JP2785038B2 - Manufacturing method of superconductor film - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ビスマス系超伝導体膜の臨界温度と臨界電流密度とを
向上することを可能にする超伝導体膜の製造方法の改良
に関し、 Cu−Ｏ平面の数が1/2単位胞内に３枚含まれており、
そのため、臨界温度が110KであるBi2Sr2Ca2Cu3Ｏzを多
く含有する超伝導体の薄膜を製造する方法を提供するこ
とを目的とし、 上記の目的は、基板上に、ビスマスと鉛とを1:0.5〜
1.5のモル比に含有するビスマスと鉛とストロンチウム
とカルシウムと銅との酸化物の膜を形成し、これを焼成
する超伝導体膜の製造方法、更に具体的には、基板上
に、ビスマスと鉛とストロンチウムとカルシウムと銅と
を、1:s:t:u:v 但し、 0.5＜ｓ＜1.5、 ０＜ｔ＜1.5、 ０＜ｕ＜1.5、及び、 １＜ｖ＜2.0、 のモル比に含有する酸化物の膜を形成し、これを焼成す
る超伝導体膜の製造方法をもって達成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to an improvement in a method for manufacturing a superconductor film that enables the critical temperature and critical current density of a bismuth-based superconductor film to be improved. 3 units are included in 1/2 unit cell,
Therefore, the purpose of the present invention is to provide a method for producing a superconductor thin film containing a large amount of Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z having a critical temperature of 110 K. 1: 0.5 to lead
Forming a film of an oxide of bismuth, lead, strontium, calcium, and copper containing a molar ratio of 1.5, a method of manufacturing a superconductor film by firing this, more specifically, on a substrate, bismuth and 1: s: t: u: v, where 0.5 <s <1.5, 0 <t <1.5, 0 <u <1.5, and 1 <v <2.0, the molar ratio of lead, strontium, calcium, and copper This is achieved by a method for producing a superconductor film, in which a film of an oxide contained in is formed and baked.
本発明は、ビスマス系超伝導体膜の製造方法の改良に
関する。特に、臨界温度と臨界電流密度とを向上する改
良に関する。The present invention relates to an improvement in a method for manufacturing a bismuth-based superconductor film. In particular, the present invention relates to an improvement for improving a critical temperature and a critical current density.
すぐれた超伝導材料として、ビスマス系超伝導材料が
知られている。As an excellent superconducting material, a bismuth-based superconducting material is known.
かゝるビスマス系超伝導材料の膜は、一般式 Bi2Sr2Can-1CunＯx をもって表わすことができる。Such a bismuth-based superconducting material film can be represented by the general formula Bi 2 Sr 2 C a n-1 C n O x .
そして、上記の一般式において、ｎが１である物、す
なわち、 Bi2Sr2CuOx は臨界温度が10Kである。In the above general formula, a substance in which n is 1, that is, Bi 2 Sr 2 CuO x has a critical temperature of 10K.
また、ｎが２である物、すなわち、 Bi2Sr2CaCu2Ｏx は臨界温度が80Kである。In addition, a substance in which n is 2, that is, Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O x has a critical temperature of 80K.
さらに、ｎが３である物、すなわち、 Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏz は臨界温度が110Kである。Further, a substance in which n is 3, that is, Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z has a critical temperature of 110K.
この臨界温度が110Kである相は、Cu−Ｏ平面の数が1/
2単位胞内に３枚含まれている。In the phase having a critical temperature of 110 K, the number of Cu-O planes is 1 /
3 units are contained in 2 unit cells.
