JP2803057B2 - Sealing resin composition and semiconductor sealing device - Google Patents

Sealing resin composition and semiconductor sealing device

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誠幸 河内山
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、耐湿性、密着性に優れた、半導体集積回路
などの封止用樹脂組成物およびその封止装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a sealing resin composition for semiconductor integrated circuits and the like having excellent moisture resistance and adhesion, and a sealing device therefor.

(従来の技術) 近年、半導体集積回路の分野においては、高集積化、
高信頼性化の技術開発が進められている。また、電子部
品、電子機器の組立て工程においては、生産性を向上さ
せるために半導体製品をプリント配線基板に実装する工
程の自動化が推進されている。例えば、半導体製品をプ
リント配線基板に実装する方法として、従来はリードピ
ン毎に半田付けを行っていたが、最近は予めリードピン
にクリーム状半田を塗布した後、プリント配線基板全体
を約200〜260℃に加熱して半田付けをするリフロー方式
の半田付け方法が主流になっている。
(Prior Art) In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits, high integration,
High reliability technology is being developed. In the assembly process of electronic components and electronic devices, automation of a process of mounting a semiconductor product on a printed wiring board has been promoted in order to improve productivity. For example, as a method of mounting a semiconductor product on a printed wiring board, soldering was conventionally performed for each lead pin, but recently, after applying creamy solder to the lead pins in advance, the entire printed wiring board is heated to about 200 to 260 ° C. The mainstream is a reflow soldering method in which the solder is heated by soldering.

(発明が解決しようとする課題) しかし、従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノー
ル樹脂及びシリカ粉末からなる樹脂組成物で封止した半
導体装置は、リフロー方式等によって半田付けを行うと
耐湿性が劣化するという欠点があった。特に吸湿した半
導体装置に同様の半田付けを行うと、高温における水蒸
気圧によって封止用樹脂と半導体チップ、あるいは封止
用樹脂とリードフレームとの界面に剥離を生じ、電極の
腐食による断線や水分によるリーク電流を生じ、長時間
の信頼性を保証することができないという欠点がある。
一方、これらの欠点を改良するために半導体チップの表
面にポリイミド膜を形成させ、封止用樹脂と半導体チッ
プとの密着性劣化を防止しようとする方法があるが、従
来の樹脂組成物で封止した半導体製品は半田付けを行う
と耐湿性が劣化するという欠点があった。このため、吸
湿の影響が少なく、半導体装置を半田付けしても耐湿性
劣化の少ない封止用樹脂の開発およびその半導体封止装
置が強く要望されていた。
(Problems to be Solved by the Invention) However, a conventional semiconductor device sealed with a resin composition composed of an epoxy resin, a novolak-type phenol resin, and silica powder deteriorates in moisture resistance when soldered by a reflow method or the like. There was a disadvantage. In particular, when the same soldering is performed on a semiconductor device that has absorbed moisture, peeling occurs at the interface between the sealing resin and the semiconductor chip or between the sealing resin and the lead frame due to the steam pressure at a high temperature. This causes a drawback that a long-term reliability cannot be guaranteed.
On the other hand, in order to improve these disadvantages, there is a method in which a polyimide film is formed on the surface of the semiconductor chip to prevent the adhesiveness between the sealing resin and the semiconductor chip from deteriorating. The stopped semiconductor product has a drawback that when soldered, the moisture resistance deteriorates. For this reason, there has been a strong demand for the development of a sealing resin that is less affected by moisture absorption and has less deterioration in moisture resistance even when a semiconductor device is soldered, and a semiconductor sealing device therefor.

