JP2790264B2 - Optical pickup - Google Patents

Optical pickup

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JP2790264B2
JP2790264B2 JP4031744A JP3174492A JP2790264B2 JP 2790264 B2 JP2790264 B2 JP 2790264B2 JP 4031744 A JP4031744 A JP 4031744A JP 3174492 A JP3174492 A JP 3174492A JP 2790264 B2 JP2790264 B2 JP 2790264B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光によって情報を記録
または再生する光学情報記録装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording apparatus for recording or reproducing information by light.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光磁気ディスク装置は、ハードデ
ィスク装置やフロッピーディスク装置に代わる高密度・
大容量の情報記憶装置として期待されている。光磁気デ
ィスク装置の光ピックアップを小型化、軽量化すること
は、装置全体を小型にするだけでなく、アクセス時間を
短縮し性能を向上させる。
2. Description of the Related Art In recent years, magneto-optical disk devices have been replaced by hard disk devices and floppy disk devices.
It is expected as a large-capacity information storage device. Reducing the size and weight of the optical pickup of the magneto-optical disk device not only reduces the size of the entire device, but also shortens the access time and improves the performance.

【0003】従来の光磁気ディスクの光ピックアップに
ついて説明する。図7は従来の光ピックアップの説明図
である。25は光源である半導体レーザである。26はコリ
メータレンズ、27はプリズムアナモルフィックで、半導
体レーザからの楕円光束を平行円光束に変換する。28は
PBSプリズムで、プローブ光と信号光を分離する。29
ははね上げミラー、30は対物レンズでディスクに光束を
集光する。31はディスクである。32は半波長板で信号光
の偏向方向を90度回転させる。33はレンズである。34
はホログラム素子、35は検光子である。36は6分割光検
出器、37は2分割光検出器で信号光を電気信号に変換す
る。
A conventional optical pickup for a magneto-optical disk will be described. FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional optical pickup. Reference numeral 25 denotes a semiconductor laser as a light source. 26 is a collimator lens, 27 is a prism anamorphic, which converts an elliptical light beam from a semiconductor laser into a parallel circular light beam. 28 is a PBS prism, which separates the probe light and the signal light. 29
A flip-up mirror, and an objective lens 30 focuses the light beam on the disk. 31 is a disk. Numeral 32 denotes a half-wave plate for rotating the signal light deflection direction by 90 degrees. 33 is a lens. 34
Is a hologram element, and 35 is an analyzer. 36 is a 6-split photodetector and 37 is a 2-split photodetector, which converts signal light into an electric signal.

【0004】以上のように構成された光ピックアップに
おいて、その動作を説明する。半導体レーザ25からの光
束は、コリメータレンズ26、プリズムアナモルフィック
27を通して平行円光束に変換され、PBSプリズム28、
はね上げミラー29を経由して、対物レンズ30によりでデ
ィスク31に集光される。集光された光束は記録信号をピ
ックアップし、信号光として反射される。このとき記録
信号は磁化方向の違いにより記録されているので、信号
光はカー効果の作用でその信号により偏向面の回転方向
が異なる。
The operation of the optical pickup configured as described above will be described. The light beam from the semiconductor laser 25 is collimated by a collimator lens 26 and prism anamorphic.
27, the light is converted into a parallel circular light beam.
The light is focused on the disk 31 by the objective lens 30 via the flip-up mirror 29. The collected light flux picks up a recording signal and is reflected as signal light. At this time, since the recording signal is recorded due to the difference in the magnetization direction, the rotation direction of the deflecting surface of the signal light varies depending on the signal due to the Kerr effect.

