導体を添加混合して得られる光反応性組成物
をシートに担持させ、必要ならば加熱乾燥することによ
り得ることができる。担持の方法は、特に限定されない
が、エアーナイフコーター、ブレードコーター、ロール
コーター、ゴムドクトルコーター、カーテンコーター等
の各種コーターを使用してシートに光反応性組成物を塗
布する方法、スプレーする方法、光反応性組成物にシー
トを浸漬する方法を例示することができる。加熱乾燥の
条件は、光反応性組成物から実質的に揮発性成分を除去
させることができれば特に制限されない。
The photoreactive semiconductor supporting sheet of the present invention can be obtained by supporting a photoreactive composition obtained by adding and mixing a photoreactive semiconductor to latex on a sheet and, if necessary, heating and drying. The method of loading is not particularly limited, but a method of applying the photoreactive composition to the sheet using various coaters such as an air knife coater, a blade coater, a roll coater, a rubber doctor coater, a curtain coater, a spraying method, A method of immersing the sheet in the photoreactive composition can be exemplified. The heating and drying conditions are not particularly limited as long as volatile components can be substantially removed from the photoreactive composition.

本発明の光反応性半導体担持シートを加工してフィル
ター構造体とすることができ、このものは光反応の効率
がよいので本発明の目的に適している。フィルター構造
体の製造としては、平膜状、ハニカム状、金網状、アコ
ーデオン状、ウレタンフォーム状を例示する行ことがで
きる。
The photoreactive semiconductor supporting sheet of the present invention can be processed into a filter structure, which is suitable for the purpose of the present invention because of its high photoreaction efficiency. Examples of the production of the filter structure include a flat membrane, a honeycomb, a wire mesh, an accordion, and a urethane foam.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明の光反応性半導体を担持させたシートを用いれ
ば、硫黄酸化物、窒素酸化物、炭化水素化合物、ハロゲ
ン化合物等種々の有害物質を同時に迅速に効率よく除去
することができ、しかも長期間、光反応性半導体の反応
活性が落ちない。
By using the sheet supporting the photoreactive semiconductor of the present invention, various harmful substances such as sulfur oxides, nitrogen oxides, hydrocarbon compounds, and halogen compounds can be removed quickly and efficiently at the same time. The reaction activity of the photoreactive semiconductor does not decrease.

本発明の方法は、安全性が高く、適用できる有害物質
の範囲が広く、システム化が簡単なため、商業的に極め
て有用である。
The method of the present invention is extremely useful commercially because it is highly safe, has a wide range of applicable harmful substances, and is easy to systematize.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
なお、実施例中の部及び%は特に断りのない限り、重量
基準である。また、表中の「半導体/ラテックス」は、
光反応性半導体重量/固形分換算ラテックス重量比率を
示す。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
In the examples, parts and percentages are by weight unless otherwise specified. "Semiconductor / latex" in the table means
The ratio of the weight of the photoreactive semiconductor to the weight of the latex in terms of solid content is shown.

製造例1 実施例1〜6に用いる試料片作成用の光反応性組成物
を以下の処方により作製した。
Production Example 1 A photoreactive composition for preparing a sample piece used in Examples 1 to 6 was produced according to the following formulation.

処 方 光反応性半導体 100 部 デモールEP (20%水溶液、花王社製) 0.25〃 NaOH(10%) 0.15〃 ラテックス(固形分換算) 10 〃 水 335 〃 なお、使用したラテックスを第1表に示した。使用し
た光反応性半導体は市販の、二酸化チタン、三酸化タン
グステン、酸化亜鉛、酸化セリウムである。
Treatment Photoreactive semiconductor 100 parts Demol EP (20% aqueous solution, manufactured by Kao Corporation) 0.25〃 NaOH (10%) 0.15〃 Latex (solid content conversion) 10〃 Water 335〃 The latex used is shown in Table 1. Was. The photoreactive semiconductors used are commercially available titanium dioxide, tungsten trioxide, zinc oxide and cerium oxide.

