JP2761559B2 - Data generator for semiconductor memory test - Google Patents

Data generator for semiconductor memory test

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【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は半導体メモリを試験するための書き込みデ
ータや読み出し時の期待値データを演算により発生する
半導体メモリ試験用データ発生装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory test data generator that generates write data for testing a semiconductor memory and expected value data at the time of reading by calculation.

「従来の技術」 従来の半導体メモリ試験用データ発生装置は第4図に
示すように、プログラム記述に従ったプログラム実行シ
ーケンスを制御するプログラムカウンタ11の計数値がア
ドレスとして演算命令格納部12に与えられて、演算命令
が読み出され、その演算命令に従って、データ発生器13
はバッファレジスタ14内のデータを初期値として+1,−
1などの演算を行ってデータを出力する。このデータは
被試験半導体メモリに書き込み時の書き込みデータとし
て、又は読み出し時の期待値データとして供給される。
[Prior Art] As shown in FIG. 4, in a conventional semiconductor memory test data generator, a count value of a program counter 11 for controlling a program execution sequence according to a program description is given to an operation instruction storage unit 12 as an address. The operation instruction is read out, and the data generator 13 is read in accordance with the operation instruction.
Are the data in the buffer register 14 as +1 and −
An operation such as 1 is performed to output data. This data is supplied to the semiconductor memory under test as write data at the time of writing or as expected value data at the time of reading.

「発明が解決しようとする課題」 近年半導体メモリの多様化に伴い、いろいろな動作モ
ードを持ったASM(Application Specific Memory)ICが
登場して来た。このASM ICは例えばRAMとSAMとを内蔵
し、データをRAMに入力するとRAMからSAMへデータを転
送するモード、また出力データと入力データとを演算
し、その演算結果を記憶するモード、指定されたビット
だけを書き込むモードなど各種の動作モードがあり、外
部から入力された動作モードデータに応じた動作モード
に設定されてその動作モードで動作する。
[Problems to be Solved by the Invention] In recent years, with the diversification of semiconductor memories, ASM (Application Specific Memory) ICs having various operation modes have appeared. This ASM IC has, for example, a built-in RAM and a SAM. When data is input to the RAM, a mode in which data is transferred from the RAM to the SAM, and a mode in which output data and input data are calculated and the calculation result is stored are designated. There are various operation modes, such as a mode for writing only the set bits, and an operation mode is set according to the operation mode data input from the outside, and the operation is performed in the operation mode.

この動作モードを設定する動作モードデータは動作モ
ードに固有のデータであり、かつ、この動作モードデー
タはランダムにASM ICへ入力される。このようなASM IC
を試験する場合は、アドレス、書き込みデータ、期待値
データを発生するのみならず、動作モードデータも発生
してASM ICへ供給してやる必要がある。しかし、第4図
に示した従来のデータ発生装置では+1,−1などの規則
正しい演算動作によりデータを発生するため、動作モー
ドデータを簡単に発生させることができなかった。
The operation mode data for setting the operation mode is data unique to the operation mode, and the operation mode data is randomly input to the ASM IC. Such an ASM IC
In the test, it is necessary to generate not only the address, the write data, and the expected value data but also generate the operation mode data and supply it to the ASM IC. However, in the conventional data generator shown in FIG. 4, since data is generated by a regular operation such as +1 or -1, operation mode data cannot be easily generated.

「課題を解決するための手段」 この発明によれば被試験メモリの動作モードを設定す
る動作モードデータが動作モードデータ格納ファイルに
格納され、演算命令格納部に、その各命令ごとに、動作
モードデータ格納ファイル内の動作モードデータを選択
出力するための選択信号が格納された動作モードデータ
選択信号格納部と、上記各命令ごとにセレクタ制御デー
タを格納するセレクタ制御データ格納部とが設けられ
る。従って演算命令格納部から1つの演算命令が読み出
されると共に、動作モードデータ選択信号及びセレクタ
制御データが読み出され、その読み出されたセレクタ制
御データにより、読み出された演算命令に応じてデータ
発生器で演算されたデータか、読み出された動作モード
データ選択信号により動作モードデータ格納ファイルか
ら選択された動作モードデータからの何れかがデータセ
レクタで選択されて被試験メモリに出力される。
According to the present invention, operation mode data for setting an operation mode of a memory under test is stored in an operation mode data storage file, and an operation mode is stored in an operation instruction storage unit for each instruction. An operation mode data selection signal storage unit storing a selection signal for selectively outputting operation mode data in the data storage file, and a selector control data storage unit storing selector control data for each instruction are provided. Therefore, one operation instruction is read out from the operation instruction storage unit, the operation mode data selection signal and the selector control data are read out, and the read selector control data is used to generate data according to the read out operation instruction. Either the data calculated by the device or the operation mode data selected from the operation mode data storage file by the read operation mode data selection signal is selected by the data selector and output to the memory under test.

