JP2809932B2 - Input buffer circuit - Google Patents

Input buffer circuit

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JP2809932B2
JP2809932B2 JP4138086A JP13808692A JP2809932B2 JP 2809932 B2 JP2809932 B2 JP 2809932B2 JP 4138086 A JP4138086 A JP 4138086A JP 13808692 A JP13808692 A JP 13808692A JP 2809932 B2 JP2809932 B2 JP 2809932B2
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mos transistors
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output
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信之 池田
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、CMOS入力バッフ
ァ回路に関し、特に、入力信号の振幅レベルが小さく、
入力の高レベルが電源電圧より小さく低レベルがCMO
Sインバータのしきい値電圧より大きい入力信号を、C
MOS振幅レベルに等しいレベルにインターフェースで
きるものに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CMOS input buffer circuit and, more particularly, to a CMOS input buffer circuit having a small amplitude level of an input signal.
High level of input is lower than power supply voltage and low level is CMO
An input signal greater than the threshold voltage of the S inverter
It relates to a device capable of interfacing to a level equal to the MOS amplitude level.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来のCMOS入力バッファ回
路である。図において、27はソースが電源Vcc(第1
の電源ノードの電位である5V)に接続されたPMOS
トランジスタ(第1導電型のMOSトランジスタ、以
下、PMOSTrと称す)、28はソースがグランド
(第2の電源ノードの電位である0V)に接続されたN
MOSトランジスタ(第2導電型のMOSトランジス
タ、以下、NMOSTrと称す)であり、PMOSTr
27とNMOSTr28とはそのドレイン同士が接続さ
れている。
FIG. 2 shows a conventional CMOS input buffer circuit. In the figure, reference numeral 27 denotes a power source Vcc (first
Connected to 5V which is the potential of the power supply node of
A transistor (a first conductivity type MOS transistor; hereinafter, referred to as a PMOS Tr) 28 is an N-type transistor whose source is connected to the ground (0 V which is the potential of the second power supply node).
A MOS transistor (a second conductivity type MOS transistor, hereinafter referred to as an NMOS Tr);
The drains of the NMOS transistor 27 and the NMOS transistor 28 are connected to each other.

【0003】また、1は入力信号端子であり、PMOS
Tr27とNMOSTr28のゲートに接続されてい
る。また29は出力信号端子であり、PMOSTr27
とNMOSTr28のドレインに接続されている。
[0003] Reference numeral 1 denotes an input signal terminal, which is a PMOS.
It is connected to the gates of Tr27 and NMOS Tr28. Reference numeral 29 denotes an output signal terminal.
And the drain of the NMOS Tr28.

【0004】次に動作について説明する。この回路は、
入力信号端子1からの入力信号が、PMOSTr27,
NMOSTr28のゲートに入力されると、出力信号端
子29からはその論理レベルを反転した信号を出力す
る。
Next, the operation will be described. This circuit is
When an input signal from the input signal terminal 1 is a PMOS Tr 27,
When input to the gate of the NMOS Tr 28, a signal whose logic level is inverted is output from the output signal terminal 29.

【0005】即ち、入力信号が“H”であれば、PMO
STr27がオフ,NMOSTr28がオンし、出力端
子29からは“L”が出力される。また、入力信号が
“L”であれば、PMOSTr27がオン,NMOST
r28がオフし、出力端子29からは“H”が出力され
る。
That is, if the input signal is "H", the PMO
The STr 27 is turned off, the NMOS Tr 28 is turned on, and “L” is output from the output terminal 29. If the input signal is “L”, the PMOS Tr 27 is turned on and the NMOS
r28 is turned off, and "H" is output from the output terminal 29.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来のCMOS入力バ
ッファ回路は以上のように構成されているので、入力信
号の論理振幅レベル△Vが小さく、入力信号V1 がVDD
>V1 >Vth>0(VDD:電源電圧,Vth:NMOST
rのしきい値電圧)であるとき、例えば、ECL回路を
プラスの電源で駆動したときに得られる、3.3V−
4.1Vの間を論理振幅とする入力信号を入力したと
き、PMOSTr,NMOSTrはともに導通状態とな
り、入力信号が△Vで振幅しても、出力電圧が電源電圧
レベルや接地電圧レベルに応答しにくくなり、さらに貫
通電流が常に流れてしまうという問題点があった。
Since the conventional CMOS input buffer circuit is constructed as described above, the logic amplitude level .DELTA.V of the input signal is small, and the input signal V1 is VDD.
>V1>Vth> 0 (VDD: power supply voltage, Vth: NMOST
When the ECL circuit is driven by a positive power supply, for example, 3.3 V−
When an input signal having a logical amplitude of between 4.1 V is input, both the PMOS Tr and the NMOS Tr are turned on, and the output voltage responds to the power supply voltage level or the ground voltage level even if the input signal swings at ΔV. However, there is a problem that a through current always flows.

