JP2818857B2 - クロマトグラフィー用充填剤の製造方法 - Google Patents
クロマトグラフィー用充填剤の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液体クロマトグラフ
ィー用充填剤の製造方法に関する。より詳しくは本発明
は化学修飾基が高密度に化学結合した液体クロマトグラ
フィー用充填剤の製造方法に関する。
ィー用充填剤の製造方法に関する。より詳しくは本発明
は化学修飾基が高密度に化学結合した液体クロマトグラ
フィー用充填剤の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液体クロマトグラフィー用充填剤
としては無機多孔質基材であるシリカゲル、アルミナ、
ケイソウ土あるいは有機ポリマー等をそれ自体として、
あるいはそれらに修飾基を化学結合させたものが主に使
用されており、中でも無機多孔質であるシリカゲルを各
種の化学修飾剤と反応することにより、シリカゲル表面
のシラノール基に化学修飾基を化学結合させたものが凡
用されている。特にシリカゲル表面をオクタデシル基、
オクチル基、ブチル基、メチル基、シアノプロピル基、
フェニル基等によって化学修飾したシリカゲル充填剤が
広く使われている。
としては無機多孔質基材であるシリカゲル、アルミナ、
ケイソウ土あるいは有機ポリマー等をそれ自体として、
あるいはそれらに修飾基を化学結合させたものが主に使
用されており、中でも無機多孔質であるシリカゲルを各
種の化学修飾剤と反応することにより、シリカゲル表面
のシラノール基に化学修飾基を化学結合させたものが凡
用されている。特にシリカゲル表面をオクタデシル基、
オクチル基、ブチル基、メチル基、シアノプロピル基、
フェニル基等によって化学修飾したシリカゲル充填剤が
広く使われている。
【０００３】しかしながら、上述した化学修飾したシリ
カゲル充填剤はその表面上に未反応のシラノール基が残
存しており、このものが液体クロマトグラフィーの実施
に際し、極性溶質、特に塩基性物質を吸着してその溶出
を妨げたり、ピークのテーリング現象が起きたり、再現
性の低下などを来たす原因となっていた。
カゲル充填剤はその表面上に未反応のシラノール基が残
存しており、このものが液体クロマトグラフィーの実施
に際し、極性溶質、特に塩基性物質を吸着してその溶出
を妨げたり、ピークのテーリング現象が起きたり、再現
性の低下などを来たす原因となっていた。
【０００４】そこで上述のようなシリカゲル充填剤の表
面上の残存シラノール基の影響を低減させるために、残
存シラノール基に短鎖アルキル基を化学結合させる手法
（いわゆるエンドキャッピング）が広く用いられてい
る。
面上の残存シラノール基の影響を低減させるために、残
存シラノール基に短鎖アルキル基を化学結合させる手法
（いわゆるエンドキャッピング）が広く用いられてい
る。
【０００５】しかしながら、残存シラノール基の影響を
低減させるためのこれらの化学修飾反応は、従来トルエ
ン等の溶媒中で行われているが、これらの方法によって
製造した充填剤の表面にもなおシラノール基がかなり残
存し、影響が残るという欠点があった。
低減させるためのこれらの化学修飾反応は、従来トルエ
ン等の溶媒中で行われているが、これらの方法によって
製造した充填剤の表面にもなおシラノール基がかなり残
存し、影響が残るという欠点があった。
【０００６】この欠点を克服するため、前記エンドキャ
ッピングに際し、トルエンなどの溶媒を用いずに、気相
中２５０℃以上の温度で、充填剤基材と化学修飾剤との
反応を行うことによって、残留シラノール基の影響が少
ない充填剤を製造する方法がすでに報告されている（特
開平４−２１２０５８）。
ッピングに際し、トルエンなどの溶媒を用いずに、気相
中２５０℃以上の温度で、充填剤基材と化学修飾剤との
反応を行うことによって、残留シラノール基の影響が少
ない充填剤を製造する方法がすでに報告されている（特
開平４−２１２０５８）。
【０００７】しかしながら、上述の方法では反応温度が
高いため使用されている化学修飾剤が熱的に安定である
必要がある。また、反応を行う温度によっては、充填剤
表面にあらかじめ化学結合されていたオクタデシル基な
どの化学修飾基が表面から脱離してしまうという欠点も
あった。
高いため使用されている化学修飾剤が熱的に安定である
必要がある。また、反応を行う温度によっては、充填剤
表面にあらかじめ化学結合されていたオクタデシル基な
どの化学修飾基が表面から脱離してしまうという欠点も
あった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
