JP2771210B2 - アルキルアルシンの製造法 - Google Patents
アルキルアルシンの製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/66—Arsenic compounds
- C07F9/70—Organo-arsenic compounds
- C07F9/72—Aliphatic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は分枝鎖状アルキルアルシン及び置換されたア
ルキルアルシンを含めたアルキルアルシンの製造におけ
る改善に関するものである。
ルキルアルシンを含めたアルキルアルシンの製造におけ
る改善に関するものである。
従来、アルキルアルシンは酸素化された溶媒例えばジ
エチルエーテルを用いて有機金属化合物またはリチウム
アルキルと無機ヒ素化合物との反応を含めた多段工程に
より製造した。かかる従来の方法の欠点はアルキルアル
シン生成物を不純物、殊に酸素化された溶媒または他の
金属性化合物から分離する際の困難さにある。半導体デ
バイスの製造に対する有機金属化学蒸着(MOCVD)法に
おけるアルシンの代りのヒ素源としてのアルキルアルシ
ンの使用に対し、極めて高純度のアルキルアルシンを提
供する必要がある。金属性不純物または酸素化された有
機不純物はかかる不純物が極めて少量のみで存在する場
合でさえも特にMOCVD法により製造される電子デバイス
の操作に対して有害であり得る。
エチルエーテルを用いて有機金属化合物またはリチウム
アルキルと無機ヒ素化合物との反応を含めた多段工程に
より製造した。かかる従来の方法の欠点はアルキルアル
シン生成物を不純物、殊に酸素化された溶媒または他の
金属性化合物から分離する際の困難さにある。半導体デ
バイスの製造に対する有機金属化学蒸着(MOCVD)法に
おけるアルシンの代りのヒ素源としてのアルキルアルシ
ンの使用に対し、極めて高純度のアルキルアルシンを提
供する必要がある。金属性不純物または酸素化された有
機不純物はかかる不純物が極めて少量のみで存在する場
合でさえも特にMOCVD法により製造される電子デバイス
の操作に対して有害であり得る。
本発明は生成物中に金属性または酸素化された不純物
を生じさせる金属含有反応体もしくは触媒または溶媒を
必要としない、アルシン及び3〜12個の炭素原子を有す
るオレフインの触媒反応によるアルキルアルシンの製造
方法である。かくて、本発明の方法を用いることにより
特に金属不純物が存在しないことに関して極めて高純度
のアルキルアルシン生成物を容易に得ることができる。
を生じさせる金属含有反応体もしくは触媒または溶媒を
必要としない、アルシン及び3〜12個の炭素原子を有す
るオレフインの触媒反応によるアルキルアルシンの製造
方法である。かくて、本発明の方法を用いることにより
特に金属不純物が存在しないことに関して極めて高純度
のアルキルアルシン生成物を容易に得ることができる。
本発明によれば、酸触媒の存在下でオレフィンをアル
シンと反応させて一及び二置換されたアルシンを生成さ
せるか、またはモノ−炭化水素置換されたアルシンと反
応させて二置換されたアルシンを生成させる。
シンと反応させて一及び二置換されたアルシンを生成さ
せるか、またはモノ−炭化水素置換されたアルシンと反
応させて二置換されたアルシンを生成させる。
理論的説明に束縛されずに、酸触媒がオレフィン反応
体のエチレン性二重結合の位置でカルボニウムイオン中
間体を生成させ、またこのものをアルシン反応体と反応
させてアルキルアルシンまたはアラルキルアルシンを生
成させることが予想される。カルボニウムイオン中間体
理論はアルキルアルシンが本発明の方法により生成され
る場合にアルシンが末端炭素に付加しない観察と一致す
る。
体のエチレン性二重結合の位置でカルボニウムイオン中
間体を生成させ、またこのものをアルシン反応体と反応
させてアルキルアルシンまたはアラルキルアルシンを生
成させることが予想される。カルボニウムイオン中間体
理論はアルキルアルシンが本発明の方法により生成され
る場合にアルシンが末端炭素に付加しない観察と一致す
る。
本明細書に用いられるオレフィンなる用語には単一の
エチレン性二重結合を有する炭化水素例えば正及び分枝
鎖状脂肪族オレフィン、環式脂肪族オレフィン、アリー
ル置換されたオレフィンなどが含まれる。3〜12個の炭
素原子を有するオレフインを用いる。
エチレン性二重結合を有する炭化水素例えば正及び分枝
鎖状脂肪族オレフィン、環式脂肪族オレフィン、アリー
ル置換されたオレフィンなどが含まれる。3〜12個の炭
素原子を有するオレフインを用いる。
本発明によるモノ−及びジ−アルキルアルシンを製造
する際に最も好ましい正及び分枝鎖状脂肪族オレフィン
には例えばプロペン、1−ブテン、2−ブテン、2−メ
チル−1−プロペン(イソブチレン)、2−メチル−1
−ブテン、2,3−ジメチル−1−ブテン、2−エチル−