本発明は、上記の欠点を解消し、要望に答えるために
なされたもので、吸湿による影響が少なく、特に半田付
け後の耐湿性および密着性に優れた封止用樹脂組成物お
よびその半導体封止装置を提供することを目的としてい
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and to meet the demand, and has a small influence of moisture absorption, and particularly, a sealing resin composition having excellent moisture resistance and adhesion after soldering, and a semiconductor sealing material therefor. It is intended to provide a stop device.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段と作用) 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を
重ねた結果、特定のカップリング剤および硬化促進剤
と、特定量のシリカ粉末を配合することによって耐湿性
および密着性が改善されることを見いだし、本発明を完
成したものである。すなわち、本発明は、 (A)エポキシ樹脂 (B)ノボラック型フェノール樹脂 (C)次の構造式で示されるカップリング剤 (但し、式中Rはメチル基又はエチル基を表す) (D)硬化促進剤として1,8−ジアザ−ビシクロ−(5,
4,0)ウンデセン−7又はその誘導体 (E)シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(E)のシリ
カ粉末を65〜90重量%含有してなる封止用樹脂組成物で
ある。また、その封止用樹脂組成物の硬化物によって、
半導体装置が封止されている半導体封止装置である。
[Constitution of the Invention] (Means and Actions for Solving the Problems) The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that a specific coupling agent and a curing accelerator and a specific amount It has been found that the moisture resistance and the adhesion are improved by adding the silica powder of the present invention, and the present invention has been completed. That is, the present invention provides (A) an epoxy resin, (B) a novolak-type phenol resin, and (C) a coupling agent represented by the following structural formula. (Wherein, R represents a methyl group or an ethyl group) (D) 1,8-diaza-bicyclo- (5,
4,0) Undecene-7 or a derivative thereof (E) silica powder An essential component, a resin composition for sealing comprising 65 to 90% by weight of the silica powder of (E) with respect to the resin composition. is there. Further, depending on the cured product of the sealing resin composition,
This is a semiconductor sealing device in which the semiconductor device is sealed.

以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明に使用する(A)エポキシ樹脂は、その分子中
にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である限
り、分子構造、分子量などに特に制限はなく、一般に使
用されているものを広く包含することができる。例えば
ビスフェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体の
脂環族系、さらに次の一般式で示されるエポキシノボラ
ック系等の樹脂が挙げられる。
The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure, molecular weight, etc., as long as it is a compound having at least two epoxy groups in its molecule, and widely includes commonly used resins. Can be. For example, resins such as bisphenol-type aromatic resins, cyclohexane derivative alicyclic compounds, and epoxy novolak resins represented by the following general formulas are exemplified.

(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基
を、R2は水素原子またはアルキル基を、nは1以上の整
数を表それぞれ表す)。これらのエポキシ樹脂は単独ま
たは2種以上混合して用いることができる。
(In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n represents an integer of 1 or more.) These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

本発明に用いる(B)ノボラック型フェノール樹脂と
しては、フェノール、アルキルフェノールなどのフェノ
ール類と、ホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデ
ヒドとを反応して得られるノボラック型フェノール樹
脂、及びこれ等の変性樹脂、例えばエポキシ化もしくは
ブチル化ノボラックフェノール樹脂、シリコーン変性フ
ェノール樹脂等があげられ、ノボラック型フェノール樹
脂である限り特に制限はなく広く使用することができ
る。そして、これらのノボラック型フェノール樹脂は、
単独または2種以上混合して用いることができる。
As the novolak type phenol resin (B) used in the present invention, a novolak type phenol resin obtained by reacting a phenol such as phenol or alkylphenol with formaldehyde or paraformaldehyde, and a modified resin thereof, for example, epoxidized or Examples thereof include a butylated novolak phenolic resin and a silicone-modified phenolic resin. As long as the novolak-type phenolic resin is used, it can be widely used without any particular limitation. And these novolak type phenolic resins are
They can be used alone or in combination of two or more.

本発明に用いる(C)カップリング剤としては、次式
で示されるものである。
The coupling agent (C) used in the present invention is represented by the following formula.

(但し、式中Rはメチル基又はエチル基を表す)具体的
なものとして一般に市販されている例えばA−1160(日
本ユニカー社製、商品名)等が挙げられ、単独又は2種
以上混合して使用することができる。
(Wherein, R represents a methyl group or an ethyl group) Specific examples thereof include, for example, A-1160 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) and the like, alone or in combination of two or more. Can be used.

本発明に用いる(D)硬化促進剤として1,8−ジアザ
−ビシクロ−(5,4,0)ウンデセン−7およびその誘導
体としては、次式で示されるもののほかに そのフェノール塩、オクチル酸塩、トルエンスルホン酸
塩、オクソフタル酸塩、フェノールノボラック樹脂の部
分塩等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して
使用することができる。
As the (D) curing accelerator used in the present invention, 1,8-diaza-bicyclo- (5,4,0) undecene-7 and derivatives thereof include, in addition to those represented by the following formula, Examples thereof include phenol salts, octylates, toluenesulfonates, oxophthalates, and partial salts of phenol novolak resins, and these can be used alone or as a mixture of two or more.