上記三つの相のうち、臨界温度が110Kである物すなわ
ちBi2Sr2Ca2Cu3Ｏzが最も望ましいことは云うまでもな
いが、上記の化学量論的組成を有する原料物質を焼成し
ても、臨界温度が110KであるBi2Sr2Ca2Cu3Ｏzを製造す
ることができるとは限らない。寧ろ、臨界温度が80Kで
あるBi2Sr2CaCu2Ｏzが製造されやすい。この理由は、原
料物質として、ビスマスの酸化物とストロンチウムの酸
化物とカルシウムの酸化物と銅の酸化物との混合物を堆
積して、850〜870℃の焼成温度をもって焼成をなす場
合、カルシウムの酸化物がCaOであると、上記の850〜87
0℃の焼成温度において、臨界温度が80KであるBi2Sr2Ca
Cu2Ｏyが安定に生成されるからであると考えられてい
る。Of the three phases, the one having a critical temperature of 110K, that is, Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z is, of course, the most desirable, but the raw material having the above stoichiometric composition is calcined. even, not always possible critical temperature to produce a Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z is 110K. Rather, Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O z having a critical temperature of 80 K is easily produced. The reason for this is that when a mixture of bismuth oxide, strontium oxide, calcium oxide, and copper oxide is deposited as a raw material and fired at a firing temperature of 850 to 870 ° C., calcium If the oxide is CaO, the above 850-87
At a sintering temperature of 0 ° C., a critical temperature of 80 K is Bi 2 Sr 2 Ca
It is considered that Cu 2 O y is generated stably.
この臨界温度が80KであるBi2Sr2CaCu2Ｏyを、臨界温
度が110KであるBi2Sr2Ca2Cu3Ｏzに転換するには、100時
間を越える極めて長時間の焼成を必要とする。The Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O y is the critical temperature 80K, to convert the critical temperature of 110K Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z is requires very long sintering of over 100 hours And
ところで、ビスマス系超伝導体を焼成する場合、原料
物質にPbOを添加すると、臨界温度が110KであるBi2Sr2C
a2Cu3Ｏzを製造しやすいことが知られている（Jpn.J.Ap
pl.Phys.27,1988 L1041）。By the way, when sintering bismuth-based superconductor, if PbO is added to the raw material, Bi 2 Sr 2 C whose critical temperature is 110K
It is known that a 2 Cu 3 O z can be easily manufactured (Jpn.J.Ap
pl.Phys. 27,1988 L1041).
そこで、従来技術においては、ビスマス系超伝導体膜
を製造するには、原料物質として、Bi2Ｏ3とPbOとSrCO3
とCaCO3との粉末をBiとPbとSrとCaとCuとのモル比が例
えば1.8:0.34:1.9:2.0:3.0となるように混合し、800℃
程度で約５時間仮焼成した後、この焼成体を粉砕し、粉
砕された粉体を圧粉し、その後、850℃程度で約100〜20
0時間焼成すると良いとされている。Therefore, in the prior art, in order to produce a bismuth-based superconductor film, Bi 2 O 3 , PbO and SrCO 3
And a powder of CaCO 3 are mixed such that the molar ratio of Bi, Pb, Sr, Ca, and Cu is, for example, 1.8: 0.34: 1.9: 2.0: 3.0, and 800 ° C.
After about 5 hours of pre-baking, the fired body is pulverized, and the pulverized powder is compacted.
It is said that firing for 0 hours is good.
ただ、上記せる従来技術に係る超伝導材料の製造方法
を使用すれば、臨界温度が110KであるBi2Sr2Ca2Cu3Ｏz
のバルクを製造することは可能であるが、上記せる製造
方法を使用して上記臨界温度が110KであるBi2Sr2Ca2Cu3
Ｏzの薄膜を形成することは容易ではない。その理由は
焼成工程中に鉛が蒸発して減量し、臨界温度が110KのBi
2Sr2Ca2Cu3Ｏzが十分生成されないためであると考えら
れる。However, if the above-described method of manufacturing a superconducting material according to the related art is used, Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z having a critical temperature of 110K is used.
Although it is possible to produce a bulk, Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 whose critical temperature is 110 K using the production method described above
It is not easy to form a thin film of O z . The reason is that lead evaporates during the sintering process and loses weight.
It is considered that 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z is not sufficiently generated.
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、臨
界温度が110KであるBi2Sr2Ca2Cu3Ｏzを多く含有する超
伝導体の薄膜を製造する方法を提供することにある。An object of the present invention is to eliminate this drawback and to provide a method for producing a superconductor thin film containing a large amount of Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z having a critical temperature of 110 K. .
上記の目的は、下記いづれの製造方法によっても達成
される。The above object is achieved by any of the following manufacturing methods.