【0007】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、△V:VDD>△V>0の振幅
レベルの入力信号で応答し、入力バッファ回路として動
作できる回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. A circuit which can respond as an input signal having an amplitude level of ΔV: VDD>ΔV> 0 and operate as an input buffer circuit is provided. To provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明に係る入力バッ
ファ回路は、2つの入力の差電位で動作する増幅器を3
つ用いて振幅増幅回路を構成し、この3つの増幅器のう
ち、前段は2つの増幅器の対称形で構成し、2つの入力
端子に同相かつ論理レベルが相互に反転した信号を入力
することで、前段の2組の増幅器の出力端子にそのレベ
ルを増幅した信号を得、これをさらにもう一つの差動で
動作する増幅器の2つの入力端子に入力することで、そ
の出力レベルを電源電圧あるいは接地電圧レベルの間を
論理振幅とし、さらにその出力でCMOSインバータの
トランジスタを応答せしめるようにしたものである。
An input buffer circuit according to the present invention comprises three amplifiers operating at a difference potential between two inputs.
Of the three amplifiers, the front stage of the three amplifiers is configured symmetrically with the two amplifiers, and a signal having the same phase and mutually inverted logic levels is input to two input terminals. A signal whose level has been amplified is obtained at the output terminals of the two sets of amplifiers at the preceding stage, and this signal is further input to the two input terminals of another differentially operating amplifier, so that the output level is changed to the power supply voltage or the ground. The logic amplitude is set between the voltage levels, and the output of the logic circuit makes the transistor of the CMOS inverter respond.

【0009】また、この発明に係る入力バッファ回路
は、3つの増幅器と接地ノードの間にそれぞれ第3ない
し第5のNchトランジスタを設けるとともに、第3の
増幅器の出力とCMOSインバータの入力との間に、2
入力NAND回路を設け、この第3ないし第5のトラン
ジスタのゲートに制御信号を与えるとともに、その一方
の入力に上記第3の増幅器の出力が入力される上記2入
力NAND回路の他方に上記制御信号を入力するように
したものである。
In the input buffer circuit according to the present invention, third to fifth Nch transistors are provided between the three amplifiers and the ground node, respectively, and between the output of the third amplifier and the input of the CMOS inverter. And 2
An input NAND circuit is provided, a control signal is supplied to the gates of the third to fifth transistors, and the control signal is supplied to the other input of the two-input NAND circuit to which the output of the third amplifier is input. Is input.

【0010】さらに、この発明に係る入力バッファ回路
は、3つの増幅器と接地ノードの間にそれぞれ第3ない
し第5のPchトランジスタを設けるとともに、第3の
増幅器の出力とCMOSインバータの入力との間に、2
入力NAND回路を設け、この第3ないし第5のトラン
ジスタのゲートに制御信号を与えるとともに、その非反
転入力に上記第3の増幅器の出力が入力される上記2入
力NAND回路の反転入力に上記制御信号を入力するよ
うにしたものである。
Further, in the input buffer circuit according to the present invention, third to fifth Pch transistors are provided between the three amplifiers and the ground node, respectively, and between the output of the third amplifier and the input of the CMOS inverter. And 2
An input NAND circuit is provided, a control signal is applied to the gates of the third to fifth transistors, and the control signal is applied to an inverting input of the two-input NAND circuit whose non-inverting input receives the output of the third amplifier. A signal is input.

【0011】[0011]

【作用】この発明においては、3つの増幅器のうち、前
段には2組の対称形で構成し、2つの入力端子は同相で
反転信号を入力することで、前段の2組の増幅器での出
力端子のレベルを増幅し、さらにもう一つの差動で動作
する増幅器の2つの入力端子に入力することで、出力レ
ベルを電源電圧あるいは接地電圧レベルに振幅させるこ
とで最終段のバッファ回路を応答させる。
According to the present invention, of the three amplifiers, two sets of symmetrical circuits are provided in the front stage, and two input terminals receive in-phase and inverted signals, so that the outputs of the two sets of amplifiers in the front stage are output. By amplifying the level of the terminal and inputting it to the two input terminals of another differentially operating amplifier, the output level is made to swing to the power supply voltage or the ground voltage level so that the final-stage buffer circuit responds. .

【0012】また、この発明においては、3つの増幅器
と接地ノードの間に第3ないし第5のNchトランジス
タを設けるとともに、第3の増幅器の出力とCMOSイ
ンバータの入力との間に、2入力NAND回路を設け、
この第3ないし第5のトランジスタと2入力NAND回
路を共通の制御信号で制御するようにしたので、動作が
不要な時に貫通電流が流れるのを防止できる。
Further, in the present invention, third to fifth Nch transistors are provided between the three amplifiers and the ground node, and a two-input NAND is provided between the output of the third amplifier and the input of the CMOS inverter. Circuit,
Since the third to fifth transistors and the two-input NAND circuit are controlled by a common control signal, it is possible to prevent a through current from flowing when operation is unnecessary.

