JP2813359B2 - Electron beam exposure system - Google Patents
Electron beam exposure systemInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、電子ビームを用いて加工対象物に露光処
理を行なう電子ビーム露光装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure apparatus that performs an exposure process on a workpiece using an electron beam.
［従来の技術］ 第３図は例えば特開昭56−18425号公報に示された従
来の電子ビーム露光装置の概略図であり、図において
（１）は電子銃、（２），（３）はこの電子銃（１）か
ら射出された電子ビームE0を加工対象物としての試料
（４）へ集束させるそれぞれ照射レンズ、対物レンズ、
（５）は電子計算機、（６）はこの電子計算機（５）と
電気的に接続されて電子計算機（５）からパターン位置
信号が供給される走査用偏向系、（７）は電子計算機
（５）と電気的に接続されて電子計算機（５）から電子
ビームE0の、光軸外し指令信号が供給されるブランキン
グ用偏向系、（8a），（8b）はこのブランキング用偏向
系（７）によって光軸から大きく移動させられた電子ビ
ームE1,E2をそれぞれ捕集する、金属性で直方体状の電
子ビーム捕集箱、（9a），（9b）は電子ビーム捕集箱
（8a），（8b）の上面部にあけられたそれぞれ小孔であ
る。[Prior Art] FIG. 3 is a schematic view of a conventional electron beam exposure apparatus disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-18425, where (1) is an electron gun, (2) and (3). each illumination lens, an objective lens for focusing onto the sample (4) of the electron beam E 0 emitted from the electron gun (1) as a processing object,
(5) is an electronic computer, (6) is a scanning deflection system electrically connected to the electronic computer (5) and supplied with a pattern position signal from the electronic computer (5), and (7) is an electronic computer (5). ) and electrically connected to to the computer (5) of the electron beam E 0, blanking deflection system command signal off the optical axis is provided, (8a), (8b) this blanking deflection system ( Metallic rectangular parallelepiped electron beam collecting boxes for collecting the electron beams E 1 and E 2 respectively moved largely from the optical axis by 7), and (9a) and (9b) are electron beam collecting boxes ( 8a) and (8b) are small holes formed in the upper surface.
従来の電子ビーム露光装置は上述したように構成され
ており、電子銃（１）から射出された電子ビームE0は、
照射レンズ（２）および対物レンズ（３）によって試料
（４）上に集束される。これと同時に、電子線E0は電子
計算機（５）からパターン位置信号が供給された走査用
偏向系（６）の偏向力によって試料（４）上の適当な位
置に移動させ、試料（４）上にパターンが描画される、
このようにして或るパターンを描き終え、次のパターン
の描画に移る時に、ブランキング用偏向系（７）は電子
計算機（５）から供給された光軸外し指令信号により電
子銃（１）から射出されてきた電子ビームE0を光軸から
大きく外すように電子ビームE0を偏向させる。その結
果、偏向させられた電子ビームE1（またはE2）は電子ビ
ーム捕集箱（8a）［または（8b）］の小孔（9a）［また
は（9b）］を通過して電子ビーム捕集箱（8a）［または
（8b）］内に入る。The conventional electron beam exposure apparatus is configured as described above, and the electron beam E 0 emitted from the electron gun (1) is
It is focused on the sample (4) by the illumination lens (2) and the objective lens (3). At the same time, the electron beam E 0 is moved to an appropriate position on the sample (4) by the deflection force of the scanning deflection system (6) to which the pattern position signal is supplied from the electronic computer (5), and the sample (4) A pattern is drawn on top,
When a certain pattern has been drawn in this way and the process proceeds to the drawing of the next pattern, the deflection system for blanking (7) is turned off from the electron gun (1) by the off-axis command signal supplied from the computer (5). the electron beam E 0 that has been emitted deflecting the electron beam E 0 to disengage greatly from the optical axis. As a result, the deflected electron beam E 1 (or E 2 ) passes through the small hole (9a) [or (9b)] of the electron beam collection box (8a) [or (8b)] and captures the electron beam. Enter the collection box (8a) [or (8b)].