【0005】信号光は対物レンズ30、はね上げミラー29
を経由して、PBSプリズム28で主光軸外に分離された
後、信号光の偏向がホログラム素子に対してTM波にな
るように半波長板32で偏向方向が90度回転され、レン
ズで集光されながらホログラム素子34にブラッグ角で入
射する。ホログラム素子34で回折された1次回折光は、
6分割光検出器36に結像され焦点誤差およびトラッキン
グ誤差のそれぞれの誤差検出信号として用いられる。ホ
ログラム素子34は4つのホログラムからなり、焦点誤差
信号の測定は、焦点位置でのデフォーカスに伴う結像パ
ターンの変化を4分割センサで検出するダブルナイフエ
ッジ法を用いて行ない、またトラッキング誤差信号の測
定は、2つのホログラムに入射する光強度の変化を2分
割センサで検出するプッシュプル法を用いて行なう。さ
らに0次回折光は検光子35を経て2分割光検出器37に入
射され信号読み取りに用いられる。
The signal light is supplied to the objective lens 30 and the flip-up mirror 29.
After being separated off the main optical axis by the PBS prism 28, the deflection direction of the signal light is rotated 90 degrees by the half-wave plate 32 so that the deflection of the signal light becomes a TM wave with respect to the hologram element. The light is incident on the hologram element 34 at a Bragg angle while being collected. The first-order diffracted light diffracted by the hologram element 34 is
An image is formed on the six-segment photodetector 36 and used as error detection signals for focus error and tracking error. The hologram element 34 is composed of four holograms. The measurement of the focus error signal is performed by using a double knife edge method in which a change in an imaging pattern due to defocusing at the focal position is detected by a four-division sensor. Is measured using a push-pull method in which a change in light intensity incident on two holograms is detected by a two-divided sensor. Further, the zero-order diffracted light passes through an analyzer 35 and is incident on a two-divided photodetector 37 to be used for signal reading.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、バルク部品を組み合わせた構成であるの
で、ピックアップの小型化、軽量化に限界があるととも
に各部品の位置調整が困難であるという問題点を有して
いた。本発明は上記従来の問題点を解決するもので、小
型で軽量かつ各光学部品を一体構成した光ピックアップ
を提供することを目的とする。
However, in the above-mentioned conventional configuration, since the bulk components are combined, there is a limit in miniaturization and weight reduction of the pickup, and it is difficult to adjust the position of each component. Had a point. An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an optical pickup which is small in size and light in weight and in which optical components are integrally formed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本願発明の第1発明は、レーザ光を射出するレー
ザ発生装置と、前記レーザ発生装置から導かれてきた入
射光束を前記入射光束と同一光軸方向に反射する第一の
反射面と、前記第一の反射面と相対して設けられ、前記
第一の反射面からの光束を前記光束と同一光軸方向に反
射する第二の反射面と、前記第二の反射面からの光束を
ディスク上に集光する集光光学素子とを具備し、前記第
一の反射面の外周部により囲まれた領域が前記集光光学
素子の外周部により囲まれた領域に含まれている光ピッ
クアップとした。
To achieve the above object, according to the Invention The first invention of the present invention, a laser generator for emitting a laser beam, the incident incident light beam that has been guided from the laser generator A first reflecting surface that reflects in the same optical axis direction as the light beam; and a first reflecting surface that is provided to face the first reflecting surface, and reflects the light beam from the first reflecting surface in the same optical axis direction as the light beam.
A second reflecting surface for morphism, the light beam from said second reflecting surface and a converging optical element for condensing on the disk, the first
The area surrounded by the outer periphery of the one reflecting surface is the condensing optics.
An optical pickup included in a region surrounded by the outer peripheral portion of the element was used.

【0008】第2発明は、第一の反射面と集光光学素子
とが同一面上に形成されている光ピックアップとした。
第3発明は、第一の反射面が、LiNbO 3 基板にプロ
トン交換法により製作されるグレーティングである光ピ
ックアップとした。 第4発明は、第一の反射面が集光光
学素子のほぼ中央に形成されている光ピックアップとし
た。 第5発明は、集光光学素子がグレーティングレンズ
である光ピックアップとした。 第6発明は、レーザ発生
装置、第一の反射面、第二の反射面および集光光学素子
が一体構成である光ピックアップとした。
According to a second aspect of the present invention, a first reflecting surface and a condensing optical element are provided.
Is an optical pickup formed on the same surface.
In the third invention, the first reflecting surface is formed on a LiNbO 3 substrate by a professional method.
Optical grating which is a grating manufactured by the ton exchange method
Backup. In a fourth aspect, the first reflecting surface is a condensed light.
Optical pickup formed almost in the center of the element
Was. According to a fifth aspect of the present invention, the light collecting optical element is a grating lens.
Optical pickup. The sixth invention is a laser generation
Apparatus, first reflective surface, second reflective surface and light collection optics
Is an integrated optical pickup.