【0013】さらに、この発明においては、3つの増幅
器と接地ノードの間に第3ないし第5のPchトランジ
スタを設けるとともに、第3の増幅器の出力とCMOS
インバータの入力との間に、2入力NAND回路を設
け、この第3ないし第5のトランジスタと2入力NAN
D回路の反転入力を共通の制御信号で制御するようにし
たので、動作が不要な時に貫通電流が流れるのを防止で
きる。
Further, in the present invention, third to fifth Pch transistors are provided between the three amplifiers and the ground node, and the output of the third amplifier is connected to the CMOS.
A two-input NAND circuit is provided between the input of the inverter and the third to fifth transistors and the two-input NAN.
Since the inverting input of the D circuit is controlled by the common control signal, it is possible to prevent a through current from flowing when operation is unnecessary.

【0014】[0014]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の一実施例による入力バッファ回路
装置を示す。図において、従来例と同一符号及び同一記
号のものは同一または相当部分を示し、その説明を省略
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an input buffer circuit device according to one embodiment of the present invention. In the figures, the same reference numerals and symbols as those in the conventional example indicate the same or corresponding parts, and a description thereof will be omitted.

【0015】2は入力端子1と同一の入力端子である
が、同位相かつ論理レベルが相互に反転した信号が入力
される。3,4および6,5は、それぞれ、入力端子
1,2から入力される入力信号の差動電位を受ける、第
2導電型の第1および第2のMOSトランジスタとして
の一対のNMOSTrであり、そのソースは共通接続さ
れて、後述するトランジスタ21,22を介して接地ノ
ードに接続されている。7,8および9,10はNMO
STr3,4および5,6の負荷となる、第1導電型の
第1および第2のMOSトランジスタとしてのPMOS
Trであり、そのソースは共通接続されて電源ノードに
接続されるとともに、そのドレインはトランジスタ3,
4および5,6のドレインにそれぞれ接続され、かつそ
のゲートは共通接続されて、トランジスタ7,3および
9,5の共通ドレインに接続されている。
Reference numeral 2 denotes the same input terminal as the input terminal 1, but a signal having the same phase and a mutually inverted logic level is inputted. Reference numerals 3, 4 and 6, 5 denote a pair of NMOS Trs as first and second MOS transistors of the second conductivity type, respectively, which receive a differential potential of an input signal input from the input terminals 1 and 2, The sources are commonly connected and connected to a ground node via transistors 21 and 22 described later. 7, 8 and 9, 10 are NMO
PMOS as first and second MOS transistors of the first conductivity type, which load STr3, 4, and 5, 6
Tr, whose source is commonly connected and connected to the power supply node, and whose drain is
The gates of the transistors 7, 3 and 9, 5 are connected to the drains of the transistors 4, 5, and 6, respectively, and the gates thereof are connected to each other.

【0016】そして上述のトランジスタ3,4,7,
8,21により第1の増幅器としての増幅器25aが、
トランジスタ5,6,9,10,22により第2の増幅
器としての増幅器25bがそれぞれ構成されている。
The transistors 3, 4, 7,.
8 and 21, the amplifier 25a as the first amplifier is
The transistors 5, 6, 9, 10, and 22 form an amplifier 25 b as a second amplifier.

【0017】また、11,12は、それぞれ、増幅器2
5a,25bの出力端子16,18から入力される入力
信号の差動電位を受ける、第2導電型の第1および第2
のMOSトランジスタとしての一対のNMOSTrであ
り、そのソースは共通接続されて、後述するトランジス
タ23を介して接地ノードに接続されている。13およ
び14はNMOSTr11および12の負荷となる、第
1導電型の第1および第2のMOSトランジスタとして
のPMOSTrであり、そのソースは共通接続されて電
源ノードに接続されるとともに、そのドレインはトラン
ジスタ11および12のドレインにそれぞれ接続され、
かつそのゲートは共通接続されて、トランジスタ13,
11の共通ドレインに接続されている。
Also, 11 and 12 are amplifiers 2 respectively.
1st and 2nd of the second conductivity type receiving differential potentials of input signals input from output terminals 16 and 18 of 5a and 25b.
Are connected in common and connected to a ground node via a transistor 23 described later. Reference numerals 13 and 14 denote PMOS Trs as first conductivity type first and second MOS transistors serving as loads on the NMOS Trs 11 and 12, the sources of which are connected in common and connected to a power supply node, and the drains of which are transistors. Connected to the drains of 11 and 12, respectively;
And the gates thereof are connected in common, and the transistors 13,
11 common drains.

【0018】そして上述のトランジスタ11,12,1
3,14,23により第3の増幅器としての増幅器25
cが構成されている。
The above-described transistors 11, 12, 1
The amplifier 25 as a third amplifier is provided by 3, 14, and 23.
c is configured.

