JP2759395B2 - Semiconductor device - Google Patents
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩ等を搭載した
半導体デバイスの改良に係り、接地した導電性ヒートス
プレッダを用い、軟磁性材料にてパッケージングしかつ
リードフレームを誘電体材料を介してヒートスプレッダ
と接続して、高速化、デジタル化したＬＳＩ等から発生
する電磁波を防止あるいは外部からの電磁波の影響を排
除した半導体デバイスに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a semiconductor device mounted with an LSI or the like, and uses a grounded conductive heat spreader to package a lead frame with a soft magnetic material and a heat spreader via a dielectric material. The present invention relates to a semiconductor device which is connected to a semiconductor device for preventing electromagnetic waves generated from a high-speed, digitized LSI or the like, or eliminating the influence of external electromagnetic waves.
【０００２】[0002]
【従来の技術】今日、情報信号処理の高密度化、高速化
の要求にともない、各種半導体デバイスはＩＣからＬＳ
Ｉ、さらに超ＬＳＩへと高集積化され、クロック使用周
波数も１６ＭＨｚから３２ＭＨｚ，、さらに５０ＭＨｚ
と高速化されつつあり、また信号処理もアナログ処理か
ら数十〜数百ＭＨｚのデジタル処理へと急速に進行して
きた。2. Description of the Related Art Today, with the demand for high-density and high-speed information signal processing, various types of semiconductor devices have been changed from ICs to LSs.
I, further integrated into ultra LSI, clock frequency from 16MHz to 32MHz, further 50MHz
The signal processing has also rapidly progressed from analog processing to digital processing at tens to hundreds of MHz.
【０００３】この半導体デバイスにおける高速化ならび
にデジタル化は、搭載したチップと外部電気回路との接
続用リードなどから電磁波を発生するようになり、半導
体デバイスのピン間、周辺回路、他デバイスや機器に電
磁波障害が発生する問題があるため、その解決が求めら
れている。特に、３０〜５００ＭＨｚの周波数駆動によ
る発生電磁波は、ＴＶを初め通信用周波数帯域に該当
し、世界的に規制の対象となる。[0003] In order to increase the speed and digitize the semiconductor device, electromagnetic waves are generated from the leads for connecting the mounted chip to an external electric circuit, etc., so that the distance between the pins of the semiconductor device, peripheral circuits, other devices and equipment are reduced. There is a problem that electromagnetic interference occurs, and a solution is required. In particular, electromagnetic waves generated by driving a frequency of 30 to 500 MHz correspond to communication frequency bands including TV, and are regulated worldwide.
【０００４】かかる半導体デバイスにおける電磁波障害
の防止策としては、次の手段等がある。 １）クロックラインを短くする。 ２）Ｉ／Ｏ（ｉｎｐｕｔ−ｏｕｔｐｕｔ）回路にフェラ
イトビーズを入れる。 ３）回路をマイクロストリップラインにしてインピーダ
ンスを一定にし、同値の抵抗で終端する。 ４）金属躯体で電波シールドする。[0004] As measures for preventing electromagnetic interference in such semiconductor devices, there are the following means. 1) Shorten the clock line. 2) Put ferrite beads in an I / O (input-output) circuit. 3) Make the circuit a microstrip line, make the impedance constant, and terminate with a resistor of the same value. 4) Shield radio waves with a metal frame.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の如き、電気回路
的な改良のみでは、電磁波の発生を大幅に低減すること
ができず、たとえ低減できたとしても、外部からの電磁
波の侵入防止効果は僅少である。また金属シールドを用
いる場合は、外部からの電磁波の侵入、ならびに内部か
らの漏洩をある程度防止できるが、内部では漏洩しない
ように金属躯体で反射しているだけで、内部での電磁波
障害を根本的に解決できるわけではない。As described above, the improvement of the electric circuit alone cannot significantly reduce the generation of electromagnetic waves, and even if it can be reduced, the effect of preventing the invasion of electromagnetic waves from the outside cannot be achieved. Insignificant. When a metal shield is used, the penetration of electromagnetic waves from the outside and the leakage from the inside can be prevented to some extent.However, the internal electromagnetic waves are basically reflected by the metal frame so that they do not leak inside. Is not always possible.
