JPH08327703A - Memory architecture for automatic testing device using vector module table - Google Patents

Memory architecture for automatic testing device using vector module table

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JPH08327703A
JPH08327703A JP7225347A JP22534795A JPH08327703A JP H08327703 A JPH08327703 A JP H08327703A JP 7225347 A JP7225347 A JP 7225347A JP 22534795 A JP22534795 A JP 22534795A JP H08327703 A JPH08327703 A JP H08327703A
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pattern
module
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ピーター・エイ・レイチャート
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a tester having a high speed flexible pattern generator which cab be implemented easily using an easily available memory. SOLUTION: The tester 100 comprises a pattern memory 116 for storing a test vector comprising modules 1,..., N. The sequence for executing the modules 1,..., N is selected from a list stored in the memory. A memory operable in burst mode is employed for implementing the pattern memory 116. In order to compensate for the delay of data rate occurring in the way of burst when the execution is switched between modules, the refresh rate of memory is modified dynamically at the time of switching the modules 1,..., N.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、広くは自動テスト装置
に関し、更に詳しくは、自動テスト装置のパターン発生
部分のためのメモリ・アーキテクチャに関する。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates generally to automatic test equipment, and more particularly to a memory architecture for the pattern generation portion of an automatic test equipment.

【0002】[0002]

【発明の背景】自動テスト装置(単に、「テスタ」と称
する)は、電子素子及びデバイスを製造の段階でテスト
するのに用いられる。テスタは、被試験デバイス(DU
T)に接続する多数の信号ライン(「チャンネル」と称
する)を有する。刺激信号がこれらのラインの中の幾つ
かに印加され、DUTの応答が他のライン上で測定され
る。DUTから受信された応答を予測される応答と比較
することによって、DUTにおける故障が検出され得
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION Automated test equipment (simply referred to as "testers") is used to test electronic devices and devices during manufacturing. The tester is a device under test (DU
It has a number of signal lines (referred to as "channels") connected to T). A stimulus signal is applied to some of these lines and the DUT's response is measured on the other lines. A failure in the DUT can be detected by comparing the response received from the DUT with the expected response.

【0003】最新技術のテスト・システムは、「パター
ン」と呼ばれるプログラムを走らせる(ランする)非常
に高速のコンピュータによって制御されている。パター
ンは、印加されるべき刺激信号に関する情報と、これら
の信号が印加されるべき順序と、DUTからの予測され
る応答と、を含む。テスタの任意のサイクルに対するこ
の情報は、「ベクトル」と呼ばれる。よって、このパタ
ーンは、一連のベクトルから構成されている。VLSI
素子をテストするように設計されたテスタのための典型
的なパターンは、100万を超えるベクトルを有し得
る。
State of the art test systems are controlled by a very fast computer running a program called a "pattern". The pattern contains information about the stimulation signals to be applied, the order in which these signals should be applied, and the expected response from the DUT. This information for any cycle of the tester is called a "vector". Therefore, this pattern consists of a series of vectors. VLSI
A typical pattern for a tester designed to test a device can have over a million vectors.

【0004】テスタは、幾つかの理由で最新技術の速度
で動作しなければならない。第1に、製造業者はできる
だけ多くの製品を可能な限り迅速に作ることを欲するの
で、各テストはできるだけ迅速に完了することが望まれ
る。第2に、素子におけるある種の故障は、そのデバイ
スがその意図された動作速度で動作されなければ検出さ
れない。最新技術の速度でテスタが動作するのを可能に
するために、パターンは、非常に高速のRAMメモリに
記憶される。
Testers must operate at state-of-the-art speeds for several reasons. First, manufacturers want to make as many products as quickly as possible, so it is desirable that each test be completed as quickly as possible. Second, certain failures in the device will not be detected unless the device is operated at its intended operating speed. To allow the tester to operate at state-of-the-art speeds, the patterns are stored in very fast RAM memory.

【0005】テスタは、大量のRAMを用いる。典型的
なテスタは、およそ400万のベクトルを記憶する必要
がある。各ベクトルは、テスタにおける各チャンネルに
対して、数ビットのデータを含む。最大で512ビット
が1つのテスタの中のチャンネルの典型的な数である。
更に、各ベクトルは、数ビットの制御情報を含む。最終
的な結果としては、テスタは、典型的には、750メガ
バイトの範囲のRAMを含む。このメモリのすべてに対
して最も進んだRAMだけを用いるとすると、結果的
に、あまりに高価なテスタになってしまう。
The tester uses a large amount of RAM. A typical tester needs to store approximately 4 million vectors. Each vector contains several bits of data for each channel in the tester. Up to 512 bits is a typical number of channels in a tester.
Furthermore, each vector contains several bits of control information. The net result is that testers typically include RAM in the 750 megabyte range. Using only the most advanced RAM for all of this memory would result in a too expensive tester.

【0006】むしろ、RAMを選択することに関して
は、速度とコストとフレキシビリティとの間にトレード
オフが存在する。フレキシビリティとは、連続するメモ
リ・サイクルにおいてアクセスされ得るメモリ・アドレ
スの範囲を指す。最大のフレキシビリティは、任意のア
ドレスが任意のサイクルでアクセスされ得る場合に生じ
る。最小のフレキシビリティは、シーケンス状のアドレ
スだけしか連続するサイクルにおいてアクセスされ得な
い場合に生じる。与えられたフレキシビリティのレベル
に対しては、メモリが高速であればそれだけコストも上
昇する。同様にして、速度が与えられれば、メモリのパ
フォーマンスが優れていればそれだけコストが上昇す
る。
Rather, there is a trade-off between speed, cost and flexibility when it comes to RAM selection. Flexibility refers to the range of memory addresses that can be accessed in consecutive memory cycles. Maximum flexibility occurs when any address can be accessed in any cycle. Minimal flexibility occurs when only sequential addresses can be accessed in consecutive cycles. For a given level of flexibility, faster memory costs more. Similarly, for a given speed, the better the memory performance, the higher the cost.

【0007】典型的には、フレキシビリティは、合理的
なコストで適切な速度を得るためには、犠牲にされる。
テスタでは、ベクトルは、パターン・メモリに書き込ま
れたのと全く同じ順序で実行される。テスタのユーザ
は、そのような制限があることを好まない。パターンの
全体を実行されるべき順序と全く同じ順序で開発するこ
とは、時には、困難である。テスト技術者は、テスト・
パターンを書くという問題に、DUTを種々の機能要素
にセグメント化し、各機能要素をテストするためのパタ
ーンを書くことによって、アプローチするのを通常は好
む。メモリにおいてベクトルのシーケンシャルな実行を
要求すると、ルーピング及びブランチング等の制御構成
をパターンにおいて用いることができなくなる。シーケ
ンシャルな実行の別の短所は、異なる機能要素をテスト
したり1つの機能要素に対して異なるテストを行うのに
必要な幾つかのステップが同じであることがよくあるの
で、生じる。たとえば、DUTに対しては、全体がテス
トされるように、反復的に初期化(イニシャライゼーシ
ョン)シーケンスを行うことがしばしば必要になる。パ
ターンがメモリに書き込まれる順序でしか実行されない
場合には、この初期化シーケンスは、用いられるたびに
メモリに書き込まれなければならない。同じ組のベクト
ルの複数のコピーを作成することはメモリにおけるスペ
ースを浪費するし、すべてのコピーを変更しなければな
らないのでテスト技術者がテスト・パターンを変更する
ことを困難にする。
[0007] Typically, flexibility is sacrificed in order to get the proper speed at a reasonable cost.
In the tester, the vectors are executed in exactly the same order that they were written to the pattern memory. Tester users do not like such restrictions. It is sometimes difficult to develop the entire pattern in exactly the same order that it should be executed. Test technicians
We usually prefer to approach the problem of writing patterns by segmenting the DUT into various functional elements and writing patterns to test each functional element. The requirement for sequential execution of vectors in memory precludes the use of control structures such as looping and branching in patterns. Another disadvantage of sequential execution arises because the steps required to test different functional elements or different functional elements often are the same. For example, for DUTs, it is often necessary to perform an iterative initialization sequence so that the whole is tested. If the patterns are only executed in the order they are written to memory, then this initialization sequence must be written to memory each time it is used. Making multiple copies of the same set of vectors wastes space in memory and makes it difficult for a test engineer to change the test pattern because all copies must be changed.

【0008】テスタはコンピュータ・ワークステーショ
ンに接続され制御されるので、幾らかのフレキシビリテ
ィが得られる。ワークステーションは、大量のデータを
安価に記憶できるディスクや磁気テープなどの大容量の
記憶媒体を含む。ワークステーション上で、異なるパタ
ーンを開発して記憶し、次に、テストを行う必要のある
場合にテスタにロードし得る。
Since the tester is connected to and controlled by a computer workstation, it provides some flexibility. The workstation includes a large-capacity storage medium such as a disk or a magnetic tape that can store a large amount of data at low cost. On the workstation, different patterns may be developed and stored and then loaded into the tester when testing needs to be done.

【0009】異なるパターンの作成を容易にするために
は、ベクトルは、通常は、モジュールにグループ化され
る。各モジュールは、1つ又は複数の機能を実行するベ
クトルの集まりである。たとえば、1つのモジュール
は、DUTを初期化するためのベクトルを含み得る。別
のモジュールは、DUTの内部のレジスタをテストする
ためのベクトルを含み、また更に別のモジュールは、D
UTの内部の算術論理回路をテストするためのベクトル
を含み得る。パターンを作成するには、これらのモジュ
ールはワークステーション上で相互にリンクされ、テス
タのパターン・メモリにロードされる。
To facilitate the creation of different patterns, vectors are usually grouped into modules. Each module is a collection of vectors that perform one or more functions. For example, one module may include a vector to initialize the DUT. Another module contains a vector for testing registers inside the DUT, and yet another module is D
It may include a vector for testing arithmetic logic inside the UT. To create the pattern, these modules are linked together on the workstation and loaded into the tester's pattern memory.

【0010】モジュールの使用は、より容易に開発でき
デバッグできる部分に複雑なパターンを分解することを
可能にするという、更なる利点を有する。しかし、それ
で問題が完全に解決されるわけではない。新たなパター
ンをワークステーションからロードするプロセスには、
数分かかり得る。テスタは多くの部品を可能な限り迅速
にテストするために製造の過程で用いられのであるか
ら、テストされる各部品に対する数分の遅延は、加算さ
れて受け入れられない遅延となる。ワークステーション
を使用しても、コードにおいてベクトルのシーケンスを
反復することに起因するメモリの浪費は除去できない。
また、同様に、ブランチングやルーピングや同様の非シ
ーケンシャルな制御構成も可能にならない。
The use of modules has the further advantage of allowing complex patterns to be decomposed into parts that are easier to develop and debug. But that doesn't completely solve the problem. The process of loading a new pattern from the workstation includes:
It can take a few minutes. Since testers are used in the manufacturing process to test as many components as quickly as possible, the delays of a few minutes for each component tested add up to unacceptable delays. Using a workstation does not eliminate the memory waste caused by repeating a sequence of vectors in the code.
Also, similarly, no branching, looping or similar non-sequential control arrangements are possible.

【0011】制限的な非シーケンシャルな制御構成は、
実行される次のベクトルに対するアドレスが非常に少数
の可能性の中の1つに制限されている制御構成だけを許
容することによって、テスタの中に組み入れられてい
る。そのようなアプローチの1つは、パターン・メモリ
からの与えられたベクトルが、シーケンスにおける次の
ベクトルが実行される前に、特定の回数だけ実行される
ことを可能にすることである。このアプローチは、それ
によってパターンの幾つかのタイプに対してはパターン
・メモリに記憶されなければならないベクトルの数が減
少するという点で、有用な特徴を提供する。また、この
アプローチは、実行されるべき次のベクトルに対するメ
モリ・アドレスはカレント・アドレスと同じ又は1アド
レス高いという2つの値のうちの1つだけをとり得るの
で、テスタの回路を不当に複雑にすることはない。この
アプローチは、テスタが、ベクトルのグループを、反復
的に、又は、パターン・メモリに置かれた順序とは異な
る順序で実行することを許容しない。
A restrictive non-sequential control scheme is
It is incorporated into the tester by allowing only control configurations where the address for the next vector to be executed is limited to one of a very small number of possibilities. One such approach is to allow a given vector from the pattern memory to be executed a certain number of times before the next vector in the sequence is executed. This approach provides a useful feature in that it reduces the number of vectors that must be stored in the pattern memory for some types of patterns. Also, this approach unduly complicates the circuit of the tester because the memory address for the next vector to be executed can take only one of two values: the same as the current address or one address higher. There is nothing to do. This approach does not allow the tester to execute groups of vectors iteratively or in a different order than the order in which they were placed in the pattern memory.