1−ブテン、2−メチル−1−ペンテン、2,4,4−トリ
メチル−1−ペンテン、1−デセン、1−ドデセン、2,
4,4,6,6−ペンタメチル−1−ヘプテンなどが含まれ
る。
する際に最も好ましい正及び分枝鎖状脂肪族オレフィン
には例えばプロペン、1−ブテン、2−ブテン、2−メ
チル−1−プロペン(イソブチレン)、2−メチル−1
−ブテン、2,3−ジメチル−1−ブテン、2−エチル−
1−ブテン、2−メチル−1−ペンテン、2,4,4−トリ
メチル−1−ペンテン、1−デセン、1−ドデセン、2,
4,4,6,6−ペンタメチル−1−ヘプテンなどが含まれ
る。
本発明におけるオレフィン反応体として有用な環式脂
肪族オレフィンには例えばシクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロオクテン、2−メチルシクロペンテン、2
−メチルシクロヘキセンなどが含まれる。使用し得るア
リール置換されたオレフインは、スチレン、アルフア−
メチルスチレン及び4−メチルスチレンである。
肪族オレフィンには例えばシクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロオクテン、2−メチルシクロペンテン、2
−メチルシクロヘキセンなどが含まれる。使用し得るア
リール置換されたオレフインは、スチレン、アルフア−
メチルスチレン及び4−メチルスチレンである。
本発明は半導体デバイス例えば太陽電池などの製造に
おける金属有機化学蒸着(MOCVD)からなる方法におい
て使用される有機金属性のヒ素源として有用である化合
物を製造する際に有用である。また、本発明はアルキル
アルシン中間体の酸化によりアルキルまたはアラルキル
アルシン酸を製造する際の中間体として有用である高級
アルキルまたはアラルキルアルシンを製造する際に有用
である。アルキルアルシン酸及びアラルキルアルシン酸
は例えばスズ鉱石の濃縮工程における浮選剤として有用
である。
おける金属有機化学蒸着(MOCVD)からなる方法におい
て使用される有機金属性のヒ素源として有用である化合
物を製造する際に有用である。また、本発明はアルキル
アルシン中間体の酸化によりアルキルまたはアラルキル
アルシン酸を製造する際の中間体として有用である高級
アルキルまたはアラルキルアルシンを製造する際に有用
である。アルキルアルシン酸及びアラルキルアルシン酸
は例えばスズ鉱石の濃縮工程における浮選剤として有用
である。
アルシン及びオレフィンは二重結合でのアルシンのオ
レフィンへの酸触媒された付加により反応する。選ばれ
たオレフィンが例えば1−ブテンのように末端にエチレ
ン性二重結合を有する場合、アルシンは第二の炭素原子
に付加する。内部オレフィンまたは環式オレフィンが選
ばれる場合、付加はエチレン性炭素原子のいずれかで生
じ得る。非対称性の内部オレフィン例えば2−メチル−
2−ブテンへのアルシンの付加の場合、異性体性のアル
キルアルシン生成物が予期される。
レフィンへの酸触媒された付加により反応する。選ばれ
たオレフィンが例えば1−ブテンのように末端にエチレ
ン性二重結合を有する場合、アルシンは第二の炭素原子
に付加する。内部オレフィンまたは環式オレフィンが選
ばれる場合、付加はエチレン性炭素原子のいずれかで生
じ得る。非対称性の内部オレフィン例えば2−メチル−
2−ブテンへのアルシンの付加の場合、異性体性のアル
キルアルシン生成物が予期される。
酸触媒は有機または無機の非酸化性強酸例えばアルカ
ンスルホン酸例えばメタルスルホン酸、エタンスルホン
酸、アリールスルホン酸例えばベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、リン酸、硫酸、
フッ化水素などであり得る。炭素原子1〜4個を含む低
級アルカンスルホン酸が好ましい。
ンスルホン酸例えばメタルスルホン酸、エタンスルホン
酸、アリールスルホン酸例えばベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、リン酸、硫酸、
フッ化水素などであり得る。炭素原子1〜4個を含む低
級アルカンスルホン酸が好ましい。
本発明の方法に対する非酸化性触媒として少なくとも
オレフィン反応体と接触させて固体または液体酸触媒を
使用し得る。酸はオレフィンまたは単一相液体系中での
オレフィンとの溶液に溶解し得る。例えば、オレフィン
を炭化水素可溶性酸例えばオクタンスルホン酸またはド
デシルベンゼンスルホン酸と共に炭化水素溶媒に溶解し
得る。反応を行うために単一相液をガス状アルシンと圧
力下で接触させる。
オレフィン反応体と接触させて固体または液体酸触媒を
使用し得る。酸はオレフィンまたは単一相液体系中での
オレフィンとの溶液に溶解し得る。例えば、オレフィン
を炭化水素可溶性酸例えばオクタンスルホン酸またはド
デシルベンゼンスルホン酸と共に炭化水素溶媒に溶解し
得る。反応を行うために単一相液をガス状アルシンと圧