【0009】[0009]

【作用】光ピックアップの光学部品を一体構成すること
によって半導体レーザからの射出光束を光学系の内部で
1往復させることができる。
By integrally forming the optical components of the optical pickup, the light beam emitted from the semiconductor laser can reciprocate once inside the optical system.

【0010】[0010]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下本発明の第一の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施例とし
ての光ピックアップの構成を示す説明図である。図1に
おいて、1は光源である半導体レーザ、2はガラスの素
子である。3は第一の反射面で、LiNbO3基板にプロトン
交換法により製作されるグレーティングである。4はレ
ーザ光束をディスクに集光するグレーティングレンズ
で、前記第一の反射面3と同一面上に形成されている。
5は反射ミラー膜よりなる第二の反射面で、半導体レー
ザ1からの光束および光検出器への入射光が通過するた
めに2つの開口を設けている。6は多分割光検出器であ
る。
(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of an optical pickup as one embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser as a light source, and 2 denotes a glass element. Reference numeral 3 denotes a first reflecting surface, which is a grating manufactured on a LiNbO 3 substrate by a proton exchange method. Reference numeral 4 denotes a grating lens for condensing a laser beam on a disk, and is formed on the same plane as the first reflection surface 3.
Reference numeral 5 denotes a second reflecting surface made of a reflecting mirror film, which has two openings for passing a light beam from the semiconductor laser 1 and light incident on the photodetector. Reference numeral 6 denotes a multi-segment photodetector.

【0011】本実施例における光ピックアップにおいて
は、半導体レーザ1および多分割光検出器6がガラス素
子2と樹脂7とで接着固定されており、前記の全部品が
一体構成された光ピックアップである。次に、図2を用
いてプロトン交換法により製作されるグレーティング3
について説明する。このグレーティング3はLiNbO3基板
9上に周期的にプロトン交換を施した格子10と、この格
子10の上に誘電体膜11とからなる構造で、偏向分離機能
を有している。この構造において、結晶光学軸方向と直
交する偏向光(常光)に対してプロトン交換領域とプロ
トン交換領域外で位相差が生じないように誘電体膜11の
厚さを調整すると、常光12は0次回折光13として反射
し、また入射光の結晶光学軸方向の偏向光(異常光)14
は1次回折光15として回折反射する。
In the optical pickup according to the present embodiment, the semiconductor laser 1 and the multi-segmented photodetector 6 are adhered and fixed by the glass element 2 and the resin 7, and the above-mentioned components are integrally formed. . Next, the grating 3 manufactured by the proton exchange method using FIG.
Will be described. The grating 3 has a structure in which a lattice 10 in which proton exchange is periodically performed on a LiNbO 3 substrate 9 and a dielectric film 11 on the lattice 10, and has a deflection separation function. In this structure, when the thickness of the dielectric film 11 is adjusted so that a phase difference does not occur between the proton exchange region and the outside of the proton exchange region with respect to the polarized light (ordinary light) orthogonal to the crystal optical axis direction, the ordinary light 12 becomes 0 Reflected as the next diffracted light 13 and deflected light (extraordinary light) 14 in the direction of the crystal optical axis of the incident light
Are diffracted and reflected as first-order diffracted light 15.

【0012】図3において、本実施例のプロトン交換法
で製作されるグレーティングは、半導体レーザからの射
出光束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交する
プロトン交換領域16と、射出光束の偏向面に対して45
度傾いた少なくとも2つの領域17とからなり、またグレ
ーティング直径の1/3を直径とする中央部18は光束が
反射しないように遮光している。
In FIG. 3, a grating manufactured by the proton exchange method of the present embodiment has a proton exchange region 16 whose crystal optical axis direction is orthogonal to the deflection plane of the emitted light beam from the semiconductor laser, and a grating of the emitted light beam. 45 to deflection plane
A central portion 18 having at least two regions 17 inclined at an angle and having a diameter equal to 1/3 of the grating diameter is shielded so as not to reflect a light beam.

