JP2812291B2 - High frequency transistor matching circuit - Google Patents

High frequency transistor matching circuit

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高周波回路の整合回路
に関し、特に、その入出力整合を容易に実現するのに適
した高周波トランジスタ整合回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency circuit matching circuit, and more particularly to a high-frequency transistor matching circuit suitable for easily realizing input / output matching.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、マイクロストリップ回路を用いた
入出力整合回路は、図5に示される如く、基板11上に
インピーダンスを調整するパターン14を設け、そのパ
ターン14の形状をカットアンドトライによりインダク
タンス及びキャパシタンス成分として調整し、インピー
ダンスの整合をとっていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an input / output matching circuit using a microstrip circuit, a pattern 14 for adjusting impedance is provided on a substrate 11 as shown in FIG. In addition, the impedance is adjusted as a capacitance component and the impedance is matched.

【0003】上記の如き技術の第1の従来例として挙げ
られる特開昭58−166815号公報に開示された技
術は、マイクロストリップ線路を設けたマイクロストリ
ップ基板とFET素子とを接地導体上に設けた高周波増
幅器において、これら基板とFET素子との間に空間を
設けて前記線路とFET素子との間を前記FET素子の
リード端子により結合しこのリード端子を入力整合回路
として用いたことを特徴とする高周波増幅器、である。
A technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 58-166815, which is a first conventional example of the above technique, is to dispose a microstrip substrate provided with a microstrip line and an FET element on a ground conductor. In the high-frequency amplifier, a space is provided between the substrate and the FET element, the line and the FET element are coupled by a lead terminal of the FET element, and the lead terminal is used as an input matching circuit. High-frequency amplifier.

【0004】第2の従来例として挙げられる特開平2−
170602号公報に開示された技術は、複数の回路素
子が一体化されたマイクロ波集積回路において、初段回
路の電界効果トランジスタのソースと接地との間に誘導
素子と可変容量素子との直列回路を介挿し、この可変容
量素子の容量値は外部端子からの入力信号により制御さ
れることを特徴とするマイクロ波集積回路であり、この
第2の従来技術によれば、初段回路の入力インピーダン
スは外部端子からの入力信号により適宜変化され、この
ために、システム仕様に合った雑音整合特性および利得
整合特性を有する入力整合特性にシステム設定すること
が可能になる。
[0004] Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei.
The technique disclosed in Japanese Patent No. 170602 discloses a microwave integrated circuit in which a plurality of circuit elements are integrated, in which a series circuit of an inductive element and a variable capacitance element is connected between the source of a field-effect transistor of a first-stage circuit and ground. The microwave integrated circuit is characterized in that the capacitance value of the variable capacitor is controlled by an input signal from an external terminal. According to the second prior art, the input impedance of the first stage circuit is It is appropriately changed by the input signal from the terminal, and therefore, it is possible to set the system to an input matching characteristic having a noise matching characteristic and a gain matching characteristic that meet the system specifications.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、叙上の
従来技術には下記のような欠点があった。
However, the above-mentioned prior art has the following disadvantages.

【0006】第1の問題点は従来の技術においては、イ
ンピーダンス整合をとる為に調整がむずかしく、多大な
時間と技術を要することである。
The first problem is that in the prior art, it is difficult to make adjustments to achieve impedance matching, and a great deal of time and skill are required.

【0007】その理由は、インピーダンスが分布定数回
路で構成されるために、その調整はパターンの長さ、幅
の微調整に依存していた。
The reason is that, since the impedance is constituted by a distributed constant circuit, the adjustment depends on fine adjustment of the length and width of the pattern.

【0008】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記課題を解決し、高周波回路のインピーダンス調
整を容易にすることを可能とした新規な高周波トランジ
スタ整合回路を提供することがある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems inherent in the prior art and to facilitate impedance adjustment of a high-frequency circuit. And a new high-frequency transistor matching circuit.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る高周波トランジスタ整合回路は、入力
側、出力側の両方のマイクロストリップパターン上に、
あらかじめレール状の溝を設けておき、これらの溝部分
にトランジスタの電極リードを接続し、このレール状溝
の上を球状の導体が容易に移動できる構成としている。
In order to achieve the above object, a high-frequency transistor matching circuit according to the present invention is provided on both input and output microstrip patterns.
Rail-shaped grooves are provided in advance, and electrode leads of the transistor are connected to these groove portions, so that a spherical conductor can easily move on the rail-shaped grooves.