力下で接触させる。
酸はオレフィン反応体を含む有機液相と混和する固体
または液体であり得る。非混和性の液体触媒を用いる場
合、このものは液体の非酸化性強酸例えばH3PO4であり
得るか、または非酸化性強酸の水溶液であり得る。
または液体であり得る。非混和性の液体触媒を用いる場
合、このものは液体の非酸化性強酸例えばH3PO4であり
得るか、または非酸化性強酸の水溶液であり得る。
アルシン反応体としてモノアルキルアルシンを用いる
場合、このアルシンはオレフィンと共に溶液であり得
る。
場合、このアルシンはオレフィンと共に溶液であり得
る。
本発明の好適な具体例において、反応は2つの非混和
性の液相を有する液体と接触するアルシンガスを用いて
行う。1つの液相は酸触媒を含む水相である。アルシン
はこの水相にある程度溶解する。他の液相はオレフィン
を含む有機相及び溶媒を用いる場合は有機溶媒である。
反応速度を増加させるために2つの反応中に撹拌するよ
うに激しく撹拌することにより効率的に混合し得る。有
機溶媒の使用はオレフィン反応体の運搬剤(vehicle)
及びアルキルアルシン生成物に対する溶媒として好適で
ある。反応中に有機相と接触する触媒の量を増加させる
ために水溶液中で大量の酸触媒を用いる。アルシン反応
体及びアルキルまたはアラルキルアルシン生成物の酸化
を避けるために、反応器から酸化剤を除外する。
性の液相を有する液体と接触するアルシンガスを用いて
行う。1つの液相は酸触媒を含む水相である。アルシン
はこの水相にある程度溶解する。他の液相はオレフィン
を含む有機相及び溶媒を用いる場合は有機溶媒である。
反応速度を増加させるために2つの反応中に撹拌するよ
うに激しく撹拌することにより効率的に混合し得る。有
機溶媒の使用はオレフィン反応体の運搬剤(vehicle)
及びアルキルアルシン生成物に対する溶媒として好適で
ある。反応中に有機相と接触する触媒の量を増加させる
ために水溶液中で大量の酸触媒を用いる。アルシン反応
体及びアルキルまたはアラルキルアルシン生成物の酸化
を避けるために、反応器から酸化剤を除外する。
オレフィン反応体及びアルキルアルシン生成物に対し
て不活性な有機溶媒の使用は好ましいが、常に必要とは
限らない。60℃以上の沸点を有する不活性炭化水素が好
適な溶媒である。パラフイン性炭化水素例えば炭素原子
6〜12個を有する正及び分枝鎖状アルカンが適当な溶媒
である。生成物の分離を容易にするためにモノアルキル
及びジアルキルアルシン生成物と十分離れた沸点を有す
る溶媒を選ぶべきである。
て不活性な有機溶媒の使用は好ましいが、常に必要とは
限らない。60℃以上の沸点を有する不活性炭化水素が好
適な溶媒である。パラフイン性炭化水素例えば炭素原子
6〜12個を有する正及び分枝鎖状アルカンが適当な溶媒
である。生成物の分離を容易にするためにモノアルキル
及びジアルキルアルシン生成物と十分離れた沸点を有す
る溶媒を選ぶべきである。
いずれの反応体もガスである場合、付加反応は好まし
くは圧力下で行う。かかる場合に約7〜70気圧の範囲の
反応器圧力が通常適している。アルシンガスがアルシン
反応体である場合、反応器をアルシンで加圧することが
便利である。ガス状オレフィンに対しては液体の不活性
溶媒を用いることが好ましい。オレフィンに対してモル
過剰のアルシンを反応中に保持する。約25〜100℃の範
囲の反応温度を用いることができ、そして60〜95℃の反
応温度が通常好ましい。
くは圧力下で行う。かかる場合に約7〜70気圧の範囲の
反応器圧力が通常適している。アルシンガスがアルシン
反応体である場合、反応器をアルシンで加圧することが
便利である。ガス状オレフィンに対しては液体の不活性
溶媒を用いることが好ましい。オレフィンに対してモル
過剰のアルシンを反応中に保持する。約25〜100℃の範
囲の反応温度を用いることができ、そして60〜95℃の反
応温度が通常好ましい。
本発明の方法に通常の反応器は反応中に反応混合物を
一定に撹拌するための撹拌装置を有するオートクレーブ
である。反応時間は選ばれる反応体及び反応条件に依存
する。下記の実施例に用いる条件下では約4時間で十分
である。
一定に撹拌するための撹拌装置を有するオートクレーブ
である。反応時間は選ばれる反応体及び反応条件に依存
する。下記の実施例に用いる条件下では約4時間で十分
である。
実施例1 容量約3.8を有するオートクレーブ反応器にイソブ
チレン反応体400g、n−オクタン溶媒600g及び水性の70
%メタンスルホン酸触媒1000gを充填した。イソブチレ
ンに関してモル過剰のアルシン反応体の添加により反応
器は室温で約12.3気圧に加圧された。オートクレーブを
閉鎖し、そしてその内容物を4時間の反応時間一定に撹
拌しながら80〜95℃で加熱した。次に反応器を開放する
前に内容物を8℃に冷却した。未反応のアルシンを反応
器から排気した。液体反応生成混合物のガスクロマトグ
ラフイー分析によりモノ−1,1−ジメチルエチルアルシ
