JP2778091B2 - Metallized film for capacitor and method of manufacturing the same - Google Patents
Metallized film for capacitor and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、フイルムコンデンサに使用する金属化フイ
ルムおよびその製造方法に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metallized film used for a film capacitor and a method for manufacturing the same.
［従来の技術］ フイルムコンデンサ用金属化フイルムとは、ポリエス
テルなどのプラスチツクフイルムに金属薄膜を蒸着した
もので、プラスチツクフイルムが誘電体、金属薄膜が電
極となってコンデンサを形成するものである。金属薄膜
としては、蒸着容易さやコストの面で一般的にアルミニ
ウムや亜鉛が使用されている。[Prior Art] A metallized film for a film capacitor is obtained by depositing a metal thin film on a plastic film such as polyester, and the capacitor is formed by using the plastic film as a dielectric and the metal thin film as electrodes. As the metal thin film, aluminum or zinc is generally used in terms of ease of deposition and cost.
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、金属薄膜としてアルミニウムや亜鉛を
使用したフイルムコンデンサには実用上大きな問題があ
る。すなわち、これらの金属薄膜は、耐湿性が十分でな
く、特に高温高湿下では金属薄膜の消失により、コンデ
ンサの静電容量が大幅に低下するという問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, a film capacitor using aluminum or zinc as a metal thin film has a large practical problem. In other words, these metal thin films do not have sufficient moisture resistance, and there is a problem that the capacitance of the capacitor is greatly reduced due to disappearance of the metal thin film particularly under high temperature and high humidity.
これらの問題に対して、アルミニウム−銅などの合金
薄膜を使用する提案（特開昭60−1823号公報）や二層構
成の金属薄膜の提案（特開昭53−81941号公報）がなさ
れているが、耐湿性が十分でなく、またこれらの金属薄
膜を使用したフイルムコンデンサは自己回復性（電極薄
膜に生じた短絡欠陥部分が、短絡による大電流に伴う発
熱で消失して短絡が修復されること）やコストの点で問
題がある。In order to solve these problems, proposals have been made to use an alloy thin film of aluminum-copper or the like (Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-1823) and a proposal of a two-layer metal thin film (Japanese Patent Application Laid-Open No. 53-81941). However, the film capacitors using these metal thin films are not self-healing (the short-circuit defect generated in the electrode thin film disappears due to the heat generated by the large current caused by the short-circuit, and the short-circuit is repaired). Problems) and costs.
一方、特開昭51−147755号公報にはプラスチツクフイ
ルム上にアルミニウムの金属薄膜と酸化アルミニウム薄
膜をこの順に積層し、静電容量の大きくかつ耐食性に優
れたフイルムコンデンサが提案されている。すなわち、
プラスチツクフイルム上に真空蒸着法により厚さが300
Å〜500Åのアルミニウム薄膜と厚さが500Å〜8000Åの
酸化アルミニウム薄膜をこの順に積層したものが提案さ
れている。この場合、該酸化アルミニウム薄膜はコンデ
ンサの誘電体として、高絶縁抵抗であることが要求され
るものである。On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 51-147755 proposes a film capacitor having a large electrostatic capacity and excellent corrosion resistance, in which an aluminum metal thin film and an aluminum oxide thin film are laminated in this order on a plastic film. That is,
300mm thick by vacuum evaporation on plastic film
It has been proposed that an aluminum thin film having a thickness of 500 to 8000 and an aluminum oxide thin film having a thickness of 500 to 8000 are laminated in this order. In this case, the aluminum oxide thin film is required to have a high insulation resistance as a dielectric of the capacitor.