従来法の欠点を解決するものであり、その課題とすると
ころは、アルキル基等の化学修飾基が無機多孔質充填剤
の表面に高密度に化学結合し、クロマトグラフィーに不
都合な影響を及ぼす充填剤表面の残存シラノール基が高
度に不活性化されたクロマトグラフィー用充填剤の製造
方法を提供することにある。
従来法の欠点を解決するものであり、その課題とすると
ころは、アルキル基等の化学修飾基が無機多孔質充填剤
の表面に高密度に化学結合し、クロマトグラフィーに不
都合な影響を及ぼす充填剤表面の残存シラノール基が高
度に不活性化されたクロマトグラフィー用充填剤の製造
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために液体クロマトグラフィー用無機多孔質充
填剤基材と各種化学修飾剤との反応条件を鋭意検討した
結果、化学修飾剤との反応をトルエンのような従来から
行われてきた液体中で行った後、更に、超臨界流体中で
行った場合、化学修飾基を充填剤表面に容易に高密度に
導入できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明によれば、液体クロマトグラフイー用無
機多孔質充填剤基材を液相中で化学修飾材と反応させた
後に液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材を
分離し、引き続いて液体クロマトグラフイー用無機多孔
質充填剤基材を、超臨界流体中で化学修飾剤と反応させ
ることを特徴とする、液体クロマトグラフィー用充填剤
の製造方法が、提供される。
解決するために液体クロマトグラフィー用無機多孔質充
填剤基材と各種化学修飾剤との反応条件を鋭意検討した
結果、化学修飾剤との反応をトルエンのような従来から
行われてきた液体中で行った後、更に、超臨界流体中で
行った場合、化学修飾基を充填剤表面に容易に高密度に
導入できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明によれば、液体クロマトグラフイー用無
機多孔質充填剤基材を液相中で化学修飾材と反応させた
後に液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材を
分離し、引き続いて液体クロマトグラフイー用無機多孔
質充填剤基材を、超臨界流体中で化学修飾剤と反応させ
ることを特徴とする、液体クロマトグラフィー用充填剤
の製造方法が、提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明で使用する出発物質として
は、液体クロマトグラフィー用充填剤基材として通常使
用される液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基
材があげられ、これらは液体クロマトグラフイー用無機
多孔質充填剤基材それ自体であることもできるし、ある
いは液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材を
化学修飾してその表面に予め修飾基を化学結合させたも
の、さらには化学修飾した無機多孔質充填剤基材にさら
にエンドキャッピング処理を施したものであることもで
きる。これらのいずれから出発してもよい。前記した液
体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材として
は、従来から液体クロマトグラフィー用充填剤基材とし
て使用されている液体クロマトグラフイー用無機多孔質
充填剤基材のうち基材表面上に水酸基を含む官能基を有
するものが使用可能である。例示すると、シリカゲル、
チタニア、マグネシア、シリカガラス等が挙げられる。
は、液体クロマトグラフィー用充填剤基材として通常使
用される液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基
材があげられ、これらは液体クロマトグラフイー用無機
多孔質充填剤基材それ自体であることもできるし、ある
いは液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材を
化学修飾してその表面に予め修飾基を化学結合させたも
の、さらには化学修飾した無機多孔質充填剤基材にさら
にエンドキャッピング処理を施したものであることもで
きる。これらのいずれから出発してもよい。前記した液
体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材として
は、従来から液体クロマトグラフィー用充填剤基材とし