【０００６】また、従来の解決策は、電磁波障害の低減
効果が十分でなく、またあらゆる半導体デバイスや電子
デバイスを対象に適用できるものでなく、技術上あるい
はコストの点など種々の面で十分とは言い難いものであ
った。[0006] Further, the conventional solution does not have a sufficient effect of reducing electromagnetic interference, cannot be applied to all semiconductor devices and electronic devices, and is not sufficient in various aspects such as technical or cost. Was hard to say.
【０００７】この発明は、半導体デバイスにおける電磁
波障害の現状に鑑み、Ｉ／Ｏ回路自体及び周辺から発生
する電磁波を積極的に吸収して、電磁波の発生及び漏洩
を防止でき、また、外部からの電磁波の侵入も防止でき
る構成からなり、いずれの形態のデバイスにも容易に適
用できる構成からなる半導体デバイスの提供を目的とし
ている。According to the present invention, in view of the current state of electromagnetic interference in semiconductor devices, electromagnetic waves generated from the I / O circuit itself and its surroundings can be positively absorbed to prevent generation and leakage of electromagnetic waves, It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having a configuration that can prevent intrusion of electromagnetic waves and a configuration that can be easily applied to any type of device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体チッ
プあるいはさらに他電子デバイスを搭載してパッケージ
ングする半導体デバイスにおいて、導電性ヒートスプレ
ッダに搭載した半導体チップあるいはさらに他電子デバ
イスとリードをパッケージングするための部材が軟磁性
材料からなり、前記導電性ヒートスプレッダを接地しか
つ誘電体材料を介してリードと導電性ヒートスプレッダ
を接続したことを特徴とする半導体デバイスである。こ
こでパッケージングとは、半導体チップあるいはさらに
他電子デバイスの全体または所要部を覆い封着すること
のほか所謂封着部をも含み、目的のデバイス形態に容器
を形成する手段をいう。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, there is provided a semiconductor device mounted with a semiconductor chip or another electronic device and packaged, wherein leads are packaged with a semiconductor chip mounted on a conductive heat spreader or further another electronic device. The semiconductor device comprises a soft magnetic material, the conductive heat spreader is grounded, and the lead is connected to the conductive heat spreader via a dielectric material. Here, the term “packaging” refers to means for forming a container in a target device form, including not only covering and sealing the whole or a required portion of a semiconductor chip or other electronic device but also a so-called sealing portion.
【０００９】また、この発明は、上記の構成において、
封着する軟磁性材料の内部および／または表面にリード
パターンが形成されていることを特徴とする半導体デバ
イスである。Further, the present invention provides the above-mentioned configuration,
A semiconductor device having a lead pattern formed inside and / or on a surface of a soft magnetic material to be sealed.
【００１０】また、この発明は、上記の構成において、
封着する軟磁性材料が軟磁性材料粉末を樹脂またはゴム
またはガラスに分散、個化した構成であることを特徴と
する半導体デバイスである。[0010] Further, according to the present invention, in the above configuration,
A semiconductor device in which a soft magnetic material to be sealed has a structure in which soft magnetic material powder is dispersed and individualized in resin, rubber, or glass.
【００１１】また、この発明は、上記の構成において、
軟磁性材料が異材質との積層構造からなることを特徴と
する半導体デバイスである。[0011] Further, according to the present invention, in the above structure,
A semiconductor device characterized in that the soft magnetic material has a laminated structure of different materials.