しかしながら、真空蒸着法により形成した酸化アルミ
ニウム薄膜は、酸化不足の時には絶縁抵抗の不足による
電力損失を生じ、酸化が進んでいくとクラツクの発生に
よる絶縁抵抗の不足や静電容量の低下の問題があり、さ
らに薄膜形成条件全般にわたり、結晶の欠陥が多く、こ
の欠陥による電力損失を抑えることが難しいことが、本
発明者らの検討で明らかになった。すなわち、真空蒸着
法では、絶縁抵抗が高く、電力損失の小さい誘電体薄膜
を得ることは極めて困難であることがわかった。However, the aluminum oxide thin film formed by the vacuum evaporation method causes power loss due to insufficient insulation resistance when oxidation is insufficient, and the problem of insufficient insulation resistance and lowering of capacitance due to cracking as oxidation proceeds. The present inventors have found that there are many crystal defects over the entire thin film formation conditions, and it is difficult to suppress power loss due to these defects. That is, it has been found that it is extremely difficult to obtain a dielectric thin film having high insulation resistance and low power loss by the vacuum evaporation method.
アルミニウム薄膜と酸化アルミニウム薄膜をプラスチ
ツクフイルムの片面に積層したフイルムコンデンサを使
用する場合、コンデンサの構成単位は、第２図に示すご
とく、アルミニウム薄膜12/プラスチツクフイルム11/酸
化アルミニウム薄膜13/アルミニウム薄膜12となる。こ
の構成では、プラスチツクフイルムと酸化アルミニウム
薄膜の２つの誘電体が直列に並ぶこととなるため、コン
デンサ全体の静電容量はむしろ減少し、望ましくない。When a film capacitor in which an aluminum thin film and an aluminum oxide thin film are laminated on one side of a plastic film is used, as shown in FIG. 2, the structural units of the capacitor are aluminum thin film 12 / plastic film 11 / aluminum oxide thin film 13 / aluminum thin film 12 Becomes In this configuration, since the two dielectrics of the plastic film and the aluminum oxide thin film are arranged in series, the capacitance of the whole capacitor is rather reduced, which is not desirable.
一方、アルミニウム薄膜と酸化アルミニウム薄膜がプ
ラスチツクフイルムの両面に積層された場合には、フイ
ルムコンデンサの構成単位は、第３図に示すごとく、ア
ルミニウム薄膜15/プラスチツクフイルム14/アルミニウ
ム薄膜15の図中Ａの部分と、アルミニウム薄膜15/酸化
アルミニウム薄膜16/アルミニウム薄膜15の図中Ｂの部
分の２つの並列したコンデンサとなる。第３図の構成で
は、第２図の構成のごとく、静電容量の減少はなく、構
成単位が並列に並んでいるため静電容量の増加が期待さ
れる。しかし、真空蒸着法では形成した酸化アルミニウ
ム薄膜は絶縁抵抗が低く、電力損失が大きいために、
Ａ、Ｂの部分を合せたコンデンサ全体の特性も著しく劣
ったものになってしまう。On the other hand, when the aluminum thin film and the aluminum oxide thin film are laminated on both sides of the plastic film, the constitutional unit of the film capacitor is as shown in FIG. 3 as A thin film 15 / plastic film 14 / aluminum thin film 15 in FIG. And two thin film capacitors of the aluminum thin film 15 / aluminum oxide thin film 16 / aluminum thin film 15 in FIG. In the configuration of FIG. 3, there is no decrease in the capacitance as in the configuration of FIG. 2, and an increase in the capacitance is expected because the structural units are arranged in parallel. However, the aluminum oxide thin film formed by the vacuum evaporation method has low insulation resistance and large power loss.
The characteristics of the entire capacitor including the portions A and B also become extremely inferior.