て使用されている液体クロマトグラフイー用無機多孔質
充填剤基材のうち基材表面上に水酸基を含む官能基を有
するものが使用可能である。例示すると、シリカゲル、
チタニア、マグネシア、シリカガラス等が挙げられる。
【００１１】前記したあらかじめ化学修飾された充填剤
から出発する場合、その化学修飾基が従来の液体クロマ
トグラフィー用充填剤に使用されている化学修飾基であ
れば本発明で使用して差し支えない。例示するとアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル
基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリー
ル基、複素環式基等、およびこれら化学修飾基の水素原
子の１つ又は複数がハロゲン、シアノ基、水酸基、ニト
ロ基、アミノ基、酸アミド基、イミド基、チオール基、
スルホン基、カルボキシル基、グリセロイル基、エステ
ル基、エーテル基等によって置き換えられた化学修飾基
などが挙げられる。
から出発する場合、その化学修飾基が従来の液体クロマ
トグラフィー用充填剤に使用されている化学修飾基であ
れば本発明で使用して差し支えない。例示するとアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル
基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリー
ル基、複素環式基等、およびこれら化学修飾基の水素原
子の１つ又は複数がハロゲン、シアノ基、水酸基、ニト
ロ基、アミノ基、酸アミド基、イミド基、チオール基、
スルホン基、カルボキシル基、グリセロイル基、エステ
ル基、エーテル基等によって置き換えられた化学修飾基
などが挙げられる。
【００１２】液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填
剤基材の物理的性状は特に限定されないが、粒子径１〜
１０００μｍ、より好ましくは２〜５０μｍ、細孔径０
〜１００００Å、より好ましくは２〜１０００Å、比表
面積１〜１０００ｍ2/ｇ、より好ましくは１０〜６００
ｍ2/ｇのものが好適に使用できる。
剤基材の物理的性状は特に限定されないが、粒子径１〜
１０００μｍ、より好ましくは２〜５０μｍ、細孔径０
〜１００００Å、より好ましくは２〜１０００Å、比表
面積１〜１０００ｍ2/ｇ、より好ましくは１０〜６００
ｍ2/ｇのものが好適に使用できる。
【００１３】本発明では、液体クロマトグラフイー用無
機多孔質充填剤基材と化学修飾剤をトルエンなどの従来
から用いられてきた液相中で反応させた後に、反応の媒
体として超臨界流体中で化学修飾剤と反応させるところ
にその最大の特徴を有し、それにより化学修飾基が高密
度に結合され、残留シラノール基の少ないクロマトグラ
フィー用充填剤を得ることができる。本発明で使用でき
る超臨界流体としては、臨界温度が４００℃以下であれ
ば使用可能であるが、副反応を回避するには３００℃以
下、より好ましくは２００℃以下、最も好ましくは１０
０℃以下がよく、かつ臨界圧力が３００ｋｇ／ｃｍ2以
下、より好ましくは２００ｋｇ／ｃｍ2以下、最も好ま
しくは１００ｋｇ／ｃｍ2以下のものが好適である。こ
れらの条件に適合する超臨界流体を例示すると二酸化炭
素、一酸化二窒素、エタン、プロパン、ブタン、ベンゼ
ン、ジエチルエーテル等が挙げられ、特に二酸化炭素
（臨界温度３１．３℃、臨界圧力７２．９ａｔｍ（７
５．３ｋｇ／ｃｍ2）が好適である。これらの超臨界流
体は各々単独で使用できる他、化学修飾剤の溶解度を向
上させるためにメタノールやトルエンのようなモディフ
ァイヤーとの混合流体として使用することも可能であ
る。
機多孔質充填剤基材と化学修飾剤をトルエンなどの従来
から用いられてきた液相中で反応させた後に、反応の媒
体として超臨界流体中で化学修飾剤と反応させるところ
にその最大の特徴を有し、それにより化学修飾基が高密
度に結合され、残留シラノール基の少ないクロマトグラ
フィー用充填剤を得ることができる。本発明で使用でき
る超臨界流体としては、臨界温度が４００℃以下であれ
ば使用可能であるが、副反応を回避するには３００℃以
下、より好ましくは２００℃以下、最も好ましくは１０
０℃以下がよく、かつ臨界圧力が３００ｋｇ／ｃｍ2以
下、より好ましくは２００ｋｇ／ｃｍ2以下、最も好ま
しくは１００ｋｇ／ｃｍ2以下のものが好適である。こ
れらの条件に適合する超臨界流体を例示すると二酸化炭
素、一酸化二窒素、エタン、プロパン、ブタン、ベンゼ
ン、ジエチルエーテル等が挙げられ、特に二酸化炭素