【００１２】この発明による半導体デバイスは、接地し
た導電性ヒートスプレッダを用い、例えばインナーリー
ドごと軟磁性材料にて被覆封着しかつリードフレームを
誘電体材料を介してヒートスプレッダと接続することに
より、高速化、デジタル化したＬＳＩ等から発生する電
磁波を軟磁性材料にて吸収するとともに、かかる構成に
より雑音遮断フィルターを形成して、高周波成分の接地
放散効果を大きく改善し、電磁波障害対策効果を高めた
ことを特徴とする。この発明において、半導体チップあ
るいはさらに他電子デバイスを搭載するヒートスプレッ
ダは、導電性を有する金属や合金、例えば銅やアルミま
たはこれらの合金あるいはクラッド材などを適宜選定で
きる。導電性ヒートスプレッダにリードフレーム等を接
続する際に使用する誘電体材料には、封着用ガラスをは
じめ公知の各種ガラスやセラミックスが使用でき、誘電
率、厚みなどは要求されるインピーダンス、周波数など
のノイズ成分に応じて適宜選定される。また、軟磁性材
料の誘電率をも合わせて考慮する必要がある。The semiconductor device according to the present invention uses a grounded conductive heat spreader, for example, covers and seals the inner leads together with a soft magnetic material and connects the lead frame to the heat spreader via a dielectric material, thereby increasing the speed. The soft magnetic material absorbs electromagnetic waves generated by digitized LSIs, etc., and a noise cut-off filter is formed by this configuration, which greatly improves the effect of ground radiation of high frequency components and enhances the effect of countermeasures against electromagnetic interference. It is characterized by. In the present invention, the heat spreader on which the semiconductor chip or the other electronic device is mounted can be appropriately selected from conductive metals and alloys, for example, copper and aluminum, their alloys, and clad materials. As a dielectric material used for connecting a lead frame or the like to the conductive heat spreader, various kinds of known glasses and ceramics including sealing glass can be used. It is appropriately selected according to the components. It is also necessary to consider the permittivity of the soft magnetic material.
【００１３】この発明において、軟磁性材料は、軟磁性
でかつ固有電気抵抗の大ききな材料が好ましく、Ｍｎフ
ェライト、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇフェライト等のスピネル系
フェライト、さらにはＹＩＧ等のガーネット系フェライ
ト、Ｂａ−Ｃｏなどの六方晶プレーナ型系フェライトな
どデバイス形態、用途や電波吸収特性等に応じて適宜選
定できる。例えば、高周波用としてはスピネル系フェラ
イト粉を後述の樹脂等に分散させたものが適しており、
ガーネット系またはプレーナ型の場合は樹脂等に分散さ
せるほか、バルクのまま利用することができるまた、所
謂パーマロイ、センダスト、アルフェノール、パーメン
ジュール、窒化鉄、その他のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ基合金な
どの軟磁性合金を利用でき、樹脂などと複合して絶縁体
化してもよい。In the present invention, the soft magnetic material is preferably a soft magnetic material having a large specific electric resistance, such as a spinel ferrite such as Mn ferrite and Cu-Zn-Mg ferrite, and a garnet ferrite such as YIG. , Ba-Co and other hexagonal planar ferrites can be appropriately selected according to the device form, application, radio wave absorption characteristics, and the like. For example, for high frequency use, spinel ferrite powder dispersed in a resin or the like described below is suitable.
In the case of a garnet or planar type, it can be dispersed in a resin or the like, and can be used as a bulk. Also, so-called permalloy, sendust, alphenol, permendur, iron nitride, other Fe, Co, Ni-based alloys May be used, and may be combined with a resin or the like to form an insulator.
【００１４】また、軟磁性材料には、上記各種系の樹脂
フェライトまたはゴムフェライトさらにはガラスフェラ
イトを使用でき、フェライトと樹脂またはゴムまたはガ
ラスの含有比率を適宜選定することによりインピーダン
スなどの特性を任意に選定できる。フェライト粉を分散
させる樹脂には、樹脂封着用レジン、ポリプロピレン、
６−ナイロン、エポキシ系、紫外線硬化型樹脂系、ウレ
タン系、ポリアミド及びポリイミド系等を用いることが
できる。ゴムには、クロロプレンゴム、シリコンゴム等
の不純物ガスを発生しないゴムを用いることができる。
また、ガラスには封着用ガラスなど公知の各種ガラスを
使用することができる、パッケージ化のための所謂封着
には、接合部の材質の組合せに応じて各種ガラスや接着
剤などの絶縁材を適宜選定できる。As the soft magnetic material, resin ferrite, rubber ferrite, or glass ferrite of the above-mentioned various systems can be used. By appropriately selecting the content ratio of ferrite and resin, rubber, or glass, characteristics such as impedance can be arbitrarily determined. Can be selected. Resins for dispersing ferrite powder include resin for resin sealing, polypropylene,
6-nylon, epoxy, UV-curable resin, urethane, polyamide and polyimide can be used. Rubber that does not generate impurity gas such as chloroprene rubber and silicon rubber can be used as the rubber.
