JP2779056B2 - 電気的波長同調性半導体レーザ - Google Patents
電気的波長同調性半導体レーザInfo
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ活性領域と、同調性周波数フィルタ
と、およびそのレーザ活性領域に光子を注入する光子放
射領域とを含む波長同調性半導体レーザに関するもので
ある。
と、およびそのレーザ活性領域に光子を注入する光子放
射領域とを含む波長同調性半導体レーザに関するもので
ある。
［従来の技術］ 文献（1988年４月14日付Electronics Letters,Volum
e,24,No.8、503乃至505頁）にはその様な半導体レーザ
が記載されている。このレーザは光増幅用のレーザ活性
領域と、制御可能な位相シフト領域と、および同調性周
波数フィルタを構成する分布されたブラッグ反射器との
３つの縦方向に集積された、すなわち縦方向に互いに接
して配置されている領域から構成される。それはレーザ
活性領域の片側に配置され、導波体領域のブラッグ波長
を定める。そのような半導体レーザはまたマルチセグメ
ントレーザと呼ばれている。レーザ光の波長を同調させ
るために、電流は位相シフト領域およびブラッグ格子の
区域の導波体領域に注入され、この電流はブラッグ波長
を変化させる。なぜなら、この領域における屈折率はプ
ラズマ効果およびバンド充填効果によって変化するため
である。
e,24,No.8、503乃至505頁）にはその様な半導体レーザ
が記載されている。このレーザは光増幅用のレーザ活性
領域と、制御可能な位相シフト領域と、および同調性周
波数フィルタを構成する分布されたブラッグ反射器との
３つの縦方向に集積された、すなわち縦方向に互いに接
して配置されている領域から構成される。それはレーザ
活性領域の片側に配置され、導波体領域のブラッグ波長
を定める。そのような半導体レーザはまたマルチセグメ
ントレーザと呼ばれている。レーザ光の波長を同調させ
るために、電流は位相シフト領域およびブラッグ格子の
区域の導波体領域に注入され、この電流はブラッグ波長
を変化させる。なぜなら、この領域における屈折率はプ
ラズマ効果およびバンド充填効果によって変化するため
である。
1989年５月８、９日のベルリンのヘインリッチヘルツ
協会におけるInPワークショップを包含する文献では
「連続的同調性レーザトライオード」が記載されてお
り、この半導体レーザは横断方向に集積されている。
協会におけるInPワークショップを包含する文献では
「連続的同調性レーザトライオード」が記載されてお
り、この半導体レーザは横断方向に集積されている。
この装置では、その実効屈折率を同調するために単一
の制御電流しか必要とされない。ブラッグ格子の領域か
らの光子の吸収を減少させるために、この領域はレーザ
活性領域よりも高いバンドエッジを有する材料から生成
される。しかしながら、これはレーザ活性領域における
電荷キャリア注入の効果を減少させる。それは、レーザ
活性領域はプラズマ効果がその最大に達する半導体材料
のバンドエッジの近くにあるためである。ブラッグ格子
の領域における電子および正孔のバンドマスを変化させ
ることはまたレーザ活性領域に十分に多くの光子を注入
させることを許容しない。それは単にブラッグ格子の領
域における光子の刺激された放射の抑制を生じるだけで
ある。
の制御電流しか必要とされない。ブラッグ格子の領域か
らの光子の吸収を減少させるために、この領域はレーザ
活性領域よりも高いバンドエッジを有する材料から生成
される。しかしながら、これはレーザ活性領域における
電荷キャリア注入の効果を減少させる。それは、レーザ
活性領域はプラズマ効果がその最大に達する半導体材料
のバンドエッジの近くにあるためである。ブラッグ格子
の領域における電子および正孔のバンドマスを変化させ
ることはまたレーザ活性領域に十分に多くの光子を注入
させることを許容しない。それは単にブラッグ格子の領
域における光子の刺激された放射の抑制を生じるだけで
ある。
［発明の解決すべき課題］ それ故、本発明の目的は、光子がレーザ活性領域にも
っと効果的な方法で注入され、連続的に同調される波長
範囲が増加し、高い光出力が得られる半導体レーザを提
供することである。
っと効果的な方法で注入され、連続的に同調される波長
範囲が増加し、高い光出力が得られる半導体レーザを提