第１の製造方法は、基板（１）上に、ビスマスと鉛と
を1:0.5〜1.5のモル比に含有するビスマスと鉛とストロ
ンチウムとカルシウムと銅との酸化物（Bi1Pb0.5-1.5Sr
tCauCuvＯw）の膜（２）を形成し、これを焼成する超伝
導体膜の製造方法である。A first manufacturing method is to form an oxide of bismuth, lead, strontium, calcium, and copper (Bi 1 Pb 0.5-1.5) containing bismuth and lead in a molar ratio of 1: 0.5 to 1.5 on a substrate (1). Sr
This is a method for manufacturing a superconductor film in which a film (2) of ( t Ca u Cu v O w ) is formed and fired.
第２の製造方法は、基板（１）上に、ビスマスと鉛と
ストロンチウムとカルシウムと銅とを、1:s:t:u:v 但し、 0.5＜ｓ＜1.5、 ０＜ｔ＜1.5、 ０＜ｕ＜1.5、及び、 ０＜ｖ＜2.0、 のモル比に含有する酸化物の膜（３）を形成し、これを
焼成する超伝導体膜の製造方法である。In the second manufacturing method, bismuth, lead, strontium, calcium, and copper are formed on a substrate (1) in the form of 1: s: t: u: v, where 0.5 <s <1.5, 0 <t <1.5, 0 This is a method for producing a superconductor film in which an oxide film (3) containing a molar ratio of <u <1.5 and 0 <v <2.0 is formed and fired.
なお、上記のモル比の組成物の膜（２）または（３）
を基板（１）上に形成する方法に代えて、鉛を含まない
酸化物の層（BiとSrとCaとCuとの酸化物の層）と酸化鉛
の層とを交互に積層しても実質的に同一である。The film (2) or (3) of the composition having the above molar ratio
May be alternately laminated on the substrate (1) by alternately stacking lead-free oxide layers (Bi, Sr, Ca, and Cu oxide layers) and lead oxide layers. Substantially the same.
本発明に係る超伝導体膜の製造方法においては、ビス
マス系超伝導体を製造するにあたり、焼結される膜に含
有される鉛の量を、上記のように、Cu−Ｏ平面の数が1/
2単位胞内に３枚含まれており、臨界温度が110Kと高
く、臨界電流密度も106A/cm2（77.3K）と高いBi2Sr2Ca2
Cu3Ｏzの化学量論的組成に対応する量よりはるかに多く
してあるので、焼成工程において鉛が蒸発しても焼成後
の組成比は上記の臨界温度が110Kであり臨界電流密度も
高いBi2Sr2Ca2Cu3Ｏzの化学量論的組成になる。In the method for producing a superconductor film according to the present invention, in producing a bismuth-based superconductor, the amount of lead contained in the film to be sintered, as described above, the number of Cu-O planes 1 /
Bi 2 Sr 2 Ca 2 containing 3 sheets in 2 unit cells and having high critical temperature of 110K and high critical current density of 10 6 A / cm 2 (77.3K)
Since the amount is much larger than the amount corresponding to the stoichiometric composition of Cu 3 O z , even if lead evaporates in the firing step, the composition ratio after firing is such that the critical temperature is 110 K and the critical current density is It becomes the stoichiometric composition of the high Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O z.
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係る超
伝導体膜の製造方法について説明する。Hereinafter, a method for manufacturing a superconductor film according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第２図参照 ビスマスとストロンチウムとカルシウムと銅とを3:2:
2:3のモル比に含有する酸化物よりなる第１のターゲッ
トと酸化鉛よりなる第２のターゲットとを交互に使用し
てRFマグネトロンスパッタ法を使用して、酸化マグネシ
ウム基板１上に、ビスマスとストロンチウムとカルシウ
ムと銅との酸化物よりなり厚さが2,000Åである層２と
酸化鉛よりなり厚さが300Åである層３とを、交互に、
例えばそれぞれ４層と３層とを形成した。See Fig. 2: Bismuth, strontium, calcium, and copper 3: 2:
Bismuth is deposited on a magnesium oxide substrate 1 by using an RF magnetron sputtering method by alternately using a first target composed of an oxide and a second target composed of lead oxide in a molar ratio of 2: 3. And a layer 2 composed of an oxide of strontium, calcium and copper and having a thickness of 2,000 mm and a layer 3 composed of lead oxide and having a thickness of 300 mm, alternately.