製造例2 実施例4における対照例用の光反応性組成物を以下の
処方により作製した。
Production Example 2 A photoreactive composition for a control example in Example 4 was produced according to the following formulation.

処 方 1 二酸化チタン 100部 ウレタン系粘着剤(旭電化社製) 10〃 n−ヘキサン 100〃 処 方 2 二酸化チタン 100部 ポリビニルアルコール(PVA) (日本合成化学社製) 10〃 n−ヘキサン 100〃 実施例1 ラテックスNo.3〜5を使用して製造例1に従って作製
した光反応性組成物を塗被原紙上に塗被量が10g/m2にな
るようにアプリケーターバーを用いて塗工し、塗工直後
110℃の熱風で30秒間乾燥した。得られた塗工紙を1.5cm
×5cmに切断して作成した試料片(重量0.25g)2枚を80
mlのパイレックス製三角フラスコ内に投入し、第2表に
示す初濃度のエチレンを含む空気で置換した後、シリコ
ンゴム製ゴム栓で密閉した。次に三角フラスコから20cm
の距離に装置された超高圧水銀灯(照度10mW/cm2、主波
長365nm)を点灯し、容器内のエチレンの濃度の経時変
化をガスクロマトグラフィーで追跡した(実験番号1A〜
1D、2A〜2D)。
Treatment 1 Titanium dioxide 100 parts Urethane adhesive (Asahi Denka) 10〃 n-hexane 100〃 Treatment 2 Titanium dioxide 100 parts polyvinyl alcohol (PVA) (Nippon Synthetic Chemical Company) 10〃 n-hexane 100〃 Example 1 A photoreactive composition prepared according to Production Example 1 using latex Nos. 3 to 5 was coated on a coated base paper using an applicator bar so that the coating amount was 10 g / m 2. , Immediately after coating
It was dried with hot air of 110 ° C. for 30 seconds. 1.5 cm of the obtained coated paper
2 pieces of sample (0.25g in weight) cut into 5cm
The mixture was placed in an Erlenmeyer flask made of Pyrex and replaced with air containing the initial concentration of ethylene shown in Table 2 and then sealed with a rubber stopper made of silicon rubber. Then 20cm from Erlenmeyer flask
A super-high pressure mercury lamp (illuminance: 10 mW / cm 2 , main wavelength: 365 nm) installed at a distance of was turned on, and changes over time in the ethylene concentration in the container were tracked by gas chromatography (Experiment No. 1A ~
1D, 2A-2D).

また、比較のために試料片を投入しない系についても
同様の試験を行なった(実験番号1E、2E)。結果を第2
表に示した。
For comparison, a similar test was performed on a system in which no sample piece was charged (Experiment Nos. 1E and 2E). Second result
It is shown in the table.

なお、ラテックスNo.5については、光反応性組成物の
剥離が激しいのでエチレン除去率の測定を行なわなかっ
た。
For the latex No. 5, the removal of ethylene was not measured because the photoreactive composition was severely peeled off.

第2表の結果から、本発明の光反応性半導体を担持さ
せたシートを使用したときは、紫外線照射下でエチレン
を迅速に除去できることが分かる。
From the results shown in Table 2, it can be seen that when a sheet supporting the photoreactive semiconductor of the present invention was used, ethylene could be rapidly removed under ultraviolet irradiation.

実施例2 ラテックスNo.3を使用して、第3表に示す各種有害物
質の除去性能評価を実施例2と同様に行なった。
Example 2 Using Latex No. 3, the evaluation of removal performance of various harmful substances shown in Table 3 was performed in the same manner as in Example 2.

その結果を第3表に示した。 The results are shown in Table 3.

第3表の結果から、本発明の光反応性半導体を担持さ
せたシートを使用することにより、紫外線照射下で各種
有害物質を迅速に除去できることが分かる。
From the results in Table 3, it can be seen that various harmful substances can be rapidly removed under ultraviolet irradiation by using the sheet supporting the photoreactive semiconductor of the present invention.

