JP2756159B2

JP2756159B2 - インク記録装置

Info

Publication number: JP2756159B2
Application number: JP1292898A
Authority: JP
Inventors: 成人芝池; 総一郎美間
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-11-09
Filing date: 1989-11-09
Publication date: 1998-05-25
Anticipated expiration: 2013-05-25
Also published as: EP0427186A3; JPH03151248A; EP0427186A2; US5077565A; EP0427186B1; DE69010148D1; DE69010148T2

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はプリンタなどに使用するインク記録装置に関
するものである。

従来の技術従来のインク記録装置として、例えば「日経メカニカ
ル」1989年５月29日号（90〜91ページ）にインクジェッ
ト方式のものが示されている。

第10図はこの従来のインク記録装置を示すものであ
り、１はスリット板、２はスリット板１にノズルの代わ
りとして複数設けられた幅50μｍ、長さ8mmのスリッ
ト、３は同じくスリット板１に設けられ、基板４に形成
された複数の発熱素子５と同数である複数の補助孔であ
り、６がインクリザーバである。基板４の上には発熱素
子５に対応して複数の電極７と細長い突起状である複数
の流体抵抗素子８とが形成されている。又スリット板１
と基板４との間にはスペーサ９が配されており、このス
ペーサ９とスリット板１及び基板４によって挟まれた部
分が、第11図（ａ）〜（ｄ）に示すインク室11を形成す
る。基板４の下方にはインクタンク10が設けられ、全体
を重ねてヘッドを構成している。発熱素子５は一般的な
サーマルヘッドと同様、基板４にガラス層、抵抗体、電
極、保護膜を重ねて形成されている。

以上のように構成された従来のインク記録装置におい
ては、第11図（ａ）〜（ｄ）に示すようにしてインク滴
を吐出する。

（ａ）先ず、基板４上の発熱素子５にパルス電圧を加え
てインク室11内のインクを加熱すると、発熱素子５付近
のインクが蒸発して小さな気泡12が多数できる。

（ｂ）更に、小さな気泡12が集まって大きな気泡13がで
きる結果、表面張力に打勝ってスリット２にインクの膨
らみができる。

（ｃ）次に、加熱を終了した発熱素子５が冷却されて気
泡13の発生が止まると、インクの膨らみが途切れてイン
ク滴14ができる。

（ｄ）このインク滴14は気泡13が成長したときの勢いに
よりスリット２から吐出される。

この従来例のように多数の発熱素子５がスリット２と
インク室11を共有する場合、隣合った発熱素子５によっ
て発生したインク滴14同士の干渉が問題になるが、上記
従来例では第10図に示したように発熱素子５、５の間に
流体抵抗素子８が設けられているので、気泡発生時の水
平方向への圧力波の伝播を防ぐことができ、インク滴14
の形成、吐出に悪影響が及ばない。又スリット板１に設
けた補助孔３が圧力波を吸収するので、圧力波の反射も
防ぐことができる。

発明が解決しようとする課題しかしながら上記従来の構成では、基本的にインク滴
の大きさを変えることができないため、信号処理で疑似
面積階調記録を行わざるを得ず、ディザなどによる画質
のざらつきが目立つ。従って特に画像を記録する場合に
は他の方式、例えば昇華型染料を用いた熱昇華方式プリ
ンタなどと比べて品質が見劣りする。

又インクを同じ位置に重ねて吐出して記録することに
より疑似面積階調記録を行なう技術があるが、この場合
はダイナミックレンジを大きくとると１ドットの記録に
長い時間を要する場合が生じて記録速度の大幅な低下を
招くため、インクジェット方式の利点である高速記録が
損なわれるという問題がある。