【0019】そして、以上の第1の増幅器25a,第2
の増幅器25bおよび第3の増幅器25cにより、3.
3V−4.1Vを論理振幅とし、同位相かつ相互に論理
レベルが反転した一対の入力信号の振幅を増幅し、CM
OSレベルの信号に変換する振幅増幅回路25が構成さ
れている。
The first amplifier 25a and the second amplifier 25a
Of the amplifier 25b and the third amplifier 25c.
3V-4.1V is set as a logic amplitude, and the amplitudes of a pair of input signals having the same phase and mutually inverted logic levels are amplified, and the CM is amplified.
An amplitude amplifying circuit 25 for converting the signal into an OS level signal is configured.

【0020】これは、上述のように、第1の増幅器25
aと第2の増幅器25bが上記一対の入力信号を対称形
で受け、この第1,第2の増幅器25a,25bの増幅
出力を上記第3の増幅器25cで差動増幅してその振幅
をCMOSレベルに拡大し、その出力を後述するバッフ
ァ回路30に出力するものである。
This is, as described above, the first amplifier 25
a and a second amplifier 25b receive the pair of input signals in a symmetrical manner, differentially amplify the amplified outputs of the first and second amplifiers 25a and 25b by the third amplifier 25c, and amplify the amplitude of the amplified signals by CMOS. The output is output to a buffer circuit 30 described later.

【0021】また、30はPMOSTr27とNMOS
Tr28とから構成されたバッファ回路(CMOSイン
バータ)である。
Reference numeral 30 denotes a PMOS Tr27 and an NMOS Tr27.
And a buffer circuit (CMOS inverter) composed of a transistor Tr28.

【0022】26はこのバッファ回路30と増幅器25
cの間に設けられた2入力NAND回路であり、その一
方の入力が増幅器25cの出力端子20に、その他方の
入力がトランジスタ21,22,23のゲートとともに
制御信号端子24に接続されている。
Reference numeral 26 denotes the buffer circuit 30 and the amplifier 25
c, a two-input NAND circuit having one input connected to the output terminal 20 of the amplifier 25c and the other input connected to the control signal terminal 24 together with the gates of the transistors 21, 22, and 23. .

【0023】PMOSTr7,9,13はそれぞれゲー
トとドレインが接続されているので、PMOSTr7,
8,9,10,13,14はそれぞれ定電流源として動
作する。また、NMOSTr3,4,5,6,11,1
2のソースに接続されたNMOSTr21,22,23
は制御信号端子24に高レベル(第2の電源電位)の制
御信号が供給されたとき、増幅器として動作状態とな
る。
Since the gates and the drains of the PMOS Trs 7, 9, and 13 are respectively connected, the PMOS Trs 7, 9, and 13 are connected to each other.
8, 9, 10, 13, and 14 each operate as a constant current source. In addition, NMOS Trs 3, 4, 5, 6, 11, 1
NMOS Trs 21, 22, 23 connected to the source of
When a high-level (second power supply potential) control signal is supplied to the control signal terminal 24, the amplifier operates as an amplifier.

【0024】次に動作について説明する。上記のように
構成された増幅器25a,25bのNMOSTr4,6
のドレインからの出力端子16、18は、NMOSTr
11,12,23およびPMOSTr13,14によ
り、上記増幅器25a,25bと同様に構成された増幅
器25cのNMOSTr11,12に接続されている。
即ち、本実施例装置は3組の増幅器25a〜25cで構
成されている。
Next, the operation will be described. The NMOS Trs 4, 6 of the amplifiers 25a, 25b configured as described above.
Output terminals 16 and 18 from the drain of the NMOS
11, 12, and 23 and the PMOS Trs 13 and 14 are connected to the NMOS Trs 11 and 12 of the amplifier 25c configured similarly to the amplifiers 25a and 25b.
That is, the apparatus of the present embodiment includes three sets of amplifiers 25a to 25c.

【0025】そしてこの最終段の増幅器25cのNMO
STr12からの出力端子20と、制御信号端子24と
を入力した2入力NANDゲート26に接続され、その
出力がCMOSバッファ回路30に伝達される。
The NMO of the final stage amplifier 25c
The output terminal 20 from the STr 12 and the control signal terminal 24 are connected to a two-input NAND gate 26, and the output is transmitted to the CMOS buffer circuit 30.

【0026】ここで、入力端子1の電位V1 および入力
端子2の電位V2 がVDD>V1 >V2 >Vth>0で与え
られるものとする。但し、VDDは電源電圧,VthはNM
OSTrのしきい値電圧である。
Here, it is assumed that the potential V1 of the input terminal 1 and the potential V2 of the input terminal 2 are given by VDD>V1>V2>Vth> 0. Where VDD is the power supply voltage and Vth is NM
This is the threshold voltage of OSTr.