供することである。
［発明の解決のための手段］ この目的は、本発明の電気的波長同調性半導体レーザ
によって達成される。本発明は、活性領域と、同調性周
波数フィルタと、そのレーザ活性領域に光子を注入する
光子放射領域とを含む電気的波長同調性半導体レーザに
おいて、光子放射領域からレーザ活性領域に注入された
光子は、そのエネルギが電子と正孔の対の化学的ポテン
シャルとレーザ活性領域における縦方向音響フォノンの
エネルギとのエネルギの合計値を熱エネルギの半分より
少ない値だけ超過する大きさであることを特徴とする。
によって達成される。本発明は、活性領域と、同調性周
波数フィルタと、そのレーザ活性領域に光子を注入する
光子放射領域とを含む電気的波長同調性半導体レーザに
おいて、光子放射領域からレーザ活性領域に注入された
光子は、そのエネルギが電子と正孔の対の化学的ポテン
シャルとレーザ活性領域における縦方向音響フォノンの
エネルギとのエネルギの合計値を熱エネルギの半分より
少ない値だけ超過する大きさであることを特徴とする。
本発明の有効な実施形態の特徴は請求項２乃至８に記
載されている。
載されている。
さらに、本発明による半導体レーザを製造する方法は
請求項９に記載されている。
請求項９に記載されている。
［実施例］ 半導体レーザのレーザ活性領域が直接半導体材料から
構成される場合には、半導体レーザのレーザ活性領域に
おける価電子帯Ａおよび伝導帯Ｂ（第１図）はブリロー
インゾーンの同じ位置においてバンドエッジを有する。
構成される場合には、半導体レーザのレーザ活性領域に
おける価電子帯Ａおよび伝導帯Ｂ（第１図）はブリロー
インゾーンの同じ位置においてバンドエッジを有する。
この位置におけるバンドギャップはバンドギャップエ
ネルギEakに対応する。伝導帯Ｂにおける電子の化学的
ポテンシャルと価電子帯Ａにおける正孔の化学的ポテン
シャルとの間の差、すなわち電子と正孔のプラズマの化
学的ポテンシャルはμEHPで示される。フェルミ分布に
よって、電子の状態密度、すなわち、熱エネルギはボル
ツマン定数KBと温度Ｔとの積KB・Ｔによって表される広
がり（smudge）を有している。
ネルギEakに対応する。伝導帯Ｂにおける電子の化学的
ポテンシャルと価電子帯Ａにおける正孔の化学的ポテン
シャルとの間の差、すなわち電子と正孔のプラズマの化
学的ポテンシャルはμEHPで示される。フェルミ分布に
よって、電子の状態密度、すなわち、熱エネルギはボル
ツマン定数KBと温度Ｔとの積KB・Ｔによって表される広
がり（smudge）を有している。
光子が半導体レーザの光子放射領域からｈνWGのエネ
ルギでレーザ活性領域に注入されると、それら光子はそ
れぞれ１個の電子を価電子帯Ａのフェルミ・シー（se
a）から伝導帯Ｂに上昇させることを可能にする。光子
の注入によって生じた電子が少なくとも光子エネルギの
大きさだけレーザ活性領域における電子と正孔のプラズ
マ（EHP）の化学的ポテンシャルμEHPより上に位置する
ならば、これは縦方向の光学モード（LO）の１フォノン
をエネルギｈνLOで散乱させる。このプロセスを阻止す
るために、導波体領域のバンドエッジエネルギEWG＝ｈ
νWGは縦方向音響フォノンのエネルギｈνLOよりも少な
い程度で大きい状態を生成しなければならない。すなわ
ち、導波体領域のバンドエッジエネルギEWGの化学的ポ
テンシャルμEHPとの関係は次の式で表される。
ルギでレーザ活性領域に注入されると、それら光子はそ
れぞれ１個の電子を価電子帯Ａのフェルミ・シー（se
a）から伝導帯Ｂに上昇させることを可能にする。光子
の注入によって生じた電子が少なくとも光子エネルギの
大きさだけレーザ活性領域における電子と正孔のプラズ
マ（EHP）の化学的ポテンシャルμEHPより上に位置する
ならば、これは縦方向の光学モード（LO）の１フォノン
をエネルギｈνLOで散乱させる。このプロセスを阻止す
るために、導波体領域のバンドエッジエネルギEWG＝ｈ
νWGは縦方向音響フォノンのエネルギｈνLOよりも少な
い程度で大きい状態を生成しなければならない。すなわ
ち、導波体領域のバンドエッジエネルギEWGの化学的ポ
テンシャルμEHPとの関係は次の式で表される。
EWG≦μEHP＋ｈνLO±（KB・Ｔ）/2 不等式の（KB・Ｔ）/2は温度Ｔにおける熱エネルギの
フェルミ分布によって生成された変動の範囲を示してい
る。