本発明はかかる点に鑑み、インク滴の大きさや形状を
自由に変えて面積階調記録を行うことができ、且つ安価
で、小型軽量で、高速高密度記録が可能なインク記録装
置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段本発明は、インク室と、このインク室に設けられたイ
ンク吐出口と、このインク吐出口からのインク吐出量を
変化させるインク吐出量制御手段とからなり、このイン
ク吐出量制御手段を１つ以上の貫通孔を有する薄膜で構
成するとともにこのインク吐出量制御手段をスライド移
動させる駆動手段を備え、この駆動手段を、前記インク
吐出量制御手段の移動位置に対応した部位に各々設けら
れた電極と、この電極に電圧を印加する電源と、その制
御回路とから構成され、前記電極の表面と前記インク吐
出量制御手段の表面との間に働く静電引力を利用して前
記インク吐出量制御手段を駆動し、前記インク吐出口と
前記インク吐出量制御手段に設けられた貫通孔との相対
位置を変化させてインク吐出量を制御するものであるこ
とを特徴とする。

作用本発明によれば、インク吐出口からのインク吐出量を
変化させることにより、インク滴の大きさや形状を自由
に変えることができるので、面積階調記録が可能であ
り、且つ高速記録ができる。

しかもインク吐出量制御手段を、それと電極の表面と
の間に働く静電引力を利用して駆動しているので、スム
ースかつ正確にインク吐出量を変化させることができ
る。

実施例第１図ないし第６図（ａ）〜（ｎ）に基き、本発明の
第１実施例におけるインク記録装置を説明する。

単結晶シリコンの基板21の中央部に開口部21aを設
け、そのインク室21bの外側となる裏面側に凹部21cを設
けている。基板21のインク室21bに面する表面側には、
酸化膜22、窒化膜23を夫々形成している。開口部21aは
インク室21bから、酸化膜22及び窒化膜23を貫通し、凹
部21cへつながっている。

25は多結晶シリコンにより形成されたスライダ（可動
体）である。このスライダ25は、中央部に前記開口部21
aより径が小さく互いに大きさの異なる第１〜第４イン
ク吐出口25a〜25dを備えると共に、両端側部位にガイド
孔25e、25fを備えている。スライダ25の下面を除く表面
には窒化膜（図示せず）が潤滑層として施されている。
第１〜第４インク吐出口25a〜25dの大きさは、第１イン
ク吐出口25aが最小で順に大きくなり第４インク吐出口2
5dが最大である。基板21上に立設された多結晶シリコン
製のガイド軸27、28は、前記ガイド孔25b、25cを挿通し
て各インク吐出口25a〜25dが基板21の開口部21aと順次
重なる方向に前記スライダ25を移動可能に案内する。ガ
イド軸27、28には夫々フランジ部27a、28aが一体的に設
けられ、スライダ25が抜けてしまわないように構成され
ている。

スライダ25の一端部両側部位に突出部25p、25qを設け
る一方、基板21の上に電極24a〜24hを４個ずつ２列に設
け、対向列の電極と夫々対をなす４組の電極対を多結晶
シリコンにより形成し、その表面に窒化膜を絶縁層とし
て施している。第１の電極24a、24b対は、スライダ25が
第１吐出位置（第１図及び第２図）における突出部25
p、25qに対応して配設されている。同様にして第２の電
極24c、24d対は第２吐出位置（第４図及び第５図）にお
ける突出部25p、25qに、第３の電極24e、24f対は第３吐
出位置における突出部25p、25qに、第４の電極24g、24h
対は第４吐出位置における突出部25p、25qに夫々対応し
て配設されている。第１吐出位置では、スライダ25の第
１インク吐出口25aが基板21の開口部21aと重なる。同様
にして第２吐出位置では第２インク吐出口25bが、第３
吐出位置では第３インク吐出口25cが、第４吐出位置で
は第４インク吐出口25dが開口部21aと夫々重なる。