【0010】上記溝は、トランジスタの電極リードに対
して平行に形成される(第1の溝)か、またはこの第1
の溝に対してほぼ直角に形成され、第1の溝と接続され
る第2の溝を含むものとするか、あるいはこの第2の溝
とは反対側に形成され前記第1の溝と接続される第3の
溝を形成し、前記第1、第2、第3の溝を含む構造とさ
れる。
The above-mentioned groove is formed parallel to the electrode lead of the transistor (first groove) or the first groove.
And a second groove formed substantially at right angles to the first groove and connected to the first groove, or formed on the opposite side to the second groove and connected to the first groove. A third groove is formed, and the structure includes the first, second, and third grooves.

【0011】本発明は、また、トランジスタの入出力側
に突出された電極リード自体にそれぞれ溝を形成し、こ
れらの溝に球状の導体を移動できる構造とすることがで
きる。
According to the present invention, it is possible to form a structure in which grooves are formed in the electrode leads themselves protruding on the input and output sides of the transistor, and a spherical conductor can be moved in these grooves.

【0012】[0012]

【作用】レール状の溝の上を導体の球は容易に移動させ
ることができる。その導体の位置を変えることにより、
オープンスタブとしての効果を持たせ、最適なインピー
ダンスを容易に実現するものである。
The conductor sphere can be easily moved on the rail-shaped groove. By changing the position of the conductor,
An effect as an open stub is provided, and an optimum impedance is easily realized.

【0013】最適なインピーダンスになるように調整が
終了した後に上記導体球をその位置に非導伝性接着剤に
より固定する。
After the adjustment is completed so as to obtain the optimum impedance, the conductive ball is fixed at that position with a non-conductive adhesive.

【0014】[0014]

【実施例】次に、本発明をその好ましい各実施例につい
て図面を参照して具体的に説明する。
Next, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1は本発明による第1の実施例を示す斜
視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment according to the present invention.

【0016】図1に示された本発明による第1の実施例
は、トランジスタの入、出力電極リードにマイクロスト
リップラインが接続され、インピーダンス整合をとる回
路である。このストリップパターン上にレール状の溝が
彫られ、そのレール状溝に球状の導体が移動させられる
構成である。
The first embodiment according to the present invention shown in FIG. 1 is a circuit in which a microstrip line is connected to the input and output electrode leads of a transistor to achieve impedance matching. A rail-shaped groove is carved on this strip pattern, and a spherical conductor is moved in the rail-shaped groove.

【0017】図1を参照するに、参照符号1は接地導体
を示し、この接地導体1上には2個のマイクロストリッ
プ基板2、2が載置、固定されている。これら2個のマ
イクロストリップ基板2、2の間にトランジスタ3が配
設され、その3個の電極端子リードのうちの1個のリー
ドは接地導体1に接続されて接地されている。接地され
る電極リードはバイポーラトランジスタの場合には例え
ばエミッタ、ベーズでありFETの場合にはゲート、ソ
ーズである。
Referring to FIG. 1, reference numeral 1 denotes a ground conductor, on which two microstrip substrates 2 and 2 are mounted and fixed. A transistor 3 is disposed between the two microstrip substrates 2 and 2, and one of the three electrode terminal leads is connected to the ground conductor 1 and grounded. The electrode lead to be grounded is, for example, an emitter and a base in the case of a bipolar transistor, and is a gate and a source in the case of an FET.