「作 用」 このように構成されているから、プログラムカウンタ
により演算命令格納部から読み出した演算命令にもとず
き、データ発生器で、演算により書き込みデータ又は期
待値データを順次発生して被試験メモリへ供給すると共
に、その順次発生されるデータの途中に動作モードデー
タ選択信号が読み出され、これにより動作モードデータ
格納ファイルから動作モードデータが選出され、これが
被試験メモリへ供給される。従って演算により発生した
書き込みデータ又は期待値データを出力してメモリを試
験しながら、その途中でそのメモリの動作モードを変更
して試験を連続的に行うことができる。
[Operation] With this configuration, based on the operation instruction read from the operation instruction storage unit by the program counter, the data generator sequentially generates write data or expected value data by the operation and receives the data. The operation mode data selection signal is read in the middle of the sequentially generated data while being supplied to the test memory, whereby the operation mode data is selected from the operation mode data storage file and supplied to the memory under test. Therefore, while the memory is tested by outputting the write data or the expected value data generated by the operation, the operation mode of the memory can be changed in the middle of the test to continuously perform the test.

「実施例」 第1図にこの発明の実施例を示し、第4図と対応する
部分に同一符号を付けてある。この発明においては被試
験メモリの各動作モードをそれぞれ設定する各動作モー
ドデータが動作モードデータ格納ファイル21に格納され
ている。また演算命令格納部12に、その各命令ごとに動
作モードデータ格納ファイル21内の動作モードデータを
選択出力するための選択信号が格納された動作モードデ
ータ選択信号格納部22と、上記各命令ごとにセレクタ制
御データを格納するセレクタ制御データ格納部23とが設
けられる。例えば動作モードデータ格納ファイル21は半
導体メモリであってその1アドレスについて1つの動作
モードデータが記憶され、動作モードデータ選択信号は
ファイル21としてのメモリの1つのアドレスを指示する
ものである。アドレスカウンタ11の各計数値ごとに演算
命令格納部12と、動作モードデータ選択信号格納部22
と、セレクタ制御データ格納部23とがそれぞれ読み出さ
れる。
"Embodiment" FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which parts corresponding to those in FIG. In the present invention, each operation mode data for setting each operation mode of the memory under test is stored in the operation mode data storage file 21. An operation mode data selection signal storage unit 22 in which a selection signal for selecting and outputting operation mode data in an operation mode data storage file 21 for each instruction is stored in the operation instruction storage unit 12; And a selector control data storage unit 23 for storing selector control data. For example, the operation mode data storage file 21 is a semiconductor memory, in which one operation mode data is stored for one address, and the operation mode data selection signal indicates one address of the memory as the file 21. An operation instruction storage unit 12 and an operation mode data selection signal storage unit 22 for each count value of the address counter 11
And the selector control data storage unit 23 are read.