実施例3 ラテックスNo.3を使用して製造例1に従って作製した
光反応性組成物を不織布及び多孔質ウレタンシート上に
担持量が100g/m2になるようにアプリケーターバーを用
いて塗工し、塗工直後110℃の熱風で30秒間乾燥した。
Example 3 A photoreactive composition prepared according to Production Example 1 using latex No. 3 was applied onto a nonwoven fabric and a porous urethane sheet using an applicator bar so that the loading amount was 100 g / m 2. Immediately after coating, drying was performed with hot air at 110 ° C. for 30 seconds.

このシートを1.5cm×5cmに切断して得た試料片(重量
1g)を使用して実施例1と同様のエチレン除去実験を行
なって得られた結果を第4表に示した。
A sample piece obtained by cutting this sheet into 1.5 cm x 5 cm (weight
Table 4 shows the results obtained by performing the same ethylene removal experiment as in Example 1 using 1g).

第4表の結果から、光反応性半導体を担持させるシー
トとして不織布又は多孔質ウレタンシートを用いてもエ
チレンを迅速に除去できることが分かる。
From the results in Table 4, it can be seen that ethylene can be rapidly removed even when a nonwoven fabric or a porous urethane sheet is used as the sheet for supporting the photoreactive semiconductor.

実施例4 ラテックスNo.3と二酸化チタンとを使用して実施例3
と同様にして作製した不織布、製造例2に示した処方1
及び2に従って作製した光反応性組成物中にウエブを浸
漬して作製した不織布(なお、PVA使用のシートの乾燥
は110℃の熱風で2時間とし、ウレタン系粘着剤使用の
シートは60℃で24時間の真空乾燥を行なった。)につい
て実施例3と同様のエチレン除去実験を行なった。な
お、不織布試料片の重量はいずれも1gである。
Example 4 Example 3 using latex No. 3 and titanium dioxide
Non-woven fabric prepared in the same manner as described above, Formulation 1 shown in Production Example 2
Nonwoven fabric prepared by immersing the web in the photoreactive composition prepared according to (2) and (2) drying the sheet using PVA with hot air of 110 ° C for 2 hours, and the sheet using urethane adhesive at 60 ° C. A vacuum drying was performed for 24 hours.), And the same ethylene removal experiment as in Example 3 was performed. The weight of each nonwoven fabric sample was 1 g.

結果を第5表に示した。 The results are shown in Table 5.

第5表の結果から、バインダーとして本発明に規定す
るラテックスを使用した場合に比べて、ウレタン系粘着
剤あるいはPVAを使用した場合は、エチレン除去効率が
大幅に劣ることが分かる。
From the results shown in Table 5, it can be seen that, when a urethane-based pressure-sensitive adhesive or PVA is used, the ethylene removal efficiency is significantly inferior to the case where the latex specified in the present invention is used as the binder.

実施例5 光反応性半導体として二酸化チタンを、ラテックスと
してNo.3を用いて光反応性半導体/ラテックス(固形分
換算)重量比を10、5、1と変化させて実施例3と同様
にして得た光反応性半導体担持不織布(重量1g)につい
て、エチレン及びメチルメルカプタンの除去性能を実施
例3と同様の方法で測定し、その結果を第6表に示し
た。
Example 5 In the same manner as in Example 3 except that titanium dioxide was used as the photoreactive semiconductor and No. 3 was used as the latex, and the weight ratio of photoreactive semiconductor / latex (in terms of solid content) was changed to 10, 5, and 1, With respect to the obtained photoreactive semiconductor-carrying nonwoven fabric (weight 1 g), the removal performance of ethylene and methyl mercaptan was measured in the same manner as in Example 3, and the results are shown in Table 6.

第6表の結果から、光反応性半導体/ラテックス(固
形分換算)重量比率が1以下のときは、有害物質の除去
性能に劣ることが分かる。
From the results in Table 6, it can be seen that when the weight ratio of photoreactive semiconductor / latex (in terms of solid content) is 1 or less, the performance of removing harmful substances is poor.