これらの問題点に鑑み、鋭意検討した結果、本発明者
らは、アルミニウム薄膜上に積層する酸化アルミニウム
薄膜を高絶縁抵抗のものにせず、むしろ、半導電性の薄
膜とし、かつ厚さを特定の薄さとなすことにより、アル
ミニウム薄膜と酸化アルミニウム薄膜とを一体の電極用
薄膜となすことが有効であることを見出した。すなわ
ち、アルミニウム薄膜と酸化アルミニウム薄膜とが一体
となって電極として働くために、第３図中のＢ部分は全
体が一つの電極薄膜となり、第２図と第３図の構成は同
じ電極薄膜／プラスチツクフイルム／電極薄膜の一種類
の構成単位からなり、フイルムコンデンサの特徴であ
る、低電力損失、高耐電圧を生かし、かつ耐湿性の高い
コンデンサが得られることを知見し本発明に到達したも
のである。In view of these problems, as a result of intensive studies, the present inventors did not use an aluminum oxide thin film laminated on an aluminum thin film with a high insulation resistance, but rather made it a semiconductive thin film and specified the thickness. It has been found that it is effective to form an aluminum thin film and an aluminum oxide thin film as an integral electrode thin film by making the thickness of the thin film. That is, since the aluminum thin film and the aluminum oxide thin film function integrally as an electrode, the portion B in FIG. 3 is entirely one electrode thin film, and the configurations of FIGS. Achieved the present invention by finding that a capacitor composed of one kind of plastic film / electrode thin film and having low power loss, high withstand voltage and high moisture resistance, which are characteristics of a film capacitor, can be obtained. It is.
［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明は、プラスチツクフイルムの少なく
とも片面にアルミニウム薄膜と反応性蒸着により形成さ
れた酸化アルミニウム薄膜をこの順に備えたコンデンサ
用金属化フイルムであって、該酸化アルミニウム薄膜は
膜厚が50Å〜300Åの範囲にあり、かつ該酸化アルミニ
ウム薄膜上で測定されたシート抵抗が0.5Ω／□から20
Ω／□の範囲にあることを特徴とするコンデンサ用金属
化フイルムである。[Means for Solving the Problems] That is, the present invention relates to a metallized film for a capacitor comprising, in this order, an aluminum thin film and an aluminum oxide thin film formed by reactive vapor deposition on at least one surface of a plastic film. The aluminum thin film has a thickness in the range of 50 ° to 300 ° and a sheet resistance measured on the aluminum oxide thin film of 0.5Ω / □ to 20Ω.
A metallized film for a capacitor characterized by being in the range of Ω / □.
また、本発明は、プラスチツクフイルムの少なくとも
片面にアルミニウム薄膜を形成後、引き続き反応性蒸着
により50Å〜300Åの酸化アルミニウムを形成すること
を特徴とするコンデンサ用金属化フイルムの製造方法で
ある。Further, the present invention is a method for producing a metallized film for a capacitor, comprising forming an aluminum thin film on at least one surface of a plastic film and subsequently forming aluminum oxide of 50 to 300 ° by reactive vapor deposition.
本発明で使用できるプラスチツクフイルムとしては、
ポリエステル、ポリプロピレン、ポリフエニレンスルフ
イド、ポリ弗化ビニリデン、ポリスチレン、ポリカーボ
ネート、ポリパラキシレンなどのフイルムが挙げられ
る。寸法安定性と強度の点でこれらのフイルムは二軸延
伸されていることが好ましい。Plastic films that can be used in the present invention include:
Examples include films of polyester, polypropylene, polyphenylene sulfide, polyvinylidene fluoride, polystyrene, polycarbonate, polyparaxylene, and the like. These films are preferably biaxially stretched in terms of dimensional stability and strength.
プラスチツクフイルムの厚さは特に限定されないが、
静電容量を大きくするためと強度を維持するために、0.
3μｍ〜25μｍが好ましく、0.5μｍ〜10μｍがさらに好
ましい。The thickness of the plastic film is not particularly limited,
To increase the capacitance and maintain the strength,
3 μm to 25 μm is preferable, and 0.5 μm to 10 μm is more preferable.
本発明で用いられるプラスチツクフイルムは金属薄膜
の形成に先立ち、易接着化処理などの表面処理やマージ
ン部形成のための前処理が施されていてもよい。Prior to the formation of the metal thin film, the plastic film used in the present invention may have been subjected to a surface treatment such as an easy adhesion treatment or a pretreatment for forming a margin portion.
本発明におけるアルミニウム薄膜は、真空蒸着法やイ
オンプレーテイング法など公知の真空析出法によって形
成されるもので、その厚さとしては電極としての抵抗お
よび自己回復性のバランスの点から200〜1000Åの範囲
が好ましく、より好ましくは300〜800Åである。The aluminum thin film in the present invention is formed by a known vacuum deposition method such as a vacuum evaporation method or an ion plating method, and has a thickness of 200 to 1000 mm in terms of a balance between resistance as an electrode and self-recovery. The range is preferably, more preferably, 300 to 800 °.