これらの各構成部品は、後に詳しく説明するが、基板
21上にリソグラフィやエッチングといった半導体製造プ
ロセスを用いて一括して製造される。従って極めて小型
軽量であり、加工精度も非常に高いので、千鳥配列ライ
ンヘッドが容易に製作でき、その密度も自由に選択でき
る。又厚み方向も非常に薄くなるので、このヘッドブロ
ックを厚み方向に重ねて構成することも可能である。
尚、インク室21bにはインク31が充填されており、図示
しない加圧装置（例えば圧電素子や従来例のような発熱
素子）によって圧力を受けるようになっている。

以上のように構成された本実施例のインク記録装置に
おいて、以下その動作を説明する。

第１の電極24a、24b対に数10Vの電圧が印加される
と、第１図及び第２図に示すスライダ25の第１吐出位置
において、スライダ25の突出部25p、25qが、前記電極24
a、24bの表面に働く静電引力により吸引されて安定状態
となる。このとき基板21の開口部21aにはスライダ25の
第１インク吐出口25aが重なり合っている。これによ
り、インク室21bに充填されたインク31は加圧されて第
１インク吐出口25a及び開口部21aを通過し、この第１イ
ンク吐出口25aによって決定される大きさのインク滴32
となって外部に吐出される。すなわち、この状態で基板
21の外側に記録用紙をセッティングしておくことによ
り、このインク滴32によってビットが記録できる。その
際、基板21が外部からの手指などによる接触からスライ
ダ25などを保護することができるので信頼性を高めるこ
とができる。又スライダ25はインク31により圧力を受け
ることになるが、常にスライダ25が基板21との間の潤滑
性及び絶縁性を付与する窒化膜23に押付けられた状態で
支えられているので、スライダ25がインク31の圧力によ
って歪むこともなく、インク31の漏れもない。

尚、図示はしていないが、基板21の外側に新たに前面
壁を設けてもよい。これは、別部材を用いても可能であ
るし基板21を加工してもよいが、どちらにしても外部か
らの手指などによる接触からスライダ25などを保護する
ことがより確実にできるので、信頼性を益々高めること
ができる。

次にスライダ25が、第４図及び第５図に示す第２吐出
位置に移動する場合について説明する。この場合は第２
の電極24c、24d対に電圧を印加する。従ってスライダ25
の突出部25p、25qが、前記電極24c、24dの表面に働く静
電引力によって吸引され、スライダ25は第２吐出位置で
安定する。今度は、スライダ25の第２インク吐出口25b
が基板21の開口部21aと重なり合う。これにより、イン
ク室21bに充填されたインク31は加圧されて開口部21aか
ら第２インク吐出口25bの径によって決定される大きさ
のインク滴32となって吐出する。すなわちこの状態で
は、第２インク吐出口25bが第１インク吐出口25aより大
きい径であるので、インク滴32の大きさも第１吐出位置
におけるインク滴32より大きくなる。この場合、第２イ
ンク吐出口25bの径に対応するインク31を加圧する圧力
を必要に応じて変化させてもよい。つまり、第２インク
吐出口25bの径が第１インク吐出口25aの径より大きい
分、圧力も高くするということである。このようにすれ
ば、記録用紙には先程より面積の大きなドットが記録さ
れることになるが、記録に必要とする時間の変化を少な
くすることができる。

同様にして第３の電極24e、24f対、第４の電極24g、2
4h対に電圧を順次印加することによって、第３、第４イ
ンク吐出口25c、25dと基板21の開口部21aとが重なり合
う第３、第４吐出位置にスライダ25を順次移動させるこ
とができる。この結果、大きさの異なるインク滴を選択
的に吐出することができる。

又インク31を加圧する圧力や加圧時間を必要に応じて
少しずつ変化させれば、インク吐出口25a〜25dの径の変
化による階調に加え、インク吐出口25a〜25dから吐出す
るインク滴の大きさや形状を変えて階調を微妙に変化さ
せることができる。従って各インク吐出口25a〜25dの径
によってダイナミックレンジを確保した上で、加圧状態
を制御するようにすれば、高速性を失うことなく面積階
調記録を可能にし、しかもその階調数を実用十分な値で
得ることができる。