【0012】次のアドレスに対する選択肢の数を制限し
ながら更なるフレキシビリティを与えるための別のアプ
ローチは、複数のメモリを提供することである。メモリ
の中の1つを、伝統的なコンピュータ・プログラミング
でのサブルーチンと同様に、テスト・パターンにおいて
反復されるベクトルのグループを含むようにプログラム
することができる。パターンが実行される間に、第1の
メモリにおけるベクトルは、「サブルーチン」ベクトル
が異なるメモリから実行されるべきことを示すベクトル
に到達するまで、シーケンシャルに実行される。ベクト
ルの実行は、ベクトルの実行が第1のメモリから再開す
るべきであることを示すベクトルに到達するまで、第2
のメモリに切り替わる。その後には、第1のメモリにお
けるベクトルは、シーケンシャルに実行される。サブル
ーチン・メモリにおけるベクトルが実行され得る回数に
は制限がなく、それによって、これらのベクトルをパタ
ーンの中の複数の場所で反復する必要が減少する。
Another approach to provide more flexibility while limiting the number of alternatives for the next address is to provide multiple memories. One of the memories can be programmed to contain a group of repeated vectors in a test pattern, similar to a subroutine in traditional computer programming. While the pattern is being executed, the vectors in the first memory are executed sequentially until the "subroutine" vector reaches a vector that indicates that it should be executed from a different memory. Execution of the vector continues until the vector execution reaches
Switch to the memory of. After that, the vectors in the first memory are executed sequentially. There is no limit to the number of times a vector in subroutine memory can be executed, thereby reducing the need to repeat these vectors at multiple places in the pattern.

【0013】このアプローチに関しては、バリエーショ
ンが可能である。Garciaへの米国特許第4502
127号には、大きなメモリとサブルーチン・メモリと
の両方から同時にデータを取得することによってベクト
ルが生じ得る、というバリエーションが記載されてい
る。特公昭52−144125号公報には、「サブルー
チン」がメイン・パターンと同じメモリの異なる領域に
おいて実現される、というバリエーションが記載されて
いる。これらのすべてのアプローチで、パターンを記憶
するのに必要なメモリの量が削減されている。
Variations on this approach are possible. U.S. Pat. No. 4502 to Garcia
No. 127 describes a variation in that a vector can be created by simultaneously obtaining data from both a large memory and a subroutine memory. Japanese Patent Publication No. 52-144125 describes a variation in which a "subroutine" is realized in a different area of the same memory as the main pattern. All of these approaches reduce the amount of memory required to store the pattern.

【0014】ベクトルを実行する順序において更なるフ
レキシビリティを与える必要性は、複数のメモリを用い
ることによってももたらされる。商用のシステムでは、
1つのメモリが、非常に大型でフレキシビリティをもた
ない。第2のメモリが、はるかにフレキシビリティを有
しブランチングやルーピングを許容するが、非常に小さ
い。
The need to provide additional flexibility in the order in which the vectors are executed also comes from the use of multiple memories. In a commercial system,
One memory is very large and inflexible. The second memory is much more flexible and allows branching and looping, but is very small.

【0015】この基本アプローチの種々の実現が可能で
ある。Gilletteへの米国特許第4451918
号には、2つのバンクのメモリを有するテスタが記載さ
れている。一方のバンクは、多数のベクトルを記憶する
ダイナミックRAMである。他方のバンクは、それより
も少数のベクトルを記憶するスタティックRAMであ
る。ベクトルは、小さいほうのスタティックRAMから
実行される。大きなパターンを走らせるためには、ベク
トルは、ブロックで、スタティックRAMにロードされ
る。スタティックRAMを再ロードすることによって生
じる遅延を回避するために、スタティックRAMのバン
クは2つのメモリを含み、一方のメモリは、ベクトルが
他方から実行されている間に再ロードされる。しかし、
このアプローチは、ベクトルが非シーケンシャルな順序
で実行される必要がある場合には実行されるべき次のベ
クトルはベクトルを実行するのに現に用いられているス
タティックRAMに含まれていなければならない、とい
う点で制限される。
Various implementations of this basic approach are possible. US Patent No. 4,451,918 to Gillette
The issue describes a tester with two banks of memory. One bank is a dynamic RAM that stores a large number of vectors. The other bank is a static RAM that stores a smaller number of vectors. The vector is executed from the smaller static RAM. To run large patterns, vectors are loaded into static RAM in blocks. To avoid the delay caused by reloading the static RAM, the bank of static RAM contains two memories, one memory being reloaded while the vector is being executed from the other. But,
This approach states that if a vector needs to be executed in non-sequential order, the next vector to be executed must be contained in the static RAM currently used to execute the vector. Limited in points.

【0016】Russo他への米国特許第487521
0号には、シーケンシャルな順序でベクトルを実行しな
ければならない大きなダイナミックRAMと、シーケン
シャルな順序では実行されないベクトルを含むそれより
も小さいスタティックRAMと、をやはり含むテスタ・
システムが記載されている。この米国特許では、テスト
・パターンは、テスタ内にロードされるのに先立って、
ベクトルのシーケンシャル及び非シーケンシャルなブロ
ックに分割される。
US Pat. No. 4,875,521 to Russo et al.
Tester 0 also contains a large dynamic RAM that must execute vectors in sequential order, and a smaller static RAM that contains vectors that do not execute in sequential order.
The system is described. In this U.S. patent, the test pattern is loaded prior to being loaded into the tester.
The vector is divided into sequential and non-sequential blocks.

【0017】異なるタイプのメモリを用いることによっ
て、フレキシビリティとコストとの間のトレードオフが
可能になる。フレキシブルなメモリは非常に高価であ
り、倹約して用いなければならない。その結果として、
フレキシブルなメモリのサイズは、通常は制限される。
典型的なテスタは、僅かに1000のベクトルを記憶す
るフレキシブルなメモリを有する。この制限された量の
メモリでは、しばしば、不適切である。
The use of different types of memory allows a trade-off between flexibility and cost. Flexible memory is very expensive and must be used sparingly. As a result,
The size of flexible memory is usually limited.
A typical tester has a flexible memory that stores only 1000 vectors. This limited amount of memory is often inadequate.

【0018】これらの技術の多くは市販のテスタにおい
て同時に用いられてきたが、依然として、フレキシブル
にプログラムが可能であって比較的コストの低い市販の
メモリを用いて実現できるテスタに対する必要性が存在
している。
While many of these techniques have been used simultaneously in commercial testers, there is still a need for a tester that can be implemented using commercially programmable memory that is flexible and relatively inexpensive. ing.

【0019】[0019]

【発明の概要】以上の背景を念頭におくと、本発明の目
的は、ベクトルの大きなモジュールをパターン内でこれ
らのベクトルを反復せずに1パターンの間に複数回実行
することを可能にしながら高速で動作するテスタを提供
することである。
SUMMARY OF THE INVENTION With the above background in mind, it is an object of the present invention to allow large modules of vectors to be executed multiple times during a pattern without repeating these vectors within the pattern. It is to provide a tester that operates at high speed.

【0020】また、本発明の目的は、高速で動作し、ベ
クトルの大きなモジュールがループ状に反復して実行さ
れることを可能にするテスタを提供することである。
It is also an object of the present invention to provide a tester that operates at high speed and that allows large vector modules to be repeatedly executed in a loop.

【0021】また、本発明の更なる目的は、ベクトルの
大きなモジュールの実行順序を変更するように迅速に再
プログラムされ得るテスタを提供することである。
A further object of the present invention is to provide a tester that can be quickly reprogrammed to change the execution order of large vector modules.

【0022】また、以上の目的を支出可能なコストで実
現させることも、本発明の更なる目的である。
It is a further object of the present invention to realize the above object at a cost that can be spent.

【0023】以上の及びそれ以外の目的は、複数のモジ
ュールにセグメント化された大きなメモリを有するテス
タにおいて達成される。このテスタは、更に、各モジュ
ールの位置を大きなメモリに記憶するメモリ位置と、大
きなメモリにおいてメモリ・モジュールが実行されるべ
き順序を示すメモリ位置とを含む。パターンの実行は、
モジュールが実行されるべき順序をメモリから読み出
し、次に、各モジュールの位置に関するメモリに記憶さ
れた情報を用いて実行すべき次のベクトルの大きなメモ
リにおけるアドレスを決定することによって、達成され
る。
The above and other objects are achieved in a tester having a large memory segmented into multiple modules. The tester further includes a memory location that stores the location of each module in a large memory and a memory location that indicates the order in which the memory modules should be executed in the large memory. The execution of the pattern is
This is accomplished by reading the order in which the modules are to be executed from memory and then using the information stored in the memory regarding the location of each module to determine the address in large memory of the next vector to execute.

【0024】[0024]

【好適実施例の説明】図1は、本発明によるテスタ10
0を示す。動作中は、テスタ100は、何らかの非試験
デバイス(DUT)102に接続される。ここに説明す
る好適実施例は、VLSIチップをテストするのに特に
有用である。しかし、DUT102は、プリント回路
板、又はそれ以外の電子素子であり得る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 shows a tester 10 according to the present invention.
Indicates 0. In operation, tester 100 is connected to some non-test device (DUT) 102. The preferred embodiment described herein is particularly useful for testing VLSI chips. However, the DUT 102 may be a printed circuit board or other electronic device.

【0025】テスタ100は、ワークステーション10
4によって制御される。ワークステーション104は、
コンピュータと、キーボード及び画像表示端末などのユ
ーザ・インターフェースと、ディスク106などの大容
量記憶装置と、を含む。使用に際しては、パターンがワ
ークステーション104上で開発され、DUT102を
試験するためにテスタ100にロードされる。
The tester 100 is a workstation 10.
Controlled by 4. Workstation 104
It includes a computer, a user interface such as a keyboard and an image display terminal, and a mass storage device such as the disk 106. In use, the pattern is developed on the workstation 104 and loaded into the tester 100 to test the DUT 102.

【0026】テスタ100は、パターン発生器108を
含む。パターン発生器108は、パターン・データ・メ
モリ116Bとパターン制御メモリ116Aとの2つの
部分に分割されるパターン・メモリ116を含む。パタ
ーン・メモリ116に記憶される各ベクトルは、データ
・ビットと制御ビットとを含む。実現を容易にするため
に、この情報は、1つ又は複数のメモリに記憶される。
パターン・メモリ116のサイズは重要ではない。しか
し、好ましくは、16Mから64Mのベクトルの範囲に
ある。
The tester 100 includes a pattern generator 108. The pattern generator 108 includes a pattern memory 116 which is divided into two parts, a pattern data memory 116B and a pattern control memory 116A. Each vector stored in pattern memory 116 includes data bits and control bits. For ease of implementation, this information is stored in one or more memories.
The size of the pattern memory 116 is not important. However, it is preferably in the range of 16M to 64M vectors.

【0027】データ・ビットは、フォーマッタ110に
与えられる。フォーマッタ110は、パターン・データ
・メモリ116Bに記憶されたデータを受け取り適当な
電子信号をDUT102に印加する従来型の回路であ
る。フォーマッタ110は、また、DUT102から電
気信号を受け取り、その電気信号をパターン・データ・
メモリ116Bに記憶されたデータ値と比較する。この
比較の結果が、故障(failure)プロセッサ11
2に提供される。
The data bits are provided to formatter 110. Formatter 110 is a conventional circuit that receives data stored in pattern data memory 116B and applies the appropriate electronic signals to DUT 102. The formatter 110 also receives an electrical signal from the DUT 102 and outputs the electrical signal to pattern data.
The data value stored in the memory 116B is compared. The result of this comparison is the failure processor 11
Provided in 2.

【0028】故障プロセッサ112は、テスタの中に通
常見られる回路から成る。故障プロセッサ112は、D
UT102からの予測される信号が測定された信号とマ
ッチしない場合にエラーを認識し、故障に関する情報を
記憶する。故障情報は、次に、ワークステーション10
4に戻される。
The fault processor 112 comprises the circuits normally found in testers. The fault processor 112 is D
An error is recognized if the expected signal from the UT 102 does not match the measured signal and information about the failure is stored. The failure information is then displayed on the workstation 10
Returned to 4.

【0029】パターン制御メモリ116Aの中の情報
は、パターン発生器制御回路114に提供される。パタ
ーン制御メモリ116Aの中の情報は、パターン・メモ
リ116に記憶されたどのベクトルが次に実行されるべ
きかを示す。パターン発生器制御回路114は、この情
報を用いて、パターン・メモリ116のために、次のア
ドレスを計算する。たとえば、特定の回数だけベクトル
を反復するようにプログラムされ得るテスタにおいて
は、パターン制御メモリ116Aは、そのベクトルが反
復されるべきことと何回かを示す情報を記憶する。パタ
ーン発生器制御回路114は、次のアドレスに移る前
に、カレント・アドレスを特定の回数だけ反復する。
The information in pattern control memory 116A is provided to pattern generator control circuit 114. The information in pattern control memory 116A indicates which vector stored in pattern memory 116 should be executed next. The pattern generator control circuit 114 uses this information to calculate the next address for the pattern memory 116. For example, in a tester that can be programmed to repeat a vector a certain number of times, pattern control memory 116A stores information that indicates how many times the vector should be repeated. The pattern generator control circuit 114 repeats the current address a certain number of times before moving on to the next address.

【0030】パターン発生器108は、ワークステーシ
ョン104から制御され得る。ワークステーション10
4は、システム・バス120上を、パターン・メモリ1
16に対して情報を提供する。また、制御情報が、制御
ライン122上を供給される。しかし、コンピュータ・
システムにおけるバスはデータだけではなく制御情報も
運ぶために用いられ、システム・バス120上を制御信
号が運ばれ得ることを理解すべきである。パターン・メ
モリ116は、ロードするのに長い時間を要するので、
DUT102に関して試験が行われる前にシステム・バ
ス120上でロードすることが意図される。一般には、
多数の類似するデバイスが試験された後で、パターン・
メモリ116の内容が変更される。
The pattern generator 108 can be controlled from the workstation 104. Workstation 10
4 is a pattern memory 1 on the system bus 120.
Provide information to 16. Also, control information is provided on control line 122. But the computer
It should be appreciated that the buses in the system are used to carry control information as well as data, and control signals may be carried on the system bus 120. The pattern memory 116 takes a long time to load, so
It is intended to be loaded on the system bus 120 before testing is done on the DUT 102. Generally,
After many similar devices have been tested, the pattern
The contents of the memory 116 are changed.