本発明のアルミニウム薄膜は、電極としての機能を損
わない範囲でアルミニウム以外の元素を含有してもよい
が、抵抗を小さくかつ耐湿性を向上させるためには、ア
ルミニウムが90％以上であることが好ましい。The aluminum thin film of the present invention may contain an element other than aluminum as long as the function as an electrode is not impaired. However, in order to reduce resistance and improve moisture resistance, aluminum must be 90% or more. Is preferred.
本発明の酸化アルミニウム薄膜は、Al2O3の他、AlOχ
で示される非化学量論的な酸化アルミニウムも含まれ
る。Aluminum oxide thin film of the present invention, other Al 2 O 3, AlO χ
And a non-stoichiometric aluminum oxide represented by
電極の導電性を損わないためには酸化アルミニウムは
半導体であることが好ましく、一方耐湿性を向上させる
ためには化学量論的な組成であることが好ましいため、
酸化アルミニウムは、１×109〜１×1012Ω・cmの範囲
の体積抵抗をもつAlOχ（０＜ｘ＜3/2）であることが好
ましい。酸化アルミニウム薄膜の組成は膜厚方向に傾斜
をもっていてもよい。Aluminum oxide is preferably a semiconductor in order not to impair the conductivity of the electrode, while a stoichiometric composition is preferable in order to improve moisture resistance,
Aluminum oxide is preferably AlO χ (0 <x <3/2 ) with a volume resistivity ranging from 1 × 10 9 ~1 × 10 12 Ω · cm. The composition of the aluminum oxide thin film may have a gradient in the film thickness direction.
本発明の酸化アルミニウム薄膜はその特性を損わない
範囲で窒素、シリコンなどの元素を含んでいてもよい。The aluminum oxide thin film of the present invention may contain an element such as nitrogen or silicon as long as its properties are not impaired.
本発明の酸化アルミニウム薄膜の膜厚は50Å〜300Å
の範囲であることが重要であり、膜厚が50Å未満の場合
には耐湿性の向上効果が期待できず、また300Åを越え
る場合には電極としての抵抗が大きくなるため好ましく
ない。酸化アルミニウム薄膜の膜厚は80Å〜200Åの範
囲にあることがさらに好ましい。The thickness of the aluminum oxide thin film of the present invention is 50 ° to 300 °.
It is important that the thickness is less than 50 °. If the thickness is less than 50 °, the effect of improving the moisture resistance cannot be expected, and if it exceeds 300 °, the resistance as an electrode increases, which is not preferable. More preferably, the thickness of the aluminum oxide thin film is in the range of 80 ° to 200 °.
本発明においては酸化アルミニウム薄膜の膜厚を50Å
〜300Åに設定するとともに、アルミニウム薄膜上に酸
化アルミニウム薄膜を積層した状態で、そのシート抵抗
が0.5Ω／□〜20Ω／□であることが重要であり、これ
により良好な自己回復性と低電力損失を確実に満足せし
めることができる。In the present invention, the thickness of the aluminum oxide thin film is set to 50
It is important that the sheet resistance is set to 0.5Ω / □ to 20Ω / □ while the aluminum oxide thin film is laminated on the aluminum thin film while setting it to ~ 300 °, which results in good self-healing and low power. The loss can be surely satisfied.
上記のシート抵抗が0.5Ω／□未満の場合には、かな
り大きな電流が流れても発熱が小さく、自己回復性が乏
しくなる欠点があり、また、シート抵抗が20Ω／□を越
えるとコンデンサの直列抵抗を構成する該電極用薄膜に
よる電力損失が大きくなるため好ましくない。より好ま
しくはシート抵抗が１Ω／□〜10Ω／□である。When the sheet resistance is less than 0.5Ω / □, there is a disadvantage that the heat generation is small even if a considerably large current flows and self-recovery is poor. This is not preferable because the power loss due to the electrode thin film constituting the resistor increases. More preferably, the sheet resistance is 1Ω / □ to 10Ω / □.