【0027】すると、増幅器25bのNMOSTr6は
その導通度が増し、増幅器25aのNMOSTr4はそ
の導通度が下がるので、ほぼ同じに増幅器25aの出力
端子16は高レベル,増幅器25bの出力端子18は低
レベルにそれぞれ変化する。この2つの出力端子16,
18からの出力信号は最終段の増幅器25cのNMOS
Tr11,12に入力伝達され、NMOSTr11はそ
の導通度が増し、12はその導通度が下がり、これによ
り出力端子20は高レベルとなり、2入力NAND回路
26に伝達される。
Then, since the conductivity of the NMOS Tr6 of the amplifier 25b increases and the conductivity of the NMOS Tr4 of the amplifier 25a decreases, the output terminal 16 of the amplifier 25a is at a high level and the output terminal 18 of the amplifier 25b is at a low level. Each change. These two output terminals 16,
The output signal from 18 is the NMOS of the final stage amplifier 25c.
The input is transmitted to Trs 11 and 12, the conductivity of NMOS Tr11 increases, and the conductivity of NMOS Tr11 decreases, whereby output terminal 20 becomes high level and is transmitted to two-input NAND circuit 26.

【0028】このとき、増幅器が動作状態であるので2
入力NAND回路26は低レベルとなり、CMOSバッ
ファ回路のPMOSTr27は導通状態,NMOSTr
28は非導通状態となり、出力端子29にはほぼ電源電
圧レベルの電圧が出力信号として現れる。
At this time, since the amplifier is operating, 2
The input NAND circuit 26 goes low, the PMOS Tr 27 of the CMOS buffer circuit becomes conductive, and the NMOS Tr 27
28 is in a non-conductive state, and a voltage substantially at the power supply voltage level appears at the output terminal 29 as an output signal.

【0029】一方、入力端子1,2の電圧の関係が、つ
まりVDD>V2 >V1 >Vth>0のときは、上記と逆に
出力端子29にほぼ接地のレベルの電圧が出力信号とし
て現れる。
On the other hand, when the relationship between the voltages at the input terminals 1 and 2 is VDD>V2>V1>Vth> 0, a voltage substantially at the ground level appears at the output terminal 29 as an output signal.

【0030】また、この入力バッファ回路の出力信号が
不必要な場合、制御信号端子24に接地レベルの電圧を
入力することで、上記の増幅器は非動作状態となり、2
入力NANDの出力は電源電圧に固定され、出力端子2
9は接地レベルに固定される。このため貫通電流が流れ
ることを防ぐことができる。
When the output signal of the input buffer circuit is unnecessary, a voltage of the ground level is input to the control signal terminal 24, so that the amplifier becomes inactive and the input signal is turned off.
The output of the input NAND is fixed to the power supply voltage, and the output terminal 2
9 is fixed to the ground level. Therefore, it is possible to prevent a through current from flowing.

【0031】このように、上記実施例によれば、2つの
増幅器とその後段の1つの増幅器とで構成された、増幅
器の前段の2つの増幅器の2つの入力端子に、論理振幅
レベル△Vが、VDD>V1 ,V2 >Vth>0のとき△V
=|V1 −V2 |(△Vは振幅レベル)である振幅の小
さい入力信号が、位相が同じで、かつ相互に反転した一
対の入力信号として入力されると、その出力端子は、そ
れぞれ高レベル、低レベルに電圧が変化し、さらに後段
の増幅器はさらに高レベル、あるいは低レベルに電圧が
増幅されるのでバッファ回路の出力端子が電源電圧レベ
ル、接地レベルを出力できる効果がある。
As described above, according to the above-described embodiment, the logical amplitude level ΔV is applied to the two input terminals of the two amplifiers preceding the amplifier, which are constituted by the two amplifiers and the one subsequent amplifier. , V DD> V 1, V 2>Vth> 0 when ΔV
= | V1-V2 | (△ V is the amplitude level), when the input signals having a small amplitude are inputted as a pair of input signals having the same phase and mutually inverted, the output terminals thereof become high level, respectively. Then, the voltage changes to a low level, and the amplifier at the subsequent stage further amplifies the voltage to a higher or lower level, so that the output terminal of the buffer circuit can output the power supply voltage level and the ground level.

【0032】また、上記実施例によれば、各増幅器を構
成する1対のNMOSTrと接地端子との間にNMOS
Trを設けるとともに、最終段の増幅器の出力とCMO
Sバッファ回路との間に、2入力NAND回路を設け、
回路の動作が必要な時はこれらを制御信号で駆動するよ
うにしたので、制御信号を“L”レベルにすることで出
力端子の電圧を接地レベルに固定でき、貫通電流が流れ
るのを防ぐことができ、回路の低消費電力化を図ること
ができるという効果がある。
Further, according to the above embodiment, the NMOS transistor is connected between the pair of NMOS Trs constituting each amplifier and the ground terminal.
Tr and the output of the last stage amplifier and CMO
A two-input NAND circuit is provided between the S-buffer circuit and
When the operation of the circuit is necessary, these are driven by the control signal. By setting the control signal to "L" level, the voltage of the output terminal can be fixed to the ground level and the flow of through current can be prevented. Therefore, there is an effect that the power consumption of the circuit can be reduced.