For example, four layers and three layers were formed, respectively.
この工程におけるスパッタ条件は下記に表記するとお
りである。The sputtering conditions in this step are as described below.
スパッタ条件 RF入力 Bi-Sr-Ca-Cu-Oの層に対して 100W PbOの層に対して 75W ガス アルゴンと酸素とを2:1の組成比に含む混
合ガス ガス圧 1Pa 基板温度 400℃ 上記の第１のターゲットの組成比において、ビスマス
の組成比が臨界温度が110Kである焼結体の化学量論的組
成より多くしてある理由は、このような組成比のターゲ
ットを使用すると、酸化ビスマスが生成されにくゝ、臨
界温度が110Kである焼結体の組成比の組成物が生成され
やすいからである。Sputtering conditions RF input 100 W for Bi-Sr-Ca-Cu-O layer 75 W for PbO layer Gas mixed gas containing 2: 1 composition ratio of argon and oxygen Gas pressure 1 Pa Substrate temperature 400 ° C Above The reason why the composition ratio of bismuth in the composition ratio of the first target is larger than the stoichiometric composition of the sintered body having a critical temperature of 110K is that when a target having such a composition ratio is used, oxidation occurs. This is because bismuth is not easily generated, and a composition having a composition ratio of a sintered body having a critical temperature of 110 K is easily generated.
上記の工程を実施して製造した薄膜をICP（Induced C
oupled Plasma）を検出してなすビスマスと鉛とストロ
ンチウムとカルシウムと銅との組成比は、0.9:0.8:1.0:
1.2:1.7であり、ビスマスの含有量が適切であり、鉛と
ビスマスとの含有量比もおゝむね1:1であり、おゝむね
満足すべき組成比であることが明瞭である。The thin film manufactured by performing the above steps is converted to ICP (Induced C
oupled Plasma), the composition ratio of bismuth, lead, strontium, calcium, and copper is 0.9: 0.8: 1.0:
1.2: 1.7, the content of bismuth is appropriate, and the content ratio of lead and bismuth is also approximately 1: 1. It is clear that the composition ratio is almost satisfactory.
第３図参照 上記の多層膜（２・３の積層体）を850℃の大気中に
おいて、10分間焼成して超伝導体膜41を得た。Referring to FIG. 3, the above-mentioned multilayer film (a laminate of 2 and 3) was fired in the air at 850 ° C. for 10 minutes to obtain a superconductor film 41.
上記と同様の条件ではあるが、焼成時間のみを１時間
・15時間と変更して、同様に焼成して超伝導体膜を得
た。Under the same conditions as above, except that only the firing time was changed to 1 hour and 15 hours, firing was performed in the same manner to obtain a superconductor film.
第1a図、第1b図、第1c図参照 これらの超伝導体膜41・42・43（42と43とは、上記と
同様の条件ではあるが、焼成時間のみを、10分・１時間
・15時間として焼成した超伝導体膜である。）のＸ線回
折パターンを第1a図に示す。Ｈは臨界温度が110Kの相を
示し、Ｌは臨界温度が80Kの相を示す。いづれの焼成温
度においても、臨界温度が100Kの相が十分に多いことは
明らかである。See FIGS. 1a, 1b and 1c. These superconductor films 41, 42 and 43 (42 and 43 are under the same conditions as above, but only the firing time is 10 minutes, 1 hour, An X-ray diffraction pattern of the superconductor film baked for 15 hours is shown in FIG. 1a. H indicates a phase having a critical temperature of 110K, and L indicates a phase having a critical temperature of 80K. At any firing temperature, it is clear that the critical temperature of 100K is sufficiently large.