［発明が解決しようとする課題］ 一般に照射電子ビームの電流分布は長い裾を引いたガ
ウシアン分布であるため、電子ビームの軌道を曲げてブ
ランキングしてもそのすべてが小孔の中に入るわけでは
ない。このためブランキング時に電子ビーム捕集箱で捕
えることのできなかった漏れ電子ビームが試料上の電子
ビームレジストを感光させるのに十分な量に達し、不必
要なパターンの露光が発生することがあるという問題点
があった。[Problems to be Solved by the Invention] Since the current distribution of an irradiated electron beam is generally a Gaussian distribution with a long tail, even if the orbit of the electron beam is bent and blanked, all of the electron beam enters a small hole. is not. For this reason, the leaked electron beam that could not be captured by the electron beam collection box during blanking reaches a sufficient amount to expose the electron beam resist on the sample, and unnecessary pattern exposure may occur. There was a problem.
この発明は、上述したような問題点を解決するために
なされたもので、不必要な露光が発生しないようにブラ
ンキング時に電子ビーム捕集箱で捕える電子ビーム量を
最大に調整する電子ビーム露光装置を得ることを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an electron beam exposure for adjusting an amount of an electron beam captured by an electron beam collecting box at the time of blanking so that unnecessary exposure does not occur. The aim is to obtain a device.
［課題を解決するための手段］ この発明に係る電子ビーム露光装置は、ブランキング
時に、偏向して電子捕集箱に収集される電子ビームを検
出してこれに比例した電圧を発生する手段と、前記発生
した電圧が最大となるように前記電子ビーム偏向用のブ
ランキング電圧を調整する手段とを設けたものである。[Means for Solving the Problems] An electron beam exposure apparatus according to the present invention comprises: means for detecting an electron beam which is deflected and collected in an electron collection box during blanking and generates a voltage proportional thereto. Means for adjusting the blanking voltage for electron beam deflection so that the generated voltage is maximized.
［作 用］ この発明におけるブランキング電圧は、ブランキング
時に、ビーム電流検出抵抗の両端に発生する電圧が最大
となるように調整され、これによりビームブランキング
時の漏れビームを最小にする。[Operation] The blanking voltage in the present invention is adjusted so that the voltage generated across the beam current detection resistor at the time of blanking is maximized, thereby minimizing the leakage beam at the time of beam blanking.
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図はこの発明に係る電子ビーム露光装置の一実施例を
示す概略図であり、図において（１）〜（９）は第３図
について説明したものと同じであるので、その説明を省
略する。（10）は電子ビーム捕集箱（８）とアースの間
に接続されたビーム電流検出抵抗、（11）はこのビーム
電流検出抵抗（10）の両端間に接続されると共に電子計
算機（５）にも接続さけたブランキング電圧補正回路で
ある。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of an electron beam exposure apparatus according to the present invention. In FIG. 1, (1) to (9) are the same as those described with reference to FIG. I do. (10) is a beam current detecting resistor connected between the electron beam collecting box (8) and the ground, and (11) is connected between both ends of the beam current detecting resistor (10) and an electronic computer (5). The blanking voltage correction circuit is also connected to the circuit.
また、第２図（Ａ）は第１図の実施例の部分拡大図で
あり、そして第２図（Ｂ）はブランキング電圧を変化さ
せた場合に、ビーム電流検出抵抗（10）にどのような電
圧が観測されるかを示した図である。なお、電子は−１
価なので、電圧は負が観測される。FIG. 2 (A) is a partially enlarged view of the embodiment of FIG. 1, and FIG. 2 (B) shows how the beam current detection resistor (10) changes when the blanking voltage is changed. FIG. 7 is a diagram showing whether a high voltage is observed. The electron is -1
Since the voltage is negative, a negative voltage is observed.