【0033】図3は本発明の他の実施例による入力バッ
ファ回路を示す。この実施例は、図1の実施例のNMO
Sトランジスタ21,22,23の代わりにPMOSト
ランジスタ31,32,33を設け、かつともに非反転
信号を入力する2入力NANDインバータ26の代わり
に増幅器25cの出力を非反転入力で受け、PMOSト
ランジスタ31,32,33のゲートに入力させる制御
信号を反転入力で受ける2入力NANDインバータ36
を設けたものである。
FIG. 3 shows an input buffer circuit according to another embodiment of the present invention. This embodiment is similar to the NMO of the embodiment of FIG.
PMOS transistors 31, 32, and 33 are provided in place of the S transistors 21, 22, and 23, and the output of the amplifier 25c is received by a non-inverting input instead of the two-input NAND inverter 26 that inputs a non-inverting signal. , 32, 33 receiving a control signal to be input to the gates of inverted, inverting input.
Is provided.

【0034】この実施例によれば、各増幅器を構成する
1対のNMOSTrと接地端子との間にPMOSTrを
設けるとともに、最終段の増幅器の出力とCMOSバッ
ファ回路との間に、2入力NAND回路を設け、回路の
動作が必要な時はこれらを制御信号で駆動するようにし
たので、制御信号を“H”レベルにすることで出力端子
の電圧を接地レベルに固定でき、貫通電流が流れるのを
防ぐことができ、回路の低消費電力化を図ることができ
るという効果がある。
According to this embodiment, a PMOS Tr is provided between a pair of NMOS Trs constituting each amplifier and a ground terminal, and a two-input NAND circuit is provided between the output of the final stage amplifier and the CMOS buffer circuit. When the operation of the circuit is required, these are driven by the control signal. Therefore, by setting the control signal to “H” level, the voltage of the output terminal can be fixed to the ground level, and the through current flows. And the power consumption of the circuit can be reduced.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る入力
バッファ回路によれば、第2導電型の第1,第2のMO
Sトランジスタのソース同士を共通接続して第2の電源
ノードに接続し、第1導電型の第1,第2のMOSトラ
ンジスタのソース同士を共通接続して第1の電源ノード
に接続するとともに、そのドレインを第2導電型の第
1,第2のMOSトランジスタのドレインと相互に共通
接続し、かつそのゲート同士を共通接続して第1および
第2導電型の第1のMOSトランジスタの共通ドレイン
に接続し、第2導電型の第1,第2のMOSトランジス
タのゲートを第1,第2の入力とし、かつ第1および第
2導電型の第2のMOSトランジスタの共通ドレインを
出力とする増幅器を3つ用意し、第1の増幅器の第1,
第2の入力および第2の増幅器の第2,第1の入力に同
位相かつ相互に論理レベルが反転した信号を入力し、第
1,第2の増幅器の増幅出力を第3の増幅器の第1,第
2の入力に入力して第1,第2の入力の論理振幅をCM
OSレベルに拡大する振幅増幅回路を構成し、かつ第3
の増幅器の出力をCMOSインバータに入力するように
したので、第1,第2の増幅器に入力された論理振幅が
小さい信号を順次増幅でき、第1,第2の電源電位の間
を論理振幅とする信号をCMOSインバータより出力で
きる。
As described above, according to the input buffer circuit of the present invention, the first and second MOs of the second conductivity type are provided.
The sources of the S transistors are commonly connected to each other and connected to a second power supply node, and the sources of the first conductivity type first and second MOS transistors are commonly connected to each other and connected to the first power supply node. The drain is commonly connected to the drains of the first and second MOS transistors of the second conductivity type, and their gates are commonly connected to form a common drain of the first MOS transistor of the first and second conductivity types. , The gates of the first and second MOS transistors of the second conductivity type are used as first and second inputs, and the common drain of the second MOS transistor of the first and second conductivity types is used as an output. Prepare three amplifiers, the first one of the first amplifier
A signal having the same phase and a mutually inverted logic level is input to the second input and the second and first inputs of the second amplifier, and the amplified outputs of the first and second amplifiers are connected to the third amplifier of the third amplifier. 1, input to the second input and set the logical amplitude of the first and second inputs to CM
An amplitude amplification circuit that expands to the OS level;
Is input to the CMOS inverter, so that signals having small logical amplitudes input to the first and second amplifiers can be sequentially amplified, and the logical amplitude between the first and second power supply potentials is equal to the logical amplitude. Can be output from the CMOS inverter.