以上のように本実施例によれば、スライダ25を移動さ
せて、大きさの異なる第１〜第４インク吐出口25a〜25d
を基板21の開口部21aと重なり合う吐出位置に夫々停止
させ、この状態でインクを吐出することにより、少なく
とも４段階の面積階調記録を可能にし、高速記録がで
き、且つ小型軽量化が図れ、高密度記録が可能なインク
記録装置を提供することができる。尚、インク吐出口の
種類は必要に応じてその数や大きさ、形状などを設計す
ることができる。

次に本実施例のインク記録装置装置の製造法を、第６
図（ａ）〜（ｎ）に基き説明する。尚、本製造法には一
般的な半導体製造法を用いるので、以下の説明では個々
の詳しい手法省略し、製造のプロセスのみを示すことに
する。

（ａ）先ず単結晶シリコンの基板21（第６図（ａ）斜線
部分）の表面に異方性エッチングによって凹部21b′を
形成する。この凹部21b′が最終的にインク室21bとな
る。エッチング溶液は水酸化カリウム（KOH）水溶液を
用いる。マスクの除去は酸素プラズマを使用したフォト
レジストストリッピングで行い、所定の方法で洗浄と乾
燥を行う。次に、今形成した凹部21b′の底面中央部に
同様の異方性エッチングによって小さな凹部21a′を形
成する。この凹部21a′が最終的に開口部21aとなる。エ
ッチング溶液は同様に水酸化カリウム（KOH）水溶液を
用い、マスクの除去は酸素プラズマを使用したフォトレ
ジストストリッピングで行い、所定の方法で洗浄と乾燥
を行う。

（ｂ）次に酸化膜（SiO₂）22（第６図（ｂ）斜線部分）
を、凹部21b′を含めた基板21の表面に成長させる。こ
の酸化膜22は、例えば重量比８％のLPCVD/PSG層を約450
℃で堆積させることによって形成することができる。そ
の後緩衝フッ酸による酸化物溶解で酸化膜22のエッチン
グを行う。マスクの除去は酸素プラズマを使用したフォ
トレジストストリッピングで行い、洗浄と乾燥を行う。

（ｃ）続いて第６図（ｃ）に示すように窒化シリコン
（Si₃N₄）層23（同図斜線部分）をこの酸化膜22の上に
堆積させ、RIE（reactive−ion−etching）でパターニ
ングを行う。マスクの除去は酸素プラズマを使用したフ
ォトレジストストリッピングで行い、洗浄と乾燥を行
う。酸化膜22とこの窒化膜23とによりインク記録装置形
成後の絶縁層とする。絶縁耐圧は500V以上である。又窒
化膜23は緩衝フッ酸による酸化膜やPSG層の溶解時に酸
化膜22を保護する。

（ｄ）次に重量比８％のLPCVD/PSG層33を約450℃で凹部
21a′に堆積させ、緩衝フッ酸による酸化物溶解とプラ
ズマエッチングを用いて、第６図（ｄ）に斜線で示すよ
うな形状に形成する。マスクの除去は酸素プラズマを使
用したフォトレジストストリッピングで行い、洗浄と乾
燥を行う。

（ｅ）続いて同様に重量比８％のLPCVD/PSG層33a（第６
図（ｅ）斜線部分）を約450℃で堆積させ、緩衝フッ酸
による酸化物溶解でエッチングを行う。マスクの除去は
酸素プラズマを使用したフォトレジストストリッピング
で行い、洗浄と乾燥を行う。

（ｆ）ここでLPCVD多結晶シリコン層34を610〜630℃程
度で第６図（ｆ）に斜線で示すように全面的に堆積さ
せ、プラズマエッチングによって成形する。この多結晶
シリコン層34が、電極24a〜24h及びスライダ25になる。
ここでは残留応力除去のためにアニールを行う。尚、こ
の多結晶シリコン層34には、リンを拡散することによっ
て必要に応じて導電性を付与することができる。マスク
の除去は酸素プラズマを使用したフォトレジストストリ
ッピングで行い、洗浄と乾燥を行う。