In addition, various known glasses such as sealing glass can be used for the glass. For so-called sealing for packaging, various types of glass or an insulating material such as an adhesive is used in accordance with a combination of materials of the bonding portion. Can be selected as appropriate.
【００１５】さらにこの発明において、軟磁性材料に
は、上記の組成の単板のみならず、焼結フェライトと樹
脂フェライトまたはゴムフェライトとの積層材、あるい
は樹脂フェライトと軟磁性金属板、ゴムフェライトとＡ
ｌ板など、異材質の軟磁性材料同士の積層構造や軟磁性
材料と他材質材との積層構造とすることができる。Further, in the present invention, the soft magnetic material includes not only a single plate having the above composition, but also a laminated material of sintered ferrite and resin ferrite or rubber ferrite, or a resin ferrite and soft magnetic metal plate or rubber ferrite. A
A laminated structure of soft magnetic materials of different materials, such as a 1 plate, or a laminated structure of a soft magnetic material and another material can be used.
【００１６】[0016]
【作用】この発明は、半導体チップあるいはさらに他電
子デバイスを搭載してこれをパッケージングする半導体
デバイスにおいて、導電性のヒートスプレッダを除いた
パッケージングするためのキャップ、チップ搭載用部材
などの各容器部材、あるいは被覆封着する容器材料の全
てが軟磁性材料であることを特徴とし、Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライトなどの軟磁性材料を用いたことにより、例えば
ＬＳＩやインナーリードから発生する電磁波がキャップ
やチップ搭載用部材あるいは封着用材料にて積極的に吸
収されて、外部への漏洩が著しく減少し、また、外部か
らの電磁波も同様に吸収されて内部のＬＳＩなどに障害
を与えることがない。またこの発明は、封着する軟磁性
材料の内部および／または表面にリードパターンを形成
して表面実装型の半導体デバイスとなすことにより、ア
ウターリードから発生する電磁波も軟磁性材料からなる
封着用材料にて積極的に吸収されて、他デバイスなどへ
の漏洩が著しく減少する。According to the present invention, in a semiconductor device in which a semiconductor chip or another electronic device is mounted and packaged, each container member such as a cap for packaging without a conductive heat spreader and a chip mounting member. Alternatively, the material of the container to be covered and sealed is a soft magnetic material, and by using a soft magnetic material such as a Ni-Zn ferrite, for example, electromagnetic waves generated from an LSI or an inner lead can be used as a cap or chip. It is positively absorbed by the mounting member or the sealing material, so that leakage to the outside is significantly reduced, and electromagnetic waves from the outside are similarly absorbed, so that the internal LSI and the like are not hindered. Further, the present invention provides a surface-mount type semiconductor device in which a lead pattern is formed inside and / or on the surface of a soft magnetic material to be sealed, so that electromagnetic waves generated from outer leads are also made of a soft magnetic material. , The leakage to other devices and the like is significantly reduced.
【００１７】この発明は、半導体デバイスのリードの周
囲を軟磁性材料で囲むことにより、リードに直列にイン
ダクタンスＬが形成され、高周波成分が除去されるが、
これは熱となるので放出させるためにヒートスプレッダ
を必要とする。さらにこの発明では、リードの周囲を誘
電体で囲み、一方の電極をリード、他方の電極をヒート
スプレッダとして接地することにより、並列にキャパシ
タンスＣを形成したことになり、先のインダクタンスＬ
と合わせて雑音遮断フィルターが形成されるので、雑音
成分が熱となって蓄積されることなく、接地放散効果が
大きく改善され、前述の各効果とあいまって電磁波障害
対策効果を向上させている。According to the present invention, an inductance L is formed in series with a lead of a semiconductor device by surrounding the lead with a soft magnetic material, and a high frequency component is removed.