本発明において上記特定のカップリング剤および硬化
促進剤を用いることによって封止樹脂組成物と半導体チ
ップとの密着性や、封止用樹脂とリードフレームとの密
着性が向上し、またリフロー方式等によって半田付けし
ても密着性の劣化が非常に少なく、その結果、耐湿性が
ほとんど低下しないという効果がある。特に、ポリイミ
ド膜が被覆された半導体チップにおいて、その耐湿性改
善効果が著しいが、通常のリンケイ酸ガラスや窒化膜を
パッシベーションとした半導体チップにおいても同様の
改善効果がある。
In the present invention, the use of the specific coupling agent and the curing accelerator improves the adhesiveness between the sealing resin composition and the semiconductor chip, and the adhesiveness between the sealing resin and the lead frame. Therefore, even when soldering, there is an effect that adhesion deterioration is very small, and as a result, moisture resistance hardly decreases. In particular, the effect of improving the moisture resistance of a semiconductor chip coated with a polyimide film is remarkable, but the same effect can be obtained of a semiconductor chip having passivated ordinary phosphosilicate glass or nitride film.

本発明に用いる(E)シリカ粉末としては、一般に市
販されているものが使用されているが、それらの中でも
不純物含量が低く、平均粒径の30μm以下のものが好ま
しい。平均粒径が30μmを超えると耐湿性および成形性
が悪く好ましくない。シリカ粉末の形状は、通常の破砕
状であっても球状であってもいずれでもその効果に変わ
りはなく、特に制限はない。シリカ粉末の配合割合は、
樹脂組成物に対して65〜90重量%含有することが望まし
い。その割合が65重量%未満では、吸湿量が多くなり、
半田付け後の耐湿性に劣り好ましくない。また、90重量
%を超えると極端に流動性が悪く、成形性に劣り好まし
くない。したがって、上記範囲内に限定される。
As the (E) silica powder used in the present invention, commercially available silica powder is generally used. Among them, those having a low impurity content and an average particle diameter of 30 μm or less are preferable. If the average particle size exceeds 30 μm, the moisture resistance and moldability are poor, which is not preferable. Regardless of the shape of the silica powder, whether it is a normal crushed shape or a spherical shape, the effect does not change, and there is no particular limitation. The mixing ratio of the silica powder is
It is desirable to contain 65 to 90% by weight based on the resin composition. If the proportion is less than 65% by weight, the amount of moisture absorption increases,
It is not preferable because of poor moisture resistance after soldering. On the other hand, if it exceeds 90% by weight, the fluidity is extremely poor and the moldability is poor, which is not preferred. Therefore, it is limited within the above range.

本発明の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)
ノボラック型フェノール樹脂、(C)カップリング剤、
(D)硬化促進剤、(E)シリカ粉末を必須成分とする
が、本発明の目的に反しない限度においてまた必要に応
じて、例えばワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸
の金属塩、酸アミド、エステル類、パラフィンなどの離
型剤、三酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラッ
クなどの着色剤等を適宜添加・配合することができる。
The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B)
Novolak type phenolic resin, (C) coupling agent,
Although (D) a curing accelerator and (E) silica powder are essential components, for example, waxes, synthetic waxes, metal salts of straight-chain fatty acids, acid Release agents such as amides, esters, and paraffin, flame retardants such as antimony trioxide, and colorants such as carbon black can be appropriately added and blended.

本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として調製する
場合の一般的方法としては、エポキシ樹脂、ノボラック
型フェノール樹脂、カップリング剤、硬化促進剤、シリ
カ粉末、その他を配合し、ミキサーなどによって十分均
一に混合した後、更に熱ロールによる溶融混合処理また
はニーダー等による混合処理を行い、次いで冷却固化さ
せ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができ
る。
As a general method for preparing the encapsulating resin composition of the present invention as a molding material, an epoxy resin, a novolak type phenol resin, a coupling agent, a curing accelerator, a silica powder, and the like are blended, and a mixer or the like is used. After mixing sufficiently uniformly, a melt-mixing treatment using a hot roll or a mixing treatment using a kneader or the like is performed, and then the mixture is solidified by cooling and pulverized to an appropriate size to obtain a molding material.