【0031】ワークステーション104は、また、制御
情報を、制御ライン122上を、パターン発生器制御回
路114に提供する。従来型のテスタにおけるように、
この情報が、パターンを開始させる。いったんパターン
が開始されると、パターンの実行は、ワークステーショ
ン104ではなく、パターン発生器制御回路114の制
御の下にある。以下で更に詳細に説明するように、この
情報は、パターンの実行をメモリ内のどこで開始又は停
止させるかや、複数のパターンの中のどの1つを実行す
るかなどの情報を含み得る。
The workstation 104 also provides control information on the control line 122 to the pattern generator control circuit 114. As in traditional testers,
This information initiates the pattern. Once the pattern is started, the execution of the pattern is under the control of the pattern generator control circuit 114 rather than the workstation 104. As described in more detail below, this information may include information such as where in the memory to start or stop the execution of the pattern, which one of the plurality of patterns to execute, and the like.

【0032】図1は、テスタの、電源やタイミング発生
などの詳細は示していない。しかし、そのような詳細
は、この技術分野では周知であるし、明示的には示さな
いこととする。
FIG. 1 does not show details of the tester, such as power supply and timing generation. However, such details are well known in the art and will not be explicitly shown.

【0033】次に図2を参照すると、テスタ100のメ
モリ・アーキテクチャが示されている。この図は、メモ
リに記憶された情報のタイプを示す。この情報は、同じ
又は別のメモリ・デバイスに記憶され得る。特定のメモ
リ・デバイスに示される特定の情報の配分は設計上の選
択であり、本発明にとって重要ではない。
Referring now to FIG. 2, the memory architecture of tester 100 is shown. This figure shows the types of information stored in memory. This information may be stored in the same or another memory device. The distribution of the particular information presented to a particular memory device is a design choice and not critical to the invention.

【0034】図2は、ラージ・ベクトル・メモリ又はL
VMとも呼ばれるパターン・メモリ116を示してい
る。パターン・メモリ116は、ベクトルの複数のモジ
ュールを記憶する。この図では、明瞭さのために、3つ
のモジュールだけが示されている。しかし、実際のパタ
ーンは、多数のモジュールを含み得ることを理解すべき
である。
FIG. 2 illustrates a large vector memory or L
A pattern memory 116, also referred to as a VM, is shown. The pattern memory 116 stores multiple modules of vectors. Only three modules are shown in this figure for clarity. However, it should be understood that the actual pattern may include multiple modules.

【0035】各モジュールのサイズは、本発明にとって
重要ではない。各モジュールは、典型的には、500を
超えるベクトル、更に、より多くは1000を超えるベ
クトルの長さを有する。制御回路を実現する際の便宜の
ために、各モジュールのサイズに関しては、より低い限
度を設定することが望ましい。この好適実施例では、各
モジュールは、少なくとも256のベクトルの長さをも
たなければならない。好ましくは、ワークステーション
104(図1)上を走るプログラムは、各モジュールが
少なくとも256のベクトルの長さであることを保証す
る。
The size of each module is not critical to the invention. Each module typically has a length of over 500 vectors, and even more than 1000 vectors. For convenience in implementing the control circuit, it is desirable to set lower limits on the size of each module. In the preferred embodiment, each module must have a vector length of at least 256. Preferably, the program running on workstation 104 (FIG. 1) ensures that each module is at least 256 vectors long.

【0036】パターン・メモリ116における各モジュ
ールの位置は、本発明にとって重要ではない。従来は、
ワークステーション104(図1)上を走るプログラム
は、モジュールをメモリにおいて位置決めする。パター
ン・メモリ116を実現するのに用いられる特定のメモ
リは、パターン・メモリ116におけるモジュールの位
置に関して制限を課すことがある。以下で更に詳細に説
明する回路に対して、パターン・メモリ116を実現す
るのに用いられ得るメモリ・デバイスは、64のベクト
ルのブロックでデータを出力し、各ブロックは、常に、
64の倍数であるアドレスにおいて開始する。したがっ
て、各モジュールが64の倍数であるメモリ・アドレス
を有する位置において開始する場合には、何らかの単純
化が得られる。
The location of each module in pattern memory 116 is not critical to the invention. conventionally,
A program running on workstation 104 (FIG. 1) positions the module in memory. The particular memory used to implement pattern memory 116 may impose restrictions on the location of modules in pattern memory 116. For the circuits described in more detail below, the memory device that can be used to implement the pattern memory 116 outputs data in blocks of 64 vectors, each block always
Start at an address that is a multiple of 64. Thus, some simplification is obtained if each module starts at a location that has a memory address that is a multiple of 64.

【0037】モジュール位置テーブル(MLT)204
は、パターン・メモリ116における各モジュールの位
置の記載を記憶する。図2に示されるように、その記載
は、開始アドレスとモジュールの長さであり得る。最終
アドレス及び長さや、開始アドレス及び終了アドレスな
どのその他の記載も可能である。MLT204における
それぞれ位置は、パターン・メモリ116における1つ
のモジュールへのポインタを確立する。
Module position table (MLT) 204
Stores the description of the position of each module in the pattern memory 116. As shown in FIG. 2, the description can be the start address and module length. Other descriptions such as final address and length, start address and end address are also possible. Each location in MLT 204 establishes a pointer to a module in pattern memory 116.

【0038】モジュールの実行順序は、ベクトル・モジ
ュール・テーブル(VMT)206の中の情報によって
制御される。VMT206における連続的な位置が、実
行されるべき順序での実行されるべきモジュールをリス
トにする。VMT206における情報は、そのモジュー
ルの位置を与えるMLT204における位置をアドレス
指定することによって、どのモジュールを実行すべきか
を示す。この情報は、テスタによって、指定されたモジ
ュールにアクセスするのに用いられる。VMT206の
中の第1の位置によって指定された用いられるが実行さ
れた場合には、VMT206の中の次の位置によって指
定されたモジュールがアクセスされ実行される。VMT
アドレス制御208が、どれがVMT206において実
行すべき次の位置であるかを追跡する。
The execution order of the modules is controlled by the information in the vector module table (VMT) 206. Successive locations in VMT 206 list the modules to be executed in the order they should be executed. The information in VMT 206 indicates which module to execute by addressing the location in MLT 204 that gives the location of that module. This information is used by the tester to access the specified module. When the used specified by the first location in VMT 206 is executed, the module specified by the next location in VMT 206 is accessed and executed. VMT
Address control 208 keeps track of which is the next location to execute in VMT 206.

【0039】VMTアドレス制御回路は、各モジュール
が実行されるにつれて増分し最後のモジュールに到達し
たときに停止するカウンタの程度に単純でよい。しか
し、VMT206における一群の位置を介して反復的に
ループすることを可能にする制御論理を含むこともあ
る。
The VMT address control circuit may be as simple as a counter that increments as each module executes and stops when the last module is reached. However, it may also include control logic that allows iterative looping through a group of locations in VMT 206.

【0040】MLTとVMTとには、また、ワークステ
ーション104によって提供される情報がロードされ
る。好ましくは、ワークステーション104上のソフト
ウェア・ツールが、モジュールが記憶されておりモジュ
ールがMLT204の内容を自動的に発生することので
きるパターン・メモリ116における位置を追跡する。
モジュールが実行される順序は、テスト・パターンを準
備するユーザによって命じられる。好ましくは、これら
のソフトウェア・ツールは、また、ユーザがモジュール
が実行されるべき順序をいったん特定すると、VMT2
06に対して情報を発生する。
The MLT and VMT are also loaded with information provided by the workstation 104. Preferably, a software tool on workstation 104 keeps track of the location in pattern memory 116 where the module is stored and where the module can automatically generate the contents of MLT 204.
The order in which the modules are executed is dictated by the user who prepares the test pattern. Preferably, these software tools also provide VMT2 once the user has specified the order in which the modules should be executed.
Generate information for 06.

【0041】多数の利点が、図2に示したメモリ・アー
キテクチャから得られる。パターンにおけるモジュール
をパターン・メモリ116において反復することなく再
び用いることができるのは、利点の1つである。要求さ
れるのは、モジュールが実行される各回について、VM
T206における1つのエントリだけである。この利点
によって、パターン・メモリ116をより小さくするこ
とができるし、またあるいは、テスタ100が同じ容量
のメモリでより大きなパターンを実行することが可能に
なる。このようにして、別個のサブルーチン・メモリ又
はサブルーチンのコール及びリターンに通常関連する制
御回路を必要とすることなく、これらはすべて一般に実
現するのが高価であるのだが、サブルーチンをコールす
るなどの機能を実現することが可能になる。
A number of advantages result from the memory architecture shown in FIG. It is one of the advantages that the modules in the pattern can be reused in the pattern memory 116 without repetition. VM is required each time the module is executed
There is only one entry in T206. This advantage allows the pattern memory 116 to be smaller, or alternatively allows the tester 100 to execute larger patterns in the same amount of memory. In this way, functions such as calling subroutines, all of which are generally expensive to implement, without the need for separate subroutine memory or control circuitry normally associated with calling and returning subroutines, Can be realized.

【0042】このアーキテクチャは、また、パターン・
メモリ116の内容を再びロードすることなく、モジュ
ール実行の順序を変更することを可能にする。VMT2
06の内容を変更することによって、パターン・メモリ
116におけるモジュールの実行順序が変更される。パ
ターン・メモリ116は1つの被試験デバイスの試験の
間に実施に再ロードするには大きすぎるが、VMT20
6ははるかに小さく、試験の動作をそれほど遅延させな
い程度に迅速にロードされ得る。このような性能は、複
数のパターンを実行することによってデバイスを試験す
ることを望む場合には、特に有用である。両方のパター
ンに必要なすべてのモジュールは、パターン・メモリ1
16にロードできて、VMTには、第1のパターンに対
する実行順序に関する情報をロードでき、次に、第2の
パターンに対する実行順序を再びロードできる。
This architecture also includes a pattern
It allows changing the order of module execution without reloading the contents of memory 116. VMT2
By changing the contents of 06, the execution order of the modules in the pattern memory 116 is changed. The pattern memory 116 is too large to reload into practice during testing of one device under test, but
6 is much smaller and can be loaded quickly enough not to delay the operation of the test too much. Such performance is particularly useful when it is desired to test the device by performing multiple patterns. All modules required for both patterns are in pattern memory 1
16 and the VMT can be loaded with information about the execution order for the first pattern and then reloaded with the execution order for the second pattern.

【0043】上述した長所は、部品が試験されている間
に主に生じる。図2のアーキテクチャは、また、テスト
技術者がプログラムを開発している際にも、利点を有す
る。パターンを開発する間には、テスト技術者は、パタ
ーンを実行し、パターンにおけるバグを観察し、1つ又
は複数のモジュールを変更し、パターンを再ロードし、
そして、このプロセスを反復する。パターンにおいて同
じモジュールの複数のコピーを有していないことによ
り、同じ変更を複数回行う必要がなくなる。また、モジ
ュールにベクトルを加えることも、以前よりもはるかに
容易である。モジュールの実行順序が、パターン・メモ
リ116における位置ではなくVMT206の内容によ
って決定するので、ベクトルをモジュールに加える必要
がある場合に、そのモジュールを、他のモジュールを妨
げることなく、メモリの更に大きなブロックに移動させ
ることができる。また、特定のモジュールを、VMT2
06の内容を変更することだけによって、実行のために
取り出す(isolate)ことができる。これらの機
能のすべてを、パターンをパターン・メモリ116に再
ロードせずに、実行できる。パターンをデバッグするプ
ロセスも、したがって、非常にスピードアップできる。
The advantages described above primarily occur while the part is being tested. The architecture of Figure 2 also has advantages when test engineers are developing programs. While developing a pattern, the test engineer runs the pattern, observes bugs in the pattern, modifies one or more modules, reloads the pattern,
Then the process is repeated. By not having multiple copies of the same module in a pattern, it is not necessary to make the same changes multiple times. Also, adding vectors to a module is much easier than before. Since the order of execution of modules is determined by the contents of VMT 206, rather than their location in pattern memory 116, when a vector needs to be added to a module, that module is allowed to access a larger block of memory without disturbing other modules. Can be moved to. In addition, a specific module
It can be isolated for execution by simply changing the contents of 06. All of these functions can be performed without reloading the pattern into pattern memory 116. The process of debugging patterns can therefore be greatly speeded up.

【0044】次に図3を参照すると、パターン発生器1
08(図1)が更に詳細に示されている。図3は、VM
T206(図2)が別個のVMT RAM304として
実現されていることを示している。ここでは、256K
の位置を有する80ナノ秒のRAMが用いられている。
VMT RAM304は、情報のロードのために、シス
テム・バス120に接続されている。VMT RAM3
04のデータ出力線は、MLT RAM306のアドレ
ス線に接続されている。
Referring now to FIG. 3, the pattern generator 1
08 (FIG. 1) is shown in more detail. Figure 3 shows VM
It shows that T206 (FIG. 2) is implemented as a separate VMT RAM 304. Here, 256K
An 80 nanosecond RAM with a location of is used.
VMT RAM 304 is connected to system bus 120 for loading information. VMT RAM3
The data output line 04 is connected to the address line of the MLT RAM 306.