（臨界温度３１．３℃、臨界圧力７２．９ａｔｍ（７
５．３ｋｇ／ｃｍ2）が好適である。これらの超臨界流
体は各々単独で使用できる他、化学修飾剤の溶解度を向
上させるためにメタノールやトルエンのようなモディフ
ァイヤーとの混合流体として使用することも可能であ
る。
【００１４】本発明による方法で使用する化学修飾剤と
しては、液体クロマトグラフィー用充填剤の化学修飾に
従来慣用に使用される化学修飾剤をあげることができ
る。かかる化学修飾剤を例示するとアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアル
ケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、複素環式
基等の化学結合基を有するか、またはこれら化学結合基
の水素原子の１つ又は複数がハロゲン、シアノ基、水酸
基、ニトロ基、アミノ基、酸アミド基、イミド基、チオ
ール基、スルホン基、カルボキシル基、グリセロイル
基、エステル基、エーテル基等によって置き換えられた
化学結合基を有するシラン化合物、シロキサン化合物、
シラザン化合物が挙げられる。
しては、液体クロマトグラフィー用充填剤の化学修飾に
従来慣用に使用される化学修飾剤をあげることができ
る。かかる化学修飾剤を例示するとアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアル
ケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、複素環式
基等の化学結合基を有するか、またはこれら化学結合基
の水素原子の１つ又は複数がハロゲン、シアノ基、水酸
基、ニトロ基、アミノ基、酸アミド基、イミド基、チオ
ール基、スルホン基、カルボキシル基、グリセロイル
基、エステル基、エーテル基等によって置き換えられた
化学結合基を有するシラン化合物、シロキサン化合物、
シラザン化合物が挙げられる。
【００１５】本発明に用いられる上述の化学修飾剤はい
わゆるエンドキャッピング剤であることが特に好都合で
ある。かかるエンドキャッピング剤としては、ヘキサメ
チルジシラザンなどのジシラザン化合物、ジエチルメチ
ルシランやトリエチルシランなどのハイドロジェンシラ
ン化合物、トリメチルメトキシシランなどのアルコキシ
シラン化合物、ペンタメチルジシロキサンやヘキサメチ
ルシクロトリシロキサン、１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサンなどのシロキサン化合物、トリメチルク
ロロシランなどのクロロシラン化合物などを好適に用い
ることができる。
わゆるエンドキャッピング剤であることが特に好都合で
ある。かかるエンドキャッピング剤としては、ヘキサメ
チルジシラザンなどのジシラザン化合物、ジエチルメチ
ルシランやトリエチルシランなどのハイドロジェンシラ
ン化合物、トリメチルメトキシシランなどのアルコキシ
シラン化合物、ペンタメチルジシロキサンやヘキサメチ
ルシクロトリシロキサン、１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサンなどのシロキサン化合物、トリメチルク
ロロシランなどのクロロシラン化合物などを好適に用い
ることができる。
【００１６】本発明における化学修飾剤の超臨界流体に
対する濃度は適宜選定でき、とくに限定されるものでは
ないが、０．０１〜２０％（容量比）が好ましく、特に
０．１〜１０％（容量比）が好適である。
対する濃度は適宜選定でき、とくに限定されるものでは
ないが、０．０１〜２０％（容量比）が好ましく、特に
０．１〜１０％（容量比）が好適である。
【００１７】また化学修飾反応における反応温度は、液
体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材および化
学修飾剤の種類によって適宜選定でき、超臨界流体の臨
界温度以上であれば特に限定されないが、温度が高くな
りすぎると既に化学結合されている化学修飾基が存在す
る場合はその脱離が多くなる可能性があるので、その上
限は４００℃とすることが好ましい。より好ましい反応
温度の上限は３００℃、最も好ましい反応温度上限は２
５０℃である。
体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材および化
学修飾剤の種類によって適宜選定でき、超臨界流体の臨
界温度以上であれば特に限定されないが、温度が高くな
りすぎると既に化学結合されている化学修飾基が存在す
る場合はその脱離が多くなる可能性があるので、その上