This requires heat spreaders to be released as heat. Further, in the present invention, the capacitance C is formed in parallel by surrounding the lead with a dielectric, grounding one electrode as a lead, and grounding the other electrode as a heat spreader.
In addition, the noise cutoff filter is formed, so that the noise component is not accumulated as heat, the ground radiation effect is greatly improved, and the electromagnetic wave interference countermeasure effect is improved in combination with the above-described effects.
【００１８】さらにこの発明は、使用する軟磁性材料を
種々材料の単層材とするほか、異材質の軟磁性材料同士
の積層構造や軟磁性材料と他材質材との積層構造とする
ことができるため、種々の形態の半導体デバイスに適用
でき、例えば、ヒートスプレッダをフェライトとＣｕや
Ａｌなどの高熱伝導材料との積層材として放熱性を確保
しながら電磁波を積極的に吸収させることができる。Further, in the present invention, the soft magnetic material to be used may be a single layer material of various materials, or may have a laminated structure of different soft magnetic materials or a laminated structure of a soft magnetic material and another material. Therefore, the present invention can be applied to various forms of semiconductor devices. For example, a heat spreader can be a laminated material of ferrite and a high heat conductive material such as Cu or Al to positively absorb electromagnetic waves while securing heat dissipation.
【００１９】[0019]
【実施例】実施例１ 図１に示す半導体デバイスは、接地したＣｕ製のヒート
スプレッダ１上には低融点ガラスからなる誘電材２を介
して所要パターンのリードフレーム３を固着してあり、
ヒートスプレッダ１の中央にＬＳＩチップ４をダイ付け
し、リードフレーム３とＬＳＩチップ４との間をワイヤ
ーボンディグした後、ヒートスプレッダ１上のＬＳＩチ
ップ４とインナーリードとなるリードフレーム３を被覆
するように、Ｎｉ−Ｚｎ系焼結フェライトからなるキャ
ップ５を絶縁材６にて封着してある。EXAMPLE 1 In the semiconductor device shown in FIG. 1, a lead frame 3 of a required pattern is fixed on a grounded heat spreader 1 made of Cu via a dielectric material 2 made of low melting point glass.
After the LSI chip 4 is die-bonded to the center of the heat spreader 1 and wire bonding is performed between the lead frame 3 and the LSI chip 4, the LSI chip 4 on the heat spreader 1 and the lead frame 3 serving as inner leads are covered. A cap 5 made of Ni—Zn-based sintered ferrite is sealed with an insulating material 6.
【００２０】実施例２ 図２の半導体デバイスは図１に示すものと同等構成にお
いて、ヒートスプレッダ１にＡｌの金属部１ａとＮｉ−
Ｚｎ系フェライトを７５ｗｔ％含有するＳｉゴムフェラ
イト１ｂとの積層構造を用いて、放熱性と電波吸収性を
兼ね備えた構成としている。Embodiment 2 The semiconductor device shown in FIG. 2 has the same structure as that shown in FIG.
A laminated structure with Si rubber ferrite 1b containing 75% by weight of Zn-based ferrite is used to provide both heat dissipation and radio wave absorption.