【0045】MLT204(図2)は、また、別個のM
LT RAM306として実現されている。ここでは、
64K位置のサイズの80ナノ秒のRAMが用いられて
いる。MLT RAM306のデータ出力線は、2つの
グループに分けられている。一方のグループは、図2の
モジュールの開始アドレスとして示されるデータを運ぶ
が、入力を、アーリー(early)LVMアドレス・
カウンタ310に与える。第2のグループは、図2の各
モジュールの長さを特定するデータを運ぶが、入力をモ
ジュール・レングス・カウンタに提供する。
The MLT 204 (FIG. 2) also includes a separate M
It is implemented as the LT RAM 306. here,
An 80 nanosecond RAM with a size of 64K positions is used. The data output lines of the MLT RAM 306 are divided into two groups. One group carries the data, shown as the starting address of the module in FIG. 2, but with the input as an early LVM address.
It is given to the counter 310. The second group carries data specifying the length of each module in FIG. 2, but provides an input to the module length counter.

【0046】ここでは、パターン・メモリ116は、パ
ターン制御メモリ116Aとパターン・データ・メモリ
116Bとに分けられている。パターン・メモリ116
の2つの部分は、パイプライン(pipelinin
g)を容易にするために別個にアドレス指定される。パ
イプラインは、高速デジタル・コンピュータ・システム
における既知の技術である。それには、システム全体に
おける種々の場所でのデータを同期させるパイプライン
・レジスタと、システムの種々の部分の動作を制御する
ための同期のとられたクロック信号とが要求される。パ
イプラインの態様でシステムを動作させるのに用いられ
る回路は、この図には明示的には示されていないが、そ
れはこの技術分野では既知であり、本発明の動作には重
要ではないからである。
Here, the pattern memory 116 is divided into a pattern control memory 116A and a pattern data memory 116B. Pattern memory 116
Two parts of the pipeline (pipelinin
Addressed separately to facilitate g). Pipelines are a well-known technique in high speed digital computer systems. It requires pipeline registers to synchronize data at various locations throughout the system, and synchronized clock signals to control the operation of various parts of the system. The circuitry used to operate the system in a pipelined manner is not explicitly shown in this figure, because it is known in the art and is not critical to the operation of the invention. is there.

【0047】アーリーLVMアドレス・カウンタ310
は、テスタ・システムで従来用いられているアドレス・
カウンタである。以下で詳細に説明するように、データ
は、64のブロックにおいて、メモリから読み出され
る。カウンタ310は、NEW64で示される出力を生
じ、これは、メモリ・リフレッシュ制御回路314に接
続される。この信号は、アサート(assert)され
る際には、カウンタ310が、メモリから読み出される
べき64ビットの新たなブロックを要求するアドレスに
進んでいることを示す。この信号は、カウンタがx64
の境界(63から64への増分や127から128への
増分などの、64の倍数であるアドレスへの増分)を交
差する際に、アサートされる。NEW64信号は、別の
モジュールの開始を示す新たなアドレスがカウンタ31
0にロードされる際に、アサートされる。
Early LVM address counter 310
Is the address that is conventionally used in the tester system.
It is a counter. The data is read from the memory in 64 blocks, as described in detail below. Counter 310 produces an output labeled NEW64, which is connected to memory refresh control circuit 314. This signal, when asserted, indicates that the counter 310 has advanced to an address that requires a new block of 64 bits to be read from memory. This signal is the counter x64
Asserted when crossing the bounds of (increment to address that is a multiple of 64, such as increment 63 to 64 or increment 127 to 128). The NEW64 signal indicates that the new address indicating the start of another module is the counter 31.
Asserted when loaded to 0.

【0048】以下で説明するように、メモリ116は、
バンクでアクセスされる。バンクは、偶数のバンク及び
奇数のバンクと呼ばれる。64の偶数倍で開始するアド
レスを有するデータのブロックは、偶数バンクにある
(たとえば、0、128、256などで開始するブロッ
ク)。64の奇数倍で開始するアドレスを有するデータ
のブロックは、奇数バンクにある(たとえば、64、1
92、320などで開始するブロック)。カウンタ31
0は、また、メモリ・リフレッシュ制御314に送られ
そのカレント・アドレスが偶数のメモリ・バンクにある
か奇数のメモリ・バンクにあるかを示す信号を生じる。
好ましくは、カウンタ310は、セミカスタムのASI
Cの一部として実現され、メモリ・リフレッシュ制御回
路314に印加される信号は、カウンタ内の値から容易
に導かれる。
As described below, the memory 116 is
Accessed in banks. The banks are called the even banks and the odd banks. Blocks of data with addresses that start at even multiples of 64 are in even banks (eg, blocks that start at 0, 128, 256, etc.). A block of data having an address that starts with an odd multiple of 64 is in an odd bank (eg, 64, 1,
Blocks starting at 92, 320, etc.). Counter 31
The 0 also causes a signal to be sent to the memory refresh control 314 to indicate whether its current address is in an even memory bank or an odd memory bank.
Preferably, the counter 310 is a semi-custom ASI.
The signal implemented as part of C and applied to the memory refresh control circuit 314 is easily derived from the value in the counter.

【0049】パターン制御メモリ116Aは、それに伴
って、ローカル・メモリ制御回路312Aを有する。図
4に関連して更に詳細に説明するように、パターン・デ
ータ・メモリ116Bは、8、8ビット・ワードのバー
ストで(バースト当たり64ビット)値を出力するメモ
リ・チップを用いて実現されている。ローカル・メモリ
制御312Aは、これらの64の値を、64のシーケン
シャルな値に変換する。以下で述べるように、パターン
・メモリ116は、周期的にリフレッシュしなければな
らないDRAMチップを用いて実現される。
The pattern control memory 116A accordingly has a local memory control circuit 312A. As will be described in more detail in connection with FIG. 4, pattern data memory 116B is implemented using memory chips that output values in bursts of 8,8-bit words (64 bits per burst). There is. Local memory control 312A converts these 64 values into 64 sequential values. As described below, pattern memory 116 is implemented with DRAM chips that must be refreshed periodically.

【0050】パターン制御メモリ116Aの出力は、パ
ターン発生器コントローラ316に与えられる。パター
ン発生器コントローラ316は、テスタにおいて典型的
に用いられるタイプのコントローラであり、パターン制
御メモリ116Aの中の情報に基づいて、パターン・デ
ータ・メモリ116Bに対して、次のアドレスを決定す
る。高速で動作するために、次のアドレスは、好ましく
は、ベクトル・メモリ116におけるカレント・アドレ
スと同一であるベクトル・メモリ116の中の次のアド
レスか、以下で述べる二次メモリ322の中のアドレス
か、のどちらかに制限される。パターン発生器コントロ
ーラ316は、次のアドレスがカレント・アドレスより
も1つだけ多いだけである場合には、INC信号を出力
する。実行がシーケンスの次のベクトルに進むことでは
ない場合には、INC信号はアサートされない。図3に
示されているように、INC信号は、アドレスを進める
カウンタに接続される。
The output of pattern control memory 116A is provided to pattern generator controller 316. The pattern generator controller 316, which is a type of controller typically used in testers, determines the next address for the pattern data memory 116B based on the information in the pattern control memory 116A. For high speed operation, the next address is preferably the next address in vector memory 116 that is the same as the current address in vector memory 116, or an address in secondary memory 322 described below. Or is limited to either. The pattern generator controller 316 outputs the INC signal if the next address is only one more than the current address. The INC signal is not asserted if execution is not to proceed to the next vector in the sequence. As shown in FIG. 3, the INC signal is connected to a counter that advances the address.

【0051】LVM116の中の1つのモジュールの実
行から次へ移動する際に、その中からベクトルが実行さ
れるメモリにおけるアドレスは必ずしも連続的ではない
ことを理解すべきである。しかし、次のモジュールにお
ける第1のアドレスが前もってMLT RAM306に
記憶された情報から計算され得るので、テスタ100
は、依然として、高速で動作する。このような構成は、
ジャンプ・ステートメントなどのプログラムの制御構成
と比較して優れている。後者では、次のアドレスはカレ
ントな命令がフェッチされ復号されるまで計算され得な
いからである。
It should be appreciated that when moving from execution of one module in LVM 116 to the next, the addresses in memory from which the vector is executed are not necessarily contiguous. However, since the first address in the next module can be calculated from the information previously stored in MLT RAM 306, tester 100
Still runs at high speed. Such a configuration
It is superior to the control structure of programs such as jump statements. In the latter case, the next address cannot be calculated until the current instruction is fetched and decoded.

【0052】パターン・データ・メモリ116Bは、パ
ターン制御メモリ116Aに類似しており、メモリ・リ
フレッシュ制御314から制御入力をやはり受け取るロ
ーカル・メモリ制御回路312Bを伴っている。パター
ン・データ・メモリ116Bとパターン制御メモリ11
6Aとの長さとアクセス速度とは、好ましくは同じであ
る。しかし、パターン・データ・メモリ116Bは、各
アドレス当たりに、より多くのビット数を含み得る。パ
ターン・データ・メモリ116Bは、フォーマッタ11
0(図1)に提供されるデータを特定するのに必要な、
アドレス当たりのできるだけ多くのビット数を含む。
The pattern data memory 116B is similar to the pattern control memory 116A, with the local memory control circuit 312B also receiving control inputs from the memory refresh control 314. Pattern data memory 116B and pattern control memory 11
The length of 6A and the access speed are preferably the same. However, pattern data memory 116B may include a greater number of bits for each address. The pattern data memory 116B is used by the formatter 11
Required to identify the data provided to 0 (Figure 1),
Contains as many bits as possible per address.

【0053】パターン発生器108は、オプションで、
二次メモリ322を含む。二次メモリ322は、この技
術分野で知られているサブルーチン・メモリであり得
る。ここでは、パターン制御メモリ116Aは、また、
実行されるべき次のベクトルは二次メモリの中の位置か
ら実行されることを特定する制御命令を含み得る。その
ような命令に遭遇する場合には、パターン発生器コント
ローラ316は、INCラインの状態を変更して、パタ
ーン・データ・メモリ116Bに対してアドレスを進め
るカウンタを停止させる。従来のように、実行を二次メ
モリ322に切り替えることは、二次メモリ322に対
して連続するアドレスを発生することを含む。二次メモ
リ322に対するアドレス発生回路は、明示的には示さ
れていない。
The pattern generator 108 is optionally
A secondary memory 322 is included. Secondary memory 322 may be a subroutine memory known in the art. Here, the pattern control memory 116A also
The next vector to be executed may contain control instructions specifying that it should be executed from a location in secondary memory. If such an instruction is encountered, the pattern generator controller 316 changes the state of the INC line to stop the counter that advances the address to the pattern data memory 116B. Switching execution to secondary memory 322, as is conventional, involves generating consecutive addresses for secondary memory 322. The address generation circuit for secondary memory 322 is not explicitly shown.

【0054】二次メモリ322からのベクトルの実行の
完了は、二次メモリ322からのRETURN opc
odeの実行によって通常は知らされるが、その際に、
INC信号は再びアサートされ、それによって、ベクト
ルのシーケンシャルな実行がパターン・データ・メモリ
116Bから再開する。マルチプレクサ324が、パタ
ーン・データ・メモリ116B又は二次メモリ322か
らのパターン・データがフォーマッタ110(図1)に
達するかどうかを制御する。マルチプレクサ324は、
パターン発生器コントローラ316からの制御ラインに
よって切り替えられる。
Completion of execution of the vector from secondary memory 322 is returned by RETURN opc from secondary memory 322.
It is usually informed by the execution of ode, but at that time,
The INC signal is asserted again, which resumes sequential execution of the vector from pattern data memory 116B. Multiplexer 324 controls whether the pattern data from pattern data memory 116B or secondary memory 322 reaches formatter 110 (FIG. 1). The multiplexer 324 is
It is switched by the control line from the pattern generator controller 316.

【0055】動作中は、VMTアドレス・カウンタ30
2には、制御回路208からの最初の値がロードされ
る。制御回路208は、システム・バス120上でワー
クステーション104(図1)に接続され、ワークステ
ーション104からVMT RAM304における開始
及び停止位置を特定する情報を受け取る。これらの値
は、制御回路208のレジスタに記憶される。パターン
の開始時には、最初のアドレスはVMTアドレス・カウ
ンタ302にロードされる。VMTアドレス・カウンタ
302が計数(カウント)するにつれて、制御回路20
8は、カウンタ302における値と記憶している最後の
アドレスとを比較する。最後のアドレスに到達した際に
は、カウンタはそれ以上は増分されず、パターンの最後
がワークステーション104に示される。
During operation, the VMT address counter 30
2 is loaded with the first value from the control circuit 208. The control circuit 208 is connected to the workstation 104 (FIG. 1) on the system bus 120 and receives information from the workstation 104 identifying start and stop locations in the VMT RAM 304. These values are stored in the registers of the control circuit 208. At the beginning of the pattern, the first address is loaded into VMT address counter 302. As the VMT address counter 302 counts, the control circuit 20
8 compares the value in the counter 302 with the last stored address. When the last address is reached, the counter is no longer incremented and the end of the pattern is shown to workstation 104.