限は４００℃とすることが好ましい。より好ましい反応
温度の上限は３００℃、最も好ましい反応温度上限は２
５０℃である。
【００１８】化学修飾反応における超臨界流体の圧力
は、臨界圧力以上であれば問題はなく、化学修飾剤の種
類や濃度に応じて適宜選定できる。臨界圧力〜１０００
ｋｇ／ｃｍ2が通常である。また反応時間は３０分〜１
２０時間、より好ましくは２〜２４時間とすることが望
ましい。反応槽中の流体の流速は特に限定されるもので
はないが、超臨界流体状態で毎分５ｍｌ以下が好まし
い。
は、臨界圧力以上であれば問題はなく、化学修飾剤の種
類や濃度に応じて適宜選定できる。臨界圧力〜１０００
ｋｇ／ｃｍ2が通常である。また反応時間は３０分〜１
２０時間、より好ましくは２〜２４時間とすることが望
ましい。反応槽中の流体の流速は特に限定されるもので
はないが、超臨界流体状態で毎分５ｍｌ以下が好まし
い。
【００１９】
【実施例】以下の実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、超臨界流体中における液体クロマトグラフイ
ー用無機多孔質充填剤基材と化学修飾剤との反応はＳＵ
ＰＲＥＸ社製ＳＦＣ−２００Ａを用いて行った。この反
応装置のフローシートを図１に示す。
る。なお、超臨界流体中における液体クロマトグラフイ
ー用無機多孔質充填剤基材と化学修飾剤との反応はＳＵ
ＰＲＥＸ社製ＳＦＣ−２００Ａを用いて行った。この反
応装置のフローシートを図１に示す。
【００２０】実施例１ 第一段階：トルエン中でのシリカゲルとｎ−オクチルト
リエトキシシラン（以下、ＯＴＥＳと略記する）との反
応 細孔径約１３０オングストローム、平均粒子径約１０μ
ｍの球状シリカゲル（富士シリシア化学製）２ｇを１１
０℃で真空乾燥し、ナスフラスコ中で乾燥トルエン５０
ｍｌ、ＯＴＥＳ６ｍｌを加え、油浴中トルエン還流下で
２４時間反応させた。次にグラスフィルター（Ｇ−４）
を用いて濾過し、トルエン１５０ｍｌとジクロロメタン
１５０ｍｌで順次洗浄濾過し、１１０℃で真空乾燥して
充填剤を得た。
リエトキシシラン（以下、ＯＴＥＳと略記する）との反
応 細孔径約１３０オングストローム、平均粒子径約１０μ
ｍの球状シリカゲル（富士シリシア化学製）２ｇを１１
０℃で真空乾燥し、ナスフラスコ中で乾燥トルエン５０
ｍｌ、ＯＴＥＳ６ｍｌを加え、油浴中トルエン還流下で
２４時間反応させた。次にグラスフィルター（Ｇ−４）
を用いて濾過し、トルエン１５０ｍｌとジクロロメタン
１５０ｍｌで順次洗浄濾過し、１１０℃で真空乾燥して
充填剤を得た。
【００２１】 第二段階：超臨界流体中でのＯＴＥＳとの反応 上記第一段階で製造した充填剤０．５ｇを１１０℃で真
空乾燥し、反応槽に入れた。この反応槽にＯＴＥＳ０．
４％（容量比）を含有する二酸化炭素を、反応温度１１
０℃、流体圧力２５０ｋｇ／ｃｍ2、反応槽中の流体の流
速毎分０．３８ｍｌで４時間供給し、反応を行った。生
成物をグラスフィルター（Ｇ−４）を用いて濾過し、ト
ルエン１５０ｍｌとジクロロメタン１５０ｍｌで順次洗
浄濾過し１１０℃で真空乾燥した。
空乾燥し、反応槽に入れた。この反応槽にＯＴＥＳ０．
４％（容量比）を含有する二酸化炭素を、反応温度１１
０℃、流体圧力２５０ｋｇ／ｃｍ2、反応槽中の流体の流
速毎分０．３８ｍｌで４時間供給し、反応を行った。生
成物をグラスフィルター（Ｇ−４）を用いて濾過し、ト
ルエン１５０ｍｌとジクロロメタン１５０ｍｌで順次洗
浄濾過し１１０℃で真空乾燥した。
【００２２】実施例１の第一段階（トルエン中での反
応）で得られた充填剤と第二段階（さらに超臨界流体中
で反応）で得られた充填剤を元素分析し、得られた結果
を表１に示す。
応）で得られた充填剤と第二段階（さらに超臨界流体中
で反応）で得られた充填剤を元素分析し、得られた結果
を表１に示す。
【００２３】
【表１】 表１から明らかなとおり、トルエン中（第一段階）での
みＯＴＥＳと反応させた充填剤よりも超臨界流体中（第
二段階）でさらに化学修飾反応させた充填剤の方が炭素
含有量が高く、このことは超臨界流体中で反応させた場
合は従来法に比べて高密度に化学結合基が導入されてい
ることを示している。
みＯＴＥＳと反応させた充填剤よりも超臨界流体中（第
二段階）でさらに化学修飾反応させた充填剤の方が炭素
含有量が高く、このことは超臨界流体中で反応させた場
合は従来法に比べて高密度に化学結合基が導入されてい
ることを示している。
【００２４】実施例２ オクタデシルシリル基結合シリカゲル（以下ＯＤＳ−シ
リカゲルと略記する）のヘキサメチルジシラザラン（以
下、ＨＭＤＳと略記する）による化学修飾（エンドキャ