【0036】また、本発明に係る入力バッファ回路によ
れば、第1ないし第3の増幅器を構成する第2導電型の
第1,第2のMOSトランジスタと第2の電源ノードと
の間に第2導電型の第3ないし第5のNMOSトランジ
スタを設けるとともに、第3の増幅器の出力とCMOS
インバータとのあいだに2入力NAND回路を設け、こ
の第3ないし第5のMOSトランジスタと2入力NAN
D回路を制御信号により非動作時にオフするようにした
ので、制御信号を“L”レベルにすることで出力端子の
電圧を第2電源電位レベルに固定でき、貫通電流を防ぐ
ことができ、回路の低消費電力化を図ることができる。
Further, according to the input buffer circuit of the present invention, the first and second MOS transistors of the second conductivity type forming the first to third amplifiers are connected between the second power supply node and the second power supply node. Two-conductivity third to fifth NMOS transistors are provided, and the output of the third amplifier and the CMOS
A two-input NAND circuit is provided between the inverter and the third to fifth MOS transistors and the two-input NAN.
Since the D circuit is turned off when it is not operated by the control signal, the voltage of the output terminal can be fixed at the second power supply potential level by setting the control signal to the “L” level, and a through current can be prevented. Power consumption can be reduced.

【0037】さらに、本発明に係る入力バッファ回路に
よれば、第1ないし第3の増幅器を構成する第2導電型
の第1,第2のMOSトランジスタと第2の電源ノード
との間に第2導電型の第3ないし第5のPMOSトラン
ジスタを設けるとともに、第3の増幅器の出力とCMO
Sインバータとのあいだに2入力NAND回路を設け、
この第3ないし第5のMOSトランジスタと2入力NA
ND回路を制御信号により非動作時にオフするようにし
たので、制御信号を“L”レベルにすることで出力端子
の電圧を第2電源電位レベルに固定でき、貫通電流を防
ぐことができ、回路の低消費電力化を図ることができ
る。
Further, according to the input buffer circuit of the present invention, the first and second MOS transistors of the second conductivity type forming the first to third amplifiers are connected between the second power supply node and the second power supply node. A third to fifth PMOS transistors of two conductivity type are provided, and the output of the third amplifier and the CMO
A two-input NAND circuit is provided between the S inverter and
The third to fifth MOS transistors and the two-input NA
Since the ND circuit is turned off during non-operation by the control signal, the voltage of the output terminal can be fixed at the second power supply potential level by setting the control signal to the "L" level, and a through current can be prevented. Power consumption can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例による入力バッファ回路を
示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an input buffer circuit according to one embodiment of the present invention.

【図2】従来の入力バッファ回路を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional input buffer circuit.

【図3】この発明の他の実施例による入力バッファ回路
を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an input buffer circuit according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 入力端子 29 出力端子 3,4,5,6,11,12,21,22,23 NM
OSトランジスタ 7,8,9,10,13,14,31,32,33 P
MOSトランジスタ 25 振幅増幅回路 25a,25b,25c 増幅器 26,36 2入力NANDインバータ 30 バッファ回路
1, 2, input terminal 29 output terminal 3, 4, 5, 6, 11, 12, 21, 22, 23 NM
OS transistor 7, 8, 9, 10, 13, 14, 31, 32, 33 P
MOS transistor 25 Amplitude amplifier circuit 25a, 25b, 25c Amplifier 26, 36 2-input NAND inverter 30 Buffer circuit