（ｇ）続いて酸化膜35（第６図（ｇ）斜線部分）を多結
晶シリコン層34の上に成長させる。酸化膜35は重量比８
％のLPCVD/PSG層を約450℃で堆積させてもよい。この酸
化膜35は後のRIEエッチングの際の保護膜となる。

（ｈ）ここで第６図（ｈ）に示すように、多結晶シリコ
ン層34と酸化膜35とをプラズマエッチングによってパタ
ーニングし、電極24a〜24h及びスライダ25の形状を作り
出す。エンドポイントの検出は30％オーバーエッチング
で行い、マスクの除去は酸素プラズマを使用したフォト
レジストストリッピングで行う。又洗浄及び乾燥を行
い、残留応力除去のためのアニールを行う。

（ｉ）次に窒化膜（Si₃N₄）26（第６図（ｉ）斜線部
分）を堆積させる。パターニングはRIEで行うが、この
窒化膜26はインク記録装置形成時に前述の窒化膜（図示
せず）となり、スライダ25と各部との間の摩擦を軽減し
たり、材料の脆性を補うための潤滑層及び電極24a〜24h
の絶縁層（図示せず）となる。マスクの除去は酸素プラ
ズマを使用したフォトレジストストリッピングで行い、
洗浄の後、乾燥を行う。

（ｊ）ここで再び重量比８％のLPCVD/PSG層36を約450℃
で第６図（ｊ）に示すように全面的に堆積させ、プラズ
マエッチングによりパターニングする。マスクの除去は
酸素プラズマを使用したフォトレジストストリッピング
で行い、洗浄の後、乾燥を行う。

（ｋ）次にこのPSG層36（第６図（ｋ）斜線部分）にプ
ラズマエッチングにより孔28bをあける。この孔28bによ
り、後に形成するガイド軸28を固定することができる。
エンドポイントの検出は30％オーバーエッチングで行
い、マスクの除去は酸素プラズマを使用したフォトレジ
ストストリッピングで行う。又洗浄、乾燥を行う。

（ｌ）この状態で最後のLPCVD多結晶シリコン層37b（第
６図（ｌ）斜線部分）を610〜630℃程度で堆積させ、プ
ラズマエッチングによってガイド軸27、28を作る。マス
クの除去は酸素プラズマを使用したフォトレジストスト
リッピングで行い、洗浄と乾燥を行う。又残留応力除去
のためにアニールを行う。

（ｍ）ここでPSG層（あるいは酸化膜）33、33a、36（第
６図（ｌ）参照）を緩衝フッ酸で溶解して窒化膜26、多
結晶シリコン層34及び酸化膜35が一体となった可動物
（第６図（ｍ）斜線部分）を形成することにより、スラ
イダ25を作る。又洗浄、乾燥を行う。

（ｎ）最後に、基板21に裏側から異方性エッチングを行
って凹部21c′を形成し、表側に最初に形成した凹部21
a′に貫通させる。これで第６図（ｎ）に示すように、
開口部21a及びインク室21bができる。エッチング溶液は
水酸化カリウム水溶液を用いる。又マスクの除去は酸素
ブラズマを使用したフォトレジストストリッピングで行
い、洗浄と乾燥を行う。

以上の工程により本実施例のインク記録装置装置を製
造することができる。このように半導体製造法を用いて
一括して製造するので、ラインヘッドが極めて容易に製
作できる上、その精度も十分に高く、安定している。し
かもこのユニットを縦横に組合せれば、いくらでもヘッ
ドの数を増やしたり、高密度にしたりすることが可能な
インク記録装置を製造することができる。