ッピング） 第一段階：トルエン中でのＨＭＤＳとの反応 細孔径約１３０オングストローム、平均粒子径約１０μ
ｍの球状ＯＤＳ−シリカゲル（富士シリシア化学製）１
０ｇを１１０℃で真空乾燥し、ナスフラスコ中で乾燥ト
ルエン５０ｍｌ、ＨＭＤＳ１０ｍｌを加え、油浴中トル
エン還流下で１２時間反応させた。次にグラスフィルタ
ー（Ｇ−４）を用いて濾過し、トルエン１５０ｍｌとジ
クロロメタン１５０ｍｌで順次洗浄濾過し、１１０℃で
真空乾燥して充填剤を得た。
リカゲルと略記する）のヘキサメチルジシラザラン（以
下、ＨＭＤＳと略記する）による化学修飾（エンドキャ
ッピング） 第一段階：トルエン中でのＨＭＤＳとの反応 細孔径約１３０オングストローム、平均粒子径約１０μ
ｍの球状ＯＤＳ−シリカゲル（富士シリシア化学製）１
０ｇを１１０℃で真空乾燥し、ナスフラスコ中で乾燥ト
ルエン５０ｍｌ、ＨＭＤＳ１０ｍｌを加え、油浴中トル
エン還流下で１２時間反応させた。次にグラスフィルタ
ー（Ｇ−４）を用いて濾過し、トルエン１５０ｍｌとジ
クロロメタン１５０ｍｌで順次洗浄濾過し、１１０℃で
真空乾燥して充填剤を得た。
【００２５】 第二段階：超臨界流体中でのＨＭＤＳとの反応 上記第一段階で製造した充填剤３ｇを反応槽に入れ、こ
の反応槽にＨＭＤＳ１．５％（容量比）を含有する二酸
化炭素を、反応温度１１０℃、流体圧力２５０ｋｇ／ｃ
ｍ2、反応槽中の流体の流速毎分０．１５ｍｌで４時間供
給し、反応を行った。こうして反応したＯＤＳ−シリカ
ゲルをグラスフィルター（Ｇ−４）を用いて濾過し、ト
ルエン１５０ｍｌとジクロロメタン１５０ｍｌで順次洗
浄濾過し、１１０℃で真空乾燥して充填剤を得た。
の反応槽にＨＭＤＳ１．５％（容量比）を含有する二酸
化炭素を、反応温度１１０℃、流体圧力２５０ｋｇ／ｃ
ｍ2、反応槽中の流体の流速毎分０．１５ｍｌで４時間供
給し、反応を行った。こうして反応したＯＤＳ−シリカ
ゲルをグラスフィルター（Ｇ−４）を用いて濾過し、ト
ルエン１５０ｍｌとジクロロメタン１５０ｍｌで順次洗
浄濾過し、１１０℃で真空乾燥して充填剤を得た。
【００２６】実施例３ 実施例２の第二段階での超臨界流体中におけるエンドキ
ャッピング反応を２００℃で行う以外は実施例２におけ
ると同様に操作したクロマトグラフィー用充填剤を得
た。
ャッピング反応を２００℃で行う以外は実施例２におけ
ると同様に操作したクロマトグラフィー用充填剤を得
た。
【００２７】上記実施例２第一段階で得られた充填剤、
実施例２の第二段階で得られた充填剤、および実施例３
で得られた充填剤のそれぞれについて元素分析した結果
を表２に示す。
実施例２の第二段階で得られた充填剤、および実施例３
で得られた充填剤のそれぞれについて元素分析した結果
を表２に示す。
【００２８】
【表２】 表２に示されるように、トルエン中でのみ化学修飾剤と
反応させた充填剤（実施例２：第一段階）に比較してそ
れをさらに超臨界流体中で化学修飾剤と反応させて得ら
れた充填剤（実施例２：第二段階、実施例３）は炭素含
有量が高く、シリカゲル上の残留シラノール基が高密度
にエンドキャップされており、充填剤の高度の不活性化
が達成されていることが明らかである。
反応させた充填剤（実施例２：第一段階）に比較してそ
れをさらに超臨界流体中で化学修飾剤と反応させて得ら
れた充填剤（実施例２：第二段階、実施例３）は炭素含
有量が高く、シリカゲル上の残留シラノール基が高密度
にエンドキャップされており、充填剤の高度の不活性化
が達成されていることが明らかである。
【００２９】なお、実施例２：第一段階、実施例２：第
二段階および実施例３の方法によりそれぞれ化学修飾し
た充填剤における残留シラノール基の影響を以下の方法
により検査した。実施例２：第一段階、実施例２：第二
段階および実施例３でそれぞれ得られた充填剤をイソプ
ロピルアルコールを用いたスラリー充填法で内径４．６
ｍｍ、長さ１５ｃｍのステンレススチール製カラムに充
填した。このカラムを用い、移動相として水／アセトニ
トリル（容量比７０／３０）を使用し、流速毎分１ｍ
ｌ、カラム温度３０℃、ＵＶ検出器の波長２５４ｎｍの
条件で、ピリジン１５μｇ／ｍｌとフェノール１００μ
ｇ／ｍｌとを含む混合液体を２μｌ注入することによ
り、クロマトグラムを得た。
二段階および実施例３の方法によりそれぞれ化学修飾し
た充填剤における残留シラノール基の影響を以下の方法
により検査した。実施例２：第一段階、実施例２：第二
段階および実施例３でそれぞれ得られた充填剤をイソプ
ロピルアルコールを用いたスラリー充填法で内径４．６
ｍｍ、長さ１５ｃｍのステンレススチール製カラムに充