フェルミ分布によって生成された変動の範囲を示してい
る。
これはレーザ活性領域における電子のエネルギ位置を
与えて、音響フォノンはその位置から減少された周波数
でのみ低いエネルギの方向へ電子を散乱させることがで
きる。特に、そのような電子は刺激された放射に影響を
与えない。したがって、レーザ活性領域における電子密
度Ｎをレーザしきい値密度を越えて局部的に増加させる
ことが可能である。しきい値密度を越える電子密度Ｎは
誘電定数の密度の依存性によって誘電定数の変動を可能
にする。ブラッグ波長Λの変化と誘電定数の変化の相互
依存および誘電定数とキャリア密度Ｎとの変化の間の次
の式のような関係、 ΔΛ／Λ＝Δn/n＝ΔN/Nによって、 半導体レーザの放射波長は同調されることが可能であ
る。上式でｎは屈折率である。
与えて、音響フォノンはその位置から減少された周波数
でのみ低いエネルギの方向へ電子を散乱させることがで
きる。特に、そのような電子は刺激された放射に影響を
与えない。したがって、レーザ活性領域における電子密
度Ｎをレーザしきい値密度を越えて局部的に増加させる
ことが可能である。しきい値密度を越える電子密度Ｎは
誘電定数の密度の依存性によって誘電定数の変動を可能
にする。ブラッグ波長Λの変化と誘電定数の変化の相互
依存および誘電定数とキャリア密度Ｎとの変化の間の次
の式のような関係、 ΔΛ／Λ＝Δn/n＝ΔN/Nによって、 半導体レーザの放射波長は同調されることが可能であ
る。上式でｎは屈折率である。
第２図に示された本発明の半導体レーザの実施形態に
おいて、上記の条件に合致する層９および光子放射領域
を形成する層17はそれらの層の横断方向、すなわち垂直
断面で示されている。層9,17は互いに垂直に近接して位
置している。半導体レーザは半導体基板１、ここではｐ
型InP基体１上に生成される。
おいて、上記の条件に合致する層９および光子放射領域
を形成する層17はそれらの層の横断方向、すなわち垂直
断面で示されている。層9,17は互いに垂直に近接して位
置している。半導体レーザは半導体基板１、ここではｐ
型InP基体１上に生成される。
半導体基体１の下側に電気接触部211を設けられた薄
い金属層21が設けられている。Ｐ型InP基体１上ではさ
らに中心部分において上方に突出している厚くなった部
分を有するInP層２が設けられ、この厚い部分はメサ11
の下方部分を構成する。Ｐ型InP層２はバッファ層とし
て機能する。その上側では周波数フィルタとして機能す
る同調可能なブラッグ格子が形成されている。
い金属層21が設けられている。Ｐ型InP基体１上ではさ
らに中心部分において上方に突出している厚くなった部
分を有するInP層２が設けられ、この厚い部分はメサ11
の下方部分を構成する。Ｐ型InP層２はバッファ層とし
て機能する。その上側では周波数フィルタとして機能す
る同調可能なブラッグ格子が形成されている。
メサ11はその上側に４成分化合物半導体、ここではＰ
型InGaAsPの導波体領域の層８、および同じく４成分化
合物半導体、ここではInGaAsPのレーザ活性領域を構成
する層９を具備する。層８は層９より価電子帯と伝導帯
の間のバンドギャップが大きい。
型InGaAsPの導波体領域の層８、および同じく４成分化
合物半導体、ここではInGaAsPのレーザ活性領域を構成
する層９を具備する。層８は層９より価電子帯と伝導帯
の間のバンドギャップが大きい。
単一導波体領域および単一レーザ活性ゾーンの代り
に、量子ウエル層もまた設けられることができる。層９
の上のInP層10はメサ11の最上層を構成する。メサ11の
両側にはメサ11と同じ高さで延在するInP半絶縁層６が
設けられている。メサ11およびInP半絶縁層６の上方に
は半導体レーザの全体の断面にわたって延在し二酸化ケ
イ素の誘電層12によって被覆されるｎ型InPの層７が位
置され、メサ11の上方の位置にメサ13が構成され、メサ
13の横の表面は第２の二酸化ケイ素の誘電層14、金属層
15、第３の二酸化ケイ素の誘電層16によって被覆され
る。二酸化ケイ素の代りに他の誘電体も使用することが
できる。
に、量子ウエル層もまた設けられることができる。層９
の上のInP層10はメサ11の最上層を構成する。メサ11の
両側にはメサ11と同じ高さで延在するInP半絶縁層６が
設けられている。メサ11およびInP半絶縁層６の上方に