【0013】以上のように構成された光ピックアップに
ついて、図1を用いてその動作を説明する。半導体レー
ザ1からの光束は、まずプロトン交換法で製作されるグ
レーティング3で回折反射される。この光束のうち情報
の再生に利用されるのは、半導体レーザ1からの射出光
束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交するプロ
トン交換領域における0次回折光であるので、この0次
回折光の偏向方向は半導体レーザからの射出光束の方向
と同じであり、また鏡面反射によるものと考えてよい。
ここで回折反射された光束は第二の反射面5で再び反射
され、グレーティングレンズ4に入射し、グレーティン
グレンズ4の集光作用によりディスク8に集光される。
この時、ディスク8に集光される光束の偏向方向は半導
体レーザ1からの射出光束の偏向方向と等しい。またグ
レーティングレンズ4への入射光束の中心部分が遮光さ
れるので、超解像現象により集光される光スポットは小
さくなる。
The operation of the optical pickup configured as described above will be described with reference to FIG. A light beam from the semiconductor laser 1 is first diffracted and reflected by a grating 3 manufactured by a proton exchange method. The zero-order diffracted light in the proton exchange region in which the crystal optical axis direction is orthogonal to the deflection surface of the emitted light beam from the semiconductor laser 1 is used for reproducing information of the light beam. Is the same as the direction of the light beam emitted from the semiconductor laser, and may be considered to be due to specular reflection.
The light beam diffracted and reflected here is reflected again by the second reflection surface 5, enters the grating lens 4, and is condensed on the disk 8 by the condensing action of the grating lens 4.
At this time, the direction of deflection of the light beam focused on the disk 8 is equal to the direction of deflection of the light beam emitted from the semiconductor laser 1. Further, since the central portion of the light beam incident on the grating lens 4 is shielded, the light spot condensed by the super-resolution phenomenon becomes smaller.

【0014】次に、ディスクに集光された光束は、記録
信号をピックアップして反射される。この反射光は、図
4に示すようにカー効果により入射光の偏向方向19から
回転した信号光20となるが、記録信号は磁化方向の違い
により記録されているので、その信号により入射光の偏
向方向を基準として回転方向が逆になる。信号光はグレ
ーティングレンズ4、第二の反射面5を経由した後、プ
ロトン交換法で製作されるグレーティング3に入射し、
回折反射される。回折光のうちで、半導体レーザ1から
の射出光束の偏向面に対してグレーティング3の結晶光
学軸が45度傾いたプロトン領域で回折反射される1次
回折光が、多分割光検出器6に結像され、カー信号読み
取りと焦点誤差、トラッキング誤差のそれぞれの誤差検
出信号として用いられる。この1次回折光21はグレーテ
ィング3の結晶光学軸が半導体レーザ1からの射出光束
の偏向に対して45度傾いた方向の検光子機能を有する
ので、信号光20の検光子方向の成分光となる。このよう
に1次回折光強度がカー信号の偏向方向で変化すること
で、カー信号の検出を行なう。
Next, the light beam condensed on the disk is picked up by a recording signal and reflected. The reflected light becomes a signal light 20 rotated from the deflection direction 19 of the incident light due to the Kerr effect as shown in FIG. 4, but the recording signal is recorded due to the difference in the magnetization direction. The rotation direction is reversed based on the deflection direction. After passing through the grating lens 4 and the second reflecting surface 5, the signal light enters the grating 3 manufactured by the proton exchange method,
Diffracted and reflected. Of the diffracted light, first-order diffracted light that is diffracted and reflected in a proton region in which the crystal optical axis of the grating 3 is inclined by 45 degrees with respect to the deflection surface of the light beam emitted from the semiconductor laser 1 is coupled to the multi-segmented photodetector 6. The image is read and used as an error detection signal for each of the Kerr signal reading, the focus error, and the tracking error. Since the first-order diffracted light 21 has an analyzer function in a direction in which the crystal optic axis of the grating 3 is inclined at 45 degrees with respect to the deflection of the emitted light beam from the semiconductor laser 1, it becomes a component light of the signal light 20 in the analyzer direction. . As described above, the Kerr signal is detected by changing the intensity of the first-order diffracted light in the deflection direction of the Kerr signal.