その読み出された演算命令はデータ発生器13へ供給さ
れ、読み出された選択信号は動作モードデータ格納ファ
イル21にアドレスとして供給されてファイル21が読み出
され、読み出されたセレクタ制御データはセレクト信号
発生部24へ供給される。データ発生器13は従来のものと
同様に入力された演算命令に応じて、バッファレジスタ
14のデータを初期値として+1,−1などの演算を行い、
その演算結果のデータセレクタ25に一方の入力として供
給する。動作モードデータ格納ファイル21から読み出さ
れた動作モードデータはデータセレクタ25に他方の入力
として供給される。セレクト信号発生部24は入力された
セレクタ制御データに応じたセレクト信号を発生してデ
ータセレクタ25に制御信号として供給する。データセレ
クタ25は入力されたセレクト信号が“0"の時はデータ発
生器13の出力データを出力し、セレクト信号が“1"の時
は動作モードデータ格納ファイル21の出力動作モードデ
ータを出力する。
The read operation instruction is supplied to the data generator 13, the read selection signal is supplied as an address to the operation mode data storage file 21, the file 21 is read, and the read selector control data is read. It is supplied to the select signal generator 24. The data generator 13 operates in the buffer register in accordance with the input
Perform calculations such as +1 and -1 with the 14 data as initial values,
The calculation result is supplied to the data selector 25 as one input. The operation mode data read from the operation mode data storage file 21 is supplied to the data selector 25 as the other input. The select signal generator 24 generates a select signal according to the input selector control data and supplies the select signal to the data selector 25 as a control signal. The data selector 25 outputs the output data of the data generator 13 when the input select signal is “0”, and outputs the output operation mode data of the operation mode data storage file 21 when the select signal is “1”. .

プログラムカウンタ11が1だけ歩進すると、その計数
値をアドレスとして、演算命令格納部12、動作モードデ
ータ選択信号格納部22、セレクタ制御データ格納部23が
読み出され、その読み出された演算命令に応じてデータ
発生器13からデータが発生され、読み出された動作モー
ドデータ選択信号により動作モードデータ格納ファイル
21から動作モードデータが読み出され、読み出されたセ
レクタ制御データにより、セレクト信号発生部24から例
えば第2図に示すように1テストサイクルの初めの部分
が“1"、その後は“0"となるセレクト信号を出力する。
このセレクト信号が“1"の間はデータセレクタ25から、
動作モードデータ格納ファイル21の出力動作モードデー
タが出力され、この時、制御信号▲▼の立下りで
被試験メモリにその動作モードデータが設定され、セレ
クト信号が“0"となっている間はデータセレクタ25から
データ発生器13の出力データが出力され、この時、制御
信号▲▼の立下りで被試験メモリにデータ発生器
13の出力データが書き込まれる。
When the program counter 11 advances by one, the operation instruction storage unit 12, the operation mode data selection signal storage unit 22, and the selector control data storage unit 23 are read out using the count value as an address, and the read operation instruction is read out. The data is generated from the data generator 13 in accordance with the operation mode data selection signal read from the operation mode data storage file.
The operation mode data is read out from the selector 21, and the selector control data read out causes the select signal generator 24 to output, for example, "1" at the beginning of one test cycle as shown in FIG. Is output.
While this select signal is “1”, the data selector 25
The output operation mode data of the operation mode data storage file 21 is output. At this time, the operation mode data is set in the memory under test at the falling of the control signal ▲ ▼, and while the select signal is “0”, The output data of the data generator 13 is output from the data selector 25. At this time, the data generator
Thirteen output data are written.

なお、1テストサイクルを単位としてデータセレクタ
25の選択制御を行ってもよい。この場合はセレクタ制御
データは1ビットで、これを直接、データセレクタ25へ
セレクト信号として供給してもよい。またこの場合はセ
レクタ制御データが“1"のアドレスにおいては演算命令
は記憶されることなく、動作モードデータ選択信号のみ
が記憶され、セレクタ制御データが“0"のアドレスにお
いては演算命令のみが記憶され、動作モードデータ選択
信号は記憶されない。動作モードデータ格納ファイル21
としてはレジスタを使用してもよい。例えば第3図に示
すようにレジスタ211〜21nにそれぞれ動作モードデータ
を格納しておき、これら動作モードデータを、マルチプ
レクサ26により動作モードデータ選択信号に応じて選択
出力するようにしてもよい。データ発生器13の出力演算
結果データを動作モードデータ格納ファイル21に格納
し、後に、必要に応じて動作モードデータ格納ファイル
21内の演算結果データを読み出して出力することもでき
る。
Note that the data selector is used in units of one test cycle.
25 selection controls may be performed. In this case, the selector control data is one bit, and may be directly supplied to the data selector 25 as a select signal. In this case, the operation instruction is not stored at the address where the selector control data is “1”, and only the operation mode data selection signal is stored. At the address where the selector control data is “0”, only the operation instruction is stored. And the operation mode data selection signal is not stored. Operation mode data storage file 21
May be used as a register. For example it is stored respectively operating mode data in the register 21 1 through 21 n, as shown in FIG. 3, these operating mode data may be selectively output in accordance with the operation mode data selection signal by the multiplexer 26 . The output operation result data of the data generator 13 is stored in the operation mode data storage file 21, and the operation mode data storage file
The operation result data in 21 can also be read and output.