は半導体レーザの全体の断面にわたって延在し二酸化ケ
イ素の誘電層12によって被覆されるｎ型InPの層７が位
置され、メサ11の上方の位置にメサ13が構成され、メサ
13の横の表面は第２の二酸化ケイ素の誘電層14、金属層
15、第３の二酸化ケイ素の誘電層16によって被覆され
る。二酸化ケイ素の代りに他の誘電体も使用することが
できる。
メサ13は光子放射領域を構成するInGaAsP層17、被覆
層として機能するＰ型InP層18および接触層として機能
するP+型InGaAsまたはＰ型InGaAsP層19から構成されて
いる。金属層20が接触層19の上に設けられ、その両側に
は被覆層12が被覆され、電気接触部201が設けられる。
層として機能するＰ型InP層18および接触層として機能
するP+型InGaAsまたはＰ型InGaAsP層19から構成されて
いる。金属層20が接触層19の上に設けられ、その両側に
は被覆層12が被覆され、電気接触部201が設けられる。
金属層15には接触部151が設けられている。光子放射
領域17からの光子注入を調整する電流ITは接触部151,20
1を通って流れる。接触部211と接触部151とはレーザ制
御電流ILをピックアップするように同時に機能する。
領域17からの光子注入を調整する電流ITは接触部151,20
1を通って流れる。接触部211と接触部151とはレーザ制
御電流ILをピックアップするように同時に機能する。
ここには示されていない別の実施例では、層７の上側
のメサ11の上方の位置にもブラッグ格子が設けられてい
る。前記の層２上のブラッグ格子は１次の回折格子であ
ったが、この実施例ではそれより高次の回折格子が使用
されている。この場合には半導体レーザは２つの導波体
層を有する。１次の回折格子はよく知られているように
正弦波形状の屈折率分析を有しているが、高次の回折格
子は正弦波形状の屈折率分布ではなく、方形或いは台形
のような別の形状の屈折率分布を有している。方形或い
は台形の屈折率分布はエッチングにより回折格子を製造
する場合には正弦波形状よりも製造が容易である利点を
有する。
のメサ11の上方の位置にもブラッグ格子が設けられてい
る。前記の層２上のブラッグ格子は１次の回折格子であ
ったが、この実施例ではそれより高次の回折格子が使用
されている。この場合には半導体レーザは２つの導波体
層を有する。１次の回折格子はよく知られているように
正弦波形状の屈折率分析を有しているが、高次の回折格
子は正弦波形状の屈折率分布ではなく、方形或いは台形
のような別の形状の屈折率分布を有している。方形或い
は台形の屈折率分布はエッチングにより回折格子を製造
する場合には正弦波形状よりも製造が容易である利点を
有する。
第２図に示された半導体レーザにおいて、回折格子は
半導体基体１上に直接エッチングされて形成され（第3A
図）、或いはＰ型InP層２が半導体基体１上にバッファ
層としてエピタキシアルにより形成され、その後ブラッ
グ格子がそれにエッチングされて形成され（第3B図）、
その後、層8,9,10がエピタキシアルによりその上に成長
される。誘電材料、例えば二酸化ケイ素または窒化ケイ
素の層４は、層10上に付着され、リソグラフィック工程
で幅約２μｍの狭い細長いストリップを残して除去され
る。この細長いストリップの横にある層8,9,10をエッチ
ングし、Ｐ型InP層２を半導体基体１から部分的にエッ
チングすることによってメサ11が生成される（第3C図参
照）。
半導体基体１上に直接エッチングされて形成され（第3A
図）、或いはＰ型InP層２が半導体基体１上にバッファ
層としてエピタキシアルにより形成され、その後ブラッ
グ格子がそれにエッチングされて形成され（第3B図）、
その後、層8,9,10がエピタキシアルによりその上に成長
される。誘電材料、例えば二酸化ケイ素または窒化ケイ
素の層４は、層10上に付着され、リソグラフィック工程
で幅約２μｍの狭い細長いストリップを残して除去され
る。この細長いストリップの横にある層8,9,10をエッチ
ングし、Ｐ型InP層２を半導体基体１から部分的にエッ
チングすることによってメサ11が生成される（第3C図参
照）。
それから選択的なエピタクシによって、層６が電流遮
断側面領域として付着される（第3D図）。二酸化ケイ素
または窒化ケイ素の層４は除去され、層７、光子放射領
域17および層18,19はエピタキシアル的に付着される
（第3E図）。