填した。このカラムを用い、移動相として水／アセトニ
トリル（容量比７０／３０）を使用し、流速毎分１ｍ
ｌ、カラム温度３０℃、ＵＶ検出器の波長２５４ｎｍの
条件で、ピリジン１５μｇ／ｍｌとフェノール１００μ
ｇ／ｍｌとを含む混合液体を２μｌ注入することによ
り、クロマトグラムを得た。
【００３０】上記クロマトグラムから下記数１により算
出した分離係数αを前記表２に示した。
出した分離係数αを前記表２に示した。
【数１】 α＝ｋＰｈ’／ｋＰｙ’ 但し、ｋＰｈ’＝（ｔＰｈ−ｔ０）／ｔ０ ｋＰｙ’＝（ｔＰｙ−ｔ０）／ｔ０ ｔＰｈ：フェノールの保持時間 ｔＰｙ：ピリジンの保持時間 ｔ０：移動相がカラム内を通過するのに要する時間 各充填剤の残留シラノール基の影響が小さいほど、酸性
物質のフェノールに比べて塩基性物質のピリジンが早く
溶出し、αの値が大きくなる。表２から明らかなとお
り、超臨界流体中でさらなる化学修飾を行なった充填剤
（実施例２：第二段階、実施例３）はトルエン中で行っ
たのみの充填剤（実施例２：第一段階）と比較してα値
が高くなっており、従来法に比べてエンドキャップ剤が
高密度にシリカゲル上の残留シラノール基と反応してお
り、それにより高度に不活性化が行われていることがわ
かる。
物質のフェノールに比べて塩基性物質のピリジンが早く
溶出し、αの値が大きくなる。表２から明らかなとお
り、超臨界流体中でさらなる化学修飾を行なった充填剤
（実施例２：第二段階、実施例３）はトルエン中で行っ
たのみの充填剤（実施例２：第一段階）と比較してα値
が高くなっており、従来法に比べてエンドキャップ剤が
高密度にシリカゲル上の残留シラノール基と反応してお
り、それにより高度に不活性化が行われていることがわ
かる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、すでに化学
修飾された液体クロマトグラフイー用充填剤基材を反応
媒体に超臨界流体を使用して、化学修飾剤と反応させ
て、エンドキャッピングを行えば、高度に不活性化され
たクロマトグラフィー用充填剤を得ることができる。こ
れらの充填剤を用いれば、極性物質の吸着の影響が少な
く、再現性のよいクロマトグラフ分析を行うことができ
る。
修飾された液体クロマトグラフイー用充填剤基材を反応
媒体に超臨界流体を使用して、化学修飾剤と反応させ
て、エンドキャッピングを行えば、高度に不活性化され
たクロマトグラフィー用充填剤を得ることができる。こ
れらの充填剤を用いれば、極性物質の吸着の影響が少な
く、再現性のよいクロマトグラフ分析を行うことができ
る。
【図１】実施例で用いた反応装置のフローシートであ
る。
る。
１ ポンプユニット ２ オーブンユニット ３ 液体二酸化炭素ボンベ ４ 化学修飾剤及びモディファイヤー導入用インジェク
ター ５ ストップバルブ ６ ポンプ ７ 圧力センサー ８ ストップバルブ ９ 反応槽 １０ リストリクター
ター ５ ストップバルブ ６ ポンプ ７ 圧力センサー ８ ストップバルブ ９ 反応槽 １０ リストリクター
Claims (5)
- 【請求項１】 液体クロマトグラフイー用無機多孔質充
填剤基材を液相中で化学修飾剤と反応させた後に液体ク
ロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材を分離し、引
き続いて液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基
材を、超臨界流体中で化学修飾剤と反応させることを特
徴とする、液体クロマトグラフィー用充填剤の製造方
法。 - 【請求項２】 前記液体クロマトグラフイー用無機多孔
質充填剤基材がシリカゲルである、請求項１記載の液体
クロマトグラフイー用充填剤の製造方法。 - 【請求項３】 表面に予め化学結合された修飾基を有す
る液体クロマトグラフイー用無機多孔質充填剤基材を、
超臨界流体中で化学修飾剤と反応させることを特徴とす
る、液体クロマトグラフィー用充填剤の製造方法。 - 【請求項４】 前記液体クロマトグラフイー用無機多孔
質充填剤基材がシリカゲルである、請求項３記載の液体
クロマトグラフイー用充填剤の製造方法。 - 【請求項５】 前記超臨界流体が二酸化炭素である、請