そして、成形材料を半導体装置をはじめとする電子部
品の封止用として、被覆、絶縁などに適用し、優れた特
性と信頼性を付与することができる。
Then, the molding material is applied to coating, insulation, and the like for sealing electronic components such as semiconductor devices, so that excellent characteristics and reliability can be imparted.

本発明の半導体封止装置は、上記の封止用樹脂組成物
を用いて半導体装置を封止することにより容易に製造す
ることができる。封止の最も一般的な方法としては、低
圧トランスファー成形法があるが、インジェクション成
形、圧縮成形、注型等による封止も可能である。封止用
樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化させ、最終的には
この組成物の硬化剤によって封止された半導体封止装置
が得られる。硬化は150℃以上加熱することが望まし
い。封止を行う半導体装置とは例えば、集積回路、大型
集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で
あって、特に限定されるものではない。
The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor device using the above resin composition for encapsulation. The most common sealing method is a low pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The sealing resin composition is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with the curing agent of this composition is obtained. The curing is desirably heated to 150 ° C. or higher. The semiconductor device for sealing is, for example, an integrated circuit, a large-sized integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, or the like, and is not particularly limited.

(実施例) 以下本発明の実施例を比較例とともに説明するが、本
発明は以下の実施例に限定されない。
(Examples) Hereinafter, examples of the present invention will be described together with comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

実施例 第1表に示した組成によってエポキシ樹脂、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、カップリング剤、硬化促進剤、シ
リカ粉末、離型剤等を常温で混合し、更に90〜95℃で混
練し冷却した後、粉砕して成形材料を得た。
Example After mixing epoxy resin, novolak type phenol resin, coupling agent, curing accelerator, silica powder, mold release agent, etc. at room temperature according to the composition shown in Table 1, kneading at 90-95 ° C. and cooling And pulverized to obtain a molding material.

比較例 1〜2 第1表に示したようにカップリング剤および硬化促進
剤を変更した組成で、実施例と同様な方法で成形材料を
製造した。
Comparative Examples 1-2 Molding materials were produced in the same manner as in the examples, with the compositions in which the coupling agent and the curing accelerator were changed as shown in Table 1.

実施例および比較例1〜2で製造した成形材料を用い
て、半導体装置を封止し170℃で加熱硬化させて半導体
封止装置を製造した。この成形材料および半導体封止装
置について諸試験を行ったのでその結果を第1表に示し
たが、本発明は、耐湿性、密着性に優れており本発明の
効果が認められた。
Using the molding materials produced in Examples and Comparative Examples 1 and 2, a semiconductor device was sealed and heated and cured at 170 ° C. to produce a semiconductor sealing device. Various tests were conducted on this molding material and the semiconductor sealing device. The results are shown in Table 1. The present invention was excellent in moisture resistance and adhesion, and the effects of the present invention were recognized.

実施例および比較例について行った試験方法について
説明する。
Test methods performed on the examples and comparative examples will be described.