本発明の酸化アルミニウム薄膜の形成は、酸素雰囲気
中でアルミニウムを蒸発させる反応性蒸着法で行われ
る。反応性蒸着には、反応性イオンプレーティングを含
む。The formation of the aluminum oxide thin film of the present invention is performed by a reactive evaporation method in which aluminum is evaporated in an oxygen atmosphere. Reactive deposition includes reactive ion plating.
本発明のコンデンサ用金属化フイルムの製法の１例を
第１図を用いて説明する。第１図は、真空蒸着装置の１
例を模式的に示したもので、長尺フイルム走行系とアル
ミニウム蒸発源を備えた真空層１内を図示していない真
空排気系によって１×10-5トール以下に排気する。プラ
スチツクフイルム５を巻き出し軸２により巻き出し、冷
却ドラム３を経由して巻き取り軸４へと走行させる。電
子ビーム加熱によりアルミニウムを溶融し蒸発源６より
アルミニウムを蒸発させる。かくしてプラスチツクフイ
ルム上に所定のアルミニウム薄膜を形成する。An example of a method for manufacturing a metallized film for a capacitor according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a vacuum evaporation system 1
An example is schematically shown, and the inside of a vacuum layer 1 provided with a long film traveling system and an aluminum evaporation source is evacuated to 1 × 10 −5 Torr or less by a vacuum evacuation system (not shown). The plastic film 5 is unwound by the unwinding shaft 2 and travels to the winding shaft 4 via the cooling drum 3. The aluminum is melted by electron beam heating, and the aluminum is evaporated from the evaporation source 6. Thus, a predetermined aluminum thin film is formed on the plastic film.
次に真空を破ることなく、酸素ボンベ10より流量コン
トローラ９を経て、ガス吹き出し口８より酸素ガスを真
空槽内に５×10-5トール〜１×10-2トールの範囲の圧力
になるまで導入する。７はマスクである。Next, without breaking the vacuum, oxygen gas is supplied from the oxygen cylinder 10 through the flow rate controller 9 through the gas outlet 8 into the vacuum tank until the pressure reaches a range of 5 × 10 −5 Torr to 1 × 10 −2 Torr. Introduce. 7 is a mask.
ついで長尺フイルム走行系を逆転させ、巻き取り軸４
よりアルミニウム薄膜が形成されたプラスチツクフイル
ムを巻き出し、冷却ドラム３を経て、軸２に巻き取りな
がら、アルミニウムを蒸発源６より蒸発させると、アル
ミニウム薄膜上に酸化アルミニウム薄膜が形成される。Next, the long film traveling system is reversed, and the winding shaft 4 is rotated.
When the plastic film on which the aluminum thin film is formed is unwound, and the aluminum is evaporated from the evaporation source 6 while being wound on the shaft 2 through the cooling drum 3, an aluminum oxide thin film is formed on the aluminum thin film.
アルミニウム薄膜と酸化アルミニウム薄膜の膜厚は、
蒸発源からのアルミニウムの蒸発速度とフイルム走行速
度を制御することにより所定の値に設定できる。また酸
化アルミニウム薄膜の抵抗値は、蒸発源からのアルミニ
ウムの蒸発速度と酸素ガスの導入量および膜厚を調整す
ることによって所定の値に制御可能である。The thickness of the aluminum thin film and aluminum oxide thin film is
A predetermined value can be set by controlling the evaporation speed of aluminum from the evaporation source and the film running speed. The resistance value of the aluminum oxide thin film can be controlled to a predetermined value by adjusting the evaporation rate of aluminum from the evaporation source, the introduced amount of oxygen gas, and the film thickness.
本発明のコンデンサ用金属化フイルムにおいては、マ
ージン部形成のため、レーザ処理や放電処理などの後処
理を施してもよい。また熱融着膜などをさらに積層する
ことは適宜許される。In the metallized film for a capacitor of the present invention, post-processing such as laser processing or discharge processing may be performed to form a margin portion. Further lamination of a heat fusion film or the like is appropriately permitted.