【００２１】実施例３ 図３に示す半導体デバイスは、Ａｌ製のヒートスプレッ
ダ１０を囲むように着設したＮｉ−Ｚｎ系焼結フェライ
トからなる支持枠１１には所定のスルーホールが設けて
あり、スルーホールを通してリードフレーム１３が支持
枠１１の表裏面に所要パターンで露出するように配置し
てあり、フェライト製支持枠１１の上面側のインナーリ
ード部とヒートスプレッダ１０上に搭載したＬＳＩチッ
プ１２とをワイヤーボンディグしたのち、ヒートスプレ
ッダ１０上のＬＳＩチップ１２とインナーリードを被覆
するように、Ｎｉ−Ｚｎ系焼結フェライトからなるキャ
ップ１５を絶縁材１６にて封着してある。さらに、ヒー
トスプレッダ１０は接地してあり、スルーホール内のリ
ードフレーム１３との間および軟磁性材料の支持枠１１
とヒートスプレッダ１０間は、低融点ガラスからなる誘
電材１７，１７にて接続してある。また、誘電材１７，
１７間の軟磁性材料の支持枠１１は誘電材としての機能
を有する。Embodiment 3 In the semiconductor device shown in FIG. 3, a predetermined through-hole is provided in a support frame 11 made of a Ni—Zn-based sintered ferrite which is mounted so as to surround a heat spreader 10 made of Al. The lead frame 13 is arranged so as to be exposed in a required pattern on the front and back surfaces of the support frame 11 through the holes, and the inner lead portion on the upper surface side of the ferrite support frame 11 and the LSI chip 12 mounted on the heat spreader 10 are wired. After bonding, a cap 15 made of Ni—Zn-based sintered ferrite is sealed with an insulating material 16 so as to cover the LSI chip 12 on the heat spreader 10 and the inner leads. Further, the heat spreader 10 is grounded, and the space between the heat spreader 10 and the lead frame 13 in the through hole and the support frame 11 made of a soft magnetic material are provided.
And the heat spreader 10 are connected by dielectric materials 17 and 17 made of low melting point glass. In addition, dielectric material 17,
The support frame 11 of the soft magnetic material between 17 has a function as a dielectric material.
【００２２】実施例４ 図４に示す半導体デバイスはヒートスプレッダとしてＡ
ｌ製の放熱フィン２０を用いた例で、放熱フィン２０の
裏面にＬＳＩチップ２１をダイ付けした構成からなり、
Ｎｉ−Ｚｎ系焼結フェライトからなるキャップ２２は外
周厚肉部２３と内側の薄肉封止部２４とからなり、リー
ドフレーム２５がその外周厚肉部２３の表裏面に所要パ
ターンで露出するように配置され、外周厚肉部２３を誘
電材２６にて放熱フィン２０に着設後、インナーリード
とＬＳＩチップ２１がワイヤーボンディグされ、さらに
薄肉封止部２４にて封止されている。Embodiment 4 The semiconductor device shown in FIG.
In this example, a heat sink fin 20 is used, and the LSI chip 21 is attached to the back of the heat sink fin 20 by die.
The cap 22 made of Ni—Zn-based sintered ferrite includes an outer peripheral thick portion 23 and an inner thin sealing portion 24 so that the lead frame 25 is exposed in a required pattern on the front and back surfaces of the outer peripheral thick portion 23. After the outer peripheral thick portion 23 is attached to the radiation fin 20 with the dielectric material 26, the inner lead and the LSI chip 21 are wire-bonded and further sealed by the thin sealing portion 24.