断側面領域として付着される（第3D図）。二酸化ケイ素
または窒化ケイ素の層４は除去され、層７、光子放射領
域17および層18,19はエピタキシアル的に付着される
（第3E図）。
再度新しくされたリソグラフィック処理後、メサ13は
光子放射領域17、Ｐ型InP層18およびP+型InGaAsまたはP
+型InGaAsP層19を選択的にエッチングすることによって
生成される（第3F図）。
光子放射領域17、Ｐ型InP層18およびP+型InGaAsまたはP
+型InGaAsP層19を選択的にエッチングすることによって
生成される（第3F図）。
メサ13およびその両側のｎ型InP層７は二酸化ケイ素
層によって被覆される。メサ13上およびその片側では二
酸化ケイ素層がエッチングされる。これは層12,14,16を
生成する。金属層15,20はエッチングで除去された位置
を被覆し、金属層21は底側で基体１を被覆する。３つの
各金属層15,20,21は電気接触部151,201,211をそれぞれ
設けられる。
層によって被覆される。メサ13上およびその片側では二
酸化ケイ素層がエッチングされる。これは層12,14,16を
生成する。金属層15,20はエッチングで除去された位置
を被覆し、金属層21は底側で基体１を被覆する。３つの
各金属層15,20,21は電気接触部151,201,211をそれぞれ
設けられる。
第１図は、活性レーザ領域におけるバンド構造を概略的
に示す。 第２図は、波長同調性半導体レーザの構造を示す。 第3A図乃至第3F図は、波長同調性半導体レーザの製造段
階における構造を示す。 １……半導体基体、２……第１のｐ型InP層、８……ｐ
型InGaAsP層、９……レーザ活性領域、11,13……メサ、
12,14,16……誘電層、17……光子放射領域、15,20,21…
…金属層。
に示す。 第２図は、波長同調性半導体レーザの構造を示す。 第3A図乃至第3F図は、波長同調性半導体レーザの製造段
階における構造を示す。 １……半導体基体、２……第１のｐ型InP層、８……ｐ
型InGaAsP層、９……レーザ活性領域、11,13……メサ、
12,14,16……誘電層、17……光子放射領域、15,20,21…
…金属層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カスパー・デュテインク ドイツ連邦共和国、7000 シュツットガ ルト 31、メーダッハシュトラーセ 38 (72)発明者 ハインツ・シュバイツアー ドイツ連邦共和国、7000 シュツットガ ルト 31、ニアシュタイナー・シュトラ ーセ 18 (56)参考文献 特開 昭63−32983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−280225（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−9682（ＪＰ，Ａ) 特表 昭63−500279（ＪＰ，Ａ) 欧州公開254568（ＥＰ，Ａ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (9)
- 【請求項１】レーザ活性領域と、同調性周波数フィルタ
と、そのレーザ活性領域に光子を注入する光子放射領域
とを含む電気的波長同調性半導体レーザにおいて、 光子放射領域からレーザ活性領域に注入された光子は、
そのエネルギが電子と正孔の対の化学的ポテンシャルμ
EHPとレーザ活性領域における縦方向音響フォノンのエ
ネルギｈνLOとのエネルギの合計値を熱エネルギKB・Ｔ
の半分より少ない値だけ超過する大きさであることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】光子注入を同調する電流は光子放射領域か
らレーザ活性領域に流れていることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】周波数フィルタはブラッグ格子であり、 光子放射領域はレーザ活性領域と同一平面に配置され、
前記レーザ活性領域の上方または下方においてブラッグ
格子と空間的に接続されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】光子放射領域は導波体ゾーンとして形成さ