【0056】制御回路208は、オプションで、ループ
が設定された範囲のアドレスにわたって反復されるべき
かどうかを示す他のレジスタを含み得る。このような場
合には、制御回路208は、好ましくは、ループのVM
T RAM304における最初のアドレスとループのV
MT RAM304における最後のアドレスとを示すレ
ジスタを含む。ループの最後のアドレスの実行に続い
て、ループの最初のアドレスがVMTアドレス・カウン
タ302にロードされる。このループは、無限に反復さ
れ得る。また、制御回路208は、また、トップ・アド
レスがVMTアドレス・カウンタ302にロードされた
回数を計数し、カウンタにおけるその値に達した際には
ループを消勢するカウンタを含み得る。
Control circuit 208 may optionally include other registers to indicate whether the loop should be repeated over a set range of addresses. In such a case, the control circuit 208 preferably controls the VM of the loop.
First address in TRAM 304 and V of loop
A register indicating the last address in the MT RAM 304 is included. Following execution of the last address of the loop, the first address of the loop is loaded into VMT address counter 302. This loop can be repeated indefinitely. Also, the control circuit 208 may also include a counter that counts the number of times the top address is loaded into the VMT address counter 302 and deactivates the loop when that value in the counter is reached.

【0057】VMT RAM304における各位置がア
ドレス指定される際に、アドレス指定された位置の内容
がアドレスとしてMLT RAM306に与えられる。
このアドレスは、パターン・メモリ116におけるモジ
ュールの開始アドレスとその長さとを記憶する、MLT
RAM306における位置にアクセスする。開始アド
レスは、アーリーLVMアドレス・カウンタ310にロ
ードされ、その長さはモジュール・レングス・カウンタ
308にロードされる。
As each location in the VMT RAM 304 is addressed, the contents of the addressed location are provided as an address to the MLT RAM 306.
This address stores the starting address of the module in the pattern memory 116 and its length, the MLT.
Access a location in RAM 306. The starting address is loaded into the early LVM address counter 310 and its length is loaded into the module length counter 308.

【0058】モジュール・レングス・カウンタ308と
アーリーLVMアドレス・カウンタ310とは、アーリ
ーLVMアドレス・カウンタ310がパターン・メモリ
116におけるアドレスを1つのベクトルだけ進めるた
びにモジュール・レングス・カウンタ308が計数する
ように共にクロックされている。アーリーLVMアドレ
ス・カウンタ310におけるアドレスが1つのモジュー
ルの最後まで進んだ場合には、モジュール・レングス・
カウンタ308は、ゼロまでカウントダウンし、モジュ
ールEOM信号の最後を出力する。
The module length counter 308 and the early LVM address counter 310 are such that the module length counter 308 counts each time the early LVM address counter 310 advances the address in the pattern memory 116 by one vector. Are clocked together. If the address in the early LVM address counter 310 has reached the end of one module, the module length
The counter 308 counts down to zero and outputs the end of the module EOM signal.

【0059】EOM信号は、VMTアドレス・カウンタ
302におけるアドレスを進め、それによって、次のモ
ジュールの開始アドレスがアーリーLVMアドレス・カ
ウンタ310に、また、次のモジュールの長さがモジュ
ール・レングス・カウンタ308に提供されることがト
リガされる。パターン・メモリ116の中のモジュール
・レングス・カウンタ308は、このように、パターン
・メモリ116におけるその位置とは無関係にVMT
RAM304において特定された順序で実行される。
The EOM signal advances the address in the VMT address counter 302 so that the starting address of the next module is in the early LVM address counter 310 and the length of the next module is in the module length counter 308. Be triggered to be offered to. The module length counter 308 in the pattern memory 116 is thus VMT independent of its position in the pattern memory 116.
It is executed in the order specified in the RAM 304.

【0060】図3のメモリ・アーキテクチャは、標準的
なパイプライン設計技術と共に用いられることに適して
いることに注意すべきである。いったんEOM信号が受
け取られると、実行されるべき次のモジュールの位置
は、VMT RAM304とMLT RAM306とか
ら計算できる。このようにして、次のEOM信号が受け
取られると、次のモジュールの開始アドレスは既に利用
可能になっており、そのモジュールの実行は直ちに開始
され得る。パイプライン型の設計は周知であるから、そ
の実現に必要なハードウェアと制御回路とは、明示的に
は図示されていない。
It should be noted that the memory architecture of FIG. 3 is suitable for use with standard pipeline design techniques. Once the EOM signal is received, the location of the next module to be executed can be calculated from VMT RAM 304 and MLT RAM 306. In this way, when the next EOM signal is received, the starting address of the next module is already available and execution of that module can begin immediately. Since pipelined designs are well known, the hardware and control circuits required to implement them are not explicitly shown.

【0061】パターン・メモリ116は、好ましくはD
RAMであるが、その理由は、その低いコストと大容量
のDRAMの広い入手可能性とである。DRAMは、周
期的にリフレッシュされねばならず、動作中に、読み出
し及びリフレッシュのサイクルは通常インターリーブさ
れる。メモリ・リフレッシュ制御314は、パターン制
御メモリ116A及びパターン・データ・メモリ116
Bがデータが失われない程度の頻度でリフレッシュされ
ることを可能にする制御情報を与える。しかし、読み出
し動作のたびにリフレッシュが実行される必要はない。
以下で述べるように、テスタを非常に速く動作させるた
めに、リフレッシュ動作が行われる時刻は、読み出しが
必要なデータがあるかどうかに基づいてダイナミックに
変更される。ベクトルがパターン・メモリ116におい
て非シーケンシャルに実行されるように制御が1つのモ
ジュールから別のモジュールに切り替わる際には、デー
タがパターン・メモリ116から読み出されるより大き
な要求が存在する。リフレッシュの時刻をダイナミック
に変更することによって、データは、より高速でメモリ
から一時的に読み出される。
The pattern memory 116 is preferably D
RAM is the reason for its low cost and wide availability of large capacity DRAM. DRAMs must be refreshed periodically, and during operation, read and refresh cycles are usually interleaved. The memory refresh control 314 controls the pattern control memory 116A and the pattern data memory 116.
It gives control information that allows B to be refreshed as often as not to lose data. However, refresh need not be performed every read operation.
As described below, in order to make the tester operate very fast, the time at which the refresh operation is performed is dynamically changed based on whether there is data that needs to be read. When control switches from one module to another such that the vectors are executed non-sequentially in pattern memory 116, there is a greater demand for data to be read from pattern memory 116. By dynamically changing the refresh time, the data is temporarily read from the memory at a higher speed.

【0062】次に図4を参照すると、パターン・メモリ
116に対する制御回路がより詳細に示されている。図
4に示されている回路は、パターン・データ・メモリ1
16B又はパターン制御メモリ116Aのいずれか一方
を表すものと見なしてよい。
Referring now to FIG. 4, the control circuitry for pattern memory 116 is shown in more detail. The circuit shown in FIG. 4 is a pattern data memory 1
16B or pattern control memory 116A.

【0063】パターン・メモリ116は、複数のメモリ
・チップから構成されており、ベクトルの中の各ビット
に対して1つのチップがパターン・メモリ116に記憶
されている。これらのメモリは、JEDEC SDRA
Mと称されるが、これは、これらのメモリはJEDEC
の設定した仕様に合致することを示している。SDRA
Mの語は、これらのメモリが同期式のダイナミックRA
Mであることを示している。同期式のメモリは、クロッ
ク(図示せず)に同期した時刻に出力を生じる。
The pattern memory 116 is composed of a plurality of memory chips, with one chip stored in the pattern memory 116 for each bit in the vector. These memories are JEDEC SDRA
These memories are called JEDEC.
It indicates that it meets the specifications set by. SDRA
The word M is a dynamic RA where these memories are synchronous.
It is shown that it is M. The synchronous memory produces an output at a time synchronized with a clock (not shown).

【0064】200MHzのテスタを実現するには、5
0MHzでクロックされた66MHzのメモリが好まし
くは用いられる。JEDEC SDRAMは、ブロック
に構成されている。各ブロックは、それぞれが8ビット
である8バイトを含む。よって1ブロックは64ビット
である。メモリは、「バースト・モード」で動作するよ
うに設計される。1バーストの間には、1ブロックが、
メモリ出力速度で、メモリから出力される。ここでは、
メモリは50MHzで動作するから、20ナノ秒ごとに
1バイトが出力され、160ナノ秒では8バイトが出力
される。バースト・モードでは、メモリは、400MH
zの有効速度でデータを出力している。これは、テスタ
100が200MHzで動作する場合にデータを用いる
速度の2倍の速度である。データが失われるのを防止す
るために2つのことが生じるが、これは、データは用い
られるのよりも早く出力されているからである。第1
に、通常の動作では、1つおきのメモリ・サイクルがメ
モリをリフレッシュするのに用いられ、有効にデータ速
度を半分にしている。第2に、メモリの出力はバッファ
される。
To realize a 200 MHz tester, 5
A 66 MHz memory clocked at 0 MHz is preferably used. The JEDEC SDRAM is organized into blocks. Each block contains 8 bytes, each of 8 bits. Therefore, one block has 64 bits. The memory is designed to operate in "burst mode". During one burst, one block
Output from memory at memory output speed. here,
Since the memory operates at 50 MHz, 1 byte is output every 20 nanoseconds and 8 bytes at 160 nanoseconds. In burst mode, the memory is 400 MH
Data is output at the effective speed of z. This is twice the speed at which the data will be used if the tester 100 operates at 200 MHz. Two things happen to prevent the data from being lost because it is being output faster than it is used. First
In addition, in normal operation, every other memory cycle is used to refresh the memory, effectively halving the data rate. Second, the output of the memory is buffered.

【0065】各メモリ・チップ402の出力は、バッフ
ァ408に与えられる。バッファ408は、複数のブロ
ックのデータを保持する。データの各ブロックは、メモ
リ・チップ402から読み出されるたびに、バッファ4
08に記憶される。好適実施例では、バッファ408
は、4ブロックのデータ、すなわち、全体で256ビッ
トを保持する。これらの値は、パターン・メモリ116
における1ビットの256の連続する値を表す。図4に
示すように、パターン・メモリ116に記憶されたそれ
ぞれのデータ・ビットに対して、1つのメモリ・チップ
が存在する。
The output of each memory chip 402 is provided to buffer 408. The buffer 408 holds data of a plurality of blocks. Each block of data is read from the buffer 4 each time it is read from the memory chip 402.
It is stored in 08. In the preferred embodiment, buffer 408
Holds 4 blocks of data, ie 256 bits in total. These values are stored in the pattern memory 116.
Represents 256 consecutive values of 1 bit in. As shown in FIG. 4, there is one memory chip for each data bit stored in pattern memory 116.

【0066】バッファ408は、カウンタ418によっ
てアドレス指定される。バッファ408は256の位置
を含むので、カウンタ418は8ビットを有する。カウ
ンタ418は、計数(カウント)する際には、バッファ
408の中の位置をシーケンシャルにアドレス指定す
る。カウンタ418は、INCラインがイネーブルされ
る限り増分される。既に述べたように、このラインは、
ベクトルがパターン・メモリ116からシーケンシャル
に読み出される限り、イネーブルされる。
Buffer 408 is addressed by counter 418. Since buffer 408 contains 256 positions, counter 418 has 8 bits. When counting, the counter 418 sequentially addresses the positions in the buffer 408. Counter 418 is incremented as long as the INC line is enabled. As I said, this line
It is enabled as long as the vector is read sequentially from the pattern memory 116.

【0067】64ビットのどのブロックがメモリ116
から読み出されるかを指定する情報は、アドレス・バス
410上を提供される。64ビットのブロックが読み出
される際には、6の最下位アドレス・ビットがメモリ1
16に提供される必要はない。64Mのベクトルにアク
セスすることのできるシステムに関しては、20のアド
レス線があるが、正確な数は、本発明で重要ではない。
これらのアドレス線は、アーリーLVMアドレス・カウ
ンタ310(図3)から導かれる。メモリから読み出さ
れたそれぞれの連続ブロックは、バッファ408内の連
続する位置に記憶される。バッファ408は、1ブロッ
クがこのバッファのボトムに書き込まれた後で次のブロ
ックはバッファのトップに書き込まれるように、「ラッ
プ・アラウンド」する。この書き込み動作を制御する回
路は、周知であるので、明示的には示されていない。
Which block of 64 bits is the memory 116
Information specifying whether to be read from is provided on the address bus 410. When a 64-bit block is read, the 6 least significant address bits are in memory 1.
16 need not be provided. For a system that can access 64M vectors, there are 20 address lines, but the exact number is not critical to the invention.
These address lines are derived from early LVM address counter 310 (FIG. 3). Each successive block read from memory is stored in successive locations in buffer 408. The buffer 408 "wraps around" so that one block is written at the bottom of this buffer and then the next block is written at the top of the buffer. The circuit that controls this write operation is well known and is not explicitly shown.

【0068】カウンタ418は、図3との関係で説明さ
れたモジュールEOM信号の終端に接続される制御入力
を有する。よって、モジュールの終端では、又は、より
重要には次のモジュールの始点によって、カウンタ41
8は、バッファ408に記憶されたデータの次のブロッ
クの始点にアクセスするように設定される。好適実施例
では、カウンタ418は、その6の最下位ビット(LS
B)をゼロに設定し、それよりも高いオーダーのビット
を増分することによって、次のブロックにアクセスす
る。この理由で、各モジュールは、ゼロである6の最下
位ビットを有するアドレスにおいて開始しなければなら
ない(すなわち、各モジュールは、64の倍数であるア
ドレスでメモリにロードされなければならない)。しか
し、64という数字はメモリ・チップ402が1バース
トに出力するビット数から導かれることを理解すべきで
ある。各モジュールの開始アドレスは、好ましくは、メ
モリ・チップによってバーストされたビット数の整数倍
である。
Counter 418 has a control input connected to the end of the module EOM signal described in connection with FIG. Thus, at the end of a module, or more importantly at the start of the next module, the counter 41
8 is set to access the starting point of the next block of data stored in buffer 408. In the preferred embodiment, counter 418 has its 6 least significant bits (LS).
The next block is accessed by setting B) to zero and incrementing the higher order bits. For this reason, each module must start at an address with the 6 least significant bits being zero (ie, each module must be loaded into memory at an address that is a multiple of 64). However, it should be understood that the number 64 is derived from the number of bits the memory chip 402 outputs in one burst. The starting address of each module is preferably an integer multiple of the number of bits burst by the memory chip.