第２図において、ブランキング電圧を大きくするにつ
れ、照射位置はＡ→Ｂ→Ｃと移動する。Ａ点に照射され
た電子ビームが反射、散乱するので、ビーム電流検出抵
抗（10）に流れ込む電流は、この場合Ｂ点でのビーム電
流の数分の１となる。同様にＣ点に照射された場合もビ
ーム電流検出抵抗（10）の両端間に現れる電圧は小さ
い、Ａ点とＣ点の中間に照射された場合に、検出される
ビーム電流が最大となるＢ点が存在する。このＢ点での
電圧がブランキング電圧として最適な値であるから、ブ
ランキング電圧補正回路（11）によってブランキング電
圧が最適な値になるように制御する。In FIG. 2, the irradiation position moves from A to B to C as the blanking voltage is increased. Since the electron beam applied to the point A is reflected and scattered, the current flowing into the beam current detection resistor (10) is a fraction of the beam current at the point B in this case. Similarly, when the light is applied to the point C, the voltage appearing across the beam current detection resistor (10) is small. When the light is applied between the points A and C, the detected beam current becomes maximum. There is a point. Since the voltage at the point B is the optimum value as the blanking voltage, the blanking voltage correction circuit (11) controls the blanking voltage to be the optimum value.
なお、上記実施例では、ブランキング偏向系を１つで
実施してが、ブランキング偏向系を２つに分割し、１つ
を微調用に使用しても良い。In the above embodiment, one blanking deflection system is used. However, the blanking deflection system may be divided into two and one may be used for fine adjustment.
［発明の効果］ 以上のように、この発明は、ブランキング時に、偏向
して電子捕集箱に収集される電子ビームを検出してこれ
に比例した電圧を発生する手段と、前記発生した電圧が
最大となるように前記電子ビーム偏向用のブランキング
電圧を調整する手段とを備えているので、ブランキング
電圧を最適値に設定してブランキング時の漏れ電子ビー
ムを最小にすることができ、ひいては不必要なパターン
の露光の発生を防ぐという効果を奏する。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a means for detecting an electron beam which is deflected and collected in an electron collection box at the time of blanking and generates a voltage proportional thereto is provided. Means for adjusting the blanking voltage for electron beam deflection so that the maximum value can be obtained, so that the blanking voltage can be set to an optimum value to minimize the leakage electron beam during blanking. Thus, an effect of preventing unnecessary pattern exposure from occurring can be achieved.
第１図はこの発明の一実施例を示す概略図、第２図
（Ａ）は第１図の実施例の部分拡大図、第２図は（Ｂ）
はブランキング電圧とビーム電流検出抵抗に流れる電流
によって発生された電圧との関係を示す説明図、第３図
は従来の電子ビーム露光装置を示す概略図である。 図において、（１）は電子銃、（４）は試料、（７）は
ブランキング用偏向系、（８）は電子ビーム捕集箱、
（10）はビーム電流検出抵抗、（11）はブランキング電
圧補正回路である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 (A) is a partially enlarged view of the embodiment of FIG. 1, and FIG. 2 (B).
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a blanking voltage and a voltage generated by a current flowing through a beam current detection resistor. FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional electron beam exposure apparatus. In the figure, (1) is an electron gun, (4) is a sample, (7) is a deflection system for blanking, (8) is an electron beam collecting box,
(10) is a beam current detection resistor, and (11) is a blanking voltage correction circuit. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
工対象物上に所望のパターンを描画させる電子ビーム露
光装置において、ブランキング時に、偏向して電子捕集
箱に収集される電子ビームを検出してこれに比例した電
圧を発生する手段と、前記発生した電圧が最大となるよ
うに前記電子ビーム偏向用のブランキング電圧を調整す
る手段とを備えたことを特徴とする電子ビーム露光装
置。1. An electron beam exposure apparatus which controls an electron beam generated from an electron gun and draws a desired pattern on an object to be processed. Electron beam exposure, comprising: means for detecting the voltage and generating a voltage proportional thereto, and means for adjusting the blanking voltage for electron beam deflection so that the generated voltage is maximized. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008684A JP2813359B2 (en) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | Electron beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008684A JP2813359B2 (en) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | Electron beam exposure system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191315A JPH02191315A (en) | 1990-07-27 |
| JP2813359B2 true JP2813359B2 (en) | 1998-10-22 |
Family
ID=11699749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1008684A Expired - Lifetime JP2813359B2 (en) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | Electron beam exposure system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813359B2 (en) |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1008684A patent/JP2813359B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02191315A (en) | 1990-07-27 |
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