【0018】マイクロストリップ基板2上にはマイクロ
ストリップライン4が例えば金を蒸着することによって
形成されている。金の代わりに銀を使用することもでき
るし、また銅も使用可能である。銅の場合には蒸着では
なく、銅板をマイクロストリップ基板2上に接着するこ
になる。
The microstrip line 4 is formed on the microstrip substrate 2 by, for example, depositing gold. Silver can be used instead of gold, and copper can also be used. In the case of copper, a copper plate is bonded on the microstrip substrate 2 instead of vapor deposition.

【0019】マイクロストリップライン4上にはライン
の長手方向にレール状の溝5が形成されており、溝5に
は球状の導体(球状導体または導体球)6が溝5に沿っ
て移動自在に係合されている。溝5を含むマイクロスト
リップライン4の端面にはトランジスタ3の電球リード
3a、3bが接合されている。
A rail-shaped groove 5 is formed on the microstrip line 4 in the longitudinal direction of the line, and a spherical conductor (spherical conductor or conductive sphere) 6 is movably provided along the groove 5 in the groove 5. Is engaged. Light bulb leads 3a and 3b of the transistor 3 are joined to an end face of the microstrip line 4 including the groove 5.

【0020】図2は本発明による第2の実施例を示す斜
視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a second embodiment according to the present invention.

【0021】図2を参照するに、第2の実施例において
は、前記第1の実施例の構成に加えて、マイクロストリ
ップ基板2上に、マイクロストリップライン4とほぼ直
角方向にマイクロストリップライン7が形成され、その
長手方向にレール状の溝5aが彫設されている。溝5a
には同様に球状導体6が移動自在に係合されている。マ
イクロストリップライン4、7は図示の如くT字状に接
続されている。
Referring to FIG. 2, in the second embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, a microstrip line 7 is formed on the microstrip substrate 2 in a direction substantially perpendicular to the microstrip line 4. Is formed, and a rail-shaped groove 5a is carved in the longitudinal direction. Groove 5a
Similarly, a spherical conductor 6 is movably engaged. The microstrip lines 4 and 7 are connected in a T-shape as shown.

【0022】図2に示された第2の実施例においては、
T字状のマイクロストリップラインは左側(入力側)の
マイクロストリップ基板2上にのみ形成されているが、
右側(出力側)のマイクロストリップライン2上にも同
様に形成し得ることは勿論である。
In the second embodiment shown in FIG.
Although the T-shaped microstrip line is formed only on the left (input side) microstrip substrate 2,
Needless to say, it can be similarly formed on the microstrip line 2 on the right side (output side).

【0023】図3は本発明による第3の実施例を示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a third embodiment according to the present invention.

【0024】図3を参照するに、この第3の実施例にお
いては、前記第2の実施例に示された構成に加えて、マ
イクロストリップライン7の反対側のマイクロストリッ
プ基板2上にマイクロストリップライン7と同様のマイ
クロストリップライン8が形成され、このマイクロスト
リップライン8上にレール状溝5bが彫設されている。
溝5bには同様に球状導体6が移動自在に係合されてい
る。マイクロストリップライン4、7、8は図示の如く
+字状に接続、形成されている。
Referring to FIG. 3, in the third embodiment, in addition to the configuration shown in the second embodiment, a microstrip is provided on the microstrip substrate 2 opposite to the microstrip line 7. A microstrip line 8 similar to the line 7 is formed, and a rail-shaped groove 5b is carved on the microstrip line 8.
Similarly, a spherical conductor 6 is movably engaged with the groove 5b. The microstrip lines 4, 7, 8 are connected and formed in a + -shape as shown.

【0025】図4は本発明による第4の実施例を示す斜
視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a fourth embodiment according to the present invention.

【0026】図4を参照するに、本第4の実施例におい
ては、トランジスタ3の電極リード31に直接長手方向
にレール状溝31aがそれぞれ彫設されており、これら
の溝31aにはそれぞれ球状導体6が移動自在に係合さ
れている。
Referring to FIG. 4, in the fourth embodiment, rail-shaped grooves 31a are engraved directly in the electrode lead 31 of the transistor 3 in the longitudinal direction. The conductor 6 is movably engaged.