ン350g(収率36.6%)及びビス(1,1−ジメチルエチ
ル)アルシン85g(収率6.3%)の生成物が測定された。
液体生成混合物から分離した有機相を水で洗浄し、乾燥
し、次に68〜69℃で蒸留してモノ−1,1−ジメチルエチ
ルアルシンを分離した。更に反応生成物の蒸留によりビ
ス(ジメチルエチル)アルシンを分離した。
チレン反応体400g、n−オクタン溶媒600g及び水性の70
%メタンスルホン酸触媒1000gを充填した。イソブチレ
ンに関してモル過剰のアルシン反応体の添加により反応
器は室温で約12.3気圧に加圧された。オートクレーブを
閉鎖し、そしてその内容物を4時間の反応時間一定に撹
拌しながら80〜95℃で加熱した。次に反応器を開放する
前に内容物を8℃に冷却した。未反応のアルシンを反応
器から排気した。液体反応生成混合物のガスクロマトグ
ラフイー分析によりモノ−1,1−ジメチルエチルアルシ
ン350g(収率36.6%)及びビス(1,1−ジメチルエチ
ル)アルシン85g(収率6.3%)の生成物が測定された。
液体生成混合物から分離した有機相を水で洗浄し、乾燥
し、次に68〜69℃で蒸留してモノ−1,1−ジメチルエチ
ルアルシンを分離した。更に反応生成物の蒸留によりビ
ス(ジメチルエチル)アルシンを分離した。
実施例2〜8 第1表に示される変化以外は実施例1に記載の方法に
より、他のモノアルキル及びジアルキルアルシンを合成
した。
より、他のモノアルキル及びジアルキルアルシンを合成
した。
本発明により製造し得る化合物の例にはモノ1−メチ
ルエチルアルシン、モノ1−メチルプロピルアルシン、
モノ1,1−ジメチルエチルアルシン、モノ1−メチルブ
チルアルシン、モノ1,1−ジメチルプロピルアルシン、
モノ1,1−ジメチルブチルアルシン、モノ1,1−ジエチル
エチルアルシン、モノ1,1,2−トリメチルプロピルアル
シン、モノ1,1,3,3−テトラメチルブチルアルシン、モ
ノ1−メチルヘプチルアルシン、モノ1−メチルノニル
アルシン、モノα−メチルベンジルアルシン、モノα,
α−ジメチルベンジルアルシン、モノα−メチル(4−
メチルベンジル)アルシン、ビス(1−メチルエチル)
アルシン、ビス(1−メチルプロピル)アルシン、ビス
(1,1−ジメチルエチル)アルシン、ビス(1−メチル
ブチル)アルシン、ビス(1,1−ジメチルプロピル)ア
ルシン、ビス(1,1−ジメチルブチル)アルシン、ビス
(1,1,3,3−テトラメチルブチル)アルシン、ビス(α
−メチルベンジル)アルシンなどが含まれるがこれに限
定されない。
ルエチルアルシン、モノ1−メチルプロピルアルシン、
モノ1,1−ジメチルエチルアルシン、モノ1−メチルブ
チルアルシン、モノ1,1−ジメチルプロピルアルシン、
モノ1,1−ジメチルブチルアルシン、モノ1,1−ジエチル
エチルアルシン、モノ1,1,2−トリメチルプロピルアル
シン、モノ1,1,3,3−テトラメチルブチルアルシン、モ
ノ1−メチルヘプチルアルシン、モノ1−メチルノニル
アルシン、モノα−メチルベンジルアルシン、モノα,
α−ジメチルベンジルアルシン、モノα−メチル(4−
メチルベンジル)アルシン、ビス(1−メチルエチル)
アルシン、ビス(1−メチルプロピル)アルシン、ビス
(1,1−ジメチルエチル)アルシン、ビス(1−メチル
ブチル)アルシン、ビス(1,1−ジメチルプロピル)ア
ルシン、ビス(1,1−ジメチルブチル)アルシン、ビス
(1,1,3,3−テトラメチルブチル)アルシン、ビス(α
−メチルベンジル)アルシンなどが含まれるがこれに限
定されない。
本発明のある具体例において、オレフィンをモノアル
キルアルシンと反応させてジアルキル置換されたアルシ
ンを生成させる。例えば、イソブチレンをそれぞれモノ
1,1−ジメチルエチルアルシンと反応させてビス(1,1−
ジメチルエチル)アルシンを生成させ、モノ1−メチル
エチルアルシンと反応させて1−メチルエチル−1,1−
ジメチルエチルアルシンを生成させ、そしてモノメチル
アルシンと反応させてメチル1,1−ジメチルエチルアル
シンを生成させる。加えてかかる反応体の組合せにより
製造し得るジアルキル置換されたアルシンの例にはメチ
ル−1−メチルプロピルアルシン、メチル−1,1−ジメ
チルプロピルアルシン、1−メチルエチル−1,1−ジメ
チルプロピルアルシンなどが含まれるが、これに限定し
ない。
キルアルシンと反応させてジアルキル置換されたアルシ
ンを生成させる。例えば、イソブチレンをそれぞれモノ
1,1−ジメチルエチルアルシンと反応させてビス(1,1−
ジメチルエチル)アルシンを生成させ、モノ1−メチル
エチルアルシンと反応させて1−メチルエチル−1,1−
ジメチルエチルアルシンを生成させ、そしてモノメチル
アルシンと反応させてメチル1,1−ジメチルエチルアル
シンを生成させる。加えてかかる反応体の組合せにより
製造し得るジアルキル置換されたアルシンの例にはメチ
ル−1−メチルプロピルアルシン、メチル−1,1−ジメ