【0069】メモリ・チップ402は、好ましくはダイ
ナミックRAMであり、これは、リフレッシュが必要で
あることを意味している。リフレッシュ回路は、JED
ECDRAMのチップに組み入れられている。この好適
実施例では、しかし、この回路は用いられない。別にリ
フレッシュ回路を有することによって、メモリがパター
ンをより高速に実行することができるようになる。
The memory chip 402 is preferably a dynamic RAM, which means that it needs to be refreshed. Refresh circuit is JED
It is incorporated in the chip of EC DRAM. In this preferred embodiment, however, this circuit is not used. Having a separate refresh circuit allows the memory to execute patterns faster.

【0070】メモリ・リフレッシュ制御回路314は、
2つのリフレッシュ・ロー・カウンタ、すなわち、偶数
リフレッシュ・カウンタ414と奇数リフレッシュ・カ
ウンタとを有する。2つのカウンタは、JEDEC S
DRAMチップがバンク0及びバンク1又は偶数バンク
及び奇数バンクと呼ばれる2つのバンクを有することか
ら用いられる。偶数ロー・カウンタ414は、次のアド
レスは偶数バンクにおいてリフレッシュされることを意
味する。同様に、奇数リフレッシュ・カウンタ415
は、次のアドレスは奇数バンクにおいてリフレッシュさ
れることを意味する。メモリは64ビットのブロックで
リフレッシュされるので、リフレッシュ・カウンタ41
4、415は、64ずつ計数する(すなわち、アドレス
の6の最下位ビットをメモリ116に与えない)。
The memory refresh control circuit 314 is
It has two refresh low counters, an even refresh counter 414 and an odd refresh counter. Two counters are JEDEC S
It is used because the DRAM chip has two banks, called bank 0 and bank 1 or even bank and odd bank. The even row counter 414 means that the next address will be refreshed in the even bank. Similarly, odd refresh counter 415
Means that the next address will be refreshed in an odd bank. Since the memory is refreshed in blocks of 64 bits, the refresh counter 41
4, 415 count by 64 (ie, the 6 least significant bits of the address are not provided to memory 116).

【0071】リフレッシュ・カウンタ414、415に
おけるアドレスは、マルチプレクサ412の入力に提供
される。アドレス・バス410もまた、マルチプレクサ
412の入力に提供される。よって、マルチプレクサ4
12は、メモリから読み出されバッファ408に記憶さ
れるデータのアドレス、偶数バンクにおいてリフレッシ
ュされるアドレス、又は、奇数バンクにおいてリフレッ
シュされるアドレスを選択する。リフレッシュ動作はデ
ータがメモリから読み出されるときには常に行われるの
で、これらのアドレスのすべてが、読み出しアドレスを
特定する。しかし、リフレッシュ動作に対しては、メモ
リから読み出されるデータはどこにも記憶されない。メ
モリ・アドレス選択回路422は、バッファ408だけ
でなくマルチプレクサ412も制御する。アドレス・ソ
ース選択回路422は、アドレス・バス410のアドレ
スを選択する場合には、バッファ408をイネーブルす
ることによって、読み出されるデータが記憶されるよう
にする。しかし、選択されたアドレスがリフレッシュ・
アドレスである場合には、バッファ408は消勢され、
データを記憶しない。
The address at refresh counters 414, 415 is provided to the input of multiplexer 412. Address bus 410 is also provided to the input of multiplexer 412. Therefore, multiplexer 4
12 selects an address of data read from the memory and stored in the buffer 408, an address refreshed in an even bank, or an address refreshed in an odd bank. All of these addresses specify the read address because the refresh operation is performed whenever data is read from memory. However, for the refresh operation, the data read from the memory is not stored anywhere. The memory address selection circuit 422 controls not only the buffer 408 but also the multiplexer 412. When the address / source selection circuit 422 selects an address on the address bus 410, it enables the buffer 408 so that the data to be read is stored. However, if the selected address is refreshed,
If it is an address, buffer 408 is deactivated,
Do not store data.

【0072】JEDECメモリ・チップ402は、動作
速度を加算するためにメモリ404の2つのバンクを含
む。メモリ・チップ402は、データのロー・アドレス
がバーストの開始よりも前に確立されている場合には、
データのローをバーストするだけである。メモリ・チッ
プ402が高速のバースト速度で動作するように保つた
めに、メモリ・チップ402からの読み出しは、バンク
404の間で交替する。バンク404の一方がバースト
・データである間は、次のロー・アドレスは、バンク4
04の他方の上に確立される。
The JEDEC memory chip 402 includes two banks of memory 404 for adding operating speeds. The memory chip 402 will use the data if the low address of the data is established prior to the start of the burst.
It just bursts a row of data. Reads from memory chip 402 alternate between banks 404 in order to keep memory chip 402 operating at the fast burst rate. While one of the banks 404 is burst data, the next row address is bank 4
Established on the other of 04.

【0073】JEDECメモリ・チップ402は、バン
クの間のこのスイッチングを可能にする内部回路を含
む。この回路は図4ではマルチプレクサ(mux)40
6として図解されており、ロー・アドレスから導かれる
双補型論理信号が印加されるバンク404上の入力を選
択する。
JEDEC memory chip 402 contains internal circuitry that allows this switching between banks. This circuit is shown as a multiplexer (mux) 40 in FIG.
Illustrated as 6, selects the input on bank 404 to which the bi-complementary logic signal derived from the row address is applied.

【0074】動作においては、次の動作は偶数バンクに
アクセスすることか奇数バンクにアクセスすることかを
トラッキングするのに、何らかのメカニズムが必要にな
る。クロック発生器424が、偶数のメモリ・サイクル
と奇数のメモリ・サイクルとを定義するクロックを与え
る。ここで用いられる例では、各サイクルは160ナノ
秒の長さである。クロック発生器424の出力は、アド
レス選択回路422に与えられる。偶数サイクルの間に
は、メモリ116は、偶数バンクにアクセスし、奇数サ
イクルの間には、奇数バンクにアクセスする。メモリ・
アドレス自体は、データが偶数又は奇数バンクの中にあ
ることを示し、それによって、いったんアドレスが選択
されるとクロック発生器の出力をメモリの他の部分に回
す(ルートする)必要はないことを理解されたい。
In operation, some mechanism is required to track whether the next operation will access an even bank or an odd bank. Clock generator 424 provides clocks that define even memory cycles and odd memory cycles. In the example used here, each cycle is 160 nanoseconds long. The output of the clock generator 424 is given to the address selection circuit 422. During even cycles, the memory 116 accesses even banks and during odd cycles it accesses odd banks. memory·
The address itself indicates that the data is in even or odd banks, which means that once the address is selected, the output of the clock generator does not need to be routed to other parts of the memory. I want you to understand.

【0075】アドレス選択回路422は、アドレスを選
択しそれぞれの偶数及び奇数サイクルの間に適切なバン
クにアクセスするように動作する。アドレス選択回路4
22は、好ましくは、以下の機能を実行するようにプロ
グラムされたセミカスタムのASICの一部として実現
される。すなわち、NEW64信号がアーリーLVMア
ドレス・カウンタ310から受け取り、カウンタ310
からのバンク指示信号がカウンタ310からのアドレス
がカレント・メモリ・サイクルに対して適切なメモリ内
のバンクからフェッチされるべきであることを示す場合
には、バス410上のアドレスはマルチプレクサ412
において選択され、バッファ408はデータを記憶する
ようにイネーブルする。しかし、カウンタ310からの
NEW64信号がなく、又は、カウンタ310からのア
ドレスがカレント・メモリ・サイクルに対して適切では
ないバンク内にある場合には、リフレッシュ・サイクル
が行われる。偶数メモリ・サイクルの間には、偶数リフ
レッシュ・カウンタ414からのアドレスが、マルチプ
レクサ412を通過する。奇数サイクルの間には、奇数
リフレッシュ・カウンタ415からのアドレスが、マル
チプレクサ412を通過する。また、リフレッシュ・ア
ドレスが提供される際には常に、バッファ408の入力
は、データが記憶されないように消勢される。
Address select circuit 422 operates to select an address and access the appropriate bank during each even and odd cycle. Address selection circuit 4
22 is preferably implemented as part of a semi-custom ASIC that is programmed to perform the following functions. That is, the NEW64 signal is received from the early LVM address counter 310 and the counter 310
If the bank indication signal from the counter indicates that the address from the counter 310 should be fetched from the bank in the appropriate memory for the current memory cycle, the address on bus 410 is the multiplexer 412.
Selected at, buffer 408 enables to store data. However, if there is no NEW64 signal from counter 310, or if the address from counter 310 is in a bank that is not appropriate for the current memory cycle, then a refresh cycle occurs. During the even memory cycles, the address from the even refresh counter 414 passes through the multiplexer 412. During the odd cycles, the address from odd refresh counter 415 passes through multiplexer 412. Also, whenever a refresh address is provided, the input of buffer 408 is deactivated so that no data is stored.

【0076】通常の動作において、メモリ・アクセスが
偶数メモリ・バンクからの読み出しを用いて偶数サイク
ルで開始することを考える。カウンタ310は320ナ
ノ秒ごとに64だけ増加することを意図されている(2
00MHzのデータ速度)がメモリ・サイクルは160
ナノ秒の長さであるので、次の奇数メモリ・サイクルで
は、カウンタ310は、新たなアドレスを発生しない。
したがって、奇数のリフレッシュが生じる。次の偶数の
メモリ・サイクルでは、カウンタ310は、奇数バンク
からの読み出しを要求し、よって、偶数バンクがリフレ
ッシュされる。次のサイクルは奇数サイクルであり、カ
ウンタ310は、奇数バンクからの読み出しを要求し、
それが生じる。シーケンシャルなアドレスがカウンタ3
10から求められる限りは、このサイクルは、反復す
る、すなわち、偶数バンクからの読み出し、奇数バンク
のリフレッシュ、偶数バンクのリフレッシュ、奇数バン
クの読み出し、と続く。
Consider, in normal operation, a memory access begins on an even cycle with a read from an even memory bank. Counter 310 is intended to increment by 64 every 320 nanoseconds (2
Data rate of 00MHz) is 160 memory cycles
Since it is nanoseconds long, the counter 310 will not generate a new address on the next odd memory cycle.
Therefore, an odd number of refreshes occur. On the next even memory cycle, the counter 310 requests a read from the odd bank, so the even bank is refreshed. The next cycle is an odd cycle, the counter 310 requests a read from an odd bank,
It happens. Counter 3 is a sequential address
As long as it can be determined from 10, this cycle repeats, ie, reads from even banks, refreshes of odd banks, refreshes of even banks, reads of odd banks.

【0077】このサイクルは、しかし、モジュールの開
始アドレスがアーリーLVMアドレス・カウンタ310
にロードされるときに中断される。適切なリフレッシュ
が生じることを保証するためには、このようなモジュー
ルは少なくとも1回の偶数バンクのリフレッシュと少な
くとも1回の奇数バンクのリフレッシュとが生じる程に
長くなければならない。モジュールは64のベクトル・
ブロックにおける1つだけのベクトルを実行した後で終
わることがあるので、2回のリフレッシュを行い、ただ
1つの有用なベクトルを与える1ブロックをフェッチす
るのに十分な時間を与えなければならない。これは、少
なくとも3つの他の64ベクトル・ブロックをフェッチ
しなければならないことを意味する。したがって、各モ
ジュールに少なくとも192のベクトルがなければなら
ない。192よりも大きい任意の数を選択することがで
きる。この好適実施れでは、256が選択された。
This cycle, however, begins when the module start address is the early LVM address counter 310.
Interrupted when loaded into. In order to ensure that a proper refresh occurs, such a module must be long enough to cause at least one even bank refresh and at least one odd bank refresh. The module has 64 vectors
It may end up after executing only one vector in a block, so it must be refreshed twice and given enough time to fetch one block which gives only one useful vector. This means that at least 3 other 64 vector blocks must be fetched. Therefore, there must be at least 192 vectors in each module. Any number greater than 192 can be selected. In this preferred implementation, 256 was selected.

【0078】モジュールが偶数のバンクか奇数のバンク
かにおいて開始することとは関係なく、同じ結論が生じ
る。各モジュールは、メモリの両方のバンクが適切にリ
フレッシュされることを保証するために、少なくとも1
93のベクトルを含まなければならない。メモリ・サイ
クル・クロックを発生する回路は、明示的には図示され
ていない。しかし、デジタル回路はタイミング回路を用
い、従来型の設計技術がここでは用いられ要求されるタ
イミング回路を実現することは、この技術分野では周知
である。データをパターン・メモリ116にロードする
回路も、ここでは明示的には図示されていない。メモリ
・チップ402は、しかし、システム・バス120に接
続され、データはこのバス上をメモリにロードされる。
The same conclusions arise regardless of whether the module starts in an even bank or an odd bank. Each module must have at least 1 to ensure that both banks of memory are refreshed properly.
It must contain 93 vectors. The circuitry that generates the memory cycle clock is not explicitly shown. However, it is well known in the art that digital circuits use timing circuits and conventional design techniques are used here to achieve the required timing circuits. The circuitry for loading data into pattern memory 116 is also not explicitly shown here. Memory chip 402, however, is connected to system bus 120 and data is loaded into memory on this bus.