吸水率は、トランスファー成形によって直径50mm、厚
さ3mmの成形品を作製し、これを127℃,2.5atmの飽和水
蒸気中に24時間放置し、増加した重量によって求めた。
ガラス転移温度は、吸水率と同じ成形品を作り、これを
175℃で8時間の後硬化をさせて、5×5×17mmの棒状
のテストピースとし、熱機械分析装置を用いて測定し
た。密着性は成形材料を用いてトランスファー成形して
半導体装置を製造し、260℃の半田浴に10秒間浸漬後、
プッシュプルゲージを用いて半導体装置封止用樹脂との
剪断剥離強度を測定して求めた。耐湿性は、成形材料を
用いて、2本のアルミニウム配線を有するシリコン製チ
ップ(テスト用チップ)を42アロイフレームに接着し、
175℃で2分間トランスファー成形して5×10×1.5mmの
SOP(Small Outline Package)型の封止装置を得た。そ
の封止装置20個について予め40℃,90%RH,100時間の吸
湿処理をした後、260℃の半田浴に10秒間浸漬した。そ
の後、127℃,2.5atmの飽和水蒸気中でプレッシャークッ
カーテスト(PCT)を行い、アルミニウムの腐食による
断線を生じたものを不良として評価した。
The water absorption was determined by transfer molding to prepare a molded product having a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm, leaving it in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm for 24 hours, and increasing the weight.
The glass transition temperature is the same as that of water absorption.
After post-curing at 175 ° C. for 8 hours, a rod-shaped test piece of 5 × 5 × 17 mm was measured using a thermomechanical analyzer. Adhesion was performed by transfer molding using a molding material to manufacture a semiconductor device, and after immersion in a 260 ° C solder bath for 10 seconds,
Using a push-pull gauge, the shear peel strength with the resin for semiconductor device sealing was measured and determined. Moisture resistance is measured by bonding a silicon chip (test chip) with two aluminum wires to a 42 alloy frame using a molding material.
Transfer molding at 175 ° C for 2 minutes, 5 × 10 × 1.5mm
An SOP (Small Outline Package) type sealing device was obtained. The 20 sealing devices were preliminarily subjected to moisture absorption treatment at 40 ° C., 90% RH and 100 hours, and then immersed in a 260 ° C. solder bath for 10 seconds. Thereafter, a pressure cooker test (PCT) was performed in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm, and a wire that was broken due to aluminum corrosion was evaluated as defective.

[発明の効果] 以上の説明および第1表から明らかなように、本発明
の封止用樹脂組成物およびその半導体封止装置は、吸湿
による影響が少なく、半田浴に浸漬した後においても耐
湿性、密着性に優れており、電極の腐食による断線や水
分によるリーク電流の発生がなく、信頼性の高いもので
ある。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description and Table 1, the sealing resin composition of the present invention and the semiconductor encapsulating device thereof are less affected by moisture absorption and have moisture resistance even after immersion in a solder bath. It is excellent in performance and adhesion, and does not cause disconnection due to electrode corrosion or leakage current due to moisture, and is highly reliable.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08K 3:36 5:54) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C08L 63/00 - 63/10 C08G 59/62 C08G 59/56 H01L 23/29──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 identification code FI C08K 3:36 5:54) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) C08L 63/00-63/10 C08G 59/62 C08G 59/56 H01L 23/29

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(A)エポキシ樹脂 (B)ノボラック型フェノール樹脂 (C)次の構造式で示されるカップリング剤 (但し、式中Rはメチル基又はエチル基を表す) (D)硬化促進剤として1,8−ジアザ−ビシクロ−(5,
4,0)ウンデセン−7又はその誘導体 (E)シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(E)のシリ
カ粉末を65〜90重量%含有してなることを特徴とする封
止用樹脂組成物。
(A) an epoxy resin (B) a novolak-type phenol resin (C) a coupling agent represented by the following structural formula (Wherein, R represents a methyl group or an ethyl group) (D) 1,8-diaza-bicyclo- (5,
4,0) Undecene-7 or a derivative thereof (E) Silica powder An essential component, wherein the silica powder of (E) is contained in an amount of 65 to 90% by weight based on the resin composition. Resin composition.
【請求項2】(A)エポキシ樹脂 (B)ノボラック型フェノール樹脂 (C)次の構造式で示されるカップリング剤 (但し、式中Rはメチル基又はエチル基を表す) (D)硬化促進剤として1,8−ジアザ−ビシクロ−(5,
4,0)ウンデセン−7又はその誘導体 (E)シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(E)のシリ
カ粉末を65〜90重量%含有してなる封止用樹脂組成物の
硬化物によって、半導体装置が封止されていることを特
徴とする半導体封止装置。
(A) an epoxy resin (B) a novolak-type phenol resin (C) a coupling agent represented by the following structural formula (Wherein, R represents a methyl group or an ethyl group) (D) 1,8-diaza-bicyclo- (5,
4,0) Undecene-7 or a derivative thereof (E) Silica powder An essential component, and a resin composition for sealing comprising 65 to 90% by weight of the silica powder of (E) with respect to the resin composition. A semiconductor sealing device, wherein a semiconductor device is sealed with a cured product.
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