また、EPMA法（Electron probe Microanalysis法）を
使用してなした、上記３例の組成分析の結果を、第1b図
に示す。この図においては、鉛は、焼成の進行にともな
って急速に蒸発して減少し、３時間程度で、ほゞ消滅す
ることを示している。一方、Ｘ線回折強度の比は、鉛が
存在している焼成の初期過程において、臨界温度が110K
である相が急速に生成していることを示している。FIG. 1b shows the results of the composition analysis of the above three examples performed using the EPMA method (Electron probe Microanalysis method). In this figure, it is shown that lead evaporates and decreases rapidly with the progress of firing, and almost disappears in about 3 hours. On the other hand, the ratio of the X-ray diffraction intensities is such that the critical temperature is 110 K in the initial stage of firing in which lead is present.
Is rapidly forming.
第1c図は、上記３例の抵抗の温度変化を示す。Tce
（電気抵抗が検出限界以下となる温度であり、エンドポ
イントとも云う。）は、第２例（焼成時間が１時間の
例）が最も高く、106.5Kである。FIG. 1c shows the temperature change of the resistors in the above three examples. Tce
(The temperature at which the electric resistance is below the detection limit, also referred to as the end point) is the highest in the second example (an example in which the firing time is 1 hour), which is 106.5K.
比較例 ビスマスと鉛との組成比が1:0.2である超伝導体膜を
上記の方法と同様の方法を使用して形成した。上記の方
法と異なるところは、酸化鉛の層の厚さを300Åから60
Åに減少したことのみであり、焼成時間も、比較を容易
にするため、上記と同様、10分、１時間、15時間の３例
とした。Comparative Example A superconductor film having a composition ratio of bismuth to lead of 1: 0.2 was formed using the same method as described above. The difference from the above method is that the thickness of the lead oxide layer is
Å, and the firing time was set to three cases of 10 minutes, 1 hour, and 15 hours, similarly to the above, for easy comparison.
これらの３例をEPMA法を使用して分析して結果を下記
に表記する。These three cases were analyzed using the EPMA method and the results are shown below.
また、上記３例のＸ線回折パターン（第1a図に対応）
を第４図に示す。焼成時間を長くしても、臨界温度が11
0Kである相（図にＨをもって示される相）はあまり増加
しないことが明らかである。この理由は、焼成期間に鉛
が蒸発するので、臨界温度が110Kである相が十分に生成
しないからであると考えられる。 X-ray diffraction patterns of the above three examples (corresponding to Fig. 1a)
Is shown in FIG. Even if the firing time is extended, the critical temperature is 11
It is clear that the phase at 0K (the phase indicated by H in the figure) does not increase much. It is considered that the reason for this is that lead evaporates during the firing period, so that a phase having a critical temperature of 110 K is not sufficiently generated.
さらに、上記３例の電気抵抗の温度変化（第1c図に対
応）を第５図に示す。オンセット温度（抵抗が減少しは
じめる温度）は110K以上であるが、エンドポイントは77
K以下であり、不満足である。Further, FIG. 5 shows a temperature change of the electric resistance of the above three examples (corresponding to FIG. 1c). The onset temperature (the temperature at which resistance begins to decrease) is 110K or higher, but the endpoint is 77
Not more than K and unsatisfactory.
以上説明せるとおり、本発明に係る超伝導体膜の製造
方法においては、鉛の含有量が十分多いビスマスと鉛と
ストロンチウムとカルシウムと銅との酸化物の膜を酸化
マグネシウム等の膜の上に形成して、これを焼成するこ
とゝされているので、少なくとも焼成が進行する期間
（焼成の初期過程）には十分な量の鉛が存在し、Cu−Ｏ
平面の数が1/2単位胞内に３枚含まれており、そのた
め、臨界温度が110Kである相が十分な量生成することゝ
なり、全体として臨界温度が高く、臨界電流密度も高い
超伝導体膜を製造することができる。As described above, in the method for manufacturing a superconductor film according to the present invention, a film of an oxide of bismuth, lead, strontium, calcium, and copper having a sufficiently high lead content is formed on a film of magnesium oxide or the like. Since it is formed and fired, a sufficient amount of lead is present at least during a period in which firing proceeds (an initial stage of firing), and Cu—O
Since the number of planes is three in a half unit cell, a sufficient amount of phases having a critical temperature of 110 K is generated, and the overall critical temperature is high and the critical current density is high. Conductor films can be manufactured.