【0079】以上で本発明の好適実施例を説明したが、
種々の代替的な実施例を構成することもできる。VMT
とMLTとを別個のメモリにおける別個のデータ構造と
して実現すると、上では説明した。これら両方からの情
報は、1つのメモリ又は1つのデータ構造に合成するこ
とができる。構成された構造は、たとえば、パターン・
メモリ内の各モジュールの位置を含むモジュールのリス
トであり得る。
The preferred embodiment of the present invention has been described above.
Various alternative embodiments may be constructed. VMT
It has been described above that the and MLTs are implemented as separate data structures in separate memories. Information from both of these can be combined into one memory or one data structure. The structured structure is, for example, a pattern
It may be a list of modules including the location of each module in memory.

【0080】図5は、VMT206とMLT204との
別の構成を示している。図5においては、2つの512
Kx8ビットのメモリ504、506が、VMTとML
Tとの中の両方の情報を記憶するのに用いられる。メモ
リ504、506のアドレス線は、相互に結合され、両
メモリは共にアドレス指定される。これらは別の出力デ
ータ・ラインを有しており、それによって、16ビット
のデータを有効に出力する。メモリのアッパー・アドレ
スは、VMTの中の情報を記憶するのに用いられる。メ
モリ504、506の中の何らかの任意のアドレスを、
MLTの開始として定義する。メモリのVMT部分に記
憶されたアドレスは、この開始アドレスからのオフセッ
トを表す。VMTからアドレスを得るために、VMTコ
ントローラ502は、メモリ504、506から1つの
位置を読み出す。VMTコントローラ502は、次に、
MLTの開始アドレスをこのアドレスに加算し、そのア
ドレスにおけるメモリ504、506の内容を読み出
す。MLTにおける情報はこの好適実施例では52ビッ
トの長さであるから、次に更に3回の読み出し動作が、
メモリ504、506における連続するアドレスから行
われる。すべての情報が読み出され、次に、VMTコン
トローラ502によって、カウンタ308、310に与
えられる。VMTコントローラ502は、この技術分野
で従来用いられているセミカスタムなASICとして実
現でき、上述の、カウンタと、レジスタと、制御論理と
を含み得る。
FIG. 5 shows another configuration of the VMT 206 and the MLT 204. In FIG. 5, two 512
Kx8-bit memories 504 and 506 are used for VMT and ML.
Used to store information in both T and. The address lines of memories 504 and 506 are coupled together so that both memories are addressed together. These have a separate output data line, which effectively outputs 16 bits of data. The memory upper address is used to store information in the VMT. Some arbitrary address in the memory 504, 506,
Defined as the start of MLT. The address stored in the VMT portion of memory represents an offset from this starting address. To get the address from the VMT, the VMT controller 502 reads a location from the memories 504, 506. The VMT controller 502 then
The start address of the MLT is added to this address, and the contents of the memories 504 and 506 at that address are read. Since the information in the MLT is 52 bits long in this preferred embodiment, then three more read operations are performed:
Sequential addresses in the memories 504 and 506 are executed. All information is read and then provided by VMT controller 502 to counters 308, 310. VMT controller 502 may be implemented as a semi-custom ASIC conventionally used in the art and may include the counters, registers, and control logic described above.

【0081】別の例として、VMT RAMは1つのパ
ターンを構成するモジュールの1つのリストを含むと上
では説明した。VMT RAMの中のモジュールの複数
のリストを記憶して、それによって、メモリを全く再ロ
ードせずに実行され得るようにすることが可能である。
その場合には、制御回路208は、VMTアドレス・カ
ウンタを、実行するパターンのアドレスによってロード
することになる。複数のパターンを実現する別の方法
は、VMTアドレス・カウンタ302に上昇して又は下
降してカウントさせることである。1つのパターンに対
するモジュールのリストは、VMT RAM304のト
ップに記憶できるし、第2のパターンをVMT RAM
のボトムに上昇して(going up)記憶すること
ができる。ゼロからカウントアップすることによって、
第1のパターンが実行される。ゼロ・マイナス1(1の
補数)からカウントダウンすることによって、第2のパ
ターンが実行される。メモリ・アドレスがこの態様で記
憶される場合に、アップ・カウンタは、個々の出力ビッ
トを単に反転させることによって、ダウン・カウンタに
容易に変更できる。
As another example, VMT RAM has been described above as containing one list of modules that make up one pattern. It is possible to store multiple lists of modules in VMT RAM so that they can be executed without reloading the memory at all.
In that case, the control circuit 208 will load the VMT address counter with the address of the pattern to be executed. Another way to implement multiple patterns is to have VMT address counter 302 count up or down. The list of modules for one pattern can be stored at the top of VMT RAM 304 and the second pattern can be stored in VMT RAM 304.
Can go up and remember. By counting up from zero,
The first pattern is executed. The second pattern is executed by counting down from zero minus one (1's complement). If the memory address is stored in this manner, the up counter can easily be changed to a down counter by simply inverting the individual output bits.

【0082】更なる修正は、メモリ・オフセットをメモ
リ・アーキテクチャに組み入れることである。モジュー
ルをその第1のベクトル以外の場所で開始するために、
オフセットが、アーリーLVMアドレス・カウンタ31
0にロードされる前に、MLT RAM306に記憶さ
れた開始位置の値に加えられる。同じオフセットが、モ
ジュール・レングス・カウンタ308にロードされる前
に、モジュールの長さから減算される。
A further modification is to incorporate the memory offset into the memory architecture. To start the module somewhere other than its first vector,
The offset is the early LVM address counter 31.
It is added to the start position value stored in MLT RAM 306 before it is loaded to zero. The same offset is subtracted from the length of the module before it is loaded into the module length counter 308.

【0083】別の変更は、制御回路208に、VMT2
06内のモジュールのリストを複数回だけ通って巡回す
るハードウェアを含ませることである。この回数は、シ
ステム・バス120上に提供されるプログラムされた値
であり得る。このようにして、パターンが反復される回
数は、ユーザによってプログラムできる。また、VMT
206は、各モジュールに対する反復カウントを含むよ
うに増加させられる。このように、モジュールが反復さ
れる回数は、プログラムすることができる。
Another modification is that the control circuit 208 has VMT2
It is to include hardware that goes through the list of modules in 06 only multiple times. This number may be a programmed value provided on system bus 120. In this way, the number of times the pattern is repeated is programmable by the user. Also, VMT
206 is incremented to include the iteration count for each module. Thus, the number of times the module is repeated is programmable.

【0084】更なる改編の例として、モジュールの実行
のオーダーがVMT RAMから与えられると上では説
明した。実行する新たなモジュールは実行する次のベク
トルよりもはるかに遅い速度で選択されるので、実行す
る次のモジュールに関する情報は、テスタ内のRAMか
ら読み出されるのではなく、システム・バス120上を
提供され得る。
As an example of further modification, it was explained above that the order of execution of modules is given from VMT RAM. Since the new module to execute is selected much slower than the next vector to execute, information about the next module to execute is provided on the system bus 120 rather than read from RAM in the tester. Can be done.

【0085】ここで説明したメモリ・アーキテクチャ
は、既知の技術と共に用いることができ、高速でフレキ
シブルなテスタを構成する。二次メモリ322は、サブ
ルーチン・メモリのために従来テスタで用いられている
ような小さなSRAMでよい。更に、Brown他へ
の、高速タイミング発生器に関する米国特許第5270
582号(この特許は、本願で援用する)に記載されて
いるような技術は、この技術と共にテスタを更に高速に
するために用いられ得る。
The memory architecture described here can be used with known techniques to provide a fast and flexible tester. Secondary memory 322 may be a small SRAM such as is conventionally used in testers for subroutine memory. Further, US Pat. No. 5,270,520 to Brown et al. For a fast timing generator.
Techniques such as those described in US Pat. No. 582, which is incorporated herein by reference, may be used with this technique to further speed up the tester.

【0086】好適実施例の多くの特徴は本発明にとって
重要ではない。たとえば、opcode LVM116
Aは、データLVM116Bとは別個のデータ構造とし
て示されているが、この相違は本発明にとって重要では
ない。データと制御情報との両方が1つのメモリに記憶
することもできるし、複数のメモリに分配することもで
きる。
Many features of the preferred embodiment are not critical to the invention. For example, opcode LVM116
Although A is shown as a data structure separate from the data LVM 116B, this difference is not material to the invention. Both data and control information can be stored in one memory or distributed in multiple memories.

【0087】したがって、本発明は、冒頭の特許請求の
範囲の精神と範囲とだけによって画定される。
The invention is therefore defined solely by the spirit and scope of the appended claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるテスタ・システムのブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram of a tester system according to the present invention.

【図2】本発明のメモリ・アーキテクチャの概念的なス
ケッチである。
FIG. 2 is a conceptual sketch of the memory architecture of the present invention.

【図3】図1のテスタのパターン発生器を更に詳細に示
すブロック図である。
3 is a block diagram showing the pattern generator of the tester of FIG. 1 in more detail.

【図4】図3のパターン発生器のメモリとメモリ制御回
路とを更に詳細に示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing the memory and memory control circuit of the pattern generator of FIG. 3 in more detail.

【図5】本発明のベクトル・モジュール・テーブルの別
の構成のブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of another configuration of the vector module table of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベンジャミン・ジェイ・ブラウン アメリカ合衆国カリフォルニア州91361, ウエストレイク・ヴィレッジ,ブライトス トーン・コート 945 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Benjamin Jay Brown, California, USA 91361, Westlake Village, Brighton Stone Court 945