アルミニウム薄膜および酸化アルミニウム薄膜は、プ
ラスチツクフイルムの片面または両面に設けることがで
きる。また片面にアルミニウム薄膜と酸化アルミニウム
薄膜を積層し、他面にアルミニウム薄膜だけを設けるこ
ともできる。The aluminum thin film and the aluminum oxide thin film can be provided on one side or both sides of the plastic film. Alternatively, an aluminum thin film and an aluminum oxide thin film can be laminated on one side and only the aluminum thin film can be provided on the other side.
さらに、コンデンサ引出し電極を取付けるための溶射
金属付着部ではその全部または一部においてアルミニウ
ム薄膜を露出せしめておくことが、溶射金属と金属化フ
イルムの接着力を大きくするために好ましい。Further, it is preferable to expose the aluminum thin film in all or a part of the sprayed metal attachment portion for attaching the capacitor lead electrode, in order to increase the adhesion between the sprayed metal and the metallized film.
［発明の効果］ 本発明のコンデンサ用金属化フイルムは、上述のごと
く構成したため、フイルムコンデンサの耐湿性を著しく
向上できるとともにコロナ放電等に起因する静電容量の
減少を確実に防止できるものである。さらに酸化アルミ
ニウム薄膜が半導電性でかつ特定の薄膜で形成されてい
るため、フイルムコンデンサの特長である、低電力損失
性や高耐電圧性を損なうことがないという利点を有す
る。[Effect of the Invention] Since the metallized film for a capacitor of the present invention is configured as described above, it is possible to remarkably improve the moisture resistance of the film capacitor and to surely prevent a decrease in capacitance due to corona discharge or the like. . Further, since the aluminum oxide thin film is formed of a semiconductive and specific thin film, there is an advantage that a low power loss and a high withstand voltage characteristic of the film capacitor are not impaired.
［評価手段］ （１） 耐湿性の評価 金属化フイルムのカットシートを試料とし、これを60
℃の純水に浸漬し、耐湿性の加速テストを行なう。アル
ミニウム薄膜は、剥離や水酸化により透明化を生じ、金
属化フイルムは時間とともに金属光沢を失っていく。試
料の浸漬部分全体が金属光沢を失い、透明化するまでの
時間を耐湿性の指標とする。この時間が長い程、耐湿性
が高いことを表わす。[Evaluation means] (1) Evaluation of moisture resistance A cut sheet of a metallized film was used as a sample, and this was
Immerse in pure water at ℃ and conduct accelerated test of moisture resistance. The aluminum thin film becomes transparent due to peeling or hydroxylation, and the metallized film loses its metallic luster over time. The time required for the entire immersion part of the sample to lose its metallic luster and become transparent is used as an index of moisture resistance. The longer the time, the higher the moisture resistance.
（２） シート抵抗の測定 金属化フイルムを35mm幅の長方形に切り出し試料とす
る。幅35mmの電極２つを有し、電極間を平行に35mm離し
て固定したプローブを用意し、前記試料の長さ方向に直
角に前記２つの電極を配置させて抵抗値を測定する。す
なわち、35mm四方の試料の対辺の間の抵抗を測定し、こ
れをシート抵抗とし、単位はΩ／□で表わす。(2) Measurement of sheet resistance The metallized film is cut into a 35 mm wide rectangle to make a sample. A probe having two electrodes having a width of 35 mm and fixed at a distance of 35 mm in parallel between electrodes is prepared, and the resistance is measured by disposing the two electrodes at right angles to the length direction of the sample. That is, the resistance between the opposite sides of a 35 mm square sample is measured, and this is defined as the sheet resistance, and the unit is represented by Ω / □.