第７図ないし第９図は、本発明の第２実施例における
インク記録装置を示している。

基板21に矩形状の固定開口部21jを設けると共に、ス
ライダ25に三角形状の可動開口部25jを設けている。固
定開口部21jの幅寸法は可動開口部25jの最大幅寸法より
広く、これら開口部21j、25jを重ねることによって台形
状のインク吐出口40を形成するようにしている。本実施
例のそのほかの構成は第１実施例と同様なので共通符号
を付して示し、その説明は省略する。

第７図及び第８図に示すスライダ25の第１吐出位置で
は、第１の電極24a、24b対に数10Vの電圧が印加されて
おり、スライダ25の突出部25p、25qが、前記電極24a、2
4bの表面に働く静電引力によって吸引され安定してい
る。このときスライダ25の可動開口部25jと基板21の固
定開口部21jとが形成する台形状のインク吐出部40は最
小開口面積となっている。これにより、インク室21bで
加圧されたインク31を前記開口面積によって決定される
大きさのインク滴32として外部に吐出することができ
る。すなわち、この状態で基板21の外側に記録用紙をセ
ッティングしておくことにより、第１実施例と同様、こ
のインク滴32によってドットが記録できる。そして、基
板21によってスライダ25などを外部からの手指などによ
る接触から保護することができるので信頼性を高めるこ
とができる。又スライダ25はインク31により圧力を受け
ることになるが、常にスライダ25が基板21の潤滑層及び
絶縁層である窒化膜23に押付けられた状態で支えられて
いるので、スライダ25がインク31の圧力によって歪むこ
ともなく、インク31の漏れもない。尚、本実施例におい
ても第１実施例と略同様の前面壁を設けることができ
る。

次に第９図に示すようにスライダ25を第２吐出位置に
移動したときの状態について説明する。ここでは第２の
電極24c、24d対に電圧を印加する。従ってスライダ25の
突出部25p、25qが、前記電極24c、24dの表面に働く静電
引力によって吸引された状態で安定している。今度は、
基板21の開口部21jと重なり合っているスライダ25の可
動開口部25jの部分の幅が先程より広くなっており、そ
の結果インク吐出口40の開口面積が大きくなる。すなわ
ちこの状態では、吐出されるインク滴32が第７図及び第
８図に示した第１吐出位置の場合より大きくなる。従っ
て、記録用紙には先程より面積の大きなドットが記録さ
れることになるが、記録に必要とする時間の変化はな
い。

続いて、第３の電極24e、24f対、或は第４の電極24
g、24h対に電圧を印加することによって、可動開口部25
jの幅が更に大きいところで基板21の固定開口部21jと重
なり合うようにして、形成されるインク吐出口40の開口
面積を大きくすることができる。この結果、異なる大き
さのインク滴32を選択的に吐出することができる。

第１実施例と同様に、インク31を加圧する圧力や時間
を必要に応じて少しずつ変化させれば、インク吐出口40
の開口面積の変化による階調に加え、吐出するインク滴
の大きさや形状を変えて階調を微妙に変化させることが
できる。従ってインク吐出口40の開口面積によってダイ
ナミックレンジを確保した上で、加圧状態を制御するよ
うにすれば、高速性を失うことなく面積階調記録を可能
にし、しかもその階調数を実用十分な値で得ることがで
きる。

又本実施例の場合は、スライダ25の可動開口部25jの
幅寸法が連続して変化するように三角形状をしているの
で、インク31を加圧したままでスライダ25を移動させれ
ば、インク31を吐出しながらインク滴32の大きさや形状
を変化させることができる。しかも、各電極24a〜24hへ
の印加時間などを制御すれば、スライダ25の移動速度も
制御できることになり、まさに望み通りのインク滴形状
及び吐出量が得られるわけで、面積階調記録は勿論のこ
と、あらゆる画像の記録に最適なインク吐出状態を作り
出すことが可能となる。