「発明の効果」 以上述べたようにこの発明によれば演算命令格納部12
に、動作モードデータ選択信号格納部22とセレクタ制御
データ格納部23とを設け、アドレスカウンタ11により読
み出し、その読み出した動作モードデータ選択信号で動
作モードデータ格納ファイル21から動作モードデータを
選択し、読み出したセレクタ制御データによりデータ発
生器13の出力データか、選択した動作モードデータかの
何れかを出力するため、ASM ICに対して、動作モードの
設定を変化させながら、実時間で試験することができる
試験データ、つまり書き込みデータや期待値データを順
次発生させ、その途中に動作モードデータを挿入発生さ
せることができる。
[Effect of the Invention] As described above, according to the present invention, the operation instruction storage unit 12
Provided with an operation mode data selection signal storage unit 22 and a selector control data storage unit 23, read by the address counter 11, and select operation mode data from the operation mode data storage file 21 by the read operation mode data selection signal; To output either the output data of the data generator 13 or the selected operation mode data based on the read selector control data, test the ASM IC in real time while changing the operation mode setting Test data, that is, write data and expected value data can be sequentially generated, and operation mode data can be inserted and generated in the middle thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の実施例を示すブロック図、第2図は
その動作例を示すタイムチャート、第3図は動作モード
データ格納ファイル21の他の例を示すブロック図、第4
図は従来の半導体メモリ試験用データ発生装置を示すブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a time chart showing an operation example thereof, FIG. 3 is a block diagram showing another example of the operation mode data storage file 21, and FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing a conventional semiconductor memory test data generator.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】プログラムカウンタによりアドレス指定さ
れて演算命令格納部から演算命令が読み出され、その読
み出された演算命令に応じた演算をデータ発生器で行わ
せ、その演算結果のデータを被試験メモリへ書き込みデ
ータ又は期待値データとして供給する半導体メモリ試験
用データ発生装置において、 被試験メモリの動作モードを設定する動作モードデータ
が格納された動作モードデータ格納ファイルと、 上記演算命令格納部にその各命令ごとに設けられ、上記
動作モードデータ格納ファイル内の動作モードデータを
選択出力するための選択信号が格納された動作モードデ
ータ選択信号格納部と、上記各命令ごとに設けられたセ
レクタ制御データを格納するセレクタ制御データ格納部
と、 上記演算命令格納部のセレクタ制御データ格納部から読
み出されたセレクタ制御データに応じて、上記データ発
生器の出力演算データと上記動作モードデータ格納ファ
イルから選択された動作モードデータとの何れかを選択
して被試験メモリへ出力するデータセレクタと、 を具備することを特徴とする半導体メモリ試験用データ
発生装置。
An operation instruction is read from an operation instruction storage unit by addressing by a program counter, an operation corresponding to the read operation instruction is performed by a data generator, and data of the operation result is received. In a semiconductor memory test data generator for supplying write data or expected value data to a test memory, an operation mode data storage file storing operation mode data for setting an operation mode of the memory under test is stored in the operation instruction storage unit. An operation mode data selection signal storage section provided for each of the instructions and storing a selection signal for selectively outputting operation mode data in the operation mode data storage file; and a selector control provided for each of the instructions. A selector control data storage unit for storing data; and a selector control data storage for the operation instruction storage unit. Data to select and output to the memory under test any one of the operation data output from the data generator and the operation mode data selected from the operation mode data storage file according to the selector control data read from the section A data generator for testing a semiconductor memory, comprising: a selector;
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