（３） 酸化アルミニウム薄膜の膜厚測定法 ２次イオン質量分析法やオージェ電子分光法などの表
面組成分析法とアルゴンイオンエッチングを組み合わせ
て、試料の深さ方向のアルミニウムと酸素の濃度分布を
測定する。酸素原子は酸化アルミニウム薄膜の表面から
酸化アルミニウム薄膜とアルミニウム薄膜の界面に向っ
て漸減していくが、原子個数比で、酸素原子がアルミニ
ウム原子の50％まで減少した深さを酸化アルミニウム薄
膜の膜厚とする。(3) Thickness measurement method of aluminum oxide thin film The concentration distribution of aluminum and oxygen in the depth direction of a sample is measured by combining surface ion analysis such as secondary ion mass spectrometry and Auger electron spectroscopy with argon ion etching. I do. Oxygen atoms gradually decrease from the surface of the aluminum oxide thin film toward the interface between the aluminum oxide thin film and the aluminum thin film. Thickness.
［実施例］ 以下実施例により本発明を具体的に説明する。[Examples] Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples.
実施例１ ５μｍ厚のポリエステルフイルム（“ルミラー”東レ
（株）製）を第１図の真空蒸着装置の長尺走行系に装着
した。蒸発源にはアルミニウムのインゴットを装填し
た。真空槽内を１×10-5トール以下に排気してから、電
子ビーム加熱によりアルミニウムを蒸発させ、走行する
フイルム上に10μm/分の速さで500Å厚のアルミニウム
薄膜を形成した。この時、冷却ドラムは５℃に冷却し
た。Example 1 A 5 μm-thick polyester film (“Lumirror” manufactured by Toray Industries, Inc.) was mounted on a long traveling system of a vacuum evaporation apparatus shown in FIG. The evaporation source was loaded with an aluminum ingot. After evacuation of the vacuum chamber to 1 × 10 −5 Torr or less, aluminum was evaporated by electron beam heating, and a 500-mm-thick aluminum thin film was formed on the running film at a speed of 10 μm / min. At this time, the cooling drum was cooled to 5 ° C.
アルミニウム薄膜を形成したポリエステルフイルムを
第１図の真空蒸着装置の長尺フイルム走行系に装着し、
蒸発源にはアルミニウムのインゴットを装填した。真空
槽内を１×10-5トール以下に排気してから、電子ビーム
加熱によりアルミニウムを蒸発させる。同時に冷却ドラ
ム近傍に設置したガス吹き出し口より酸素ガスを導入
し、流量を調整して槽内の圧力を４×10-4トールにし
た。アルミニウム薄膜上に５μm/分の速さで100Å厚み
の酸化アルミニウム薄膜を形成した。この時、冷却ドラ
ムは５℃に冷却した。The polyester film on which the aluminum thin film was formed was mounted on the long film traveling system of the vacuum evaporation apparatus shown in FIG.
The evaporation source was loaded with an aluminum ingot. After evacuating the vacuum chamber to 1 × 10 −5 Torr or less, aluminum is evaporated by electron beam heating. At the same time, oxygen gas was introduced from a gas outlet installed near the cooling drum, and the flow rate was adjusted to make the pressure in the tank 4 × 10 −4 Torr. An aluminum oxide thin film having a thickness of 100 mm was formed on the aluminum thin film at a speed of 5 μm / min. At this time, the cooling drum was cooled to 5 ° C.
得られた金属化フイルムのシート抵抗は、９Ω／□
で、コンデンサ用電極として十分な抵抗値であった。金
属化フイルムを50mm四方に切り出し、60℃の純水に浸漬
し耐湿性を評価した。試料全体が金属光沢を失い透明化
するまでの時間は、18分であり、アルミニウム薄膜だけ
の従来のコンデンサ用金属化フイルム（比較例１）に比
べて著しく耐湿性が改善された。The sheet resistance of the obtained metallized film is 9Ω / □.
Thus, the resistance value was sufficient as a capacitor electrode. The metallized film was cut into a square of 50 mm, immersed in pure water at 60 ° C., and evaluated for moisture resistance. The time required for the entire sample to lose its metallic luster and become transparent was 18 minutes, and the moisture resistance was remarkably improved as compared with the conventional metallized film for capacitors using only an aluminum thin film (Comparative Example 1).