れていることを特徴とする請求項３記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項５】光子放射領域はIII−Ｖ族化合物半導体か
ら構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ。 - 【請求項６】ブラッグ格子は高次の格子であることを特
徴とする請求項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】そのレーザ活性領域は４成分化合物半導体
から構成されていることを特徴とする請求項６記載の半
導体レーザ。 - 【請求項８】半導体レーザは、第１の電気接触部を備え
る第１の金属層と、半導体基体と、上部にブラッグ格子
を備えた第１のｐ型リン化インジウム層と、ｐ型リン化
インジウムガリウムヒ素層と、レーザ活性領域を形成す
るリン化インジウムガリウムヒ素層と、リン化インジウ
ム層との複数の積層された層から構成され、 これら３つの層は最下層の厚くされた部分を含む第１の
Ｐ型リン化インジウム層と共に第１の埋設されたメサを
形成し、 半絶縁層が第１のｐ型リン化インジウム層の上部のメサ
の側方に形成され、 ｎ型リン化インジウム層がメサおよび半絶縁層上に付着
され、 第１の誘電層と、第２のメサと、第２の誘電層と、第２
の電気接触部を設けられている第２の金属層と、第３の
誘電層がｎ型リン化インジウム層の表面に沿って互いに
隣接して位置し、 前記第２のメサはリン化インジウムガリウムヒ素の光子
放射領域と、第２のＰ型リン化インジウム層と、P+型ヒ
化インジウムガリウム層またはP+型リン化インジウムガ
リウムヒ素層とから構成され、この第２のメサは上部を
第３の金属層によって被覆され、また両側部を二酸化ケ
イ素層によって被覆され、 第３の金属層は第３の電気接触部を備えていることを特
徴とする請求項７記載の半導体レーザ。 - 【請求項９】レーザ活性領域と、同調性周波数フィルタ
と、そのレーザ活性領域に光子を注入する光子放射領域
とを含み、光子放射領域からレーザ活性領域に注入され
た光子は、そのエネルギが電子と正孔の対の化学的ポテ
ンシャルμEHPとレーザ活性領域における縦方向音響フ
ェノンのエネルギｈμLOとのエネルギの合計より熱エネ
ルギKB・Ｔの半分だけ少ない値を超過する大きさである
電気的波長同調性半導体レーザの製造方法において、 第１のＰ型リン化インジウム層がＰ型リン化インジウム
基体上にエピタキシアルにより形成され、回折格子がそ
の上にエッチングされ、 Ｐ型リン化インジウムガリウムヒ素層と、リン化インジ
ウムガリウムヒ素層と、リン化インジウム層がエピタキ
シアルにより形成され、 二酸化ケイ素層または窒化ケイ素層からなる誘電材料の
層がリン化インジウム層上に付着され、リン化インジウ
ム層の中心領域において縦方向に延在するストリップ以
外は除去され、 Ｐ型リン化インジウムガリウムヒ素層、リン化インジウ
ムガリウムヒ素層およびリン化インジウム層は前記誘電
材料の層によって限定されたストリップで覆われた部分
を除いてエッチングして除去され、第１のＰ型リン化イ
ンジウム層は部分的にエッチングされて、第１のメサが
生成され、 半絶縁性リン化インジウム層が第１のメサの両側におい
て第１のＰ型リン化インジウム層上に付着され、 その後、前記誘電材料の層が除去され、ｎ型リン化イン
ジウム層と、光子放射領域と、第２のＰ型リン化インジ
ウム層と、P+型リン化インジウムガリウム層またはリン
化インジウムガリウムヒ素層が第１のメサおよび半絶縁
性リン化インジウム上にエピタキシアルにより形成さ
れ、 第２のメサが第１のメサの上方においてリン化インジウ
ムガリウムヒ素層同調層と、Ｐ型リン化インジウム光子
放射層と、P+型リン化インジウムガリウム層またはリン
化インジウムガリウムヒ素を部分的にエッチングするこ
とによって形成され、 第２のメサおよびｎ型リン化インジウム層は第２のメサ
の両側面を誘電体の層で被覆され、 この誘電体の層は第２のメサの上方および両側でエッチ
ングされて除去され、第２および第３の誘電体の層が生
成され、 金属層がこれら２つの位置およびＰ型リン化インジウム
基体上に形成され、電気接触部がそれぞれ設けられるこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
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