以上のように本実施例によれば、スライダ25を移動さ
せてインク吐出口40の開口面積を連続的に変化させるこ
とにより、自由にインク滴の大きさや形状を変化させた
面積階調記録を可能にし、高速記録ができ、且つ小型軽
量化が図れ、高密度記録が可能なインク記録装置を提供
することができる。

尚、本実施例においても、スライダ25の駆動手段を第
１実施例と同様に電極24a〜24hへの通電により夫々の電
極表面に発生する静電引力を利用して構成したが、他の
手段で移動させても良いことはいうまでもない。又本実
施例のインク記録装置装置の製造方法については第１実
施例と同一であるので説明は省略する。

本発明は上記実施例に示すほか、種々の態様に構成す
ることができる。

例えばインク吐出口制御手段を、カメラの絞り機構の
ように複数の絞り羽根形状の可動体とその駆動手段によ
って構成し、前記可動体の集合としてインク吐出口をそ
の中心部に形成し、可動体の夫々の位置を変えて前記イ
ンク吐出口の開口面積を変化させるようにすることも可
能である。この機構は一般のカメラの絞り機構として採
用されており、特に説明するまでもないと思われるが、
特長として開口面積を絞り羽根形状の可動体の移動速度
や停止位置を設定することにより自由に制御できるとい
うことがあり、又開口形状も常に円に近い多角形になる
という点が挙げられる。すなわち、インク滴を形成する
上で極めて都合の良い開口部を得ることができる。

発明の効果本発明によれば、インク吐出量を変化させることによ
りインク滴の大きさや形状を自由に変えることができる
ので、面積階調記録が可能であり、且つ高速記録ができ
ると共に、その駆動にはインク吐出量制御手段と電極と
の間に働く静電引力が利用されるので、スムースかつ正
確にインク吐出量を変化させることができるインク記録
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例におけるインク記録装置の
可動体が第１吐出位置にある状態を示す平面図、第２図
は第１図のＸ−Ｘ断面図、第３図は第１図のＹ−Ｙ断面
図、第４図は同装置の可動体が第２吐出位置にある状態
を示す平面図、第５図は第４図のＺ−Ｚ断面図、第６図
（ａ）〜（ｎ）は同インク記録装置の製造工程説明図、
第７図は本発明の第２実施例におけるインク記録装置の
可動体が第１吐出位置にある状態を示す平面図、第８図
は第７図のＶ−Ｖ断面図、第９図は同装置の可動体が第
２吐出位置にある状態を示す平面図、第10図は従来のイ
ンク記録装置の構成図、第11図（ａ）〜（ｄ）は同装置
の動作説明図である。 21……基板 21b……インク室 21j……固定開口部 24a〜24h……電極 25……可動体 25a〜25d……インク吐出口 25j……可動開口部 40……インク吐出口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B41J 2/205 B41J 2/05 B41J 2/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】インク室と、このインク室に設けられたイ
ンク吐出口と、このインク吐出口からのインク吐出量を
変化させるインク吐出量制御手段とからなり、このイン
ク吐出量制御手段を１つ以上の貫通孔を有する薄膜で構
成するとともにこのインク吐出量制御手段をスライド移
動させる駆動手段を備え、この駆動手段を、前記インク
吐出量制御手段の移動位置に対応した部位に各々設けら
れた電極と、この電極に電圧を印加する電源と、その制
御回路とから構成され、前記電極の表面と前記インク吐
出量制御手段の表面との間に働く静電引力を利用して前
記インク吐出量制御手段を駆動し、前記インク吐出口と
前記インク吐出量制御手段に設けられた貫通孔との相対
位置を変化させてインク吐出量を制御するものであるこ
とを特徴とするインク記録装置。
【請求項２】インク室のインク吐出口の外部前面に前面
壁を設けたことを特徴とする請求項１記載のインク記録
装置。
【請求項３】インク吐出量制御手段を、インク室の内部
に設けたことを特徴とする請求項１記載のインク記録装
置。