チルプロピルアルシン、1−メチルエチル−1,1−ジメ
チルプロピルアルシンなどが含まれるが、これに限定し
ない。
本発明の方法により得られるモノアルキル及びジアル
キルアルシンは有機相の相分離及び蒸留により液体反応
生成混合物から容易に分離し得る。MOCVDにおけるアル
キルアルシンの使用に対する極めて高純度の必要性は更
に続いての精製を必要とし、このことは再蒸留により容
易に達成され得る。その合成には金属含有反応体を使用
しないため、本発明の方法により製造される生成物から
金属の除去を必要としない。
キルアルシンは有機相の相分離及び蒸留により液体反応
生成混合物から容易に分離し得る。MOCVDにおけるアル
キルアルシンの使用に対する極めて高純度の必要性は更
に続いての精製を必要とし、このことは再蒸留により容
易に達成され得る。その合成には金属含有反応体を使用
しないため、本発明の方法により製造される生成物から
金属の除去を必要としない。
Claims (1)
- 【請求項1】アルシンと3〜12個の炭素原子を有するオ
レフインとを酸触媒を用いて反応させることを特徴とす
るアルキルアルシンの合成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/145,935 US4857655A (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Process for making alkyl arsine compounds |
US145935 | 1988-01-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01233291A JPH01233291A (ja) | 1989-09-19 |
JP2771210B2 true JP2771210B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=22515200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1006100A Expired - Lifetime JP2771210B2 (ja) | 1988-01-20 | 1989-01-17 | アルキルアルシンの製造法 |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2771210B2 (ja) |
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AT (1) | ATE111916T1 (ja) |
CA (1) | CA1339561C (ja) |
DE (1) | DE3851618T2 (ja) |
ES (1) | ES2059480T3 (ja) |
IE (1) | IE65953B1 (ja) |
IL (1) | IL88732A (ja) |
MX (1) | MX166037B (ja) |
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DE3812180A1 (de) * | 1988-04-13 | 1989-10-26 | Preussag Pure Metals Gmbh | Metallorganische verbindungen zur verwendung im elektronischen bereich |
US4900855A (en) * | 1988-12-14 | 1990-02-13 | Cvd Incorporated | Chemical process for obtaining high purification of monoalkylarsines and dialkylarsines and purified mono- and dialkylarsines |
US4999223A (en) * | 1990-02-22 | 1991-03-12 | Cvd Incorporated | Chemical vapor deposition and chemicals with diarsines and polyarsines |
US5068372A (en) * | 1990-07-16 | 1991-11-26 | Cvd Incorporated | Method for the synthesis of primary arsines |
US5260485A (en) * | 1991-07-11 | 1993-11-09 | American Cyanamid Company | Process of making alkyl phosphine compounds by reacting an olefin and a phosphine in the vapor phase over a mineral acid catalyst |