第1a図は、本発明の実施例に係る超伝導体膜の製造方法
を実施して製造した超伝導体膜３例（焼成時間のみを10
分・１時間・15時間と変化した３例）のＸ線回折パター
ンである。 第1b図は、本発明の実施例に係る超伝導体膜の製造方法
を実施して製造した超伝導体膜組成の焼成時間に対する
変化を示すグラフである。 第1c図は、本発明の実施例に係る超伝導体膜の製造方法
を実施して製造した超伝導体膜３例（焼成時間のみを10
分・１時間・15時間と変化した３例）の電気抵抗と温度
との関係を示すグラフである。 第２図は、本発明の実施例に係る超伝導体膜の製造方法
の第１工程を示す工程図である。 第３図は、本発明の実施例に係る超伝導体膜の製造方法
の第２工程を示す工程図である。 第４図は、比較例３例のＸ線回折パターンである。 第５図は、比較例３例の電気抵抗と温度との関係を示す
グラフである。 １……基板（酸化マグネシウム基板）、２……ビスマス
とストロンチウムとカルシウムと銅とを3:2:2:3のモル
比に含有する酸化物よりなる第１のターゲットとして使
用してなすRFマグネトロンスパッタ法を使用して、形成
した、ビスマスとストロンチウムとカルシウムと銅との
酸化物の膜、３……酸化鉛の膜、41……Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏ
zの膜。FIG. 1a shows three examples of a superconductor film manufactured by carrying out the method for manufacturing a superconductor film according to the embodiment of the present invention (only the firing time is 10 minutes).
It is an X-ray diffraction pattern of three examples which changed to minutes, 1 hour, and 15 hours. FIG. 1b is a graph showing a change in the composition of a superconductor film produced by carrying out the method for producing a superconductor film according to an example of the present invention with respect to a firing time. FIG. 1c shows three examples of a superconductor film manufactured by carrying out the method for manufacturing a superconductor film according to the embodiment of the present invention (only the firing time is 10 minutes).
It is a graph which shows the relationship between the electric resistance and temperature of 3 examples) which changed to minutes, 1 hour, and 15 hours. FIG. 2 is a process chart showing a first step of the method for manufacturing a superconductor film according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a process chart showing a second step of the method for manufacturing a superconductor film according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is an X-ray diffraction pattern of Comparative Example 3; FIG. 5 is a graph showing the relationship between the electric resistance and the temperature in Comparative Example 3; 1 .... substrate (magnesium oxide substrate), 2 .... RF magnetron formed using bismuth, strontium, calcium and copper in a molar ratio of 3: 2: 2: 3 as the first target composed of an oxide Bismuth, strontium, calcium, and copper oxide films, 3 ... lead oxide films, 41 ... Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O formed by sputtering.
z membrane.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−258629（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01G 1/00 ZAA ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)────────────────────────────────────────────────── (5) References JP-A-2-258629 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C01G 1/00 ZAA INSPEC (DIALOG)
Claims (2)
〜1.5のモル比に含有するビスマスと鉛とストロンチウ
ムとカルシウムと銅との酸化物（Bi1Pb0.5-1.5SrtCauCu
vＯw）の膜（２）を形成し、焼成する ことを特徴とする超伝導体膜の製造方法。1. The method according to claim 1, wherein bismuth and lead are 1: 0.5 on the substrate (1).
Oxides of bismuth, lead, strontium, calcium and copper contained in the molar ratio of ~1.5 (Bi 1 Pb 0.5-1.5 Sr t Ca u Cu
v O w ) A film (2) is formed and fired.
チウムとカルシウムと銅とを1:s:t:u:v 但し、 0.5＜ｓ＜1.5 ０＜ｔ＜1.5 ０＜ｕ＜1.5、及び、 ０＜ｖ＜2.0、 のモル比に含有する酸化物の膜（２）を形成し、焼成す
る ことを特徴とする超伝導体膜の製造方法。2. A substrate (1) comprising bismuth, lead, strontium, calcium, and copper in the form of 1: s: t: u: v, where 0.5 <s <1.50 <t <1.50 <u <1.5, A method for producing a superconductor film, comprising: forming an oxide film (2) containing a molar ratio of 0 <v <2.0;
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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