求項１〜４のいずれか１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200766A JP2818857B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | クロマトグラフィー用充填剤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200766A JP2818857B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | クロマトグラフィー用充填剤の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949829A JPH0949829A (ja) | 1997-02-18 |
| JP2818857B2 true JP2818857B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=16429822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7200766A Expired - Lifetime JP2818857B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | クロマトグラフィー用充填剤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2818857B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713033B2 (en) | 2000-07-11 | 2004-03-30 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for producing hydrophilic ODS packing material made of silica gel |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10249191A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Daicel Chem Ind Ltd | 分離剤 |
| WO2000072960A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-12-07 | Merck Patent Gmbh | Oberflächenderivatisierung von sorbentien mit überkritischem co¿2? |
| WO2001052981A1 (de) * | 2000-01-17 | 2001-07-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur modifizierung der oberflächen von feinporösen adsorbentien |
| WO2005002530A1 (en) * | 2003-07-04 | 2005-01-13 | Nanon A/S | A method of producing a silanized composite filler and a method of producing a composite material |
| JPWO2019117063A1 (ja) * | 2017-12-15 | 2020-12-17 | コニカミノルタ株式会社 | 多孔性微粒子、その製造方法、クロマトグラフィー用充填剤及びクロマトグラフィー用カラム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194457A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-26 | Japan Spectroscopic Co | 超臨界流体等によるクロマトグラフイ用充填剤の製造法 |
-
1995
- 1995-08-07 JP JP7200766A patent/JP2818857B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713033B2 (en) | 2000-07-11 | 2004-03-30 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for producing hydrophilic ODS packing material made of silica gel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0949829A (ja) | 1997-02-18 |
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