US5274149A (en) * | 1991-07-11 | 1993-12-28 | American Cyanamid Company | Process for making alkyl arsine compounds |
KR100852361B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2008-08-14 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 트리알킬 va족 금속 화합물 |
US6956127B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-10-18 | Shipley Company, L.L.C. | Alkyl group VA metal compounds |
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---|---|---|---|---|
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US4605812A (en) * | 1984-06-05 | 1986-08-12 | Phillips Petroleum Company | Process for removal of arsenic from gases |
US4857655A (en) * | 1988-01-20 | 1989-08-15 | American Cyanamid Company | Process for making alkyl arsine compounds |
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- 1988-12-19 ES ES88121232T patent/ES2059480T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-19 AT AT88121232T patent/ATE111916T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-12-19 EP EP88121232A patent/EP0324958B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-19 DE DE3851618T patent/DE3851618T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-20 IL IL88732A patent/IL88732A/xx not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-01-05 MX MX014444A patent/MX166037B/es unknown
- 1989-01-05 MY MYPI89000010A patent/MY104389A/en unknown
- 1989-01-17 JP JP1006100A patent/JP2771210B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-18 CA CA000588487A patent/CA1339561C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-19 KR KR1019890000535A patent/KR0138525B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-01-19 IE IE15189A patent/IE65953B1/en not_active IP Right Cessation
- 1989-06-19 US US07/368,499 patent/US5003093A/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
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CA1339561C (en) | 1997-11-25 |
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IL88732A0 (en) | 1989-07-31 |
US4857655A (en) | 1989-08-15 |
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EP0324958A3 (en) | 1990-09-19 |
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