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テスタ・システムにおいて、 a)テスト・パターンを記憶する、複数のアドレス線を
有する第1のメモリ手段と、 b)データ出力と複数のアドレス線とを有する第2のメ
モリ手段と、 c)前記第2のメモリ手段の前記データ出力からのデー
タと前記第1のメモリ手段の前記アドレス線に結合され
た出力とを受信するように接続されたアドレス・カウン
タと、 d)出力と、前記第2のメモリ手段の前記データ出力か
らデータを受信するように接続された入力と、を有する
第2のカウンタと、 e)前記第2のメモリ手段における少なくとも1つの位
置にアクセスし、前記第2のカウンタが所定の値に達す
るのに応答して前記アドレス・カウンタと前記第2のカ
ウンタとに前記第2のメモリ手段における少なくとも1
つの位置に記憶されたデータをロードする制御手段と、 を備えていることを特徴とするテスタ・システム。
1. A tester system comprising: a) a first memory means having a plurality of address lines for storing a test pattern; and b) a second memory means having a data output and a plurality of address lines. C) an address counter connected to receive data from the data output of the second memory means and an output of the first memory means coupled to the address line; and d) an output. A second counter having an input connected to receive data from the data output of the second memory means, and e) accessing at least one location in the second memory means, At least one of the address counter and the second counter in the second memory means in response to the second counter reaching a predetermined value.
A tester system comprising: control means for loading data stored in one position;
【請求項2】 請求項1記載のテスタ・システムにおい
て、前記制御手段によってアクセスされた第2のメモリ
手段における前記位置を表すアドレス情報を連続的な間
隔で前記制御手段に提供する手段を更に備えていること
を特徴とするテスタ・システム。
2. The tester system according to claim 1, further comprising means for providing address information representing the position in the second memory means accessed by the control means to the control means at consecutive intervals. A tester system characterized by
【請求項3】 請求項2記載のテスタ・システムにおい
て、アドレス情報を連続的な間隔で提供する前記手段
は、前記制御手段によってシーケンシャルにアクセスさ
れるメモリに記憶されたアドレス情報の順序付けられた
リストを備えていることを特徴とするテスタ・システ
ム。
3. The tester system of claim 2, wherein said means for providing address information at consecutive intervals is an ordered list of address information stored in a memory which is sequentially accessed by said control means. A tester system characterized by being equipped with.
【請求項4】 請求項3記載のテスタ・システムにおい
て、前記制御手段は、ループの始点を表す前記順序付け
られたリストにおけるエントリを示すループ始点指標と
前記ループの終点を表す前記順序付けられたリストにお
けるエントリを示すループ終点指標とを記憶するメモリ
手段と、ループの終点に達するまでアドレス情報の前記
順序付けられたリストにシーケンシャルにアクセスし、
その後は、前記ループ始点指標から前記順序付けられた
リストにおけるエントリにシーケンシャルにアクセスす
る手段と、を更に備えていることを特徴とするテスタ・
システム。
4. The tester system according to claim 3, wherein the control means includes a loop start point index indicating an entry in the ordered list representing a start point of a loop, and a loop start index indicating an end point of the loop in the ordered list. Memory means for storing a loop endpoint index indicating an entry, and sequentially accessing the ordered list of address information until the end of the loop is reached,
And a means for sequentially accessing the entries in the ordered list from the loop start index thereafter.
system.
【請求項5】 請求項2記載のテスタ・システムにおい
て、アドレス情報を連続的な間隔で提供する前記手段
は、前記第2のカウンタが所定の値に達するのに応答し
てアドレス情報を提供することを特徴とするテスタ・シ
ステム。
5. The tester system of claim 2, wherein said means for providing address information at consecutive intervals provides address information in response to said second counter reaching a predetermined value. A tester system characterized by
【請求項6】 メモリに記憶された命令を実行する高速
デジタル装置において、 a)複数の命令を記憶し、第1のバンクと第2のバンク
とを有し、読み出しコマンドに応答してデータのブロッ
クを出力するダイナミック・メモリと、 b)アドレス出力と状態出力とを有するアドレス・カウ
ンタであって、該アドレス・カウンタは、前記アドレス
出力が前記メモリにおけるデータのブロックの開始を示
す値をとることと、前記ブロックが前記メモリの前記第
1のバンクにあるか又は第2のバンクにあるかとを示
す、アドレス・カウンタと、 c)アドレス出力を有する第1のリフレッシュ・アドレ
ス・カウンタと、 d)アドレス出力を有する第2のリフレッシュ・アドレ
ス・カウンタと、 e)前記メモリの前記第1のバンクがアクセスされるこ
とを示す第1の状態と、前記メモリの前記第2のバンク
がアクセスされることを示す第2の状態との間で交替す
るメモリ・サイクル信号を発生する手段と、 f)前記アドレス・カウンタの前記アドレス出力と第1
及び第2のリフレッシュ・アドレス・カウンタとメモリ
・サイクル信号を発生する前記手段と前記アドレス・カ
ウンタの前記状態出力とに応答して、各メモリ・サイク
ルにおいて前記メモリに選択されたアドレスを与えるア
ドレス選択手段であって、前記選択されたアドレスは、 i)前記アドレス・カウンタの前記状態出力が前記アド
レス・カウンタがブロックの開始を示す値をとることを
示し、アクセスされると前記メモリ・サイクル信号が示
すバンクの中にデータの前記ブロックがある場合には、
前記アドレス・カウンタの前記アドレス出力であり、 ii)前記第1のバンクがアクセスされることを前記メモ
リ・サイクル信号が示し、前記アドレス・カウンタがブ
ロックの開始を示す値をとっていることを前記アドレス
・カウンタの前記状態出力が示さず、アクセスされるこ
とを前記メモリ・サイクル信号が示すバンクの中にデー
タの前記ブロックがある場合には、前記第1のリフレッ
シュ・カウンタの前記アドレス出力であり、 iii)前記第2のバンクがアクセスされることを前記メ
モリ・サイクル信号が示し、前記アドレス・カウンタが
ブロックの開始を示す値をとっていることを前記アドレ
ス・カウンタの前記状態出力が示さず、アクセスされる
ことを前記メモリ・サイクル信号が示すバンクの中にデ
ータの前記ブロックがある場合には、前記第1のリフレ
ッシュ・カウンタの前記アドレス出力である、ことを特
徴とする高速デジタル装置。
6. A high speed digital device for executing instructions stored in a memory, comprising: a) storing a plurality of instructions, having a first bank and a second bank, in response to a read command; A dynamic memory outputting a block; and b) an address counter having an address output and a status output, the address counter having a value indicating the start of a block of data in the memory. And an address counter indicating whether the block is in the first bank or the second bank of the memory, c) a first refresh address counter having an address output, and d) A second refresh address counter having an address output, and e) that the first bank of the memory is accessed. Means for generating a memory cycle signal that alternates between a first state indicating that the second bank of memory is accessed and a second state indicating that the second bank of memory is accessed; Address output and first
And an address selection providing a selected address to the memory at each memory cycle in response to a second refresh address counter, the means for generating a memory cycle signal, and the status output of the address counter. The selected address is i) indicating that the status output of the address counter has a value indicating that the address counter indicates the start of a block, and when accessed, the memory cycle signal is If the block of data is in the indicated bank,
The address output of the address counter, ii) the memory cycle signal indicating that the first bank is being accessed, and the address counter taking a value indicating the start of a block The address output of the first refresh counter if the state output of the address counter is not shown and the block of data is in a bank indicated by the memory cycle signal to be accessed; Iii) The status output of the address counter does not indicate that the memory cycle signal indicates that the second bank is being accessed and that the address counter has a value indicating the start of a block. , If the block of data is in the bank indicated by the memory cycle signal to be accessed Is the address output of the first refresh counter.
【請求項7】 請求項6記載の装置において、前記アド
レス選択手段に結合されたイネーブル入力を有しており
前記メモリに結合されたデータの少なくとも1つのブロ
ックを受信するバッファを更に備え、前記アドレス選択
手段は、前記アドレス・カウンタが前記選択されたアド
レスである場合には前記バッファをイネーブルし、前記
第1又は第2のリフレッシュ・カウンタの前記アドレス
出力が前記選択されたアドレスである場合には前記出力
バッファをディセーブルする手段を更に備えていること
を特徴とする装置。
7. The apparatus of claim 6, further comprising a buffer having an enable input coupled to said address selection means and receiving at least one block of data coupled to said memory, said address The selecting means enables the buffer when the address counter is the selected address, and when the address output of the first or second refresh counter is the selected address. An apparatus, further comprising means for disabling the output buffer.
【請求項8】 請求項7記載の装置において、この装置
は前記メモリにロードされたベクトルのモジュールを有
するテスタであり、前記モジュールの非シーケンシャル
な実行順序を選択する選択手段を更に備えており、前記
選択手段は前記アドレス・カウンタにベクトルのモジュ
ールの開始アドレスをロードする手段を含み、前記アド
レス・カウンタの前記状態出力はモジュールの前記開始
アドレスが前記アドレス・カウンタにロードされる場合
にはデータのブロックの開始を示すことを特徴とする装
置。
8. The apparatus according to claim 7, wherein the apparatus is a tester having a module of vectors loaded in the memory, further comprising selection means for selecting a non-sequential execution order of the modules, The selecting means includes means for loading the starting address of the module of the vector into the address counter, and the status output of the address counter is of data if the starting address of the module is loaded into the address counter. A device characterized by indicating the start of a block.
【請求項9】 請求項8記載の装置において、前記ダイ
ナミック・メモリは、1ギガバイトを超えるダイナミッ
ク・メモリを有することを特徴とする装置。
9. The apparatus according to claim 8, wherein the dynamic memory comprises more than 1 gigabyte of dynamic memory.
【請求項10】 請求項9記載の装置において、前記ダ
イナミック・メモリは、複数のJEDEC SDRAM
チップを有することを特徴とする装置。
10. The device of claim 9, wherein the dynamic memory is a plurality of JEDEC SDRAMs.
A device having a chip.
【請求項11】 請求項10記載の装置において、各メ
モリ・チップは最大のバースト・データ速度を与えるよ
うにクロックされ、前記テスタは、前記最大のバースト
速度の半分に等しい所定の最大の速度でベクトルを実行
することを特徴とする装置。
11. The apparatus of claim 10, wherein each memory chip is clocked to provide a maximum burst data rate and the tester is at a predetermined maximum rate equal to half the maximum burst rate. An apparatus characterized by executing a vector.
【請求項12】 請求項11記載の装置において、各メ
モリ・チップは、少なくとも50MHzの速度で1バイ
トのデータを出力するようにクロックされていることを
特徴とする装置。
12. The apparatus according to claim 11, wherein each memory chip is clocked to output one byte of data at a rate of at least 50 MHz.
【請求項13】 テスタを動作させる方法において、 a)複数のパターン・モジュールをメモリにロードする
ステップと、 b)実行されるパターン・モジュールの順序付けられた
リストと各パターン・モジュールのメモリにおける位置
とを記憶するステップと、 c)i)前記順序付けられたリストにおける第1のパタ
ーン・モジュールの前記記憶された位置を用いて当初の
アドレスを発生し、ii)前記第1のパターン・モジュー
ルの終端に達するまで前記アドレスを進め、iii)前記
順序付けられたリストにおける継続的なパターン・モジ
ュールのためにステップi)及びii)を反復する、こと
により前記メモリにアドレスを発生するステップと、 を含むことを特徴とする方法。
13. A method of operating a tester, comprising the steps of: a) loading a plurality of pattern modules into memory; and b) an ordered list of pattern modules to be executed and the location of each pattern module in memory. C) i) generating an original address using the stored position of the first pattern module in the ordered list, and ii) at the end of the first pattern module. Advancing the address until it is reached, and iii) repeating steps i) and ii) for successive pattern modules in the ordered list, thereby generating the address in the memory. How to characterize.
【請求項14】 請求項13記載の方法において、順序
付けられたリストとパターン・モジュールの位置とを記
憶する前記ステップは、モジュールの順序付けられたリ
ストと各モジュールの前記位置とをメモリに別々に記憶
することを含むことを特徴とする方法。
14. The method of claim 13, wherein the step of storing the ordered list and the position of the pattern module stores the ordered list of modules and the position of each module separately in memory. A method comprising:
【請求項15】 請求項14記載の方法において、パタ
ーン・モジュールの順序付けられたリストを記憶する前
記ステップは、少なくとも1つのパターン・モジュール
が前記順序付けられたリスト内の複数の位置に現れるパ
ターン・モジュールの順序付けられたリストを記憶する
ことを含むことを特徴とする方法。
15. The method of claim 14, wherein the step of storing an ordered list of pattern modules comprises pattern modules in which at least one pattern module appears at a plurality of positions in the ordered list. Storing an ordered list of.
【請求項16】 請求項14記載の方法において、各モ
ジュールの前記位置を記憶する前記ステップは、前記開
始アドレスと前記モジュールの長さとを含む各モジュー
ルに対する単一の記録を第2のメモリに記憶することを
含み、順序付けられたリストを記憶する前記ステップ
は、記録の前記第2のモジュールに前記アドレスを記憶
することを含む、ことを特徴とする方法。
16. The method of claim 14, wherein the step of storing the location of each module stores a single record for each module in a second memory including the start address and the length of the module. And storing the ordered list comprises storing the address in the second module of a record.
【請求項17】 請求項16記載の方法において、前記
メモリにアドレスを発生する前記ステップの後に、モジ
ュールの異なる順序付けられたリストを記憶する前記ス
テップを更に含むことを特徴とする方法。
17. The method of claim 16, further comprising the step of storing a different ordered list of modules after the step of generating an address in the memory.
【請求項18】 請求項17記載の方法において、モジ
ュールの異なる順序付けられたリストを記憶する前記ス
テップは、メモリに記憶された前記複数のモジュールの
一部を変更することなく異なる順序付けられたリストを
記憶することを含むことを特徴とする方法。
18. The method of claim 17, wherein the step of storing a different ordered list of modules stores the different ordered list without changing a portion of the plurality of modules stored in memory. A method comprising storing.
【請求項19】 請求項13記載の方法において、メモ
リにアドレスを発生する前記ステップは、 a)前記順序付けられたリスト内の所定のパターン・モ
ジュールがいつ実行されたかを検出するステップと、 b)前記順序付けられたリストの中の第2の所定の位置
で開始する前記順序付けられたリストの中のパターン・
モジュールの実行を反復するステップと、 を含むことを特徴とする方法。
19. The method of claim 13, wherein the step of generating an address in memory comprises: a) detecting when a given pattern module in the ordered list has been executed; and b). A pattern in the ordered list starting at a second predetermined position in the ordered list,
Repeating the execution of the module, and.
【請求項20】 請求項19記載の方法において、パタ
ーン・モジュールの実行を反復する前記ステップは、所
定の回数だけ前記所定のパターン・モジュールの実行を
反復することを含むことを特徴とする方法。
20. The method of claim 19, wherein the step of repeating the execution of the pattern module comprises repeating the execution of the predetermined pattern module a predetermined number of times.
【請求項21】 テスタを動作させる方法において、 a)複数のパターン・モジュールをダイナミックRAM
メモリの中の非シーケンシャルな位置にロードするステ
ップであって、各パターン・モジュールは、前記メモリ
の中にシーケンシャルな順序で記憶された複数のベクト
ルを含む、ステップと、 b)シーケンシャルな順序で前記モジュールの1つから
ベクトルを検索し、前記検索したベクトルを実行速度で
実行するステップと、 c)シーケンシャルな順序でベクトルを検索しながら、
前記ダイナミックRAMメモリを第1のリフレッシュ速
度でリフレッシュするステップと、 d)第2のパターン・モジュールからベクトルを検索
し、前記検索したベクトルをを前記実行速度で実行し、
それによって、前記第1のモジュールから前記第2のモ
ジュールへの移行の間にベクトルが前記実行速度で連続
的に実行されるようにするステップと、 e)前記ダイナミックRAMメモリを、ベクトルを前記
第2のパターン・モジュールから当初は検索しながら、
前記第1のリフレッシュ速度よりも遅い第2のリフレッ
シュ速度でリフレッシュするステップと、 f)前記ダイナミックRAMメモリを前記第2のリフレ
ッシュ速度でリフレッシュした後で、前記ダイナミック
RAMメモリを前記第1の速度でリフレッシュするステ
ップと、 を含むことを特徴とする方法。
21. A method of operating a tester, comprising: a) a plurality of pattern modules in a dynamic RAM.
Loading non-sequential locations in memory, each pattern module comprising a plurality of vectors stored in said memory in sequential order; and b) said sequential order. Retrieving a vector from one of the modules and executing the retrieved vector at execution speed; c) retrieving the vector in sequential order,
Refreshing the dynamic RAM memory at a first refresh rate; d) retrieving a vector from a second pattern module and executing the retrieved vector at the execution rate;
Thereby causing the vector to be continuously executed at the execution speed during the transition from the first module to the second module, and e) the dynamic RAM memory to store the vector in the second Initially searching from the second pattern module,
Refreshing at a second refresh rate that is slower than the first refresh rate; and f) refreshing the dynamic RAM memory at the second refresh rate, and then refreshing the dynamic RAM memory at the first rate. A step of refreshing, the method comprising:
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