【0027】以上説明した第1〜第4の実施例共に、溝
に沿って球状導体6を移動させることによって、インピ
ーダンスを変化させ、それによって入出力インピーダン
スのマッチングをとることができる。その際、トランジ
スタ3の電極リード3a、3b、31方向に設けられた
溝5、31aに沿った球状導体6の移動操作による変位
によって主としてインダクタンス(L)の調整が行わ
れ、溝5a、5bに沿った球状導体6の移動操作による
変位によって主としてキャパシタンス(C)の調整が行
われる。
In each of the first to fourth embodiments described above, the impedance can be changed by moving the spherical conductor 6 along the groove, and thereby the input / output impedance can be matched. At this time, the inductance (L) is adjusted mainly by the displacement caused by the moving operation of the spherical conductor 6 along the grooves 5 and 31a provided in the direction of the electrode leads 3a and 3b of the transistor 3 and the grooves 5a and 5b. The capacitance (C) is adjusted mainly by the displacement caused by the moving operation of the spherical conductor 6 along.

【0028】このように、このマイクロストリップライ
ン4、7、8または電極リード31上に設けられた溝
5、5a、5b、31a内を導体球6が移動することに
より、または球状導体(導体球)6の数を変えることに
より、トランジスタの入出力インピーダンス整合をとる
ことが可能となる。
As described above, the conductor ball 6 moves in the grooves 5, 5a, 5b, 31a provided on the microstrip lines 4, 7, 8 or the electrode lead 31, or the spherical conductor (conductor ball) By changing the number of 6), input / output impedance matching of the transistor can be achieved.

【0029】球状導体6の操作によりインピーダンス整
合調整を終了した後に、非導電性接着剤によって球状導
体6をその静止位置に固定ずる。
After the impedance matching adjustment is completed by operating the spherical conductor 6, the spherical conductor 6 is fixed to its stationary position with a non-conductive adhesive.

【0030】[0030]

【発明の効果】第1の効果は、マイクロストリップ回路
で構成するトランジスタ回路の入出力インピーダンスの
整合が容易に実現できることである。
The first effect is that the matching of the input / output impedance of the transistor circuit constituted by the microstrip circuit can be easily realized.

【0031】その理由は、パターン上に設けたレール状
溝と導体球の構成により、自由度の高い任位のインピー
ダンス変化ができるからである。
The reason is that the configuration of the rail-shaped groove and the conductive sphere provided on the pattern allows a high degree of freedom to change the impedance at a high degree of freedom.

【0032】第2の効果は、本発明による入出力インピ
ーダンス整合調整は短時間で的確に実現され、その調整
に対する時間を大幅に削減することが可能である。
The second effect is that the input / output impedance matching adjustment according to the present invention is accurately realized in a short time, and the time for the adjustment can be greatly reduced.

【0033】その理由は、溝に沿って球状導体を単に移
動するだけだからである。
This is because the spherical conductor is simply moved along the groove.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による第1の実施例を示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment according to the present invention.

【図2】本発明による第2の実施例を示す斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view showing a second embodiment according to the present invention.

【図3】本発明による第3の実施例を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view showing a third embodiment according to the present invention.

【図4】本発明による第4の実施例を示す斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view showing a fourth embodiment according to the present invention.

【図5】従来のトランジスタ整合回路を示す斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view showing a conventional transistor matching circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11…接地導体 2、12…マイクロストリップ基板 3、13…トランジスタ 3a、15、31…トランジスタリード端子 4、7、8、14…マイクロストリップライン 5、5a、5b、31a…溝 6…球状導体(導体球) 1, 11 ground conductor 2, 12 microstrip substrate 3, 13 transistor 3a, 15, 31 transistor lead terminal 4, 7, 8, 14 microstrip line 5, 5a, 5b, 31a groove 6 spherical Conductor (conductor ball)

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01P 3/08 H01P 5/02 H01P 5/08 H01L 23/48 H03F 3/60Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01P 3/08 H01P 5/02 H01P 5/08 H01L 23/48 H03F 3/60