実施例6 最低造膜温度の違うラテックスNo.1〜3及び5で光反
応性半導体を担持させた(光反応性半導体/固形分換算
ラテックス重量比=10)紙を1.5cm×5cmに切断し、それ
ぞれの試料片(重量0.2g)について、セロハンテープを
接着させ、ついでこれを剥がした際にセロハンテープに
付着する光反応性半導体の多寡を比較したところ、第7
表に示したように最低造膜温度が60℃以上のNo.5を使用
したシートについて光反応性半導体の剥がれが著しかっ
た。
Example 6 A paper on which a photoreactive semiconductor was supported by latex Nos. 1 to 3 and 5 having different minimum film forming temperatures (photoreactive semiconductor / latex weight in terms of solid content = 10) was cut into 1.5 cm × 5 cm. A cellophane tape was adhered to each sample piece (weight 0.2 g), and the amount of the photoreactive semiconductor adhered to the cellophane tape when the cellophane tape was peeled off was compared.
As shown in the table, the peeling of the photoreactive semiconductor was remarkable in the sheet using No. 5 having the minimum film forming temperature of 60 ° C. or higher.

実施例7 実施例3と同様にして作成した二酸化チタン担持不織
布を不織布重量0.5g、二酸化チタン重量0.1gになるよう
に、ほぼ直径5cmの円形に切断した試料片をパイレック
スガラス製ロート2個の上端部同士で挟んでこの2個の
ロートをスプリングで固定してフィルターを作成した。
次に、フィルター部を20cmの距離から超高圧水銀灯(実
施例1で使用したものに同じ。)で照射した。この状態
で一方のフィルターの脚部から、第8表に示す初濃度の
有害成分を含む空気を注射器により注入し、他方のフィ
ルターの脚部から出てくる空気中の有害成分の濃度をガ
スクロマトグラフィーで測定した結果を第8表に示し
た。
Example 7 A titanium dioxide-supported nonwoven fabric prepared in the same manner as in Example 3 was cut into a circular shape having a diameter of approximately 5 cm so that the nonwoven fabric weight was 0.5 g and the titanium dioxide weight was 0.1 g. A filter was formed by fixing the two funnels with a spring so as to be sandwiched between upper ends.
Next, the filter was irradiated with an ultrahigh pressure mercury lamp (same as that used in Example 1) from a distance of 20 cm. In this state, the air containing the harmful component at the initial concentration shown in Table 8 was injected from the leg of one filter with a syringe, and the concentration of the harmful component in the air coming out of the leg of the other filter was measured by gas chromatography. Table 8 shows the results of the measurements by lithography.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−80833(JP,A) 特開 昭62−53657(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) A61L 9/00 - 9/22────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-63-80833 (JP, A) JP-A-62-53657 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) A61L 9/00-9/22

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】0.5〜5eVの禁止帯幅を有する光反応性半導
体を表面に担持させたシートにおいて、該半導体を最低
造膜温度が60℃以下であるラテックスを用いて担持させ
たことを特徴とする光反応性半導体担持シート。
1. A sheet carrying a photoreactive semiconductor having a band gap of 0.5 to 5 eV on a surface thereof, wherein the semiconductor is carried using a latex having a minimum film formation temperature of 60 ° C. or less. A photoreactive semiconductor supporting sheet.
【請求項2】0.5〜5eVの禁止帯幅を有する光反応性半導
体100重量部と、固形分換算で1重量部超、20重量部未
満のラテックスとを含有する光反応性組成物をシート表
面に担持させることを特徴とする請求項(1)の光反応
性半導体担持シートの製造方法。
2. A photoreactive composition comprising 100 parts by weight of a photoreactive semiconductor having a band gap of 0.5 to 5 eV and a latex of more than 1 part by weight and less than 20 parts by weight in terms of solid content is coated on a sheet surface. 3. The method for producing a photoreactive semiconductor supporting sheet according to claim 1, wherein the supporting sheet is supported on a sheet.
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