比較例１ 実施例１と同様にして厚さ５μｍのポリエステルフイ
ルム上に厚さ500Åのアルミニウム薄膜を形成した。Comparative Example 1 In the same manner as in Example 1, an aluminum thin film having a thickness of 500 ° was formed on a polyester film having a thickness of 5 μm.
得られた金属化フイルムのシート抵抗は、５Ω／□で
あり、コンデンサ用電極として十分な抵抗値であった
が、この金属化フイルムを50mm四方に切り出し、60℃の
純水中に浸漬したところ、試料全体が金属光沢を失い透
明化するまで５分しかかからず耐湿性が著しく劣るもの
であった。The sheet resistance of the obtained metallized film was 5Ω / □, which was a sufficient resistance value for a capacitor electrode. However, this metallized film was cut into a square of 50 mm and immersed in pure water at 60 ° C. It took only 5 minutes until the entire sample lost its metallic luster and became transparent, and the moisture resistance was extremely poor.
比較例２ 実施例１と同様にして厚さ５μｍのポリエステルフイ
ルム上に厚さ500Åのアルミニウム薄膜を形成した。Comparative Example 2 An aluminum thin film having a thickness of 500 ° was formed on a polyester film having a thickness of 5 μm in the same manner as in Example 1.
次いで、該アルミニウム薄膜上に厚さ350Åの酸化ア
ルミニウム薄膜を実施例１と同様にして形成した。Next, an aluminum oxide thin film having a thickness of 350 ° was formed on the aluminum thin film in the same manner as in Example 1.
得られた金属化フイルムのシート抵抗は、22Ω／□で
あり、直列抵抗の増加による電力損失の増大が生じ、コ
ンデンサ用電極として不適当であった。The sheet resistance of the obtained metallized film was 22 Ω / □, which caused an increase in power loss due to an increase in series resistance, and was unsuitable as a capacitor electrode.
第１図は本発明を実施するための真空蒸着装置の１例を
示す概略図、第２図および第３図はフイルムコンデンサ
の構成を説明する概略図である。 1:真空槽、3:冷却ドラム 5:長尺プラスチツクフイルム 6:蒸発源、8:ガス吹き出し口 11,14:プラスチツクフイルム 12,15:アルミニウム薄膜 13,16:酸化アルミニウム薄膜FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a vacuum evaporation apparatus for carrying out the present invention, and FIGS. 2 and 3 are schematic diagrams illustrating the structure of a film capacitor. 1: Vacuum tank, 3: Cooling drum 5: Long plastic film 6: Evaporation source, 8: Gas outlet 11, 14: Plastic film 12, 15: Aluminum thin film 13, 16: Aluminum oxide thin film
Claims (2)
アルミニウム薄膜と反応性蒸着により形成された酸化ア
ルミニウム薄膜をこの順に備えたコンデンサ用金属化フ
イルムであって、該酸化アルミニウム薄膜は膜厚が50Å
〜300Åの範囲にあり、かつ該酸化アルミニウム薄膜上
で測定されたシート抵抗が0.5Ω／□から20Ω／□の範
囲にあることを特徴とするコンデンサ用金属化フイル
ム。1. A metallized film for a capacitor comprising, in this order, an aluminum thin film and an aluminum oxide thin film formed by reactive vapor deposition on at least one surface of a plastic film, said aluminum oxide thin film having a thickness of 50 °.
A metallized film for a capacitor, wherein the film has a sheet resistance in the range of 0.5 to 300 ° and a sheet resistance measured on the aluminum oxide thin film in a range of 0.5 Ω / □ to 20 Ω / □.
アルミニウム薄膜を形成後、引き続き反応性蒸着により
50Å〜300Åの酸化アルミニウムを形成することを特徴
とするコンデンサ用金属化フイルムの製造方法。2. An aluminum thin film is formed on at least one surface of a plastic film, and then is subjected to reactive evaporation.
A method for producing a metallized film for a capacitor, comprising forming 50 to 300 mm of aluminum oxide.
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