【００２３】[0023]
【発明の効果】この発明は、半導体デバイスにおいて、
ヒートスプレッダを除くパッケージングするためのキャ
ップ、チップ搭載用部材などの各容器部材、あるいは被
覆封着用の容器材料の全てにＮｉ−Ｚｎ系フェライトな
どの軟磁性材料を用いたことにより、例えばＬＳＩやイ
ンナーリードから発生する電磁波がキャップやチップ搭
載用部材あるいは封着用容器材料にて積極的に吸収され
て、外部への漏洩が著しく減少しかつ外部からの電磁波
も同様に吸収されて内部のＬＳＩ、周辺デバイスなどに
電磁波障害を与えることがない。さらに、半導体チップ
を載置する導電性ヒートスプレッダに誘電体材料を介し
てリードフレームを接続して、これを軟磁性材料にて被
覆封着しかつヒートスプレッダを接地したことにより、
雑音成分を熱として蓄積することなく、接地放散させる
ことができ、電磁波障害の防止効果がより向上する。ま
た、実施例に明らかなように、焼結フェライトであって
も、所謂グリーンシート時に種々成形を加えることがで
き、さらに金属材とのハイブリット構造を採用でき、種
々構成の半導体デバイスに容易に適用できる利点があ
る。According to the present invention, in a semiconductor device,
By using a soft magnetic material such as Ni-Zn ferrite for each container member such as a cap for packaging excluding a heat spreader, a chip mounting member, or a container material for covering and sealing, for example, an LSI or an inner Electromagnetic waves generated from the lead are positively absorbed by the cap, chip mounting member, or sealing container material, and leakage to the outside is significantly reduced, and external electromagnetic waves are similarly absorbed, and the internal LSI and surroundings are also absorbed. Does not cause electromagnetic interference to devices. Furthermore, by connecting a lead frame to the conductive heat spreader on which the semiconductor chip is mounted via a dielectric material, covering and sealing this with a soft magnetic material and grounding the heat spreader,
The noise component can be radiated to the ground without being accumulated as heat, and the effect of preventing electromagnetic interference can be further improved. Further, as is apparent from the examples, even if it is a sintered ferrite, various moldings can be added at the time of a so-called green sheet, a hybrid structure with a metal material can be adopted, and it can be easily applied to semiconductor devices of various configurations. There are advantages that can be done.
【図１】金属製ヒートスプレッダを有するこの発明によ
る半導体デバイスの縦断説明図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a semiconductor device according to the present invention having a metal heat spreader.
【図２】積層型ヒートスプレッダを有するこの発明によ
る半導体デバイスの縦断説明図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a semiconductor device according to the present invention having a laminated heat spreader.
【図３】金属製ヒートスプレッダを有するこの発明によ
る他の構成の半導体デバイスの縦断説明図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a semiconductor device having another configuration according to the present invention and having a metal heat spreader.
【図４】放熱フィンを有するこの発明による半導体デバ
イスの縦断説明図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view illustrating a semiconductor device according to the present invention having a radiation fin.
１，１０ ヒートスプレッダ ２，１７，２６ 誘電材 ６，１６ 絶縁材 ３，１３，２５ リードフレーム ４，１２，２１ ＬＳＩチップ ５，１５，２２ キャップ １１ 支持枠 ２０ 放熱フィン ２３ 外周厚肉部 ２４ 薄肉封止部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,10 Heat spreader 2,17,26 Dielectric material 6,16 Insulation material 3,13,25 Lead frame 4,12,21 LSI chip 5,15,22 Cap 11 Support frame 20 Radiation fin 23 Outer peripheral thick part 24 Thin sealing Stop
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/06 H01L 23/00──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/06 H01L 23/00
Claims (4)
イスを搭載してパッケージングする半導体デバイスにお
いて、導電性ヒートスプレッダに搭載した半導体チップ
あるいはさらに他電子デバイスとリードをパッケージン
グするための部材が軟磁性材料からなり、前記導電性ヒ
ートスプレッダを接地しかつ誘電体材料を介してリード
と導電性ヒートスプレッダを接続したことを特徴とする
半導体デバイス。1. A semiconductor device mounting and packaging a semiconductor chip or another electronic device, wherein a member for packaging a lead with a semiconductor chip mounted on a conductive heat spreader or another electronic device is made of a soft magnetic material. Wherein the conductive heat spreader is grounded and a lead is connected to the conductive heat spreader via a dielectric material.
リードパターンが形成されていることを特徴とする請求
項１記載の半導体デバイス。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a lead pattern is formed inside and / or on the surface of the soft magnetic material.
はゴムまたはガラスに分散、個化した構成であることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体デバイ
ス。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the soft magnetic material has a structure in which soft magnetic material powder is dispersed and individualized in resin, rubber, or glass.
ることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３
記載の半導体デバイス。4. The soft magnetic material according to claim 1, wherein the soft magnetic material has a laminated structure of different materials.
The semiconductor device according to claim 1.
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