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 そのソース同士が共通接続されて第1の
電源ノードに接続された第1導電型の第1および第2の
MOSトランジスタ、 そのソース同士が共通接続されて第2の電源ノードに接
続された第2導電型の第1および第2のMOSトランジ
スタを備え、 上記第1導電型の第1および第2のMOSトランジスタ
のゲート同士が共通接続されるとともに該第1導電型の
第1のMOSトランジスタのドレインに接続され、 上記第1導電型の第1および第2のMOSトランジスタ
と第2導電型の第1および第2のMOSトランジスタの
ドレイン同士がそれぞれ共通接続され、 上記第2導電型の第1および第2のMOSトランジスタ
のゲートには第1および第2の入力ノードがそれぞれ接
続され、 かつ、上記第1導電型および第2導電型の第2のMOS
トランジスタの相互に共通接続されたドレインには出力
ノードが接続されてなる第1ないし第3の増幅器からな
り、 上記第1の増幅器の第1,第2の入力ノードには、振幅
レベルが小さくその第1のレベルが第1の電源ノードの
電位より小さくその第2のレベルがCMOSインバータ
のしきい値よりも大きい、互いに同位相かつ相互に信号
レベルが反転した第1,第2の入力信号がそれぞれ入力
され、 上記第2の増幅器の第1,第2の入力ノードには、上記
第2,第1の入力信号がそれぞれ入力され、 上記第3の増幅器の第1,第2の入力ノードには上記第
1,第2の増幅器の出力ノードがそれぞれ接続されてな
り、 上記第1,第2の入力信号の論理振幅をCMOSレベル
に拡大する振幅増幅回路と、 該振幅増幅回路の出力を反転した、上記第1および第2
の電源ノードの電位の間を論理振幅とする信号を出力す
るCMOSインバータとを備えたことを特徴とする入力
バッファ回路。
A first conductive type first and second MOS transistor having their sources connected to each other and connected to a first power supply node; and their sources connected to each other and connected to a second power supply node. First and second MOS transistors of the second conductivity type connected to each other, wherein the gates of the first and second MOS transistors of the first conductivity type are connected together and the first and second MOS transistors of the first conductivity type are connected to each other. And the drains of the first and second MOS transistors of the first conductivity type and the first and second MOS transistors of the second conductivity type are connected in common, respectively. First and second input nodes are connected to the gates of the first and second MOS transistors, respectively, of the first and second MOS transistors; MOS
The transistor includes first to third amplifiers each having an output node connected to a drain commonly connected to the transistors. The first and second input nodes of the first amplifier have low amplitude levels and have low amplitude levels. The first and second input signals whose first level is lower than the potential of the first power supply node and whose second level is higher than the threshold value of the CMOS inverter and whose signal levels are in phase with each other and inverted mutually are shown. The second and first input signals are respectively input to the first and second input nodes of the second amplifier, and the first and second input nodes of the third amplifier are respectively input to the first and second input nodes of the third amplifier. Is connected to output nodes of the first and second amplifiers, respectively, and an amplitude amplifier circuit for expanding the logical amplitude of the first and second input signals to a CMOS level; and inverting an output of the amplitude amplifier circuit. did, Serial first and second
And a CMOS inverter that outputs a signal having a logical amplitude between the potentials of the power supply nodes.
【請求項2】 上記第1ないし第3の増幅器を構成す
る、上記第2導電型の第1および第2のMOSトランジ
スタの相互に共通接続されたソースと第2の電源電位と
の間に、第2導電型の第3ないし第5のMOSトランジ
スタを設けるとともに、 上記第3の増幅器の出力ノードと上記CMOSインバー
タの入力ノードとの間に2入力NANDゲート回路を設
け、 かつ上記第3ないし第5のMOSトランジスタのゲート
を制御信号に接続し、 上記2入力NAND回路の一方の入力は上記第3の増幅
器の出力信号が接続されるとともに、他方の入力は、上
記制御信号が接続され、 上記制御信号によって、動作が不必要なときに貫通電流
を制御することを特徴とする請求項1記載の入力バッフ
ァ回路。
2. A power supply according to claim 1, wherein said first and second MOS transistors of said second conductivity type are connected to a common source and a second power supply potential. Third to fifth MOS transistors of the second conductivity type are provided; a two-input NAND gate circuit is provided between an output node of the third amplifier and an input node of the CMOS inverter; The gate of the MOS transistor No. 5 is connected to a control signal. One input of the two-input NAND circuit is connected to the output signal of the third amplifier, and the other input is connected to the control signal. 2. The input buffer circuit according to claim 1, wherein a through current is controlled by a control signal when operation is unnecessary.
【請求項3】 上記第1ないし第3の増幅器を構成す
る、上記第2導電型の第1および第2のMOSトランジ
スタの相互に共通接続されたソースと第2の電源電位と
の間に、第1導電型の第3ないし第5のMOSトランジ
スタを設けるとともに、 上記第3の増幅器の出力ノードと上記CMOSインバー
タの入力ノードとの間に一方が非反転入力,他方が反転
入力である2入力NANDゲート回路を設け、 かつ上記第3ないし第5のMOSトランジスタのゲート
を制御信号に接続し、 上記2入力NAND回路の非反転入力は上記第3の増幅
器の出力信号が接続されるとともに、反転入力は、上記
制御信号が接続され、 上記制御信号によって、動作が不必要なときに貫通電流
を制御することを特徴とする請求項1記載の入力バッフ
ァ回路。
3. A method according to claim 1, wherein said first and second MOS transistors of said second conductivity type, which constitute said first to third amplifiers, are connected between a commonly connected source and a second power supply potential. Third to fifth MOS transistors of the first conductivity type are provided, and between the output node of the third amplifier and the input node of the CMOS inverter, two inputs, one of which is a non-inverting input and the other is an inverting input. A NAND gate circuit is provided, and the gates of the third to fifth MOS transistors are connected to a control signal. The non-inverting input of the two-input NAND circuit is connected to the output signal of the third amplifier and inverted. 2. The input buffer circuit according to claim 1, wherein the input is connected to the control signal, and the control signal controls the through current when the operation is unnecessary.
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