【0015】次に、図5において多分割光検出器の拡大
図を示し、焦点誤差、トラッキング誤差のそれぞれの誤
差検出方法を説明する。多分割光検出器6は、4つのセ
ンサより形成されている、この4つのセンサを便宜的に
S1、S2、S3、S4とし、その出力をそれぞれV
1、V2、V3、V4とする。グレーティング3の結晶
光学軸が45度傾いた2つのプロトン領域で回折反射さ
れる1次回折光は、それぞれS1とS3、S2とS4の
境界線上に結像する。これより焦点誤差信号について
は、1次回折光の焦点位置でのデフォーカスにともなう
結像パターンの変化を検出するナイフエッジ法を用いて
測定する。すなわち、S1とS4の和とS2とS3の和
の差動信号、(V1+V4)−(V2+V3)を検出す
ることによる。またトラッキング誤差信号については、
2つのプロトン交換領域に入射する光強度の変化をその
1次回折光の強度として検出するプッシュプル法を用い
て測定する。すなわち、S1とS3の和とS2とS4の
和の差動信号、(V1+V3)−(V2+V4)を検出
することによる。
Next, FIG. 5 is an enlarged view of the multi-segmented photodetector, and the respective error detection methods of the focus error and the tracking error will be described. The multi-segment photodetector 6 is formed of four sensors. These four sensors are referred to as S1, S2, S3, and S4 for convenience, and the outputs thereof are V
1, V2, V3, and V4. The first-order diffracted light that is diffracted and reflected in two proton regions in which the crystal optical axis of the grating 3 is inclined by 45 degrees forms an image on the boundary between S1 and S3 and between S2 and S4, respectively. From this, the focus error signal is measured by using the knife edge method for detecting a change in the imaging pattern due to the defocus at the focal position of the first-order diffracted light. That is, the differential signal of the sum of S1 and S4 and the sum of S2 and S3, (V1 + V4)-(V2 + V3) is detected. For the tracking error signal,
The change in the light intensity incident on the two proton exchange regions is measured using a push-pull method that detects the change as the intensity of the first-order diffracted light. That is, the differential signal of the sum of S1 and S3 and the sum of S2 and S4, (V1 + V3)-(V2 + V4) is detected.

【0016】(実施例2)次に、本発明の第2の実施例
について、図面を参照しながら説明する。本実施例の光
ピックアップの構成は、図1に示す前記実施例と同様で
ある。本第2の実施例におけるプロトン交換法により製
作されるグレーティングについて図6を用いて説明す
る。このグレーティングは、半導体レーザからの射出光
束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交する少な
くとも2つのプロトン交換領域22と、射出光束の偏向面
に対して45度傾いた領域23との組み合わせからなる。
また、グレーティングの中央部24は光束が反射しないよ
うに遮光している。このとき、焦点誤差およびトラッキ
ング誤差の測定は、結晶光学軸が半導体レーザからの射
出光束の偏向に対して直交する領域からの1次回折光を
用い、前記と同様の方法で検出される。またカー信号の
検出は、グレーティングの結晶光学軸が半導体レーザか
らの射出光束の偏向に対して45度傾いた領域からの1
次回折光により、前記と同様の方法で行なう。
(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The configuration of the optical pickup of this embodiment is the same as that of the embodiment shown in FIG. A grating manufactured by the proton exchange method in the second embodiment will be described with reference to FIG. This grating is a combination of at least two proton exchange regions 22 whose crystal optic axis directions are orthogonal to the deflection surface of the emitted light beam from the semiconductor laser, and a region 23 inclined at 45 degrees to the deflection surface of the emitted light beam. Consists of
Further, the central portion 24 of the grating is shielded so that the light beam is not reflected. At this time, the measurement of the focus error and the tracking error is performed in the same manner as described above, using the first-order diffracted light from the region where the crystal optic axis is orthogonal to the deflection of the emitted light beam from the semiconductor laser. The Kerr signal is detected from a region where the crystal optic axis of the grating is inclined by 45 degrees with respect to the deflection of the light beam emitted from the semiconductor laser.
This is performed in the same manner as described above by using next-order diffracted light.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように本発明は、2つの反射面を
もつとともに、その第一の反射面をLiNbO3基板にプロト
ン交換法により製作されるグレーティング、集光光学素
子をグレーティングレンズとし、同一面上に形成するこ
とにより、レーザ光束が光学系で1往復することに加え
て、全部品が一体構成となり、小型、軽量、コンパクト
な光ピックアップを実現できるものである。
As described above, the present invention has two reflecting surfaces, the first reflecting surface of which is a grating manufactured on a LiNbO 3 substrate by a proton exchange method, and the condensing optical element is a grating lens. By forming the laser beam on the same surface, the laser beam reciprocates once in the optical system, and all the components are integrated, so that a small, light, and compact optical pickup can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例としての光ピックアップの説
明図
FIG. 1 is an explanatory diagram of an optical pickup as one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例におけるプロトン交換法によ
るグレーティングの構成図
FIG. 2 is a configuration diagram of a grating by a proton exchange method in one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第一の実施例におけるプロトン交換法
によるグレーティングの平面図
FIG. 3 is a plan view of a grating by a proton exchange method in the first embodiment of the present invention.