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 マイクロストリップ基板上にトランジス
タの電極リード端子の突出方向に形成された第1のマイ
クロストリップラインと、該第1のマイクロストリップ
ライン上に長手方向に形成された第1の溝と、該第1の
溝に移動自在に係合された第1の球状導体とを有し、前
記第1のマイクロストリップラインの前記第1の溝の部
分にトランジスタのリード端子を接続し、前記球状導体
を任意に移動させることにより前記トランジスタの入出
力インピーダンスを整合させることを特徴とする高周波
トランジスタ整合回路。
1. A first microstrip line formed on a microstrip substrate in a direction in which an electrode lead terminal of a transistor protrudes, and a first groove formed in a longitudinal direction on the first microstrip line. A first spherical conductor movably engaged with the first groove, and connecting a lead terminal of a transistor to the first groove portion of the first microstrip line; A high-frequency transistor matching circuit, wherein the input / output impedance of the transistor is matched by arbitrarily moving a conductor.
【請求項2】 前記第1のマイクロストリップラインと
ほぼ直角方向に前記マイクロストリップ基板上に第2の
マイクロストリップラインを前記第1のマイクロストリ
ップラインに一端を接続して形成し、該第2のマイクロ
ストリップライン上にその長手方向に第2の溝を形成
し、該第2の溝に第2の球状導体を移動自在に係合した
ことを更に特徴とする請求項1に記載の高周波トランジ
スタ整合回路。
2. A second microstrip line is formed on the microstrip substrate in a direction substantially perpendicular to the first microstrip line by connecting one end to the first microstrip line. 2. The high-frequency transistor matching device according to claim 1, further comprising a second groove formed on the microstrip line in a longitudinal direction thereof, and a second spherical conductor movably engaged with the second groove. circuit.
【請求項3】 前記マイクロストリップ基板上の前記第
2のマイクロストリップラインが形成されている領域と
は反対の領域に前記第1のマイクロストリップラインと
直角方向に第3のマイクロストリップラインを形成し、
該第3のマイクロストリップライン上に長手方向に第3
の溝を彫設し、該第3の溝に第3の球状導体を係合させ
たことを更に特徴とする請求項2に記載の高周波トラン
ジスタ整合回路。
3. A third microstrip line is formed in a region on the microstrip substrate opposite to a region where the second microstrip line is formed, in a direction perpendicular to the first microstrip line. ,
The third microstrip line has a third
3. The high frequency transistor matching circuit according to claim 2, further comprising: engraving a groove, and engaging a third spherical conductor with the third groove.
【請求項4】 前記球状導体を変位させてインピーダン
スの調整後に、前記球状導体を非導電性接着剤により前
記溝のその位置に固定することを更に特徴とする請求項
1、2または3のいずれか一項に記載の高周波トランジ
スタ整合回路。
4. The method according to claim 1, further comprising, after adjusting the impedance by displacing the spherical conductor, fixing the spherical conductor at the position of the groove with a non-conductive adhesive. The high-frequency transistor matching circuit according to claim 1.
【請求項5】 トランジスタの入出力電極リード端子の
表面長手方向にレール状溝を形成し、該溝に球状導体を
移動自在に係合させ、前記球状導体を変位調整すること
により前記トランジスタの入出力インピーダンスを整合
させることを特徴とする高周波トランジスタ整合回路。
5. A rail-shaped groove is formed in the longitudinal direction of the surface of the input / output electrode lead terminal of the transistor, a spherical conductor is movably engaged with the groove, and the spherical conductor is displaced and adjusted to adjust the input of the transistor. A high-frequency transistor matching circuit for matching output impedance.
【請求項6】 前記球状導体を変位させてインピーダン
スの調整後に、前記球状導体を非導電性接着剤により前
記溝のその位置に固定することを更に特徴とする請求項
5に記載の高周波トランジスタ整合回路。
6. The high-frequency transistor matching according to claim 5, further comprising, after displacing the spherical conductor and adjusting the impedance, fixing the spherical conductor at the position of the groove with a non-conductive adhesive. circuit.
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