【図4】信号検出方法を説明する図FIG. 4 illustrates a signal detection method.

【図5】本発明の一実施例における光検出器の拡大図FIG. 5 is an enlarged view of a photodetector in one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第二の実施例におけるプロトン交換法
によるグレーティングの平面図
FIG. 6 is a plan view of a grating formed by a proton exchange method according to a second embodiment of the present invention.

【図7】従来の光ピックアップの説明図FIG. 7 is an explanatory view of a conventional optical pickup.

【符号の説明】 1 半導体レーザ 2 ガラス素子 3 グレーティング 4 グレーティングレンズ 5 反射ミラー膜 6 多分割光検出器 7 樹脂[Description of Signs] 1 semiconductor laser 2 glass element 3 grating 4 grating lens 5 reflection mirror film 6 multi-segment photodetector 7 resin

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 レーザ光を射出するレーザ発生装置と、
前記レーザ発生装置から導かれてきた入射光束を前記入
射光束と同一光軸方向に反射する第一の反射面と、前記
第一の反射面と相対して設けられ、前記第一の反射面か
らの光束を前記光束と同一光軸方向に反射する第二の反
射面と、前記第二の反射面からの光束をディスク上に集
光する集光光学素子とを具備し、前記第一の反射面の外
周部により囲まれた領域が前記集光光学素子の外周部に
より囲まれた領域に含まれていることを特徴とする光ピ
ックアップ。
A laser generator for emitting a laser beam;
The entering an incident light beam that has been guided from the laser generator
A first reflecting surface that reflects in the same optical axis direction as the emitted light beam, and is provided opposite to the first reflecting surface, and reflects a light beam from the first reflecting surface in the same optical axis direction as the light beam. A second reflecting surface, and a condensing optical element for condensing a light beam from the second reflecting surface on a disc , outside the first reflecting surface.
The area surrounded by the peripheral part is the outer peripheral part of the condensing optical element.
An optical pickup characterized by being included in a more enclosed area .
【請求項2】 第一の反射面と集光光学素子とが同一面
上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の光
ピックアップ。
2. The optical pickup according to claim 1, wherein the first reflection surface and the condensing optical element are formed on the same surface.
【請求項3】 第一の反射面が、LiNbO基板にプ
ロトン交換法により製作されるグレーティングであるこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の光ピックアップ。
3. The optical pickup according to claim 1, wherein the first reflection surface is a grating manufactured on a LiNbO 3 substrate by a proton exchange method.
【請求項4】 第一の反射面が集光光学素子のほぼ中央
に形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいず
れか1記載の光ピックアップ。
4. The optical pickup according to claim 1, wherein the first reflection surface is formed substantially at the center of the condensing optical element.
【請求項5】 集光光学素子がグレーティングレンズで
あることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1記載の
光ピックアップ。
5. The optical pickup according to claim 1, wherein the light collecting optical element is a grating lens.
【請求項6】 レーザ発生装置、第一の反射面、第二の
反射面および集光光学素子が一体構成であることを特徴
とする請求項1〜5のいずれか1記載の光ピックアッ
プ。
6. The optical pickup according to claim 1, wherein the laser generator, the first reflecting surface, the second reflecting surface, and the condensing optical element are integrally formed.
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